JPS5954243A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS5954243A JPS5954243A JP16445682A JP16445682A JPS5954243A JP S5954243 A JPS5954243 A JP S5954243A JP 16445682 A JP16445682 A JP 16445682A JP 16445682 A JP16445682 A JP 16445682A JP S5954243 A JPS5954243 A JP S5954243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- grown
- psg
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体集積回路装置にかかり、さくにアルミ
ニウムの多層配線構造を採用した半導体集積回路装置に
関する。
ニウムの多層配線構造を採用した半導体集積回路装置に
関する。
従来、酸化膜やリンガラス等の絶縁膜を形成する方法と
して一般に気相成長法が用いられている。
して一般に気相成長法が用いられている。
しかし、多層アルミニウム配線の層間絶縁膜を前記気相
成長法により形成した場合、成長時の温度および雰囲気
により下層のアルミニウム配線層の表面に、いわゆるア
ルミヒロックと呼はれる突起状のアルミニウムの異常成
長を生ずる。したがって、該アルミヒロックの段差部で
該層間絶縁膜の被覆性が不充分になり、上層配線と下層
配線間の耐圧の低下を生じ延いては、短絡を生じてしま
う恐れがある。そこで、該アルミヒロックを押える方法
として、比較的低温で成長可能なプラズマ気相成長によ
るシリコン窒化膜（Ｐ−８ｉＮ）を用いることができる
。ところが該ｆ’−８ｉＮを層間膜として形成すると、
装置誰の屯気的特性に不安定性を生じることが知られて
おり、信頼性を低下させることになる。
成長法により形成した場合、成長時の温度および雰囲気
により下層のアルミニウム配線層の表面に、いわゆるア
ルミヒロックと呼はれる突起状のアルミニウムの異常成
長を生ずる。したがって、該アルミヒロックの段差部で
該層間絶縁膜の被覆性が不充分になり、上層配線と下層
配線間の耐圧の低下を生じ延いては、短絡を生じてしま
う恐れがある。そこで、該アルミヒロックを押える方法
として、比較的低温で成長可能なプラズマ気相成長によ
るシリコン窒化膜（Ｐ−８ｉＮ）を用いることができる
。ところが該ｆ’−８ｉＮを層間膜として形成すると、
装置誰の屯気的特性に不安定性を生じることが知られて
おり、信頼性を低下させることになる。
この発明の目的は、多層のアルミニウム配線構造を用い
て集積度が高く、かつ信頼性の高い高速動作の半導体集
積回路装置を提供することにある。
て集積度が高く、かつ信頼性の高い高速動作の半導体集
積回路装置を提供することにある。
この発明は、多層のアルミニウム配線枯造を採用した半
爵体集積回路４Ｊす置に於い′Ｃ多層配線の層間膜ｔｔ
ｍがスパッタリング法によって成長した河３１の絶縁膜
と、該第１の絶縁膜上に成長した第２の絶縁膜によって
構成されることを特徴としている。このような発明によ
れば、装置に対する電気的特性の不安定性を及ぼすこと
のない該第１の酸化膜を形成することによって、下層ア
ルミニウム配線層の表面にアルミヒロックを生じること
なく、均一な膜厚で平たんな表面状態をもつ眉間絶縁膜
を得ることができる。したがって、電気的に安定な多層
配線構造が実現できる。
爵体集積回路４Ｊす置に於い′Ｃ多層配線の層間膜ｔｔ
ｍがスパッタリング法によって成長した河３１の絶縁膜
と、該第１の絶縁膜上に成長した第２の絶縁膜によって
構成されることを特徴としている。このような発明によ
れば、装置に対する電気的特性の不安定性を及ぼすこと
のない該第１の酸化膜を形成することによって、下層ア
ルミニウム配線層の表面にアルミヒロックを生じること
なく、均一な膜厚で平たんな表面状態をもつ眉間絶縁膜
を得ることができる。したがって、電気的に安定な多層
配線構造が実現できる。
次に本発明の一実施例について１図を参考にしながら説
明する。
明する。
第１図に本発明の基本的な実施例を示づ。先ず従来の方
法によりシリコン基板１０１にフィールド酸化膜１０２
およびリンガラス層１０３を成長しアルミニウム層１０
４を飛着し、写真蝕刻法を用いて下層のアルミニウム配
線層を形成する。次にプラズマ気相成長によるシリコン
窒化膜のように装置に対して電気的特性の不安定性を及
ぼすことのないスパッタリング方法によるシリコン酸化
膜１０５を１０００Ａ成長させて第１の絶縁膜とする。
法によりシリコン基板１０１にフィールド酸化膜１０２
およびリンガラス層１０３を成長しアルミニウム層１０
４を飛着し、写真蝕刻法を用いて下層のアルミニウム配
線層を形成する。次にプラズマ気相成長によるシリコン
窒化膜のように装置に対して電気的特性の不安定性を及
ぼすことのないスパッタリング方法によるシリコン酸化
膜１０５を１０００Ａ成長させて第１の絶縁膜とする。
しかる後に第２の絶縁膜として常圧の気相成長によるリ
ンガラス層１０６を７０００ 大成長する。
ンガラス層１０６を７０００ 大成長する。
このとき、該第１の絶縁１ｉ〆が無い状態では、該第２
の絶縁膜を成長すると約４００℃の成長温度によって、
下層のアルミニウム配線表門にアルミヒロックを生じ、
該第２の絶縁膜の被償性が悪くなる。しかし、低温で成
長可能なスパッタリング方法でシリコン酸化膜を成長し
た場合、下層のアルミニウム配線層１０４の表面に全く
変化が見られず、該第２の絶縁膜成長あるいは熱処理等
を行ってもアルミヒロックは発生しない。次に一ヒ層の
アルミニウム配線を形成して装置は完成する。結局、該
第１と第２の絶縁膜を合わぜて層間膜として用いる。も
ちろん第２の絶Ａ；す膜もスパッタリング方法による酸
化膜によって、第１の絶縁膜に連続して成長させること
は１１丁能であるが、現状では実用的なスパッタリング
方法による酸化膜の成長速度は１００ Ａ１５＋以下で
あり、層間膜として充分な膜厚を得るには不適当である
。したがって該第１の絶縁膜はアルミヒロック抑制の効
果を得るに必要な膜厚とし、該第２の絶縁膜によって所
望の膜厚の層間膜とする。
の絶縁膜を成長すると約４００℃の成長温度によって、
下層のアルミニウム配線表門にアルミヒロックを生じ、
該第２の絶縁膜の被償性が悪くなる。しかし、低温で成
長可能なスパッタリング方法でシリコン酸化膜を成長し
た場合、下層のアルミニウム配線層１０４の表面に全く
変化が見られず、該第２の絶縁膜成長あるいは熱処理等
を行ってもアルミヒロックは発生しない。次に一ヒ層の
アルミニウム配線を形成して装置は完成する。結局、該
第１と第２の絶縁膜を合わぜて層間膜として用いる。も
ちろん第２の絶Ａ；す膜もスパッタリング方法による酸
化膜によって、第１の絶縁膜に連続して成長させること
は１１丁能であるが、現状では実用的なスパッタリング
方法による酸化膜の成長速度は１００ Ａ１５＋以下で
あり、層間膜として充分な膜厚を得るには不適当である
。したがって該第１の絶縁膜はアルミヒロック抑制の効
果を得るに必要な膜厚とし、該第２の絶縁膜によって所
望の膜厚の層間膜とする。
前記実施例で示した様に、この発明による装置では、電
気的特性の不安定性を及ぼずことなくかつ、被覆性の良
いｊ−間膜縁膜の形成が可能となり、信頼性の高いアル
ミニウム多層配線が実現できる。
気的特性の不安定性を及ぼずことなくかつ、被覆性の良
いｊ−間膜縁膜の形成が可能となり、信頼性の高いアル
ミニウム多層配線が実現できる。
尚、本発明の主旨から当然のことであるが第２の絶縁膜
は常圧の気相成長によるリンガラス層である必要はなく
、４５０℃以下の温度で成長・１能な膜であれば良く、
例えは、減圧の気相成長による酸化膜でも良い。
は常圧の気相成長によるリンガラス層である必要はなく
、４５０℃以下の温度で成長・１能な膜であれば良く、
例えは、減圧の気相成長による酸化膜でも良い。
第１図はこの発明の一実施例の断面を示したものである
。 図中、１０１・・・・・・シリコン基板、１ｏ２・曲・
フィールド酸化膜、１ｏ３・・・・・・リンガラス層、
１０４・・・・・・下層のアルミニウム配線層、１０５
・由・・スパッタリング方法による酸化膜、１ｏ６・・
・・・・リンガラス層、 １０７・・・・・・上層のア
ルミニウム配線層である。 ）、 乙 （
。 図中、１０１・・・・・・シリコン基板、１ｏ２・曲・
フィールド酸化膜、１ｏ３・・・・・・リンガラス層、
１０４・・・・・・下層のアルミニウム配線層、１０５
・由・・スパッタリング方法による酸化膜、１ｏ６・・
・・・・リンガラス層、 １０７・・・・・・上層のア
ルミニウム配線層である。 ）、 乙 （
Claims (1)
- 多１＠のアルミニウム配線構造を採用した半導体集積回
路装置に於いて、多層配線の層間絶縁膜がスパッタリン
グ方法によって成長した第１の絶縁酸化膜と該第１の絶
縁膜上に成長した第２の絶縁膜によって構成されること
を特徴とする半導体集積回路装置Δ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16445682A JPS5954243A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16445682A JPS5954243A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954243A true JPS5954243A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15793518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16445682A Pending JPS5954243A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954243A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236348A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH02219233A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5656653A (en) * | 1979-10-13 | 1981-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP16445682A patent/JPS5954243A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5656653A (en) * | 1979-10-13 | 1981-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236348A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH02219233A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0366343B1 (en) | Integrated circuit fabrication, including low temperature method for making silicide structures | |
| JPS5954243A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0456453B2 (ja) | ||
| JPS5815944B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05129281A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07201779A (ja) | 電極配線およびその形成方法 | |
| JPS5951549A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| JPH03159124A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01239940A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6056291B2 (ja) | 誘電体絶縁分離基板の製造法 | |
| JPH05275424A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61135156A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62165328A (ja) | 酸化後の金属合金化方法 | |
| JPS62219916A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63272054A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5928358A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6120154B2 (ja) | ||
| JP2674654B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6131616B2 (ja) | ||
| JPS59107541A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6177343A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60245256A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60134445A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0669361A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS58197876A (ja) | 半導体装置 |