JPS61183199A - チタンシリサイドの選択成長方法 - Google Patents
チタンシリサイドの選択成長方法Info
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- JPS61183199A JPS61183199A JP60023480A JP2348085A JPS61183199A JP S61183199 A JPS61183199 A JP S61183199A JP 60023480 A JP60023480 A JP 60023480A JP 2348085 A JP2348085 A JP 2348085A JP S61183199 A JPS61183199 A JP S61183199A
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- gas
- titanium silicide
- gaseous
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
シリコン基板上に形成された絶縁層の窓明は部に四塩化
チタンと、水素ガスと、該水素ガスと反応してシリコン
を含むガス種と塩化水素とを発生させるガスを供給して
チタンシリサイドを選択的に成長させる。
チタンと、水素ガスと、該水素ガスと反応してシリコン
を含むガス種と塩化水素とを発生させるガスを供給して
チタンシリサイドを選択的に成長させる。
本発明はチタンシリサイドの選択成長に係り、特に完全
な選択性を有するチタンシリサイドを成長させてＩＣの
平坦化を図る技術に関する。
な選択性を有するチタンシリサイドを成長させてＩＣの
平坦化を図る技術に関する。
従来第４図に示すように、シリコン基板１上に二酸化シ
リコン（ＳｉＯ□）層３がパターニング形成されており
、その上に通常例えば蒸着法によってアルミニウム配線
層５が形成される。アルミニウム配線層５に用いられる
アルミニウムに、は機械的強度を増すために数％のシリ
コンが含有されている。
リコン（ＳｉＯ□）層３がパターニング形成されており
、その上に通常例えば蒸着法によってアルミニウム配線
層５が形成される。アルミニウム配線層５に用いられる
アルミニウムに、は機械的強度を増すために数％のシリ
コンが含有されている。
上記のような方法で配線層を形成すると第４図で７で示
したようにアルミニウムの蒸着不具合部が形成され易く
、上記７の部分で配線層の断線が生じる。またアルミニ
ウムに含まれたシリコンが。
したようにアルミニウムの蒸着不具合部が形成され易く
、上記７の部分で配線層の断線が生じる。またアルミニ
ウムに含まれたシリコンが。
シリコン基板１のｎ＋層層内内シリコンを種結晶として
エピタキシャル成長し逆エビ層６が形成される。逆エビ
層６はＰ型なので下の層のｎ“層２とｐｎ接合をつくり
高抵抗部を形成する問題があった。
エピタキシャル成長し逆エビ層６が形成される。逆エビ
層６はＰ型なので下の層のｎ“層２とｐｎ接合をつくり
高抵抗部を形成する問題があった。
上記問題は本発明によれば、ａ）シリコン基板上に絶縁
層を形成し、ｂ）該絶縁層の少なくとも１部を窓明は除
去し、Ｃ）該シリコン基板上の露出表面上に四塩化チタ
ン及ひキャリアガスとしての水素ガスと、該水素ガスと
反応してシリコンを含むガス種と塩化水素とを発生させ
るガスとの混合ガスを供給することによって前記窓明は
部にチタンシリサイドを選択成長させる工程からなるチ
タンシリサイドの選択成長方法によって解決される。
層を形成し、ｂ）該絶縁層の少なくとも１部を窓明は除
去し、Ｃ）該シリコン基板上の露出表面上に四塩化チタ
ン及ひキャリアガスとしての水素ガスと、該水素ガスと
反応してシリコンを含むガス種と塩化水素とを発生させ
るガスとの混合ガスを供給することによって前記窓明は
部にチタンシリサイドを選択成長させる工程からなるチ
タンシリサイドの選択成長方法によって解決される。
せるガスとの混合ガスはシリコン基板上絶縁層表面には
チタンシリサイドを成長させず絶縁層の窓明は部のみに
一定速度で平坦にチタンシリサイドを成長可能とする。
チタンシリサイドを成長させず絶縁層の窓明は部のみに
一定速度で平坦にチタンシリサイドを成長可能とする。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する、第１図
は本発明の方法によって得られたチタンシリサイド層上
に平坦な配線層が形成された構造の一実施例を示す断面
図である。
は本発明の方法によって得られたチタンシリサイド層上
に平坦な配線層が形成された構造の一実施例を示す断面
図である。
第２図は本発明に係るチタンシリサイドを成長させる装
置の一実施例を示す断面図である。
置の一実施例を示す断面図である。
第１図において、シリコン基板１上に約１μｍの厚さを
有するＳｉＯ□層３が形成されてその窓明は部にほぼ１
μｍの厚さのチタンシリサイド層４が形成されている。
有するＳｉＯ□層３が形成されてその窓明は部にほぼ１
μｍの厚さのチタンシリサイド層４が形成されている。
このように絶縁層とチタンシリサイド層の厚さがほぼ同
じであるためその表面は平坦化されており、絶縁層とチ
タンシリサイド層上に例えばアルミニウム配線層５がほ
ぼ平坦に形成されている。
じであるためその表面は平坦化されており、絶縁層とチ
タンシリサイド層上に例えばアルミニウム配線層５がほ
ぼ平坦に形成されている。
次に上記チタンシリサイド層の成長方法を説明する。第
２図において、第１図で示すようなシリコン基板１上に
形成したＳｉＯ□層に窓明けをしたウェハ１２が石英か
らなる反応管１０内のカーボンサセプタ１１上に配置さ
れている。該反応管１０内は例えば約０．６ Ｔｏｒｒ
の減圧下でＲＦコイル３により例えば約８００℃の温度
に加熱される。反応管１０内に供給されるＧａｓはバブ
リング用の水素ガスを含んだトリクロルチタン（Ｔｉｃ
１４／ Ｈｚ）を１００ｃｃ／分、キャリアガスとし
ての水素ガスを２１２／分、バブリング用の水素ガスを
含んだトリクロルシラン（ＳｉＨＣｊ！ ！／ Ｈｚ）
を１００ｃｃ／分の混合ガスである。
２図において、第１図で示すようなシリコン基板１上に
形成したＳｉＯ□層に窓明けをしたウェハ１２が石英か
らなる反応管１０内のカーボンサセプタ１１上に配置さ
れている。該反応管１０内は例えば約０．６ Ｔｏｒｒ
の減圧下でＲＦコイル３により例えば約８００℃の温度
に加熱される。反応管１０内に供給されるＧａｓはバブ
リング用の水素ガスを含んだトリクロルチタン（Ｔｉｃ
１４／ Ｈｚ）を１００ｃｃ／分、キャリアガスとし
ての水素ガスを２１２／分、バブリング用の水素ガスを
含んだトリクロルシラン（ＳｉＨＣｊ！ ！／ Ｈｚ）
を１００ｃｃ／分の混合ガスである。
このような混合ガスをウェハ１２上に供給するとウェハ
上の窓明は部にのみチタンシリサイドが成長速度１００
〜３００人／分で成長した（第３図はチタンシリサイド
成長の一過程を示す断面図である）。
上の窓明は部にのみチタンシリサイドが成長速度１００
〜３００人／分で成長した（第３図はチタンシリサイド
成長の一過程を示す断面図である）。
このようにしてチタンシリサイド層４は所定の時間でほ
ぼ５ｔＣｈ層３と同じ厚さに形成されるのである。
ぼ５ｔＣｈ層３と同じ厚さに形成されるのである。
上記実施例で用いた５ｉＨＣｊ！、の代わりにジクロル
シラン（ＳｉＨｚＣｊ！ ｚ）あるいは四塩化シリコン
でも可能である。これらのガスは水素ガスと反応してシ
リコンと塩化水素を発生させシリサイドの選択成長に寄
与するものである。
シラン（ＳｉＨｚＣｊ！ ｚ）あるいは四塩化シリコン
でも可能である。これらのガスは水素ガスと反応してシ
リコンと塩化水素を発生させシリサイドの選択成長に寄
与するものである。
またチタンシリサイド成長時の圧力条件は１００Ｔｏｒ
ｒ以下が完全選択性を得るために好ましく、温度条件は
６００〜９００℃程度が適度の成長速度を得る為とＳｉ
Ｏ□層をいためない為に好ましい。
ｒ以下が完全選択性を得るために好ましく、温度条件は
６００〜９００℃程度が適度の成長速度を得る為とＳｉ
Ｏ□層をいためない為に好ましい。
絶縁層はＳｉＯ□層の他にＳｉ：＋Ｎ４、ＰＳＧ又はＢ
ＰＳＧ等でも可能である。
ＰＳＧ等でも可能である。
以上説明したように本発明によれば絶縁層に形成された
開口部内にのみいわゆる選択的にしかも定量的にチタン
シリサイド層を成長させることが可能である。従って絶
縁層の厚さと同程度の厚さに導電性のあるシリサイド層
を形成し得るので配線層を平坦に設けることが可能とな
り、断線の問題を解消し、しかも逆エビ層の形成を解消
することができる。
開口部内にのみいわゆる選択的にしかも定量的にチタン
シリサイド層を成長させることが可能である。従って絶
縁層の厚さと同程度の厚さに導電性のあるシリサイド層
を形成し得るので配線層を平坦に設けることが可能とな
り、断線の問題を解消し、しかも逆エビ層の形成を解消
することができる。
第１図は本発明の方法によって得られたチタンシリサイ
ド層上に平坦な配線層が形成された構造の一実施例を示
す断面図であり、第２図は本発明に係るチタンシリサイ
ドを成長させる装置の一実施例を示す断面図であり、第
３図はチタンシリサイド成長の一過程を示す断面図であ
り、第４図は従来技術を説明するための断面図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・ｎ“層、３・・・Ｓ
ｉ０２層、 ４・・・チタンシリサイド層、５
・・・Ａ１配線層、 ６・・・逆エビ層、７・・・
蒸着不具合部、 １０・・・反応管、１１・・・カーボ
ンサセプタ、 １２・・・ウェハ、１３・・・ＲＦコイル。
ド層上に平坦な配線層が形成された構造の一実施例を示
す断面図であり、第２図は本発明に係るチタンシリサイ
ドを成長させる装置の一実施例を示す断面図であり、第
３図はチタンシリサイド成長の一過程を示す断面図であ
り、第４図は従来技術を説明するための断面図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・ｎ“層、３・・・Ｓ
ｉ０２層、 ４・・・チタンシリサイド層、５
・・・Ａ１配線層、 ６・・・逆エビ層、７・・・
蒸着不具合部、 １０・・・反応管、１１・・・カーボ
ンサセプタ、 １２・・・ウェハ、１３・・・ＲＦコイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ａ）シリコン基板上に絶縁層を形成し、 ｂ）該絶縁層の少なくとも１部を窓明け除去し、 ｃ）該シリコン基板上の露出表面上に四塩化チタン及ひ
キャリアガスとしての水素ガスと、該水素ガスと反応し
てシリコンを含むガス種と塩化水素とを発生させるガス
との混合ガスを供給することによって前記窓明け部にチ
タンシリサイドを選択成長させる工程とを有するチタン
シ リサイドの選択成長方法。 ２、前記絶縁層が二酸化シリコン、窒化シリコン、シリ
ケートガラス、あるいはボロンシリケートガラスからな
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、前記水素ガスと反応してシリコンと塩化水素とを発
生させるガスがトリクロルシラン、ジクロルシランある
いは四塩化シリコンである特許請求の範囲第１項記載の
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023480A JPS61183199A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | チタンシリサイドの選択成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023480A JPS61183199A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | チタンシリサイドの選択成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183199A true JPS61183199A (ja) | 1986-08-15 |
Family
ID=12111688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023480A Pending JPS61183199A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | チタンシリサイドの選択成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183199A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4952521A (en) * | 1985-04-26 | 1990-08-28 | Fujitsu Limited | Process for fabricating a semiconductor device with selective growth of a metal silicide |
| EP0591086A2 (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-06 | International Business Machines Corporation | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration |
| US5846881A (en) * | 1995-12-28 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Low cost DRAM metallization |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60023480A patent/JPS61183199A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4952521A (en) * | 1985-04-26 | 1990-08-28 | Fujitsu Limited | Process for fabricating a semiconductor device with selective growth of a metal silicide |
| EP0591086A2 (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-06 | International Business Machines Corporation | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration |
| EP0591086A3 (en) * | 1992-09-30 | 1994-09-21 | Ibm | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration |
| JPH06283453A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-10-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置製造方法 |
| US5846881A (en) * | 1995-12-28 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Low cost DRAM metallization |
| US6137180A (en) * | 1995-12-28 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Low cost DRAM metallization |
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