JP2556397B2 - 多結晶ケイ素の製造における始動フィラメント用黒鉛チャック及びその保護方法 - Google Patents

多結晶ケイ素の製造における始動フィラメント用黒鉛チャック及びその保護方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気体ケイ素化合物の熱分
解により炭素不含有多結晶ケイ素を製造する分野に関す
る。更に詳しくは本発明は、水素ガスの存在下におけ
る、反応容器内の黒鉛チヤックに取り付けられ伸長され
た始動フィラメント上の、気体ケイ素化合物の熱分解に
より、該反応容器内に実質的に純粋なケイ素の多結晶棒
を形成する方法において、前記黒鉛チヤック上において
大気圧以下の圧力及び９００℃と２１００℃との間の高
められた温度のもとに炭化水素ガスを分解して、少なく
とも０．５ミクロンの最小厚さを有する熱分解黒鉛の均
一な保護外部コーティングを形成し、前記熱分解を進行
させるに先立って前記反応容器内におけるメタンガスの
生成を抑制することを特徴とする前記方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多結晶棒は浮遊帯域融解法（ｆｌｏａｔ
ｚｏｎｅ ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）又はチ
ヨクラルスキー結晶引上法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ
ｃｒｙｓｔａｌ ｐｕｌｌｉｎｇ ｔｅｃｈｎｉｑｕ
ｅ）のいずれかによる半導体工業用単結晶棒の製造のた
め前駆物質として主に使用されている。これらの単結晶
棒は次いで加工されてケイ素ウエーハを形成し、該ウエ
ーハからケイ素棒チップが製造される。
【０００３】一般的に多結晶棒は、好ましくはケイ素棒
から、又はその代りにタングステンもしくはタンタルの
ような良好な電気伝導性を有する高融点金属から製造さ
れる棒状赤熱始動フィラメント上のシラン又はクロロシ
ラン（例えばトリクロロシラン）のような気体ケイ素化
合物の熱分解によって製造される。シラン及びクロロシ
ランの熱分解のための現行技術の反応器の設計原理が例
えば参考として本明細書に組み入れられる米国特許第
３，１４７，１４１号、同第４，１４７，８１４号及び
第４，１５０，１６８号各明細書に記載されている。ク
ロロシランを熱分解する場合における塩化物副生物の形
成によって生ずる複雑化を回避するためにシランの熱分
解によって多結晶ケイ素棒を製造することが一般的によ
り一層望ましい。
【０００４】ケイ素及び水素を生成するためのシラン
の、又はＨＣｌ、ＳｉＨＣｌ２などののような塩化物含
有化合物ならびに水素を生成するクロロシランの熱分解
は冷却された表面により囲まれる、一般的にケイ素棒で
ある加熱されたフィラメントの系列より成る反応器中に
おいて行われる。典型的にはフィラメントは該フィラメ
ントを通して電流を導入することにより加熱される。工
程は周囲温度におけるケイ素フィラメントの状態で開始
される。
【０００５】多結晶ケイ素は灼熱された高温ケイ素フィ
ラメント棒上のシラン又はクロロシランの不均一分解に
よって製造される。反応により棒の表面上にケイ素が析
出し、もしもケイ素がシランの分解によって生成される
ならば水素ガスが放出され、あるいはもしもケイ素の原
料がクロロシランであれば他の塩化物含有副生物化合物
と共に水素ガスが放出される。
【０００６】多結晶ケイ素の製造における主要な目的の
一つはできるだけ純粋なケイ素棒を製造することであ
る。たとえ極く少量の汚染物であっても、この前駆物質
多結晶ケイ素から最終的に製造されるケイ素チップの有
効性に重大な影響を及ぼす。多結晶ケイ素の製造のため
の従来技術は炭素を含めて種々の汚染物に対する問題を
抱えている。本発明は上記のような多結晶ケイ素棒に存
在することのある炭素の量を減少させることを特に目的
とする。
【０００７】多ケイ素（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）棒中
に汚染物として炭素が不都合にも存在することはわかっ
ていたけれど、そのような炭索の供給源は何であるか、
又はどのようにして炭素が多ケイ素棒を汚染するかにつ
いてはなんら認識されていなかった。確かに、このよう
な汚染の根源、又はこのような汚染が生ずる手段を確認
することができず、この問題に対する解決が長い間待望
されていた。
【０００８】
【発明の要約】多ケイ素棒が炭素によって汚染される根
源及び態様が本発明により確認された。最も重要なこと
は、その問題に対する解決が見出され、いまや実質的に
炭素不含有多ケイ素棒を製造することができるのであ
る。
【０００９】更に詳しくは上記のように、ケイ素源とし
て使用される気体ケイ素化合物は加熱された始動フィラ
メントにより熱分解される。この、典型的にはケイ素種
棒製のフィラメントは一般的にそれを通して電流を流す
ことによって加熱される。したがって、このフィラメン
トは該フィラメント上に析出しつつある多ケイ素棒の成
長を促進するように適所に確実に保持されなければなら
ないと同時に、該フィラメントを通して電流を流すこと
ができなければならない。典型的には、これらの目的の
両方を達成するために黒鉛チャックが先行技術により使
用されて来た。黒鉛チャックは（１）始動フィラメント
が該黒鉛チャック上に確実に取り付けられることでき、
（２）必要な電流に対する必要な電力を供給する電極上
に配置され、固定されることができ、しかも最も重要に
は（３）電流を電極からフィラメントへ伝導することが
できるように電気伝導性である、ように製造される。
【００１０】本発明の結果として、多ケイ素生成物の炭
素汚染源であるのは、この黒鉛チャックであることが確
認された。特に、シラン又はクロロシランのような気体
ケイ素化合物の熱分解の副生物として生成される水素と
黒鉛、すなわち炭素とが実際に反応してメタンを生成す
ることが確認された。次いで順次にこのメタンは加熱さ
れたケイ素棒と接触した場合に分解して炭素と、更に追
加の水素とを生成する。汚染物として多ケイ素棒中に進
入するのは、この炭素である。
【００１１】いまや棒が汚染される原因及び機構がわか
ったので、この問題の解決法は黒鉛チャック上に水素不
浸透性外部コーティング層を設けることである。この態
様においては、水素は黒鉛と反応することができず、そ
れによりメタンの生成が防止される。
【００１２】したがって最も広い実施態様において本発
明は、始動フィラメント上の気体ケイ素化合物の熱分解
による多結晶ケイ素棒の製造において、伸長された始動
フィラメントを取り付けるのに適した、熱分解黒鉛の外
部コーティング層を有する黒鉛チャックに関する。
【００１３】気体ケイ素化合物の熱分解によって多結晶
棒を形成するための加熱された始動フィラメントの支持
体に使用される黒鉛構造物の保護方法は、減圧下に、し
かも９００℃と２１００℃との間の高められた温度にお
ける炭化水素ガスの分解により前記黒鉛構造物上に外部
コーティングを形成する工程を包含する。
【００１４】シラン又はクロロシランを熱分解すること
による多結晶ケイ素の製造に関係のない先行技術におい
て黒鉛物品は種々の材料によってコーティングされて来
た。例えばハリス（Ｈａｒｒｉｓ）に対して発行された
米国特許第３，４０６，０４４号明細書において、ケイ
素ウエーハをエピタキシャルケイ素炉において、表面処
理することができる旨が教示されている。ケイ素ウエー
ハはエピタキシャルケイ素炉の一部を形成する黒鉛加熱
要素上に置かれ、次いで加熱される。ハリスはこれらの
黒鉛加熱要素はやや多孔性であり、かつ高温に供された
場合にかなりの量のガスを発生することを教示してい
る。更にハリスは、このガスはしばしばケイ素ウエーハ
と反応して表面欠陥を生ずることを開示している。ここ
で黒鉛材料からの上記ガスの逃出を防止するために黒鉛
上にケイ素の第一層が、次いで炭化ケイ素の第二層が設
けられている。
【００１５】チャンドラー（Ｃｈａｎｄｌｅｒ）らに対
して発行された米国特許第４，６２１，０１７号明細書
においては黒鉛物品に炭化ケイ素コーティングが施こさ
れ、該コーティングは次いでリン酸アルミニウムで処理
され、該リン酸アルミニウムは黒鉛ならびに炭化ケイ素
保護膜の両方に浸透する。このようなコーティングの目
的は、酸化の形態における腐食及び高温液体の流れによ
って生ずる摩耗の両方に対して実質的に抵抗性とされ得
る耐食性かつ耐摩耗性黒鉛物品を提供することである。
【００１６】
【発明の詳述】黒鉛チャックの構造又はデザインは本発
明に対して厳密に臨界的ではない。一般的に黒鉛チャッ
クはその名称が意昧するように始動フィラメントを適所
に確実に保持し、かつ電極上に位置を定めることができ
なければならない。
【００１７】図面において黒鉛チャック１０を示す。典
型的にはこの黒鉛チャックには始動フィラメント１４を
取り付けることのできる溝１２が設けられてある。黒鉛
チャックのフィラメント１４と溝１２との間の間隔がフ
ィラメントを導入するのに丁度十分ではあるけれど、な
お適度に、しかも確実に適合させるものである。
【００１８】一般的に黒鉛チャックの底部には熱分解法
に対する電力を供給する電極１６上に黒鉛チャックが固
定され、かつ位置を定めることができるような手段が設
けられている。典型的には該チャックには図１に１８と
して示される溝が設けられて該チャックを電極上に固定
させている。
【００１９】黒鉛チャックの外部表面上に設けられるコ
ーティングは黒鉛本体に関して、及び黒鉛チャックが固
定される電極を含めて多ケイ素生成工程の反応物、生成
物又は副生物のいずれに関しても不活性であるべきであ
る。更にその上、外部保護層として設けられたコーティ
ングは、水素が黒鉛と接触して、それと反応するのを実
質的に阻止するのに効果的であるべきである。
【００２０】本発明により、保護外部コーティングとし
て熱分解黒鉛層を析出させることによって所望の外部保
護を得ることができるということが発見された。このこ
とは全く予想外であった。なぜならば熱分解黒鉛は組成
において黒鉛本体に類似する炭素生成物であるからであ
る。更に熱分解黒鉛は導体であり、したがって全チャッ
ク表面上に被覆することができる。また熱分解黒鉛は実
質的に連続的なコーティングとして析出されることもで
きる。
【００２１】該熱分解黒鉛層の厚さは必要な水素不浸透
性を与えるのに効果的であるべきである。この厚さは、
使用される個々のコーティング材料によって変動するこ
とができる。一般的に水素不浸透層の厚さは少なくとも
約０．１ミル、好ましくは少なくとも約１ミルの厚さ、
典型的には約０，５ミルから約３ミルまでの範囲内であ
るべきてある。一たんチャックに最小の厚さが適用され
たならその厚さは水素が黒鉛と反応するのを効果的に阻
止し、この最小値を越えるいかなる追加の厚さも一般的
になんらそれ以上の利益を与えないので最大の厚さは効
果によって定められない。この最小値以上においては最
大の厚さは経済的に定められる。
【００２２】黒鉛チャック上に熱分解黒鉛のコーティン
グを形成するためには、好ましくは大気圧以下の圧力及
び約９００℃と約２１００℃との間の温度範囲内におい
て、黒鉛チャックの存在下に炭化水素ガスを分解する。
炭化水素ガスはヘリウム、アルゴン又は窒素のような不
活性希釈剤ガスによって、原料ガス１容量部当り約１０
〜４００重量部の希釈剤ガスの割合において希釈するこ
とができる。
【００２３】炭化水素ガスはメタンもしくはプロパンの
ような任意の適当なアルカン、又はベンゼンのような芳
香族であることができる。好ましい炭化水素ガスはメタ
ンである。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明により製造された黒鉛チャックの断面図で
あり、黒鉛チャック上に取り付けられた始動フィラメン
トを示し、かつ電極上に固定されたチャックをも示す。
【符号の説明】
１０ 黒鉛チャック １２ 溝 １４ 始動フィラメント １６ 電極 １８ 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン、ブライス、ヘッジ アメリカ合衆国、オハイオ州、44140、 ベイ・ビレッジ、レイ・ゲート・ドライ ブ 361番 (72)発明者 ポール、ジュード、ウォルシュ アメリカ合衆国、ユタ州、84129、ソル ト・レイク・シティ、サウス・フォーレ スト・オークス 7929番 (56)参考文献 特公 昭51−21937（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 水素ガスの存在下における、反応容器内
    の黒鉛チヤックに取り付けられ伸長された始動フィラメ
    ント上の、気体ケイ素化合物の熱分解により、該反応容
    器内に実質的に純粋なケイ素の多結晶棒を形成する方法
    において、前記黒鉛チヤック上において大気圧以下の圧
    力及び９００℃と２１００℃との間の高められた温度の
    もとに炭化水素ガスを分解して、少なくとも０．５ミク
    ロンの最小厚さを有する熱分解黒鉛の均一な保護外部コ
    ーティングを形成し、前記熱分解を進行させるに先立っ
    て前記反応容器内におけるメタン ガスの生成を抑制す
    ることを特徴とする前記方法。
JP2418179A 1990-06-27 1990-12-25 多結晶ケイ素の製造における始動フィラメント用黒鉛チャック及びその保護方法 Expired - Lifetime JP2556397B2 (ja)

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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3774920B2 (ja) * 1995-12-27 2006-05-17 信越半導体株式会社 単結晶引上装置のヒータ機構
US6238483B1 (en) 1999-08-31 2001-05-29 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus for supporting a semiconductor ingot during growth
KR200192771Y1 (ko) * 2000-03-08 2000-08-16 홍순달 장식용 포장지
KR100479711B1 (ko) * 2001-06-22 2005-03-30 코리아케미칼 주식회사 부분접착에 의한 투명효과 금은박 열전사필름 및 그제조방법
US20070181065A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-09 General Electric Company Etch resistant heater and assembly thereof
US9683286B2 (en) * 2006-04-28 2017-06-20 Gtat Corporation Increased polysilicon deposition in a CVD reactor
KR100768147B1 (ko) * 2006-05-11 2007-10-18 한국화학연구원 혼합된 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법과그 제조장치
KR100768148B1 (ko) * 2006-05-22 2007-10-17 한국화학연구원 금속 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법
KR200452119Y1 (ko) * 2009-01-06 2011-02-08 양종열 화훼포장용 포장지
DE202009007875U1 (de) 2009-06-04 2009-08-20 Wüst, Manfred, Dr. Vorwärmvorrichtung zum Vorwärmen von flüssigem und/oder gasförmigen Treibstoff für eine Brennkraftmaschine
JP5431074B2 (ja) * 2009-09-02 2014-03-05 東洋炭素株式会社 シード保持部材及びそのシード保持部材を用いた多結晶シリコン製造方法
US10494714B2 (en) 2011-01-03 2019-12-03 Oci Company Ltd. Chuck for chemical vapor deposition systems and related methods therefor
KR101435875B1 (ko) * 2012-03-12 2014-09-01 (주)아폴로테크 폴리실리콘 제조용 흑연척 재활용 방법
CN104411864B (zh) * 2012-07-10 2017-03-15 赫姆洛克半导体公司 用于沉积材料的制造设备和用于其中的托座
CN110352177B (zh) 2017-03-08 2023-08-01 株式会社德山 多晶硅加工品的制造方法
KR102644667B1 (ko) * 2018-07-23 2024-03-07 가부시끼가이샤 도꾸야마 심선 홀더, 실리콘 제조 장치 및 실리콘 제조 방법
CN111945129A (zh) * 2020-07-22 2020-11-17 山东国晶新材料有限公司 一种用于真空炉石墨部件的防护方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1223804B (de) * 1961-01-26 1966-09-01 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials, wie Silicium
JPS5121937A (ja) * 1974-08-15 1976-02-21 Kinki Bendeingu Saabisu Kk Booruchidashiki
US4621017A (en) * 1982-04-15 1986-11-04 Kennecott Corporation Corrosion and wear resistant graphite material and method of manufacture
JPS6176663A (ja) * 1984-09-20 1986-04-19 Hitachi Chem Co Ltd アルミニウム蒸着用黒鉛るつぼ
JPH0825838B2 (ja) * 1986-09-19 1996-03-13 東洋炭素株式会社 エピタキシヤル成長用黒鉛材料
JPS649900A (en) * 1987-06-30 1989-01-13 Ibiden Co Ltd Jig for heat-treating semiconductor wafer
JPH01176290A (ja) * 1987-12-28 1989-07-12 Ibiden Co Ltd 液相エピタキシャル成長用黒鉛治具

Also Published As

Publication number Publication date
IT9022537A1 (it) 1992-06-24
DE4041902C2 (ja) 1993-04-08
DE4041902A1 (de) 1992-01-09
KR960003734B1 (ko) 1996-03-21
KR920000618A (ko) 1992-01-29
IT9022537A0 (it) 1990-12-24
US5277934A (en) 1994-01-11
JPH06157195A (ja) 1994-06-03
IT1246735B (it) 1994-11-26

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