JP5431074B2 - シード保持部材及びそのシード保持部材を用いた多結晶シリコン製造方法 - Google Patents
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Description
こうして、多結晶シリコン析出後は、シード保持部材を折損して、多結晶シリコンが付着したシードを炉外に取り出し、その後、シード保持部材と多結晶シリコンの分別作業を行って、多結晶シリコンを取り出していた。
上記の如く、シード保持部材の外周面に折離用溝を形成することにより、破壊荷重を掛けた際に該溝において応力集中を引き起こし、従来よりも小さな負荷で折離作業を行うことが可能となる。
従来のシード保持部材の折離作業では、割れる箇所、割れの伝播方向が千差万別であった。そのため、往々にしてシード表面に析出した多結晶シリコンの結晶がシード保持部材表面を覆うように成長した場所に割れが伝播することがあった。シード保持部材とシリコン結晶が付着した破片が生じると、該破片についても別途多結晶シリコンとシード保持部材の分別作業を行わねばならず作業負担の増加となっていた。シード保持部材の表面に折離用溝を形成することにより、破壊荷重を掛けると該溝に応力集中を引き起こし割れが生じる。そして、割れは該溝に沿って伝播していく。個々の状況に合う折離用溝の位置と延在させる方向を設計することにより、従来の不具合を緩和できる。
図1は本発明にかかる多結晶シリコン製造方法に使用される製造装置の概略構成図、図2は図1の製造装置に使用されるシード保持部材の平面図、図3は図2のA1−A1線矢視断面図である。図1に示すように、反応炉1は炉底2を覆うようにベルジャ3が設けられており、内部が密閉されている。炉内には種棒となる逆U字型のシリコン芯材(以下、シードと称する)4が複数本立設されており、該シード4の両端部は炉底部の電極部5にシード保持部材6を介して支えられている。即ち、電極部5の先端には黒鉛(等方性黒鉛、異方性黒鉛のいずれであってもよい)から成るシード保持部材6が装着されており、該シード保持部材6にはシード4の下端部が差し込まれている。炉底2には、炉内のシード4に向かって原料ガスを供給するノズル7と、炉内の排ガスを排出する排出口8が設けられている。なお、図1において、20は、シード4の表面にシリコンが析出したシリコン析出部を示している。
溝深さは特に限定されるものではなく、折る際の応力集中を踏まえた負荷を計算しシード保持部材6の外径に合うように溝の深さを決めればよい。
溝形状はどのような形状であってもよい。例えば、円丸溝、矩形溝、V溝等のいずれであってもよい。
折離用溝16は、シード保持部材6の表面にシード表面より析出したシリコン結晶の成長部よりも下側に形成されているのが好ましい。換言すれば、折離用溝16の高さ方向に関する形成位置は、シード表面上に析出したシリコン結晶が成長し、シード保持部材6の先端部を覆い隠す部分よりも下の範囲が好ましい。
より好ましくは、折離用溝16がシード保持部材6の先端から30mmより下に形成することである。その理由は、析出した多結晶シリコンの結晶がシード保持部材6を先端から30mm以上の覆う状態に成長するまで析出作業を行うことは稀であることに起因する。
さらには、固定ネジ15を差し込む貫通孔14よりも上側にあるほうが、シリコン結晶からシード保持部材6を穿り出す際に作業が容易になる。
シード保持部材6外周面において周方向全周又はその一部のいずれであってもよい。
図5に示すように荷重スパンを1mとし、折離用溝16が全周に亘って形成され、且つ、溝深さは0cm、1.0cm、1.5cmの3種類のシード保持部材6の各々について荷重を作用させ破壊荷重を測定したので、その結果を表1及び図6に示す。
なお、本実験においては、シード保持部材6としては、図5に示す、台座部6aの無い、同一円柱状タイプのものを用いて実験を行った。また、本実験においては、貫通孔14が無い場合についても、貫通孔14が有る場合と同様の実験を行ったので、その結果も併せて、表1及び図6に記載している。なお、図6において、三角印は貫通孔14の有る場合の破壊荷重の測定値を示し、四角印は貫通孔14の無い場合の破壊荷重の測定値を示している。
表1及び図6に明らかに示すように、貫通孔14が有る場合においては、溝深さが0cmの場合(折離用溝16を形成していない場合)は破壊荷重が40kgf、溝深さが1.0cmの場合は破壊荷重が12kgf、溝深さが1.5cmの場合は破壊荷重が4kgfである。貫通孔14が無い場合においては、溝深さが0cmの場合(折離用溝16を形成していない場合)は破壊荷重が35kgf、溝深さが1.0cmの場合は破壊荷重が15kgf、溝深さが1.5cmの場合は破壊荷重が5kgfである。但し、溝深さが0cmの場合は、先端部にクラックが発生した。溝深さが1.0cm、1.5cmの場合は、折離用溝16を形成しない状態よりも小さい負荷で、折離用溝16から割れが生じた。
(1)上記実験結果より、折離用溝16を形成することにより破壊荷重を掛けた際に該溝において応力集中が起こり従来よりも小さな負荷で割れが生じた。さらに、該溝に沿って一定方向に割れが伝播し、シード保持部材の意図せぬ方向への割れの伝播を防止した状態で折離作業が行えるという本願の効果が得られることが認められる。
(2)折離用溝16を形成した場所のシード保持部材6の外径が小さくなると、破壊荷重が小さくなることが認められる。従って、溝を形成した場所のシード保持部材6の外径が極端に小さくなるような、溝深さの折離用溝16を形成した場合(例えば、上記実験における溝深さが1.5cmを越えるような場合)は、シード保持部材6の強度が弱くなり過ぎて、意図しない衝撃で折損する虞がある。加えて、通電時に電圧が溝を形成した部分において過度にかかり、過熱の不具合が生じる虞が高い。シード保持部材6の一部で加熱が起こると、該熱によってシリコン結晶が溶け出す虞がある。そこで、折離用溝16を形成した箇所で従来よりも小さな負荷で割れることに加え、該溝に沿って割れが伝播され、意図せぬシード保持部材6の箇所に割れの伝播を防止しながら折離作業が行えるという本願の効果に加えて、少なくとも意図しない衝撃で折損しない程度の強度を備えていること及び通電時に電圧が溝を形成した部分において過度にかかることに起因した過熱の不具合を防止することも考慮するのであれば、該溝深さは一定の範囲とするのが好ましい。例えば、シード保持部材6の外径を5cmとした上記実験の場合、溝深さは1.0cm付近が好ましい。より好ましくは該溝の深さは0.7〜1.5cm付近である。
上記実施の形態では、シード保持部材6は、台座部6aと胴部6bと截頭円錐台状の先端部6cとから構成されていたが、シード保持部材6の形状はこれに限定されるものではない。例えば、先端部6cを截頭円錐台状とせず、胴部6bをそのまま上方に延ばした構造であってもよい。
5:電極部 6:シード保持部材
6a:台座部 6b:胴部
6c:先端部 10:第1の嵌合孔
13:第2の嵌合孔 14:貫通孔
15:固定ネジ 16:折離用溝
20:シリコン析出部
Claims (11)
- シーメンス法で多結晶シリコンを製造する炉の底部に設置された電極部に装着され、種棒となるシードの下端部を保持する黒鉛製のシード保持部材であって、
外周面に折離用凹部を有し、該折離用凹部は固定ネジを差し込む貫通孔よりもシード寄りに形成されていることを特徴とするシード保持部材。 - シーメンス法で多結晶シリコンを製造する炉の底部に設置された電極部に装着され、種棒となるシードの下端部を保持する黒鉛製のシード保持部材であって、
外周面に折離用凹部を有し、該折離用凹部はシード保持部材に差し込まれたシードの端部よりも固定ネジ寄りに形成されていることを特徴とするシード保持部材。 - 前記折離用凹部の深さは、シード保持部材の外径の14%以上、30%以下である請求項2記載のシード保持部材。
- 前記凹部は折離用溝である、請求項1〜3のいずれかに記載のシード保持部材。
- 前記折離用溝の周方向に関する形成範囲が、周方向全周又はその一部である、請求項4記載のシード保持部材。
- 前記折離用溝はシード保持部材外周面の周方向に延在している、請求項4又は5記載のシード保持部材。
- 前記折離用溝は、シード保持部材の表面にシード表面より析出したシリコン結晶の成長部よりも下側に形成されている、請求項4〜6のいずれかに記載のシード保持部材。
- 前記シード保持部材の先端が截頭円錐台状に形成されている、請求項1〜7のいずれかに記載のシード保持部材。
- シーメンス法により多結晶シリコンを製造する方法であって、
種棒となるシードの下端部を保持するシード保持部材の外周面で且つ固定ネジを差し込む貫通孔よりもシード寄りに折離用凹部を予め形成しておき、この凹部が形成されたシード保持部材を、多結晶シリコンを製造する炉の底部に設置された電極部に装着するステップと、
シードの表面に多結晶シリコンを析出するステップと、
シードの表面に多結晶シリコンが析出後、シード保持部材を凹部より折損して、多結晶シリコンが付着したシードを炉外に取り出すステップと、
炉外に取り出されたシードから、シード保持部材と多結晶シリコンの分離作業を行うステップと、
を有することを特徴する多結晶シリコン製造方法。 - シーメンス法により多結晶シリコンを製造する方法であって、
種棒となるシードの下端部を保持するシード保持部材の外周面の任意の箇所に折離用凹部を予め形成しておき、この凹部が形成されたシード保持部材を、多結晶シリコンを製造する炉の底部に設置された電極部に装着するステップと、
シードの表面に多結晶シリコンを析出するステップと、
多結晶シリコン析出後、シードを保持した状態のままシード保持部材を電極部から取り外して、炉外に取り出すステップと、
炉外に取り出した後、シード保持状態のシード保持部材を凹部より折損して、シード保持部材と多結晶シリコンの分離作業を行うステップと、
を有することを特徴する多結晶シリコン製造方法。 - 前記凹部は折離用溝である、請求項9又は10記載の多結晶シリコン製造方法。
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