DE4041902A1 - Graphit-spannvorrichtung mit einem schutzueberzug und verfahren zur erzeugung des schutzueberzuges - Google Patents
Graphit-spannvorrichtung mit einem schutzueberzug und verfahren zur erzeugung des schutzueberzugesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Graphit-Spannvorrichtung zum Ein
spannen eines langgestreckten Starter-Glühdrahts bei der Her
stellung polykristalliner Siliziumstäbe durch pyrolytische
Spaltung einer gasförmigen Siliziumverbindung auf dem Star
ter-Glühfaden und ein Verfahren zur Erzeugung eines Schutz
überzuges auf der Graphit-Spannvorrichtung.
Polykristalline Stäbe werden in erster Linie als Precursor zur
Herstellung von Einkristall-Stäben für die Halbleiter-Industrie
durch das Zonenschmelzverfahren oder durch das Czochralski-Kri
stallziehverfahren verwendet. Diese Einkristall-Stäbe werden
dann zu Siliziumwafern weiterverarbeitet, aus denen Silizium
chips gemacht werden.
Üblicherweise werden polykristalline Stäbe durch die pyrolyti
sche Spaltung einer gasförmigen Siliziumverbindung, etwa Silan
oder ein Chlorsilan (z. B. Trichlorsilan), auf einem stabförmi
gen, rotglühenden Starter-Glühdraht hergestellt, der vorzugs
weise aus einem Silizium-Impfstab oder alternativ aus einem Me
tall mit einem hohen Schmelzpunkt und guter elektrischer Leit
fähigkeit gebildet ist, z. B. Wolfram oder Tantal. Die Grund
lagen der Konstruktion von zeitgemäßen Reaktoren zur Pyrolyse
von Silan und Chlorsilanen sind z. B. in den US-Patentschriften
Nr. 31 47 141, 41 47 814 und 41 50 168 beschrieben. Es ist im
allgemeinen wünschenswert, die polykristallinen Siliziumstäbe
durch Pyrolyse von Silan zu erzeugen, um die Schwierigkeiten zu
vermeiden, die durch Bildung chlorhaltiger Nebenprodukte bei
der Pyrolyse von Chlorsilanen entstehen.
Die Pyrolyse von Silan zur Bildung von Silizium und Wasser
stoff, oder eines Chlorsilans, wobei neben Wasserstoff chlor
haltige Verbindungen wie HCl, SiHCL2 oder ähnliche erzeugt
werden, wird in einem Reaktor durchgeführt, der aus einer Serie
beheizter Drähte besteht, üblicherweise Siliziumdrähte, welche
von gekühlten Flächen umgeben sind. Normalerweise werden die
Drähte beheizt, indem elektrischer Strom durch sie geleitet
wird. Zu Beginn des Verfahrens hat der Siliziumdraht Umgebungs
temperatur.
Das polykristalline Silizium wird durch heterogene Spaltung des
Silans oder Chlorsilans auf dem glühend heißen Silizium-Glüh
draht erzeugt. Durch die Reaktion wird Silizium auf der Ober
fläche des Stabes abgelagert und Wasserstoff-Gas freigesetzt,
falls das Silizium durch Spaltung von Silan gebildet wird, oder
es wird Wasserstoff-Gas in Verbindung mit anderen chlorhaltigen
Nebenprodukten freigesetzt, falls der Siliziumlieferant ein
Chlorsilan ist.
Eines der Hauptziele bei der Produktion von polykristallinem
Silizium liegt in der Erzeugung eines Siliziumstabes, der so
rein wie möglich ist. Selbst kleine Mengen an Verunreinigungen
haben einen großen Einfluß auf die Funktionstüchtigkeit der
Siliziumchips, die letztlich aus diesem als Precursor dienenden
polykristallinen Silizium gemacht werden. Die herkömmlichen
Techniken zum Herstellen von polykristallinem Silizium müssen
mit dem Problem unterschiedlicher Verunreinigungen, einschließ
lich der Verunreinigung durch Kohlenstoff, fertig werden.
Obwohl erkannt worden ist, daß Kohlenstoff unerwünschterweise
als Verunreinigung in dem Polysilizium-Stab vorhanden ist, be
stand keine Annahme oder Erkenntnis über die Herkunft dieses
Kohlenstoffs und wie der Kohlenstoff den Polysilizium-Stab ver
unreinigt. Da es bisher nicht möglich ist, die Herkunft dieser
Verunreinigung festzustellen oder den Mechanismus zu klären,
durch den die Verunreinigung stattfindet, wird auf eine Lösung
dieses Problems seit langem gewartet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Menge an Kohlen
stoff zu vermindern, die in einem polykristallinen Siliziumstab
möglicherweise vorhanden ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die
Graphit-Spannvorrichtung einen äußeren Schutzüberzug aus pyro
litischem Graphit aufweist. Vorteilhafterweise wird der äußere
Schutzüberzug auf der Graphit-Spannvorrichtung durch Spalten
eines Kohlenwasserstoff-Gases bei erniedrigtem Druck und bei
erhöhter Temperatur zwischen 900 und 2100°C gebildet.
Gemäß der Erfindung können nun im wesentlichen kohlenstofffreie
Polysilizium-Stäbe hergestellt werden.
Wie bereits erwähnt, wird die gasförmige Siliziumverbindung,
die als Siliziumlieferant eingesetzt wird, durch den beheizten
Starter-Glühdraht thermisch gespalten. Demzufolge muß dieser
Glühdraht zuverlässig an seinem Platz festgehalten werden, um
den größer werdenden Polysilizium-Stab halten zu können, der
auf ihm abgelagert wird, während es gleichzeitig möglich sein
muß, elektrischen Strom durch den Glühdraht zu leiten. Um diese
beiden Forderungen zu erfüllen, wird üblicherweise im Stand der
Technik eine Graphit-Spannvorrichtung eingesetzt. Die Graphit-
Spannvorrichtung ist so gestaltet, daß der Starter-Glühfaden
sicher auf ihr befestigt werden kann, daß sie auf eine Elek
trode, die den benötigten elektrischen Strom für den erforder
lichen Stromfluß zuführt, gesetzt werden und in die richtige
Lage gebracht werden kann, und daß sie, was besonders wichtig
ist, elektrisch leitend ist, um den Strom von der Elektrode zu
dem Glühdraht zu leiten.
Es wurde nun festgestellt, daß diese Graphit-Spannvorrichtung
die Quelle der Kohlenstoffverunreinigung in dem Polysilizium
produkt darstellt. Insbesondere wurde festgestellt, daß der als
Nebenprodukt bei der Pyrolyse der gasförmigen Siliziumverbindun
gen, wie Silan oder Chlorsilan, gebildete Wasserstoff mit dem
Graphit, d. h. mit dem Kohlenstoff, reagiert und Methan bildet.
Wenn dieses Methan mit dem beheizten Siliziumstab in Berührung
kommt, zerfällt es zu Kohlenstoff und wiederum Wasserstoff.
Dieser Kohlenstoff gelangt als Verunreinigung in den Polysili
zium-Stab.
Die Vermeidung einer Kohlenstoffverunreinigung des Polysili
ziumprodukts gelingt mit einer wasserstoffundurchlässigen äuße
ren Schutzschicht auf der Graphit-Spannvorrichtunq. Diese hin
dert den Wasserstoff ausreichend an einer Reaktion mit dem Gra
phit, wodurch die Bildung des Methans verhindert ist.
Aus Bereichen der Technik, die mit der Erzeugung von polykri
stallinem Silizium durch Pyrolisieren von Silan oder Chlorsi
lanen nichts zu tun haben, ist es bekannt, Gegenstände aus Gra
phit mit unterschiedlichen Materialien zu beschichten. Aus der
US-Patentschrift Nr. 34 06 044 ist z. B. bekannt, daß Silizium
wafer in Epitaxial-Silizium-Brennöfen oberflächenbehandelt wer
den können. Die Siliziumwafer werden auf ein Graphitheizelement
gelegt, das ein Teil des Epitaxial-Silizium-Brennofens ist, und
dann erhitzt. In dem Patent ist beschrieben, daß diese Graphit
heizelemente relativ porös sind und erhebliche Mengen an Gas
abgeben, wenn sie hohen Temperaturen ausgesetzt werden. Dieses
Gas reagiert häufig mit dem Siliziumwafer und verursacht Ober
flächenfehler. In diesem Patent wird, um das Entweichen solcher
Gase aus dem Graphitmaterial zu verhindern, eine erste Schicht
aus Silizium auf dem Graphit vorgesehen, auf die eine zweite
Schicht aus Siliziumkarbid folgt.
In der US-PS 46 21 017 ist beschrieben, daß Gegenstände aus
Graphit mit einem Überzug aus Siliziumkarbid versehen werden,
der dann mit Aluminiumphosphat behandelt wird, das sowohl in
das Graphit als auch in den Siliziumkarbid-Überzug eindringt.
Der Zweck eines solchen Überzugs ist es, einen korrosions- und
abriebfesten Graphit-Gegenstand zu schaffen, der in hohem Maße
gegenüber oxidativer Korrosion und gegenüber Abrieb, der durch
die Strömung von Fluiden mit hoher Temperatur verursacht wird,
beständig ist.
Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Graphit-Spannvorrichtung anhand einer schematischen Zeichnung
näher erläutert.
Die einzige Fig. zeigt einen Längsschnitt durch eine Graphit-
Spannvorrichtung.
Der Aufbau und die Konstruktion der Graphit-Spannvorrichtung
spielt hier keine besondere Rolle. Die Graphit-Spannvorrichtung
muß nur dazu in der Lage sein, einen Starter-Glühdraht sicher
festzuhalten und sie muß auf einer Elektrode angeordnet werden
können.
Die in Fig. 1 gezeigte Graphit-Spannvorrichtung 10 weist typi
scherweise eine Aussparung 12 auf, die die Befestigung eines
Starter-Glühdrahts 14 erlaubt. Der Abstand zwischen dem Glüh
draht 14 und der Aussparung 12 der Graphit-Spannvorrichtung 10
ist gerade groß genug, um die Einführung des Glühdrahts 14 zu
ermöglichen und dennoch einen engen und sicheren Sitz zu schaf
fen.
Allgemein ist die Unterseite der Spannvorrichtung so ausgestat
tet, daß sie auf eine Elektrode 16 gesetzt und ausgerichtet
werden kann, die elektrischen Strom für die Pyrolyse zuführt.
Bevorzugt ist die Spannvorrichtung mit einer Aussparung 18
versehen, die es erlaubt, die Spannvorrichtung auf die Elek
trode 16 zu setzen.
Ein auf der äußeren Oberfläche der Graphit-Spannvorrichtung
angeordneter Überzug soll bezüglich des Graphitkörpers und
bezüglich aller Reaktanden, Produkte oder Nebenprodukte des
Polysilizium-Herstellungsprozesses inert sein, einschließlich
der Elektrode, auf die die Graphit-Spannvorrichtung 10 gesetzt
ist. Des weiteren soll der als äußere Schutzschicht vorgesehene
Überzug Wasserstoff im wesentlichen daran hindern, mit dem
Graphit in Berührung zu kommen und mit ihm zu reagieren.
Der gewünschte äußere Schutz wird durch Ablagern einer äußeren
Schutzschicht aus pyrolytischem Graphit erhalten.
Das war keinesfalls zu erwarten, da pyrolytischer Graphit ein
Kohlenstofferzeugnis mit einer Zusammensetzung ähnlich der des
Graphitkörpers ist.
Pyrolytischer Graphit ist ein Leiter, weshalb die gesamte Ober
fläche der Spannvorrichtung 10 damit überzogen werden kann.
Pyrolytischer Graphit kann als ein im wesentlichen zusammenhän
gender Überzug abgelagert werden.
Die Dicke der Schicht muß ausreichend sein, um die nötige Was
serstoff-Undurchlässigkeit zu erzielen. Die Dicke kann mit dem
verwendeten Überzugsmaterial variieren. Allgemein sollte die
Dicke der wasserstoffundurchlässigen Schicht zumindest etwa
2,5 µm, bevorzugt zumindest etwa 25 µm und zweckmäßigerweise
zwischen etwa 13 µm und etwa 75 µm betragen. Die Maximaldicke
wird nicht durch die Wirksamkeit diktiert, denn wenn eine Minimal
dicke auf die Spannvorrichtung aufgetragen ist, die Wasserstoff
wirksam am Reagieren mit dem Graphit hindert, bringt eine zu
sätzliche Dicke über die Minimaldicke hinaus allgemein keinen
weiteren Nutzen. Oberhalb dieser Minimaldicke diktieren Wirt
schaftlichkeitserwägungen die Maximaldicke.
Um einen Überzug aus pyrolytischem Graphit auf der Graphit-
Spannvorrichtung zu bilden, wird ein Kohlenwasserstoff-Gas in
Gegenwart der Graphit-Spannvorrichtung vorzugsweise bei einem
Druck unterhalb des Atmosphärendrucks und in einem Temperatur
bereich zwischen etwa 900 und 2100°C gespalten. Das Kohlenwas
serstoff-Gas kann mit einem inerten Verdünnungsgas, z. B. He
lium, Argon oder Stickstoff, verdünnt werden und zwar in einem
Verhältnis von etwa 10 bis 400 Vol.-Anteilen Verdünnungsgas pro
Vol.- Anteil des Kohlenwasserstoff-Gases.
Das Kohlenwasserstoff-Gas kann jedes geeignete Alkan sein, z. B.
Methan oder Propan oder ein Aromat, wie etwa Benzol. Das bevor
zugte Kohlenwasserstoff-Gas ist Methan.
Claims (2)
1. Graphit-Spannvorrichtung (10) zum Einspannen eines langge
streckten Starter-Glühdrahts (14) bei der Herstellung polykri
stalliner Siliziumstäbe durch pyrolytische Spaltung einer gas
förmigen Siliziumverbindung auf dem Starter-Glühdraht (14),
dadurch gekennzeichnet, daß die Graphit-Spann
vorrichtung (10) einen äußeren Schutzüberzug aus pyrolytischem
Graphit aufweist.
2. Verfahren zur Erzeugung eines Schutzüberzugs der Graphit-
Spannvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der äußere Schutz
überzug auf der Graphit-Spannvorrichtung (10) durch Spalten ei
nes Kohlenwasserstoff-Gases bei erniedrigtem Druck und bei er
höhter Temperatur zwischen 900 und 2100°C gebildet wird.
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