CN111945129A - 一种用于真空炉石墨部件的防护方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于真空炉石墨部件的防护方法,该防护方法包括:1)对石墨部件进行抛光打磨,使石墨部件的表面粗糙度达到0.5mm以下;2)将抛光打磨后的石墨部件放入CVD炉内;3)设定CVD炉内的温度和压力,向CVD炉内通入甲烷和氮气或者通入三氯化硼、氨气和惰性气体,最终在石墨部件表面沉积一层热解石墨涂层或热解氮化硼涂层。本发明通过在石墨部件表面涂覆一层热解石墨或热解氮化硼涂层,一方面可以防止石墨粉尘挥发出来污染反应腔室,从而提高产品的纯净度;另一方面可以保护石墨部件,延长石墨部件的使用寿命,降低企业成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于真空炉石墨部件的防护方法,特别涉及CVD炉中石墨部件的防护方法,属于化学气相沉积技术领域。
背景技术
目前在化学气相沉积领域多使用石墨部件,因石墨内部有孔,石墨部件在CVD炉中高温低压的环境下容易挥发出石墨粉,污染反应腔室,致使产品内部会产生杂质,影响产品的使用性能。
例如,中国专利文献CN110606771A提供了一种石墨部件表面钛金属化改性的制备工艺,所述石墨部件表面钛金属化的制备方法是结合了溶胶凝胶、氧化、还原以及真空烧结技术,首先以乙基纤维素、松油醇、蓖麻油、纳米TiO2粉体为原料制备纳米TiO2油膏,并均匀涂覆在石墨部件表面,随后,采用加热氧化彻底脱除有机成分,接着,在石墨表面氢气还原出纳米Ti颗粒层。最后,利用真空烧结技术,使石墨部件表面具备金属属性。本发明的工艺合理,操作简便,获得的表面金属改性石墨部件材料与铝合金亲和性高,并具有优异的耐铝合金腐蚀性能,在铝合金行业具有良好的推广应用前景。该专利技术为一种石墨部件表面的改性方案,其目的是使得石墨部件材料与铝合金亲和性高,具有较高的耐腐蚀性能。
但该方案制得的石墨部件不适用于化学气相沉积领域,无法满足CVD产品洁净制备的工艺要求。因此,为了防止在CVD炉中高温低压的环境下石墨部件挥发出石墨粉,亟需寻求一种有效方法来防止石墨粉的挥发。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种用于真空炉石墨部件的防护方法,该防护方法在石墨部件的表面涂覆一层热解石墨或热解氮化硼,阻止石墨部件在高温低压环境下挥发出石墨粉,避免污染CVD炉的反应腔室,从而提高产品的纯净度。
本发明的技术方案如下:
一种用于真空炉石墨部件的防护方法,包括以下步骤:
1)将真空炉中的石墨部件进行抛光打磨,使石墨部件的表面粗糙度达到0.5mm以下;
2)将步骤1)抛光打磨后的石墨部件放入CVD炉内;
3)设定CVD炉内温度为1400-1900℃,压力为50-1000Pa,然后向CVD炉内通入甲烷和氮气,气体体积流量比为1:(1-20),通入时间为0.1-10h,在石墨部件表面沉积一层热解石墨涂层;
或者
设定CVD炉内温度为1500-2000℃,压力为10-300Pa,然后向CVD炉内通入三氯化硼、氨气和惰性气体,气体体积流量比为1:(1-5):(1-20),通入时间为0.1-10h,在石墨部件表面沉积一层热解氮化硼涂层。
优选的,步骤1)中,所述石墨部件包括石墨电极板、石墨发热棒。
优选的,步骤1)中,将石墨部件从真空炉内取出,使用2000目砂纸进行抛光打磨。
优选的,步骤1)中,抛光打磨后,石墨部件的表面粗糙度为0.1mm。
优选的,步骤3)中,所述惰性气体包括氩气、氦气或氮气。
优选的,步骤3)中,在温度1800℃、压力200Pa的条件下通入甲烷和氮气,气体体积流量比为1:10,通入时间为5h。
优选的,步骤3)中,在温度1800℃、压力100Pa的条件下通入三氯化硼、氨气以及氮气,气体体积流量比为1:3:5,通入时间为3h。
优选的,步骤3)中,热解石墨涂层的厚度为100微米,热解氮化硼涂层的厚度为100微米。
一种CVD炉,包括上述防护方法制得的石墨部件。
本发明的有益效果在于:
本发明通过在石墨部件表面涂覆一层热解石墨或热解氮化硼涂层,一方面可以防止石墨粉尘挥发出来污染反应腔室,从而提高产品的纯净度;另一方面可以保护石墨部件,延长石墨部件的使用寿命,降低企业成本。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明做进一步说明,但不限于此。
实施例1:
一种用于真空炉石墨部件的防护方法,利用该方法对CVD炉中的石墨电极板进行防护作业,具体作业方法包括以下步骤:
1)将CVD炉中的石墨电极板取出,放在工作台上采用打磨机进行抛光打磨,打磨后采用粗糙度检测仪进行表面粗糙度检测,使石墨电极板的表面粗糙度达到0.1mm;
2)将步骤1)抛光打磨后的石墨电极板放入CVD炉内;
3)设定CVD炉内温度为1800℃,压力为200Pa,然后向CVD炉内通入甲烷和氮气,气体体积流量比为1:10,通入时间为5h,在石墨电极板表面沉积一层热解石墨涂层;热解石墨涂层的厚度为100微米。
将本实施例方案制得的石墨电极板安装到CVD炉中,在化学气相沉积炉内生产一支φ 100*100的直筒热解氮化硼产品,制得的产品的杂质含量为3个/cm2。
实施例2:
一种用于真空炉石墨部件的防护方法,利用该方法对CVD炉中的石墨电极板进行防护作业,具体作业方法包括以下步骤:
1)将CVD炉中的石墨电极板取出,用1000目砂纸打磨,打磨后采用粗糙度检测仪进行表面粗糙度检测,使石墨电极板的表面粗糙度达到0.2mm;
2)将步骤1)抛光打磨后的石墨电极板放入CVD炉内;
3)设定CVD炉内温度为1800℃,压力为100Pa,然后向CVD炉内通入三氯化硼、氨气和氮气,气体体积流量比为1:3:5,通入时间为3h,在石墨部件表面沉积一层50微米厚的热解氮化硼涂层。
将本实施例方案制得的石墨电极板安装到CVD炉中,在化学气相沉积炉内生产一支φ 100*100的直筒热解氮化硼产品,制得的产品的杂质含量为4个/cm2。
实施例3:
一种用于真空炉石墨部件的防护方法,利用该方法对石墨加热棒进行防护作业,具体作业方法包括以下步骤:
1)将CVD炉中的石墨加热棒取出,利用2000目砂纸进行打磨,打磨后采用粗糙度检测仪进行表面粗糙度检测,使石墨加热棒的表面粗糙度达到0.5mm;
2)将步骤1)抛光打磨后的石墨加热棒放入CVD炉内;
3)设定CVD炉内温度为1400℃,压力为1000Pa,然后向CVD炉内通入甲烷和氮气,气体体积流量比为1:20,通入时间为10h,在石墨加热棒表面沉积一层热解石墨涂层;热解石墨涂层的厚度为150微米。
将本实施例方案制得的石墨加热棒安装到CVD炉中,在化学气相沉积炉内生产一支φ 100*100的直筒热解氮化硼产品,制得的产品的杂质含量为2个/cm2。
实施例4:
一种用于真空炉石墨部件的防护方法,利用该方法对石墨加热棒进行防护作业,具体作业方法包括以下步骤:
1)将CVD炉中的石墨加热棒取出,利用2000目砂纸进行打磨,打磨后采用粗糙度检测仪进行表面粗糙度检测,使石墨加热棒的表面粗糙度达到0.5mm;
2)将步骤1)抛光打磨后的石墨加热棒放入CVD炉内;
3)设定CVD炉内温度为1900℃,压力为50Pa,然后向CVD炉内通入甲烷和氮气,气体体积流量比为1:1,通入时间为10h,在石墨加热棒表面沉积一层热解石墨涂层;热解石墨涂层的厚度为100微米。
将本实施例方案制得的石墨加热棒安装到CVD炉中,在化学气相沉积炉内生产一支φ 100*100的直筒热解氮化硼产品,制得的产品的杂质含量为3个/cm2。
实施例5:
一种用于真空炉石墨部件的防护方法,利用该方法对CVD炉中的石墨电极板和石墨加热棒进行防护作业,具体作业方法包括以下步骤:
1)将CVD炉中的石墨电极板和石墨加热棒取出,用1000目砂纸打磨,打磨后采用粗糙度检测仪进行表面粗糙度检测,使石墨电极板和石墨加热棒的表面粗糙度达到0.3mm;
2)将步骤1)抛光打磨后的石墨电极板和石墨加热棒放入CVD炉内;
3)设定CVD炉内温度为1500℃,压力为300Pa,然后向CVD炉内通入三氯化硼、氨气和氮气,气体体积流量比为1:5:20,通入时间为10h,在石墨部件表面沉积一层100微米厚的热解氮化硼涂层。
将本实施例方案制得的石墨电极板和石墨加热棒安装到CVD炉中,在化学气相沉积炉内生产一支φ100*100的直筒热解氮化硼产品,制得的产品的杂质含量为2个/cm2。
实施例6:
一种用于真空炉石墨部件的防护方法,利用该方法对CVD炉中的石墨电极板和石墨加热棒进行防护作业,具体作业方法包括以下步骤:
1)将CVD炉中的石墨电极板和石墨加热棒取出,用1000目砂纸打磨,打磨后采用粗糙度检测仪进行表面粗糙度检测,使石墨电极板和石墨加热棒的表面粗糙度达到0.3mm;
2)将步骤1)抛光打磨后的石墨电极板和石墨加热棒放入CVD炉内;
3)设定CVD炉内温度为2000℃,压力为10Pa,然后向CVD炉内通入三氯化硼、氨气和氮气,气体体积流量比为1:1:1,通入时间为8h,在石墨部件表面沉积一层120微米厚的热解氮化硼涂层。
将本实施例方案制得的石墨电极板和石墨加热棒安装到CVD炉中,在化学气相沉积炉内生产一支φ100*100的直筒热解氮化硼产品,制得的产品的杂质含量为2个/cm2。
将实施例1-6制备的石墨部件安装到CVD炉中进行直筒热解氮化硼产品的生产,其制得的直筒热解氮化硼产品的杂质含量相比传统CVD炉制得的直筒热解氮化硼产品的杂质含量对比如下表1所示:
表1:直筒热解氮化硼产品在不同的CVD炉中制备后的杂质含量对比
从表1可知,在对石墨部件进行涂层后的CVD炉中制得的直筒热解氮化硼产品,其杂质含量远远低于传统CVD炉(不对炉内的石墨部件进行抛光和涂层)中制得的直筒热解氮化硼产品,产品的纯净度大大提高。
Claims (9)
1.一种用于真空炉石墨部件的防护方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将真空炉中的石墨部件进行抛光打磨,使石墨部件的表面粗糙度达到0.5mm以下;
2)将步骤1)抛光打磨后的石墨部件放入CVD炉内;
3)设定CVD炉内温度为1400-1900℃,压力为50-1000Pa,然后向CVD炉内通入甲烷和氮气,气体体积流量比为1:(1-20),通入时间为0.1-10h,在石墨部件表面沉积一层热解石墨涂层;
或者
设定CVD炉内温度为1500-2000℃,压力为10-300Pa,然后向CVD炉内通入三氯化硼、氨气和惰性气体,气体体积流量比为1:(1-5):(1-20),通入时间为0.1-10h,在石墨部件表面沉积一层热解氮化硼涂层。
2.如权利要求1所述的用于真空炉石墨部件的防护方法,其特征在于,步骤1)中,所述石墨部件包括石墨电极板、石墨发热棒。
3.如权利要求1所述的用于真空炉石墨部件的防护方法,其特征在于,步骤1)中,将石墨部件从真空炉内取出,使用2000目砂纸进行抛光打磨。
4.如权利要求1所述的用于真空炉石墨部件的防护方法,其特征在于,步骤1)中,抛光打磨后,石墨部件的表面粗糙度为0.1mm。
5.如权利要求1所述的用于真空炉石墨部件的防护方法,其特征在于,步骤3)中,所述惰性气体包括氩气、氦气或氮气。
6.如权利要求1所述的用于真空炉石墨部件的防护方法,其特征在于,步骤3)中,在温度1800℃、压力200Pa的条件下通入甲烷和氮气,气体体积流量比为1:10,通入时间为5h。
7.如权利要求1所述的用于真空炉石墨部件的防护方法,其特征在于,步骤3)中,在温度1800℃、压力100Pa的条件下通入三氯化硼、氨气以及氮气,气体体积流量比为1:3:5,通入时间为3h。
8.如权利要求1所述的用于真空炉石墨部件的防护方法,其特征在于,步骤3)中,热解石墨涂层的厚度为100微米,热解氮化硼涂层的厚度为100微米。
9.一种CVD炉,包括权利要求1-8任一项所述的防护方法制得的石墨部件。
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