JP3774920B2 - 単結晶引上装置のヒータ機構 - Google Patents
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、単結晶引上装置において、ルツボ内の原料融液を所定温度に加熱保持するヒータ機構の改良技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えば半導体材料であるシリコン融液に種結晶を触れさせて単結晶を成長させ、これをゆっくり回転させながら引上げるような単結晶引上装置が知られている。このような装置では、シリコン融液を貯溜するルツボの周囲にヒータ機構が配設され、このヒータ機構の加熱によってシリコン融液を一定の温度に保持するようにしているが、例えば結晶の径を制御するような場合に融液温度を変化させる必要等から、ヒータ機構を上下動可能にした装置も知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなヒータ機構は、例えば図5に示すように、不図示のルツボの側面周囲を囲う筒状の黒鉛ヒータ52と、この下方に接続される銅製等の電極53を備え、このヒータ機構51がルツボの下方に配設された融液受皿54の電極挿通孔hを通して上下動自在にされているが、例えば図5に示すような状態で電極53が融液受皿54より上方の炉内に入り込むと、ルツボの破損等により万が一融液が漏れた場合、ルツボから外に漏れ出した融液がヒータ52を伝わって電極53に接触したり、外部に飛散した融液が電極53に接触するような虞れが生じ、この場合には銅製等の電極53が至短時間に溶損する等の不具合が考えられた。そしてこのように電極53が溶損すると、内部の冷却水が流れ出して水蒸気爆発等の重大な事態が生じる虞れもあることから、このような事態を未然に防止する必要があった。
そこで、電極53の一部が炉内に入り込んでいる時に融液が漏れても電極53に接触せず、またたとえヒータから伝わり落ちて来ても至短時間に溶損等が生じないような方策が望まれていた。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明は、電極の上部のうち、ヒータが上昇した際少なくとも炉内に入り込む部分を黒鉛製部材とした。
ここで、黒鉛(グラファイト)は融点が3550℃で元素中最大であるといわれており、銅の融点約1083℃に較べて格段に耐熱性が良い。このため、例えばヒータを伝わって落下する融液が黒鉛製部材に接触しても至短時間に溶損する虞れはない。
因みに、シリコン融液の場合温度は1400℃前後であるが、シリコン融液に長時間接触すると殆どの材料が溶損するといわれている。またシリコン融液の粘性は極めて低く水に近いような挙動を呈する。
【0005】
また前記の単結晶引上装置のヒータ機構において、黒鉛製部材を電極の上部に捩じ込み式で脱着可能にした。
このように捩じ込み式で装着すれば、黒鉛製部材が損耗したような時に簡単に取り替えることが出来る。
【0006】
また前記の単結晶引上装置のヒータ機構において、黒鉛製部材に傘状のカバー部材を取付け、このカバー部材の垂下部で炉内に入り込む黒鉛製部材の側面周囲を覆うようにし、この傘状のカバー部材を黒鉛、又はセラミックス等の耐熱性材料とした。
このように炉内に入り込む黒鉛製部材の側面周囲を囲うことで、電極挿通孔に融液が入り込み、銅電極やその他の部材に接触するのを防止する。
【0007】
また前記の単結晶引上装置のヒータ機構において、カバー部材を黒鉛製材料の外周に沿って上下に移動可能とし、ヒータの上下動に連れてカバー部材を所定方向に移動させるようにした。
すなわち、例えばヒータ機構の上下動ストロークを多くとる必要があるような場合に、カバー部材の垂下部の長さを長くすると垂下部の下端が融液受皿等に干渉して上下動ストロークが制約され、垂下部の長さを短くすると、炉内の黒鉛製部材の一部が露出し、電極挿通孔に落下融液が流れ込む危険が生じることになる。そこで、カバー部材を黒鉛製材料の外周に沿って上下に移動可能にし、必要な上下動ストローク量を確保出来るようにするとともに、特に電極に接続する部分の黒鉛製材料の周囲を完全に覆うことが出来るようにする。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について添付した図面に基づき説明する。ここで図1は単結晶引上装置に組込まれるヒータ機構を説明するための説明図、図2は本発明のヒータ機構を説明するための部分図、図3はヒータ機構の上下動ストロークが大きい場合の不具合を説明するための作用図、図4は上下動ストロークが大きい場合の改良例を説明する作用図である。
【0009】
図1に示すように、単結晶引上装置はチャンバー1内に設置される石英ルツボ2に溶融した原料融液3を貯溜しておき、ケーブル4で吊るされる種結晶を融液3の表面に軽く触れさせ、結晶5を成長させながらケーブル4をゆっくり回転させながら引上げる装置であるが、このルツボ2の周囲には、融液3を加熱保温するためのヒータ機構6が配設されている。そしてこのヒータ機構6は、ルツボ2の下方に配設された黒鉛製又はセラミックス製等の融液受皿7の電極挿通孔hを通して不図示の昇降動機構によって上下動自在とされている。そして、ヒータ機構6の外側には、内部の熱を遮断する黒鉛製の筒状遮熱部材8が配設されている。
因みに、この融液受皿7の中央部附近には、チャンバー1内の排気を行うための排気部16が設けられている。
【0010】
また、このような単結晶引上装置において、ルツボ2内の原料融液3の中に、チャンバー1外から粒状多結晶原料を連続的に供給しながら結晶5を成長させるいわゆるCCZ法(Continuous Czochralski法)と呼ばれる単結晶引上装置も知られており、この装置ではチャンバー1に形成した不図示の原料供給口から不図示の石英ガラス製等の原料供給管を挿入してルツボ2上に臨ませ、チャンバー1外の原料タンクから送給される粒状多結晶原料を原料融液3の中に投入するようにしている。
そして、本発明のヒータ機構6は、特にCCZ法の引上装置のように、操業時間が長くルツボ2から融液3が漏れ出しやすい場合に有効に作用する。
【0011】
本発明のヒータ機構6は、図2にも示すように、ルツボ2の側面周囲を囲う筒状の黒鉛ヒータ12と、このヒータ12の下方2ヵ所で一対の黒鉛製部材13、13を介して連結される一対の銅製の電極14、14と、各黒鉛製部材13に取付けられた傘状のカバー部材15を備え、このカバー部材15も黒鉛製とされ、また筒状の垂下部15a(図2)で黒鉛製部材13の側面周囲を囲うことが出来るようにされている。
【0012】
そして図2に示すように、黒鉛製部材13は、ヒータ機構6が上昇した際、少なくとも電極挿通孔hの上面とヒータ12下面間の距離sより長くなる長さで介装され、電極14の上端面に形成した雄ネジ部14aを黒鉛製部材13の下面に形成した雌ネジ部13aに螺着するようにしている。
因みに、融液受皿7は、電極挿通孔hの部分で上方に折曲げられてフランジ部7aとなり、融液が電極挿通孔hを通して下方の炉外に漏洩しないよう配慮されている。
【0013】
以上のように構成したヒータ機構6は、不図示の昇降動機構により上昇した際、融液受皿7の炉内に臨む部分は黒鉛製部材13であって電極14は炉外に位置するため、ルツボ2から融液3が漏れ出しても電極14に触れる虞れはない。
しかも黒鉛製部材13の側面周囲がカバー部材15の垂下部15aで囲われているため、電極14の保護機能は万全である。
そして、このように電極14を溶損から保護することで安全性を一層向上させることが出来る。
【0014】
ところで、上記のような態様において、カバー部材15を黒鉛製部材13に固定すると、図3に示すような不具合が生じる。すなわち、ヒータ機構6の上下動ストロークを大きくしたい場合に、カバー部材15の垂下部15aの下端面が図3(A)に示すように、融液受皿7の上面に当接し、下降ストロークが制約される。これに対して垂下部15aを短くすると、下降ストロークは大きくなるものの、図3(B)に示すように、炉内で黒鉛製部材13の側面周囲が露出することになり、飛散した融液3が黒鉛製部材13に付着し、下方に伝わって電極14に接触する虞れが生じる。
【0015】
そこで図4は、かかる点を改良した構成例である。
すなわち、黒鉛製部材13に段差部dを設け、この段差部dより上方を小径に下方を大径にして上方の小径部分にカバー部材15を上下方向に摺動可能に嵌合させている。
このため、図4(A)に示すように、ヒータ機構6が上昇すると、カバー部材15は自重で段差部dまで降下し、電極14に接続する部分の黒鉛製部材13の側面周囲を囲い、ヒータ機構6が下降すると、図4(B)に示すように、カバー部材15はフランジ部7aの上端面に当接して押し上げられ、充分な下降ストローク量が確保出来る。
【0016】
そしてこの構成例では、ヒータ機構6の上下動ストロークを大きくすることが出来、しかも電極14に接続する部分の黒鉛製部材13の側面周囲を完全に囲うことが出来るため、電極14に融液3が接触して溶損するような不具合が防止される。
【0017】
【発明の効果】
以上のように本発明の単結晶引上装置のヒータ機構は、請求項1のように、ヒータの下方に電極を接続したヒータ機構において、電極の上部のうち、ヒータが上昇した際少なくとも炉内に入り込む部分を黒鉛製部材としたため、例えばヒータを伝わって落下する融液が黒鉛製部材に接触しても至短時間に溶損する虞れがなく安全性が高まる。
また請求項2のように、黒鉛製部材を電極の上部に捩じ込み式で脱着可能にすれば、黒鉛製部材が損耗したような時に簡単に取り替えることが出来る。
【0018】
また請求項3のように、黒鉛製部材から傘状のカバー部材を設け、このカバー部材の垂下部で炉内に入り込む黒鉛製部材の側面周囲を覆うようにするとともに、請求項4のように、この傘状のカバー部材を黒鉛、又はセラミックス等の耐熱性材料としたため、直接融液が黒鉛製部材に接触するのを防止出来、しかも融液がカバー部材に接触しても耐久性がある。
【0019】
そして請求項5のように、カバー部材を黒鉛製材料の外周に沿って上下に移動可能とし、ヒータの上下動に連れてカバー部材を所定方向に移動させるようにしたため、ヒータ機構の上下動ストロークを多くとることが出来、しかも電極に接続される部分の黒鉛製材料の周囲を完全に覆うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】単結晶引上装置に組込まれるヒータ機構を説明するための説明図である。
【図2】本発明のヒータ機構を説明するための部分図である。
【図3】ヒータ機構の上下動ストロークが大きい場合の不具合を説明するための作用図で、(A)はヒータ機構が下降した状態図、(B)はヒータ機構が上昇した状態図である。
【図4】カバー部材を上下動可能にした改良例を説明する作用図で、(A)はヒータ機構が上昇した状態図、(B)はヒータ機構が下降した状態図である。
【図5】ヒータ機構の従来例を示した図である。
【符号の説明】
1 チャンバー 2 ルツボ
3 融液 4 ケーブル
5 結晶 6 ヒータ機構
7 融液受皿 7a フランジ部
8 筒状遮熱部材 12 ヒータ
13 黒鉛製部材 13a 雌ネジ部
14 電極 14a 雄ネジ部
15 カバー部材 15a 垂下部
16 排気部
51 ヒータ機構 52 黒鉛ヒータ
53 電極 54 融液受皿
h 電極挿通孔 d 段差部
Claims (4)
- 電極の上部に接続するヒータが炉内で上下動自在とされた単結晶引上装置のヒータ機構において、前記電極の上部のうち、前記ヒータが上昇した際少なくとも炉内に入り込む部分を黒鉛製部材とし、前記黒鉛製部材に傘状のカバー部材を取付け、このカバー部材の垂下部で炉内に入り込む黒鉛製部材の側面周囲を覆うようにしたことを特徴とする単結晶引上装置のヒータ機構。
- 請求項1に記載の単結晶引上装置のヒータ機構において、前記黒鉛製部材を電極の上部に捩じ込み式で脱着可能としたことを特徴とする単結晶引上装置のヒータ機構。
- 請求項1又は請求項2に記載の単結晶引上装置のヒータ機構において、前記傘状のカバー部材は黒鉛、又はセラミックス等の耐熱性材料であることを特徴とする単結晶引上装置のヒータ機構。
- 請求項1又は請求項2に記載の単結晶引上装置のヒータ機構において、前記カバー部材を前記黒鉛製材料の外周に沿って上下に移動可能とし、前記ヒータの上下動に連れてカバー部材を所定方向に移動させるようにしたことを特徴とする単結晶引上装置のヒータ機構。
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