DE19654737A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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Description
Diese Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und ein
Verfahren zu deren Herstellung, insbesondere betrifft diese
Erfindung einen Isolierfilm wie einen Zwischenschicht-
Isolierfilm oder einen Schutz-Isolierfilm (einen
Passivierungsfilm) einer Halbleitervorrichtung.
Seit einiger Zeit wird eine Schaltung mit hohem
Integrationsgrad (LSI), umfassend eine Schaltung, die sich
aus einer großen Anzahl von Transistoren und Widerständen
zusammensetzt und auf einem einzelnem Chip gebildet ist, in
einem kritischen Bereich einer Computer- oder
Telekommunikationsanlage in großem Ausmaß verwendet. Daher
kann gesagt werden, daß die Gesamtleistung dieser Anlagen
stark durch die Leistung einer einzelnen LSI-Einheit
beeinflußt wird.
Die Verbesserung der Leistung der LSI-Einheit kann durch
Erhöhen des Integrationsgrades, d. h. durch die
Miniaturisierung eines jeden Elementes in der LSI-Einheit
erzielt werden. Jedoch gibt es verschiedene Probleme bei dem
Herstellungsverfahren für die Miniaturisierung.
Wenn z. B. eine Al-Legierungsleitung als Beispiel genommen
wird, gibt es einen deutlichen Fortschritt bei der
Miniaturisierung der Linienbreite der Leitung und dem
Zwischenraum zwischen den Leitungen. Im Hinblick auf die
Dicke der Leitung wurde jedoch bei der Verdünnung der Leitung
nur ein moderater Fortschritt erzielt. Wenn ein
Siliciumdioxid-Film gebildet wird, um eine Al-
Legierungsleitung zu bedecken, kann daher die Rille zwischen
den Leitungen nicht vollständig mit dem Siliciumdioxid-Film
gefüllt werden, wodurch in dem Isolationsfilm Löcher
zurückgelassen werden. Diese Löcher können einen Rest an H₂O
in dem Isolationsfilm verursachen, was wiederum die Korrosion
der Al-Legierungsleitung verursacht, da dieses restliche H₂O
von dem Isolationsfilm zu der Al-Legierungsleitung gelangt.
Der konventionelle Siliciumoxid-Film beinhaltet ebenfalls das
Problem, daß aufgrund der inhärenten Spannung des Filmes oder
einer großen thermischen Spannung des Filmes das Phänomen der
thermischen Migration induziert wird, wodurch eine
Abschaltung der Al-Legierungsleitung verursacht wird.
Als Verfahren zum Verbergen einer feinen Rille zwischen den
Leitungen mit einem Isolationsmaterial unter Vermeidung der
Bildung von Löchern ist ein Verfahren der Beschichtung eines
Spinn-auf-Glas (spin-on-glass, SOG) und dessen thermische
Härtung bekannt.
Bei diesem Verfahren muß das SOG eine niedrige Viskosität
aufweisen, um eine feine Rille mit dem SOG ausreichend zu
füllen. Jedoch beinhaltet die Verwendung von SOG mit einer
niedrigen Viskosität die Probleme, daß es dann, wenn es
thermisch gehärtet wird, eine große volumetrische Schrumpfung
entfaltet, wodurch die Erzeugung von Rissen in dem SOG
verursacht wird, und daß es schwierig ist, das Wasser davon
ausreichend zu entfernen. Daher bleibt das Problem der
Korrosion einer Al-Legierungsleitung in den anschließenden
Schritten bei diesem Verfahren ungelöst.
Um auf der anderen Seite eine Halbleitervorrichtung der
nächsten Generation zu erhalten, die eine höhere
Arbeitsgeschwindigkeit entfaltet, muß der Zwischenschicht
isolierfilm zum Isolieren von Al-Legierungsleitungen
voneinander eine niedrigere dielektrische Konstante aufweisen
als der Zwischenschicht-Isolierfilm, der gegenwärtig
verwendet wird. Um dieses Erfordernis zu erfüllen, ist die
Verwendung eines Siliciumdioxid-Filmes, dem Fluor zugegeben
ist (F-haltiger Siliciumdioxid-Film), vielversprechend.
Wenn die Konzentration an Fluor zur Erniedrigung der
Dielektrizitätskonstante des Filmes erhöht wird, wird jedoch
die Hygroskopizität des Filmes vergrößert, wodurch das
Problem resultiert, daß Wasser von dem F-haltigen
Siliciumdioxid-Film während eines Herstellungsverfahrens
freigesetzt werden kann, wodurch die Eigenschaften davon als
Zwischenschicht-Isolierfilm verschlechtert werden oder die
Korrosion der Al-Legierungsleitungen ermöglicht wird.
Wenn ein Siliciumdioxid-Film als Zwischenschicht-Isolierfilm
verwendet wird, ist es, wie oben erläutert, schwierig, eine
feine Rille, die lateral zwischen den Leitungen vorgesehen
ist, zufriedenstellend zu füllen, ohne daß die Bildung von
Löchern verursacht wird, da die Form des Siliciumdioxid-
Filmes, der darin verborgen ist, Mängel aufweist. Daher
verbleibt Wasser in dem Zwischenschicht-Isolierfilm, wodurch
die Korrosion der Leitungen verursacht wird.
Um diese Probleme zu lösen, wurde ein Verfahren zum Füllen
einer feinen Rille zwischen den Leitungen mit einem SOG mit
niedriger Viskosität und mit anschließender thermischer
Härtung vorgeschlagen, wie oben erwähnt. Jedoch weist die
Verwendung von SOG mit einer Viskosität die Probleme auf, daß
es bei einer thermischen Härtung eine große volumetrische
Schrumpfung entfaltet, wodurch die Erzeugung von Rissen in
dem SOG induziert wird, und außerdem ist es schwierig, das
Wasser davon ausreichend zu entfernen. Daher wird das Problem
der Korrosion einer Leitung in den anschließenden Schritten
durch dieses Verfahren ebenfalls nicht gelöst.
Auf der anderen Seite wird die Verwendung eines F-haltigen
Siliciumdioxid-Filmes als Zwischenschicht-Isolationsmaterial
für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung der nächsten
Generation, die eine höhere Arbeitsgeschwindigkeit aufweist,
als vielversprechend angesehen. Wenn jedoch die Fluor-
Konzentration zur Erniedrigung der Dielektrizitätskonstante
des Filmes erhöht wird, wird die Hygroskopizität des Filmes
gefördert, wodurch das Problem verursacht wird, daß Wasser
von dem F-haltigen Siliciumdioxid-Film während des
Herstellungsverfahrens freigesetzt werden kann, wodurch die
Eigenschaften davon als Zwischenschicht-Isolierfilm
verschlechtert werden oder die Korrosion der Al-
Legierungsleitung erzeugt wird.
Demgemäß liegt ein Ziel dieser Erfindung darin, eine
Halbleitervorrichtung anzugeben, die mit einem Isolierfilm
versehen ist, der eine feine Rille effektiv verbergen kann.
Ein anderes Ziel dieser Erfindung liegt darin, ein Verfahren
zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung anzugeben, die
mit einem Isolierfilm versehen ist, der zum Verbergen einer
feinen Rille wirksam ist.
Ein weiteres Ziel dieser Erfindung liegt darin, eine
Halbleitervorrichtung anzugeben, die mit einem Isolierfilm
versehen ist, der zur Verwendung zumindest als
Zwischenschicht-Isolierfilm oder Passivierungsschicht
geeignet ist, die bezüglich der Form im verborgenen Zustand
ausgezeichneter sind und eine niedrigere
Dielektrizitätskonstante und Hygroskopizität aufweisen als
die konventionellen Isolationsfilme.
Ein weiteres Ziel dieser Erfindung liegt darin, eine
Halbleitervorrichtung anzugeben, die mit einem Isolierfilm
versehen ist, der zur Verwendung als Zwischenschicht-
Isolierfilm geeignet ist, der bezüglich der Form im
verborgenen Zustand ausgezeichneter ist und eine niedrigere
Dielektrizitätskonstante und thermische Spannung aufweist als
der konventionelle Isolierfilm.
Ein weiteres Ziel dieser Erfindung liegt darin, eine
Halbleitervorrichtung anzugeben, die mit einem Isolierfilm
versehen ist, der zur Verwendung als Zwischenschicht-
Isolierfilm geeignet ist, der bezüglich der Form im
verborgenen Zustand (hohe Stufen-Abdeckung) ausgezeichnet ist
und kaum einen nachteiligen Einfluß auf einen anschließenden
Schritt (z. B. einen Schritt der Bildung eines Kontaktloches
oder einen Schritt der Bildung einer Leitung) im Vergleich zu
dem konventionellen Isolierfilm gibt.
Ein weiteres Ziel dieser Erfindung liegt darin, ein Verfahren
zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung anzugeben, die
die oben erwähnten ausgezeichneten Merkmale aufweist.
Erfindungsgemäß wird eine Halbleitervorrichtung angegeben,
umfassend: ein Substrat und zumindest einen Zwischenschicht-
Isolierfilm oder einen Passivierungsfilm, der jeweils auf dem
Substrat gebildet ist und Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff
und Wasserstoff enthält, wobei der Gehalt des Kohlenstoffes
nicht geringer ist als der Gehalt des Siliciums.
Erfindungsgemäß wird weiterhin eine Halbleitervorrichtung zur
Verfügung gestellt, umfassend: ein Substrat und zumindest
einen Zwischenschicht-Isolierfilm oder einen
Passivierungsfilm, wobei jeder auf dem Substrat gebildet ist
und Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff
enthält und bei Raumtemperatur viskos ist, wobei bei
Raumtemperatur eine Viskosität von 100 cps bis 300 000 cps
entfaltet wird.
Erfindungsgemäß wird weiterhin eine Halbleitervorrichtung zur
Verfügung gestellt, umfassend ein Halbleitersubstrat, das ein
Element trägt; einen ersten Isolierfilm, der auf dem
Halbleitersubstrat gebildet ist, eine Vielzahl von Leitungen,
wobei zumindest eine der Leitungen mit dem Element über ein
Kontaktloch elektrisch verbunden ist, einen zweiten
Isolierfilm, der auf den Leitungen und dem ersten Isolierfilm
gebildet ist, wo die Leitungen nicht gebildet sind, und der
Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff enthält,
wobei der Gehalt des Kohlenstoffes nicht weniger ist als der
Gehalt des Siliciums, und einen dritten Isolierfilm, der auf
dem zweiten Isolierfilm gebildet ist und aus einem Material
hergestellt ist, das sich von dem Material unterscheidet, das
den zweiten Isolierfilm ausmacht.
Erfindungsgemäß wird weiterhin eine Halbleitervorrichtung zur
Verfügung gestellt, umfassend ein Halbleitersubstrat, einen
ersten leitenden Film, der auf dem Halbleitersubstrat
gebildet ist, einen Isolierfilm, der mit einem Kontaktloch
versehen ist und so gebildet ist, daß der erste leitende Film
bedeckt wird, und einen zweiten leitenden Film, der auf dem
Isolierfilm derart gebildet ist, daß er mit dem ersten
leitenden Film über das Kontaktloch elektrisch kontaktiert
ist, worin ein Bereich des Isolierfilms, der in der Nähe
einer Grenzfläche davon mit dem zweiten leitenden Film
angeordnet ist, mit Ausnahme eines Bereiches, der an dem
Kontaktloch angeordnet ist, so konstruiert ist, daß er eine
Viskosität von 10 000 cp oder mehr hat, und wobei der Rest
des Isolierfilmes, mit der Ausnahme des Bereiches, der in der
Nähe einer Grenzfläche davon mit dem zweiten leitenden Film
angeordnet ist, so konstruiert ist, daß er eine Viskosität von
weniger als 10 000 cp hat.
Erfindungsgemäß wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleitervorrichtung angegeben, umfassend die
Schritte: Bildung eines ersten Isolierfilmes auf einem
Halbleitersubstrat, das ein Element darauf trägt; Bildung
eines Kontaktloches in dem ersten Isolierfilm; Bildung einer
Vielzahl von Leitungen auf dem ersten Isolierfilm, wobei
zumindest eine der Vielzahl von Leitungen elektrisch mit dem
Element durch das Kontaktloch kontaktiert ist; Bildung eines
zweiten Isolierfilmes auf dem ersten Isolierfilm, wo die
Leitungen nicht gebildet sind, derart, daß ein Raum zwischen
den Leitungen verborgen wird, wobei der zweite Isolierfilm
Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff umfaßt,
wobei der Gehalt des Kohlenstoffes nicht weniger ist als der
Gehalt des Siliciums; und Bildung eines dritten Isolierfilmes
auf der Leitung und auf dem zweiten Isolierfilm, wobei der
dritte Isolierfilm aus einem Material hergestellt ist, das
sich von dem Material unterscheidet, das den zweiten
Isolierfilm ausmacht.
Erfindungsgemäß wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleitervorrichtung angegeben, umfassend die
Schritte: Bildung eines ersten leitenden Filmes auf einem
Substrat; Bildung eines Isolierfilmes mit einer Viskosität
von weniger als 10 000 cp, wodurch der erste leitende Film
bedeckt wird; Durchführung einer
Viskositätserhöhungsbehandlung, wodurch die Viskosität einer
Oberflächenschicht des Isolierfilmes auf nicht weniger als
10 000 cp erhöht wird; und Bildung eines zweiten leitenden
Filmes auf dem Isolierfilm in der Art, daß er mit dem ersten
leitenden Film elektrisch in Kontakt steht.
Erfindungsgemäß wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleitervorrichtung angegeben, umfassend die
Schritte: Bildung eines ersten leitenden Filmes auf einem
Substrat; Bildung eines Isolierfilmes mit einer Viskosität
von weniger als 10 000 cp, wodurch der erste leitende Film
bedeckt wird; Bildung eines zweiten Isolierfilmes mit einer
Viskosität von nicht weniger als 10 000 cp auf dem ersten
Isolierfilm; und Bildung eines zweiten leitenden Filmes auf
dem zweiten Isolierfilm in einer solchen Weise, daß er mit
dem ersten leitenden Film elektrisch in Kontakt steht.
Zusätzliche Ziele und Vorteile dieser Erfindung werden
aufgrund der nachfolgenden Beschreibung erläutert und werden
zum Teil aufgrund der Beschreibung offenbar oder können durch
die Durchführung dieser Erfindung erfaßt werden. Diese Ziele
und Vorteile der Erfindung können durch die Merkmale und
Kombinationen, die insbesondere in den beigefügten
Patentansprüchen angegeben sind, realisiert und erhalten
werden.
Die beigefügten Zeichnungen, die einen Teil der Beschreibung
ausmachen und darin enthalten sind, erläutern gegenwärtig
bevorzugte Ausführungsbeispiele dieser Erfindung und dienen
zusammen mit der allgemeinen Beschreibung, die oben angegeben
ist, und der nachfolgend angegebenen detaillierten
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele dazu, die
Prinzipien dieser Erfindung zu erklären.
Fig. 1 ist eine schematische Ansicht, die die Struktur
einer Halbleitervorrichtung zeigt, die gemäß einem ersten
Beispiel dieser Erfindung verwendet wird;
Fig. 2 ist eine schematische Ansicht, die die Struktur
eine Stickstoffgas-Zuführanlage zeigt;
Fig. 3A und 3B zeigen jeweils einen Schnitt durch
eine Halbleitervorrichtung, die das Herstellungsverfahren
entsprechend einem zweiten Beispiel dieser Erfindung
erläutern;
Fig. 4 ist eine schematische Ansicht, die die Struktur
einer Halbleitervorrichtung zeigt, die in einem dritten
Beispiel dieser Erfindung verwendet wird;
Fig. 5A bis 5C zeigen jeweils einen Schnitt durch
eine Halbleitervorrichtung, wobei das Herstellungsverfahren
entsprechend einem dritten Beispiel dieser Erfindung
erläutert wird;
Fig. 6 ist ein Diagramm, das die Abhängigkeit der
Filmdicke eines Isolationsfilmes von der Unterschicht
erläutert;
Fig. 7A bis 7C zeigen jeweils einen Schnitt durch
eine Halbleitervorrichtung, wobei der Herstellungsschritt
entsprechend einem vierten Beispiel dieser Erfindung
erläutert wird;
Fig. 8 ist ein Querschnitt durch eine
Halbleitervorrichtung entsprechend einem fünften Beispiel
dieser Erfindung;
Fig. 9 ist eine schematische Ansicht, die die Struktur
einer Halbleitervorrichtung zeigt, die gemäß einem fünften
Beispiel dieser Erfindung verwendet wird;
Fig. 10A bis 10C zeigen jeweils einen Querschnitt
durch eine Halbleitervorrichtung, wobei der
Herstellungsschritt entsprechend einem fünften Beispiel
dieser Erfindung erläutert wird;
Fig. 11A zeigt einen Querschnitt durch eine
Halbleitervorrichtung, wobei ein Verfahren zur Verhinderung
der Deformation einer weichen Passivierungsschicht gemäß
dieser Erfindung erläutert wird; und
Fig. 11B zeigt eine schematische Planansicht, wobei ein
Verfahren zur Verhinderung der Deformation einer weichen
Passivierungsschicht gemäß dieser Erfindung erläutert wird.
Eine Halbleitervorrichtung entsprechend einem ersten
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung ist durch die Verwendung
eines Isolationsfilmes mit niedriger Viskosität als
Zwischenschicht-Isolierfilm und/oder Schutzisolationsfilm
(Passivierungsfilm) gekennzeichnet.
Dieser Isolierfilm umfaßt Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff
und Wasserstoff, wobei der Gehalt an Kohlenstoff nicht
weniger ist als der Gehalt an Silicium. Z.B. sollte das
Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Silicium in diesem
Isolierfilm bevorzugt 1,0 bis 3,0, mehr bevorzugt 1,0 bis 2,0
sein. Wenn der Gehalt an Kohlenstoff höher ist als der Gehalt
an Silicium, wird der Isolierfilm viskoser.
Der erfindungsgemäße Isolierfilm entfaltet eine Viskosität
von 100 bis 300 000 cps, mehr bevorzugt 1000 bis 10 000 cps
bei Raumtemperatur. Raumtemperatur bedeutet in diesem Falle
eine Temperatur von etwa 15 bis 30°C.
Wenn die Viskosität des Isolierfilmes weniger ist als
100 cps, kann der Isolierfilm nicht für eine
Vielschichtzwischenschaltung verwendet werden. Wenn auf der
anderen Seite die Viskosität des Isolierfilmes 300 000 cps
übersteigt, können Löcher in dem Isolierfilm gebildet werden,
wenn er in einer feinen Rille verborgen ist.
Der erfindungsgemäße Isolierfilm sollte bevorzugt eine
Dielektrizitätskonstante von 1,8 bis 3,2, mehr bevorzugt 1,0
bis 2,5 haben.
Spezifische Beispiele des Isolierfilmes entsprechend dieser
Erfindung sind solche, die eine Rückgratkette aufweisen,
ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus den folgenden
Formeln (1) bis (5):
-{Si(R₁)₂-O-Si(R₁)₂-O-}n- (1)
worin R₁ CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl
bedeutet);
-{Si(R₁)₂-O-Si(R₁)2-O-}n- (2)
worin R₁ -O-CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl
ist);
-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (3)
worin R₁ CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl ist),
und R₂ CmH2m+1 ist (worin m eine positive ganze Zahl ist),
worin n sich von m unterscheidet;
-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (4)
worin R₁ -O-CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl
ist) und R₂ ist -O-CmH2m+1 ist (worin m eine positive ganze
Zahl bedeutet), worin n sich von m unterscheidet; und
-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (5)
worin R₁ -O-CnH2n+1 oder CnH2n+1 ist (worin n eine positive
ganze Zahl ist); R₂ -O-CmH2m+1 oder CmH2m+1 ist (worin m eine
positive ganze Zahl ist); wobei sich n von m unterscheidet;
und wobei zumindest eines von R¹ und R₂ über -O- mit R₁ oder
R₂ verbunden ist, das zu der anderen Rückgratkette gehört.
Wenn der Isolationsfilm entsprechend diesem Beispiel über
einer großen Fläche gebildet ist, kann eine Schaltsäule, die
aus einem metallischen Material oder einem Isolationsmaterial
besteht, das von dem Material verschieden ist, das den
Isolationsfilm ausmacht, die gegenüber dem Fluß und der
Deformation des Isolationsfilmes widerstandsfähig ist, in dem
Isolationsfilm gebildet werden. Durch das Vorsehen einer
solchen Schaltsäule kann die Deformation des Isolationsfilmes
unterdrückt werden.
Es ist ebenfalls möglich, die Deformation des
Isolationsfilmes zu unterdrücken, selbst wenn eine Spannung
auf dem Isolationsfilm auferlegt wird, indem die Viskosität
des Oberflächenbereiches des Isolationsfilmes gemäß diesem
Ausführungsbeispiel höher gemacht wird als die des inneren
Bereiches der Isolationsfilmes.
Der Isolationsfilm entsprechend dem ersten
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung hat eine ausgezeichnete
Eigenschaft, weil er inert ist und nicht in der Lage ist,
Wasser bei einer Temperatur von nicht mehr als 650°C
freizusetzen. Der Isolationsfilm entsprechend dem ersten
Ausführungsbeispiel kann durch ein CVD-Verfahren gebildet
werden. Dieses CVD-Verfahren sollte bevorzugt so durchgeführt
werden, daß die Temperatur des Substrates auf eine Temperatur
eingestellt wird, die höher ist als der Schmelzpunkt und
niedriger als der Siedepunkt eines Ausgangsmaterialgases oder
eines Zwischenproduktes, das durch Reaktion des
Ausgangsmaterials in einer Dampfphase gebildet werden kann.
Es wurde festgestellt, daß dann, wenn in dem Isolationsfilm
entsprechend diesem Ausführungsbeispiel, umfassend Silicium,
Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff, der Gehalt an
Kohlenstoff höher ist als der Gehalt an Silicium, der
Isolationsfilm bei Raumtemperatur viskos wird (Viskosität von
100 bis 300 000 cps), so daß die Form des Isolationsfilmes,
wenn er in einer feinen Rille verborgen ist, verbessert
werden kann.
Z.B. wurde festgestellt, daß der Isolationsfilm entsprechend
diesem Ausführungsbeispiel in einer Rille mit einem hohen
Längenverhältnis von mehr als 1 ohne Erzeugung der üblichen
Löcher darin verborgen werden kann. Der Isolationsfilm mit
einer solchen Viskosität, der Silicium, Sauerstoff,
Kohlenstoff und Wasserstoff enthält, hat ebenfalls eine
niedrige Dielektrizitätskonstante und Hygroskopizität. Z.B.
kann die Dielektrizitätskonstante des Isolationsfilmes auf
einen Bereich von 1,8 bis 3,2 eingestellt werden. Es wurde
ebenfalls festgestellt, daß der Isolationsfilm entsprechend
diesem Ausführungsbeispiel thermisch stabil ist und nicht in
der Lage ist, Wasser bei einer Temperatur von nicht mehr als
650°C freizusetzen.
Bei der Halbleitervorrichtung dieses Ausführungsbeispiels,
bei dem der oben erwähnte Isolationsfilm als Zwischenschicht-
Isolationsfilm oder Passivierungsfilm verwendet wird, ist es
möglich, einen Zwischenschicht-Isolationsfilm oder einen
Passivierungsfilm zu schaffen, der ausgezeichnet ist
bezüglich der verborgenen Form und eine niedrige
Dielektrizitätskonstante und Hygroskopizität aufweist. Da der
Isolationsfilm entsprechend diesem Ausführungsbeispiel sehr
viskos ist, kann die thermische Spannung minimiert werden.
Die Halbleitervorrichtung entsprechend dem zweiten
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung ist dadurch
gekennzeichnet, daß sie umfaßt: ein Halbleitersubstrat, das
ein Element trägt; einen ersten Isolationsfilm, der auf dem
Halbleitersubstrat gebildet ist; eine Vielzahl von Leitungen,
wobei zumindest eine der Leitungen mit dem Element durch ein
Kontaktloch elektrisch verbunden ist; einen zweiten
Isolationsfilm, der auf den Leitungen und dem ersten
Isolationsfilm, wo die Leitungen nicht gebildet sind,
gebildet ist und Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und
Wasserstoff enthält, wobei der Kohlenstoff-Gehalt höher ist
als der Silicium-Gehalt; und einen dritten Isolationsfilm,
der auf dem zweiten Isolationsfilm gebildet ist und aus einem
Material hergestellt ist, das sich von dem Material
unterscheidet, das den zweiten Isolationsfilm ausmacht.
Die Halbleitervorrichtung entsprechend dem zweiten
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung kann durch ein Verfahren
hergestellt werden, umfassend die Schritte: Bildung eines
ersten Isolationsfilmes auf einem Halbleitersubstrat, das ein
Element darauf trägt; Bildung eines Kontaktloches in dem
ersten Isolationsfilm; Bildung einer Vielzahl von Leitungen
in dem ersten Isolationsfilm, wobei zumindest eine der
Vielzahl von Leitungen elektrisch durch das Kontaktloch mit
dem Element verbunden ist; Bildung eines zweiten
Isolationsfilmes auf dem ersten Isolationsfilm, wo die
Leitungen nicht gebildet sind, in der Art, daß ein Raum
zwischen den Leitungen verborgen wird, wobei der zweite
Isolationsfilm Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und
Wasserstoff enthält, wobei der Kohlenstoff-Gehalt höher ist
als der Silicium-Gehalt; und Bildung eines dritten
Isolationsfilmes auf der Leitung und auf dem zweiten
Isolationsfilm, wobei der dritte Isolationsfilm aus einem
Material hergestellt ist, das sich von dem Material
unterscheidet, das den zweiten Isolationsfilm ausmacht.
Der zweite Isolationsfilm entsprechend diesem
Ausführungsbeispiel kann mit Hilfe eines CVD-Verfahrens
gebildet werden, wobei als Ausgangsmaterialien ein
organisches Silan und Sauerstoff im angeregten Zustand
verwendet und eine Substrat-Temperatur auf -70 bis 50°C
eingestellt wird.
Der Ausdruck "ein Material, das sich von dem Material
unterscheidet, das den zweiten Isolationsfilm bildet"
bedeutet Fälle, bei denen die Elemente, die das Material
ausmachen, gleich sind, sich aber bezüglich der
Zusammensetzung unterscheiden, ebenso Fälle, bei denen sich
die Elemente voneinander unterscheiden, die das Material
ausmachen.
Die Filmdicke des dritten Isolationsfilmes, der auf dem
zweiten Isolationsfilm angeordnet ist, sollte vorzugsweise
dünner sein als die Filmdicke des dritten Isolationsfilmes,
der auf einer oberen Fläche des ersten Isolationsfilmes
gebildet ist, der zwischen den Leitungen vorgesehen ist.
Der erste und der dritte Isolationsfilm sollte bevorzugt ein
Siliciumdioxid-Film sein.
Da der Isolationsfilm entsprechend dem ersten
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung als zweiter
Isolationsfilm (ein Zwischenschicht-Isolationsfilm) in der
Halbleitervorrichtung gemäß diesem Ausführungsbeispiel
verwendet wird, ist es möglich, eine Halbleitervorrichtung
mit einem zweiten Isolationsfilm (einem Zwischenschicht-
Isolationsfilm) zu schaffen, der bezüglich der verborgenen
Form ausgezeichnet ist und eine niedrige
Dielektrizitätskonstante und Hygroskopizität aufweist, und
ein Verfahren zur Herstellung einer solchen
Halbleitervorrichtung anzugeben.
Wenn der oben erwähnte zweite Isolationsfilm (ein
Zwischenschicht-Isolationsfilm) auf einer Leitung wie einer
Al-Leitung gebildet wird, kann verhindert werden, daß die
Leitung mit einer großen thermischen Spannung versehen wird,
wodurch die Erzeugung einer Spannungsmigration effektiv
verhindert wird.
Da der dritte Isolationsfilm, der aus einem anderen Material
hergestellt wird, als es für den zweiten Isolationsfilm
verwendet wird, auf dem zweiten Isolationsfilm gebildet ist,
kann irgendeine Unanmehmlichkeit, die von dem zweiten
Isolationsfilm resultiert, verhindert werden. Wenn z. B. das
gleiche Material wie bei dem konventionellen Zwischenschicht-
Isolationsfilm als dritter Isolationsfilm verwendet wird,
kann eine obere Leitung auf dem dritten Isolationsfilm durch
das gleiche Verfahren wie bei dem konventionellen Verfahren
gebildet werden, ohne daß die Eigenschaft des zweiten
Isolationsfilmes berücksichtigt wird.
Die Halbleitervorrichtung entsprechend dem dritten
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung ist gekennzeichnet
durch: einen ersten leitenden Film; einen Isolationsfilm, der
mit einem Kontaktloch versehen ist, der so gebildet ist, daß
der erste leitende Film bedeckt wird; und einen zweiten
leitenden Film, der auf dem Isolationsfilm derart gebildet
ist, daß er mit dem ersten leitenden Film durch das
Kontaktloch elektrisch kontaktiert ist; worin ein Bereich des
Isolationsfilmes, der in der Nähe einer Grenzfläche davon mit
dem zweiten leiten Film angeordnet ist, mit Ausnahme eines
Bereiches, der an dem Kontaktloch vorgesehen ist, so
konstruiert ist, daß er eine Viskosität von 10 000 cp oder
mehr aufweist, und wobei der Rest des Isolationsfilmes, mit
Ausnahme des Bereiches, der in der Nähe einer Grenzfläche
davon mit dem zweiten leitenden Film vorgesehen ist, so
konstruiert ist, daß er eine Viskosität von weniger als
10 000 cp hat.
Die Halbleitervorrichtung entsprechend dem dritten
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung kann durch ein Verfahren
hergestellt werden, umfassend die folgenden Schritte: Bildung
eines ersten leitenden Filmes auf einem Substrat; Bildung
eines Isolationsfilmes mit einer Viskosität von weniger als
10 000 cp, wodurch der erste leitende Film bedeckt wird;
Durchführung einer Viskositätserhöhungsbehandlung, wodurch
die Viskosität einer Oberfläche des Isolationsfilmes auf
nicht weniger als 10 000 cp erhöht wird; und Bildung eines
zweiten leitenden Filmes auf dem Isolationsfilm in der Art,
daß er mit dem ersten leitenden Film elektrisch in Kontakt
steht. Die Halbleitervorrichtung entsprechend dem dritten
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung kann durch ein Verfahren
hergestellt werden, umfassend die Schritte: Bildung eines
ersten leitenden Filmes auf einem Substrat; Bildung eines
Isolationsfilmes mit einer Viskosität von weniger als
10 000 cp, wodurch der erste leitende Film bedeckt wird;
Bildung eines zweiten Isolationsfilmes mit einer Viskosität
von nicht weniger als 10 000 cp auf dem ersten
Isolationsfilm; und Bildung eines zweiten leitenden Filmes
auf dem zweiten Isolationsfilm in der Art, daß er mit dem
ersten leitenden Film elektrisch in Kontakt steht.
Nachfolgend werden die mehr bevorzugten Merkmale des dritten
Ausführungsbeispiels dieser Erfindung angegeben.
- (1) Ein Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer Grenzfläche davon mit einem Bereich des zweiten leitenden Filmes, der an einer Seitenwand des Kontaktloches lokalisiert ist, angeordnet ist, ist so konstruiert, daß er eine Viskosität von 10 000 cp oder mehr aufweist.
- (2) Der Schritt der Erhöhung der Viskosität der Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp wird durchgeführt, indem der Isolationsfilm einem Plasma aus einem Gas ausgesetzt wird, umfassend zumindest ein Molekül, das Sauerstoffatome enthält.
- (3) Der Schritt der Erhöhung einer Viskosität einer Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp wird durchgeführt, indem der Isolationsfilm einem Gas ausgesetzt wird, das Sauerstoffradikale, Ozon oder Wasserstoffradikale enthält.
- (4) Der Schritt der Erhöhung einer Viskosität der Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp wird durch Bestrahlen des Isolationsfilmes mit einer Infrarot-Strahlenquelle mit einer Wellenlänge von 2,6 bis 3,5 µm durchgeführt.
- (5) Der Schritt der Erhöhung einer Viskosität einer Oberflächenschicht eines Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp wird durch Bestrahlen des Isolationsfilmes mit einer Ultraviolett-Strahlenquelle mit einer Wellenlänge von 142 bis 308 nm durchgeführt.
- (6) Der Schritt der Erhöhung einer Viskosität einer Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp wird durch Aussetzen des Isolationsfilmes einer Mikrowelle in einer Atmosphäre aus einem Gas, umfassend zumindest ein sauerstoffatomhaltiges Molekül; einer Atmosphäre aus einem Inertgas oder einer Atmosphäre mit vermindertem Druck durchgeführt.
- (7) Der Schritt der Erhöhung einer Viskosität einer Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp wird durch Erwärmen des Substrates, das den Isolationsfilm darauf trägt, bei einer Erwärmungsrate von 10°C/s und durch Halten der Erwärmungstemperatur auf 450°C oder weniger durchgeführt.
- (8) Der Schritt der Erhöhung einer Viskosität einer Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp wird durch Erwärmen des Substrates, das den Isolationsfilm darauf trägt, bei einer Erwärmungsrate von 10°C/s durchgeführt, wodurch die Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf eine Temperatur im Bereich von 450°C bis 700°C erwärmt wird.
- (9) Eine Anlage, die in der Lage ist, kontinuierlich, ohne den Vakuumzustand zu verlassen, den Schritt der Bildung eines Isolationsfilmes mit einer Viskosität von weniger als 10 000 cp, zum Bedecken des ersten leitenden Filmes und den Schritt der Erhöhung der Viskosität einer Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp durchzuführen, wird verwendet.
- (10) Die Anlage der oben erwähnten Ausführungsform (9) wird so konstruiert, daß der oben erwähnte Schritt der kontinuierlichen Durchführung ohne Brechen des Vakuumzustandes in demselben Vakuumbehälter durchgeführt werden kann.
- (11) In dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel (1) ist der verwendete Isolationsfilm einer, der durch ein CVD- Verfahren gebildet ist.
- (12) Bei den oben erwähnten Ausführungsformen (2) bis (8) wird die Bildung des Isolationsfilmes durch ein CVD- Verfahren erreicht.
- (13) Bei den oben erwähnten Ausführungen (9) und (10) wird die Bildung des Isolationsfilmes durch Verwendung einer CVD-Anlage erreicht.
- (14) Bei der obigen Ausführungsform (1) ist ein Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer Grenzfläche davon mit einem Bereich des zweiten Isolationsfilmes, der an einer Seitenwand des Kontaktloches lokalisiert ist, angeordnet ist, so konstruiert, daß die Gleichung erfüllt wird: dmax ≦ 0,1 tmax, worin tmax eine maximale Filmdicke des Isolationsfilmes bedeutet und dmax eine maximale Entfernung von der Grenzfläche davon mit dem zweiten leitenden Film zu dem Bereich des Isolationsfilmes bedeutet, der in der Nähe der Zwischenfläche angeordnet ist.
- (15) In der obigen Ausführungsform (1) ist ein Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer Grenzfläche davon mit einem Bereich des zweiten leitenden Filmes, der an einer Seitenwand des Kontaktloches lokalisiert ist, angeordnet ist, so konstruiert, daß die folgende Gleichung erfüllt wird: 10 nm ≦ dmax ≦ 100 nm, worin dmax eine maximale Entfernung von der Grenzfläche davon mit dem zweiten leitenden Film zu dem Bereich des Isolationsfilmes bedeutet, der in der Nähe der Grenzfläche angeordnet ist.
- (16) In der oben erwähnten Ausführungsform (1) ist ein Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer Grenzfläche davon mit einem Bereich des zweiten leitenden Filmes, der an einer Seitenwand des Kontaktloches lokalisiert ist, angeordnet ist, so konstruiert, daß die Gleichung erfüllt wird: dmax ≦ 0,1 tmax, worin tmax eine maximale Filmdicke des Isolationsfilmes ist und dmax eine maximale Entfernung von der Seitenwand des Kontaktloches zu dem Isolationsfilm bedeutet.
- (17) In dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel (1) ist ein Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer Grenzfläche davon mit einem Bereich des zweiten leitenden Filmes, der an einer Seitenwand des Kontaktloches lokalisiert ist, vorgesehen ist, so konstruiert, daß die Gleichung erfüllt wird: 10 nm ≦ dmax ≦ 100 nm, worin dmax eine maximale Entfernung von der Seitenwand des Kontaktloches zu dem Isolationsfilm bedeutet
- (18) Bei den oben erwähnten Ausführungsformen (2) bis (8), (9) und (10) wird die Oberflächenschicht des Isolationsfilmes so konstruiert, daß die Gleichung erfüllt ist: dmax ≦ 0,1 tmax, worin tmax eine maximale Filmdicke des Isolationsfilmes bedeutet und dmax eine maximale Entfernung von der Oberfläche des Isolationsfilmes zu der Oberflächenschicht des Isolationsfilmes bedeutet.
- (19) Bei den obigen Ausführungsformen (2) bis (8), (9) und (10) ist die Oberflächenschicht des Isolationsfilmes so konstruiert, daß die Gleichung erfüllt wird: 10 nm ≦ dmax ≦ 100 nm, worin dmax eine maximale Entfernung von der Oberfläche des Isolationsfilmes zu der Oberflächenschicht des Isolationsfilmes bedeutet
- (20) Als Anlage für die Herstellung der Halbleitervorrichtung, umfassend einen ersten leitenden Film, einen Isolationsfilm, der mit einem Kontaktloch versehen ist, der so gebildet ist, daß der erste leitende Film bedeckt wird, und einen zweiten leitenden Film, der auf dem Isolationsfilm derart gebildet ist, daß er mit dem ersten leitenden Film über das Kontaktloch elektrisch kontaktiert ist, wird eine Anlage verwendet, die in der Lage ist, kontinuierlich ohne Bruch des Vakuumzustandes den Schritt der Bildung eines ersten Isolationsfilmes mit einer Viskosität von weniger als 10 000 cp zum Bedecken des ersten leitenden Filmes und den Schritt der Bildung eines zweiten Isolationsfilmes mit einer Viskosität von nicht weniger als 10 000 cp durchzuführen.
- (21) In dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel (20) wird der oben erwähnte Schritt der kontinuierlichen Durchführung ohne Bruch des Vakuumzustandes in demselben Vakuumbehälter durchgeführt.
- (22) Die Viskositätserhöhungsbehandlung wird vor und/oder nach dem Schritt der Bildung eines Kontaktloches zum elektrischen Verbinden des ersten leitenden Filmes mit dem zweiten leitenden Film durchgeführt.
Die Viskositätserhöhungsbehandlung sollte bevorzugt vor dem
Schritt der Bildung eines Kontaktloches im Hinblick auf die
Bildung eines Resistmusters mit einer ausgezeichneten Form
und die Bildung eines Kontaktloches mit einer ausgezeichneten
Form durchgeführt werden. Wenn die
Viskositätserhöhungsbehandlung nach der Bildung des
Kontaktloches durchgeführt wird, wird die
Viskositätserhöhungsbehandlung ebenfalls an der Seitenwand
des Kontaktloches bewirkt, so daß die Verschlechterung der
Eigenschaft aufgrund der Aussetzung davon einem
anschließendem Bedampfungsplasma inhibiert werden kann.
Wie oben erläutert, hat bei der Halbleitervorrichtung
entsprechend dem dritten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung
nicht der gesamte Isolationsfilm eine niedrige Viskosität,
sondern nur ein Teil des Isolationsfilmes, auf dem der obere
zweite leitende Film gebildet wird, hat eine erhöhte
Viskosität, so daß es möglich ist, einen Isolationsfilm zu
erhalten, der bezüglich der verborgenen Form in einer Rille
ausgezeichnet ist im Vergleich zu dem konventionellem
Isolationsfilm, und gleichzeitig irgendwelche schlechten
Einflüsse auf die anschließenden Verfahren zu minimieren
(z. B. bei der Bildung eines Kontaktloches oder bei der
Bildung einer Leitung).
Es ist bekannt, daß es möglich ist, einen Isolationsfilm mit
niedriger Viskosität, niedriger Dielektrizitätskonstante und
niedriger Hygroskopizität (der einem Isolationsfilm mit einer
Viskosität von weniger als 10 000 cp gemäß dieser Erfindung
entspricht) durch Verwendung eines Kondensations-CVD-
Verfahren zu bilden.
Wenn ein metallischer Film, der als Leitung verwendet wird,
auf einem Isolationsfilm mit einer derartig niedrigen
Viskosität mit Hilfe des Bedampfungsverfahrens wie ein
Magnetronbedampfen gebildet wird, wird jedoch die Oberfläche
des Isolationsfilmes durch das bei dem Bedampfen verwendete
Plasma sehr beschädigt.
Als Ergebnis kann ein Teil der chemischen Bindung eines
Moleküls, das den Isolationsfilm ausmacht, aufgespalten
werden oder eine irreguläre Grenzfläche kann zwischen dem
Isolationsfilm und einer Leitung, die darauf gebildet werden
soll (die dem zweiten leitenden Film dieser Erfindung
entspricht) gebildet werden, wodurch verschiedene Probleme
wie die Erzeugung eines Verluststromes zwischen einem Paar
von Leitungen, die auf beiden Seiten des Isolationsfilmes
angeordnet sind (entsprechend dem ersten und dem zweiten
Leitungsfilm dieser Erfindung) oder die Zerstörung des
Isolationsfilmes verursacht werden.
Wenn jedoch ein Bereich des Isolationsfilmes, auf dem der
obere zweite leitende Film niedergeschlagen ist, eine hohe
Viskosität aufweist wie bei dem dritten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, kann die Schädigung der Oberfläche des
Isolationsfilmes durch das Plasma minimiert werden, wodurch
es möglich wird, eine Zerstörung der Isolationseigenschaft
des Isolationsfilmes effektiv zu verhindern.
Wenn weiterhin ein Durchgangsloch zum Verbinden der oberen
Leitung mit der unteren Leitung in einem Isolationsfilm
niedriger Viskosität gebildet wird, kann die Stelle und die
Form des Durchgangsloches aufgrund der Deformation des
Isolationsfilmes instabil werden. Wenn die Viskosität eines
Teils des Isolationsfilmes erhöht wird, wie es durch diese
Erfindung vorgeschlagen wird, kann ein solches Problem, das
bei der Bildung eines Durchgangsloches involviert ist,
vermieden werden.
Diese Erfindung wird unter Bezugnahme auf verschiedene
Merkmale, die in den Zeichnungen gezeigt sind, erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Sicht einer Halbleiter-
Herstellungsvorrichtung, die gemäß einem ersten Beispiel
dieser Erfindung verwendet wird.
In Fig. 1 bedeutet Bezugszeichen 1 einen Vakuumbehälter, an
dem eine Auslaßanlage (nicht gezeigt) über einer
Auslaßöffnung 2 verbunden ist. Dieser Vakuumbehälter 1 wird
durch die Auslaßanlage auf ein Vakuum von 2 × 10-7 Torr oder
mehr evakuiert. Ein Substrat-Befestigungstisch 3, hergestellt
aus rostfreiem Stahl, ist im Inneren des Vakuumbehälters 1
angeordnet, und ein Silicium-Substrat 4 ist auf diesem
Substrat-Befestigungstisch 3 vorgesehen.
Der Vakuumbehälter 1 ist weiterhin mit verschiedenen Rohren
um Zuführen von verschiedenen Gasen in den Vakuumbehälter 1
verbunden. Ein Rohr 5 aus rostfreiem Stahl zum Zuführen von
Sauerstoffgas, ein Rohr 15 aus rostfreiem Stahl zum Zuführen
von Tetramethylsilan (Si(CH₃)₄, nachfolgend einfach mit TMS
bezeichnet) und ein Rohr 30 aus rostfreiem Stahl zum Zuführen
von Stickstoffgas sind mit dem Vakuumbehälter 1 verbunden.
Das Rohr 5 zum Zuführen von Sauerstoffgas (der Einfachheit
halber ist eine Sauerstoff-Zufuhranlage in Fig. 1
weggelassen) ist mit einem Stoppventil 6, einem
Massenflußsteuergerät 7, einem Stoppventil 8 und einer
Verbindung 9 versehen. Der distale Endbereich des Sauerstoff-
Zufuhrrohres 5 ist mit einem Al₂O₃-Rohr 11 verbunden.
Dieses Al₂O₃-Rohr 11 wird mit dem Vakuumbehälter 1 über eine
Verbindung 12 verbunden und ist an einem Zwischenbereich
davon mit einem Hohlraum 10 für die Mikrowellenentladung
versehen. Die Mikrowellenquelle und das
Mikrowellenzuführsystem der Mikrowellenentladung sind in
Fig. 1 weggelassen.
Das Rohr 15 zum Zuführen von TMS (aus Gründen der Einfachheit
wird eine TMS-Zuführanlage von Fig. 1 weggelassen) ist mit
einem Stoppventil 16, einem Massenflußsteuergerät 17, einem
Stoppventil 18 und einem Rohr 19 aus rostfreiem Stahl
versehen, das mit dem Vakuumbehälter 1 verbunden ist.
Das durch das Rohr 30 zu führende Stickstoffgas (der
Einfachheit halber ist die Stickstoffgas-Zuführeinrichtung
von Fig. 1 weggelassen) wird zum Einstellen des Druckes
innerhalb des Vakuumbehälters 1 verwendet, d. h. zum
Einstellen des Innendruckes des Vakuumbehälters 1 auf
atmosphärischen Druck bei dem Hineinlegen des Silicium-
Substrates 4 in den Vakuumbehälter 1 oder bei der Herausnahme
des Silicium-Substrates 4 daraus oder zum Verkürzen der Zeit,
die zum Wiedereinstellen der gekühlten Temperatur des
Silicium-Substrates 4 auf Raumtemperatur erforderlich ist,
verwendet. Dieses Stickstoffgas kann zum Einstellen des
Innendruckes des Vakuumbehälters 1 beim Niederschlagen eines
Siliciumdioxid-Filmes auf dem Silicium-Substrat 4 verwendet
werden.
Das Rohr 30 ist mit einem Stoppventil 31, einem
Massenflußsteuergerät 32, einem Stoppventil 33 und einem Rohr
34 aus rostfreiem Stahl versehen, das mit dem Vakuumbehälter
1 verbunden ist.
Der Substrat-Befestigungstisch 3 ist mit Kupferrohren 35a und
35b zum Kühlen oder Erwärmen des Substrat-Befestigungstisches
3 versehen (das Kupferrohr 35a bedeutet ein Rohr, das an der
Gaseinflußseite angeordnet ist, während das Kupferrohr 35b
ein Rohr bedeutet, das an der Gasausflußseite vorgesehen
ist), wobei diese Kupferrohre 35a und 35b in dem Substrat-
Befestigungstisch 3 verborgen sind. Diese Kupferrohre 35a und
35b sind mit dem Stickstoff-Zuführsystem zum Durchführen
eines gekühlten Stickstoffgases oder eines Stickstoffgases
mit Raumtemperatur verbunden, wie in Fig. 2 gezeigt ist.
Unter Bezugnahme auf das Stickstoffzuführsystem, das in Fig.
2 gezeigt ist, bedeutet Bezugsziffer 101 ein Rohr zum
Zuführen von Stickstoffgas, das mit einer Stickstoff-
Zuführanlage verbunden ist (nicht gezeigt). Dieses Rohr 101
ist mit einem Stoppventil 102, einem Massenflußsteuergerät
103, Stoppventilen 104 und 105 versehen, und der distale
Endbereich des Rohres 101 ist mit dem Rohr 35a zum Kühlen
oder Erwärmen des Substrat-Befestigungstisches 3, der in
Fig. 1 gezeigt ist, verbunden.
Mit diesem Rohr 101 sind ein Paar von Verzweigungsrohren 106
und 109 verbunden, die von der Aufstromseite und der
Abstromseite des Stoppventils 105 abgezweigt sind. Das
Verzweigungsrohr 106 ist durch ein Stoppventil 107 mit einem
Spiralrohr 108 verbunden, das wiederum durch ein Stoppventil
110 mit Abzweigrohr 109 verbunden ist, das mit dem Rohr 35a
verbunden ist, das in Fig. 1 gezeigt ist.
Das Spiralrohr 108 ist in flüssigen Stickstoff 112 getaucht,
der in einem Behälter 111 aus flüssigem Stickstoff gefüllt
ist, um so das Stickstoffgas, das durch das Spiralrohr 108
fließt, auf eine Temperatur zu kühlen, die in etwa der
Temperatur des flüssigen Stickstoffs entspricht.
Wenn das Silicium-Substrat 4 gekühlt werden soll, kann das
Stickstoffgas durch das Spiralrohr 108 fließen. Wenn auf der
anderen Seite die Temperatur des Silicium-Substrates 4, das
somit gekühlt ist, wieder auf Raumtemperatur nach der Bildung
eines Siliciumdioxid-Filmes erhöht werden soll, wird das
Ventil 105 geöffnet, zum Zuführen eines Stickstoffgases mit
Raumtemperatur zu dem Rohr 35.
Durch Führen des einen Stickstoffgases, während es durch das
Massenflußsteuergerät gesteuert und durch das flüssige
Stickstoffgas gekühlt ist, von dem Rohr 35a zu dem Rohr 35b,
können der Substrat-Befestigungstisch 3 ebenso wie das
Silicium-Substrat 4 auf eine gewünschte Temperatur
heruntergekühlt werden.
Unter erneuter Bezugnahme auf Fig. 1 ist der Substrat-
Befestigungstisch 3 ebenfalls mit einem Gehäuseerwärmer 36
versehen, der als Erwärmungsquelle zum Erwärmen des Silicium-
Substrates 4 auf eine gewünschte Temperatur funktioniert. Die
Energiequelle für diesen Gehäuseerwärmer 36 ist von Fig. 1
weggelassen.
Die Wand des Vakuumbehälters 1 ist aus einer
Zweischichtstruktur gebildet und mit einer Erwärmungsquelle
41 zum Erwärmen der Wand und einem Wärmeisolationsmaterial 42
versehen. Die Temperatur der Wand des Vakuumbehälters 1 wird
bei diesem Beispiel auf 80°C eingestellt. Die Energiequelle
der Erwärmungsquelle 41 ist in Fig. 1 weggelassen.
Als nächstes wird ein Verfahren zur Bildung eines
Zwischenschicht-Isolationsfilmes unter Verwendung der
Halbleiter-Herstellungsanlage mit dem oben erwähnten Aufbau
erläutert.
Zunächst wird das Innere des Vakuumbehälters 1 auf
atmosphärischen Druck eingestellt, und ein Silicium-Substrat
4, das darauf gewünschte Elemente trägt, wird auf einem
Substrat-Befestigungstisch 3 befestigt. In diesem Fall kann
eine evakuierte Ersatzkammer vorgesehen sein, damit das
Silicium-Substrat 4 automatisch zu dem Vakuumbehälter
übertragen werden kann, indem ein Roboterarm verwendet wird.
Dann wird das Innere des Vakuumbehälters über die
Auslaßöffnung 2 auf ein endgültiges Vakuum eingestellt, wobei
ein Vakuum von wenigstens 1 × 10-7 Torr in diesem Fall
eingestellt werden sollte.
Dann kann ein gekühltes Stickstoffgas durch eine Passage
zwischen dem Kupferrohr 35a und dem Kupferrohr 35b geleitet
werden, wodurch der Substrat-Befestigungstisch 3 auf eine
bestimmte Temperatur von etwa -100 bis -25°C gekühlt wird.
Wenn der Substrat-Befestigungstisch 3 auf den oben erwähnten
Bereich herabgekühlt wird, ist die Temperatur des Silicium-
Substrates 4 (Substrat-Temperatur) -80 bis -25°C. Nachdem die
Stabilisierung der Substrat-Temperatur bei einer gewünschten
Temperatur bestätigt ist, wird das Massenflußsteuergerät 17
für TMS auf 1 bis 100 cm³/min eingestellt, und die
Stoppventile 16 und 18 werden zum Einführen von TMS in den
Vakuumbehälter 1 geöffnet.
Danach wird das Massenflußsteuergerät 10 für das
Sauerstoffgas auf 1 bis 1000 cm³/min eingestellt und die
Stoppventile 6 und 8 werden zum Einführen von Sauerstoffgas
in den Vakuumbehälter 1 geöffnet. In diesem Fall kann der
Druck in dem Vakuumbehälter 1 auf etwa 10 mTorr bis etwa
500 Torr durch Wechseln der Konduktanz der Auslaßöffnung 2
erhöht werden, wobei der Partialdruck 2 bis 200 Torr für TMS
und 2 bis 400 Torr für Sauerstoffgas ist.
Nach dem Stabilisieren der Flußrate von Sauerstoff wird dann
eine Mikrowelle mit etwa 100 Watt bis 5 kWatt aufgedrückt, um
dadurch die Mikrowellenentladung von Sauerstoffgas zu
induzieren. Durch Definieren der Zeit, wenn die
Mikrowellenentladung iniziiert wird, als
Filmniederschlagsstartzeit, wird die Filmniederschlagszeit
geeignet ausgewählt, um dadurch einen Zwischenschicht-
Isolationsfilm, bestehend aus einer Verbindung, umfassend
Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff, auf dem
Silicium-Substrat 4 niederzuschlagen.
Das Beenden des oben erwähnten Niederschlages kann
folgendermaßen durchgeführt werden.
Zunächst wird der Ausstoß der Mikrowellenleistung
abgeschaltet, um die Mikrowellenfreisetzung zu stoppen. Die
Zeit dieser Abstellung wird als Niederschlagbeendigungszeit
definiert. Dann werden die Stoppventile 28 und 18
geschlossen, zum Stoppen der Zufuhr vom TMS, und danach wird
das Stoppventil 8 geschlossen, zum Stoppen der Zufuhr von
Sauerstoffgas. Dann wird die Zufuhr des kühlenden
Stickstoffgases, das zwischen dem Rohr 35a und dem Rohr 35b
fließt, auf gleiche Weise wie oben beendet, und dadurch kann
ein Stickstoffgas mit Raumtemperatur in den Vakuumbehälter 1
fließen.
In diesem Fall wird das Massenflußsteuergerät 32 für das
Stickstoffgas auf 1 bis 10 l/min eingestellt, und die
Stoppventile 31 und 32 werden geöffnet, zum Einführen von
Stickstoffgas von dem Rohr 34 in den Vakuumbehälter 1, um so
das Innere des Vakuumbehälters 1 auf einen Druck in etwa auf
atmosphärischen Druck einzustellen, und gleichzeitig wird die
Temperatur des Silicium-Substrates 4 erneut auf
Raumtemperatur angehoben.
Schließlich wird das Innere des Vakuumbehälters 1 auf
atmosphärischen Druck eingestellt und das Silicium-Substrat 4
aus dem Vakuumbehälter 1 herausgenommen. Falls gewünscht,
kann das nächste Silicium-Substrat zu diesem Zeitpunkt auf
dem Substratbefestigungstisch 3 befestigt werden. Eine Folge
von Vorgängen für die Bildung eines Zwischenschicht-
Isolationsfilmes wird auf diese Weise vollendet.
Wie oben erläutert, wird nach diesem Beispiel ein
Zwischenschicht-Isolationsfilm, bestehend aus einer
Verbindung, umfassend Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und
Wasserstoff, in einem Filmbildungszustand gebildet, wobei der
Gehalt an Kohlenstoff größer ist als der Gehalt an Silicium.
Es wurde festgestellt, daß dann, wenn in einem
Zwischenschicht-Isolationsfilm, bestehend aus einer
Verbindung, umfassend Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und
Wasserstoff, der Gehalt an Kohlenstoff größer ist als der
Gehalt an Silicium, der resultierende Isolationsfilm bei
Raumtemperatur viskos wird, wodurch es möglich wird, die
Stufenbedeckungseigenschaft des Isolationsfilmes zu
verbessern. Es wurde ebenfalls festgestellt, daß ein
derartiger viskoser Isolationsfilm, bestehend aus einer
Verbindung, umfassend Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und
Wasserstoff, eine niedrige Dielektrizitätskonstante und
Hygroskopizität aufweist.
Daher ist es erfindungsgemäß möglich, einen Zwischenschicht-
Isolationsfilm oder einen Isolationsschutzfilm zu erhalten,
der bezüglich der Stufenbedeckungseigenschaft ausgezeichnet
ist und sowohl eine niedrige Dielektrizitätskonstante als
auch niedrige Hygroskopizität hat.
Fig. 3A bzw. 3B zeigen einen Querschnitt, der einen
Schritt der Herstellung einer Halbleitervorrichtung
entsprechend einem zweiten Beispiel dieser Erfindung
erläutert.
Fig. 3A zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein
Silicium-Substrat 201, bevor ein Zwischenschicht-
Isolationsfilm darauf niedergeschlagen ist. Nachdem ein
Siliciumdioxid-Film 202 auf dem Silicium-Substrat 201, das
zuvor mit einem isolierten Elementbereich versehen wurde,
gebildet ist, wird der Siliciumdioxid-Film 202 selektiv von
einem Kontaktloch weggeätzt, und dann wird ein Al-1% Si-0,5%
Cu-Film (nachfolgend einfach mit Al-Legierungsfilm
bezeichnet), der als Verbindungsleitung 203 funktioniert,
niedergeschlagen und geätzt, wodurch ein gewünschtes
Leitungsmuster gebildet wird, wie in Fig. 3A gezeigt ist.
Anschließend wurde das Silicium-Substrat 201 auf dem
Substratbefestigungstisch 3 angeordnet, der in dem
Vakuumbehälter 1 einer Halbleiter-Herstellungsanlage der
gleichen Art wie bei dem oben erwähnten Beispiel 1 vorgesehen
ist, und die gleiche Vorgehensweisen, wie sie in Beispiel 1
gezeigt sind, wurden wiederholt, zur Bildung eines
Zwischenschicht-Isolationsfilmes 204 über der gesamten
Oberfläche des Substrates 201, wie in Fig. 3B gezeigt ist.
Mehr spezifisch wurde der Zwischenschicht-Isolationsfilm 204
unter folgenden Filmbildungsbedingungen gebildet: 20 cm³/min
Flußrate TMS, 200 cm³/min Flußrate Sauerstoffgas, 0,2 Torr
Niederschlagsdruck, 200 Watt Mikrowellenleistung, -30°C
Substrat-Temperatur und 2 min Niederschlagszeit. Unter diesen
Filmbildungsbedingungen war die Niederschlagsrate des
Zwischenschicht-Isolierfilmes 204 etwa 0,5 um/min.
Wenn die unter diesen Bedingungen erhaltene Probe mit Hilfe
eines Raster-Elektronenmikroskopes (SEM) beobachtet wurde,
wurde festgestellt, daß der Zwischenschicht-Isolationsfilm
204 in der gesamten Rille zwischen den Verbindungsleitungen
203 auf gleiche Weise niedergeschlagen war als wenn ein
Becher mit einer Flüssigkeit gefüllt würde, d. h. es war in
dem Zwischenschicht-Isolationsfilm 204, der in der Rille
angeordnet war, überhaupt kein Loch vorhanden.
In einem anderen Experiment, das durch diese Erfinder
durchgeführt wurde, wurde ein Isolationsfilm auf der flachen
Oberfläche eines Silicium-Substrates entsprechend der
gleichen Vorgehensweise wie oben gebildet, und der
resultierende Isolationsfilm wurde mit Hilfe eines
Transmissionsverfahrens unter Verwendung eines Fourier-
Transform-Infrarotspektrometers analysiert.
Als Ergebnis waren die Absorptions-Peaks, die beobachtet
werden konnten, ein Schwingungs-Peak von Si-O-Si und ein
Absorptions-Peak von Si-CH₃. Das Verhältnis des Si-CH₃-Peaks
zu dem Si-O-Si-Peak war 10 bis 50%.
Es kann wegen der Ungenauigkeit der Detektionsempfindlichkeit
unmöglich sein, den Gehalt einer jeden Komponente von diesen
Daten direkt abzuleiten. Wenn jedoch der gesamte
Isolationsfilm durch Verwendung eines chemischen
Benetzungsverfahrens aufgelöst und die resultierende Lösung
mit Hilfe eines Atomabsorptionsverfahrens untersucht wurde,
wurde festgestellt, daß das Zusammensetzungsverhältnis von
Kohlenstoff (C) und Silicium (Si) etwa 1 : 1 bis 30 : 1 ist, was
′n jedem Fall einen größeren Gehalt von C im Vergleich zu Si
anzeigt.
Wenn das Endvakuum des Vakuumbehälters 1 verhältnismäßig
niedrig war, trat ein Peak von H₂O in jedem Experiment auf.
Im Hinblick darauf sollte das Endvakuum des Vakuumbehälters 1
bevorzugt so hoch wie möglich sein.
Es kann gesagt werden, daß der oben erwähnte Isolationsfilm
oder der Zwischenschicht-Isolationsfilm 204 eher ein
Isolationsöl mit einer hohen Viskosität als ein
Isolationsfilm ist, da festgestellt wurde, daß die Viskosität
des Isolationsfilmes 100 bis 3000 cps ist. Auf der anderen
Seite wurde festgestellt, daß die Dielektrizitätskonstante
des Isolationsfilmes etwa 1,8 bis 3,2 war.
Wenn die Hygroskopizität des Isolationsfilmes oder des
Zwischenschicht-Isolationsfilmes 204 durch Durchlassen des
Filmes in Luftatmosphäre untersucht wurde, trat die
Absorption von Wasser schwer auf.
Wenn darüber hinaus der Isolationsfilm oder der
Zwischenschicht-Isolationsfilm 204 auf bis zu 650°C im Vakuum
erwärmt wurde und die davon freigesetzten Gase unter
Verwendung eines Massenspektrometers zum Untersuchen der
thermischen Stabilität des Filmes gemessen wurden, wurde eine
kleine Menge an H₂O bei einer Temperatur von 300°C ermittelt,
und in einem Temperaturbereich von 300 bis 650°C wurden nur
Peaks ermittelt, die C und H beinhalteten, d. h. ein Peak mit
H₂O wurde bei diesem Temperaturbereich überhaupt nicht
ermittelt.
Bei einem anderen Experiment wurde ein Siliciumdioxid-Film
mit 0,5 µm Dicke auf einem Silicium-Substrat gebildet, und
dann wurde ein Al-Legierungsfilm mit einer Dicke von 0,9 µm
darauf mit Hilfe eines üblichen Magnetron-
Bedampfungsverfahrens gebildet. Dann wurde auf dem Al-
Legierungsfilm durch Anwendung eines üblichen
Lichtbestrahlungsverfahrens und eines reaktiven Ionen-
Bedampfens ein Muster gebildet, um dadurch eine
Verbindungsleitung zu bilden, die aus der Al-Legierung
bestand. Anschließend wurde ein Isolationsfilm mit einer
Dicke von 2 µm über der gesamten oberen Fläche des Silicium-
Substrates entsprechend dem Verfahren dieses Beispiels
niedergeschlagen, unter Erhalt einer Probe A. Auf der anderen
Seite wurde ein Siliciumdioxid-Film mit einer Dicke von 2 µm
auf der gesamten Oberfläche des Silicium-Substrates
entsprechend einem üblichem Plasma-CVD-Verfahren
niedergeschlagen, unter Erhalt einer Probe B. Wenn mit diesen
Proben ein elektrischer Zuverlässigkeitsversuch durchgeführt
wurde, zeigte die Probe A eine deutlich höhere
Zuverlässigkeit als die Probe B an.
Da der Zwischenschicht-Isolationsfilm 204, der entsprechend
diesem Beispiel gebildet war, viskos war, war der Film im
Vergleich zu dem konventionellem Siliciumdioxid-Film ziemlich
weich. Der Hauptgrund, warum der Isolationsfilm 204 eine
außerordentlich hohe elektrische Zuverlässigkeit im Vergleich
zu dem konventionellen Siliciumdioxid-Film anzeigt, kann der
Tatsache zugeschrieben werden, daß der Isolationsfilm 204
weich genug war, um von irgendwelchen Spannungen frei zu
sein, die bei einem konventionellen Siliciumdioxid-Film
gefunden werden, so daß irgendwelche Mängel aufgrund
thermischer Spannung vermieden werden konnten.
Fig. 4 zeigt eine schematische Sicht einer Halbleiter-
Herstellungsvorrichtung, die gemäß einem dritten Beispiel
dieser Erfindung verwendet wird.
In Fig. 4 bedeutet Bezugszeichen 301 einen Vakuumbehälter,
an dem eine Auslaßanlage (nicht gezeigt) über eine
Auslaßöffnung 302 verbunden ist, um so zu ermöglichen, daß
das Innere des Vakuumbehälters 301 auf ein hohes Vakuum
eingestellt werden kann. Denn das Endvakuum dieses
Vakuumbehälters 301 ist 2 × 10-7 Torr oder mehr. Die
Auslaßanlage ist in Fig. 4 zur Vereinfachung der Erläuterung
nicht gezeigt.
Ein Substrat-Befestigungstisch 303 zum Tragen eines
Substrates ist im Inneren des Vakuumbehälters 301 angeordnet,
und ein Silicium-Substrat 304 ist auf diesem Substrat-
Befestigungstisch 303 angeordnet.
Der Vakuumbehälter 301 ist mit verschiedenen Rohren zum
Zuführen von verschiedenen Gasen in den Vakuumbehälter 301
verbunden. Ein Rohr 305 zum Zuführen von Sauerstoffgas, ein
Rohr 315 zum Zuführen eines organischen Silans wie TMS und
ein Rohr 330 zum Zuführen von Stickstoffgas sind mit dem
Vakuumbehälter 301 verbunden. Das Rohr 305 ist aus rostfreiem
Stahl hergestellt.
Das Rohr 305 zum Zuführen von Sauerstoffgas (der Einfachheit
halber ist eine Sauerstoffzuführanlage von Fig. 4
weggelassen) ist mit einem Stoppventil 306, einem
Massenflußsteuergerät 307, einem Stoppventil 308 und einer
Verbindung 309 versehen. Der distale Endbereich des
Sauerstoffzuführrohres 305 ist mit einem Al₂O₃-Rohr 311
verbunden.
Dieses Al₂O₃-Rohr 311 ist mit einem rostfreien Rohr 313 über
eine Verbindung 312 verbunden, die mit dem Vakuumbehälter 301
verbunden ist. Das Al₂O₃-Rohr 311 ist an einem Mittelbereich
davon mit einem Hohlraum 310 für die Mikrowellenentladung
versehen (aus Gründen der Einfachheit sind eine
Mikrowellenquelle und ein Mikrowellenzuführsystem in Fig. 4
weggelassen).
Das rostfreie Rohr 313 ist mit einem Sprühkopf 314 verbunden,
der in dem Vakuumbehälter 301 derart vorgesehen ist, daß er
dem Substrat-Befestigungstisch 303 gegenüber liegt. Das von
dem rostfreiem Rohr 313 zugeführte Sauerstoffgas wird,
während es mit TMS reagiert wird, zu dem Substrat über den
Sprühkopf 314 zugeführt. Der Sprühkopf 314 kann auf eine
gewünschte Temperatur in dem Bereich von -70°C bis 100°C
erwärmt oder gekühlt werden (der Einfachheit halber sind die
Erwärmungsquelle und eine Steueranlage für dieses Erwärmen
und Kühlen in Fig. 4 weggelassen).
Das Rohr 315 zum Zuführen von TMS (der Einfachheit halber ist
eine TMS-Zuführanlage von Fig. 4 weggelassen) ist mit einem
Stoppventil 316, einem Massenflußsteuergerät 317, einem
Stoppventil 318 und einem Rohr 319 aus rostfreiem Stahl
versehen und mit dem Vakuumbehälter 301 verbunden. Ein
Nadelventil, das in der Lage ist, die Flußrate zu steuern,
kann anstelle des Massenflußsteuergerätes 317 verwendet
werden.
Das Rohr 319 aus rostfreiem Stahl ist mit dem Sprühkopf 314,
der in dem Vakuumbehälter 301 vorgesehen ist, verbunden. Wenn
Sauerstoffgas und TMS gleichzeitig zugeführt werden, werden
diese Gase in dem Sprühkopf 314 vermischt und teilweise
miteinander reagiert, so daß die Mischung aus diesen Gasen,
die die Reaktionsprodukte beinhalten, zu dem Substrat geführt
werden. Es sollte bemerkt werden, daß die Verwendung des
Sprühkopfes 314 erfindungsgemäß nicht wesentlich ist, d. h.
das organische Silan und das aktivierte Sauerstoffgas können
getrennt zu der Nähe der Oberfläche des Substrates geführt
werden, wodurch ermöglicht wird, daß diese Gase in der Nähe
der Oberfläche des Substrat vermischt werden, wobei nahezu
die gleichen Wirkungen erzielt werden.
Das durch das Rohr 330 zu führende Stickstoffgas (der
Einfachheit halber ist eine Stickstoffgaszuführanlage von
Fig. 4 weggelassen) wird zum Einstellen des Druckes in dem
Vakuumbehälter 301 verwendet, d. h. um den Innendruck des
Vakuumbehälters 301 auf atmosphärischen Druck einzustellen,
wenn das Silicium-Substrat 304 in den Vakuumbehälter 301
gegeben oder daraus herausgenommen wird, oder um die Zeit zu
verkürzen, die zum Einstellen der gekühlten Temperatur des
Silicium-Substrates 304 auf Raumtemperatur erforderlich ist.
Dieses Stickstoffgas kann zum Einstellen des Innendruckes des
Vakuumbehälters 301 bei dem Abscheiden eines Isolationsfilms
auf dem Silicium-Substrat 304 verwendet werden.
Das Rohr 330 ist über ein Stoppventil 331, ein
Massenflußsteuergerät 332, ein Stoppventil 333 und ein Rohr
334 mit dem Vakuumbehälter 301 verbunden.
Der Substrat-Befestigungstisch 303 ist mit Kupferrohren 335a
und 335b zum Kühlen oder Erwärmen des Substrat-
Befestigungstisches 303 (das Kupferrohr 335a bezeichnet ein
Rohr, das an der Gaseinflußseite angeordnet ist, während das
Kupferrohr 335b ein Rohr bedeutet, das an der Gasausflußseite
angeordnet ist), wobei diese Kupferrohre 335a und 335b in dem
Substrat-Befestigungstisch 303 verborgen sind. Diese
Kupferrohre 335a und 335b sind mit dem Stickstoffzuführsystem
zum Zuführen eines gekühlten Stickstoffgases oder eines
Stickstoffgases mit Raumtemperatur verbunden.
Der Substrat-Befestigungstisch 303 ist ebenfalls mit einem
Gehäuseerwärmer 336 versehen, der als Erwärmungsquelle zum
Erwärmen des Silicium-Substrates 304 auf eine gewünschte
Temperatur fungiert. Die Energiequelle dieses
Gehäuseerwärmers 336 ist von Fig. 4 weggelassen.
Die Wand des Vakuumbehälters 301 ist aus einer
Zweischichtstruktur gebildet und mit einer Erwärmungsquelle
341 zum Erwärmen der Wand und eines Wärmeisolationsmaterials
342 versehen (die Energiequelle der Erwärmungsquelle 341 ist
in Fig. 4 weggelassen). Die Wandtemperatur des
Vakuumbehälters 301 bei diesem Beispiel wird auf 80°C
eingestellt.
Als nächstes wird ein Verfahren zur Bildung eines
Isolationsfilmes unter Anwendung der Halbleiter-
Herstellungsanlage mit dem oben erwähnten Aufbau erläutert.
Zunächst wird das Innere des Vakuumbehälters 301 wieder auf
atmosphärischen Druck eingestellt, und ein Silicium-Substrat
304 wird auf einem Substrat-Befestigungstisch 303 befestigt.
In diesem Fall kann eine evakuierte Ersatzkammer neben dem
Vakuumbehälter 301 über ein Gate-Ventil vorgesehen sein, um
so zu ermöglichen, daß das Silicium-Substrat 304 automatisch
zu dem Vakuumbehälter 301 übertragen wird, indem ein
Roboterarm verwendet wird. Dann wird das Innere des
Vakuumbehälters 301 durch die Auslaßöffnung 302 auf ein
Endvakuum evakuiert, wobei in diesem Fall ein Vakuum von
wenigstens 1 × 10-7 Torr eingestellt werden sollte.
Dann kann ein gekühltes Stickstoffgas von dem Kupferrohr 335a
zu dem Kupferrohr 335b fließen, wobei der Substrat-
Befestigungstisch 303 auf eine vorgegebene Temperatur von
etwa -100 bis -25°C gekühlt wird. Wenn der Substrat-
Befestigungstisch 303 auf den oben erwähnten Bereich
heruntergekühlt wird, ist die Temperatur des Silicium-
Substrates 304 (Substrat-Temperatur) -80 bis -25°C. Wenn die
Stabilisierung der Substrat-Temperatur bei einer gewünschten
Temperatur bestätigt ist, wird das Massenflußsteuergerät 317
für TMS auf 1 bis 100 cm³/min eingestellt und die
Stoppventile 316 und 318 werden geöffnet, zum Einführen von
TMS in den Vakuumbehälter 301.
Danach wird das Massenflußsteuergerät 310 für das
Sauerstoffgas auf 1 bis 1000 cm³/min eingestellt, und die
Stoppventile 306 und 308 werden geöffnet, zum Einführen von
Sauerstoffgas in den Vakuumbehälter 301. In diesem Fall kann
der Druck in dem Vakuumbehälter 301 auf etwa 10 mTorr bis
500 Torr eingestellt werden, indem der Konduktanz der
Auslaßöffnung 302 geändert wird, wobei der Partialdruck 2 bis
200 Torr für TMS und 2 bis 400 Torr für Sauerstoffgas ist.
Nach dem Stabilisieren der Flußrate von Sauerstoff wird dann
eine Mikrowelle von etwa 100 Watt bis 5 kWatt aufgedrückt, um
dadurch die Mikrowellenentladung von Sauerstoffgas
induzieren. Durch Definieren der Zeit, wenn die
Mikrowellenentladung iniziiert wird, als
Filmniederschlagsstartzeit, wird die Filmniederschlagszeit
geeignet ausgewählt, um dadurch einen Siliciumdioxid-Film auf
das Silicium-Substrat 304 abzuscheiden.
Bei diesem Beispiel wurde ein aktiviertes Sauerstoffgas
direkt in den Vakuumbehälter 301 eingeführt. Da die Flußrate
von Sauerstoffgas und die Resonanz der Mikrowelle sich nicht
sofort stabilisieren, sobald sie ausgestoßen werden, ist es
im Hinblick auf den Erhalt eines Isolationsfilmes mit einer
ausgezeichneten Qualität ratsam, das Sauerstoffgas nicht in
den Vakuumbehälter 301, sondern über einen Bypass zu leiten,
nachdem die Flußrate von Sauerstoffgas und die Resonanz der
Mikrowelle stabilisiert sind.
Die Beendigung des oben erwähnten Niederschlages kann durch
die folgenden Vorgehensweisen durchgeführt werden.
Zunächst wird der Ausstoß der Mikrowelle abgeschaltet, zum
Stoppen der Mikrowellenentladung. Der Zeitpunkt dieser
Abscheidung wird als Niederschlagsbeendigungszeit definiert.
Dann werden die Stoppventile 328 und 318 geschlossen, zum
Stoppen der Zufuhr von TMS, und danach wird das Stoppventil
308 geschlossen, zum Stoppen der Zufuhr von Sauerstoffgas.
Dann werden die Zufuhr des kühlenden Stickstoffgases von dem
Rohr 335a und dem Rohr 335b auf gleiche Vorgehensweise wie
oben erwähnt, gestoppt. Zu diesem Zeitpunkt wird das
Massenflußsteuergerät 332 für Stickstoffgas auf 1 bis
10 l/min eingestellt, und die Stoppventile 331 und 332 werden
geöffnet, zum Einführen von Stickstoffgas von dem Rohr 334 in
den Vakuumbehälter 301, um so das Innere des Vakuumbehälters
301 wieder auf einen Druck in der Nähe von atmosphärischen
Druck einzustellen, und gleichzeitig wird die Temperatur des
Silicium-Substrates 304 erneut auf Raumtemperatur angehoben.
Schließlich wird das Innere des Vakuumbehälters 301 auf
atmosphärischen Druck eingestellt, und das Silicium-Substrat
304 wird aus dem Vakuumbehälter 301 herausgenommen. Falls
gewünscht, kann das nächste Silicium-Substrat zu diesem
Zeitpunkt auf dem Substrat-Befestigungstisch 303 befestigt
werden. Eine Verfahrenssequenz für die Bildung eines
Siliciumoxid-Filmes wird auf diese Weise vollendet.
Ein Zwischenschicht-Isolationsfilm wurde auf einem Substrat
gebildet, das eine Verbindungsleitung (Probe) trägt, wobei
entsprechend den oben erwähnten Vorgehensweisen gearbeitet
wurde, wie in den Fig. 5A und 5C gezeigt ist.
Diese Probe wurde wie folgt hergestellt. Zunächst wurde ein
thermischer Siliciumdioxid-Film 402 auf dem Silicium-Substrat
401, das ein Element (nicht gezeigt) trägt, mit einer Dicke
von etwa 1 um gebildet, und dann wurde ein Al-1%, Si-0,5%,
Cu-Film (nachfolgend einfach mit Al-Legierungsfilm
bezeichnet), der als Al-Legierungsleitung 403 fungiert, die
mit dem oben erwähnten Element verbunden ist, mit einer Dicke
von etwa 0,4 bis 0,9 um niedergeschlagen. Danach wurde der
resultierende Al-Legierungsfilm durch Verwendung eines
üblichen Expositionsverfahrens und eines reaktiven Ionen-
Ätzens (RIE) ionengeätzt, wodurch eine gewünschte Al-
Legierungsleitung gebildet wurde, wie in Fig. 5A gezeigt
ist. Diese Al-Legierungsleitung 403 wurde über ein
Kontaktloch, das in dem thermischen Siliciumdioxid-Film 402
gebildet ist, mit dem oben erwähnten Element verbunden.
Anschließend wurde das Silicium-Substrat 401 auf dem
Substrat-Befestigungstisch 303, der in dem Vakuumbehälter 301
vorgesehen ist, angeordnet, und die gleiche Vorgehensweise,
die oben erläutert ist, wurde wiederholt, zur Bildung eines
Isolationsfilmes 405, wie in Fig. 5B gezeigt ist.
Mehr spezifisch wurde der Zwischenschicht-Isolationsfilm 204
unter folgenden Filmbildungsbedingungen gebildet:
20 cm³/Flußrate TMS, 200 cm³/min Flußrate Sauerstoffgas, 0,2 Torr Niederschlagsdruck, 200 Watt Mikrowellenleistung, -30°C Substrat-Temperatur und 2 min Niederschlagszeit. Mit diesen Filmbildungsbedingungen war die Niederschlagsrate des Zwischenschicht-Isolationsfilmes 405 etwa 0,1 bis 0,5 um/min. Wenn die unter diesen Bedingungen erhaltene Probe mit Hilfe eines Rasterelektronenmikroskopes (SEM) beobachtet wurde, wurde festgestellt, daß der Isolationsfilm 405 wie in Fig. 5B gezeigt ist, in dem gesamten Zwischenraum 404 zwischen den Leitungen 403 auf gleiche Weise niedergeschlagen ist, als wenn ein Becher mit Wasser gefüllt wäre, d. h. in dem Isolationsfilm 405, der in der Rille niedergeschlagen ist, sind überhaupt keine Löcher vorhanden.
20 cm³/Flußrate TMS, 200 cm³/min Flußrate Sauerstoffgas, 0,2 Torr Niederschlagsdruck, 200 Watt Mikrowellenleistung, -30°C Substrat-Temperatur und 2 min Niederschlagszeit. Mit diesen Filmbildungsbedingungen war die Niederschlagsrate des Zwischenschicht-Isolationsfilmes 405 etwa 0,1 bis 0,5 um/min. Wenn die unter diesen Bedingungen erhaltene Probe mit Hilfe eines Rasterelektronenmikroskopes (SEM) beobachtet wurde, wurde festgestellt, daß der Isolationsfilm 405 wie in Fig. 5B gezeigt ist, in dem gesamten Zwischenraum 404 zwischen den Leitungen 403 auf gleiche Weise niedergeschlagen ist, als wenn ein Becher mit Wasser gefüllt wäre, d. h. in dem Isolationsfilm 405, der in der Rille niedergeschlagen ist, sind überhaupt keine Löcher vorhanden.
Dann wurde ein SiO₂-Film 406 über dem Isolationsfilm 405 bis
zu einer Dicke von etwa 0,5 bis 1 um mit Hilfe einer Plasma-
CVD-Anlage vom Parallelplattentyp unter Verwendung von
Tetraethoxysilan (TEOS) und Sauerstoff niedergeschlagen
(Fig. 5C). Nach Bildung eines Kontaktloches (Durchgangsloch)
zum Kontaktieren mit der Al-Legierungsleitung 403 in dem
SiO₂-Film 406 wurde eine zweite Schicht aus einer Al-
Legierungsleitung gebildet. Danach wurden diese
Vorgehensweisen gewünschte Male wiederholt, zur Bildung einer
gewünschten Vielschichtleitung. Da der Isolationsfilm 405
viskos ist, sollte der Isolationsfilm 405, der auf der Al-
Legierungsleitung gebildet wird, bevorzugt so dünn wie
möglich eingestellt werden, damit die anschließenden Schritte
angemessen durchgeführt werden können.
Das Hauptmerkmal dieses Beispiels liegt in einem Unterschied
der Filmdicke zwischen der Filmdicke "a" des Isolationsfilmes
405, der auf der Al-Legierungsleitung 403 niedergeschlagen
ist, und der Filmdicke "b" des Isolationsfilmes 405, der in
der Rille 404 niedergeschlagen ist, wie in Fig. 5B gezeigt
ist. Die Filmdicke "b" des Isolationsfilmes 405, der in der
Rille 404 niedergeschlagen war, war größer als die Filmdicke
"a" des Isolationsfilmes 405, der auf der Al-
Legierungsleitung 403 niedergeschlagen war.
Fig. 6 erläutert die Beziehung zwischen der Filmdicke "a"
und der Filmdicke "b". Wie in Fig. 6 gezeigt ist, ist die
Filmdicke "b" deutlich größer als die Filmdicke "a", bis die
Rille 404 vollständig mit dem Isolationsfilm 405 gefüllt ist.
Wenn daher der Niederschlag des Isolationsfilmes 405 zu dem
Punkt gestoppt wird, der durch das Zeichen "x" in der Fig. 6
angezeigt ist, ist es möglich, eine Struktur zu erhalten, bei
der die Rille 405 vollständig mit dem Isolationsfilm 405
gefüllt ist, wobei aber die Oberfläche der Al-
Legierungsleitung 403 kaum mit dem Isolationsfilm 405 belegt
ist.
Fig. 5B zeigt ein Beispiel, bei dem der Isolationsfilm 405
ebenfalls auf der oberen Fläche der Al-Legierungsleitung 403
niedergeschlagen ist, obwohl die Dicke des niedergeschlagenen
Isolationsfilmes 405 dünn ist. Jedoch muß der Isolationsfilm
405 nicht notwendigerweise auf der Oberfläche der Al-
Legierungsleitung 403, sondern kann nur auf dem thermischen
Siliciumdioxid-Film niedergeschlagen sein, der zwischen den
Leitungen angeordnet ist.
Da der Isolationsfilm 405 bei diesem Beispiel eine
verhältnismäßig geringe Dielektrizitätskonstante im Vergleich
zu dem üblichen Siliciumdioxid-Film aufweist, selbst wenn der
Isolationsfilm 405 nur in dem Raum zwischen den Leitungen
vorgesehen ist, ist dies für die Verminderung der
Zwischenleitungskapazität in lateraler Richtung wirksam.
Da der Isolationsfilm 405 bei diesem Beispiel viskos ist, ist
er im Vergleich zu dem üblichen Siliciumdioxid-Film
verhältnismäßig weich. Die Weichheit dieses Isolationsfilmes
405 ist in gewisser Hinsicht von großem Vorteil, kann aber
nachteilig werden, wie nachfolgend erläutert. Der Grund für
die Verbesserung der elektrischen Zuverlässigkeit des
Isolationsfilmes 405 kann der Tatsache zugeschrieben werden,
daß der Isolationsfilm 405 weich genug war, um für irgendeine
thermischen Spannung frei zu sein, die bei dem
konventionellen Siliciumdioxid-Film gefunden wird, so daß
irgendwelche Mängel aufgrund der thermischen Spannung
vermieden werden.
Auf der anderen Seite kann die Weichheit des Isolationsfilmes
204 zu einem Hindernis für einen anschließenden Schritt
werden. Wenn z. B. der Isolationsfilm 405 über eine gesamte
Al-Legierungsleitungsschicht, die eine erste Schicht
ausmacht, niedergeschlagen wird, und dann eine andere Al-
Legierungsleitungsschicht, die eine zweite Schicht ausmacht,
auf dem Isolationsfilm 405 durch das übliche Magnetron-
Bedampfungsverfahren niedergeschlagen wird, wird der
Isolationsfilm 405 aufgrund der Bedampfungswärme faltig,
wodurch es unmöglich wird, die Al-Legierungsleitungsschicht
darauf gleichmäßig zu bilden und folglich mit den
anschließenden Schritten fortzufahren.
Entsprechend diesem Beispiel existierte der weiche
Isolationsfilm 405 jedoch hauptsächlich an einem Bereich
zwischen den Al-Legierungsleitungen, und die obere Fläche der
Al-Legierungsleitung wurde mit einem SiO₂-Film 406
kontaktiert, der durch das übliche Plasma-CVD-Verfahren
gebildet war. Natürlich muß der weiche Isolationsfilm 405 auf
der Al-Legierungsleitung existiert haben, aber es war
unmöglich, die Existenz des weichen Isolationsfilmes 405 auf
der Al-Legierungsleitung bei der Beobachtung mit einem
Rasterelektronenmikroskop (SEM) zu erkennen. Da die
Oberfläche des Isolationsfilmes 405 mit einem SiO₂-Film
bedeckt war, der durch ein übliches Plasma-CVD-Verfahren
gebildet war, konnten die anschließenden Schritte
durchgeführt werden, ohne daß sie im wesentlichen durch das
Vorhandensein des Isolationsfilmes 405 behindert waren.
Obwohl eine Kombination von TMS und Sauerstoff bei diesem
Beispiel erläutert wird, können nahezu die gleichen Wirkungen
durch Verwendung von anderen Arten eines organischen Silans
anstelle von TMS erzielt werden. Beispiele eines solchen
organischen Silans sind Alkoxysilane wie Tetraethylsilan
(Si(C₂H₅)₄), Tetramethoxysilan (Si(OCH₃)₄), Tetraethoxysilan
(Si(OC₂H₅)₄), Hexamethyldisiloxan (Si₂O(CH₃)₆) und
Tetraisopropoxysilan (Si(i-C₃H₇)₄). Es ist ebenfalls möglich,
Xylol, Phenyltrimethylsilan und Diphenyltrimethylsilan zu
verwenden, wobei nahezu die gleichen Wirkungen erhalten
werden.
Es ist ebenfalls möglich, eine Verbindung, umfassend ein
Sauerstoffatom als Bestandteils-Komponente anstelle von O₂ zu
verwenden. Beispiele einer solchen Verbindung umfassen Ozon,
CO, CO₂, NO, N₂O, NO₂, H₂O und H₂O₂, wodurch 57637 00070 552 001000280000000200012000285915752600040 0002019654737 00004 57518nahezu die
gleichen Wirkungen erzielt werden.
Die Fig. 7A bis 7C zeigen jeweils einen Querschnitt, wobei
ein Schritt der Herstellung einer Halbleiter-
Herstellungsvorrichtung entsprechend einem vierten Beispiel
dieser Erfindung erläutert wird.
Wie in Fig. 7A gezeigt ist, wird ein thermischer
Siliciumdioxid-Film 502 mit einer Dicke von 1 um auf dem
Silicium-Substrat 501 gebildet, und dann wird ein Al-
Legierungsfilm, der als Al-Legierungsleitung 503 fungiert,
mit einer Dicke von 0,9 µm mit Hilfe des üblichen
Bedampfungsverfahrens niedergeschlagen. Daraufhin wird aus
dem resultierenden Al-Legierungsfilm durch Anwendung des
üblichen Belichtungsverfahrens und eines reaktiven Ionen-
Ätzens ein Muster gebildet, wodurch ein gewünschtes Muster
aus einer Al-Legierungsleitung 503 gebildet wird.
In Fig. 7A bedeutet Bezugszeichen 504 eine Rille zwischen
den Leitungen. Die Al-Legierungsleitung 503 ist über ein
Kontaktloch (nicht gezeigt), das in dem thermischen
Siliciumdioxid-Film 502 gebildet ist, mit einem Element
(nicht gezeigt) verbunden, das auf dem Silicium-Substrat 501
gebildet ist.
Anschließend wird das Silicium-Substrat 501 auf gleiche Weise
wie in dem dritten Beispiel erläutert behandelt, unter
Bildung eines Isolationsfilmes 505, wie in Fig. 7B gezeigt
ist. Die Filmbildungsbedingungen, die bei diesem Fall
angewandt wurden, sind: 20 cm³/min Flußrate TMS, 100 cm³/min
Flußrate Sauerstoffgas, 0,2 Torr Niederschlagsdruck, 500 Watt
Mikrowellenleistung, Temperatur des Substrates:
Raumtemperatur. Diese Filmbildungsbedingungen sind lediglich
ein Beispiel, und daher sollte diese Erfindung nicht durch
diese Bedingungen beschränkt sein.
Wenn diese Bedingungen derart eingestellt werden, daß
Sauerstoffradikale leicht erzeugt werden, kann ein Film mit
einer konformen Form, wie in Fig. 7B gezeigt ist, leicht
erhalten werden. Bedingungen, die die leichte Erzeugung von
Sauerstoffradikalen ermöglichen, sind, wenn die Flußrate von
Sauerstoff verhältnismäßig größer ist als die Flußrate von
TMS; wenn die Mikrowellenenergie verhältnismäßig groß ist;
oder wenn die Temperatur des Substrates so eng wie möglich
bei Raumtemperatur liegt.
Wenn die unter diesen Bedingungen gebildete Probe durch ein
Raster-Elektronenmikroskop (SEM) beobachtet wurde, wurde
festgestellt, daß die Dicke des Isolationsfilmes 505, der auf
dem Boden der Rille 504 gebildet war, nahezu gleich war wie
die Dicke, die auf der Leitung 503 gebildet ist, wie in Fig.
7B gezeigt ist.
Das Hauptmerkmal dieses Beispiels liegt nicht nur darin, daß
die Filmdicke des Isolationsfilmes 505, der auf dem Boden der
Rille 504 gebildet ist, nahezu gleich war wie die Dicke des
Isolationsfilmes 505, der auf der Al-Legierungsleitung 503
gebildet ist, sondern ebenfalls darin, daß ein bestimmtes
Ausmaß des Isolationsfilmes 505 (0,1 bis 0,5 µm Filmdicke)
ebenfalls auf der Al-Legierungsleitung 503 gebildet war. Wenn
die Zwischenleitungskapazität in lateraler Richtung
erniedrigt werden soll, sollte der Abstand zwischen den
Leitungen mit dem Isolationsfilm 505 soweit wie möglich
verborgen werden.
Nach Herausnahme des Substrates 501 aus dem Vakuumbehälter
wird ein SiO₂-Film 506 über dem gesamten Isolationsfilm 505
bis zu einer Dicke von etwa 0,5 bis 1,0 µm durch das übliche
Plasma-CVD-Verfahren niedergeschlagen. Es kann für die
Verbesserung der verborgenen Form der Rille 504 wirksam sein,
einen 0,2 bis 0,6 µm dicken Isolationsfilm zuvor unter
Verwendung eines organischen Silans und O₃ niederzuschlagen
und dann einen SiO₂-Film 506 auf dem Isolationsfilm durch ein
Plasma-CVD-Verfahren niederzuschlagen.
Dann wird eine obere Al-Legierungsleitung durch das übliche
Verfahren gebildet. Denn nach Bildung eines Kontaktloches zum
Bilden eines Kontaktes mit der Al-Legierungsleitung 503 in
dem SiO₂-Film 506 wird ein Al-Legierungsfilm mit einer Dicke
0,4 bis 1,0 µm zur Bildung der oberen Al-Legierungsleitung
gebildet. Danach wird aus dem Al-Legierungsfilm unter
Anwendung sowohl eines üblichen Belichtungsverfahrens als
auch eines reaktiven Ionen-Ätzungsverfahrens ein Muster
gebildet, unter Bildung der oberen Al-Legierungsleitung.
Nachdem ein SiO₂-Film mit einer Dicke von 0,5 bis 1,0 µm
durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet ist, wird eine
Anschlußfläche gebildet.
Die Halbleitervorrichtung (Probe), die auf diese Weise
erhalten wurde, wurde zum Untersuchen der elektrischen
Zuverlässigkeit davon getestet. Als Ergebnis wurde
festgestellt, daß der Prozentsatz, der aufgrund der
Spannungsmigration mit Mängeln behaftet war, um einen
zweistelligen Wert im Vergleich zu der konventionellen
Halbleitervorrichtung vermindert war.
Dieses Ergebnis kann der Tatsache zugeschrieben werden, daß,
da der Isolationsfilm 505, der die Al-Legierungsleitung 503
kontaktiert, ein viskoser Isolationsfilm ist, selbst wenn der
SiO₂-Film 506, der durch ein Plasma-CVD-Verfahren auf dem
Isolationsfilm 505 gebildet ist, mit der üblichen thermischen
Spannung versehen ist, irgendeine thermische Spannung, die
auf die Al-Legierungsleitung 503 auferlegt werden kann, durch
den viskosen Isolationsfilm 505 abgemildert wird.
Dieses Beispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß der
Isolationsfilm 505 mit einer Dicke von etwa 0,1 bis 0,5 µm
ebenfalls auf der oberen Fläche der Al-Legierungsleitung 503
gebildet wurde. Denn die obere Fläche ebenso wie die
Seitenwände der Al-Legierungsleitung 503 waren vollständig
von dem weichen Isolationsfilm 505 eingefaßt.
Es wird vermutet, daß, weil die Halbleitervorrichtung derart
aufgebaut ist, es möglich ist, irgendwelche thermische
Spannungen von dem SiO₂-Film 506, der durch ein Plasma-CVD-
Verfahren auf dem Isolationsfilm 505 gebildet ist, zu
mildern, wodurch die Erzeugung einer Spannungsmigration
unterdrückt wird.
Die Tatsache, daß der Zwischenschicht-Isolationsfilm nicht
vollständig durch den Isolationsfilm 505 gebildet ist, ist
ebenfalls eines der Merkmale dieser Erfindung. Die Erzeugung
nicht nur der Spannungsmigration sondern ebenfalls der
Elektromigration, wenn die Stromspannung erhöht wird, ist
ebenfalls einer der Faktoren, der eine Verschlechterung der
elektrischen Zuverlässigkeit der Al-Legierungsleitung
induziert.
Als Gegenmaßnahme für das Unterdrücken der Erzeugung von
Spannungsmigration wurde ein Verfahren unter Erzeugung einer
Sperrschicht, die aus TiN besteht, auf der oberen und unteren
Seite der Al-Legierungsleitung angewandt. Entsprechend dieser
Struktur wandern, wenn eine große Spannung auf die Al-
Legierungsleitung aufgedrückt wird, die Al-Atome in der Al-
Legierungsleitung in die Richtung, in die die Spannung
aufgedrückt wird. Die Al-Atome, die zur Abwärtsseite
gewandert sind, werden ein überflüssiges Atom für die Al-
Legierungsleitung der Abwärtsseite. Da die obere und untere
Fläche der Al-Legierungsleitung durch eine harte TiN-
Sperrschicht bedeckt sind, werden die auf diese Weise
gewanderten Al-Atome entlang einem schwachen Bereich des
Isolationsfilmes in der Nähe der beiden Seiten der Al-
Legierungsleitung akkumuliert (ein laterer kleiner Hügel)
Wenn dieser laterale kleine Hügel als Ergebnis des Wachstums
davon groß wird, kann er mit der benachbarten Al-
Legierungsleitung kontaktiert werden, wodurch ein
elektrischer Kurzschluß verursacht wird.
Wenn der Abstand, der zwischen den Al-Legierungsleitungen
vorgesehen ist, vollständig mit dem weichen Isolationsfilm
505 gefüllt ist, kann der Widerstand gegen diesen kleinen
lateralen Hügel schwach werden. Jedoch wurde bestätigt, daß
dann, wenn der weiche Isolationsfilm 505 nur an einem
begrenzten Bereich, der die Al-Legierungsleitung kontaktiert,
niedergeschlagen ist, und der Rest des Raumes zwischen den
Al-Legierungsleitungen mit dem konventionellen SiO₂-Film 506,
wie bei diesem Beispiel, gefüllt wird, der Widerstand
gegenüber diesem lateralen kleinen Hügel nicht beeinträchtigt
wird.
Fig. 8 zeigt einen Querschnitt, der eine
Halbleitervorrichtung entsprechend einem fünften Beispiel
dieser Erfindung erläutert.
In Fig. 8 bedeutet Bezugsziffer 701 ein Silicium-Substrat,
das ein isoliertes Element trägt. Ein Siliciumdioxid-Film 702
wird auf der oberen Fläche des Silicium-Substrates 701
gebildet. Auf diesem Siliciumdioxid-Film 702 wird ein
gewünschtes Muster aus Leitungen, d. h. Leitungen 703a, 703b
und 703c niedergeschlagen. Diese Leitungen 703a, 703b und
703c werden elektrisch mit Elementen (nicht gezeigt), die auf
der oberen Fläche des Substrates gebildet sind, durch
Kontaktlöcher (nicht gezeigt), die in dem Siliciumdioxid-Film
702 gebildet sind, elektrischen verbunden.
Diese Leitungen 703a, 703b und 703c werden durch einen
Isolationsfilm 704 bedeckt, der entsprechend dieser Erfindung
gebildet ist. Eine Leitungsschicht 705 wird auf dem
Isolationsfilm 704 gebildet und mit der Leitung 703b durch
ein Durchgangsloch 706, das in dem Isolationsfilm 704
gebildet ist, verbunden. Das Material, das diese Leitungen
703a, 703b und 703c ausmacht, kann z. B. eine Al-1%, Si-0,5%,
Cu-Legierung sein.
Fig. 9 zeigt eine schematische Ansicht einer Halbleiter-
Herstellungsvorrichtung, die bei diesem Beispiel verwendet
wurde. Die Halbleiter-Herstellungsvorrichtung ist für die
Bildung des Isolationsfilmes 704 durch ein Kondensations-CVD-
Verfahren geeignet.
Unter Bezugnahme auf Fig. 9 bezeichnet Bezugsziffer 601
einen Vakuumbehälter, an den eine Auslaßanlage (nicht
gezeigt) über eine Auslaßöffnung 602 verbunden ist, um so zu
ermöglichen, daß das Innere des Vakuumbehälters 601 auf ein
hohes Vakuum eingestellt wird. Denn das Endvakuum dieses
Vakuumbehälters 601 ist 2 × 10-7 Torr oder mehr. Die
Auslaßanlage ist in Fig. 9 zur Vereinfachung der Erläuterung
nicht gezeigt.
Ein Substrat-Befestigungstisch 603 zum Tragen eines
Substrates ist im Inneren des Vakuumbehälters 601 angeordnet,
und ein Silicium-Substrat 604 ist auf dem Substrat-
Befestigungstisch 603 vorgesehen.
Der Vakuumbehälter 601 ist mit verschiedenen Rohren zum
Zuführen von verschiedenen Gasen in den Vakuumbehälter 601
verbunden. Denn ein Rohr 605 zum Zuführen von verschiedenen
Arten von Verfahrensgasen wie Sauerstoffgas, Wasserstoffgas,
Kohlenmonoxidgas oder Stickstoffgas und ein Reinigungsgas;
ein Rohr 615 zum Zuführen eines organischen Silans wie TMS;
und ein Rohr 630 zum Zuführen von Stickstoffgas sind mit dem
Vakuumbehälter 601 verbunden. Das Rohr 605 ist z. B. aus
rostfreiem Stahl hergestellt.
Das Rohr 605 zum Zuführen von verschiedenen Arten von
Verfahrensgasen (der Einfachheit halber ist eine
Gaszufuhrquelle von Fig. 9 weggelassen) ist über Ventile
606a bis 606i mit einem Massenflußsteuergerät 607a bis 607i
verbunden, wie von oben bis unten in Fig. 9 gezeigt ist. Der
distale Endbereich des Sauerstoff-Zuführrohres 605 ist mit
einem Al₂O₃-Rohr 611 verbunden.
Das Rohr 605 ist mit einem Ventil 608 ebenso wie mit einer
Verbindung 609 versehen und mit einem Saphirrohr 611
verbunden, das über eine Verbindung 612 mit dem
Vakuumbehälter 601 verbunden ist. Das Rohr 605 ist ebenfalls
über Ventile 651 und 652 mit einem Ozonisator 653 verbunden.
Wenn Ozon verwendet werden soll, wird das Ventil 608
geschlossen, und ein Ausgangsmaterialgas wird über das Ventil
652 zu dem Ozonisator 653 geführt. Das ozonhaltige Gas wird
über das Ventil 652 zu dem Ventil 605 zurückgeführt. Als
Ausgangsmaterialgas, das zu dem Ozonisator 653 geführt werde
soll, kann Sauerstoffgas, ein gemischtes Gas, umfassend
Sauerstoffgas und Stickstoffgas, oder ein gemischtes Gas,
umfassend Sauerstoffgas und Kohlendioxidgas bevorzugt
verwendet werden.
Das Saphirrohr 611 ist bevorzugt an einem mittleren Bereich
davon mit einer Entladungselektrode 610 zum Erzeugen eines
Plasmas durch Mikrowellenentladung (der Einfachheit halber
sind eine Mikrowellenquelle und ein Mikrowellenzuführsystem
in Fig. 9 weggelassen) vorgesehen. Eine Lichtquelle 654 zum
Anregen eines Gases, das durch das Rohr geleitet wird, kann
in der Nähe des Saphirrohres 611 befestigt sein. Für die
Anregung von Licht, das in diesem Fall verwendet wird, können
Ultraviolettstrahlen zum Induzieren des durchgeleiteten
Gases, das in einen Elektronenzustand angeregt werden soll,
bevorzugt sein.
Das Rohr 615 zum Zuführen von TMS (der Einfachheit halber ist
eine TMS-Zuführquelle in Fig. 9 weggelassen) ist über ein
Stoppventil 616, ein Massenflußkontrollgerät 617, ein
Stoppventil 618 und einem Rohr 619 aus rostfreiem Stahl mit
dem Vakuumbehälter 601 verbunden. Ein Nadelventil, das eine
Flußrate genau steuern kann, kann anstelle des
Massenflußsteuergerätes 617 verwendet werden.
Das durch das Rohr 630 zu führende Stickstoffgas (der
Einfachheit halber wird eine Stickstoffgas-Zuführquelle aus
Fig. 9 weggelassen) wird zum Einstellen des Druckes
innerhalb des Vakuumbehälters 601, d. h. zum Wiedereinstellen
des Innendruckes des Vakuumbehälters 601 auf atmosphärischen
Druck, wenn das Substrat 604 in dem Vakuumbehälter 601
angeordnet oder daraus herausgenommen wird oder zum Verkürzen
der Zeit, die zum Wiedereinstellen der gekühlten Temperatur
des Silicium-Substrates 604 auf Raumtemperatur erforderlich
ist, verwendet. Dieses Stickstoffgas kann zum Einstellen des
Innendruckes des Vakuumbehälters 601 beim Abscheiden eines
Isolationsfilmes auf dem Substrat 604 verwendet werden. Das
Rohr 630 wird über ein Ventil 631, ein Massenflußsteuergerät
632, ein Ventil 633 und ein Rohr 634 mit dem Vakuumbehälter
601 verbunden.
Der Substrat-Befestigungstisch 603 ist mit Kupferrohren 635a
und 635b zum Kühlen des Substrat-Befestigungstisches 603
versehen (das Kupferrohr 635a bedeutet ein Rohr, das an der
Gaseinflußseite angeordnet ist, während das Kupferrohr 635b
ein Rohr bedeutet, das an der Gasausflußseite angeordnet
ist), wobei diese Kupferrohre 635a und 635b in dem Substrat-
Befestigungstisch 603 verborgen sind. Diese Kupferrohre 635a
und 635b sind mit einem Stickstoff-Zuführsystem zum Zuführen
eines gekühlten Stickstoffgases oder eines Stickstoffgases
mit Raumtemperatur verbunden (der Einfachheit halber sind die
Stickstoffgas-Kühlanlage und Stickstoffgas-Zuführanlage in
Fig. 9 nicht gezeigt).
Der Substrat-Befestigungstisch 603 ist ebenfalls mit einem
Gehäuseerwärmer 636 versehen, der als Erwärmungsquelle zum
Erwärmen des Silicium-Substrates 604 auf eine gewünschte
Temperatur fungiert (die Energiequelle für diesen
Gehäuseerwärmer 634 ist in Fig. 9 nicht gezeigt).
Die Wand des Vakuumbehälters 601 ist aus einer
Zweischichtstruktur gebildet und mit einer Erwärmungsquelle
641 und einem Wärmeisolationsmaterial 642 zum Erwärmen der
Wand des Vakuumbehälters 601 ausgerüstet, um so eine
gleichmäßige Gastemperaturverteilung in dem Innenraum des
Vakuumbehälters 601 zu halten (der Einfachheit halber ist die
Energiequelle für diese Erwärmungsquelle 641 nicht in Fig. 9
gezeigt).
Eine Lichtquelle 655, die zum Erhöhen der Viskosität des
Bereiches in der Nähe der Oberfläche des Isolationsfilmes
verwendet wird, und eine Mikrowellen-Erzeugungsenergiequelle
656 sind in dem Vakuumbehälter 601 befestigt. Als Lichtquelle
655 kann irgendeine von einer Infrarotquelle mit einer
Wellenlänge von 2,6 bis 3,3 µm, einer Ultraviolett-
Lichtquelle 142 mit einer Wellenlänge von 308 nm oder einer
Lichtquelle für das schnelle Erhöhen der Temperatur eines
Substrates effektiv verwendet werden. Diese Lichtquelle 655
und Mikrowellenerzeugungsenergiequelle 656 können alleine
oder in irgendeiner Kombination, einschließlich einer
Vielzahl von diesen verwendet werden.
Als nächstes wird ein Verfahren zur Bildung eines
,Isolationsfilmes entsprechend dieser Erfindung unter
Bezugnahme auf die Fig. 9 und 10A bis 10C erläutert, wobei
das Verfahren dem tatsächlichen Vorgang nachgebildet ist.
Zunächst wurde das Innere des Vakuumbehälters 601 wieder auf
atmosphärischen Druck eingestellt, und ein Substrat 604 wurde
auf einem Substrat-Befestigungstisch 603 befestigt. In diesem
Fall kann eine evakuierte Ersatzkammer neben dem
Vakuumbehälter 601 über ein Gate-Ventil vorgesehen sein, um
so zu ermöglichen, daß das Silicium-Substrat 604 automatisch
zu dem Vakuumbehälter 601 transferiert wird, indem ein
Roboterarm verwendet wird. Das in diesem Fall verwendete
Substrat 604 war ein Silicium-Substrat, dessen obere
Oberfläche mit einem Siliciumdioxidfilm 702 versehen war,
auf dem Leitungen 703a, 703b und 703c mit einem gewünschten
Muster weiterhin gebildet waren, wie in Fig. 10A gezeigt
ist.
Dann wurde das Innere des Vakuumbehälters 601 über die
Auslaßöffnung 602 auf ein Endvakuum, das ein Vakuum von
wenigstens 1 × 10-7 Torr in diesem Fall sein sollte,
eingestellt. Dann konnte ein gekühltes Stickstoffgas durch
eine Passage zwischen dem Kupferrohr 635a und dem Kupferrohr
635b fließen, wodurch der Substrat-Befestigungstisch 603 auf
eine bestimmte Temperatur von etwa -100 bis -25°C gekühlt
wurde. Wenn der Substrat-Befestitungstisch 603 auf den oben
erwähnten Bereich herabgekühlt war, war die Temperatur des
Silicium-Substrates 604 (Substrat-Temperatur) -80 bis -25°C.
Nach der Bestätigung der Stabilisierung der Substrat-
Temperatur bei einer gewünschten Temperatur wurde das
Massenflußsteuergerät 617 für TMS auf 1 bis 100 cm³/min
eingestellt, und die Stoppventile 616 und 618 wurden
geöffnet, zum Einführen von TMS in den Vakuumbehälter 601.
Danach wurde das Massenflußsteuergerät 607g für das
Sauerstoffgas auf 1 bis 1000 cm³/min eingestellt und die
Stoppventile 606g und 608 wurden geöffnet, zum Einführen von
Sauerstoffgas in den Vakuumbehälter 601.
In diesem Fall kann der Druck in dem Vakuumbehälter 601 auf
etwa 10 mTorr bis 500 Torr durch Wechseln der Konduktanz der
Auslaßöffnung 602 eingestellt werden, wobei der Partialdruck
2 bis 200 Torr für TMS und 2 bis 400 Torr für Sauerstoffgas
ist.
Nach der Stabilisierung der Flußrate des Sauerstoffgases
wurde eine Mikrowelle mit etwa 100 Watt bis 5 kWatt
aufgedrückt, um dadurch die Mikrowellenentladung von
Sauerstoffgas zu induzieren. Als Ergebnis wurde ein
Isolationsfilm 704, bestehend aus einem Reaktionsprodukt
zwischen dem Sauerstoffplasma und TMS, auf dem Silicium-
Substrat 701 derart niedergeschlagen, daß die Leitungen 703a
bis 703c bedeckt wurden, wie in Fig. 10B gezeigt ist.
Die Beendigung des oben erwähnten Niederschlages wurde durch
die folgende Vorgehensweise durchgeführt.
Zunächst wurde der Ausstoß der Mikrowellenenergie
abgeschaltet, um die Mikrowellenentladung zu stoppen. Dann
wurden die Stoppventile 616 und 618 geschlossen, zum Stoppen
der Zufuhr von TMS, und danach wurden die Ventile 606g und
608 geschlossen, zum Stoppen der Zufuhr von Sauerstoffgas.
Dann wurde die Zufuhr des kühlenden Stickstoffgases gestoppt,
das von dem Rohr 635a zu dem Rohr 635b floß, und ein
Stickstoffgas mit Raumtemperatur konnte statt dessen dadurch
fließen.
In diesem Fall wurde das Massenflußsteuergerät 632 für
Stickstoffgas auf 1 bis 10 l/min eingestellt, und die Ventile
631 und 632 wurden geöffnet, zum Einführen von Stickstoffgas
von dem Rohr 634 in den Vakuumbehälter 601, um so das Innere
des Vakuumbehälters 601 auf einen Druck in der Nähe von
atmosphärischen Druck wieder einzustellen, und gleichzeitig
wurde die Temperatur des Silicium-Substrates 604 erneut auf
Raumtemperatur angehoben.
Schließlich wurde das Innere des Vakuumbehälters 601 auf
atmosphärischen Druck eingestellt, und das Silicium-Substrat
604 wurde aus dem Vakuumbehälter 601 herausgenommen. Falls
gewünscht, kann das nächste Silicium-Substrat zu diesem
Zeitpunkt auf dem Substrat-Befestigungstisch 603 befestigt
werden. Eine Folge der Vorgehensweise für die Bildung eines
Zwischenschicht-Isolationsfilmes wurde auf diese Weise
vollendet.
Typische Verfahrensbedingungen bei der Bildung des oben
erwähnten Isolationsfilmes 704 sind: 20 cm³/min Flußrate TMS,
200 cm³/min Flußrate Sauerstoffgas, 0,2 Torr
Niederschlagsdruck, 200 Watt Mikrowellenleistung und -30°C
Substrat-Temperatur. Bei diesen Filmbildungsbedingungen ist
die Niederschlagsrate des Isolationsfilmes 704 etwa
0,5 µm/min.
Bei diesem Beispiel wurde die Entladungszeit auf 40 min
eingestellt, und die Filmdicke des erhaltenen
Isolationsfilmes 704 war 2 um. Die Viskosität dieses
Isolationsfilmes 704 war weniger als 10 000 cp und der
Isolationsfilm 704 war so weich, daß er mit einer Pinzette
leicht perforiert werden konnte.
Wie in Fig. 10C gezeigt ist, wurde anschließend ein
Durchgangsloch 706 in dem Isolationsfilm 704 derart geöffnet,
daß er mit der Leitung 703b in Verbindung stand. Dann wurden
die folgenden Vorgehensweisen durchgeführt, um z. B. die
Viskosität eines Bereiches in der Nähe der Oberfläche des
Isolationsfilmes 704 selektiv zu erhöhen.
Das Substrat 701 wurde erneut in dem Vakuumbehälter 601
angeordnet, der in Fig. 9 gezeigt ist. Dann wurde die
Flußrate an Wasserstoffgas auf 150 cm³/min durch das
Massenflußsteuergerät 607f eingestellt. Danach wurde das
Ventil 606f geöffnet, eine Hochfrequenzwelle mit 200 W wurde
auf die Entladungselektrode 610 aufgedrückt, ein
Wasserstoffgasplasma wurde über das Saphirrohr 611 in den
Vakuumbehälter 601 eingeführt, und das Substrat 701 wurde mit
einem Erwärmer 636 bis auf eine Temperatur von 300°C z. B.
erwärmt. Auf diese Weise wurde das Substrat 701 in dieser
Wasserstoffgas-Plasmaatmosphäre z. B. 10 min lang gehalten.
Der Innendruck im Inneren des Vakuumbehälters 601 war z. B.
1 Torr.
Dann wurde Stickstoffgas in das Kupferrohr 635a zu dem
Kupferrohr 635b eingeführt, und gleichzeitig wurde
Stickstoffgas von dem Rohr 634 in den Vakuumbehälter 601 auf
gleiche Weise wie oben erläutert, eingeführt. Als sich die
Temperatur des Substrates ungefähr auf Raumtemperatur erhöht
hatte, wurde das Substrat 701 aus dem Vakuumbehälter 601
herausgenommen.
Der Isolationsfilm 704, dessen Oberflächenschicht der oben
erwähnten Behandlung zur Erhöhung der Viskosität davon
unterworfen wurde, wurde so hart, daß er durch eine Pinzette
nicht leicht durchlöchert werden konnte, was eine Viskosität
von 10 000 cp oder mehr anzeigt.
Schließlich wurde die Leitung 703b, die an dem Boden des
Durchgangsloches 706 vorgesehen war, mit Hilfe einer
geeigneten Waschbehandlung gereinigt, und dann wurde eine
metallische Leitung, aus der eine Leitung 705 gebildet werden
sollte, auf dem Isolationsfilm 704 durch ein Magnetron-
Bedampfungsverfahren niedergeschlagen. Anschließend wurde die
metallische Schicht durch Anwendung eines
Belichtungsverfahrens und eines reaktiven Ionen-
Ätzungsverfahrens bearbeitet, zur Bildung der Leitung 705,
die mit der Leitung 703b elektrisch verbunden war, unter
Erhalt einer Halbleitervorrichtung, die in Fig. 8 gezeigt
ist.
Der Bereich der Halbleitervorrichtung, die entsprechend
diesem Beispiel erhalten ist, und ebenfalls der Bereich der
Halbleitervorrichtung, die entsprechend dem konventionellen
Verfahren gebildet ist, d. h. die Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes davon war nicht der oben erwähnten
Viskositätserhöhungsbehandlung unterworfen, wurden unter
Verwendung eines Raster-Elektronenmikroskopes (SEM)
untersucht.
Als Ergebnis wurde festgestellt, daß die Querschnittsform des
Isolationsfilmes 704 der Halbleitervorrichtung entsprechend
diesem Beispiel in jeglicher Hinsicht, einschließlich der
oberen Fläche und der Seitenwand des Durchgangsloches 706
ausgezeichnet war. Weiterhin wurde eine scharfe Grenzfläche,
die eine Änderung der Viskosität anzeigt, an einem inneren
Bereich des Isolationsfilmes 704 beobachtet, die etwa 0,1 µm
von der Oberfläche des Isolationsfilmes 704 nach innen und
etwa 0,05 µm von der Seitenwand des Durchgangsloches 706 nach
innen lokalisiert war. Die Rille zwischen den Leitungen,
ebenso wie die Stufenbereiche der Leitungen waren vollständig
mit dem Isolationsfilm 704 ohne Erzeugung von irgendwelchen
Löchern darin bedeckt.
Im Gegensatz dazu wurden feine Irregularitäten an der oberen
Fläche des Isolationsfilmes 704 und an der Seitenwand des
Durchgangsloches 706 der Halbleitervorrichtung, die
entsprechend dem konventionellen Verfahren hergestellt war,
aufgrund der Tatsache gefunden, daß die oben erwähnte
Viskositätserhöhungsbehandlung bei dem Isolationsfilm 704
ebenso wie an der Seitenwand des Durchgangsloches 706 nicht
durchgeführt wurde, obwohl die Rille zwischen den Leitungen
ebenso wie die Stufenbereiche der Leitungen vollständig mit
dem Isolationsfilm 704 bedeckt waren. Da die Viskosität des
Isolationsfilmes 704 selbst gering war, wurde festgestellt,
daß die Form des Durchgangsloches 706 auch deformiert war.
Wenn ein Test bezüglicher der elektrischen Eigenschaften
mit der Halbleitervorrichtung dieser Erfindung ebenso wie mit
der konventionellen Halbleitervorrichtung durchgeführt wurde,
wurde festgestellt, daß die Lebensdauer der Leitung der
Halbleitervorrichtung dieser Erfindung um etwa 10% länger
war als die der konventionellen Halbleitervorrichtung.
Die Gründe für diese Differenz der Lebensdauer der Leitungen
kann wie folgt erläutert werden. Die Gründe die verkürzte
Lebensdauer der Leitung der konventionellen
Halbleitervorrichtung kann der Verschlechterung verschiedener
Aspekte zugeschrieben werden, die durch das bei dem
Bedampfungsverfahren verwendete Plasma wie das Magnetron-
Bedampfungsverfahren verursacht wird; z. B. eine
Verschlechterung, die der Erzeugung eines Verluststromes
zugeschrieben werden kann, der von der Irregularität der
Oberfläche des Isolationsfilmes 704 oder von der Abspaltung
der Bindung der molekularen Struktur resultiert, die den
Isolationsfilm 704 ausmacht oder eine Verschlechterung, die
den mit Mängeln behafteten Kontakt der Leitung zugeschrieben
werden kann, der von der Deformation der Durchgangslöcher
resultiert. Dagegen wird bei diesem Beispiel angenommen, daß
diese Phänomene durch die Viskositätserhöhungsbehandlung, die
an der Oberfläche des Isolationsfilmes 704 durchgeführt wird,
unterdrückt werden. Es wird erwartet, daß die Verbesserung
der Zuverlässigkeit der Leitung durch die strukturelle
Verbesserung eines Isolationsfilmes, wie oben beschrieben,
zunehmend deutlich werden kann, wenn die Miniaturisierung des
Halbleiterelementes weiter fortschreitet.
Für den Vergleich der Qualität des Isolationsfilmes, erhalten
gemäß dieser Erfindung, mit der Qualität des konventionellen
Isolationsfilmes wurden diese Isolationsfilme auf einer
flachen Oberfläche eines Silicium-Substrates gebildet.
Als Probe für den konventionellen Isolationsfilm wurde ein
Isolationsfilm entsprechend dem konventionellen
Kondensations-CVD-Verfahren (Viskosität weniger als
10 000 cp) gebildet. Auf der anderen Seite wurde als Probe
für den Isolationsfilm entsprechend diesem Beispiel ein
Isolationsfilm entsprechend dem konventionellen
Kondensations-CVD-Verfahren gebildet, und dann wurde die oben
erwähnte Viskositätserhöhungsbehandlung mit dem
Isolationsfilm für eine lange Zeit durchgeführt, um dadurch
die Viskosität des größten Teils des Isolationsfilmes zu
erhöhen (Viskosität mehr als 10 000 cp).
Dann wurden diese Isolationsfilme durch eine Fourier-
Transform-Infrarot-Analyse vom Permeationstyp, eine Atom-
Zusammensetzungsanalyse, bestehend aus einer Kombination aus
einem chemischen Naßverfahren und einer Atom-
Absorptionsanalyse oder Massenspektroskopie, und einen
Hyroskopizitätstest untersucht. Als Ergebnis wurde
festgestellt, daß diese Isolationsfilme die gleiche Qualität
aufwiesen, soweit die ermittelbare Genauigkeit dieser
Analysen betroffen ist.
Denn die Haupt-Peaks, die bei der
Infrarotspektroskopieanalyse beobachtet werden konnten, waren
ein Si-O-Si-Streck-Vibrations-Peak und ein Si-CH₃-Streck-
Vibrations-Peak. Das Intensitätsverhältnis des Si-CH₃-
Vibrations-Peaks zu dem Si-O-Si-Peak war in allen
Isolationsfilmen 10 bis 50%. Wenn das Endvakuum des
Vakuumbehälters 201 niedrig war, wurde der H₂O-Absorptions-
Peak in keinem dieser Isolationsfilme beobachtet, was
anzeigt, daß das Endvakuum des Vakuumbehälters 201 möglichst
hoch eingestellt werden sollte.
Wenn alle Isolationsfilme, die auf dem Silicium-Substrat
niedergeschlagen waren, mit Hilfe eines chemischen
Naßverfahrens aufgelöst waren und die resultierende Lösung
durch eine Atom-Absorptionsanalyse und eine
Massenspektrometrie untersucht wurde, wurde festgestellt, daß
das Zusammensetzungsverhältnis zwischen dem Kohlenstoff (C)
und Silicium (Si) 1,1 : 1 bis 20 : 1 in allen dieser
Isolationsfilme war, was einen höheren Kohlenstoff-Gehalt im
Vergleich zu Silicium bei all diesen Isolationsfilmen
anzeigt.
Im Hinblick auf die Auswertung der Hygroskopizität dieser
Isolationsfilme, selbst wenn diese Isolationsfilme zwei Tage
lang einer Luftatmosphäre ausgesetzt waren, wurde bei allen
dieser Isolationsfilme nahezu keine Wasserabsorption
festgestellt. Wenn diese Isolationsfilme im Vakuum auf bis
650°C erwärmt wurden und die Gase, die davon freigesetzt
wurden, unter Verwendung eines Massenspektrometers gemessen
wurden, um die thermische Stabilität dieser Isolationsfilme
zu untersuchen, wurde eine kleine Menge an H₂O bei einer
Temperatur von 300°C festgestellt, und in einem
Temperaturbereich von 300 bis 650°C wurden nur Peaks
ermittelt, die C und H beinhalteten, d. h. ein Peak aus H₂O
wurde in diesem Temperaturbereich überhaupt nicht ermittelt.
Aus diesen Ergebnissen ist ersichtlich, daß selbst wenn die
oben erwähnte Viskositätserhöhungsbehandlung zur Erhöhung nur
der Oberflächenschicht eines Isolationsfilmes an dem
Isolationsfilm, der mit Hilfe eine Kondensations-CVD-
Verfahrens niedergeschlagen ist, durchgeführt wird, die
Qualität des Isolationsfilmes insgesamt nicht wesentlich
verändert wird.
Daher werden die ausgezeichneten Qualitäten, die einem
Isolationsfilm inhärent sind, der durch das konventionelle
CVD-Verfahren gebildet ist, d. h. eine niedrige
Dielektrizitätskonstante und eine niedrige Hydroskopizität
der Isolationsfilmes nicht verschlechtert, selbst wenn die
Viskosität der Oberflächenschicht des Filmes erhöht wird. Im
Gegensatz dazu kann gesagt werden, daß dann, wenn die oben
erwähnte Viskositätserhöhungsbehandlung an dem Isolationsfilm
durchgeführt wird, die Bindung zwischen den Molekülen an der
Oberflächenschicht des Filmes verstärkt werden, so daß die
Dielektrizitätskonstante und Hygroskopizität des
Isolationsfilmes weiterhin erniedrigt werden können.
Die Tatsache, daß nur die Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes eine hohe Viskosität aufweist und der
Innenbereich des Isolationsfilmes bei einer niedrigen
Viskosität gehalten wird, ist als Charakteristikum für einen
Isolationsfilm zwischen Leitungsschichten (d. h. einen
Zwischenschicht-Isolationsfilm) sehr bevorzugt. Denn wenn die
Viskosität der Oberflächenschicht des Isolationsfilmes hoch
ist, werden die Lokalisierung ebenso wie die Form eines
Durchgangsloches, das in dem Isolationsfilm selektiv gebildet
wird, stabilisiert. Weiterhin kann irgendeine Schädigung
eines Isolationsfilmes durch ein Bedampfungsplasma bei der
Bildung einer metallischen Leitungsschicht durch ein
Magnetronbedampfen nach der Bildung des Isolationsfilmes
effektiv vermieden werden, wenn die Viskosität der
Oberflächenschicht des Isolationsfilmes hoch ist. Daher kann
die Erzeugung einer Verlustspannung zwischen einem Paar
Leitungen durch den Isolationsfilm effektiv verhindert
werden.
Wenn auf der anderen Seite die Viskosität des Innenbereiches
des Isolationsfilmes gering ist, gibt es keine Möglichkeit
für den Isolationsfilm, der darunter liegenden
Leitungsschicht eine Spannung zu geben, und gleichzeitig
werden die Stufenbedeckungseigenschaft und die
Oberflächenflachheit des Isolationsfilmes verbessert. Es ist
in diesem Fall ebenfalls möglich, die Abschaltung der Leitung
aufgrund einer Spannungsmigration zu verhindern.
Wie oben erläutert ist die oben erwähnte
Viskositätserhöhungsbehandlung zur Erhöhung der Viskosität
nur an der Oberflächenschicht des Isolationsfilmes, der durch
ein Kondensations-CVD-Verfahren gebildet ist, ein sehr
effektives Verfahren für Erhalt eines Isolationsfilmes, der
eine niedrige Dielektrizitätskonstante, eine niedrige
Hygroskopizität und eine ausgezeichnete
Stufenbedeckungseigenschaft aufweist, und ist durch Plasma
und dgl. schwer zu beeinträchtigen.
Dieses Beispiel kann auf verschiedene Weisen modifiziert
werden, wie nachfolgend erläutert.
Z.B. kann die oben erwähnte Viskositätserhöhungsbehandlung
zur Erhöhung der Viskosität nur an der Oberfläche des
Isolationsfilmes 704 durchgeführt werden, unmittelbar bevor
das Substrat 701 aus dem Vakuumbehälter 201 nach dem
Niederschlagen des Isolationsfilmes 704 durch ein
Kondensations-CVD-Verfahren herausgenommen wird. Wenn diese
Viskositätserhöhungsbehandlung auf diese Weise durchgeführt
wird, kann irgendeine Änderung der Lokalisierung und der Form
des Durchgangsloches 706 aufgrund irgendeiner Deformation des
Isolationsfilmes 704 während der Bildung des Durchgangsloches
706 in dem Isolationsfilm 704 effektiv verhindert werden.
Weiterhin sollte diese Viskositätserhöhungsbehandlung zur
Erhöhung der Viskosität nur der Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes 704 nach dessen Abscheiden durch ein
Kondensations-CVD-Verfahren bevorzugt aufeinanderfolgend
durchgeführt werden, ohne den Vakuumzustand abzubrechen. Der
Grund liegt darin, daß dann, wenn der Isolationsfilm 704
einer Luftatmosphäre unmittelbar nach dessen Abscheiden
ausgesetzt ist, die Oberfläche des Isolationsfilmes 704, der
noch eine niedrige Viskosität hat, leicht feine Teilchen und
Wasser adsorbieren kann, was möglicherweise einen negativen
Einfluß auf die Qualität des Isolationsfilmes 704 ebenso der
Leitung 706, die auf dem Isolationsfilm 704 gebildet werden
soll, ausübt.
Weiterhin soll diese Viskositätserhöhungsbehandlung zum
Erhöhen der Viskosität nur der Oberfläche des
Isolationsfilmes 704 nach dem Niederschlag davon durch ein
Kondensations-CVD-Verfahren bevorzugt in dem gleichen
Vakuumbehälter durchgeführt werden, um die Deformation des
Isolationsfilmes 704 während des Transfers davon zu vermeiden
und irgendwelche Adsorption von Stäuben im Inneren der Anlage
zu vermeiden.
Entsprechend diesem Beispiel wurde TMS mit
Sauerstoffradikalen in einer Dampfphase reagiert, und das
Reaktionsprodukt kondensierte auf einem Substrat, unter
Bildung eines Isolationsfilmes (ein Kondensations-CVD). Es
wird angenommen, daß dieses Reaktionsprodukt ein
Polymerisationsreaktionsprodukt ist, das sich von einem
organischen Silan und Sauerstoff-Radikalen ableitet. Daher
ist es möglich, andere Arten von organischen Silan anstelle
von TMS zu verwenden. Beispiele eines solchen organischen
Silans sind Tetraethylsilan, Tetramethoxysilan,
Tetraethoxysilan, Hexamethyldisiloxan und
Tetraisopropoxysilan. Als Sauerstoff-Radikalerzeugungsquelle,
die mit dem organischen Silan reagiert werden kann, ist es
möglich, ein Sauerstoffatom-haltiges Gas anstelle von O₂ zu
verwenden. Beispiele eines solchen Gases umfassen Ozon, CO,
CO₂, NO, N₂O, NO₂, H₂O und H₂O₂.
Um die Viskosität der Oberfläche des Isolationsfilmes 704,
der mit Hilfe eines Kondensations-CVD-Verfahrens gebildet
ist, zu erhöhen, wurde bei diesem Beispiel eine Sauerstoff-
Radikalatmosphäre verwendet.
Es wird vermutet, daß diese Erhöhung der Viskosität durch die
Reaktion von aktiven Anteilen in einem Polymerprodukt, das
sich von einem organischen Silan und sauerstoffreichen
Radikalen (z. B. (Si(R₁R₂)-O-)n, worin R₁ und R₂ jeweils eine
Seitenkette sind) ableitet, das den Isolationsfilm 704
ausmacht, wie einer Seitenkette, dem Si-Ende und O-Ende
verursacht wird, d. h. eine Polymerisations- oder
Vernetzungsreaktion wird unter den Molekülen, die den
Isolationsfilm ausmachen, durch diese aktiven Bereiche
induziert, wodurch die Struktur des Isolationsfilmes gestärkt
wird.
Diese Verstärkung des Isolationsfilmes durch eine derartige
Vernetzungsreaktion trägt ebenfalls zur Verbesserung der
Erniedrigung der Dielektrizitätskonstante und Hygroskopizität
des Isolationsfilmes bei, die für den Isolationsfilm vom
technologischen Gesichtspunkt bei der Herstellung einer
Halbleitervorrichtung erforderlich sind.
Im Hinblick auf den oben erwähnten Mechanismus kann es
möglich sein, andere Arten von Ausgangsmaterialien anstelle
der Sauerstoff-Radikale bei der oben erwähnten
Viskositätserhöhungsbehandlung zu verwenden, um selektiv die
Viskosität der Oberflächenschicht des Isolationsfilmes 704 zu
erhöhen.
Als Mittel zum Induzieren einer Vernetzungsreaktion ist es
möglich, die Viskosität der Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes 704, der durch ein Kondensations-CVD-
Verfahren gebildet ist, zu erhöhen, ein Mittel anzuwenden,
das in der Lage ist, einen aktiven Keim, der ein
Sauerstoffatom enthält, zu der Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes 704 zu führen. Z.B. kann ein Plasma aus
einer Gasatmosphäre, umfassend ein Molekül, das
Sauerstoffatome einschließt, oder Ozon verwendet werden.
Beispiele eines Moleküls, das Sauerstoffatome enthält, das in
diesem Fall verwendet werden kann, sind solche, die sich
durch die gleichen Arten von Atomen zusammensetzen, wie sie
in dem Isolationsfilm 704 vorhanden sind (wie CO und CO₂)
oder solche, die Atome enthalten, die in dem Isolationsfilm
704 existieren, und Atome, die von dem Isolationsfilm 704
dissoziiert werden können (NO, N₂O, NO₂, H₂O und H₂O₂).
Es ist ebenfalls möglich, Wasserstoff-Radikale zur Erhöhung
der Viskosität der Oberflächenschicht des Isolationsfilmes
704 anzuwenden. Es wird vermutet, daß diese Erhöhung der
Viskosität in diesem Fall durch die Entfernung der Bindungen
R₁-Si und R₂-Si von dem Si-O-Netzwerk des Moleküls (z. B.
(Si(R₁R₂)-O-)n: worin R₁ und R₂ jeweils eine Seitenkette
sind), das den Isolationsfilm 704 ausmacht, durch Umwandeln
dieser Bindungen in R₁-H bzw. R₂-H verursacht wird, wodurch
eine Reaktion in den Si-O-Netzwerken induziert wird, wodurch
die chemische Bindung in dem Isolationsfilm verstärkt wird.
Es ist ebenfalls möglich, die Viskosität der
Oberflächenschicht des Isolationsfilmes 704 durch Förderung
der Reaktion von spezifischen funktionellen Gruppen in dem
Isolationsfilm 704 durch Induktion einer Vibrationsanregung
der funktionellen Gruppen zu erhöhen. Bevorzugt kann dies
durch die Anwendung eines Anregungslichtes für die OH-
Bindung, die in dem Isolationsfilm 704 in einer geringen
Menge vorhanden ist, bewirkt werden, und es wird angenommen,
daß dies ein Grund der niedrigen Viskosität des Filmes ist.
Das Licht, das für die Erhöhung der Viskosität des Filmes
effektiv war, war ein Infrarotlicht mit einer Wellenlänge von
etwa 2,6 bis 3,3 µm, das der Absorptionswellenlänge der OH-
Bindung entspricht. Dieses Infrarotlicht war bei der Anregung
der OH-Bindungen, die hauptsächlich in Seitenketten von R₁
und R₂ existieren, effektiv. Die Verwendung eines
Infrarotlichtes mit einer Wellenlänge von 3,3 bis 3,5 µm war
ebenfalls für die Erhöhung der Viskosität des
Isolationsfilmes 704 effektiv.
Es ist ebenfalls möglich, die Viskosität der
Oberflächenschicht des Isolationsfilmes 704 durch Bestrahlen
von Ultraviolettlicht auf den Isolationsfilm 704 zu erhöhen,
um so den Elektronenzustand der Moleküle, die den
Isolationsfilm 704 ausmachen anzuregen. Insbesondere war die
Verwendung von Ultraviolettstrahlen mit einer Wellenlänge von
142 bis 308 nm am meisten effektiv. In diesem Fall wurde eine
Excimer-Lampe als Lichtquelle verwendet. Jedoch können andere
Arten der Lichtquelle ebenfalls verwendet werden.
Es ist ebenfalls möglich, die Viskosität der
Oberflächenschicht des Isolationsfilmes 704 durch Erwärmen
nur der Oberflächenschicht des Isolationsfilm 704 zu erhöhen.
Wenn z. B. ein Substrat, das den Isolationsfilm 704 mit einer
niedrigen Viskosität trägt, einer Mikrowelle ausgesetzt wird,
wird das Wassermolekül, das in einer geringen Menge in der
Oberflächenschicht des Isolationsfilmes existiert, angeregt,
wodurch nur die Oberfläche des Isolationsfilmes 704 erwärmt
und die Vernetzungsreaktion zwischen den Molekülen, die den
Isolationsfilm 704 ausmachen, gefördert wird.
Die in diesem Fall anzuwendende Atmosphäre sollte bevorzugt
eine sein, die die Vernetzungsreaktion nicht behindert, wie
eine Inertgasatmosphäre (wie eine Stickstoffgas- oder
Argongasatmosphäre) oder eine Atmosphäre mit vermindertem
Druck. Alternativ kann eine Argongasatmosphäre, umfassend
Sauerstoffatom, verwendet werden, um die meisten der aktiven
Keime zu erzeugen, die Sauerstoffatome enthalten, die durch
eine Mikrowelle zur Förderung der Vernetzungsreaktion erzeugt
werden sollen.
Es ist ebenfalls möglich, eine Hochkeim-
Temperatursteueranlage zu verwenden, die z. B. mit einer
Infrarot-Wärmelampe versehen ist. Wenn in diesem Fall die
Temperatur-Erhöhungsgeschwindigkeit zu gering ist, wird nicht
nur die Oberfläche, sondern ebenfalls das Innere des
Isolationsfilmes 704 erwärmt, wodurch eine
Vernetzungsreaktion des Inneren des Isolationsfilmes 704
verursacht wird. Die Vernetzung des Inneren des
Isolationsfilmes 704 ist unerwünscht, da irgendeine Spannung
in dem Isolationsfilm 704 zu den darunterliegenden Leitungen
703a bis 703c übertragen werden kann.
Im Hinblick auf die spezifische Wärmekapazität und
Wärmeleitungsgeschwindigkeit des Isolationsfilmes 704 und der
Temperaturabhängigkeit der Vernetzungsreaktion ist eine
Erwärmungsrate von 10°C/min oder mehr erforderlich. Die
Endtemperatur sollte bevorzugt etwa 450°C bis 700°C sein.
Wenn das Substrat auf diese Endtemperatur erwärmt wird,
sollte die Temperatur bevorzugt unmittelbar auf 450°C oder
weniger erniedrigt und bei dieser Temperatur gehalten werden,
um irgendwelche Deformationen der Leitungen 703a bis 703c zu
vermeiden.
Die Verfahrensbedingungen wie die Behandlungstemperatur,
Gasdruck, Gasflußrate, Entladungsausstoß, Intensität des
Lichtes, die Wellenlänge des Lichtes, Behandlungszeit oder
die Rate der Erhöhung oder Verminderung der Temperatur bei
der oben erwähnten Behandlung zur Erhöhung der Viskosität der
Oberflächenschicht des Isolationsfilmes 704 können angemessen
in Abhängigkeit von verschiedenen Faktoren wie dem
Ausgangsmaterial und der Viskosität des Isolationsfilmes 704,
der Tiefe der Schicht mit erhöhter Viskosität und der
gewünschten Viskosität des Isolationsfilmes 704 modifiziert
werden. Es ist ebenfalls möglich, eine Vielzahl von
Behandlungsverfahren zu kombinieren.
Obwohl Fig. 9 ein Beispiel für eine Anlage für die
Durchführung von verschiedenen Verfahren zum Niederschlag
eines Isolationsfilmes und zur Erhöhung der Viskosität der
Oberflächenschicht des Isolationsfilm zeigt, kann eine
Anlage, die nur einen Teil der Konstruktion, die in Fig. 9
gezeigt ist, verwendet, je nach Bedarf verwendet werden. Z.B.
kann der Bereich der Konstruktion, der zur Verwendung der
Erhöhung der Viskosität der Oberflächenschicht des
Isolationsfilms angepaßt ist, von dem Bereich getrennt
werden, der zur Verwendung für den Niederschlagsschritt des
Isolationsfilmes angepaßt ist, und eine Anlage, umfassend
einen dieser Bereiche, kann je nach Bedarf verwendet werden.
Bei diesem Beispiel wurde ein Silicium-Substrat verwendet,
aber andere Arten von Substraten wie ein GaAs-Substrat, ZnSe-
Substrat oder ein SOI-Substrat können ebenfalls anstelle des
Silicium-Substrates verwendet werden.
Obwohl der Schritt der selektiven Bildung eines Kontaktloches
in dem Isolationsfilm 704 unter Verwendung einer getrennten
Anlage durchgeführt wurde, kann die Sequenz der Schritte,
einschließlich dem Schritt des Niederschlags eines
Isolationsfilmes, dem Schritt der Erhöhung der Viskosität der
Oberflächenschicht eines Isolationsfilm und der Schritt der
Bildung eines Kontaktloches kontinuierlich ohne Abbruch des
Vakuumzustandes in einer geeigneten Anlage durchgeführt
werden. Die Folge dieser Schritte kann in dem gleichen
Vakuumbehälter durchgeführt werden.
Wenn ein Verfahren zur Erhöhung der Viskosität der Oberfläche
des Isolationsfilmes 704 mit einer niedrigen Viskosität
ebenso wie der Viskosität des Seitenwandbereiches eines
Durchgangsloches durch Induzieren einer Vernetzungsreaktion an
der Oberfläche des Isolationsfilmes ebenso wie an dem
Seitenwandbereich des Durchgangsloches angewandt wird, wird
ein tiefer Bereich des Isolationsfilmes 704 ebenfalls sehr
viskos, wodurch verursacht wird, daß jegliche Spannungen in
dem Isolationsfilm 704 auf die darunter liegenden Leitungen
703a und 703c übertragen werden.
Wenn es gewünscht ist, die Übertragung der Spannung von dem
Isolationsfilm 704 auf die darunter liegenden Leitungen 703a
und 703c zu verhindern, sollte die maximale Filmdicke tmax
des Isolationsfilmes 704 bevorzugt so eingestellt werden, daß
die Gleichung erfüllt wird: dmax ≦ 0,1 tmax, worin dmax die
maximale Entfernung von der Oberfläche des Isolationsfilmes
704 oder von der Seitenwand des Durchgangsloches 706 zu dem
Bereich der hohen Viskosität des Isolationsfilmes 704
bedeutet.
Diese maximale Entfernung "dmax" von der Oberfläche der
Isolationsfilmes 704 oder von der Seitenwand des
Durchgangsloches 706 zu dem Bereich der hohen Viskosität des
Isolationsfilm 704 sollte im Hinblick auf den minimalen Wert,
der zur Verhinderung der Deformation des Isolationsfilmes 704
und jeglicher Schädigung durch das Plasma erforderlich ist,
und im Hinblick auf den Wert, bei dem die Wirkungen zur
Verhinderung der oben erwähnten Deformation und Schädigung
gesättigt sind bevorzugt etwa 10 nm ≦ dmax ≦ 100 nm sein.
Als Mittel zum Schaffen einer Oberflächenschicht mit einer
Viskosität auf dem Isolationsfilm (einem ersten
Isolationsfilm) mit einer niedrigen Viskosität, kann ein
getrennter Isolationsfilm (ein zweiter Isolationsfilm) mit
einer hohen Viskosität anstelle der Erhöhung der Viskosität
der Oberflächenschicht des Isolationsfilm 704 gebildet
werden.
In diesem Fall muß die Filmdicke des zweiten Isolationsfilmes
nicht durch das oben erwähnte "dmax" begrenzt sein, sondern
kann wahlweise nach Erfordernis in Abhängigkeit von der
Qualität des zweiten Isolationsfilmes und dem Layout der
Halbleitervorrichtung geändert werden.
Die Bildung des zweiten Isolationsfilmes sollte bevorzugt
nach der Bildung des ersten Isolationsfilmes und vor der
Bildung des Durchgangsloches durchgeführt werden. Die Bildung
des zweiten Isolationsfilmes kann nach dem Schritt der
Bildung des Durchgangsloches durchgeführt werden, aber in
diesem Fall kann der zweite Isolationsfilm möglicherweise
ebenfalls an der Bodenfläche des Durchgangsloches gebildet
werden. Wenn die Filmdicke des zweiten Isolationsfilmes, der
an der Bodenfläche des Durchgangsloches gebildet werden soll,
groß ist, kann ein Schritt der Wiedereröffnung des
Durchgangsloches erforderlich sein.
Der Schritt der Bildung des zweiten Isolationsfilmes mit
einer höheren Viskosität als die Viskosität des ersten
Isolationsfilmes kann unter Anwendung eines Kondensations-
CVD-Verfahren, wie es bei diesem Beispiel angewandt wird,
unter Verfahrensbedingungen durchgeführt werden, die die
Erhöhung der Viskosität des Isolationsfilmes ermöglichen.
Spezifisch wird die Flußrate von Sauerstoffgas bezüglich der
Flußrate eines organischen Silangases kleiner gemacht, oder
der Entladungsausstoß zum Erzeugen von Sauerstoffgas-
Radikalen wird erhöht, wodurch der Polymerisationsgrad des
Polymerisationsreaktionsproduktes zwischen dem organischen
Silan und Sauerstoffgas-Radikalen erhöht wird.
Das Verfahren zur Bildung des zweiten Isolationsfilmes kann
ebenfalls durch Anwendung des Tetraethoxysilan (TEOS) -Ozon-
Verfahrens oder des Polymerisationsverfahrens eines
organischen Materials zur Bildung eines Polymerfilmes
durchgeführt werden.
Der Schritt der Bildung des zweiten Isolationsfilmes nach der
Bildung des ersten Isolationsfilmes sollte vorzugsweise
kontinuierlich ohne Abbruch des Vakuumzustandes durchgeführt
werden. Wenn ein Substrat, das den ersten Isolationsfilm
darauf trägt, einmal unmittelbar nach dem Niederschlag davon
der Luftatmosphäre ausgesetzt wird, ist die Oberfläche des
ersten Isolationsfilmes, der noch eine niedrige Viskosität
hat, anfällig für die Adsorption von feinen Teilchen und
Wasser, was möglicherweise für die Qualität des
Isolationsfilmes ebenso wie der Leitung, die auf dem ersten
Isolationsfilm gebildet wird, nachteilig ist.
Weiterhin sollte der Schritt der Bildung des zweiten
Isolationsfilmes nach der Bildung des ersten Isolationsfilmes
bevorzugt in dem gleichen Vakuumbehälter durchgeführt werden,
um die Deformation des Isolationsfilmes während des Transfers
davon zu verhindern und jegliche Adsorption von Stäuben im
Inneren der Anlage zu verhindern.
Eine Behandlung für die Erhöhung der Viskosität der
Oberflächenschicht des ersten Isolationsfilmes
(Isolationsfilm 704) kann nach der Bildung des ersten
Isolationsfilmes und vor dem Schritt der Bildung des zweiten
Isolationsfilmes durchgeführt werden.
In diesem Beispiel wurde ein Kondensations-CVD-Verfahren für
die Bildung eines Isolationsfilmes angewandt. Jedoch ist
diese Erfindung ebenfalls für ein anderes Verfahren zur
Bildung eines Isolationsfilmes mit niedriger Viskosität
anwendbar. Die Eigenschaften wie eine niedrige
Dielektrizitätskonstante, niedrige Hygroskopizität und
niedrige Viskosität, die für den Isolationsfilm erforderlich
sind, basieren auf den Erfordernissen wie eine
Hochgeschwindigkeitsantwort, thermische Spannung und
Stufenbedeckung, die für einen Schaltkreis erforderlich sind.
Insbesondere muß als Gegenmaßnahme für die Probleme der
Stufenbedeckung, thermischen Spannung und
Oberflächenflachheit ein Isolationsfilm mit niedriger
Viskosität auf der oberen Fläche eines Substrates gebildet
werden. Ein Ziel dieser Erfindung liegt darin, die Resistenz
des Isolationsfilmes gegen Schädigung zu verbessern und die
Bearbeitungsgenauigkeit des Isolationsfilm zu verbessern,
während die niedrige Dielektrizitätskonstante, niedrige
Hygroskopizität und niedrige Viskosität (Innenbereich) des
Filmes beibehalten werden, die für den Isolationsfilm
erforderlich sind, wobei das oben erwähnte Ziel durch Bildung
eines Isolationsfilmes erzielt wird, der eine niedrige
Viskosität hat, mit der Ausnahme der Oberflächenschicht
davon, die eine hohe Viskosität aufweist.
Diese Erfindung ist nicht auf die oben erwähnten Beispiele
beschränkt. Z.B. wurde diese Erfindung unter Bezugnahme auf
einen Zwischenschicht-Isolationsfilm in den oben erwähnten
Beispielen erläutert. Jedoch ist diese Erfindung ebenfalls
für einen Schutz-Isolationsfilm (Passivierungsfilm)
anwendbar.
Wenn eine große Fläche eines Passivierungsfilmes 805 dieser
Erfindung in der Nähe der Peripherie einer
Bindungsanschlußfläche oder der Nähe der peripheren Schaltung
angeordnet ist, wie in den Fig. 11A und 11B gezeigt,
sollte eine Blindschaltsäule 806 zuvor bei der Bildung einer
Leitung 803 durch Bildung eines Musters aus einem Al-
Legierungsfilm gebildet werden. Der Passivierungsfilm 805
kann auf gleiche Weise wie der Zwischenschicht-Isolationsfilm
204 gebildet werden.
Die Blindschaltsäule 806 kann unter Verwendung eines Filmes
aus einem Isolationsmaterial gebildet werden, das von dem
oben erwähnten Siliciumdioxid-Film 804 verschieden ist, wie
ein Plasma-CVD-Siliciumdioxid-Film oder ein Siliciumnitrid-
Film. Wenn ein Film aus diesen Materialien verwendet wird,
kann das Problem vermieden werden, daß der Passivierungsfilm
805 aufgrund des auf die Leitung 803 während eines
Bindungsschrittes auferlegten Druckes deformiert werden kann.
In den Fig. 11A und 11B bedeutet das Bezugszeichen 801 ein
Silicium-Substrat und das Bezugszeichen 807 ein Kontaktloch
(Durchgangsloch).
Nahezu die gleiche Wirkung kann durch thermisches Härten der
Oberfläche des Passivierungsfilmes 805 bei einer niedrigen
Temperatur von 300°C oder weniger anstelle der Bildung der
Blindschaltsäule 806 erhalten werden.
Wie oben erläutert ist es entsprechend dieser Erfindung
möglich, einen Isolationsfilm zu schaffen, der innerhalb
eines feinen Bereiches verborgen werden kann, während eine
ausgezeichnete Form davon behalten wird.
Claims (42)
1. Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch ein
Substrat (201) und zumindest einen von einem
Zwischenschicht-Isolationsfilm (204) und einem
Passivierungs-Isolationsfilm, wobei jeder auf dem
Substrat (201) gebildet ist und Silicium, Sauerstoff,
Kohlenstoff und Wasserstoff enthält, wobei der Gehalt an
Kohlenstoff nicht geringer ist als der Gehalt an
Silicium.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, worin der
Isolationsfilm eine Dielektrizitätskonstante von 1,8 bis
3,2 hat.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, worin der
Isolationsfilm eine Dielektrizitätskonstante von 1,8 bis
2,5 hat.
4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
worin der Isolationsfilm eine Rückgratkette mit einer
Struktur aufweist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend
aus den folgenden Formeln (1) bis (5):
-{Si(R₁)₂-O-Si(R₁)2-O-}n- (1)worin R₁ CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl
ist);-{Si(R₁)2-O-Si(R₁)₂-O-}n- (2)worin R₁ -O-CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze
Zahl ist);-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (3)worin R₁ CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl
ist), und R₂ CmH2m+1 sind (worin m eine positive ganze
Zahl ist), worin n von m verschieden ist;-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (4)worin R₁ -O-CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze
Zahl ist) und R₂ ist -O-CmH2m+1 sind (worin m eine
positive ganze Zahl ist), worin n von m verschieden ist;
und-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (5)worin R₁ -O-CnH2n+1 oder CnH2n+1 ist (worin n eine
positive ganze Zahl ist); R₂ -O-CmH2m+1 oder CmH2m+1 ist
(worin m eine positive ganze Zahl ist); n von m
verschieden ist; und worin zumindest eines von R₁ und R₂
über -O- mit R₁ oder R₂ verbunden ist, das zu der
anderen Rückgratkette gehört.
5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
worin eine Schaltsäule, bestehend aus einem metallischen
Material oder einem Isolationsmaterial, die gegenüber
einer Deformation des Isolationsfilmes resistent ist, in
dem Isolationsfilm verborgen ist.
5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
worin eine Oberflächenschicht des Isolationsfilmes eine
höhere Viskosität als der Rest des Isolationsfilmes
aufweist.
7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei der Isolationsfilm inert ist und nicht in der Lage
ist, Wasser bei einer Temperatur von nicht mehr als
650°C freizusetzen.
8. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
worin ein Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Silicium in
dem Isolationsfilm 1,0 bis 3,0 ist.
9. Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch ein
Substrat (201) und zumindest einem von einem
Zwischenschicht-Isolationsfilm (204) und einem
Passivierungs-Isolationsfilm, die jeweils auf dem
Substrat (201) gebildet sind, umfassend Silicium,
Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff und der bei
Raumtemperatur viskos ist, wobei er eine Viskosität von
100 cps bis 300 000 cps bei Raumtemperatur hat.
10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9, worin der
Isolationsfilm eine Dielektrizitätskonstante von 1,8 bis
3,2 hat.
11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, worin der
Isolationsfilm eine Dielektrizitätskonstante von 1,8 bis
2,5 hat.
12. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11,
worin der Isolationsfilm eine Rückgratkette mit einer
Struktur aufweist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend
aus den folgenden Formeln (1) bis (5):
-{Si(R₁)₂-O-Si(R₁)₂-O-}n- (1)worin R₁ CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl
ist);-{Si(R₁)₂-O-Si(R₁)₂-O-}n- (2)worin R₁ O-CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze
Zahl ist);-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (3)worin R₁ CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl
ist), und R₂ CmH2m+1 sind (worin m eine positive ganze
Zahl ist), worin n von m verschieden ist;-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (4)worin R₁ -O-CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze
Zahl ist) und R₂ ist O-CmH2m+1 sind (worin m eine
positive ganze Zahl ist), worin n von m verschieden ist;
und-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (5)worin R₁O -CnH2n+1 oder CnH2n+1 ist (worin n eine
positive ganze Zahl ist); R₂ -O-CmH2m+1 oder CmH2m+1 ist
(worin m eine positive ganze Zahl ist); n von m
verschieden ist; und worin zumindest eines von R₁ und R₂
über -O- mit R₁ oder R₂ verbunden ist, das zu der
anderen Rückgratkette gehört.
13. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12,
worin eine Schaltsäule, bestehend aus einem metallischen
Material oder einem Isolationsmaterial, die gegenüber
einer Deformation des Isolationsfilmes resistent ist, in
dem Isolationsfilm verborgen ist.
14. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13,
worin eine Oberflächenschicht des Isolationsfilmes eine
höhere Viskosität als der Rest des Isolationsfilmes
aufweist.
15. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14,
worin der Isolationsfilm inert ist und nicht in der Lage
ist, Wasser bei einer Temperatur von nicht mehr als
650°C freizusetzen.
16. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 15,
worin ein Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Silicium in
dem Isolationsfilm 1,0 bis 3,0 ist.
17. Halbleitervorrichtung, umfassend ein Halbleitersubstrat,
das ein Element trägt,
einen ersten Isolationsfilm, der auf dem Halbleitersubstrat gebildet ist, eine Vielzahl von Leitungen, wobei zumindest eine der Leitungen elektrisch mit dem Element durch ein Kontaktloch verbunden ist;
einen zweiten Isolationsfilm, der auf den Leitungen und auf dem ersten Isolationsfilm gebildet ist, wo die Leitungen nicht gebildet sind und Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff enthält, wobei der Gehalt an Kohlenstoff nicht geringer ist als der Gehalt an Silicium; und
einen dritten Isolationsfilm, der auf dem zweiten Isolationsfilm gebildet und aus einem Material hergestellt ist, das sich von dem Material unterscheidet, das den zweiten Isolationsfilm ausmacht.
einen ersten Isolationsfilm, der auf dem Halbleitersubstrat gebildet ist, eine Vielzahl von Leitungen, wobei zumindest eine der Leitungen elektrisch mit dem Element durch ein Kontaktloch verbunden ist;
einen zweiten Isolationsfilm, der auf den Leitungen und auf dem ersten Isolationsfilm gebildet ist, wo die Leitungen nicht gebildet sind und Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff enthält, wobei der Gehalt an Kohlenstoff nicht geringer ist als der Gehalt an Silicium; und
einen dritten Isolationsfilm, der auf dem zweiten Isolationsfilm gebildet und aus einem Material hergestellt ist, das sich von dem Material unterscheidet, das den zweiten Isolationsfilm ausmacht.
18. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 17, worin der
Isolationsfilm eine Dielektrizitätskonstante von 1,8 bis
3,2 hat.
19. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 18, worin der
Isolationsfilm eine Dielektrizitätskonstante von 1,8 bis
2,5 hat.
20. Halbleitervorrichtung nach einem Ansprüche 17 bis 19,
worin der Isolationsfilm eine Rückgratkette mit einer
Struktur aufweist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend
aus den folgenden Formeln (1) bis (5):
-{Si(R₁)₂-O-Si(R₁)₂-O-}n- (1)worin R₁ CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl
ist);-{Si(R₁)₂-O-Si(R₁)₂-O-}n- (2)worin R₁ -O-CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze
Zahl ist);-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (3)worin R₁ CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze Zahl
ist), und R₂ CmH2m+1 sind (worin m eine positive ganze
Zahl ist), worin n von m verschieden ist;-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (4)worin R₁ -O-CnH2n+1 ist (worin n eine positive ganze
Zahl ist) und R₂ ist -O-CmH2m+1 sind (worin m eine
positive ganze Zahl ist), worin n von m verschieden ist;
und-{Si(R₁R₂)-O-Si(R₁R₂-O-)}n- (5)worin R₁O -CnH2n+1 oder CnH2n+1 ist (worin n eine
positive ganze Zahl ist); R₂ O-CmH2m+1 oder CmH2m+1 ist
(worin m eine positive ganze Zahl ist); n von m
verschieden ist; und worin zumindest eines von R₁ und R₂
über -O- mit R₁ oder R₂ verbunden ist, das zu der
anderen Rückgratkette gehört.
21. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis
20, worin eine Schaltsäule, bestehend aus einem
metallischen Material oder einem Isolationsmaterial, die
gegenüber einer Deformation des Isolationsfilmes
resistent ist, in dem Isolationsfilm verborgen ist.
22. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis
21, worin eine Oberflächenschicht des Isolationsfilmes
eine höhere Viskosität als der Rest des Isolationsfilmes
aufweist.
23. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis
22, worin der Isolationsfilm inert ist und nicht in der
Lage ist, Wasser bei einer Temperatur von nicht mehr als
650°C freizusetzen.
24. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis
23, worin ein Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Silicium
in dem Isolationsfilm 1,0 bis 3,0 ist.
25. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis
24, worin der zweite Isolationsfilm bei Raumtemperatur
viskos ist, wobei er bei Raumtemperatur eine Viskosität
von 100 bis 300 000 cps hat.
26. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis
25, worin eine Filmdicke des dritten Isolationsfilmes,
die auf einer oberen Fläche des zweiten Isolationsfilmes
gebildet ist, dünner ist als eine Filmdicke des dritten
Isolationsfilmes, der auf einer oberen Fläche des ersten
Isolationsfilmes gebildet ist, der zwischen den
Leitungen angeordnet ist.
27. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis
26, worin der erste Isolationsfilm und der zweite
Isolationsfilm aus einem Siliciumdioxid-Film gebildet
sind.
28. Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch
ein Halbleitersubstrat;
einen ersten leitenden Film der auf dem Halbleitersubstrat gebildet ist;
einen Isolationsfilm, der mit einem Kontaktloch versehen und so gebildet ist, daß der erste leitende Film bedeckt ist; und
einen zweiten leitenden Film, der auf dem Isolationsfilm derart gebildet ist, daß er mit dem ersten leitenden Film durch das Kontaktloch elektrisch kontaktiert ist;
worin ein Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer Grenzfläche davon mit dem zweiten leitenden Film vorgesehen ist, ohne einen Bereich, der an dem Kontaktloch vorgesehen ist, so aufgebaut ist, daß er eine Viskosität von 10 000 cp oder mehr hat und der Rest des Isolationsfilmes ohne den Bereich, der in der Nähe der Grenzfläche davon mit dem zweiten leitenden Film angeordnet ist, so konstruiert ist, daß er eine Viskosität von weniger als 10 000 cp hat.
ein Halbleitersubstrat;
einen ersten leitenden Film der auf dem Halbleitersubstrat gebildet ist;
einen Isolationsfilm, der mit einem Kontaktloch versehen und so gebildet ist, daß der erste leitende Film bedeckt ist; und
einen zweiten leitenden Film, der auf dem Isolationsfilm derart gebildet ist, daß er mit dem ersten leitenden Film durch das Kontaktloch elektrisch kontaktiert ist;
worin ein Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer Grenzfläche davon mit dem zweiten leitenden Film vorgesehen ist, ohne einen Bereich, der an dem Kontaktloch vorgesehen ist, so aufgebaut ist, daß er eine Viskosität von 10 000 cp oder mehr hat und der Rest des Isolationsfilmes ohne den Bereich, der in der Nähe der Grenzfläche davon mit dem zweiten leitenden Film angeordnet ist, so konstruiert ist, daß er eine Viskosität von weniger als 10 000 cp hat.
29. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 28, worin ein
Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer
Grenzfläche davon mit einem Bereich des zweiten
leitenden Filmes angeordnet ist, der an der Seitenwand
des Kontaktloches lokalisiert ist, so konstruiert ist,
daß er eine Viskosität von 10 000 cp oder mehr hat.
30. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 28 oder 29, worin
ein Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer
Grenzfläche davon mit einem Bereich des zweiten
leitenden Filmes angeordnet ist, der an einer Seitenwand
des Kontaktloches lokalisiert ist, so konstruiert ist,
daß die Gleichung erfüllt ist: dmax ≦ 0,1 tmax, worin
tmax eine maximale Filmdicke des Isolationsfilmes ist,
und dmax eine maximale Entfernung von der Grenzfläche
davon mit dem zweiten leitenden Film zu dem Bereich des
Isolationsfilmes bedeutet, der in der Nähe der
Grenzfläche angeordnet ist.
31. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 28, worin ein
Bereich des Isolationsfilmes, der in der Nähe einer
Grenzfläche davon mit einem Bereich des zweiten
leitenden Filmes, der an einer Seitenwand des
Kontaktloches lokalisiert ist, vorgesehen ist, so
konstruiert ist, daß die Gleichung erfüllt ist:
10 nm dmax 100 nm, worin dmax eine maximale
Entfernung von der Grenzfläche davon mit dem zweiten
leitenden Film zu dem Bereich des Isolationsfilmes ist,
der in der Nähe der Grenzfläche angeordnet ist.
32. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung,
umfassend die folgenden Schritte:
Bildung eines ersten Isolationsfilmes auf einem Halbleitersubstrat, das ein Element darauf trägt;
Bildung eines Kontaktloches in dem ersten Isolationsfilm;
Bildung einer Vielzahl von Leitungen auf dem ersten Isolationsfilm, worin zumindest eine der Vielzahl von Leitungen über das Kontaktloch mit dem Element elektrisch kontaktiert ist;
Bildung eines zweiten Isolationsfilmes auf dem ersten Isolationsfilm, wo die Leitungen nicht gebildet sind, auf eine solche Weise, daß ein Raum zwischen den Leitungen verborgen wird, wobei der zweite Isolationsfilm Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff enthält, wobei der Gehalt an Kohlenstoff nicht geringer als der Gehalt an Silicium ist; und
Bildung eines dritten Isolationsfilmes auf der Leitung und auf dem zweiten Isolationsfilm, wobei der dritte Isolationsfilm aus einem Material gebildet wird, das sich von dem Material unterscheidet, das den zweiten Isolationsfilm ausmacht.
Bildung eines ersten Isolationsfilmes auf einem Halbleitersubstrat, das ein Element darauf trägt;
Bildung eines Kontaktloches in dem ersten Isolationsfilm;
Bildung einer Vielzahl von Leitungen auf dem ersten Isolationsfilm, worin zumindest eine der Vielzahl von Leitungen über das Kontaktloch mit dem Element elektrisch kontaktiert ist;
Bildung eines zweiten Isolationsfilmes auf dem ersten Isolationsfilm, wo die Leitungen nicht gebildet sind, auf eine solche Weise, daß ein Raum zwischen den Leitungen verborgen wird, wobei der zweite Isolationsfilm Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff enthält, wobei der Gehalt an Kohlenstoff nicht geringer als der Gehalt an Silicium ist; und
Bildung eines dritten Isolationsfilmes auf der Leitung und auf dem zweiten Isolationsfilm, wobei der dritte Isolationsfilm aus einem Material gebildet wird, das sich von dem Material unterscheidet, das den zweiten Isolationsfilm ausmacht.
33. Verfahren nach Anspruch 32, worin der Schritt der
Bildung des zweiten Isolationsfilmes durch ein CVD-
Verfahren durchgeführt wird, wobei als
Ausgangsmaterialien ein organisches Silan und Sauerstoff
im angeregten Zustand verwendet werden und eine
Substrat-Temperatur auf -70 bis 50°C eingestellt wird.
34. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung,
umfassend die folgenden Schritte:
Bildung eines ersten leitenden Filmes auf einem Substrat;
Bildung eines Isolationsfilmes mit einer Viskosität von weniger als 10 000 cp, um dadurch den ersten leitenden Film zu bedecken;
Durchführung einer Viskositätserhöhungsbehandlung, um dadurch die Viskosität einer Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp zu erhöhen; und
Bildung eines zweiten leitenden Filmes auf dem Isolationsfilm auf solche Weise, daß er mit dem ersten leitenden Film elektrisch in Kontakt steht.
Bildung eines ersten leitenden Filmes auf einem Substrat;
Bildung eines Isolationsfilmes mit einer Viskosität von weniger als 10 000 cp, um dadurch den ersten leitenden Film zu bedecken;
Durchführung einer Viskositätserhöhungsbehandlung, um dadurch die Viskosität einer Oberflächenschicht des Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp zu erhöhen; und
Bildung eines zweiten leitenden Filmes auf dem Isolationsfilm auf solche Weise, daß er mit dem ersten leitenden Film elektrisch in Kontakt steht.
35. Verfahren nach Anspruch 34, worin der Schritt der
Erhöhung der Viskosität einer Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp durch
Behandeln des Isolationsfilmes mit einem Plasma aus
einem Gas durchgeführt wird, umfassend zumindest ein
Molekül, das Sauerstoffatome enthält.
36. Verfahren nach Anspruch 34, worin der Schritt der
Erhöhung der Viskosität einer Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp durch
Behandeln des Isolationsfilmes mit einem Gas
durchgeführt wird, umfassend Sauerstoff-Radikale, Ozon
oder Wasserstoff-Radikale.
37. Verfahren nach Anspruch 34, worin der Schritt der
Erhöhung der Viskosität einer Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp durch
Bestrahlen des Isolationsfilmes mit einer Infrarot-
Strahlenquelle mit einer Wellenlänge von 2,6 bis 3,3 µm
durchgeführt wird.
38. Verfahren nach Anspruch 34, worin der Schritt der
Erhöhung der Viskosität einer Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp durch
Bestrahlen des Isolationsfilmes mit einer Ultraviolett-
Strahlenquelle mit einer Wellenlänge von 142 bis 308 nm
durchgeführt wird.
39. Verfahren nach Anspruch 34, worin der Schritt der
Erhöhung der Viskosität einer Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp durch
Behandeln des Isolationsfilmes mit einer Mikrowelle in
einer Atmosphäre aus einem Gas, umfassend zumindest ein
Molekül, das Sauerstoffatom enthält; einer Atmosphäre
aus einem Inertgas oder einer Atmosphäre mit
vermindertem Druck durchgeführt wird.
40. Verfahren nach Anspruch 34, worin der Schritt der
Erhöhung einer Viskosität einer Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp durch
Erwärmen des Substrates, das den Isolationsfilm darauf
trägt, bei einer Erwärmungsrate von 10°C/s und Halten
der Erwärmungstemperatur auf 450°C oder weniger
durchgeführt wird.
41. Verfahren nach Anspruch 34, worin der Schritt der
Erhöhung der Viskosität einer Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes auf nicht weniger als 10 000 cp durch
Erwärmen des Substrates, das den Isolationsfilm darauf
trägt, bei einer Erwärmungsrate von 10°C/s durchgeführt
wird, wodurch die Oberflächenschicht des
Isolationsfilmes auf eine Temperatur im Bereich von 450
bis 700°C erwärmt wird.
42. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung,
umfassend die Schritte:
Bildung eines ersten leitenden Filmes auf einem Substrat,
Bildung eines Isolationsfilmes mit einer Viskosität von weniger als 10 000 cp, um dadurch den ersten leitenden Film zu bedecken;
Bildung eines zweiten Isolationsfilmes mit einer Viskosität von nicht weniger als 10 000 cp auf dem ersten Isolationsfilm; und
Bildung eines zweiten leitenden Filmes auf dem zweiten Isolationsfilm derart, daß er mit dem ersten leitenden Film elektrisch in Kontakt steht.
Bildung eines ersten leitenden Filmes auf einem Substrat,
Bildung eines Isolationsfilmes mit einer Viskosität von weniger als 10 000 cp, um dadurch den ersten leitenden Film zu bedecken;
Bildung eines zweiten Isolationsfilmes mit einer Viskosität von nicht weniger als 10 000 cp auf dem ersten Isolationsfilm; und
Bildung eines zweiten leitenden Filmes auf dem zweiten Isolationsfilm derart, daß er mit dem ersten leitenden Film elektrisch in Kontakt steht.
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