DE3139718A1 - Waermeaufzeichnungsmaterial - Google Patents

Waermeaufzeichnungsmaterial

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DE3139718A1
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hydrogen
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Masatoshi Tabei
Yonosuke Takahashi
Minoru Wada
Satoshi Asaka Saitama Yoshida
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Description

WärmeaufZeichnungsmaterial·
Die Erfindung betrifft ein Wärmeauf zeichnungsinaterial, das unter Verwendung eines. Lichtstrahls mit einer hohen Energiedichte. Informationen auf zeichnet.
Silbersalze und andere lichtempfindliche Materialien werden als Auf zeichnungsinaterial verwendet, das Laser und andere Formen von Lichtstrahlen mit einer hohen Energiedichte benutzt. Als derartiges Material wird auch ein Wärmeaufzeichnungsmaterial verwendet. Die Aufzeichnungsschicht des Wärmeaufzeichnungsmaterials weist eine hohe optische Dichte auf. Wenn sie einen Lichtstrahl mit einer hohen Energiedichte absorbiert, steigt die lokale Temperatur an und führt zu einer thermischen Verformung, beispielsweise einem Schmelzen, einem Verdampfen oder einer Aggregation, wodurch die bestrahlte Fläche entfernt wird, so daß eine
TELEFON (O 89) 22 ja 02
TELEX 05-29 3SO
Differenz in bezug auf die optische Dichte gegenüber der nicht-bestrahlten Fläche entsteht zur Erzielung der Aufzeichnung der Information«, Dieses Wärmeauf ze ichnungsmaterial bietet die folgenden Vorteile: eine pho-tographische Be= handlung, wie z,B. eine Entwicklung oder Fixierung^ ist im allgemeinen nicht erforderlich! die Behandlung in einem Dun= kelraum ist nicht erforderlich,.da keine Information durch gewöhnliches Raumlicht aufgezeichnet wirdj es entsteht ein kontrastreiches Bild; es ist die zusätzliche Aufzeichnung von Informationen (Additions-Aufzeichnung) möglich» In den meisten Fällen wird die Information auf dem Wärmeaufζeich-' nungsmaterial aufgezeichnet durch Umwandlung derselben in seitlich aufeinanderfolgende elektrische Signale und Abtasten des Aufzeichnungsmaterials mit einem entsprechend den Signalen modulierten Laserstrahl«, Ein Vorteil dieser Auf~ Zeichnungsmethode besteht darinj, daß ein aufgezeichnetes Bild auf einer Realzeitbasis erhalten werden kann«,
Die Aufzeichnungsschicht des Wärmeaufzeichnungsmaterials kann im allgemeinen aus billigen Materialien^ wie Metall, Farbstoff und Kunststoffs bestehen», Wärajisaüfzeichnungsmate=· rialien werden beispielsweise von M.L·. Levene et al in '"Proceedings cf llth Electron, Ion and Laser Beam Technology-Symposium'8,, 1969, "Electronics"j, 18. März 196S5, Seite 505 von D, Maydan in "The Bell System Technical Journal", 50«, 1971, Seite 1761j und von CO. Carlson in "Science"/ 154ρ 1966, Seite 1550, beschriebene Wärmeaufzeichnungsma-1 terialien, in denen die Aufzeichnungsschicht aus Metallen mit einem dünnen Film aus Bi9 Sn, In und dglo auf einem Träger besteht^ weisen.vorteilhafte Eigenschaften in bezug
auf die thermische Aufzeichnung auf und ergeben beispielsweise ein Bild mit einer hohen Auflösung und einem hohen Kontrast; Viele Aufzeichnungsmaterialien, in denen dünne Metallfilme verwendet werden, reflektieren jedoch minder stens 50 % des Laserstrahls und nutzen daher seine Energie nicht wirksam aus. Sie benötigen deshalb für die Aufzeichnung energiereiches Licht und zur Hochgeschwindigkeits-Abtastung ist eine starke Laserstrahlquelle erforderlich. Dies macht die Verwendung einer großen teuren Aufzeichnungsapparatur erforderlich.
Es sind bereits mehrere hochempfindliche Aufzeichnungsmaterialien untersucht worden. Ein Beispiel für ein solches Aufzeichnungsmaterial, das aus drei Schichten aus Se, Bi und Ge besteht, ist in der US-Patentschrift 3 560 994 beschrieben. Das in dieser Patentschrift' beschriebene Aufzeichnungsmaterial weist einen sehr dünnen Ge-FiIm auf, der auf dünnen Se- und Bi-Filme aufgebracht wird, um ihre Lichtreflexion herabzusetzen. Die Zugabe von Se ist jedoch nicht erwünscht, da sie Umweltverschmutzungsgefahren mit sich bringt. Außerdem ist die Qualität des von diesem Material aufgezeichneten Bildes nicht befriedigend.
In der japanischen OPI-Patentanmeldung Nr. 74 632/76 (die hier verwendete Abkürzung 11OPI11 steht für eine ungeprüfte publizierte japanische Patentanmeldung) ist ein Aufzeichnungsmaterial beschrieben, bei dem auf eine Metallschicht eine Antireflexionsschicht aufgebracht ist, die Licht in dem Wellenlängenbereich des zum Aufzeichnen verwendeten Laserstrahls absorbiert. Es ist jedoch sehr schwierig, die
Lichtreflexion durch eine Antireflexionsschicht völlig zu eliminieren. Selbst wenn es gelänge, die Lichtreflexion vollständig, zu eliminieren, wäre immer noch eine starke Laserstrahlquelle zur Erzeugung von thermischen Verformungen, wie z. Bi zum Schmelzen, Verdampf en und Aggregieren,-durchBestrahlung mit einem Laserstrahls erforderliche Man war daher bestrebt, ein Aufzeichnungsmaterial mit einer noch höheren Empfindlichkeit zu entwickeln«,
Ziel der vorliegenden Erfindung ist esj ein für die Aufzeichnung mittels Laserstrahlen und anderen Formen von energiereichen Lichtstrahlen geeignetes hochempfindliches Wärmeaufzeichnungsmaterial zu entwickeln. Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin? ein hochempfindliches Wärmeaufzeichnungsmaterial zu entwickeln;, das ein qualitativ hoch·= wertiges Bild liefert.
Es wurde nun gefunden, daß diese Ziele erfindungsgemäß erreicht werden können mit einem Wärmeaufzeichnungsmaterial, bei dem auf einen Träger eine Aufzeichnungsschicht aus einem Metall, Halbmetall oder Halbleiters der (das) Wasser™ stoff enthält, aufgebracht isto
Gemäß einer Ausführungsform enthält, das erfindungsgemäße hochempfindliche Aufzeichnungsmaterial eine auf einen Träger aufgebrachte, Wasserstoff enthaltende Metall-, Halbmetall« oder Halbleiterschichto Gemäß einer anderen Äusfüh=· rungsform befindet sich auf der Wasserstoff enthaltenden Metall-, Halbmetall- oder Halbleiterschicht eine Antireflexionsschicht oder Schutzschicht aus einem anorganischen oder organischfc»! Materia} o
Der erfindungsgemäß verwendete Träger kann aus Materialien bestehen, wie sie üblicherweise als Trägermaterialien verwendet werden, wie z.B. Kunststoff (beispielsweise PoIyäthylenterephthalat), Glas, Papier und einerMetallplatte oder -folie* Wenn als Träger eine Metallplatte oder -folie . verwendet wird, ist zwischen dem. Metallträger und der Aufzeichnungsschicht vorzugsweise eine thermisch und elektrisch isolierende Schicht aus einem organischen Polymeren oder aus einem anorganischen Material, wie z.B. aus Keramik, Titandioxid, Magnesiumoxid und dgl., vorgesehen, um die Wärmeverluste herabzusetzen, die auf einen solchen elektrisch leitenden Träger zurückzuführen sind, der im allgemeinen Wärme gut leitet.
Die erfindungsgemäß verwendete Metall-, Halbmetall- oder Halbleiterschicht (nachstehend der Einfachheit halber stets als "Metallschicht" bezeichnet) besteht aus einem oder mehreren Elementen, die ausgewählt werden aus der Gruppe Mg, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, V,. Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Ru, Rh,- Pa, Ir, .Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Si, Ge, Tl, Pb, Po, Sn, As, Sb, Bi, Se und Te. Die für die erfindungsgemäße Verwendung geeigneten Elemente sollten den folgenden Bedingungen genügen: . ■ .
(1) Der Wasserstoff bleibt darin stabil enthalten;
(2) sie weisen eine geringe Toxizität aufj
(3) zum Schmelzen oder Verdampfen ist nur wenig Energie erforderlich;
(4) sie weisen ein geringes Lichtreflexionsvermögen auf;
(5) ihre Eigenschaften ändern sich nur wenig, insbesondere die optische Dichte, während der Lagerung}
(6) in Kombination mit Wasserstoff unterliegen sie leicht einer thermischen Verformung, beispielsweise einem Schmelzen, Verdampfen, einer Aggregation, durch thermische oder photochemische Aktivierung) und
(7) sie können leicht zu einem Film geformt werden.
Bevorzugte Elemente, die für die Zwecke der vorliegenden Erfindung am besten geeignet sind, sind. Zn, In9 Sn5 Ge9- Mg9 Ni, Fe, Al und Ga* . ■ .
Wenn die Metallschicht aus einer Legierung besteht^ kann sie Na, K oder Ca enthalten. Diese Metalle werden unter An» wendung verschiedener Verfahren, beispielsweise durch Vaku.» umabscheidung, Aufspritzen, Ionenpiattierung, Abscheidung eines Chemikal2sn«i)ampfes(CVD), durch Zersetzung mittels Glimmentladung^ durch Elektroplattierung (Galvanisierung) und stromlose Plattierung auf einen Träger aufgebracht,.wo-· bei das Verfahren zur Abscheidung von Chemikaliea-Oampf bevorzugt angewendet wird. Es kann auch eine Schicht aus zwei oder mehr Metallen durch Vakuumabscheidung von Legierungen oder durch Abscheidung von zwei oder mehr Metallen aus ge= trennten Verdampfungsquellen gleichzeitig oder getrennt voneinander hergestellt werdeno Wenn zwei oder mehr Metallschichten hergestellt werden, muß mindestens eine von ihnen Wasserstoff enthalten. Die Metallschicht kann eine Dikke aufweisen, welche die für das gewünschte Bild erforder« liehe optische Dichte ergibt» Zur Erzielung einer Trans-4 missionsdichte von -2 ' ist eine Metallschicht einer Dicke von 300 bis 1500 R erforderlich, es ist jedoch klar9 daß die genaue Dicke in Abhängigkeit von dem verwendeten Me™
talltyp variiert. -Es ist ferner klar, daß dann, wenn die Metallschicht durch Vakuumabscheiden, Aufspritzen,- Ionenplattierungy CVD, Zersetzung unter Glimmentladung und dgl. auf einen Träger aufgebracht wird, die Struktur der dabei erhaltenen Metallschicht in Abhängigkeit von dem Typ des Trägers, der Temperatur, dem Vakuum, der Abscheidungsgeschwindigkeit und dgli variiert und daß deshalb die zur Erzielung der gewünschten optischen Dichte erforderliche Schichtdicke ebenfalls variierti
Es gibt zwei Verfahren zur Einarbeitung von Wasserstoff in die Metallschicht. Das eine besteht darin, Wasserstoff einzuarbeiten, wenn, die Metallschicht gebildet wird: Das andere besteht darin, Wasserstoff zuzuführen, nachdem die Metallschicht gebildet worden ist. Bei dem ersten Verfahren wird Wasserstoffgas entweder allein oder verdünnt mit einem Inertgas einem Reaktionsgefäß zugeführt, in dem die Vakuumabscheidung,- die Ionenplattierung, das Aufspritzen, das CVD"oder dgli durchgeführt wird, und zur Einarbeitung von Wasserstoff in den gebildeten Metallfilm wird die Entladung senergie oder ein anderer Weg angewendet. Wenn Wasserstoffgas· durch das Gas einer hydrierten Metallverbindung, wie GeH, oder SnH,, ersetzt wird, wird das hydrierte Metall durch Glimmentladung zersetzt unter Bildung einer Wasserstoff enthaltenden Metallschicht. Bei dem zweiten Verfahren, bei dem Wasserstoff in eine Metallschicht eingearbeitet wird, während diese sich bildet, wird die Metallschicht in einem verschlossenen Behälter unter Druck stehenden) Wasserstoff ausgesetzt. Dieses Verfahren ist besonders wirkungsvoll, wenn das Metall eine Mg-Ni-Legierung
oder eine Fe-Ni-Legierung ist.
Der Wasserstoff muß in der Metallschicht in einer größeren Menge als derjenigen enthalten sein, unterhalb der ein Sprod·= bruch nicht beschleunigt wird, dihi in einer, minimalen Menge, die den Sprödbruch beschleunigt, und diese Menge variiert in Abhängigkeit von verschiedenen Faktoren, wie zeB. dem Typ des verwendeten Metalls oder der verwendeten Legierung. In der Regel liegt die untere Grenze des Wasserstoff·= gehaltes bei 0,01 Atom-%, vorzugsweise bei 1 Atom-%. Die obere Grenze des Wasserstoffgehaltes ist die? bei der der Wasserstoff bei Raumtemperatur stabil bleibt5und sie liegt im allgemeinen bei etwa 50 Atom-%« So kann beispielsweise hydriertes Germanium bis zu 20 bis 30 Atom-% Wasserstoff enthalten« · ■
Erfindungsgemäß wird die Wasserstoff enthaltende.Metallschicht zur Erzeugung von Wasserstoff mit einem Laserstrahl bestrahlt, so daß eine benachbart zu der Metallschicht gebildete Schicht mit einem Oxidationseffekt dazu dientj, eine höhere Empfindlichkeit zu erzielen» Zu Beispielen für Substanzen, die einen Oxidationseffekt aufweisen^ gehören anorganische oder organische Peroxide, wie Bariumperoxid und Benzoylperoxid, Halogensäuresalzej, wie Kaliumbromat . und Kaliumjodat'i sowie Persulfatsalze^ wie Natriumpersul·= fat. Die Schicht mit einem oxidierenden Effekt kann gebildet werden durch Vakuumabseheidung oder durch Verteilung einer Dispersion in einem wasserlöslichen BindemittelP wie Polyvinylalkohol» Anstelle dieser konventionellen Oxidationsmittel kann sich benachbart zu der Aufzeichnungsschicht
ein sich selbst oxidierendes Bindemittel des Typs, wie er beispielsweise in der japanischen OPI-Patentanmeldung Nr. 43· 632/73 beschrieben ist, bilden. Als sich selbst oxidierende Bindemittel werden mit Vorteil Nitrocellulose oder seine Derivate verwendeti
Bei einer Ausführungsform der Erfindung dient die Bildung einer Antireflexionsschicht und/oder einer·Schutzschicht auf der Aufzeichnungsschicht aus der Wasserstoff enthaltenden Metallschicht zur Herstellung eines Aufzeichnungsmaterials mit einer erhöhten Empfindlichkeit,.Haltbarkeit und mechanischen'Festigkeit sowie einer geringeren zeitabhängigen Änderung seiner Eigenschaften. Die Schutzschicht kann aus einer anorganischen oder einer organischen Substanz bestehen, vorausgesetzt, daß die Substanz den verwendeten Lichtstrahl mit hoher Energiedichte hindurchläßt, sie weist eine gute mechanische Festigkeit auf, reagiert nicht leicht mit der Aufzeichnungsschicht, kann einen dünnen Film bilden und kann leicht hergestellt werden.
Die erfindungsgemäß verwendete Antireflexionsschicht und/- oder Schutzschicht kann aus einer anorganischen oder einer organischen Substanz bestehen. Zu Beispielen für anorganische Substanzen, die in die Antireflexionsschicht eingearbeitet werden können, gehören SnS, GeS, Se, ZnS,- Sb«S_, In2S3, PbX2, GuX, AgX, KX, GaX2, SnX2 und FeX3 (X = Halogen). Geeignete anorganische Substanzen für die Verwendung in der Schutzschicht sind transparente Substanzen, wie Al„-O3,.SiO2, SiO, MgO,- ZnO, TiO2, ZrO2, MgF2 und GuF2. Die Antireflexionsschicht und/oder Schutzschicht wird gebildet
unter Anwendung von Verfahren zur Abscheidung eines reaktionsfähigen Dampfes, wie z.B; einer Vakuumabscheidung, Aufspritzen und Ionenplattieren. Zur Herstellung einer Schutzschicht können mit Erfolg organische Substanzen verwendet werden; Zur Herstellung einer Schutzschicht können verschiedene Haraaverwendet werden, wie z.B. Styrolharze (wie Polystyrol und Styrol/Maleinsäureanhydrid-Harz), Vi» nylacetatharze (wie Polyvinylacetat, Polyvinylalkohol," Polyvinylbutyral und Polyvinylformal), Methacrylsäureesterharze (wie Isobuty!polymethacrylat und Methy!polymethacrylat), Amidharze (wie Polydiacetonacrylamid und Polyacrylamid), Celluloseharze (wie Äthylcellulose, Celluloseacetatbutyrat, Cellulosenitrat und Diacetylcellulose), halogenierte Polyolefine (wie Polyvinylchlorid und chloriertes Polyäthylen), Phenolharze, lösliche Polyester, lösliches Nylonj- Gelatine und Copolymere davon.
Diese Harze werden in Lösungsmittel gelöst und'unter Anwendung irgendeines bekannten Verfahrens aufgebracht. Es können die verschiedensten Lösungsmittel verwendet werden s wie zeBi Aceton, Me thy la thy !keton, Methylisobutylketon,- Methylcellosolve, Äthylcellosolve, Butylcellosolve, Methylcellosolveacetat,- Äthylcellosolveacetat, Butylcellosolveacetats, Hexan,- Cyclohexan, Äthylchlorid, Methylchlorid 9 Benzol9 Chlorbenzol,- Methanol,- Äthanol, Butanol, Petroläther, Di= methylformamid und ein Verdünnungsmitteln Je nach lyp des Harzes kann ein geeignetes Lösungsmittel ausgewählt werden^
Diese Harze können je nach dem Anwendungszweck Pigmente^ Mattierungsmittel, Weichmacher, Schmiermittel· (Gleitmittel)
-A3T-
AH
und andere Zusätze enthalten. Die Zugabe von etwa 0,1 bis etwa 10 Gew.-% Schmiermittel (Gleitmittel),· beispielsweise einer höheren "aliphatischen Säure mit mindestens 11 Kohlenstoffatomen oder eines Säureamids,. führt zur Bildung eines Aufzeichnungsmaterials mit einer hohen .Filmfestigkeit. Das Schmiermittel (Gleitmittel), wie z.Bi die höhere aliphatische Säure oder das Säureamid gemäß der obigen Definition, kann unter Anwendung eines konventionellen Verfahrens in einer Dicke von 0,001 bis 1 um auf der Schicht ausgebreitet werden.
Die Dicke der Schutzschicht variiert in Abhängigkeit von der Filmfestigkeit, der Beständigkeit gegenüber der zeitabhängigen Änderung und der Aufzeichnungsdichte, die für das Aufzeichnungsmaterial erforderlich ist, und eine Dicke zwischen 0,01 und 5 pm ist bevorzugt. Bei einer weiteren Ausführungsform kann zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Schutzschicht ein Luftspalt vorgesehen sein. . .
Das erfindungsgemäße Wärmeaufzeichnungsmaterial· wird bildmäßig einer.. Strahlung mit hoher Intensität ausgesetzt, um die Aufzeichnungsschicht thermisch zu verformen oder zu verändern', wobei eine Differenz in bezug auf die optische Dichte gegenüber der nicht-bestrahlten Fläche entsteht, so daß die Information aufgezeichnet wird.
Das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial kann als Ersatz'· für einen lithographischen Druckfilm, als Aufzeichnungsmaterial für Facsimile, als optische Platte,, als Photomaske für die IC-Herstellung, als Aufzeichnungsmaterial
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für Mikrofilme und für viele andere Zwecke verwendet werdeni ■
Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele näher erläutert, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein.
Beispiel 1
Eins Zerstäubungsvorrichtung mit parallelen Platten (SPE-332 der Firma Nichiden Varian Co., Ltd.): wurde so einge- . stellt, daß ein.Gitter mit einem Durchmesser von 25 cm (hergestellt aus einem lOODraht-Sieb aus rostfreiem Stahl), ei» nem Substrathalter aus rostfreiem Stahl mit.einem Durchmesser von 25 cm gegenüberliegend angeordnet war. Der Abstand zwischen dem Gitter und dem Halter wurde auf 10 cm eingestellt. Unter Verwendung eines Klebstoffbandes wurde
2 ■
ein Polyäthylenterephthalatfilm (17 cm , 100 pn dick) andern Halter befestigt. Nach dem Evakuieren auf weniger als 10 Torr wurde in die Kammer eine Mischung aus German, hergestellt von der Firma Japan Oxygen Co., Ltd., und Wasserstoff (Germangehalt 21?6 %) durch einen Kanal eingeführt, der aus einem Regulierventil (1301 ρ der Firma.Japan Oxygen Co., Ltd.), einem Gasströmungsmesser (Ueshima Prooks Tube R-2-15-D der Firma Nippon Tokushy-Gas KiK0)? einem Absperrventil und einem Rohr aus rostfreiem Stahl mit einem Durchmesser von 0,635 cm (1/4 inch) bestand.Der Druck in der Kammer wurde auf 0,2 Torr eingestellte Durch Anlegen einer Hochfrequenzenergie (13,56 MHz) an das Gitter (Wandernde . Welle 35 W, reflektierte Welle 5 W, Differenz 30 W) wurde eine Entladung erzeugt. Der Halter wurde bei
Raumtemperatur gehalteni Nach einer 15-minütigen Entladung wurden eine Nitrocelluloseabscheidung und ein dünner Film aus amorphen, wasser stoff haltigem Germanium (etwa 0,3 pn dick) auf dem Polyäthylenterephthalatfilm gebildet. Das dabei erhaltene Aufzeichnungsmaterial wies eine optische Dichte von etwa 1,5 für weißes Licht auf· Der Germaniumfilm war dunkelbraun und er enthielt etwa 3 Atom-% Wasserstoff.
Auf dem Germaniumfilm wurde ein 5145 A-Strahl eines Argonionenlasers fokussiert« Der Durchmesser des fokussierten Laserstrahls betrug 25 um und seine Energie variierte zwischen 200 mW und 400 mW; Die Abtastgeschwindigkeit betrug 18,8 m/sec. Der Germaniumfilm wurde in den bestrahlten Bereichen'bei 250 mW transparent.
Nach der Korrektur der Reflexion betrug die Empfindlichkeit, wie gefunden wurde, 160 mW. Die Energiedichte für diese Empfindlichkeit betrug 0,17 j/cm . Bei 200 mW entstand ein schwach rötlich- schwarzes Bild. Bei Verwendung einer wasserstofffreien Germaniumschicht wurde der Germaniumfilm nur dann transparent,- wenn die Filmdicke 8000 A (optische Dichte 1,54) betrug und eine Energie von 350 mW angelegt wurde. Die Empfindlichkeit nach der Reflexionskorrektur betrug nur 210 mW. Der Effekt des·Wasserstoffs bei der Erzeugung einer höheren Empfindlichkeit geht daraus eindeutig hervor.·
Beispiel 2
Wach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurde ein
amorpher, 0,3 um dicker Film aus hydriertem (wasserstoffhaltigem) Germanium hergestellt, wobei diesmal jedoch der Polyäthylenterephthalatfilm durch eine Glasplatte (2 cm χ 2 cm χ 0,8 mm) der Firma.Corning Glass Works (Gorning 7059) ersetzt wurdei Der 5145 2-Argonionenlaserstrahl wurde auf dem Film fokussiert und das erzeugte Bild hatte die gleichen Eigenschaften wie das in Beispiel 1 erhaltene.
Beispiel 3
Nach der Bildung einer Nitrocelluloseabscheidung auf einem 100 um dicken Polyäthylenterephthalatfilm wurde eine Coabscheidung von Sn und SnS im Vakuum (2 χ 10 Torr) durchgeführt durch Zuführen von Sn und SnS aus getrennten Verdampfungsquellen in kontrollierten Mengen. Der dabei erhaltene Sn-SnS-FiIm wurde teilweise durch eine Glasplatte abgedeckt und in die Kammer einer CVD-Apparatur (PED 303 der Firma Nichiden Varian Co., Ltd.) in der Weise eingebaut^- daß er einem Ionenplasma ausgesetzt wurde, und nach dem Evakuieren auf 5 χ 10 Torr wurden in die Kammer 400 cm Wasserstoff/Minute eingeführt. Durch Anlegen einer Hochfrequenzenergie (13956 MHz, 200 W) mittels, einer Hochfrequenzspule wurde 10 Minuten lang eine Entladung erzeugt« Während der Entladung wurde der Druck in der Kammer bei 2 Torr gehaltei.Der dabei erhaltene Film wurde aus der Kammer her« ausgenommen und wie in Beispiel i mit einem Laser bestrahlt«, Nach dem Bestrahlen mit einem Laserstrahl einer Energie von 175 mW wurde die mit dem Wasserstoffplasma behandelte Fläche in dem bestrahlten Abschnitt hochtransparent im Gegensatz zu der durch die Glasplatte abgedeckten Fläche. Der Ef-
--■ V Il ·
- ie-. 4«
fekt des Wasserstoffplasmas zur Erzielung einer höheren Empfindlichkeit geht daraus eindeutig hervor.
Die Erfindung wurde zwar vorstehend unter Bezugnahme auf spezifische bevorzugte Ausführungsformen näher erläutert, es ist jedoch für den Fachmann selbstverständlich,- daß sie darauf keineswegs beschränkt ist, sondern daß diese in vielfacher Hinsicht abgeändert und modifiziert werden können,- ohne daß dadurch der Rahmen der vorliegenden Erfindung verlassen wirdi

Claims (1)

  1. Pa t e η -1 a η sp r ti ehe
    Ii Wärmeaufzeichnungsmaterial, g ekennzei c hne t durch einen Träger und eine darauf aufgebrachte Aufeeich«: ■. nungsschicht,- die besteht aus einem Material, das ausgewählt wird aus der Gruppe Metall, Halbmetall und Halbleiter, und das Wasserstoff enthälti
    2; Wärmeaufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1,- dadurch ge» kennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht besteht aus ;ei~ nem oder mehreren Elementen,· die ausgewählt werden aus der Gruppe Mg, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo,. W,- Mh, Re, Fe, Go,- Ni, Ru, Rh, Pa, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al,- Ga? In,· Si, Ge, Tl, Pb,- Po, Sn, As, Sb, Bi, Se und Te«,
    3; Wärmeaufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Element ausgewählt wird aus derGruppe Zn,· In,· Sn, Ge, Ni,1 Fe, Al, Mg undGai.
    4; Wärmeaufzeichnungsmaterial nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3,· dadurch gekennzeichnet, daß es außerdem ei= ne Schicht mit einem sich selbst oxidierenden Bindungseffekt aufweist, die an die Aufzeichnungsschicht angrenzt»
    5; Wärmeaufzeichnungsmaterial nach Anspruch 4, dadurch ge~ kennzeichnet, daß die Schicht mit dem selbst oxidierenden Bindungseffekt aus Nitrocellulose oder einem Derivat davon besteht.
    6. Wärmeaufzeichnungsmaterial nach mindestens einem der An=
    -2-
    sprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnetj daß es außerdem eine ein Oxidationsmittel enthaltende Schicht aufweist, die an die Aufzeichnungsschicht angrenzt;
    7; Wärmeaufzeichnungsmaterial nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß es außerdem eine zwischen dem Träger und der Aufzeichnungsschütt angeordnete thermisch und elektrisch isolierende Schicht aufweist.
    8. Wärmeaufzeichnungsmaterial nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht den Wasserstoff in einer Menge von 0,01 Atom-% oder· mehr enthält.
    9i Wärmeaufzeichnungsmaterial nach Anspruch 8,· dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht den Wasserstoff in einer Menge von 1,0 Atom-% oder mehr enthält.
    10..Verfahren zum. Aufzeichnen von Informationen auf einem Wärmeaufzeichnungsmaterial mit einem Träger und einer darauf aufgebrachten Aufzeichnungsschicht aus einem Material, das ausgewählt wird aus der Gruppe Metall, Halbmetall und Halbleiter, und das Wasserstoff enthält, insbesondere auf einem solchen nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,daß das Aufzeichnungsmaterial bildmäßig einer Strahlung hoher Intensität ausgesetzt wird,- um die Aufzeichnungsschicht thermisch zu verformen oder zu verändern, wodurch eine Differenz in bezug auf die optische Dichte zwischen der bestrahlten Fläche und den nicht-bestrahlten
    Flächen entsteht»
    Ui Verfahren nach Anspruch 10,- dadurch gekennzeichnet;, daß ein Aufzeichnungsmaterial verwendet wird,· dessen Aufzeichnungsschicht besteht aus einem oder mehreren Elementen/ die ausgewählt werden aus der Gruppe Mg, Sc/ Y/ Ti/ Zr/ Hf, V/ Nb, Ta/ Cr/ Mo/ W/ Mn, Re/ Fe, Co, Ni/ Ru/ Rh, Pa, Ir/ Pt/ Cu/ Ag, Au/ Zn/ Cd, Al, Ga/ In/ Si/ Ge, Tl/-Pb5,. Po, Sn9 As/ Sb/ Bi/ Se und Te. ' ·
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