DE19916051A1 - Aufzeichnungsmedium - Google Patents

Aufzeichnungsmedium

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Aufzeichnungsmedium, das eine erste Substanz und eine zweite Substanz umfaßt, worin eine äußere Energie auf wenigstens eine der Substanzen erste und zweite Substanz aufgebracht wird, um sie zur Reaktion zu bringen, um die optischen Eigenschaften der Substanzen zum Aufzeichnen von Information zu verändern, wobei das Aufzeichnungsmedium einschließt: eine erste Schicht, die aus einer ersten Substanz besteht, die wenigstens eines der Elemente S und Se einschließt; eine zweite Schicht, die aus einer zweiten Substanz besteht, die ein Metall einschließt; und eine Barriereschicht, die zwischen der ersten und zweiten Schicht angeordnet ist, die die Reaktion zwischen der ersten und zweiten Schicht erlaubt, wenn ein Laserstrahl zum Aufzeichnen als äußere Energie eingestrahlt wird, und die die Reaktion zwischen der ersten und zweiten Schicht unterdrückt, wenn ein Laserstrahl zum Aufzeichnen nicht eingestrahlt wird. Alternativ dazu kann das Aufzeichnungsmedium frei sein von der Barriereschicht, und die zweite Substanz kann so angeordnet werden, daß sie zwei oder mehrere Bereiche unterschiedlicher Zusammensetzung oder zwei oder mehrere Phasen mit einem unterschiedlichen Kristallzustand aufweist. Folglich wird dann, wenn die äußere Energie nicht aufgebracht wird, die Reaktion zwischen der ersten Substanz und der zweiten Substanz unterdrückt. Somit wird eine Verschlechterung der Aufzeichnungseigenschaften des Aufzeichnungsmediums inhibiert.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Aufzeichnungsmedium, das eine erste Substanz und wenigstens eine zweite Substanz umfaßt und dessen optische Eigenschaften variiert wer­ den, um Information dadurch aufzuzeichnen, daß man eine äußere Energie zur Reaktion mit wenigstens einer der Substanzen erste und zweite Substanz aufbringt.
Als herkömmliches optisches Aufzeichnungsmedium offenbart beispielsweise die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (KOKAI) Nr. 62-226,442 ein optisches Aufzeichnungs­ medium, in dem ein Mischfilm (ein Film aus einer einzigen Schicht) als Aufzeichnungsfilm verwendet wird. Der Mischfilm ist zusammengesetzt aus einem Metall mit niedrigem Schmelzpunkt (z. B. In oder Zn) und einem Sulfid (z. B. GeSx). Die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (KOKAI) Nr. 2-152,029 offenbart ein anderes optisches Auf­ zeichnungsmedium, in dem ein Schichtenfilm als Aufzeichnungsfilm verwendet wird. Der Schichtenfilm ist zusammengesetzt aus einer metallischen Schicht (d. h. einer ersten Schicht), die Al, Cu oder Ag einschließt, und einer anderen Schicht (d. h. einer zweiten Schicht), die S, Se oder Mischungen daraus einschließt.
Diese Aufzeichnungsfilme werden gebildet durch ein Verfahren zur Abscheidung aus der Dampfphase oder ein Sputterverfahren. Da die Aufzeichnungsfilme Reaktivitätsvermögen zeigen, werden die Aufzeichnungsfilme durch Bestrahlung mit einem Aufzeichnungs-Laser­ strahl (oder durch Aufbringen einer äußeren Energie) chemisch und/oder physikalisch mo­ difiziert. Dementsprechend werden die optischen Eigenschaften der Aufzeichnungsfilme, wie beispielsweise das Reflexionsvermögen, variiert, wodurch Information aufgezeichnet wird.
Die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (KOKAI) Nr. 62-226,442 offenbart, den Mischfilm des Metalls mit niedrigem Schmelzpunkt (z. B. In etc.) und des Sulfids (z. B. GeS) in den bevorzugten Ausführungsformen durch ein gemeinsames Verfahren zur Abscheidung aus der Dampfphase auszubilden. Entsprechend den Untersuchungen, die von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführt wurden, schreitet jedoch die Reaktion zwischen dem Metall und dem Sulfid während der Bildung des Mischfilms beträchtlich fort. Dies hat zur Folge, daß eine Möglichkeit besteht, daß das gesamte Refle­ xionsvermögen des optischen Aufzeichnungsmediums signifikant abnimmt. Dies verursacht Probleme bei der Anwendung des optischen Aufzeichnungsmediums im praktischen Gebrauch.
Die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (KOKAI) Nr. 2-152,029 offenbart einen laminierten Aufbau, bei dem ein Metall hoher Reaktivität (z. B. Ag etc.) auf S laminiert wird. Nach den Untersuchungen, die von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführt wurden, kann es jedoch leicht abgeschätzt werden, daß ein derartiges System einen starken Abbau während der Zeit erleidet, beispielsweise dadurch, daß die Schichten sogar dann miteinander reagieren, wenn Information nicht aufgezeichnet wird. Aus diesem Grund wird angenommen, daß das optische Aufzeichnungsmedium Probleme im prakti­ schen Gebrauch aufwirft. Außerdem sind in den bevorzugten Ausführungsformen die C/N- Werte (Träger-Stör-Verhältnis, d. h. Verhältnis der Ausgangsleistung des Trägers zu Rauschen) aufgeführt, die jedoch nicht auf die vorteilhaften Eigenschaften schließen lassen.
Folglich sind in den herkömmlichen optischen Aufzeichnungsmedien unnötige Reaktionen wie beispielsweise die Reaktionen bei der Bildung der Filme und der Abbau mit der Zeit möglich, weil sie reaktive Aufzeichnungsfilme benötigen. Aus diesem Grund haben her­ kömmliche optische Aufzeichnungsmedien Probleme insofern, als die Aufzeichnungseigen­ schaften wie beispielsweise das Reflexionsvermögen bei der Bildung der Filme und während des gewöhnlichen Betriebs abgebaut werden.
Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf die obengenannten Probleme entwickelt. Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Reaktionen zu unterdrücken, die die Aufzeichnungseigenschaften eines Aufzeichnungsmediums verschlechtern, das eine erste Substanz und wenigstens eine zweite Substanz umfaßt und dessen optische Eigen­ schaften zum Aufzeichnen von Information durch Aufbringen einer äußeren Energie auf wenigstens eine der Substanzen erste und zweite Substanz und Umsetzen der ersten mit der zweiten Substanz variiert werden.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben Aufzeichnungsfilme untersucht, bei denen Information durch Bestrahlung mit einem Aufzeichnungs-Laserstrahl aufgezeichnet wurde. Die Erfinder berücksichtigten dabei, daß es einfacher ist, die Reaktionen in laminierten Aufbauten als in Einschichten-Filmen zu steuern. In den laminierten Aufbauten reagieren die laminierten Schichten miteinander bei Bestrahlung mit einem Laserstrahl, wodurch die optischen Eigenschaften variiert werden und Information aufgezeichnet wird. Basierend auf dieser Idee haben die Erfinder die Laminat-Konstruktionen sorgfältig studiert. Anschlie­ ßend haben die Erfinder darüber nachgedacht, einen Grenzwert zu schaffen, bei dem die Reaktion zwischen den jeweiligen Schichten stattfindet, und der unterschiedlich ist in dem Fall, in dem der Aufzeichnungs-Laserstrahl eingestrahlt wird, und dem Fall, in dem der Aufzeichnungs-Laserstrahl nicht eingestrahlt wird (einschließlich der Zeit während eines Verfahrens zur Herstellung des Films). Somit haben die Erfinder einen ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung zur Vervollständigung gebracht.
Der erste Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft ein Aufzeichnungsmedium, das eine erste Substanz und eine zweite Substanz: umfaßt, worin eine äußere Energie auf wenigstens eine der Substanzen erste und zweite Substanz aufgebracht wird, um diese zur Reaktion zu bringen, um die optischen Eigenschaften der Substanzen zum Aufzeichnen von Information zu verändern, wobei das Aufzeichnungsmedium umfaßt:
  • - eine erste Schicht, die aus einer ersten Substanz zusammengesetzt ist, die wenigstens eine Substanz einschließt, die gewählt ist aus S und Se;
  • - eine zweite Schicht, die aus einer zweiten Substanz zusammengesetzt ist, die ein Metall einschließt; und
  • - eine Barriereschicht, die zwischen der ersten und zweiten Schicht angeordnet ist, die die Reaktion zwischen der ersten und zweiten Schicht erlaubt, wenn ein Laserstrahl zum Aufzeichnen als äußere Energie eingestrahlt wird, und die Reaktion zwischen der ersten und zweiten Schicht unterdrückt, wenn ein Laserstrahl zum Aufzeichnen nicht eingestrahlt wird.
In dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung gehen dann, wenn der Laserstrahl zum Aufzeichnen eingestrahlt wird, nämlich wenn Information aufgezeichnet wird, die erste Schicht und/oder die zweite Schicht über die Barriereschicht (treten durch die Barriere­ schicht hindurch) und/oder zerstören (durchbrechen) die Barriereschicht in den Bereichen, die mit dem Laserstrahl bestrahlt werden. Die erste Schicht und die zweite Schicht gehen eine chemische Reaktion unter Bildung von Reaktionsprodukten (z. B. Sulfid, Selenid oder Mischungen daraus) ein. Demgemäß werden in diesen Bereichen die optischen Eigen­ schaften (z. B. Reflexionsvermögen etc.) variiert, so daß Information aufgezeichnet werden kann. Andererseits unterdrückt dann, wenn der Laserstrahl zum Aufzeichnen nicht einge­ strahlt wird (d. h. wenn die Filme gebildet werden oder wenn das vorliegende Aufzeich­ nungsmedium in gewöhnlichem Betrieb ist) die dazwischenliegende Barriereschicht die Reaktion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht. Folglich wird die Reaktion eines Aufzeichnungsfilms selbst unterdrückt. Aus diesem Grund ist es möglich, die Verschlechterung der Aufzeichnungseigenschaften des vorliegenden Aufzeichnungsmedi­ ums zu inhibieren.
Gemäß den Untersuchungen, die von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durch­ geführt wurden, wurde gefunden, daß die nachfolgenden Ausführungen für die erste Schicht, die zweite Schicht und die Barriereschicht geeignet sind.
Die erste Schicht kann vorzugsweise aus Ge und S zusammengesetzt sein. Genauer gesagt kann die erste Schicht vorzugsweise zusammengesetzt sein aus wenigstens einer Verbin­ dung, die gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus einer GeSx-Verbindung (0<x≦2), einer Ge-Zn-S-Verbindung und einer Ge-S-O-Verbindung. In der Verbindung GeSx kann der Wert "x" darüber hinaus vorzugsweise im Bereich von mehr als 1 bis 2 oder weniger liegen (d. h. 1<x≦2), weil das GeSx eine verstärkte Transparenz im sichtbaren Strahlenbe­ reich zeigt und weil die Laserenergie zum Aufzeichnen verringert werden kann.
Die zweite Schicht kann vorzugsweise zusammengesetzt sein aus wenigstens einem Element, das gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus Sn, In, Sb, Bi, Pb, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn und Ag. Genauer gesagt kann die zweite Schicht vorzugsweise zusammen­ gesetzt sein aus wenigstens einem Bestandteil, der gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus der einfachen Substanz In, der einfachen Substanz Cr, einer In-Sn-Legierung und einer Au-Cu-Legierung.
Die Barriereschicht kann vorzugsweise zusammengesetzt sein aus wenigstens einer Ver­ bindung, die gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus einem Metall, Sulfid, Nitrid, Borid, Kohlenstoff (C), Carbid, Oxid und Phosphid. Genauer gesagt kann die Barriere­ schicht vorzugsweise zusammengesetzt sein aus wenigstens einer Verbindung, die gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus der einfachen Substanz C, ZnS, der einfachen Substanz Si und SiO2. Außerdem kann in Abhängigkeit von den Materialqualitäten etc. die Dicke der Barriereschicht vorzugsweise 2 nm oder mehr sein und noch mehr bevorzugt im Bereich von 2 bis 5 nm liegen.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben die erste Substanz und die zweite Substanz: noch weiter untersucht und sich eine vorteilhafte Kombination der ersten und zweiten Substanz ausgedacht. Somit haben die Erfinder einen zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung zum Abschluß gebracht.
Der zweite Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Aufzeichnungsmedium, das eine erste Substanz und wenigstens eine zweite Substanz umfaßt und dessen optische Eigen­ schaften zum Aufzeichnen von Information variiert werden durch Aufbringen einer äußeren Energie zum Aufzeichnen auf wenigstens eine der Substanzen erste und zweite Substanz, um die erste und zweite Substanz zur Reaktion zu bringen, worin
  • - die erste Substanz wenigstens einen der Bestandteile S und Se einschließt; und
  • - die zweite Substanz zwei oder mehrere Bereiche unterschiedlicher Zusammen­ setzung oder zwei oder mehrere Phasen mit einem unterschiedlichen Kristall­ zustand aufweist.
In dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die zweite Substanz eine Substanz, in der zwei oder mehrere Bereiche unterschiedlicher Zusammensetzung oder zwei oder mehrere Phasen unterschiedlicher Kristallzustände existieren. Dementsprechend ist es mög­ lich, daß in der zweiten Substanz ein Bereich mit einer Zusammensetzung, der geeignet ist, um mit der ersten Substanz zu reagieren, neben dem anderen Bereich der Zusammen­ setzung, der weniger geeignet ist, um mit der ersten Substanz zu reagieren, koexistiert. Alternativ dazu ist es möglich, den Grad der Festkörper-Diffusion durch Variieren des Kristallzustandes in der zweiten Substanz zu verändern. Folglich ist es möglich, daß eine Phase hoher Reaktivität neben einer Phase niedriger Reaktivität in der zweiten Substanz koexistiert.
Deshalb wird in dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung angenommen, daß die Phase niedriger Reaktivität die Rolle einer Reaktionsbarriere bei der Bildung des Films oder während des Betriebs des vorliegenden Aufzeichnungsmediums spielt. Dies wird erreicht durch eine geeignete Einstellung der Zusammensetzung oder des Kristallzustandes in der zweiten Substanz. Somit ist es möglich, die unnötigen Reaktionen zu unterdrücken, die die Aufzeichnungseigenschaften des vorliegenden Aufzeichnungsmediums verschlech­ tern.
Eine vollständigere Einschätzung der vorliegenden Erfindung und viele ihrer Vorteile werden leicht erreicht, wenn die Erfindung besser unter Bezugnahme auf die folgende detaillierte Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstanden wird.
Fig. 1 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Partial-Querschnitt des Auf­ baus einer optischen Disk gemäß der ersten und zweiten bevorzugten Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
Fig. 2 ist eine Tabelle, die die Beziehungen zwischen den Dicken der Barrie­ reschichten und den Aufzeichnungseigenschaften der ersten bevorzugten Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung zusammenfaßt;
Fig. 3 ist eine Tabelle, die die Beziehungen zwischen den Dicken der Barrie­ reschichten und den Aufzeichnungseigenschaften der zweiten bevorzugten Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung zusammenfaßt;
Fig. 4 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Partial-Querschnitt des Auf­ baus einer optischen Disk gemäß der dritten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
Fig. 5 ist eine Tabelle, die die Aufzeichnungseigenschaften der dritten bevor­ zugten Ausführungsform und der vierten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und diejenigen eines Vergleichsbeispiels zusammen­ faßt; und
Fig. 6 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Partial-Querschnitt des Auf­ baus einer optischen Disk gemäß der vierten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
Nachdem die vorliegende Erfindung allgemein beschrieben wurde, kann ein besseres Verständnis erreicht werden durch die Bezugnahme auf die speziellen bevorzugten Aus­ führungsformen, die nur zum Zweck der Veranschaulichung angegeben werden, und mit denen nicht beabsichtigt ist, den Schutzbereich der Ansprüche zu beschränken.
Das Aufzeichnungsmedium dieser ersten bevorzugten Ausführungsform ist auf das Auf­ zeichnen von Information durch physikalische und/oder chemische Veränderung eines Aufzeichnungsfilms durch Bestrahlung mit einem Aufzeichnungs-Laserstrahl gerichtet. Beispielsweise ist es anwendbar für eine optische Disk, bei der Musik oder Daten als Information aufgezeichnet werden. Fig. 1 veranschaulicht den Partial-Querschnitt des Aufbaus einer optischen Disk (optisches Aufzeichnungsmedium) 100 dieser bevorzugten Ausführungsform.
Eine optische Disk 100 liegt als Ganzes in Scheibenform vor. Wie in Fig. 1 veranschau­ licht, wurde eine Mehrzahl an Schichten gebildet und laminiert. Die Bezugsziffer 1 ver­ anschaulicht ein scheibenförmiges transparentes Substrat (beispielsweise in einer Dicke von 1,2 mm), das beispielsweise aus Polycarbonat hergestellt ist. Ein Laserstrahl zum opti­ schen Aufzeichnen und Auslesen von Information tritt an einer Seite 1a des Substrats 1 in der Richtung ein, die durch den Pfeil A angegeben ist. Die Seite 1a, die Einfallsseite des Laserstrahls, ist eine flache Oberfläche. Auf der gegenüberliegenden Seite 1b ist eine spiralförmig oder konzentrisch geführte Rille (Spur) 1c zur Führung des Laserstrahls ausgebildet.
Auf der gegenüberliegenden Seite 1b des Substrats 1 ist ein Film 2 aus GeSx (0<x≧2) als erste Schicht ausgebildet. Auf dem GeSx-Film 2 ist ein ZnS-Film 3 als Barriereschicht ausgebildet. Auf dem ZnS-Film 3 ist ein In-Film 4 als zweite Schicht ausgebildet. Im vorliegenden Fall weist der ZnS-Film 3 eine Dicke auf (beispielsweise 2 nm oder mehr), die geeignet ist, um die physikalische und/oder chemische Reaktion zwischen dem GeSx Film 2 und dem In-Film 4 zu unterdrücken. Im vorliegenden Fall bilden die Filme 2, 3 und 4 einen Aufzeichnungsfilm 10 in der optischen Disk 100. Außerdem ist auf dem In- Film 4 ein mit ultravioletter Strahlung hartbarer Harzfilm (Schutzfilm) 5 ausgebildet, der den Aufzeichnungsfilm 10 bedeckt, um ihn zu schützen.
Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren für die optische Disk 100 unter Bezugnahme auf ein spezielles Beispiel detailliert beschrieben.
Das Substrat 1 wurde hergestellt. Die Seite 1a wurde als flache Oberfläche ausgebildet. Auf der gegenüberliegenden Seite 1b wurde eine Führungsrille 1c ausgebildet. Das Substrat 1 bestand aus einer Disk mit einer Dicke von 1,2 mm und war aus Polycarbonat hergestellt. Auf der gegenüberliegenden Seite 1b des Substrats 1 wurde der GeSx-Film 2 in einer Dicke von 182 nm durch ein RF-Magnetron-Sputterverfahren mit einem GeS2- Target unter den folgenden Filmbildungs-Bedingungen der Sputter-Gasspezies ausgebildet: M; Sputter-Gasdruck: 3 × 10-3 Torr; und zugeführte elektrische Energie: 50 bis 200 W.
Anschließend wurde, ohne das Vakuum aufzuheben, der ZnS-Film 3 in einer Dicke von 3 nm durch ein RF-Magnetron-Sputterverfahren mit einem ZnS-Target unter den folgenden Filmbildungs-Bedingungen der Sputter-Gasspezies ausgebildet: M; Sputter-Gasdruck: 3 × 10-3 Torr; und zugeführte elektrische Energie: 50 bis 200 W.
Weiter anschließend wurde, ohne das Vakuum aufzuheben, der In-Film 4 in einer Dicke von 65 nm durch ein RF-Magnetron-Sputterverfahren mit einem In-Target unter den folgenden Filmbildungs-Bedingungen der Sputter-Gasspezies ausgebildet: M; Sputter- Gasdruck: 3 × 10-3 Torr; und zugeführte elektrische Energie: 50 bis 200 W.
Zum Schluß wurde das mit ultravioletter Strahlung härtbare Harz durch ein Wirbelbe­ schichtungs-Verfahren beschichtungsmäßig aufgebracht.
Das mit ultravioletter Strahlung härtbare Harz wurde gehärtet unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberdampf-Lampe, um den Harzfilm 5 auszubilden. Auf diese Weise wurde die optische Disk 100 hergestellt.
Die Aufzeichnungsvorgänge der optischen Disk 100 dieser bevorzugten Ausführungsform werden nachfolgend beschrieben. Im Bereich der Führungsrille 1c tritt der Aufzeichnungs- Laserstrahl in Richtung des Pfeils A ein bzw. wird in Richtung des Pfeils A eingestrahlt und wird optisch an der Oberfläche des In-Films 4 fokussiert. Der In-Film 4 geht in den ZnS-Film 3 über bzw. durchbricht den ZnS-Film 3, und der GeSx-Film 2 und der In-Film 4 gehen eine chemische Reaktion ein. Demgemäß unterscheiden sich die optischen Eigen­ schaften (Reflexionsvermögen etc.) in den Bereichen, in denen eine Reaktion stattgefunden hat, so daß Information aufgezeichnet werden kann. Es wird angenommen, daß bei der Reaktion zwischen dem GeSx-Film 2 und dem In-Film 4 Sulfide (InS3) etc. gebildet werden.
Wenn der Aufzeichnungs-Laserstrahl nicht eingestrahlt wird (beispielsweise dann, wenn die Filme gebildet werden oder wenn die optische Disk 100 in gewöhnlichem Betrieb ist) wird die Reaktion zwischen dem GeSx-Film 2 und dem In-Film 4 unterdrückt, weil der GeSx-Film 2 und der In-Film 4 durch den ZnS-Film 3 voneinander getrennt sind. Demzu­ folge wird die Reaktion des Aufzeichnungsfilms 10 als solchem unterdrückt. Dies hat zur Folge, daß eine Verschlechterung der Aufzeichnungseigenschaften inhibiert werden kann. Die Wirkungsweisen und Vorteile dieser bevorzugten Ausführungsform werden nachfol­ gend noch spezieller unter Bezugnahme auf die Ergebnisse von Untersuchungen beschrie­ ben, in denen die optische Disk 100 (Probe Nummer 3 in Fig. 2 wird später beschrie­ ben), die durch das obengenannte Herstellungsverfahren hergestellt worden war, unter­ worfen wurde.
In der optischen Disk 100, die durch das obengenannte Herstellungsverfahren hergestellt worden war, wurde Information aufgezeichnet, daß man einen Laserstrahl (Aufzeichnungs- Laserstrahl) mit einer Wellenlänge von 780 nm von der flachen Oberflächenseite (Seite 1a) durch eine Objektivlinse einer NA (numerischen Apertur) von 0,5 einstrahlte und den Laserstrahl an der Oberfläche des In-Films 4 optisch fokussierte. Zu diesem Zeitpunkt waren die Bestrahlungsbedingungen wie folgt: lineare Geschwindigkeit: 2,8 m/s; Auf­ zeichnungsfrequenz: 400 kHz; und Wellenform des Aufzeichnungslasers: Rechteckswelle mit einem Tastverhältnis (duty ratio) von 50%.
Die Eigenschaften (Aufzeichnungseigenschaften) der optischen Disk 100 waren in diesem Fall wie folgt: Reflexionsvermögen in den Bereichen, in denen nicht aufgezeichnet wurde: 65%; Aufzeichnungs-Laserenergie: 7 mW; C/N-Verhältnis: 50 dB; und Modulation: 83 %. Es ist anzumerken, daß die Modulation ein Wert ist, der erhalten wird durch Sub­ trahieren des Reflexionswertes nach dem Aufzeichnen von dem Reflexionswert vor dem Aufzeichnen, Multiplizieren der Differenz mit einem Faktor 100 und Dividieren des Produktes durch den Reflexionswert vor dem Aufzeichnen.
Fig. 2 faßt die Ergebnisse der Eigenschaften der optischen Disk, wie sie oben dargelegt wurde, zusammen, die gemessen wurden durch unterschiedliche Änderung der Dicke des ZnS-Films 3 als Barriereschicht (Proben Nummern 1, 2, 4 und 5), und faßt auch die oben angegebenen Ergebnisse (Proben Nummer 3) zusammen. Es ist anzumerken, daß die Summe der Dicke des GeSx-Films 2 und des ZnS-Films 3 bei λ/2, einer Lichtweg-Dicke, eingestellt wurde, im Hinblick auf die Wellenlänge λ des Laserstrahls. Es ist ebenso anzumerken, daß in Fig. 2, Proben Nummer 6 ein Vergleichsbeispiel gemäß der vor­ liegenden Erfindung war, die keine Barriereschicht aufwies.
Wie in Fig. 2 angegeben, ist ersichtlich, daß die optischen Disks 100 der bevorzugten Ausführungsform, die als Proben Nummern 1 bis 5 angegeben sind, ein merklich höheres Reflexionsvermögen aufweisen als die optische Disk des Vergleichsbeispiels (Proben Nummer 6), und daß sie gut ausgewogen sind, was die Eigenschaften wie beispielsweise das Reflexionsvermögen, die Aufzeichnungsenergie, das C/N-Verhältnis und die Modula­ tion angeht. Dies ergibt sich aus der Anordnung, daß die Reaktion zwischen dem GeSx- Film 2 und dem In-Film 4 sogar bei der Bildung des Films unterdrückt wird. Es ist anzumerken, daß beim Vergleich des Reflexionsvermögens von Proben Nummer 1 mit denjenigen der Proben Nummern 2 bis 5 der ZnS-Film 3 als Barriereschicht vorzugsweise eine Dicke von 2 nm oder mehr im Hinblick auf die Eigenschaften der optischen Disks aufweisen kann.
Außerdem wurden die entsprechenden optischen Disks der Proben Nummern 1 bis 6 einem Umweltbeständigkeits-Test unterworfen, der bei einer Temperatur von 55°C für eine Zeitdauer von 96 h durchgeführt wurde. Die optischen Disks (Proben Nummern 1 bis 5) der bevorzugten Ausführungsform zeigten innerhalb des Meßfehlerbereichs kaum eine Ver­ schlechterung der charakteristischen Eigenschaften. Bei der optischen Disk des Vergleichs­ beispiels war es hingegen unmöglich, die aufgezeichneten Daten auszulesen. Bei der optischen Disk des Vergleichsbeispiels verschlechterte sich das Reflexionsvermögen erheblich (es veränderte sich von 35% auf 28%). Der Vorteil ergibt sich aus der Anord­ nung, daß die Reaktion zwischen dem GeSx-Film 2 und dem In-Film 4 durch die Anwesen­ heit des ZnS-Films 3 unterdrückt wird.
Soweit beschrieben, sind die optischen Disks 100 der bevorzugten Ausführungsform, die dadurch gekennzeichnet sind, daß sie ausgewogen waren, was die Eigenschaften wie beispielsweise das Reflexionsvermögen, die Aufzeichnungsenergie, das C/N-Verhältnis und die Modulation betrifft, besser als herkömmliche optische Disks, die keine Barriereschicht aufweisen.
Darüber hinaus ist in der bevorzugten Ausführungsform der ZnS-Film 3 zwischen dem GeSx-Film 2 und dem In-Film 4 eingeschoben. Dementsprechend wird die Reaktion bei der Bildung der Films, unter gewöhnlichen Umweltbedingungen und unter Bedingungen hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit wie beispielsweise in dem Umweltbeständigkeits-Test, wie er oben angegeben wurde, unterdrückt. Somit kann das Reflexionsvermögen (anfang­ liches Reflexionsvermögen) in den Bereichen der optischen Disk, in denen nicht aufge­ zeichnet wurde, merklich erhöht werden, und die Verschlechterung der Aufzeichnungs­ eigenschaften (Reflexionsvermögen, Aufzeichnungsenergie, C/N-Verhältnis und Modula­ tion) kann inhibiert werden. Darüber hinaus kann die Aufrechterhaltung der Eigenschaften der Daten erheblich verbessert werden.
Zweite bevorzugte Ausführungsform
In der optischen Disk 100, die in Fig. 1 veranschaulicht wird, unterscheidet sich die zweite bevorzugte Ausführungsform von dem Aufzeichnungsmedium der obengenannten ersten bevorzugten Ausführungsform dadurch, daß die Barriereschicht ein Kohlenstoff-(C-) Film 3a anstelle des ZnS-Films ist. Das Aufzeichnungsmedium dieser bevorzugten Aus­ führungsform funktioniert und bewirkt Vorteile im wesentlichen in derselben Weise wie die obengenannte erste bevorzugte Ausführungsform. Nachfolgend werden die Teile, die sich von denjenigen der ersten bevorzugten Ausführungsform unterscheiden, hauptsächlich beschrieben. Ein Verfahren zur Herstellung dieser bevorzugten Ausführungsform wird im Detail unter Bezugnahme auf ein spezielles Beispiel beschrieben.
Als erstes wurde auf der gegenüberliegenden Seite 1b des Substrats 1 der GeSx-Film 2 in einer Dicke von 182 nm durch ein RF-Magnetron-Sputterverfahren, wie es oben angegeben wurde, gebildet. Anschließend wurde, ohne das Vakuum aufzuheben, der C-Film 3a in einer Dicke von 3 nm durch ein RF-Magnetron-Sputterverfahren mit einem C-Target unter den folgenden Filmbildungs-Bedingungen der Sputter-Gasspezies gebildet: Ar; Sputter- Gasdruck: 3 × 10-3 Torr; und zugeführte elektrische Energie: 200 bis 400 W. Im Anschluß daran wurde der In-Film 4 in einer Dicke von 65 nm gebildet, und der Harzfilm 5 wurde wie oben angegeben gebildet. Auf diese Weise wurde die optische Disk 200 hergestellt. Die Filme 2, 3a und 4 bilden einen Aufzeichnungsfilm 20 in der optischen Disk 200.
In der optischen Disk 200 wurde Information dadurch aufgezeichnet, daß man einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 780 nm von der flachen Oberflächenseite (Seite 1a) einstrahlte, und den Laserstrahl an der Oberfläche des In-Films 4 unter denselben Laser­ strahl-Bestrahlungsbedingungen, wie sie oben angegeben wurden, optisch fokussierte. Die Eigenschaften der optischen Disk 200 in diesem Beispiel waren wie folgt Reflexionsver­ mögen in den Bereichen, in denen nicht aufgezeichnet wurde: 65%; Aufzeichnungs- Laserenergie: 8 mW; C/N-Verhältnis: 48 dB; und Modulation: 85%.
Außerdem faßt Fig. 3 die Ergebnisse der Eigenschaften der optischen Disk, wie sie oben dargelegt wurden, zusammen, die gemessen wurden durch unterschiedliche Änderung der Dicke des C-Films 3a (Proben Nummern 7 und 8), und faßt auch die obengenannten Ergebnisse (Proben Nummer 9) zusammen. Es ist anzumerken, daß die Summe der Dicke des GeSx-Films 2 und des C-Films 3a ebenso bei λ/2, einer Lichtweg-Dicke, eingestellt wurde, im Hinblick auf die Wellenlänge λ des Laserstrahls. Wie in Fig. 3 dargelegt, ist ersichtlich, daß die optischen Disks 200 dieser bevorzugten Ausführungsform, die als Proben Nummern 7 bis 9 aufgeführt sind, ein merklich höheres Reflexionsvermögen aufwiesen, als die optische Disk des obengenannten Vergleichsbeispiels (Proben Nummer 6), und daß sie ausgewogen waren, was die Eigenschaften wie beispielsweise das Refle­ xionsvermögen, die Aufzeichnungsenergie, das C/N-Verhältnis und die Modulation betrifft. Es ist erwünscht, daß der C-Film 3a vorzugsweise eine Dicke von 2 nm oder mehr aufweisen kann, im Hinblick auf die Eigenschaften der optischen Disks.
Somit unterdrückt auch in dieser bevorzugten Ausführungsform die Anwesenheit des C- Films 3a die Reaktion zwischen dem GeSx-Film 2 und dem In-Film 4 bei der Bildung der Filme. Demgemäß ist es möglich, die Reaktionen in dem Aufzeichnungsfilm 20 zu unterdrücken, nämlich die Reaktionen, die die Aufzeichnungseigenschaften verschlechtern.
Modifizierte Varianten der ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsform
Zusätzlich kann die erste Schicht aus einer Ge-Zn-S-Verbindung oder einer Ge-S-O- Verbindung zusammengesetzt sein. Die zweite Schicht kann aus Cu oder Fe zusammen­ gesetzt sein. Die Barriereschicht kann aus Si oder SiO2 zusammengesetzt sein. In den speziellen Anordnungen der optischen Disk 100 oder 200 werden die Verbindungen oder Elemente, aus denen sie bestehen, ausgewählt und kombiniert. Derartige spezielle Anord­ nungen funktionieren und bewirken Vorteile in derselben Weise wie bei der ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsform.
Darüber hinaus können die Barriereschichten 3 und 3a eine Substanz als Bestandteil, aus dem sie gebildet werden, einschließen, deren Schmelzpunkt oder Zersetzungstemperatur (nachfolgend als Schmelzpunkt bezeichnet) 300°C oder weniger ist. Bei der Aufzeich­ nung von Information zersetzen sich, sublimieren oder schmelzen also die Barriereschich­ ten 3 und 3a in den Bereichen, die aus der oben angegebenen Substanz zusammengesetzt sind, wenn der Aufzeichnungsfilm durch den Laserstrahl auf eine Temperatur erhitzt wird, die höher ist als der Schmelzpunkt. Folglich können die erste Schicht und die zweite Schicht miteinander reagieren, und dadurch kann Information aufgezeichnet werden. Vor der Aufzeichnung von Information trennt die Barriereschicht 3 und 3a die erste Schicht 2 von der zweiten Schicht 4, und dadurch wird die Reaktion zwischen der ersten und zweiten Schicht 2 und 4 inhibiert. Folglich ist es möglich, die Stabilität des Aufzeichnungsfilms 10 oder 20 gegen Hitze weiter zu verbessern.
Der Schmelzpunkt der Substanz: kann vorzugsweise 300°C oder weniger sein, noch mehr bevorzugt in den Bereich von 100 bis 300°C fallen, weil die Energie des Aufzeichnungs- Laserstrahls, die aufgebracht wird, um Information aufzuzeichnen, erhöht werden soll, wenn der Schmelzpunkt 300°C überschreitet. Folglich ist ein höherer Schmelzpunkt unpraktisch. Beispielsweise kann die Substanz, die einen Schmelzpunkt von 300°C oder weniger aufweist, aus organischen Substanzen wie beispielsweise Alkyl-Verbindungen bestehen, und kann vorzugsweise transparent oder metallisch glänzend sein, im Hinblick auf die Wellenlänge des Aufzeichnungs-Laserstrahls.
In der optischen Disk 100, die in Fig. 1 gezeigt ist, können die Schichten 2 bis 4 des Aufzeichnungsfilms 10 in umgekehrter Reihenfolge laminiert werden. Beispielsweise können die Schichten in der folgenden Reihenfolge gebildet werden: Auf der anderen gegenüberliegenden Oberfläche 1b des Substrats 1 kann die zweite Schicht wie beispiels­ weise der In-Film gebildet werden. Auf der zweiten Schicht kann die Barriereschicht wie beispielsweise der ZnS-Film oder der C-Film gebildet werden. Auf der Barriereschicht kann die erste Schicht wie beispielsweise der GeSx-Film gebildet werden. In diesem Beispiel kann die erforderliche Dicke der Barriereschicht dünner sein als diejenige in der ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsform. Wenn dies der Fall ist, ist es möglich, ähnliche Vorteile zu erhalten.
Dritte bevorzugten Ausführungsform
Ein Aufzeichnungsmedium gemäß der dritten bevorzugten Ausführungsform wird bei einer optischen Disk angewandt, in der Information dadurch aufgezeichnet wird, daß ein Laser­ strahl auf einen Aufzeichnungsfilm aufgebracht wird. Der Laserstrahl fungiert als äußere Energie. Der Aufzeichnungsfilm weist eine erste Substanz: und eine zweite Substanz auf. Fig. 4 veranschaulicht den Partial-Querschnitt des Aufbaus einer optischen Disk 300 dieser bevorzugten Ausführungsform.
Eine optische Disk 300 liegt als Ganzes in Scheibenform vor. Wie in Fig. 4 veranschau­ licht, wurde eine Mehrzahl an Schichten gebildet und laminiert. Die Bezugsziffer 1 ver­ anschaulicht ein scheibenförmiges transparentes Substrat (beispielsweise in einer Dicke von 1,2 mm), das beispielsweise aus Polycarbonat hergestellt ist. Ein Laserstrahl zum opti­ schen Aufzeichnen und Auslesen von Information tritt an einer Seite 1a des Substrats 1 in der Richtung ein, die durch den Pfeil A angegeben ist. Die Seite 1a, die Einfallsseite des Laserstrahls, ist eine flache Oberfläche. Auf der gegenüberliegenden Seite 1b ist eine spiralförmig oder konzentrisch geführte Rille (Spur) 1c zur Führung des Laserstrahls ausgebildet.
Auf der gegenüberliegenden Oberfläche 1b des Substrats 1 wurde ein Film 2 aus GeSx als erste Schicht (erste Substanz) gebildet. Auf dem GeSx-Film 2 wurde ein Sn-57 Gew.-% Bi- Film 6 als zweite Schicht (zweite Substanz) gebildet. Die Filme 2 und 6 bilden einen Auf­ zeichnungsfilm 30 in der optischen Disk 300. Darüber hinaus wurde auf dem Sn-57 Gew.­ % Bi-Film 6 ein Harzfilm (Schutzfilm) 5 gebildet, der den Aufzeichnungsfilm 30 bedeckt, um ihn zu schützen, und dieser schließt ein mit ultravioletter Strahlung härtbares Harz ein.
Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren für die optische Disk 300 unter Bezugnahme auf ein spezielles Beispiel detailliert beschrieben.
Das Substrat 1 wurde hergestellt. Die Seite 1a wurde als flache Oberfläche ausgebildet. Auf der gegenüberliegenden Seite 1b wurde eine Führungsrille 1c ausgebildet. Das Substrat 1 bestand aus einer Disk mit einer Dicke von 1,2 mm und war aus Polycarbonat hergestellt. Auf der gegenüberliegenden Seite 1b des Substrats 1 wurde der GeSx-Film 2 in einer Dicke von 146 nm durch ein RF-Magnetron-Sputterverfahren mit einem GeS2- Target unter den folgenden Filmbildungs-Bedingungen der Sputter-Gasspezies ausgebildet: Ar; Sputter-Gasdruck: 4 × 10-3 Torr; und zugeführte elektrische Energie: 50 bis 300 W.
Anschließend wurde der Sn-57 Gew.-% Bi-Film 6 in einer Dicke von 50 nm durch ein Gleichstrom-(DC-) Sputterverfahren mit einem Sn-57 Gew.-% Bi-Target unter den folgen­ den Filmbildungs-Bedingungen der Sputter-Gasspezies gebildet: Ar; Sputter-Gasdruck: 4 × 10-3 Torr; und zugeführte elektrische Energie: 50 bis 300 W.
Zum Schluß wurde das mit ultravioletter Strahlung härtbare Harz durch ein Wirbel­ beschichtungs-Verfahren beschichtungsmäßig aufgebracht.
Das mit ultravioletter Strahlung härtbare Harz wurde unter Verwendung einer Hochdruck- Quecksilberdampf-Lampe unter Bildung des Harzfilms 5 gehärtet. Auf diese Weise wurde die optische Disk 300 hergestellt.
Die Aufzeichnungsvorgänge der optischen Disk 300 der bevorzugten Ausführungsform werden nachfolgend beschrieben. Im Bereich der Führungsrille 1c tritt der Aufzeichnungs- Laserstrahl in Richtung des Pfeils A ein, und wird an der Oberfläche des Sn-57 Gew.-% Bi-Films 6 optisch fokussiert. Der GeSx-Film 2 und der Sn-57 Gew.-% Bi-Film 6 gehen eine chemische Reaktion ein. Demgemäß ändern sich die optischen Eigenschaften (Refle­ xionsvermögen etc.) in den Bereichen, in denen eine Reaktion stattfand, so daß Informa­ tion aufgezeichnet werden kann.
Es wird angenommen, daß bei der Reaktion zwischen dem GeSx-Film 2 und dem Sn-57 Gew.-% Bi-Film 6 Sulfide (SnS und SnS2) etc. gebildet werden.
In der optischen Disk 300, die durch das obengenannte Herstellungsverfahren hergestellt worden war, wurde Information dadurch aufgezeichnet, daß man einen Laserstrahl (Auf­ zeichnungs-Laserstrahl) mit einer Wellenlänge von 780 nm von der flachen Oberflächensei­ te (Seite 1a) durch eine Objektivlinse mit einer NA (numerischen Apertur) von 0,5 einstrahlte und den Laserstrahl an der Oberfläche des Sn-57 Gew.-% Bi-Films 6 optisch fokussierte. Zu diesem Zeitpunkt waren die Bestrahlungsbedingungen wie folgt: lineare Geschwindigkeit: 2,8 m/s; Aufzeichnungsfrequenz: 400 kHz; und Wellenform des Auf­ zeichnungslasers: Rechteckswelle mit einem Tastverhältnis von 50%.
Wie in Fig. 5 dargestellt, waren in diesem Beispiel die Eigenschaften (Aufzeichnungs­ eigenschaften) der optischen Disk 300 wie folgt: Reflexionsvermögen in den Bereichen, in denen nicht aufgezeichnet wurde: 65%; Aufzeichnungs-Laserenergie: 7 mW; C/N- Verhältnis: 50 dB; und Modulation: 85%. Es ist anzumerken, daß die Modulation ein Wert ist, der erhalten wird durch Subtrahieren des Reflexionswertes nach dem Aufzeichnen von dem Reflexionswert vor dem Aufzeichnen, Multiplizieren der Differenz mit einem Faktor 100 und Dividieren des Produktes durch den Reflexionswert vor dem Aufzeichnen.
Darüber hinaus faßt Fig. 5 auch die Ergebnisse eines Vergleichsbeispiels zu der vor­ liegenden Erfindung zusammen, das einen Sn-Film 7 anstelle des Sn-57 Gew.-% Bi-Films 6 als zweite Schicht verwendete. In diesem Beispiel waren die Eigenschaften (Aufzeich­ nungseigenschaften) der optischen Disk 300 wie folgt Reflexionsvermögen in den Berei­ chen, in denen nicht aufgezeichnet wurde: 30%; Aufzeichnungs-Laserenergie: 6 mW; C/N-Verhältnis: 47 dB; und Modulation: 85%.
Wie in Fig. 5 dargelegt, ist ersichtlich, daß die optische Disk 300 dieser bevorzugten Ausführungsform ein merklich höheres Reflexionsvermögen (Reflexionsvermögen in den Bereichen, in denen nicht aufgezeichnet wurde) aufweist als die optische Disk des oben­ genannten Vergleichsbeispiels und daß sie ausgewogen war, was die Eigenschaften wie beispielsweise das Reflexionsvermögen (Reflexionsvermögen in den Bereichen, in denen nicht aufgezeichnet wurde), die Aufzeichnungsenergie, das C/N-Verhältnis und die Modu­ lation betrifft.
Diese Vorteile werden in der folgenden Weise bewirkt. Wenn der Sn-Film 7 als zweite Schicht verwendet wurde, entwickelte sich zwangsläufig eine Reaktion zwischen dem GeSx-Film 2 (d. h. der ersten Schicht) und dem Sn-Film 7. Andererseits wurde dann, wenn der Sn-57 Gew.-% Bi-Film 6 als zweite Schicht verwendet wurde, die Reaktion zwischen dem GeSx-Film 2 (d. h. der ersten Schicht) und dem Sn-57 Gew.-% Bi-Film 6 unterdrückt.
Darüber hinaus wurden die zwei optischen Disks 300 einem Umweltbeständigkeits-Test unterworfen, der bei einer Temperatur von 55°C und für eine Zeitdauer von 96 h durch­ geführt wurde. Die optische Disk 300 der bevorzugten Ausführungsform konnte die aufgezeichneten Daten auslesen. Andererseits war es für die optische Disk 300 des Ver­ gleichsbeispiels unmöglich, die aufgezeichneten Daten auszulesen.
Wie oben dargelegt, war die optische Disk 300 der bevorzugten Ausführungsform besser ausgewogen, was die Eigenschaften wie beispielsweise das Reflexionsvermögen, die Aufzeichnungsenergie, das C/N-Verhältnis und die Modulation betrifft, als die herkömm­ liche optische Disk; Es wird angenommen, daß die folgenden Funktionsweisen die Vorteile bewirken.
Als erstes unterscheiden sich die Reaktivitäten bei der Bildung der Filme stark, sogar dann, wenn die zweite Substanz dasselbe Sn enthält. Man geht davon aus, daß die Gründe diejenigen sind, die nachfolgend beschrieben werden. Ursprünglich sind GeSx und Sn Substanzen, die geeignet sind, zu reagieren. Wenn jedoch die Sn-57 Gew.-% Bi-Legierung als zweite Schicht wie in der bevorzugten Ausführungsform verwendet wird, besteht die zweite Schicht aus wenigstens zwei Phasen. Es bildet sich nämlich ein feiner Bereich P, der Sn oder Sn-Bi enthält, worin Sn eine Hauptkomponente ist, und ein feiner Bereich Q, der Bi oder Sn-Bi enthält, worin Bi eine Hauptkomponente ist.
Dieses Phänomen resultiert aus der Tatsache, daß die Sn-57 Gew.-% Bi-Legierung eine eutektische Legierung ist, und daß sie einen niedrigen Schmelzpunkt von etwa 139°C aufweist. Die Kristalle in dem Bereich P haben tetragonale Strukturen, und die Kristalle in dem Bereich Q haben romboedrische Strukturen. In dieser bevorzugten Ausführungs­ form tritt demgemäß der GeSx-Film 2 (d. h. die erste Schicht) mit den Sn-57 Gew.-% Bi- Film 6 über den feinen Bereich P mit hoher Reaktivität und dem feinen Bereich Q mit niedriger Reaktivität in Kontakt. Man geht davon aus, daß die Anwesenheit des feinen Bereichs Q die Reaktion bei der Bildung der Filme unterdrückt.
Da die Sn-57 Gew.-% Bi-Legierung einen niedrigen Schmelzpunkt von etwa 139°C aufweist, ist es möglich, die Bereiche P und Q bei der Bildung der Filme fein zu mischen, und sie einheitlich in der gesamten zweiten Schicht zu verteilen. Wenn der Schmelzpunkt zu hoch ist, ist es sehr schwierig, die Phasen völlig zu trennen. Folglich wird die zweite Schicht aus einem im wesentlichen einzeln zusammengesetzten Teil oder einer einzigen Phase gebildet. Folglich wird davon ausgegangen, daß die Wirkungsweise des feinen Bereichs Q nicht erreicht wird. Somit ist ein derartiger hoher Schmelzpunkt nicht bevor­ zugt.
Trotz der Tatsache, daß die Erhöhung des Licht-Absorptionsvermögens durch die Zunahme des Reflexionsvermögens in der optischen Disk 300 dieser bevorzugten Ausführungsform stärker abnimmt als im Vergleichsbeispiel, ist die Aufzeichnungsenergie der optischen Disk 300 dieser bevorzugten Ausführungsform gering. Man geht davon aus, daß der Grund hauptsächlich auf die Erniedrigung des Schmelzpunkts der Substanz der zweiten Schicht (Sn-57 Gew.-% Bi-Legierung) zurückzuführen ist.
Der Schmelzpunkt von Sn ist etwa 232°C. Der Schmelzpunkt der Sn-57 Gew.-% Bi- Legierung ist etwa 139°C, wie vorstehend angegeben. Der niedrige Schmelzpunkt führt jedoch nicht nur zum Erreichen der Modulation, die äquivalent ist mit derjenigen des Vergleichsbeispiels. Wenn der Aufzeichnungs-Laserstrahl in die optische Disk 300 eintritt, schmilzt in dieser bevorzugten Ausführungsform die Sn-57 Gew.-% Bi-Legierung zu einer geschmolzenen Flüssigkeit, so daß im wesentlichen Sn und Bi vollständig miteinander gemischt werden. Folglich kann Sn hoher Reaktivität direkt mit GeSx reagieren. Da Sn eine geschmolzene Flüssigkeit ist, ist gleichzeitig die Reaktion zwischen Sn und GeSx eine hochreaktive Reaktion zwischen einer flüssigen Phase und einer festen Phase, die heftiger ist als eine Reaktion zwischen festen Phasen. Somit ist es möglich, die hohe Modulation zu erhalten.
Das C/N-Verhältnis der optischen Disk 300 dieser bevorzugten Ausführungsform war größer als dasjenige des Vergleichsbeispiels. Dieser Vorteil resultiert aus dem niedrigen Rauschpegel dieser bevorzugten Ausführungsform. Der Rauschpegel der optischen Disk 300 dieser bevorzugten Ausführungsform betrug etwa -58 dBm. Der Rauschpegel der optischen Disk 300 des Vergleichsbeispiels betrug etwa -51 dBm. Man geht davon aus, daß der Unterschied derjenige ist, wie er nachfolgend beschrieben wird.
Wenn Sn als zweite Schicht wie in dem Vergleichsbeispiel verwendet wird, kristallisiert Sn an der Oberfläche des Substrats bei der Bildung des Films wieder aus, da Sn einen niedrigen Schmelzpunkt aufweist. Da Sn ein einfaches Metall ist, wachsen darüber hinaus die Kristallteilchen körnig bei der Bildung des Films. Folglich wachsen die Kristallteilchen letztendlich auf eine Teilchengröße von einigen Dutzend bis zu einigen Hundert nm, was etwa der Größe der Wellenlänge eines Laserstrahls entspricht, der verwendet wird, um die in der optischen Disk gespeicherten Daten auszulesen. Somit wird ein Teil des Laser­ strahls, der beim Auslesen der in der optischen Disk gespeicherten Daten optisch fokussiert wird, gestreut, und führt dazu, daß ein weißes Rauschen hervorgerufen wird, was den Geräuschpegel der optischen Disk erhöht. Folglich ist das weiße Rauschen die Ursache für die Verschlechterung des C/N-Verhältnisses, das eines der Aufzeichnungseigenschaften ist.
Wenn andererseits eine Sn-57 Gew.-% Bi-Legierung als zweite Schicht in dieser bevorzug­ ten Ausführungsform verwendet wird, besteht die zweite Schicht aus zwei oder mehreren Phasen, die den feinen Bereich P und wenigstens den feinen Bereich Q einschließen. Die Sn-57 Gew.-% Bi-Legierung, deren Schmelzpunkt niedriger ist als derjenige von Sn, kristallisiert an der Oberfläche des Substrats bei der Bildung des Films auch wieder aus. Da jedoch die Sn-57 Gew.-% Bi-Legierung eine eutektische Legierung ist, wird das Kornwachstum der Teilchen auf ein gewisses Ausmaß unterdrückt. Folglich wird die zweite Schicht gebildet durch die steigende Anzahl an Teilchen und nicht durch das Wachstum der Teilchen.
Somit wird die Streuung des Laserstrahls, der beim Auslesen der in der optischen Disk gespeicherten Daten optisch fokussiert wird, in dieser bevorzugten Ausführungsform viel stärker reduziert als im Vergleichsbeispiel. Demgemäß wird der Rauschpegel der optischen Disk 300 dieser bevorzugten Ausführungsform erniedrigt. Folglich wird die Verschlechte­ rung des C/N-Verhältnisses, das eine der Aufzeichnungseigenschaften ist, inhibiert. Somit zeigt die optische Disk 300 dieser bevorzugten Ausführungsform gute Aufzeichnungseigen­ schaften.
Wie oben beschrieben, ist es möglich zu sagen, daß aufgrund der verschiedenen Wirkungs­ weisen die optische Disk 300 dieser bevorzugten Ausführungsform besser ausgewogen ist, was die Eigenschaften wie beispielsweise das Reflexionsvermögen, die Aufzeichnungs­ energie, das C/N-Verhältnis und die Modulation betrifft, als die herkömmliche optische Disk.
Ähnlich den Vorteilen bei der Bildung der Filme wird davon ausgegangen, daß die eine Reaktion inhibierende Wirkung des feinen Bereichs Q, der als Reaktionsbarriere in der zweiten Schicht fungiert, zu einem Unterschied der Ergebnisse des Umweltbeständigkeits- Tests dieser bevorzugten Ausführungsform zu denen des Vergleichsbeispiels führt. Somit ist es möglich zu sagen, daß diese bevorzugte Ausführungsform dahingehend gut ist, als die Reaktion zwischen den Filmen 2 und 6 unterdrückt wird, nämlich eine Reaktion, die die Aufzeichnungseigenschaften beim Gebrauch verschlechtert.
Vierte bevorzugte Ausführungsform
Fig. 6 veranschaulicht den Partial-Querschnitt der Anordnung einer optischen Disk 400 gemäß der vierten bevorzugten Ausführungsform. Zusätzlich zu der Anordnung des Aufzeichnungsfilms der optischen Disk 300, die in Fig. 4 veranschaulicht ist, verwendet die optische Disk 400 eine besondere Filmanordnung. Die optische Disk 400 ist nämlich dadurch gekennzeichnet, daß eine dritte Schicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet ist, daß die dritte Schicht ermöglicht, daß die erste Schicht und die zweite Schicht miteinander reagieren, wenn sie mit einem Aufzeichnungs-Laserstrahl bestrahlt werden, und daß die dritte Schicht die Reaktion der ersten Schicht und der zweiten Schicht inhibiert, wenn sie nicht mit dem Aufzeichnungs-Laserstrahl bestrahlt werden. Diese bevorzugte Ausführungsform funktioniert und bewirkt Vorteile in derselben Weise wie dies für die obengenannte dritte bevorzugte Ausführungsform angegeben wurde. Nachfolgend werden die Teile, die sich von denjenigen der dritten bevorzugten Aus­ führungsform unterscheiden, hauptsächlich beschrieben. Dieselben Bestandteile sind durch dieselben Bezugszeichen in der Zeichnung angegeben und werden nicht beschrieben.
In dieser bevorzugten Ausführungsform wurde ein Film 2 aus GeSx (0<x≦2), der iden­ tisch ist mit den GeSx-Film 2 der dritten bevorzugten Ausführungsform, als erste Schicht (d. h. erste Substanz) verwendet. Ein Sn-3,2 Gew.-% Ag-2 Gew.-% Bi-Film 8 wurde als zweite Schicht (d. h. zweite Substanz) verwendet. Ein ZnS-Film 3 wurde als dritte Schicht verwendet, die zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet ist. Diese Filme 2, 3 und 8 bilden einen Aufzeichnungsfilm 40 in der optischen Disk 400.
Da der Sn-3,2 Gew.-% Ag-2 Gew.-% Bi-Film 8 eine eutektische Legierung ist, werden die feinen Bereiche P und Q in derselben Weise darin gebildet, wie dies für die dritte bevorzugte Ausführungsform beschrieben wurde. Demgemäß ist es bei der Bildung der Filme und beim Gebrauch möglich, die Reaktion zwischen den Filmen 2 und 8 zu unter­ drücken, namlich eine Reaktion, die die Aufzeichnungseigenschaften der optischen Disk 400 verschlechtert.
Ein Herstellungsverfahren dieser bevorzugten Ausführungsform wird im Detail unter Bezugnahme auf ein spezielles Beispiel beschrieben. In derselben Weise wie dies für die dritte bevorzugte Ausführungsform beschrieben wurde, wurde der GeSx-Film 2 in einer Dicke von 144 nm durch ein RF-Magnetron-Sputterverfahren auf der anderen gegenüber­ liegenden Oberfläche 1b des Substrats 1 gebildet.
Anschließend wurde der ZnS-Film 3 in einer Dicke von 2 nm durch ein RF-Magnetron- Sputterverfahren mit einem ZnS-Target unter den folgenden Filmbildungs-Bedingungen der Sputter-Gasspezies gebildet: M; Sputter-Gasdruck: 4 × 10-3 Torr; und zugeführte elek­ trische Energie: 30 bis 100 W.
Danach wurde der Sn-3,2 Gew.-% Ag-2 Gew.-% Bi-Film 8 in einer Dicke von 50 nm durch ein DC-Sputter-Verfahren mit einem Sn-3,2 Gew.-% Ag-2 Gew.-% Bi-Target unter den folgenden Filmbildungs-Bedingungen der Sputter-Gasspezies gebildet: M; Sputter- Gasdruck: 4 × 10-3 Torr; und zugeführte elektrische Energie: 50 bis 300 W.
Zum Schluß wurde in derselben Weise, wie dies für die dritte bevorzugte Ausführungs­ form angegeben wurde, ein mit ultravioletter Strahlung härtbares Harz verwendet, und der Harzfilm 5 gebildet. Auf diese Weise wurde die optische Disk 400 hergestellt.
Die Aufzeichnungsvorgänge der optischen Disk 400 gemäß dieser bevorzugten Ausfüh­ rungsform werden nachfolgend beschrieben. Im Bereich der Führungsrille 1c tritt der Aufzeichnungs-Laserstrahl in Richtung des Pfeils A ein (strahlt ein), und wird an der Oberfläche des Sn-3,2 Gew.-% Ag-2 Gew.-% Bi-Films 8 optisch fokussiert. Der GeSx- Film 2 und der Sn-3,2 Gew.-% Ag-2 Gew.-% Bi-Film 8 gehen durch den ZnS-Film 3 hindurch und/oder zerstören den ZnS-Film 3, und gehen eine chemische Reaktion ein.
Demgemäß ändern sich die optischen Eigenschaften (Reflexionsvermögen etc.) in den Bereichen, in denen eine Reaktion stattfand, so daß Information aufgezeichnet werden kann.
Wenn der Aufzeichnungs-Laserstrahl nicht eingestrahlt wird, ist die dritte Schicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet, so daß die die Reaktion inhibieren­ de Wirkung weiter verstärkt werden kann. Folglich ist es möglich, die Verschlechterung der Aufzeichnungseigenschaften wirkungsvoller zu inhibieren. Man geht davon aus, daß bei der Reaktion zwischen dem GeSx-Film 2 und dem Sn-3,2 Gew.-% Ag-2 Gew.-% Bi- Film 8 Sulfide (SnS und SnS2) etc. gebildet werden.
Bei der optischen Disk 400, die durch das obengenannte Herstellungsverfahren hergestellt wurde, wurde Information dadurch aufgezeichnet, daß ein Laserstrahl (Aufzeichnungs- Laserstrahl) mit einer Wellenlänge von 780 nm von der flachen Oberflächenseite (Seite 1a) durch eine Objektivlinse mit einer NA (numerischen Apertur) von 0,5 eingestrahlt wurde und der Laserstrahl an der Oberfläche des Sn-3,2 Gew.-% Ag-2 Gew.-% Bi-Films 8 optisch fokussiert wurde. Zu diesem Zeitpunkt waren die Bestrahlungsbedingungen wie folgt lineare Geschwindigkeit: 2,8 m/s; Aufzeichnungsfrequenz: 400 kHz; und Wellen­ form des Aufzeichnungslasers: Rechteckswelle mit einem Tastverhältnis von 50%.
Die Eigenschaften (Aufzeichnungseigenschaften) der optischen Disk 400 in diesem Beispiel waren, wie dies in Fig. 5 dargelegt wird, wie folgt: Reflexionsvermögen in den Berei­ chen, in denen nicht aufgezeichnet wurde: 63%; Aufzeichnungs-Laserenergie: 7 mW; C/N-Verhältnis: 51 dB; und Modulation: 85%. Ähnlich der dritten bevorzugten Aus­ führungsform zeigt somit diese bevorzugte Ausführungsform gute Aufzeichnungseigen­ schaften.
Darüber hinaus wurde die optische Disk 400 einem Umweltbeständigkeits-Test unterzogen, der bei einer Temperatur von 65°C und für eine Zeitdauer von 96 h durchgeführt wurde. Die optische Disk 400 konnte die aufgezeichneten Daten auslesen.
Die optische Disk 400 dieser bevorzugten Ausführungsform zeigte ein merklich höheres Reflexionsvermögen als das obengenannte Vergleichsbeispiel, und sie war gut ausgewogen, was die Eigenschaften wie beispielweise das Reflexionsvermögen, die Aufzeichnungs­ energie, das C/N-Verhältnis und die Modulation betrifft.
Modifizierte Varianten der dritten und vierten bevorzugten Ausführungsform
Außerdem kann die die erste Schicht bildende Substanz eine Substanz sein, die S als Bestandteil einschließt, wie beispielsweise eine Ge-Zn-S-Verbindung und eine Ge-S-O- Verbindung, oder eine Substanz sein, die Se als Bestandteil einschließt, wie beispielsweise eine Ag-Ga-Se-Verbindung. Die Substanz, die die zweite Schicht bildet, kann eine Sn-Bi- Legierung oder eine Sn-Ag-Legierung sein, die eine Zusammensetzung aufweist, die anders ist als die oben angegebenen Zusammensetzungen. Zusätzlich zu der Sn-Bi-Legie­ rung oder Sn-Ag-Legierung kann die Substanz, die die zweite Schicht bildet, eine Sn-Au- Legiening, eine Ga-Mg-Legierung oder eine Sn-Si-Verbindung sein. In den speziellen Anordnungen der optischen Disks werden diese Verbindungen oder Legierungen, aus denen sie gebildet werden, ausgewählt und miteinander kombiniert. Derartige spezielle Anordnungen funktionieren und bewirken Vorteile in derselben Weise wie die dritte und vierte bevorzugte Ausführungsform.
Im Gegensatz zu der obigen Beschreibung können sogar dann, wenn sich die Kristall­ strukturen nicht unterschieden, der Bereich hoher Reaktivität und der Bereich niedriger Reaktivität in der zweiten Schicht nebeneinander bestehen. Dies kann sogar erreicht werden durch Variieren der Zusammensetzung der zweiten Schicht.
Das Aufzeichnungsmedium, auf das die vorliegende Erfindung gerichtet ist, ist nicht auf die obengenannte optische Disk beschränkt, sondern kann andere Formen aufweisen. Die äußere Energie, die die Reaktion auslöst, um die optischen Eigenschaften zu verändern, ist darüber hinaus nicht auf den Laserstrahl beschränkt, sondern kann Licht im allgemeinen, Hitze, eine elektromagnetische Welle, eine Schallwelle, Bestrahlung, eine Stoßkraft, eine Spannung etc. sein. Beispielsweise kann die vorliegende Erfindung bei einem Thermo­ schild oder dergleichen angewendet werden, bei dem die erste Substanz und die zweite Substanz bei einer vorbestimmten Temperatur reagieren und die so die optischen Eigen­ schaften verändern, so daß Information aufgezeichnet wird.
In jedem Fall ist die Form des vorliegenden Aufzeichnungsmediums nicht auf die oben beschriebene dritte und vierte bevorzugte Ausführungsform beschränkt, soweit das vor­ liegende Aufzeichnungsmedium ein Aufzeichnungsmedium ist, das eine erste Substanz und wenigstens eine zweite Substanz umfaßt, und dessen optische Eigenschaften verändert werden, um Information aufzuzeichnen durch Aufbringen einer äußeren Energie auf wenigstens eine der Substanzen erste und zweite Substanz, um die erste und zweite Substanz zur Reaktion zu bringen, worin die erste Substanz eine Substanz ist, die wenig­ stens ein Element einschließt, das gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus S und Se als Element, aus denen sie gebildet wird, und die zweite Substanz eine Substanz ist, in der zwei oder mehrere Bereiche unterschiedlicher Zusammensetzung oder zwei oder mehrere Phasen unterschiedlicher Kristallzustände existieren.
Darüber hinaus inhibiert die dritte Substanz eine Veränderung der optischen Eigenschaften des vorliegenden Aufzeichnungsmediums, wenn der Aufzeichnungs-Laserstrahl nicht eingestrahlt wird. Die dritte Substanz zwischen der ersten Substanz und der zweiten Substanz anzuordnen, wie dies beispielsweise in der vierten bevorzugten Ausführungsform angegeben ist, ist somit eine wirksame Anordnung, um die Beständigkeit des vorliegenden Aufzeichnungsmediums gegen Umwelteinflüsse weiter zu verstärken.
Weitere modifizierte Variante
Eine weitere modifizierte Variante wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben. Mit Ausnahme der Anordnung der Rille des Substrats wurde die optische Disk 100 in derselben Weise wie in der ersten bis vierten bevorzugten Ausführungsform hergestellt. Beispielsweise wurde die optische Disk 100 mit einem Substrat 1 hergestellt, das eine Rille 1c aufwies, die auf der Seite 1b ausgebildet war. Die Rille 1c hatte eine derartige Anordnung, daß sie eine Rillenbreite von 520 nm und eine Rillentiefe von 35 nm aufwies.
Daten wurden auf der optischen Disk 100 unter Verwendung eines Daten-Aufzeichnungs­ gerätes aufgezeichnet. Das Daten-Aufzeichnungsgerät bestrahlte die optische Disk 100 mit einem Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 780 nm und einer Objektivlinse mit einer NA von 0,50. Anschließend war diese optische Disk 100 dadurch charakterisiert, daß sie in der Lage war, Daten unter Verwendung entweder eines ersten Daten-Ablesegerätes oder eines zweiten Daten-Ablesegerätes auszulesen. Das erste Daten-Ablesegerät bestrahlte die optische Disk 100 mit einem Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 780 nm und einer Objektivlinse mit einer NA von 0,45. Das zweite Daten-Ablesegerät bestrahlte die optische Disk 100 mit einem Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 650 nm und einer Objektivlinse mit einer NA von 0,40. Dies läßt auf ein noch nie dagewesenes Merkmal schließen, daß Daten, nachdem Daten mit einem CD-R-Schreiber aufgezeichnet wurden, entweder mit einem CD-ROM-Player oder einem DVD-ROM-Player ausgelesen werden können.
Es ist anzumerken, daß die Anordnung der Rille auf dem Substrat, die die Eigenschaften bewirkt, nicht auf die obengenannten Werte beschränkt ist. Angenommen, daß ein Ablese­ gerät ein Aufzeichnungsmedium mit einem Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 650 nm und einer Objektivlinse mit einer NA von α bestrahlt, kann die Rillenbreite w (Einheit: nm) bzw. die Rillentiefe d (Einheit: nm) vorzugsweise in den folgenden Bereichen liegen:
400 ≦ Rillenbreite w ≦ (1.749,5 -- 3.396,4 × α + 2.416,9 × α2), und {48,6 - 11,21 × (w/100) + 1,41 × (w/100)2} ≦ Rillentiefe d ≦
{280,9 - 839,8 × α + 761,1 × α2 - 18,96 × (w/100) + 18,32 × α × (w/100) + 0,86 × (w/w00)2}.
Nachdem nun die vorliegende Erfindung vollständig beschrieben wurde, wird es für einen Fachmann in diesem Bereich der Technik offensichtlich, daß viele Änderungen und Modifikationen durchgeführt werden können, ohne vom Geist und Umfang der vorliegen­ den Erfindung, wie sie in den Ansprüchen beansprucht wird, abzuweichen.

Claims (19)

1. Aufzeichnungsmedium, das eine erste Substanz und eine zweite Substanz umfaßt, worin eine äußere Energie auf wenigstens eine der Substanzen erste und zweite Substanz aufge­ bracht wird, um sie zur Reaktion zu bringen, um die optischen Eigenschaften der Sub­ stanzen zum Aufzeichnen von Information zu verändern, wobei das Aufzeichnungsmedium umfaßt:
  • - eine erste Schicht, die aus einer ersten Substanz besteht, die wenigstens eines der Elemente S und Se einschließt;
  • - eine zweite Schicht, die aus einer zweiten Substanz besteht, die ein Metall einschließt; und
  • - eine Barriereschicht, die zwischen der ersten und zweiten Schicht angeordnet ist, die die Reaktion zwischen der ersten und zweiten Schicht erlaubt, wenn ein Laserstrahl zum Aufzeichnen als äußere Energie eingestrahlt wird, und die die Reaktion zwischen der ersten und zweiten Schicht unterdrückt, wenn ein Laserstrahl zum Aufzeichnen nicht eingestrahlt wird.
2. Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, worin die erste Schicht Ge und S umfaßt.
3. Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin die erste Schicht wenigstens eine Verbindung umfaßt, die gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus GeSx (0<x≦2), Ge-Zn-S und Ge-S-O.
4. Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin die zweite Schicht wenigstens ein Element umfaßt, das gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus Sn, In, Sb, Bi, Pb, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn und Ag.
5. Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 4, worin die zweite Schicht wenigstens einen Bestandteil umfaßt, der gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus In, Cr, einer In-Sn- Legierung und einer Au-Cu-Legierung.
6. Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin die Barriereschicht wenigstens einen Bestandteil umfaßt, der gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus Metallen, Sulfiden, Nitriden, Boriden, Kohlenstoff (C), Carbiden, Oxiden und Phosphiden.
7. Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 6, worin die Barriereschicht wenigstens einen Bestandteil umfaßt, der gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus C, ZnS, Si und SiO2.
8. Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 7, worin die Barriereschicht eine Dicke von 2 nm oder mehr aufweist.
9. Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 8, worin die Barriereschicht eine dritte Substanz umfaßt, die einen Schmelzpunkt oder eine Zersetzungstemperatur von 300°C oder weniger aufweist.
10. Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 9, worin die dritte Substanz eine organische Verbindung ist.
11. Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 10, worin die organische Verbindung eine Alkyl-Verbindung ist.
12. Aufzeichnungsmedium, das eine erste Substanz und wenigstens eine zweite Substanz umfaßt und dessen optische Eigenschaften durch Aufbringen einer äußeren Energie zum Aufzeichnen auf wenigstens eine der Substanzen erste und zweite Substanz unter Reaktion der ersten und zweiten Substanz verändert werden, um Information aufzuzeichnen, worin die erste Substanz wenigstens einen Bestandteil aus der Gruppe S und Se einschließt, und die zweite Substanz zwei oder mehrere Bereiche unterschiedlicher Zusammensetzung oder zwei oder mehrere Phasen mit einem unterschiedlichen Kristallzustand aufweist.
13. Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 12, worin die erste Substanz GeSx (0<x≦2) ist.
14. Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 12, worin die erste Substanz wenigstens ein Bestandteil ist, der gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus Ge-Zn-S, Ge-S-O und Ag- Ga-Se.
15. Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 12 bis 14, worin die zweite Sub­ stanz eine Sn-57 Gew.-% Bi-Legierung ist.
16. Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 12 bis 14, worin die zweite Sub­ stanz eine Sn-3,2 Gew.-% Ag-2 Gew.-% Bi-Legierung ist.
17. Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 12 bis 14, worin die zweite Sub­ stanz wenigstens ein Bestandteil ist, der gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus einer Sn-Bi-Legierung, einer Sn-Au-Legierung, einer Ga-Mg-Legierung und einer Sn-Si-Ver­ bindung.
18. Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 12 bis 17, die darüber hinaus eine dritte Substanz umfaßt, die zwischen der ersten Substanz und der zweiten Substanz angeordnet ist, die es erlaubt, daß die erste Substanz mit der zweiten Substanz reagiert, wenn die äußere Energie aufgebracht wird, und die die Reaktion unterdrückt, wenn die äußere Energie nicht aufgebracht wird.
19. Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 18, worin die dritte Substanz ZnS ist.
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