DE3043641A1 - Regelbare multiplizierschaltung mit ersten und zweiten emittergekoppelten transistoren - Google Patents

Regelbare multiplizierschaltung mit ersten und zweiten emittergekoppelten transistoren

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DE3043641A1 DE19803043641 DE3043641A DE3043641A1 DE 3043641 A1 DE3043641 A1 DE 3043641A1 DE 19803043641 DE19803043641 DE 19803043641 DE 3043641 A DE3043641 A DE 3043641A DE 3043641 A1 DE3043641 A1 DE 3043641A1
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Description

IRPhilips'eiisc:l£,np3fiS:U Mm''~'-\} 3043641
9-9-1980 S PHN 9627
"Regelbare Multiplizierschaltung mit ersten und zweiten emittergekoppelten Transistoren".
Die Erfindung bezieht sich, auf eine Multiplizierschaltung mit einem Transistorpaar mit ersten und zweiten Transistoren, deren Emitterelektroden miteinander gekoppelt sind, mit einem Kollektorausgang und wobei die miteinander gekoppelten Emitterelektroden mit einer ersten Stromquelle gekoppelt sind, sowie mit einem Vorspannungseinstellkreis zum Anlegen einer gleichen Basisvorspannung an die Basiselektroden des Transistorpaares, welche Basiselektroden mit einem Signaleingang verbunden sind.
Eine derartige Multiplizierschaltung ist in der DE-PS 22 ky 024 beschrieben.
Bei der bekannten Multiplizierschaltung wird die maximale Amplitude der Eingangssignale, bei der gerade
^5 noch keine Amplitudebegrenzung des Ausgangssignals auftritt, durch den Kollektorspannungsraum an dem Kollektorausgang des Transistorpaares bestimmt. Amplitudenbegrenzungen verursachen in einem AM-modulierten Signal Verzerrung. Auch entstehen infolge derartiger Amplitudenbegrenzungen höhere Signalharmonischen, die in einer der Multiplizierschaltung nachgeschalteten Schaltungsanordnung Störeffekte herbeiführen können. Der genannte Kollektorspannungsraum beschränkt dadurch das Gebiet, in dem eine unverzerrte Signalverarbeitung möglich ist.
Der Kollektorspannungsraum kann durch Erhöhung der Speisespannung vergrössert werden. Dadurch können
v grössere Eingangssignale verarbeitet werden, bevor eine Begrenzung des Ausgangssignals auftritt. Bei einer zunehmenden Speisespannung nimmt jedoch auch die Energie-
Verlustleistung in den Einstellwiderständen der Transistoren zu. Das Bestreben, diese Energieverlustleistung zu minimalisieren und die Anzahl unterschiedlicher Speisespannungen in einem Gerät möglichst klein zu halten,
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führt dazu, dass Verwendung einer hohen Speisespannung zur Vergrösserung der Signalverarbeitung der bekannten Multiplizierschaltung in der Praxis fast ausgeschlossen ist. Bei batteriegespeisten Geräten kann ausserdem die Speisespannung während des Gebrauches infolge des Energieverbrauches sinken, wodurch die Signalverarbeitung abnimmt.
Die Erfindung hat nun zur Aufgabe, eine Multiplizierschaltung zu schaffen, die auch bei niedrigen Speisespannungen ein grosses Signalverarbeitungsgebiet und einen grossen Regelbereich hat.
Eine MuItiplizierschaltung der eingangs erwähnten Art weist dazu nach der Erfindung das Kennzeichen auf, dass die Multiplizierschaltung zugleich mit einer geregelten Stromverteilerschaltung versehen ist, die einen Überbrückungstransistor, dessen Kollektor-Emitterstrecke gleichstrommässig der der beiden erstgenannten Transistoren parallelgeschaltet ist, sowie einen Regelkreis enthält zum Zuführen einer Regelspannung zwischen der Basiselektrode des Überbrückungstransistors und der des Transistorpaares.
Bei Anwendung der erfindungsgemässen Massnahme wird bei einem zunehmenden Signalstrom der ersten Signalquelle eine zunehmende Regelspannung zwischen der Basiselektrode des Überbrückungstransistors und der des Transistorpaares zugeführt, wodurch die Stromleitung des Überbr ü.ckungstransistors gegenüber der des Transistorpaares zunimmt. Auf diese Weise wird ein regelbarer Teil des Signalstromes zu der Speisespannung kurzgeschlossen, so dass auch bei grossen EingangsSignalen Amplitudenbegrenzungen des Ausgangssignals vermieden werden.
Eine bevorzugte Ausführungsform einer Multiplizierschaltung nach der Erfindung weist das Kennzeichen auf, dass die erste Stromquelle regelbar und mit dem Regelkreis gekoppelt ist, welcher Regelkreis mit einer Schwelleiischaltung versehen ist zum im wesentlichen sequentiellen Regeln der ersten Stromquelle und der Stromverteilerschaltung.
Bei Anwendung dieser Massnahme wird die Signal-
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regelung mit der geregelten Stromverteilerschaltung einer bekannten Signair egelung zugefügt, wobei die erste Stromquelle geregelt wird. Die letztgenannte bekannte Signalregelung ist inder obengenannten
DE-PS 22 49 024: beschrieben. Darin wird die Tatsache benutzt, dass die Verstärkung eines Transistors durch eine Regelung des Kollektor-Emitterstromes durch diesen Transistor geregelt werden kann. Yerden jedoch grosse Eingangssignale zwischen den Basis- und den Emitterelektroden des letztgenannten Transistors zugeführt, so treten bei dieser bekannten Regelung stärke nicht-lineare Signalverzerrungen auf und können sogar Amplitudenbegrenzungen auftreten und zwar dadurch, dass der Transistor gesperrt wird.
Durch Anwendung der letztgenannten bevorzugten Massnahme kann der Signalverarbeitungsbereich der bekannten Multiplizierschaltung ohne Signalverzerrungen um den der Stromverteilungsehaltung vergrössert werden. Weil ausserdem der Überbrückungstransistor gleichstrommässig dem ersten und dem zweiten Transistor parallelgeschaltet ist, bleibt die Grosse des Kollektorspannungsraumes an dem Kollektorausgang des Transistorpaares unbeeinflusst.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform einer Multiplizierschaltung nach der Erfindung weist das Kennzeichen auf, dass die erste regelbare Stromquelle mit einem Antennensignaleingang gekoppelt ist und erste und zweite Gegentaktausgänge enthält, welcher erste Ausgang mit den Emitterelektroden des genannten Transistorpaares gekoppelt ist und welcher zweite Atisgang mit den Emitterelektroden eines demselben entsprechenden weiteren Transistorpaares mit dritten und vierten Transistoren gekoppelt ist, wobei gleichstrommässig parallel zu der Kollektor-Emitter-Strecke ein weiterer Uberbrückungstransistor der geregelten Stroinverteilerschaltung geschaltet ist, und dass die Basiselektroden des ersten und des vierten Transistors wechselstrommässig mit Masse verbunden sind und di'e des zweiten und des dritten Transistors mit einer Signalklemme des Signaleinganges, an welcher Signalklemme
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ein regelbarer Oszillator liegt.
Bei Anwendung dieser Massnahme funktioniert die Multiplizierschaltung als regelbare Mischstufe, wobei ein Antennensignal mit einem Oszillatorsignal multipliziert wird. Das dem Regeleingang des Regelkreises zugeführte Regelsignal kann dabei von einer AVR-Erzeugungsanordnung herrühren und dient dazu, das Ausgangssignal der Multi- . plizierschaltung auf einer konstanten Amplitude zu halten. Eine andere bevorzugte Ausführungsform dieser Multiplizierschaltung weist das Kennzeichen auf, dass die Kollektorelektroden des ersten und des dritten Tran-: sistors mit einer Speiseleitung verbunden sind und die Kollektorelektroden des zxtfeiten und des vierten Transistors mit einem Signalausgang, welcher Signalausgang über eine Reihenschaltung aus einem ¥iderstand und zwei antiparallelgeschalteten Begrenzungsdioden mit der Speiseleitung verbunden ist.
Bei Anwendung dieser Massnahme wird beim Fehlen eines ausreichenden Regelsignals an dem Regeleingang des Regelkreises das Ausgangssignal der Multiplizierschaltung begrenzt, utti beispielsweise bei Verwendung in Empfängern Verstimmungseffekte zu unterdrücken.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 eine erfindungsgemässe Multiplizierschaltung,
Fig. 2 eine zweite Ausführungsform einer Regelschaltung, die in dex" Multiplizierschaltung aus Fig. 1 verwendbar ist.
Fig. 1 zeigt eine Multiplizierschaltung nach der Erfindung mit einem Transistorpaar mit ersten und zweiten Transistoren 1 und 2, deren Emitter miteinander gekoppelt sind, und mit einem weiteren Transistorpaar mit dritten und vierten ebenfalls emittergekoppelten Transistoren 3 und h. Die Emitterelektroden der Transistoren 1 und 2 bzw. 3 und h sind ausser miteinander auch mit einer regelbaren Stromquelle 8 verbunden und zwar über Gegen-
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taktausgänge 6 und 7· Die Basiselektroden der Transistoren 1 und '+ sind miteinander und wechselstrommässig mit Masse verbunden. Die Basiselektroden der Transistoren 2 und 3 sind ebenfalls miteinander und über eine Eingangssignalklemme 50 mit einem Oszillator 51 verbunden. Die Kollektorelektroden der Transistoren 1 und 3 liegen an einer Speiseleitung V und die der Transistoren 2 und 4 an einem Signalausgang 5· Der Signalausgang 5 ist über einen Auskopplungskreis 24, 25 gleichstrommässig mit der Speiseleitung V verbunden.
Die regelbare Stromquelle 8 enthält zwei Transistorpaare mit den Transistoren 11 und 12 bzw. 13 und Die Basiselektroden der Transistoren 11 und 14 bzw. die der Transistoren 12 und 13 sind miteinander sowie mit Antenneneingangsklemmen 9 bzw. 10 verbunden. Die Emitterelektroden der Transistoren 11 und 12 sind miteinander sowie mit dem Kollektor eines geregelten Stromquellentransistors 15 verbunden. Die Emitterelektroden der Transistoren 13 und 14 sind über Gegenkopplungswiderstände 21 und 22 mit dem Kollektor eines auf eine konstante Stromstärke eingestellten Stromquellentransistors 16 verbunden. Die Basiselektroden der genannten Stromquellentransistoren 15 und 16 sind mit einer Basisspannungseinstellschaltung 17, 18 bzw. 19> 20 verbunden, die je aus einer Reihenschalbung aus einer Stromquelle 17 bzw. 1 9 und einer Diode 18 bzw. 20 bestehen. Die Basiselektroden des geregelten Stromquellentransistors 15 ist ebenfalls mit dem Kollektor eines Regeltransistors 23 verbunden. Die Basis dieses Regeltransistors 23 ist mit einem Regeleingang 26 eines Regelkreises 30 verbunden.
An den Regeleingang 20 des Regelkreises 30 wird eine AVR-Spannung gelegt, die bei einem zunehmenden Antennensignal an den Antenneneingangsklemmen 9 und 10 zunimmt. Eine zunehmende AVR-Spannung führt zu einem ab-
^5 nehmenden Kollektorstrom des Stromquellentransistors I5 und damit zu einer abnehmenden Signalverstärkung des Transistorpaares 11, 12. Auf diese Weise wird bei der regelbaren Stromquelle 8 das Ausgangssignal an den Gegentakt-
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ausgängen 6 und 7 und damit das Ausgangssignal an dem Signalausgang 5 auf einem gleichen Wert gehalten.
Bei einer immer weiter zunehmenden Amplitude des Antennensignals überschreitet jedoch zu einem bestimmten Augenblick die geregelte Signalverstärkung des Transistorpaares 11, 12 die konstante Signalverstärkung des Transistorpaares 13» 1^-· Zu diesem Augenblick ist die Grenze des Regelbereiches der bekannten regelbaren Stromquelle 8 erreicht und nimmt bei einer noch weiter zunehmenden Antennensignalamplitude auch das Ausgangssignal am Signalausgang 5 zu.
Nähere Kenntnisse in bezug auf die Wirkungsweise der bisher beschriebenen Schaltungsanordnung mit den Elementen 1 bis 23 sind zum Verständnis der Erfindung nicht notwendig. Für eine detaillierte Beschreibung der letztgenannten Schaltungsanordnung sei auf die obengenannte DE-PS 22 49 024 verwiesen.
Der Regelkreis 30 enthält eine Schwellenschaltung, die aus einer zwischen dem Regeleingang 26 und den Basiselektroden der Regeltransistoren 35 und 36 liegenden Schaltdiode 37 besteht. Der Regeleingang 26 liegt über einen Entkopplungskondensator 38 an Masse. Die Regeltransistoren 35 und 36 sind als zweite regelbare Stromquelle wirksam. Die Emitterelektroden dieser Regeltransistoren 35 und 36 liegen an Masse. Der Kollektor des Regeltransistors 35 ist einerseits mit den Basiselektroden der Transistoren 1 und h und andererseits über einen ersten Regelwiderstand 31 mit einer ersten Spannungsbezugsklemme 52 eines Vorspannungseinstellkreises 37' verbunden. Der KoI-lektor des Regeltransistors 36 ist einerseits mit den
Basiselektroden der Transistoren 2 und 3 und andererseits ·» über einen zweiten Regelwiderstand 32 mit einer zweiten Spannungsbezugsklemrne 53 des Vorspannungseinstellkreises 37' verbunden. Die beiden Regelwiderstände 31 und 32 sind gleich gross gewählt.
Der Vorspannungseinstellkreis 37' enthält als Dioden wirksame Transistoren 39 und *+0, deren Kollektorelektroden an der Speiseleitung V liegen. Die Kollektor-
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Basis-Übergänge dieser Transistoren sind gleichstrommässig über einen Widerstand k-3 bzw, eine Parallelschaltung der Widerstände kk und k-5 kurzige schlossen. Der Widerstand k-3 ist dem Widerstandswert der Parallelschaltung der Widerstände kk und U 5 entsprechend gewählt worden. Der Widerstand ^5 ist mit der Eingangssignalklemme 50 verbunden. Die Emitterelektroden der Transistoren 39 und kO liegen einerseits an den Spannungsbezugsklemmen 52 und 53 und andererseits über Vorspannungswiderstände 33 und 3^ an den Kollektorelektroden der Stromquellentransistoren Η-Λ und hZ. Die Stromquellentransistoren k] und kZ liegen mit ihren Emitterelektroden an Masse und sind mit ihren Basiselektroden mit einer Vorspannungsquelle k-6 verbunden.
Die Verbindungen zwischen dem Vorspannungswiderstand 33 und dem Stromquellentransistor Κλ und zwischen dem Vorspannungswiderstand 3^- und dem Stromquellentransistor k2 sind mit dritten bzw. vierten Spannungsbezugsklemmen 5^ und 55 verbunden. Die dritten und vierten Spannungsbezugsklemmen 5^ und 55 sind mit den Basiselektroden der Überbrückungstransistoren 56 und 57 verbunden, die einen Teil der geregelten Stromverteilungsschaltung 58 bilden. Die Kollektorelektroden der beiden Überbrückungstransistoren 56 und 57 liegen an der Speiseleitung V, die Emitterelektroden sind mit den gemeinsamen Emitterelektroden der Transistoren 1 und 2 und den gemeinsamen Emitterelektroden der Transistoren 3 und h verbunden.
Die Begrenzerschaltung· 62 ist dem Auskopplungs-(j I erncnt 2k, 25 zwischen dem Signalausgang 5 und der Speiseleitung V parallelgeschaltet und enthält eine Reihenschaltung aus einem Linearisierungswiderstand 61 und zwei antiparallelgeschalteten Begrenzungsdioden 59 und 60.
Der Vorspannungseinstellkreis 37' liefert über die ersten und zweiten Spannungsbezugsklemmen 52 und 53 und die gleichen Regelwiderstände 31 und 32 eine gleiche Basisvorspannung zu den Transistoren 1 bis k und über die dritten und vierten Spannungsbezugsklemmen 5^ und 55 eine niedrigere mit den Vorspannungswiderständen 33 und 3^· einzustellende gleiche Basisspannung zu den Überbrückungsträn-
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sistoren 56 und 57· Der Spannung an der Spannungsbezugsklemme 53 ist ein Oszillatorsignal überlagert, das von dem Oszillator 51 herrührt und den Basiselektroden der Transistoren 2 und 3 asymmetrisch zugeführt wird. Die Basiselektroden der Transistoren 1 und k liegen ja wechselstrommässig an Masse.
Das Oszillatorsignal wird in den Transistorpaaren 1, 2 und 3j k mit dem in der geregelten Stromquellenschaltung 8 verstärkten Antennensignal multiplikativ gemischt.
An dem Signalausgang 5 findet über den Auskopplungskreis Zk, 25 eine Auskopplung des erwünschten Mischproduktes statt.
Bei einer Zunahme der Amplitude des AVR-Signals an dem Regeleingang 26 infolge einer Zunahme der Antennen-Signalamplitude, innerhalb des Bereiches der bekannten Schaltungsanordnung 1 bis 23 ist die Schaltdiode 37 gesperrt. Beim Erreichen der Grenze dieses Regelbereiches, d.h., wenn die Signalverstärkung im wesentlichen in dem Transistorpaar 13, 1^ stattfindet, ist die AVR-Spannung soweit gestiegen, dass die Diode 37 leitend wird. Die Regeltransistoren 35 und 36 werden dann leitend, wodurch ein gleicher Spannungsabfall an den Regelwiderständen 31 und 32 entsteht und die Basisvorspannungen der Transistoren 1 bis k in gleichem Masse abnehmen. Diese Abnahme der Basisvorspannung führt zugleich zu einer Senkung der ^ Emitterspannungen der betreffenden Transistoren 1 bis k.
Die Basis-Emitter-Spannungen an den Überbrückungstransistoren 56 und 57 nehmen
dadurch in gleichem Masse zu, wodurch diese beim Überschreiten einer gewissen Schwellenspannung leitend werden. Die genannte Schwellenspannung wird dabei nicht nur durch die Sehaltspannung der Schaltdiode 37 sondern auch durch den Wert der Vorspannungswiderstände 33 und 3k und der Regelwiderstände 31 und 32 bestimmt. Im leitenden Zustand der Überbrückungstransistoren 56 und 57 wird ein Teil der durch die geregelte Stromquelle 8 den Gegentaktausgängen 6 und 7 gelieferten Ströme über die Überbrückungstransis-
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toren 56 bzw. 57 zu der Speiseleitung V kurzgeschlossen. Die Amplitude des Ausgangssignals an dem Signalausgang nimmt dadurch bis auf einen gewünschten Wert ab.
Bei einer weiteren Zunahme der AVR-Spannung können die kurzgeschlossenen Ströme durch die Uberbrückungstransistoren 56 und 57 grosser werden als die Ströme durch die Transistoren 1 bis h und im extremen Fall sogar den Gesamtstrom der Gegentaktausgange 6 und 7 kurzschliessen. Dadurch ist der Regelbereich der Multiplizierschaltung nach der Erfindung fast unbeschränkt.
Obschon die erfindungsgemässe Multiplizierschaltung als Mischstufe dargestellt und mit einer geregelten Stromquelle 8 kombiniert ist, ist es durchaus möglich, die Stromquelle 8 auf einen konstanten ¥ert einzustellen und nur eine Signalregelung, die mit dem Regelkreis 30, dein Vorspannungseinstellkreis 37" und dem Stromverteilungskreis 58 erhalten wird, anzuwenden. Eine derartige Signalregelung kann beispielsweise bei Signalverstärkern verwendet werden.
Durch die Parallelschaltung der Uberbrückungstransistoren 56 und 57 an den Transistoren 1 bis 4 geht die zur Einstellung dieser Überbrückungstransistoren 56 und 57 erforderliche Spannung nicht auf Kosten des Kollektorspannungsraumes an dem Signalausgang 5 und kann der Arbeitsbereich der letztgenannten Signalregelung bis zu sehr niedrigen Speisespannungen reichen.
Eine Zunahme der Ströme durch die Überbrückungstransistoren 56 und 57 führt, wie obenstehend erwähnt, zu einer Abnahme der Ströme durch die Transistorpaare 1, 2 und 3> 4· Dadurch geht eine Abnahme der Differentialwiderstände der Transistoren 56 und 57 mit einer Zunahme der Differentialwiderstände der Transistoren 1 bis K einher, und die Belastung für den Oszillator 5I an der Spannungsbezugsklemme 53 während der Signalregelung bleibt konstant.
^5 Eine Verschiebung dex- Oszillatorfrequenz durch Belastungsaiiderungöii während der Regelung wird dadurch vermieden.
Durch die Gegentaktausbildung der Stromverteilerschaltung 58 findet ausserdem an den Kollektorle„itungen
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der Überbrücküngstransistoren 56 und 57 ein Ausgleich der kurzgeschlossenen Signalströme statt, ohne dass diese an die Speiseleitung V gelangen und anderswo in der Schaltungsanordnung Störungen herbeiführen können.
In einer nicht dargestellten Ausführungsform der erfindungsgemässen Multiplizierschaltung fehlen die Vor spannungs wider stände 33 und 3^- und sind die Spannungsbezugsklemrnen 53 und 55 miteinander kurzgeschlossen. Um in der letztgenannten Ausführungsform zu vermeiden, dass unmittelbar beim Leitendwerden der Überbrücküngstransistoren 56 und 57 ein zu grosser Strom kurzgeschlossen wird und dadurch der Rauschbeitrag dieser Überbrücküngstransistoren 56 und 57 unakzeptierbar gross wird, ist dabei die Emitteroberfläche der Transistoren 1 bis h um einige Male grosser gewählt worden als die der überbrücküngstransistoren 56 und 57· In der Praxis wird eine derartige Massnahme mit der Verwendung von Einstellwiderständen 33 und 3^· kombiniert, wie dies dargestellt ist, um eine genaue Einstellung des Stromes durch die Überbrücküngstransistoren 56 und 57 als Funktion der AVR-Spannung an dem Regeleingang 26 zu bewirken.
Bei Verwendung der dargestellten erfindungsgemässen Multiplizierschaltung in einem Empfänger kann es passieren, dass bei Verstimmung dem Regeleingang 26 eine unzureichende AVR-Spannung zugeführt wird und dass eine zu geringe Signalregelung stattfindet. Der Stromquellentransistor 15 liefert dann einen zu grossen Strom und die Signalverstärkung in den Transistoren 11 und 12 ist dann ebenfalls zu gross. Die Signale an dem Signalausgang 5 können dadurch stark verzerrt werden. Um diese Signale in der Amplitude zu begrenzen, ist in der dargestellten Ausführungsform der Multiplizierschaltung die Begrenzungsschaltung 62 vorgesehen. Die antiparallelgeschalteten Dioden 59 und 60 dieser Begrenzungsschaltung 62 begrenzen die Amplitude der Rauschsignale an dem Signalausgang 5 auf einen durch die Diodenschaltspannung bestimmten Wert. Durch den Linearisierungswiderstand 61 findet diese Amplitudenbegrenzung etwas allmählich statt.
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In einer praktischen Ausführungsform der dargestellten Multiplizierschaltung nach der Erfindung hatten die Elemente die folgenden Werte:
Widerstand Wert (.α) : k Kondensator Wert
21 1.5 k 38 5/uF
22 Ϊ.5 24 180/uF
31 680 /
32 680
33 470
34 470 k
43 1,5 k
44 4,7 Ic
55 2,2
61 1k
Fig. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform einer Regelschaltung, die in einer Multipizierschaltung nach der Erfindung verwendet werden kann. Die Elemente, die denen der vorhergehenden Figuren entsprechen, sind mit denselben Bezugszeichen angegeben.
Der Regeleingang 26 des Regelkreises 30 ist
einerseits mit den gemeinsamen Basiselektroden der Regeltransistoren 35 und 36 und andererseits über eine als Schwellenschaltung wirksame Reihenschaltung aus einem Sehwellenwiderstand 71 und einem in die Emitterleitung
des Sfcroraquellentransistors I5 aufgenommenen Emitterwiderstand 72 mit Masse verbunden.
Die Emitterelek.t roden der Regeltransistoren 35 und 36 sind miteinander und über einen Widerstand 70 mit dem Verbindungspunkt des Schwellenwiderstandes 7I und
des Emitterwiderstandes 72 verbunden. Die Basisspannungseins te 11 schaltung des Stroinquellentransistors 15 enthält eine weitere Diode 18', über die die Diode 18 an Masse liegt. Die Anode der Diode 18 ist über einen Widerstand 63 und die Kathode über einen Widerstand 64 mit der Basis
der Stromquellentransistors 15 verbunden.
Der Emitterwiderstand 72 bewirkt eine Gegenkopplung für Rauschsignale, die über die Dioden 18 und 18' entstehen können, und dadurch eine Verringerung des Rausch-
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beitrages des Transistors 15 zu der Multiplizierschaltung .
Eine Zunahme der AVR-Spannung an dem Regeleingang 26 führt zu einer Erhöhung der Spannung an dem Emitterwiderstand 72. Die Basis-Emitter-Spannung des Stromquellentransistprs 15 nimmt dadurch ab und damit, auch dessen Kollektorstrom.
Der Schwellenwiderstand 71 ist derart gewählt worden, dass in dem Regelbereich des Stromquellencransistors 15 die Spannung an diesem Schwellenwiderstand klein, genug ist, um die Regeltransistoren 35 und 36 in geschlossenem oder nahezu geschlossenem Zustand zu halten. Wird bei einem bestimmten Wert der AVR-Spannung die Grenze des Regelbereiches des Stromquellentransistors 15 erreicht, so werden die Regeltransistoren 35 und 36 leitend. Der Widerstand 70 bestimmt die Regelverstärkung, ·- d.h. das Ausmass, in dem die Kollektorströme der Regeltransistoren 35 und 36 zu bzw. abnehmen und zwar abhängig von der AVR-Spannung.
In einer praktischen Ausführungsform hatten die Elemente die nachfolgenden Werte:
Widerstand Wert (-it)
31 680
32 680
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Claims (1)

10-9-1980 >3 " PHN 9627
PATENTANSPRÜCHE:
/I .) Multiplizierschaltung mit einem Transistorpaar mit ersten und zweiten Transistoren, deren Emitterelektroden miteinander gekoppelt sind, und mit einem Kollektorausgang, wobei die emittergekoppelten Transistoren weiterhin mit einer ersten Stromquelle verbunden sind, sowie mit einem Vorspannungseinstellkreis zum Anlegen einer gleichen Basisvorspannung an die Basiselektroden des Transistorpaares, welche Basiselektroden mit einem Signaleingang verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Multiplizierschaltung zugleich mit einer geregelten Stromverteilerschaltung (58) versehen ist, die einem Uberbrückungstransistor (56 bzw. 57)» dessen Kollektor-Emitterstrecke gleichstrommässig der der beiden erstgenannten Transistoren (1, bzw. 3> ^-) parallelgeschaltet ist, sowie einen Regelkreis
(30) enthält zum Zuführen einer Regelspannung zwischen der Basiselektrode des Uberbrückungstransistors (56 bzw. 57) und der des Transistorpaares (1, 2 bzw. 3» ^)· 2. Multiplizierschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Stromquelle (8) regelbar und mit dem Regelkreis (30) verbunden ist, welcher Regelkreis (30) mit einer Schwellenschaltung (3I-38 bzw. 31-36, 70-72) versehen ist zum im wesentlichen sequentiellen Regeln der ersten Stromquelle (8) und der Stromverteilerschaltung (58).
" 3· Multiplizierschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromverteilerschaltung (58) über die Schwellenschaltung (3I-36, 70-72) mit einem Regeleingang (26) des Regelkreises (30) verbunden ist, welche Schwellenschaltung (31-36, 70-72) eine Reihenschaltung aus zwei Widerständen (71, 72) enthält zum Erzeugen einer Regelspannung an denselben für die erste regelbare Stromquelle (8) und die Stromverteilerschaltung (58) und wobei ein Ausgang über einen ersten Regelwiderstand (3I bzw. 32) mit
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ORIGINAL IMSPECTED .
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einem Spannungsbezugspegel gekoppelt ist zum Erzeugen der genannten Regelspannung zwischen der Basis des Uberbrückungstransistors (56 bzw. 57) und den Basiselektroden des Transistorpaares (1, 2 bzw» 3> ^)·
k. Multiplizierschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Regelkreis eine zweite regelbare Stromquelle (35 bzw. 36) enthält, die mit einem Regeleingang (Emitterlektrode von 56 bzw. 57) der Stromverteilerschaltung (58) verbunden ist.
5. Multiplizierechaltung nach Anspruch h, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis des ersten Transistors (1 bzw. 4) über einen ersten Regelwiderstand (3I)V die Basis des zweiten Transistors (2 bzw. 3) über einen zweiten Regelwiderstand (3«0 und die Basis des Uberbrückungstransistors (56 bzw. 57) über einen Vorspannungswiderstand (33 bzw. 3^·) mit dem Spannungsbezugspegel verbunden sind und die zweite regelbare Stromquelle (35 > 36) mit ersten und zweiten Stromausgängen versehen ist, die mit der Basis des ersten bzw. der zweiten Transistors (1, h bzw»
2" 2, 3) verbunden sind zum entsprechenden Ändern der Basis-Emitter-Spannungen der ersten und zweiten Transistoren bei einer Regelung der zweiten regelbaren Stromquelle. 6. Multiplizierechaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste regelbare Stromquelle (8) mit einem Antennensignaleingang (9,10) verbunden ist und erste und zweite Gegentaktausgänge (6, 7) enthält, welcher erste Ausgang (6) mit den Emitterelektroden des genannten Transistorpaares (1, 2) verbunden ist und weicher zweite Ausgang (7) mit Emitterelektroden eines demselben entsprechenden weiteren Transistorpaares mit dritten und vierten Transistoren (3, ^-) verbunden ist, wobei gleichetrommässig parallel zu der Kollektor-Emitter-Strecke ein weiterer TTberbrückungstransistor (57) der geregelten Stromverteilerschaltung geschaltet ist, und
dass die Basiselektroden des ersten und des vierten Transistors (1, h) wechselstrommässig mit Masse verbunden sind und die des zweiten und dritten Transistors (2, 3) mit
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einer Signalklemme (50) des Signaleinganges, an welcher Signalklemme ein regelbarer Oszillator (51 ) liegt.
7. Multiplizierechaltung nach einem der Ansprüche
1 bis h, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitteroberfläche des ersten und zweiten Transistors (1 , 2 bzw. 3, h) grosser ist als die des ITfoerbrückungstransistors (56 bzw. 57)·
8. Multiplizierechaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektorelektroden des ersten und dritten Transistors (1, 3) mit einer Speiseleitung (v) verbunden sind und die Kollektorelektroden des zweiten und vierten Transistors (1, 4) mit einem Signalausgang (5)» welcher Signalausgang (5) über eine Reihenschaltung aus einem Widerstand (6i) und zwei antiparallelgeschalteten Begrenzungsdioden (59» 60) mit der Speiseleitung (v) verbunden ist.
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DE3043641A 1979-11-23 1980-11-19 Multiplizierschaltung mit ersten und zweiten emittergekoppelten Transistoren Expired DE3043641C2 (de)

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SE (2) SE448661B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3329663A1 (de) * 1983-08-17 1985-03-07 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Mehrstufiges signaluebertragungssystem

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4634995A (en) * 1982-01-28 1987-01-06 Hitachi, Ltd. Electronic circuitry utilizing an inerted Darlington amplifier output stage to be operable with a low supply voltage
GB8414452D0 (en) * 1984-06-06 1984-07-11 Motorola Inc Automatic gain control circuit
JPS6115426A (ja) * 1984-06-29 1986-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ミキサ装置
DE3690169C2 (de) * 1985-04-10 1990-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka, Jp
NL8503435A (nl) * 1985-12-13 1987-07-01 Philips Nv Uhf-versterkermengschakeling.
EP0501827B1 (de) * 1991-03-01 1996-04-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Multiplizierschaltung
US5424663A (en) * 1993-04-22 1995-06-13 North American Philips Corporation Integrated high voltage differential sensor using the inverse gain of high voltage transistors
JP2576774B2 (ja) * 1993-10-29 1997-01-29 日本電気株式会社 トリプラおよびクァドルプラ
GB2284719B (en) * 1993-12-13 1998-03-11 Nec Corp Differential circuit capable of accomplishing a desirable characteritic
GB2295704B (en) * 1994-11-30 1998-12-16 Nec Corp Multiplier core circuit using quadritail cell
JP3058087B2 (ja) * 1996-06-07 2000-07-04 日本電気株式会社 利得可変増幅器
EP0859461A1 (de) * 1997-02-18 1998-08-19 Nec Corporation Mischerschaltung mit breitem Dynamikbereich
DE19753095A1 (de) * 1997-11-29 1999-06-02 Philips Patentverwaltung Integrator-Filterschaltung
US6212369B1 (en) * 1998-06-05 2001-04-03 Maxim Integrated Products, Inc. Merged variable gain mixers
US6104227A (en) * 1999-03-29 2000-08-15 Motorola, Inc. RF mixer circuit and method of operation
US6670847B1 (en) 2002-01-18 2003-12-30 Xilinx, Inc. Inductive amplifier with a feed forward boost
CN115129295B (zh) * 2022-07-22 2024-09-20 晶艺半导体有限公司 一种乘法器电路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2249024A1 (de) * 1971-10-09 1973-04-12 Philips Nv Integrierter differenzverstaerker

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5447908A (en) * 1977-09-26 1979-04-16 Hitachi Ltd Low pressure exhaust chamber

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2249024A1 (de) * 1971-10-09 1973-04-12 Philips Nv Integrierter differenzverstaerker

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3329663A1 (de) * 1983-08-17 1985-03-07 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Mehrstufiges signaluebertragungssystem
US4613823A (en) * 1983-08-17 1986-09-23 Telefunken Electronic Gmbh Multi-stage signal transmitting system

Also Published As

Publication number Publication date
IT8068778A0 (it) 1980-11-20
FR2470482A1 (fr) 1981-05-29
JPS5685184A (en) 1981-07-11
IT1129881B (it) 1986-06-11
NL182684B (nl) 1987-11-16
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US4388540A (en) 1983-06-14
AU6459880A (en) 1981-05-28
GB2064253A (en) 1981-06-10
AU542516B2 (en) 1985-02-21
ES8107419A1 (es) 1981-10-01
NL182684C (nl) 1988-04-18
JPH0352247B2 (de) 1991-08-09
DE3043641C2 (de) 1985-07-11
GB2064253B (en) 1983-09-28
NL7908535A (nl) 1981-06-16
SE8008129L (sv) 1981-05-24
ES497030A0 (es) 1981-10-01
FR2470482B1 (de) 1984-05-18
CA1165004A (en) 1984-04-03

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