DE3043641C2 - Multiplizierschaltung mit ersten und zweiten emittergekoppelten Transistoren - Google Patents

Multiplizierschaltung mit ersten und zweiten emittergekoppelten Transistoren

Info

Publication number
DE3043641C2
DE3043641C2 DE3043641A DE3043641A DE3043641C2 DE 3043641 C2 DE3043641 C2 DE 3043641C2 DE 3043641 A DE3043641 A DE 3043641A DE 3043641 A DE3043641 A DE 3043641A DE 3043641 C2 DE3043641 C2 DE 3043641C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
circuit
transistors
signal
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3043641A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3043641A1 (de
Inventor
Peter Henricus Marie Eindhoven Schreurs
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE3043641A1 publication Critical patent/DE3043641A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3043641C2 publication Critical patent/DE3043641C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1408—Balanced arrangements with diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1433—Balanced arrangements with transistors using bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1441—Balanced arrangements with transistors using field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1458—Double balanced arrangements, i.e. where both input signals are differential
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1491—Arrangements to linearise a transconductance stage of a mixer arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
    • H03D2200/0025—Gain control circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
    • H03D2200/0043—Bias and operating point
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
    • H03D2200/0084—Lowering the supply voltage and saving power

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Multiplizierschaltung, bestehend aus einem Transistorpaar mit einem ersten und einem zweiten Transistor, deren Emitterelektroden miteinander gekoppelt sind, und mit einem Kollektorausgang, der ein Ausgang der Multiplizierschaltung ist, wobei die gekoppelten Emitterelektroden gemeinsam mit einer ersten Stromquelle verbunden sind und daraus ein Signal erhallen, sowie aus einem Vorspannungseinstellkreis zum Anlegen gleich großer Basisvorspannungen an beide Basiselektroden des Transistorpaares, welchen Basiselektroden über einen Signaleingang ein mit dem erstgenannten Signal zu multiplizierendes, weiteres Signal zugeführt wird.
Eine derartige Multiplizierschaltung ist in der DE-PS 49 024 beschrieben.
Bei der bekannten Multiplizierschaltung wird die maximale Amplitude der Eingangssignale, bei der gerade noch keine Amplitudenbegrenzung des Ausgangssignals auftritt, durch den Kollektorausgang des Transistorpaares bestimmt. Amplitudenbegrenzungen verursachen in einem AM-modulierten Signal Verzerrung. Auch entstehen infolge derartiger Amplitudenbegrenzungen höhere Signalharmonische, die in einer der Multiplizierschaltung nachgeschalteten Schaltungsanordnung Störeffekte herbeiführen können. Der genannte Kollektorspannungsraum beschränkt dadurch das Ge-
biet, in dem eine unverzerrte Signalverarbeitung möglich ist.
Der Kollektorspannungsraum kann durch Erhöhung der Speisespannung vergrößert werden. Dadurch können größere Eingangssignale verarbeitet werden, bevor eine Begrenzung des Ausgangssignals auftritt Bei einer zunehmenden Speisespannung nimmt jedoch auch die Energieverlustleistung in den Einstellwiderständen der Transistoren zu. Das Bestreben, diese Energieverlustleistung zu minimalisieren und die Anzahl unterschiedlicher Speisespannungen in einem Gerät möglichst klein zu halten, führt dazu, daß Verwendung einer hohen Speisespannung zur Vergrößerung der Signalverarbeitung der bekannten Multipüzierschaltung in der Praxis fast ausgeschlossen ist. Bei batteriegespeisten Geräten kann außerdem die Speisespannung während des Gebrauchs infolge des Energieverbrauches sinken, wodurch die Signalverarbeitung abnimmt
Die Erfindung hat nun zur Aufgabe, eine Multiplizierschaltung der eingangs genannten Art zu schaffen, die auch bei niedrigen Speissspannungen ein großes Signalverarbeitungsgebiet und einen großen Regelbereich hat
Eine Multiplizierschaltung der eingangs erwähnten Art weist dazu nach der Erfindung das Kennzeichen auf, daß die Multiplizierschaltung zugleich mit einer geregelten Stromverteilerschaltung versehen ist, die einen Überbrückungstransistor, dessen Kollektor-Emitterstrecke gleichstrommäßig der der beiden erstgenannten Transistoren parallelgeschaltet ist, sowie einen Regelkreis enthält zum Zuführen einer Regelspannung zwischen der Basiselektrode des Überbrückungstransistors und der des Transistorpaares.
Bei Anwendung der erfindungsgemäßen Maßnahme wird bei einem zunehmenden Signalstrom der ersten Signalquelle eine zunehmende Regelspannung zwischen der Basiselektrode des Überbrückungstransistors und der des Transistorpaares zugeführt, wodurch die Stromleitung des Überbrückungstransistors gegenüber der des Transistor!, aares zunimmt. Auf diese Weise wird ein regelbarer Teil des Signalstromes zu der Speisespannung kurzgeschlossen, so daß auch bei großen Eingangssignalen Amplitudenbegrenzungen des Ausgangssignals vermieden werden.
Eine bevorzugte Ausführungsform einer Multiplizierschaltung nach der Erfindung weist das Kennzeichen auf, daß die erste Stromquelle regelbar und mit dem Regelkreis gekoppelt ist, we'cher Regelkreis mit einer Schwelienschaltung versehen ist zum im wesentlichen sequentiellen Regeln der ersten Stromquelle und der Stromverteilerschaltung.
Bei Anwendung dieser Maßnahme wird die Signalregelung mit der geregelten Stromverteilerschaltung einer bekannten Signalregelung zugefügt, wobei die erste Stromquelle geregelt wird. Die letztgenannte bekannte Signalregelung ist in der obengenannten DE-PS 22 49 024 beschrieben. Darin wird die Tatsache benutzt, daß die Verstärkung eines Transistors durch eine Regelung des Kollektor-Emitterstromes durch diesen Transistor geregelt werden kann. Werden jedoch große Eingangssignale zwischen den Basis- und den Emitterelektroden des letztgenannten Transistors zugeführt, so treten bei dieser bekannten Regelung starke nicht-lineare Signalverzerrungen auf und können sogar Amplitudenbegrenzungen auftreten, und zwar dadurch, daß der Transistor gesperrt wird.
Durch Anwendung der letztgenannten bevorzugten Maßnahme kann der Signalverarbeitungsbereich der bekannten Multiplizierschaltung ohne Signalverzerrungen um den der Stromverteilungsschaltung vergrößert werden. Weil außerdem der Überbrückungstransistor gleichstrommäßig dem ersten und dem zweiten Transistör parallelgeschaltet ist, bleibt die Größe des Kollektorspannungsraumes an dem Kollektorausgang des Transistorpaares unbeeinflußt.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform einer Multiplizierschaltung nach der Erfindung weist das Kennzeichen auf, daß dem Signal der ersten regelbaren Stromquelle beispielsweise ein Antennensignal aufmoduliert ist und dazu die erste regelbare Stromqueile mit einem Antennensignaleingang gekoppelt ist und erste und zweite Gegentaktausgänge enthält, welcher erste Ausgang mit den Emitterelektroden des genannten Transistorpaares gekoppelt ist und welcher zweite Ausgang mit dem Emitterelektroden eines demselben entsprechenden weiteren Transistorpaares mit dritten und vierten Transistoren gekoppelt ist, wobei gleichstrommäßig parallel zu der Kollektor-Em>;er-Strecke ein weiterer Uberbrückungstransistor c?r geregelten Stromverteilerschaltung geschaltet ist, und daß die Basiselektroden des ersten und des vierten Transistors wechselstrommäßig mit Masse verbunden sind und die des zweiten und des dritten Transistors mit einer Signalklemme des Signaleinganges, an welcher Signalklemme ein regelbarer Oszillator liegt
Bei Anwendung dieser Maßnahme funktioniert die Multiplizierschaltung als regelbare Mischstufe, wobei ein Antennensignal mit einem Oszillatorsignal multipliziert wird. Das dem Regeleingang des Regelkreises zugeführte Regelsignal kann dabei von einer AVR-Erzeugungsanordnung herrühren und dient dazu, das Ausgangssignal der Multiplizierschaltung auf einer konstanten Amplitude zu halten.
Eine andere bevorzugte Ausführungsform dieser Multiplizierschaltung weist das Kennzeichen auf, daß die Kollektorelektroden des ersten und dos drinen Transistors mit einer Speiseleitung verbunden sind und die Kollektorelektroden des zweiten und des vierten Trans:;tors mit einem Signalausgang, welcher Signalausgang über eine Reihenschaltung aus einem Widerstand und zwei antiparallelgeschalteten Begrsnzungsdioden mit der Speiseleitung verbunden ist.
Bei Anwendung dieser Maßnahme wird beim Fehlen eines ausreichenden Regelsignals an dem Regeleingang des Regelkreises das Ausgangssignal der Multipüzierschaltung begrenzt, um beispielsweise bei Verwendung in Empfängern Verstimmungseffekte zu unterdrücken.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 eine erfindungsgemäße Multiplizierschaltung, F ι g. 2 eine zweite Ausführungsform einer Regelschaltung, die in der Multiplizierschaltung aus F i g. 1 verwendbar ist.
F i g. 1 zeigt eine Multiplizierschaltung nach der Erfindung mit einem Transistorpaar mit ersten und zweiten Transistoren 1 Liid 2, deren Emitter miteinander gekoppelt sind, und mit einem weiteren Transistorpaar mit dritten und vierten ebenfalls emittergekoppnlten Transistoren 3 und 4. Die Emitterelektroden tier Transistoren 1 und 2 bzw. 3 und 4 sind außer miteinander auch mit einer regelbaren Stromquelle 8 verbunden und zwar über Gegentaktausgänge 6 und 7. Die Basiselektroden Jer Transistoren 1 und 4 sind miteinander und wechselstrommäßig mit Masse verbunden. Die Basiselektroden der Transistoren 2 und 3 sind ebenfalls miteinander und
über eine Eingangssignalklemme 50 mit einem Oszillator 51 verbunden. Die Kollektorelektroden der Transistoren 1 und 3 liegen an einer Speiseleitung V und die der Transistoren 2 und 4 an einem Signalausgang 5. Der Signalausgang 5 ist über einen Auskopplungskreis 24, 25 gleichstrommäßig mit der Speiseleitung V verbunden.
Die regelbare Stromquelle 8 enthalt zwei Transistorpaare mit den Transistoren 11 und 12 bzw. 13 und 14. Die Basiselektroden der Transistoren 11 und 14 bzw. die der Transistoren 12 und 13 sind miteinander sowie mit Antenneneingangsklemmen 9 bzw. 10 verbunden. Die Emitterelektroden der Transistoren U und 12 sind miteinander sowie mit dem Kollektor eines geregelten Stromquellentransistors 15 verbunden. Die Emitterelektroden der Transistoren 13 und 14 sind über Gegenkopplungswiderstände 21 und 22 mit dem Kollektor eines auf eine konstante Stromstärke eingestellten Stroniquellentransistors 16 verbunden. Die Basiselektroden der genannten Stromquellentransistoren 15 und 16 sind mit einer Basisspannungseinstellschaltung 17, 18 bzw. 19, 20 verbunden, die je aus einer Reihenschaltung aus einer Stromquelle 17 bzw. 19 und einer Diode 18 bzw. 20 bestehen. Die Basiselektrode des geregelten Stromquellentransistors 15 ist ebenfalls mit dem Kollektor eines Regeltransistors 23 verbunden. Die Basis dieses Regeltransistors 23 ist mit einem Regeleingang 26 eines Regelkreises 30 verbunden.
An den Regeleingang 26 des Regelkreises 30 wird eine AVR-Spannui.g gelegt, die bei einem zunehmenden Antennensignal an den Antenneneingangsklemmen 9 und 10 zunimmt. Eine zunehmende AVR-Spannung führt zu einem abnehmenden Kollektorstrom des Stromquellentransistors 15 und damit zu einer abnehmenden Signalverstärkung des Transistorpaares 11, 12. Auf diese Weise wird bei der regelbaren Stromquelle 8 das Ausgangssignai an den Gegentaktausgängen 6 und 7 und damit das Ausgangssignal an dem Signalausgang 5 auf einem gleichen Wert gehalten.
Bei einer immer weiter zunehmenden Amplitude des Antennensignals überschreitet jedoch zu einem bestimmten Augenblick die geregelte Signalverstärkung des Transistorpaares 11,12 die konstante Signalverstärkung des Transistorpaares 13,14. Zu diesem Augenblick ist die Grenze des Regelbereiches der bekannten regelbaren Stromquelle 8 erreicht, und bei einer noch weiter zunehmenden Antennensignalampütude nimmt auch das Ausgangssignal am Signalausgang 5 zu.
Nähere Kenntnisse in bezug auf die Wirkungsweise der bisher beschriebenen Schaltungsanordnung mit den Elementen 1 bis 23 sind zum Verständnis der Erfindung nicht notwendig. Für eine detaillierte Beschreibung der letztgenannten Schaltungsanordnung sei auf die obengenannte DE-PS 22 49 024 verwiesen.
Der Regelkreis 30 enthält eine Schwellenschaltung, die aus einer zwischen dem Regeleingang 26 und den Basiselektroden der Regeltransistoren 35 und 36 liegenden Schaltdiode 37 besteht Der Regelkreis 26 liegt über einen Entkopplungskondensator 38 an Masse. Die Regeltransistoren 35 und 36 sind als zweite regelbare Stromquelle wirksam. Die Emitterelektroden dieser Regeltransistoren 35 und 36 liegen an Masse. Der Kollektor des Regel transistors 35 ist einerseits mit den Basiselektroden der Transistoren 1 und 4 und andererseits über einen ersten Regeiwiderstand 3i mit einer ersten Spannungsbezugsklemme 52 eines Vorspannungseinstellkreises 37' verbunden. Der Kollektor des Regeltransistors 36 ist einerseits mit den Basiselektroden der Transistoren 2 und 3 und andererseits über einen zweiten Regelwiderstand 32 mit einer zweiten Spannungsbezugsklemme 53 des Vorspannungseinstellkreises 37' verbunden. Die beiden Regelwiderstände 31 und 32 sind gleich groß gewählt.
Der Vorspannungseinstellkreis 37' enthält als Dioden wirksame Transistoren 39 und 40, deren Kollektorelektroden an der Speiseleitung V liegen. Die Kollektor-Basis-Übergänge dieser Transistoren sind gleichstrommä-Big über einen Widerstand 43 bzw. eine Parallelschaltung der Widerstände 44 und 45 kurzgeschlossen. Der Widerstand 43 ist dem Widerstandswert der Parallelschaltung der Widerstände 44 und 45 entsprechend gewählt worden. Der Widerstand 45 ist mit der Eingangssignalklemme 50 verbunden. Die Emitterelektroden der Transistoren 39 und 40 liegen einerseits an den Spannungsbezugsklemmen 52 und 53 und andererseits über Vorspannutigswiderstände 33 und 34 an den Kollektorelektroden der Stromquellentransistoren 41 und 42. Die Stromquellentransistoren 41 und 42 liegen mit ihren Emitterelektroden an Masse und sind mit ihren Basiselektroden mit einer Vorspannungsquelle 46 verbunden. Die Verbindungen zwischen dem Vorspannungswiderstand 33 und dem Stromquellentransistor 41 und zwischen dem Vorspannungswiderstand 34 und dem Stromouellentransistor 42 sind mit dritten bzw. vierten Spannupgsbezugsklemmen 54 und 55 verbunden. Die dritten und vierten Spannungsbezugsklemmen 54 und 55 sind mit den Basiselektroden der Überbrückungstransistoren 56 und 57 verbunden, die einen Teil der geregelten Stromverteilungsschaltung 58 bilden. Die Kollektorelektroden der beiden Überbrückungstransistoren 56 und 57 liegen an der Speiseleitung V, die Emitterelektroden sind mit den gemeinsamen Emitterelektroden der Transistoren 1 und 2 und den gemeinsamen Emitterelektroden der Transistoren 3 und 4 verbunden.
Die Begrenzerschaitung 62 ist dem Auskuppiurigseie-
ment 24, 25 zwischen dem Signalausgang 5 und der Speiseleitung V parallelgeschaltet und enthält eine Reihenschaltung aus einem Linearisierungswiderstand 61 und zwei antiparallelgeschalteten Begrenzungsdioden 59 und 60.
Der Vorspannungseinstellkreis 37' liefert über die ersten und zweiten Spannungsbezugsklemmen 52 und 53 und die gleichen Regelwiderstände 31 und 32 eine gleiche Basisvorspannung zu den Transistoren 1 bis 4 und über die dritten und vierten Spannungsbezugsklemmen 54 und 55 eine niedrigere mit den Vorspannungswiderständen 33 und 34 einzustellende gleiche Basisspannung
so zu den Überbrückungstransistoren 56 und 57. Der ">pannung an der Spannungsbezugsklemme 53 ist ein Oszillatorsignal überlagert, das von dem Oszillator 51 herrührt und den Basiselektroden der Transistoren 2 und 3 asymmetrisch zugeführt wird. Die Basiselektroden der Transistoren 1 und 4 liegen ja wechselstrommäßig an Masse. Das Oszillatorsignal wird in den Transistorpaaren 1,2 und 3, 4 mit dem in der geregelten Stromquellenschaltung 8 verstärkten Antennensignal multiplikativ gemischt. An dem Signalausgang 5 findet über den Auskopplungskreis 24,25 eine Auskopplung des erwünschten Mischproduktes statt
Bei einer Zunahme der Amplitude des AVR-Signals an dem Regeieingang 26 infolge einer Zunahme der Antennensignalampütude innerhalb des Bereiches der bekannten Schaltungsanordnung ί bis 23 ist die Schaltdiode 37 gesperrt Beim Erreichen der Grenze dieses Regelbereiches, d-h, wenn die Signalverstärkung im wesentlichen in dem Transistorpaar 13,14 stattfindet, ist
die AVR-Spannung soweit gestiegen, daß die Diode 37 leitend wird. Die Regeltransistoren 35 und 36 werden dann leitend, wodurch ein gleicher Spannungsabfall an den Regelwiderständen 31 und 32 entsteht und die Basisvorspannungen der Transistoren 1 bis 4 in gleichem Maße abnehmen. Diese Abnahme der Basisvorspannung führt zugleich zu einer Senkung der Emitterspannung uer betreffenden Transistoren 1 bis 4.
Die Basis-Emitter-Spannungen an den Überbrükkungstransistoren 56 und 57 nehmen dadurch in gleichem Masse zu, wodurch diese beim Überschreiten einer gewissen Schwellenspannung leitend werden. Die genannte Schwellenspannung wird dabei nicht nur durch die Schaltspannung der Schaltdiode 37 sondern auch durch den Wert der Vorspannungswiderstände 33 und 34 und der Regelwiderstände 31 und 32 bestimmt. Im leitenden Zustand der Überbrückungstransistoren 56 und 57 wird ein Teil der durch die geregelte Stromquelle 8 den Gegentaktausgängen 6 und 7 gelieferten Ströme über die Überbrückungstransistoren 56 bzw. 57 zu der Speiseleitung V kurzgeschlossen. Die Amplitude des Ausgangssignals an dem Signalausgang 5 nimmt dadurch bis auf einen gewünschten Wert ab.
Bei einer weiteren Zunahme der AVR-Spannung können die kurzgeschlossenen Ströme durch die Überbrückungstransistoren 56 und 57 größer werden als die Ströme durch die Transistoren 1 bis 4 und im extremen Fall sogar den Gesamtstrom der Gegentaktausgänge 6 und 7 kurzschließen. Dadurch ist der Regelbereich der Mul'iplizierschaltung nach der Erfindung fast unbeschränkt.
Obschon die erfindungsgemäße Multiplizierschaltung als Mischstufe dargestellt und mit einer geregelten Stromquelle 8 kombiniert ist, ist es durchaus möglich, die Stromquelle 8 auf einen konstanten Wert einzustellen und nur eine Signalregelung, die tr.it eiern Regelkreis 30, dem Vorspannungseinsteiikreis 37' und dem Stromverteilungskreis 58 erhalten wird, anzuwenden. Eine derartige Signalregelung kann beispielweise bei Signalverstärkern verwendet werden.
Durch die Parallelschaltung der Überbrückungstransistoren 56 und 57 an den Transistoren 1 bis 4 geht die zur Einstellung dieser Überbrückungstransistoren 56 und 57 erforderliche Spannung nicht auf Kosten des Kollektorspannungsraumes an dem Signalausgang 5 und kann der Arbeitsbereich der letztgenannten Signalregelung bis zu sehr niedrigen Speisespannungen reichen.
Eine Zunahme der Ströme durch die Überbrückungstransistoren 56 und 57, führt, wie obenstehend erwähnt, zu einer Abnahme der Ströme durch die Transistorpaare 1,2 und 3,4. Dadurch geht eine Abnahme der Differentialwiderstände der Transistoren 56 und 57 mit einer Zunahme der Differentialwiderstände der Transistoren 3 bis 4 einher, und die Belastung für den Oszillator 51 an der Spannungsbezugsklemme 53 während der Signalregelung bleibt konstant Eine Verschiebung der Oszillatorfrequenz durch Belastungsänderungen während der Regelung wird dadurch vermieden.
Durch die Gegentaktausbildung der Stromverteilerschaltung 58 findet außerdem an den Kollektorleitungen der Überbrückungstransistoren 56 und 57 ein Ausgleich der kurzgeschlossenen Signalströme statt, ohne daß diese an die Speiseleitung V gelangen und anderswo in der Schaltungsanordnung Störungen herbeiführen können.
In einer nicht dargestellten Ausführungsform der Multiplizierschaltung nach dem Anspruch 1 fehlen die Vorspannungswiderstände 33 und 34 und die Spannungsbezugsklemmen 53 und 55 sind miteinander kurzgeschlossen. Um in der letztgenannten Ausführungsform zu vermeiden, daß unmittelbar beim Leitendwerden der Überbrückungstransistoren 56 und 57 ein zu großer Strom kurzgeschlossen wird und dadurch der Rauschbeitrag dieser Überbrückungstransistoren 56 und 57 unakzeptierbat groß wird, ist dabei die Emitteroberfläche der Transistoren 1 bis 4 um einige Male größer gewählt worden als die der Überbrückungstransistoren 56 und 57. In der Praxis wird eine derartige Maßnahme mit der Verwendung von Einstellwiderständen 33 und 34 kombiniert, wie dies dargestellt ist, um eine genaue Einstellung des Stromes durch die Überbrükkungstransistoren 56 und 57 als Funktion der AVR-Spannung an dem Regeleingang 26 zu bewirken.
Bei Verwendung der dargestellten Multiplizierschaltung in einem Empfänger kann es passieren, daß bei Verstimmung dem Kegeleingang 26 eine unzureichende AVR-Spannung zugeführt wird und daß eine zu geringe Signalregelung stattfindet. Der Stromquellentransistor 15 liefert dann einen zu großen Strom und die Signalverstärkung in den Transistoren 11 und 12 ist dann ebenfalls zu groß. Die Signale an den Signalausgang 5 können dadurch stark verzerrt werden. Um diese Signale in der Amplitude zu begrenzen, ist in der dargestellten Ausführungsform der Multiplizierschaltung die Begrenzungsschaltung 62 vorgesehen. Die antiparallelgeschalteten Dioden 59 und 60 dieser Begrenzungsschaltung 62 begrenzen die Amplitude der Rauschsignale an dem Signalausgang 5 auf einen durch die Diodenschaltspannung bestimmten Wert. Durch den Linearisierungswiderstand 61 findet diese Amplitudenbegrenzung etwas allmählich statt.
In einer praktischen Ausführungsform der dargestellten Multiplizierschaltung hatten die Elemente die folgenden Werit:
Widerstand Wert(n)
Kondensator Wert
21 I^ k 38
22 1,5 k 24
31 680
45 32 680
33 470
34 470
43 1,5k
44 4,7 k
50 55 2,2 k
6t 1 k
180 \iF
F i g. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform einer Regelschaltung, die in einer Multiplizierschaltung nach dem Anspruch 1 verwendet werden kann. Die Elemente, die denen der vorhergehenden Figuren entsprechen, sind mit denselben Bezugszeichen angegeben.
Der Regeleingang 26 des Regelkreises 30 ist einerseits mit den gemeinsamen Basiselektroden der Regeltransistoren 35 und 36 und andererseits über eine als Schwellenschaltung wirksame Reihenschaltung aus einem Schwellenwiderstand 71 und einem in die Emitterleitung des Stromquellentransistors 15 aufgenommenen Emitterwiderstand 72 mit Masse verbunden.
Die Emitterelektroden der Regeliransistoren 35 und 36 sind miteinander und über einen Widerstand 70 mit dem Verbindungspunkt des Schwellenwiderstandes 71 und des Emitterwiderstandes 72 verbunden. Die Basis-
I 9
if- spannungseinstellschaltung des Stromquellentransistors
';>> 15 enthält eine weitere Diode 18', über die die Diode 18
an Masse liegt. Die Anode der Diode 18 ist über einen r Widerstand 63 und die Kathode über einen Widerstand
"i 64 mit der Basis des Sliomquellenlransistors 15 verbun-
den.
t; Der Emitterwiderstand 72 bewirkt eine Gegenkopp-
'■■': lung für Rauschsignale, die über die Dioden 18 und 18'
i" entstehen können, und dadurch eine Verringerung des
;:.. Rauschbeitrages des Transistors 15 zu der Multiplizier-
schaltung.
Eine Zunahme der AVR-Spannung an dem Regelcin-
gang 26 führt zu einer Erhöhung der Spannung an dem
Emitterwiderstand 72. Die Basis-Emitter- Spannung des ; Stromquellentransistors 15 nimmt dadurch ab und da-
:■'';. mit auch dessen Kollektorstrom.
•-.j Der Schwellenwiderstand 71 ist derart gewählt wor-
j-1 den, daß in dem Regelbereich des Stromquellentransi-
|lil ICl'C ri' Cl* Il ■ I . J
JV SlOrS I^ GiC ·_*Ρ£μμΙ!Γ?£^ ί*ΓΪ UIVJI.I1I UVIlVV\.IIVIl'niu(.l JtUIIU
j| klein genug ist, um die Regeltransistoren 35 und 36 in
fli geschlossenem oder nahezu geschlossenem Zustand zu
£; halten.
p Wird bei einem bestimmten Wert der AVR-Spannung
jj£ die Grenze des Regelbereiches des Stromquellentransi-
H stors 15 erreicht, so werden die Regeltransistoren 35
f| und 36 leitend. Der Widerstand 70 bestimmt die Regelverstärkung, d. h. das Ausmaß, in dem die Kollektorströ-
II me der Regeltransistoren 35 und 36 zu bzw. abnehmen S und zwar abhängig von der AVR-Spannung.
ΊΓ In einer praktischen Ausführungsform hatten die EIe-
f mente die nachfolgenden Werte:
Widerstand Wert(n)
35
31 680
32 680
70 330
71 470
72 220
63 3 k
64 1,8 k
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
50
55
60
65

Claims (8)

Patentansprüche:
1. Multiplizierschaltung, bestehend aus einem Transistorpaar mit einem ersten und einem zweiten Transistor, deren Emitterelektroden miteinander gekoppelt sind, und mit einem Kollektorausgang, der ein Ausgang der Multiplizierschaltung ist, wobei die gekoppelten Emitterelektroden gemeinsam mit einer ersten Stromquelle verbunden sind und daraus ein Signal erhalten, sowie aus einem Vorspannungseinstellkreis zum Anlegen gleich großer Basisvorspannungen an beide Basiselektroden des Transistorpaares, welchen Basiselektroden über einen Signaleingang ein mit dem erstgenannten Signal zu multiplizierendes, weiteres Signal zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Multiplizierschaltung zugleich mit einer geregelten Stromverteilerschaltung (58) versehen ist, die einem Überbrückungstiansistor (56 bzw. 57), dessen Kollektor-Emitterstrecke gleichstrommäßig der der beiden erstgenannten Transistoren (1,2 bzw. 3, 4) parallelgeschaltet ist, sowie einen Regelkreis (30) enthält zum Zuführen einer Regelspannung zwischen der Basiselektrode des Überbrückungstransistors (56 bzw. 57) und der des Transistapaares (1,2 bzw. 3,4).
2. Multiplizierschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromquelle (8) regelbar und mit dem Regelkreis (30) verbunden ist, welcher Regelkreis (30) mit einer Schwellenschaltung (31—38 bzw. 31—36, 70—72) versehen ist zum im wesentlichen sequentiellen R^eIn der ersten Stromquelle (8) und der Stronverteilerschaltung (58).
3. Multiplizierschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromverteilerschaltung (58) über die Schwellenschaltung (31-36, 70-72) mit einem Regeleingang (26) des Regelkreises (30) verbunden ist, welche Schwellenschaltung (31—36, 70—72) eine Reihenschaltung aus zwei Widerständen (71, 72) enthält zum Erzeugen einer Regelspannung an denselben für die erste regelbare Stromquelle (8) und die Stromverteilerschaltung (58) und wobei ein Ausgang über einen ersten Regelwiderstand (31 bzw. 32) mit einem Spannungsbezugspegel gekoppelt ist zum Erzeugen der genannten Regelspannung zwischen der Basis des Überbrückungstransistors (56 bzw. 57) und den Basiselektroden des Transistorpaares (1,2 bzw. 3,4).
4. Multiplizierschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Regelkreis eine zweite regelbare Stromquelle (35 bzw. 36) enthält, die mit einem Regeleingang (Emitterelektrode von 56 bzw. 57) der Stromverteilerschaltung (58) verbunden ist.
5. Multiplizierschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des ersten Transistors (1 bzw. 4) über einen ersten Regelwiderstand (31), die Basis des zweiten Transistors (2 bzw. 3) über einen zweiten Regelwiderstand (32) und die Basis des Überbrückungstransistors (56 bzw. 57) über einen Vorspannungswiderstand (33 bzw. 34) mit dem Spannungsbezugspegel verbunden sind und die zweite regelbare Stromquelle (35,36) mit ersten und zweiten Stromausgängen versehen ist, die mit der Basis des ersten bzw. des zweiten Transistors (1,4 bzw. 2, 3) verbunden sind zum entsprechenden Ändern der Basis-Emitter-Spannungen der ersten und zweiten Transistoren bei einer Regelung der zwei
ten regelbaren Stromquelle.
6. Multiplizierschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß dem Signal der ersten regelbaren Stromquelle (8) beispielsweise ein Antennensignal aufmoduliert ist und dazu die erste regelbare Stromquelle (8) mit einem Antennensignaleingang (9, 10) verbunden ist und erste und zweite Gegentaktausgänge (% 7) enthält, welcher erste Ausgang (6) mit den Emitterelektroden des genannten Transistorpaares (1, 2) verbunden ist und weicher zweite Ausgang (7) mit Emitterelektroden eines demselben entsprechenden weiteren Transistorpaares mit dritten und vierten Transistoren (3, 4) verbunden ist, wobei gleichstrommäßig parallel zu der Kollektor-Emitter-Strecke ein weiterer Oberbrückungstransistor (57) der geregelten Stromverteilerschaltung geschaltet ist. und daß die Basiselektroden des ersten und des vierten Transistors (1,4) wechselstrommäßig mit Masse verbunden sind und die des zweiten und dritten Transistors (2, 3) mit einer Signalklemme (50) des Signaleinganges, an welcher Signalklemme ein regelbarer Oszillator (51) liegt.
7. Multiplizierschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitteroberfläche des ersten und zweiten Transistors (1, 2 bzw. 3, 4) größer ist als die des Überbrückungstransistors (56 bzw. 57).
8. Multiplizierschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektoreiektroden des ersten und dritten Transistors (1,3) mit einer Speiseleitung (V) verbunden sind und die Kollektorelektroden des zweiten und vierten Transistors (1, 4) mit einem Signalausgang (5), welcher Signalausgang (5) über eine Reihenschaltung aus einem Widerstand (61) und zwei antiparallelgeschalteten Begrenzungsdioden (59, 60) mit der Speiseleitung (V) verbunden ist.
DE3043641A 1979-11-23 1980-11-19 Multiplizierschaltung mit ersten und zweiten emittergekoppelten Transistoren Expired DE3043641C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE7908535,A NL182684C (nl) 1979-11-23 1979-11-23 Regelbare vermenigvuldigschakeling bevattende eerste en tweede transistoren in lange staartschakeling met gekoppelde emitterelektroden.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3043641A1 DE3043641A1 (de) 1981-06-04
DE3043641C2 true DE3043641C2 (de) 1985-07-11

Family

ID=19834228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3043641A Expired DE3043641C2 (de) 1979-11-23 1980-11-19 Multiplizierschaltung mit ersten und zweiten emittergekoppelten Transistoren

Country Status (11)

Country Link
US (1) US4388540A (de)
JP (1) JPS5685184A (de)
AU (1) AU542516B2 (de)
CA (1) CA1165004A (de)
DE (1) DE3043641C2 (de)
ES (1) ES497030A0 (de)
FR (1) FR2470482A1 (de)
GB (1) GB2064253B (de)
IT (1) IT1129881B (de)
NL (1) NL182684C (de)
SE (2) SE448661B (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4634995A (en) * 1982-01-28 1987-01-06 Hitachi, Ltd. Electronic circuitry utilizing an inerted Darlington amplifier output stage to be operable with a low supply voltage
DE3329663A1 (de) * 1983-08-17 1985-03-07 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Mehrstufiges signaluebertragungssystem
GB8414452D0 (en) * 1984-06-06 1984-07-11 Motorola Inc Automatic gain control circuit
JPS6115426A (ja) * 1984-06-29 1986-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ミキサ装置
GB2187581B (en) * 1985-04-10 1989-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Control circuit
NL8503435A (nl) * 1985-12-13 1987-07-01 Philips Nv Uhf-versterkermengschakeling.
US5311086A (en) * 1991-03-01 1994-05-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Multiplying circuit with improved linearity and reduced leakage
US5424663A (en) * 1993-04-22 1995-06-13 North American Philips Corporation Integrated high voltage differential sensor using the inverse gain of high voltage transistors
JP2576774B2 (ja) * 1993-10-29 1997-01-29 日本電気株式会社 トリプラおよびクァドルプラ
GB2284719B (en) * 1993-12-13 1998-03-11 Nec Corp Differential circuit capable of accomplishing a desirable characteritic
US5831468A (en) * 1994-11-30 1998-11-03 Nec Corporation Multiplier core circuit using quadritail cell for low-voltage operation on a semiconductor integrated circuit device
JP3058087B2 (ja) * 1996-06-07 2000-07-04 日本電気株式会社 利得可変増幅器
EP0859461A1 (de) * 1997-02-18 1998-08-19 Nec Corporation Mischerschaltung mit breitem Dynamikbereich
DE19753095A1 (de) * 1997-11-29 1999-06-02 Philips Patentverwaltung Integrator-Filterschaltung
US6212369B1 (en) * 1998-06-05 2001-04-03 Maxim Integrated Products, Inc. Merged variable gain mixers
US6104227A (en) * 1999-03-29 2000-08-15 Motorola, Inc. RF mixer circuit and method of operation
US6670847B1 (en) * 2002-01-18 2003-12-30 Xilinx, Inc. Inductive amplifier with a feed forward boost
CN115129295B (zh) * 2022-07-22 2024-09-20 晶艺半导体有限公司 一种乘法器电路

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL162802C (nl) * 1971-10-09 1980-06-16 Philips Nv Geintegreerde verschilversterker.
JPS5447908A (en) * 1977-09-26 1979-04-16 Hitachi Ltd Low pressure exhaust chamber

Also Published As

Publication number Publication date
GB2064253A (en) 1981-06-10
AU542516B2 (en) 1985-02-21
AU6459880A (en) 1981-05-28
NL7908535A (nl) 1981-06-16
JPH0352247B2 (de) 1991-08-09
US4388540A (en) 1983-06-14
ES8107419A1 (es) 1981-10-01
IT8068778A0 (it) 1980-11-20
ES497030A0 (es) 1981-10-01
CA1165004A (en) 1984-04-03
SE8008129L (sv) 1981-05-24
NL182684C (nl) 1988-04-18
FR2470482B1 (de) 1984-05-18
JPS5685184A (en) 1981-07-11
FR2470482A1 (fr) 1981-05-29
NL182684B (nl) 1987-11-16
GB2064253B (en) 1983-09-28
SE448661B (sv) 1987-03-09
IT1129881B (it) 1986-06-11
DE3043641A1 (de) 1981-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3043641C2 (de) Multiplizierschaltung mit ersten und zweiten emittergekoppelten Transistoren
DE3103969C2 (de) "Versorgungsspannungstreiber für einen Differentialverstärker"
DE69024182T2 (de) Linearer sender
DE1904334A1 (de) Differentialverstaerker fuer vorzugsweise automatische Verstaerkungsregelung
DE2167266C2 (de) Begrenzerschaltung
DE1129233B (de) Einrichtung zur Nacheinanderverstaerkung einer Anzahl kleiner Spannungen
DE1541546B1 (de) Schaltungsanordnung zur verstaerkungsregelung
EP0290080B1 (de) Schaltungsanordnung zum Verstärken eines Fernsehsignals
DE2456375C2 (de)
DE3622615C1 (de) Spannungsgesteuerter Verstaerker fuer erdsymmetrische,elektrische Signale
DE3125200C2 (de) Rückführungsstabilisierter Zwischenfrequenzverstärker für Fernsehzwecke
DE2912234C2 (de)
DE3007715A1 (de) Verstaerkerschaltung mit durch eine steuerspannung steuerbarer gesamtverstaerkung
DE2624337C2 (de) Doppelgegentaktmodulator mit einem Gegentaktverstärker
DE2001306C3 (de) Verstärker mit automatischer Pegelregelung
DE2855880C2 (de) Schaltungsanordnung mit einem regelbaren Verstärker
DE597979C (de) Demodulations- oder Verstaerkerschaltung
DE2514544B2 (de) Verstärkerschaltung mit einem Feldeffekttransistor
DE955788C (de) Schwundregelschaltung
DE951278C (de) Niederfrequenzverstaerker mit Lautstaerkeregelung und negativer Rueckkopplung, insbesondere fuer Rundfunkempfaenger
DE1262337B (de) Schaltungsanordnung zur AEnderung der Verstaerkung einer Videosignal-Transistorstufe
DE1105923B (de) Schaltungsanordnung zur Verstaerkungsregelung eines mit Roehren bestueckten Hochfrequenzverstaerkers
DE2247230C3 (de) Differenzverstärker zur Steuerung der Ablenkströme durch die Ablenkspulen einer Kathodenstrahlröhre
DE1487367C (de) Komplementärsymmetrische Gegentaktverstärkerschaltung mit Schutz der Ausgangstransistoren
DE2438219A1 (de) Differenzverstaerker mit verstaerkungsregelung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, N

8339 Ceased/non-payment of the annual fee