DE2624337C2 - Doppelgegentaktmodulator mit einem Gegentaktverstärker - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Doppelgegentaktmodulator mit einem Gegentaktverstärker in Emitterschaltung, der einen ersten und einen zweiten Transistor enthält, von denen wenigstens einer an der Basis mit einem modulierendem Eingangssignal beaufschlagbar ist und die emitterseitig jeweils über einen Gleichstrompfad, insbesondere über eine Quelle konstanten Gleichstroms, an eine Speisespannung geführt sind, und an deren Kollektoren ferner jeweils zwei emitterseitig unmittelbar miteinander verbundene dritte bis sechste Transistoren angeschlossen sind, die an der Basis mit einer Trägerspannung beaufschlagbar sind.

Eine derartige Schaltungsanordnung ist bereits aus der DE-PS 23 64 156 bekannt.

Es ist weiterhin bereits ein Verstärker mit einem Transistor in Emitterschaltung bekannt (DE-PS 19 30 926), bei dem in der Emitterzuführung ein Gegenkopplungswiderstand angeordnet und parallel zu diesem Widerstand über einen Kondensator eine Diode angeschlossen ist. Parallel zu der Diode ist mit Hilfe eines weiteren Kondensators eine zusätzliche Diode geschaltet. Beide Dioden sind für die am Emitterwiderstand liegende Wechselspannung antiparallel, für einen Steuergleichstrom dagegen in Serie geschaltet. Der Emitterwiderstand ist groß gegen den durchsteuerbaren Widerstandsbereich der beiden Dioden.

Die Verwendung von Dioden als variabler Widerstand hat den Vorteil, daß eine relativ genaue Zuordnung zwischen dem Diodenstrom als Steuergröße und dem differentiellen Diodenwiderstand als Stellgliedgröße besteht. Andererseits kann es sich jedoch bei Verwendung von Dioden als variabler Widerstand nachteilig auswirken, daß sie sehr stark nichtlinear sind. Bei den Klirrforderungen, wie sie insbesondere an Umsetzer der Trägerfrequenztechnik gestellt werden, kann dies die Signalspannung an einer einzelnen Diode auf einige zehntel Millivolt beschränken, was jedoch Schwierigkeiten hinsichtlich des thermischen Rauschens mit sich bringen kann.

Es wurde bereits ein Verstärker mit steuerbarer Verstärkung vorgeschlagen, der mindestens einen Transistor in Emitterschaltung enthält (DE-PS 25 43 090). Bei diesem, zwei Emitterstufen enthaltenden Verstärker ist der über den Gleichstromemitterwiderstand an Bezugspotential (Masse) geführte Emitter des Transistors der Ausgangsstufe über einen Kondensator mit der Basis des Transistors der Eingangsstufe verbunden, und die Diodenschaltung enthält mehrere einander in Serie geschaltete Dioden.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung der vorstehend näher bezeichneten Art derart auszubilden, daß sie hinsichtlich der Verstärkung bzw. Umsetzungsverstärkung, die auch kleiner als 1 sein kann, steuerbar ist und dabei ein möglichst günstiges Rauschverhalten und eine geringe exemplarische Streuung des Zusammenhanges von Stellgröße und

Stellwiderstand hat

Gemäß der Erfindung wird die Schaltungsanordnung zur Lösung dieser Aufgabe derart ausgebildet, daß die Emitter des ersten und des zweiten Transistors jeweils über einen Kondensator und eine Sericnschaltung mehrerer Dioden an eine durch eine Steuergröße steuerbare Quelle eingeprägten Gleichstroms geführt Sind und daß der Verbindungspunkt des Kondensators mit der Serienschaltung jeweils über einen Widerstand an eine Speisespannung geführt ist ι ο

Eine derarrjge Schaltungsanordnung ermöglicht eine besonders rausch- und verzerrungsarme Regelung bei günstigem Temperaturverhalten und einer niedrigen Leistungsaufnahme. Die Schaltungsanordnung läßt sich besonders vorteilhaft in Einrichtungen zur pilotgesteuerten Verstärkungsregelung in TF-Übertragungssystemen verwenden, bei denen an die Amplitudenlinearität bezüglich Verzerrungen zweiter und dritter Ordnung hohe Anforderungen gestellt werden.

Derartige Regeleinrichtungen dienen insbesondere zum Ausgleich von Restdämpfungsschwankungen auf der Empfangsseite von TF-Endgeräten und enthalten pilotgeregelte Verstärker oder Transistormodulatoren. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Die Erfindung wird anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 einen hinsichtlich der Umsetzungsdämpfung bzw. -verstärkung veränderbaren Doppelgegentaktmodulator mit symmetrischer und

F i g. 2 einen hinsichtlich der Umsetzungsdämpfung bzw. -verstärkung veränderbaren Doppelgegentaktmodulator mit unsymmetrischer Ansteuerung durch das modulierende Signal.

Zur Veränderung der Umsetzungsdämpfung bzw. -verstärkung ist jeweils ein Diodenstellglied vorgesehen, mit dessen Hilfe eine Änderung der Verstärkung bzw. Dämpfung um insbesondere etwa ±5 dB vorgenommen werden kann. Dieses Diodenstellglied ist mit Halbleiter-, insbesondere Siliziumdioden, aufgebaut und läßt sich vorteilhaft in geregelten Doppelgegentaktmodulatoren oder Gegentaktverstärkern verwenden.

Der in F i g. 1 gezeigte Doppelgegentaktmodulator enthält einen Gegentaktverstärker mit zwei Transistoren 21 und 22, der an die vier modulierenden Transistoren 23 bis 26 zwei einander gegenphasige eingeprägte Signalströme abgibt.

Die Transistoren 21 und 22 des Gegentaktverstärkers liegen mit ihren Basisanschlüssen an den Enden einer symmetrischen Sekundärwicklung des Signalübertragers 1, dessen Primärwicklung die Eingangssignalspannung Ue bzw. das modulierende Signal zugeführt wird. Die Mittelanzapfung der symmetrischen Sekundärwicklung des Signalübertragers 1 ist über den Kondensator 5 an Erde gelegt. Außerdem ist der Mittelanzapfung der Sekundärwicklung des Signalübertragers 1 eine Gleichvorspannung zugeführt, die in einem zwischen Speisespannung — Ub und Erde liegenden Spannungsteiler, bestehend aus einer Serienschaltung der Widerstände 3, 4 und 6, erzeugt wird. Dieser Spannungsteiler, bei dem der Widerstand 3 an Erde und der Widerstand 6 an der Speisespannung — Ub liegt, hat zwei Abgriffe. Der Verbindungspunkt der Widerstände 3 und 4 ist mil der Mittelanzapfung der symmetrischen Sekundärwicklung des Trägerübertragers 2, der Verbindungspunkt der Widerstände 4 und 6 mit der Mittelanzapfung der Sekundärwicklung des Signalübertragers 1 verbunden.

Über die Mittelanzapfungen der Übertrager 1 und 2 werden somit die von den Spannungsteilerwiderständen 3,4 und 6 erzeugten Basisvorspannungen zugeführt

Der eigentliche Doppelgegentaktmodulator besteht aus den vier Transistoren 23,24,25 und 26, die von den Kollektoren der Transistoren 21 und 22 zueinander gegenphasige eingeprägte Signalströme erhalten.

Die Transistoren 23 und 24 des Doppelgegentaktmodulators sind emitterseitig zusammengeführt und an den Kollektor des Transistors 21 angeschlossen. Die Emitter der Transistoren 25 und 26 sind miteinander verbunden und an den Kollektor des Transistors 22 geführt Von den Enden der Sekundärwicklung des Trägerübertragers 2 liegt das eine an der Basisverbindung der Transistoren 23 und 26, das andere an der Basisverbindung der Transistoren 24 und 25. Von der symmetrischen Primärwicklung eines Ausgangsübertragers 27, deren Mittelanzapfung geerdet ist, liegt das eine Ende an der Kollektorverbindung der Transistoren 23 und 25, das andere an der Kollektorverbindung der Transistoren 24 und 26. Über den Ausgangsübertrager 27 wird das umgesetzte Ausgangssignal Ua ausgekoppelt

Transistoren 9 und 10 dienen zur Gleichstromeinprägung in den Gegentaktverstärker. Dabei ist der Transistor 21 mit seinem Emitter an den Kollektor des Transistors 9, der Transistor 22 mit seinem Emitter an den Kollektor des Transistors 10 angeschlossen. Der Transistor 9 ist mit seinem Emitter über einen Widerstand 7, der Transistor 10 mit seinem Emitter über einen Widerstand 8 an die Speisespannung — Ub geführt. Die Basisanschlüsse der Transistoren 9 und 10 sind unmittelbar zusammengeführt und an den Abgriff eines aus den Widerständen 28 und 29 bestehenden Spannungsteilers gelegt, der zwischen der Speisespannung — i/ßund Erde liegt.

Bei dem symmetrischen Doppelgegentaktmodulator ist ein Stellglied, das die Dioden 15 bis 20 enthält, symmetrisch als veränderbarer Gegenkopplungswiderstand zwischen den Emittern der Transistoren 21 und 22 des Gegentaktverstärkers angeordnet. Dieses Stellglied ist über Kondensatoren 13 und 14, die das Stellglied von den Emittern gleichstrommäßig trennen, an die Emitter der Transistoren 21 und 22 angeschlossen und wird durch den Kollektorstrom eines Transistors 30 gesteuert. Dabei ist der Kollektor des Transistors 30 an den Verbindungspunkt zweier aus jeweils mehreren Dioden bestehenden Serienschaltungen angeschlossen. Die eine Serienschaltung enthält die gleichsinnig zueinander in Serie geschalteten Dioden 15 bis 17, die andere die ebenfalls gleichsinnig in Serie zueinander liegenden Dioden 18 bis 20. Die beiden Serienschaltungen sind derart an den Kollektor des Transistors 30 angeschlossen, daß jeweils gleichartige Diodenanschlüsse bzw. die Anoden der beiden Dioden 17 und 18 am Kollektor liegen.

Von den dem Kollektor des Transistors 30 abgewandten Enden der Serienschaltungen ist das eine über den Kondensator 13 an den Emitter des Transistors 21, das andere über den Kondensator 14 an dem Emitter des Transistors 22 geführt. Dabei ist die Kathode der Diode 15 mit dem Kondensator 13, die Kathode der Diode 20 mit dem Kondensator 14 verbunden. Außerdem liegt die Kathode der Diode 15 über einen Widerstand 11, die Kathode der Diode 20 über einen Widerstand 12 an der Speisespannung — Ub-

Die Widerstände 11 und 12, deren Werte einander gleich sind, sorgen dafür, daß sich der durch die beiden Diodenzweige fließende Summengleichstrom, d. h. der

in den Stromzweig mit den Dioden 15 bis 17 einerseits und den Stromzweig mit den Dioden 18 bis 20 andererseits fließende Gleichstrom gleichmäßig verzweigt und somit die Symmetrie des Stellgliedes gewährleistet ist.

Die Schaltungsanordnung kann vorteilhaft zur automatischen Pegelregelung in TF-Übertragungseinrichtungen dienen. Bei automatischer Pegelregelung gelangt die Regelspannung Ur über einen Vorwiderstand 33 an einen einpolig an Erde liegenden Siebkondensator 32 und von dort an die Basis des emitterseitig über einen Widerstand 31 an Erde geführten Regeltransistors 30. Aus der Höhe der Regelspannung £//?und dem Wert des Emitterwiderstandes 31 ergibt sich die Größe des Diodengleichstromes und damit der differentielle Widerstand der Diodenanordnung.

Der Kondensator 32 bewirkt sowohl eine Siebung der Regelspannung als auch eine Glättung der Vorspannung, die dem Transistor 30 zur Einstellung des Reglers auf eine mittlere Verstärkung zugeführt wird. Der Kondensator 32 verhindert in diesem Fall, daß — hervorgerufen durch eine brummbehaftete Speisespannung — eine störende Brummodulation des Eingangssignals auftritt.

Die Regelspannung Ur wird von einem in der Figur nicht dargestellten Pilotempfänger eines TF-Übertragungssystems geliefert. Bei gezogenem Pilotempfänger soll sich die Umsetzungsdämpfung bzw. -verstärkung des als TF-Umsetzer dienenden Doppelgegentaktmodulators auf ihren Mittelwert einstellen. Dies geschieht über den aus den Widerständen 35 und 36 bestehenden Spannungsteiler, der bei fehlendem Pilotempfänger von seinem Abgriff aus über den Widerstand 34 die entsprechende Vorspannung an die Basis des Transistors 30 liefert. Über das Erdpotential, das über den in der Figur nicht näher dargestellten Pilotempfänger an den Verbindungspunkt der Widerstände 35 und 36 angelegt ist, wird diese Vorspannung bei in Betrieb befindlicher Regelung kurzgeschlossen.

Der in F i g. 2 gezeigte Doppelgegentaktmodulator stimmt mit dem in F i g. 1 dargestellten weitgehend überein. Dies gilt insbesondere für die Regelung, die automatische Mitteneinstellung der Verstärkung, die Trägerzuführung und die weiteren, im folgenden zu F i g. 2 nicht näher beschriebenen Schaltungsteile.

Abweichend von F i g. 1 ist nach F i g. 2 dem püotgeregelten Doppelgegentaktmodulator ein im Übertragungsbereich praktisch frequenzunabhängiger kapazitiver Spannungsteiler zur kontinuierlichen manuellen Pegeleinstellung vorgeschaltet. Die Zuführung der Eingangsspannung Ue zur Basis des Transistors 21 erfolgt dabei über den kapazitiven Spannungsteiler, bestehend aus dem Kondensator 41 mit fester und dem Kondensator 42 mit veränderbarer Kapazität

Die Eingangsspannung Ue wird dem Gegentaktverstärker unsymmetrisch, und zwar nur der Basis des Transistors 21 zugeführt Die Basis des Transistors 22 ist über den Kondensator 47 wechselstrommäßig an Erde gelegt, damit beim Transistor 22 die Signalsteuerung ausschließlich über den Emitter erfolgt. Eine Mitsteuerung der Basis über den Widerstand 51 würde nämlich zu nicht symmetrischen bignalströmen führen.

Anstelle der Spannungsteiler 3, 4, 6 und 28, 29 in Fig.! ist ein aus Widerständen 44 bis 46 bestehende, zwischen der Speisespannung — Ub und Erde liegende Spannungsteiler vorgesehen. Bei diesem Spannungsteiler liegt der Widerstand 44 an Erde und der Widerstand an der Speisespannung — Ub- Der Verbindungspunkt der Widerstände 44 und 45 ist unmittelbar mit der Basis des Transistors 22 verbunden und über den Widerstand 51 an die Basis des Transistors 21 geführt. Der Verbindungspunkt der Widerstände 45 und 46 liegt unmittelbar an den Basisanschlüssen der Transistoren 9 und 10. Die Gleichvorspannung für die Transistoren 23 bis 26 ist der den Basisverbindungen zugeführten symmetrischen Trägerspanriung überlagert.

Ein weiterer Unterschied gegenüber dem Doppelgegentaktmodulator nach F i g. 1 besteht darin, daß der Verbindungspunkt der Widerstände 11 und 12 nicht unmittelbar, sondern über die Drossel 48 an die Speisespannung — Ub geführt ist. Die Drossel 48 ist derart bemessen, daß ihr Scheinwiderstand bei der tiefsten zu übertragenden Signalfrequenz wesentlich größer ist als der Wert des Widerstandes 11 bzw. 12, so daß über den Widerstand 11 und die Drossel 48 kein nennenswerter Teil des Signalstromes zur Speisespannungsquelle abfließen kann. Hierdurch wird erreicht, daß die beiden Transistoren 21 und 22 im Gegentaktbetrieb arbeiten, obwohl die Eingangsspannung Ue unsymmetrisch angeboten wird.

Anstelle der Drossel 48 kann gegebenenfalls ein hinreichend großer Widerstand oder eine aktive Schaltung, insbesondere eine Transistorschaltung Verwendung finden, die einen kleinen Gleichstromwiderstand und einen hohen differentiellen Widerstand aufweist.

Bei dem eigentlichen Doppelgegentaktmodulator sind die Transistoren 23 und 25 kollektorseitig zusammengeführt und unmittelbar an Erde gelegt. Die Kollektorverbindung der Transistoren 24 und 26 ist über den Widerstand 50 an Erde geführt. Das umgesetzte Ausgangssignal Ua kann unsymmetrisch am Widerstand 50 abgenommen werden. Gegebenenfalls kann am Ausgang des Doppelgegentaktmodulators ein entsprechend F i g. 1 angeschalteter Ausgangsübertrager vorgesehen werden.

Zusätzlich zu den Funktionen, die der Kondensator 32 in der Schaltungsanordnung nach F i g. 1 hat, hat er im Ausführungsbeispiel nach F i g. 2 den weiteren Zweck, Rückwirkungen des Transistors 30 klein zu halten. Die wirksame Rückwirkungskapazität des Transistors 30 wird durch die wechselstrommäßige Erdung der Basis verringert, so daß insbesondere bei hohen Frequenzen ein Frequenzgang und rückwirkungsbedingte Verzerrungen zweiter Ordnung weitgehend vermieden werden.

In den Ausführungsbeispielen ist aufgrund der gegebenen Polarität der Transistor 30 nicht wie alle anderen Transistoren vom Typ npn, sondern ein pnp-Transistor.

Bei den in den Figuren gezeigten Schaltungsanordnungen wird eine hohe Amplitudenlinearität bezüglich Verzerrungen zweiter und dritter Ordnung erreicht. Die an der gekrümmten Kennlinie der Dioden entstehenden nichtlinearen Verzerrungen werden auf derart geringe Werte gehalten, daß deren Geräuschbeitrag weit unter den im allgemeinen geforderten Geräuschwerten bleibt. Das Entstehen von geradzahligen Harmonischen der Grundwelle wird weitgehend dadurch vermieden, daß die Diodenanordnung symmetrisch ist, so daß sich die nichtünearen Anteile der Kennlinie von geradzahliger Ordnung in der Gegentaktanordnung kompensieren. Das Entstehen von ungeradzahligen Harmonischen der Grurdwelle ist dadurch erheblich vermindert, daß mehrere Dioden in Serie geschaltet sind. Damit wird jede Diode nur mit einem Bruchteil der angelegten

Wechselspannung ausgesteuert, entsprechend kleiner werden dann auch die Oberwellen. Durch entsprechende Bemessung der Anzahl der Dioden und der Größe des Eingangssignalpegels können die vom System her geforderten Klirrdämpfungen realisiert werden. Die Erniedrigung des Eingangspegels wird dabei durch das Rauschen der Eingangstransistoren 21, 22 nach unten begrenzt.

Ein hohes Maß an Temperaturstabilität wird deshalb häufig gefordert, damit zum einen der Regelbereich infolge einer Temperaturänderung nicht zusätzlich verringert wird und zum anderen, damit bei einer Außerbetriebnahme der Regelung, insbesondere bei gezogenem Pilotempfänger, die automatische Mittenstellung der Verstärkung bzw. Umsetzungsverstärkung weitgehend temperaturunabhängig ist. Die geringe Leistungsaufnahme ist besonders dann von Vorteil, wenn wegen der hohen Packungsdichte der Baugruppen die zulässige Übertemperatur überschritten werden würde.

Die Schaltungsanordnung läßt sich ferner besonders vorteilhaft in TF-Geräten mit automatischer Pegelregelung verwenden, die mit einer auf den Eingangspegel bezogenen Alarmierung ausgerüstet sind. Dabei läßt sich eine erhebliche schaltungstechnische Vereinfachung erreichen, da wegen der geringen exemplarischen Abweichung von Stellgröße zu Stellwiderstand keine eigene Abfrageeinrichtung über den Regelzustand des Stellwiderstandes erforderlich ist. Ist die Alarmierung auf den Eingangspegel bezogen, so muß nämlich für die Auswerteschaltung im Pilotempfänger zu jedem Zeitpunkt aus der Größe des Stellwiderstandes der

ίο Verstärkungszustand und damit die Höhe des Eingangspegels erkennbar sein. Bei genauer Zuordnung der Regelspannung bzw. Stellgröße zum Stellwiderstand kann daher aus der Regelspannung bzw. Stellgröße direkt das Alarmkriterium abgeleitet werden.

Zusätzliche Einrichtungen, mit deren Hilfe der Regelzustand von Stellgliedern dadurch festgestellt wird, daß über besondere Schaltungsanordnungen mit Hilfe eines geringen Gleichstromes der Stellwiderstand ausgemessen wird, sind daher in vorteilhafter Weise überflüssig.

In beiden Figuren ist jeweils der positive Anschluß der Versorgungsspannungsquelle geerdet bzw. an Bezugspotentia! gelegt.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Doppelgegentaktmodulator mit einem Gegentaktverstärker in Emitterschaltung, der einen ersten und einen zweiten Transistor enthält, von denen wenigstens einer an der Basis mit einem modulierendem Eingangssignal beaufschlagbar ist und die emitterseitig jeweils Ober einen Gleichstrompfad, insbesondere über eine Quelle konstanten Gleichstroms, an eine Speisespannung geführt sind, und an deren Kollektoren ferner jeweils zwei emitterseitig unmittelbar miteinander verbundene dritte bis sechste Transistoren angeschlossen sind, die an der Basis mit einer Trägerspannung beaufschlagbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter des ersten (21) und des zweiten (22) Transistors jeweils über einen Kondensator (13, 14) und eine Serienschaltung mehrerer Dioden (15,16, t7; 18,19, 20) an eine durch eine Steuergroße steuerbare Quelle eingeprägten Gleichstroms geführt sind und daß der Verbindungspunkt des Kondensators (13, 14) mit der Serienschaltung jeweils über einen Widerstand (11,12) an eine Speisespannung (-Ub) geführt ist.

2. Doppelgegentaktmodulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Serienschaltungen der Dioden (15, 16, 17; 18, 19, 20) angeschlossene Quelle eingeprägten Stromes einen emitterseitig über einen Widerstand (31) an Bezugspotential geführten siebenten Transistor (30) enthält, dessen wechselspannungsmäßig an Bezugspotential liegender Basis eine Regelspannung (Ur) zugeführt ist.

3. Doppelgegentaktmodulator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei fehlender Regelspannung (Ur) an die Basis des mit der Regelspannung (Ur) beaufschlagbaren siebenten Transistors (30) eine Vorspannung zugeführt ist, die einer mittleren Verstärkung entspricht.

4. Doppelgegentaktmodulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannung mittels eines Spannungsteilers (35, 36) erzeugt ist, dessen Abgriff einerseits über einen Widerstand (34) an die Basis des mit der Regelspannung beaufschlagbaren siebenten Transistors (30) geführt und andererseits bei vorhandener Regelspannung (Ur) an Bezugspotential geschaltet ist.

5. Doppelgegentaktmodulator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß den Basisanschlüssen des dritten bis sechsten Transistors (23 bis 26) zusätzlich zur Trägerspannung (Utr) eine Gleichvorspannung zugeführt ist.

6. Doppelgegentaktmodulator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß den Basisanschlüssen des ersten und zweiten Transistors (21, 22) zusätzlich zur Signalspannung eine Gleichvorspannung zugeführt ist.

7. Doppelgegentaktmodulator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei unsymmetrischer Ansteuerung über einen kapazitiven veränderbaren Spannungsteiler (41, 42) in der gemeinsamen Verbindung der an die Serienschaltung der Dioden (15, 16, 17; 18, 19, 20) angeschlossenen Widerstände (11, 12) und Versorgungsspannung (Ub) ein für den Signalstrom undurchlässiger Zweipol, insbesondere eine Drossel (48) eingefügt ist.

8. Doppelgegentaktmodulator nach einem der Ansprüche 2 bis 7, gekennzeichnet durch die gemeinsame Erzeugung beider Vorspannungen in ein und demselben Spannungsteiler (3,4,6).

9. Doppelgegentaktmodulator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung in einer pilotgesteuerten Anordnung.