DE2917020C3 - Lineare, transistorisierte Wechselstrom-Verstärker-Schaltung - Google Patents
Lineare, transistorisierte Wechselstrom-Verstärker-SchaltungInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3083—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
- H03F3/3086—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal
- H03F3/3088—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal with asymmetric control, i.e. one control branch containing a supplementary phase inverting transistor
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Description
Die Erfindung betrifft eine lineare, transistorisierte Wechselstrom-Verstärker-Schaltung gemäß Oberbegriff
des Patentanspruchs 1.
Bei einer solchen Wechselstrom-Verstärkerspannung wird die im Aß-Betrieb arbeitende Endstufe, die für
Frequenzen einschließlich des Tonfrequenzbandes geeignet sein soll, üblicherweise von einer im A-Betrieb
arbeitenden Vorsteuerstufe gesteuert. Die Endstufe weist einen oberen und einen unteren Schaltungsteil mit
komplementärer oder quasi-komplementärer Symmetrie auf, wobei als oberer Teil derjenige Teil bezeichnet
wird, der den Sättigungszustand erreicht, wenn die Steuerstufe in den Sperrzustand übergeht. Als obere
Halbwelle wird daher derjenige Signalanteil bezeichnet, der unter der Belastung des oberen Teils entsteht.
Die Endstufentransistoren weisen bekanntlich eine nicht-lineare Strom-Spannungs-Kennlinie auf, die Verzerrungen
verursachen kann. Im Bereich großer Aussteuerung kann man diese Nichtlineaiität durch
Gegenkopplung beseitigen. Im Bereich kleiner Aussteuerung macht sich die Erscheinung bemerkbar, daß
Transistoren erst von einer bestimmten Größe des Steuerstroms bzw. der .Steuerspannung ab leiten. Aus
der Zeitschrift »elektor«, Dezember 1975, S. 12 bis 29 ist
es bekannt, daß man die dadurch bedingten Verzerrungen im Bereich kleiner Signalwerte dadurch erheblich
verbessern kann, daß man durch Hinzuschalten einer Spannungsquelle einen Ruhestrom durch die Endstufentransistoren
fließen läßt Hierdurch entsteht eine Überlappung der Kennlinienteile der Endstufentransistoren
der komplementären oder quasi-komplementären Endstufe.
ίο Die Stabilisierung der Ruheströme der Treiberstufe
und der Endstufe gegen Speisespannungsschwankungen mittels dreier Dioden zeigt eine quasi-komplementäre
Versiärkerstufe, wie sie in der Zeitschrift »Wireless World«, Juni 1969, S. 265 gezeigt ist
Es ist schließlich auch bekannt, daß während des Zeitintervalls zwischen jeweils dem Beginn und dem
Ende des Leitens des unteren Schaltungsteils der obere Schaltungsteil einen S'rom leitet, dessen Wert kleiner ist
als derjenige des Ruhestromes. Die Gestaltung der Schaltung wird von dem Betrag dieser Verminderung
bestimmt, wobei auch eine Verminderung auf Null möglich ist
Wenn sich eine völlige oder teilweise Verminderung einstellt und wenn die für den oberen Teil notwendige
Zeit zur Wiedererlangung des leitenden Zustands nach der Verminderung unter den Ruhestrom größer ist als
diejenige Zeit, die tatsächlich im Eingangssignal zwischen dem Augenblick, der mit der größten
Verminderung zusammenfällt, und dem Augenblick, in dem das Leiten für die obere Halbwelle einsetzen muß,
auftritt, ergibt sich in den unmittelbar auf den Ruhezustand folgenden Zeitpunkten eine Verzerrung
der Form desjenigen Signalteils, der vom oberen Schaltungsteil geliefert wird. Diese Verzerrung wird mit
zunehmender Frequenz größer. Diese Erscheinung macht sich besonders dann bemerkbar, wenn am
Eingang dieses Schaltungsteils eine Diode parallel geschaltet ist. Dies ist insbesondere bei integrierten
Schaltungen üblich, um eine Stabilität gegenüber Schwingungen sicherzustellen und den Ruhestrom des
Endtransistors des oberen Schaltungsteils innerhalb eines genau definierten Grenzwertes zu halten. Diese
Diode hat eine Kapazität, die zu derjenigen Kapazität äquivalent ist, welche am Eingang des Vorsteuertransistors
des oberen Schaltungsteils erscheint.
Die Verzerrung der vom oberen Schaltungsteil erzeugten Halbwelle ist besonders unangenehm, weil sie
Harmonische höherer Ordnung erzeugt, die leicht übertragen oder ausgestrahlt werden und Störungen bei
Geräten verursachen können, die bei hoher Frequenz arbeiten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, solche stellenweisen Verzerrungen bei Beginn der oberen
Halbwelle zu vermeiden.
Eine Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 angegeben und kann den Unteransprüchen entsprechend
vorteilhaft weitergebildet werden.
Durch die erfindungsgemäße Maßnahme wird erreicht, daß der obere Schaltungsteil während des
gesamten Zeitintervalls, in welchem der untere Schaltungsteil Strom und Spannung für die Last erzeugt, im
leitenden Zustand gehalten wird. Vorzugsweise wird durch die vorteilhafte Weiterbildung gemäß Patentanspruch
2 dafür gesorgt, daß der Steuertransistor dauernd mindestens auf einen Spannungswert vorgespannt
ist, der dem Einsetzen des Leitens (Ruhewert) entspricht, und zwar unabhängig von dem von der Basis
dieses Steuertransistors aufgrund der Spannungs-
Schwankung am Kollektor des Vorsteuertransistors aufgenommenen Potential.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Fig. 1,
2 und 3 der Zeichnung beispielhaft erläutert.
Es zeigt
F i g. 1 den Verlauf des Stromes am Ausgang des Verstärkers mit oder ohne die Erfindung,
F i g. 2 einen vergrößerten Ausschnitt aus der F i g. 1 und
F i g. 3 ein Prinzipschaltbild für eine Ausführungsform der Erfindung.
F i g. 1 zeigt in nicht maßstabsgetreuer Darstellung ein Diagramm, in dem der Verlauf der Spannung an der
Last des Verstärkers dargestellt ist, wenn das Signal am Eingang sinusförmig ist Die durchlaufende Linie zeigt
das Verhalten ohne die Erfindung, während die auf die Zeitpunkte 1 und 3 folgende, gestrichelte Linie den
Spannungsverlauf an der Last darstellt, wenn von der Erfindung Gebrauch gemacht wird.
F i g. 2 zeigt in vergrößerter Darstellung der F i g. 1 die auf die Zeitpunkte 1 oder 3 folgenden Phasen.
F i g. 3 ist ein Ausführungsbeispiel für eine Schaltung,
mit der die Erfindung verwirklicht werden kann. In diesem Schema ist der Vorsteuertransistor Q4 mit einer
Stromquelle /2 über eine Diode D1 verbunden. Der obere
Teil des Verstärkers wird durch Qi, Ek, Qi und <?i
gebildet, während der untere Teil durch Qf» Qs, Q2, Eh,
D4 und /3 gebildet wird. Die Diode D\ erlaubt die
Gleichheit der Ruheströme der beiden Teile. Die Diode
D2 stellt die Diode dar, die parallel zum Basis-Emitter-Übergang
des Steuertransistors Qi gemeinsam mit der gestrichelt dargestellten Kapazität C geschaltet ist,
welche die Summe aller Kapazitäten des oberen Teils darstellt, die ein Äquivalent zu dem genannten
Obergang haben.
R bedeutet den Widerstand, der gemäß der Erfindung zwischen die Punkte A und B geschaltet ist, während die Stromquelle G zwischen den negativen Pol und den Punkt A geschaltet ist
R bedeutet den Widerstand, der gemäß der Erfindung zwischen die Punkte A und B geschaltet ist, während die Stromquelle G zwischen den negativen Pol und den Punkt A geschaltet ist
Wenn man in einer ersten Näherung von den Strömen absieht, die in den Übergängen fließen, und für
alle Übergänge die Potentialdifferenz gleich VBe setzt,
kann man sagen, daß die Kathode von D], die mit der Basis von Qi verbunden :st, dasselbe Potential hat wie
der Punkt B. Wenn daher Q4 und Q2 eine Sättigung
erreichen, ist das Potential der Basis von Q3 bezüglich
Masse gleich VOi + Vcesm- Aufgrund des Stromes von
GmR hat der Punkt A eine Spannung bezüglich Masse,
die gleich ist mit VCes31-(1c ■ R), d. h„ daß V^f von Q3
um Ic ■ R vergrößert worden ist, was garantiert, daß
Vbe von Qs für alle Inkremente von VBE über Qs, Qt,, für
die Verminderung von Vß^über Qz und für den größten
Wert von VCEsai von Q2 bezüglich VCes<h von Q4
kompensiert werden kann.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Lineare, transistorisierte Wechselstrom-Verstärkerschaltung
mit einer im Aß-Betrieb arbeitenden Endstufe, die aus einem oberen und einem
unteren Schaltungsteil mit komplementärer oder quasi-komplementärer Symmetrie besteht, wobei
diese Schaltungsteile von einer im A-Betrieb arbeitenden Vorsteuerstufe in Emitterschaltung
gesteuert werden und der Steuertransistor des oberen Schaltungsteils, der zwischen den Vorsteuertransistor
und den Rest des oberen Schaltungsteils geschaltet ist, ein Transistor in Emitterschaltung ist,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand (R) vorgesehen ist, der einen Endes mit dem
Ausgangspunkt (B) der Verstärkerschaltung und anderen Endes sowohl mit aem Emitter des
Steuirtransistors (Qz) des oberen Schaltungsteils als
auch über eine Stromquelle (G) mit Erde verbunden ist, und daß die Richtung des von der Stromquelle
(G) durch den Widerstand (R) geschickten Stroms entgegengesetzt ist zur Richtung des während der
aktiven Phase des oberen Schaltungsteils (Qu Qz, Qa)
vom Steuertransistor (Qz) durch den Widerstand (R)
geleiteten Stroms.
2. Wechselstrom-Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle
(G)e'me Konstantstromquelle ist, und daß die
Konstantstromquelle (G)und der Widerstand (R) im Verhältnis zueinander derart bemessen sind, daß der
Basis-Emitter-Übergang des Steuertransistors (Qi) immer mindestens auf einen Spannungswert vorgespannt
ist, bei dem der Steuertransistor zu leiten beginnt.
3. Wechselstrom-Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Konstantstromquelle
ein Widerstand ist.
4. Wechselstrom-Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Konstantstromquelle
ein Transistor ist.
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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Also Published As
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GB2020133A (en) | 1979-11-07 |
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