DE2917020B2 - Lineare, transistorisierte Wechselstrom-Verstärker-Schaltung - Google Patents
Lineare, transistorisierte Wechselstrom-Verstärker-SchaltungInfo
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3083—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
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- H03F3/3088—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal with asymmetric control, i.e. one control branch containing a supplementary phase inverting transistor
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Description
Die Erfindung betrifft eine lineare, transistorisierte Wechselstrom-Verstärker-Schaltung gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Bei einer solchen Wechselstrom-Verstärkerspannung
wird die im Aß-Betrieb arbeitende Endstufe, die für Frequenzen einschließlich des Tonfrequenzbandes geeignet sein soll, üblicherweise von einer im A-Betrieb
arbeitenden Vorsteuerstufe gesteuert Die Endstufe weist einen oberen und einen unteren Schaltungsteil mit
komplementärer oder quasi-komplementärer Symmetrie auf, wobei als oberer Teil derjenige Teil bezeichnet
wird, der den Sättigungszustand erreicht, wenn die Steuerstufe in den Sperrzustand übergeht. Als obere
Halbwelle wird daher derjenige Signalanteil bezeichnet, der unter der Belastung des oberen Teils entsteht.
Die Endstufentransistoren weisen bekanntlich eine nicht-lineare Strom-Spannungs-Kennlinie auf, die Verzerrungen verursachen kann. Im Bereich großer
Aussteuerung kann man diese Nichtlinearität durch Gegenkopplung beseitigen. Im Bereich kleiner Aussteuerung macht sich die Erscheinung bemerkbar, daß
Transistoren erst von einer bestimmten Größe des Steuerstroms bzw. der Steuerspannung ab leiten. Aus
der Zeitschrift »elektor«, Dezember 1975, Sr 12 bis 29 ist
es bekannt, daß man die dadurch bedingten Verzerrungen im Pereich, kleiner Signalwerte dadurch erheblich
verbessern kann, daß man durch Hinzuschalten einer Spannungsquelle einen Ruhestrom durch die Endstufentransistpren fließen läßt Hierdurch entsteht eine
Überlappung der Kennlinienteile der Endstufentransistoren der komplementären oder quasi-komplementären Endstufe.
Die Stabilisierung der Ruheströme der Treiberstufe
und der Endstufe gegen Speisespannungsschwankungen mittels dreier Dioden zeigt eine quasi-komplementäre
Verstärkerstufe, wie sie in der Zeitschrift »Wireless World«, Juni 1969, S. 265 gezeigt ist
Es ist schließlich auch bekannt, daß während des Zcitintervalls zwischen jeweils dem Beginn und dem
Ende des Lehens des unteren Schaltungsteils der obere
Schaltungsteil einen Strom leitet, dessen Wert kleiner ist als derjenige des Ruhestromes. Die Gestaltung der
Schaltung wird von dem Betrag dieser Verminderung bestimmt, wobei auch eine Verminderung auf Null
möglich ist
Wenn sich eine völlige oder teilweise Verminderung einstellt, und wenn die für den oberen Teil notwendige
Zeit zur Wiedererlangung des leitenden Zustands nach der Verminderung unter den Ruhestrom größer ist als
diejenige Zeit, die tatsächlich im Eingangssignal zwischen dem Augenblick, der mit der größten
Verminderung zusammenfällt, und dem Augenblick, in
dem das Leiten für die obere Halbwelle einsetzen muß, auftritt, ergibt sich in den unmittelbar auf den
Ruhezustand folgenden Zeitpunkten eine Verzerrung der Form desjenigen Signalteils, der vom oberen
Schaltungsteil geliefert wird. Diese Verzerrung wird mit
zunehmender Frequenz größer. Diese Erscheinung
macht sich besonders dann bemerkbar, wenn am Eingang dieses Schaltungsteils eine Diode parallel
geschaltet ist Dies ist insbesondere bei integrierten Schaltungen üblich, um eine Stabilität gegenüber
Schwingungen sicherzustellen und d^a Ruhestrom des
Endtransistors des oberen Schaltungsteils innerhalb eines genau definierten Grenzwertes zu halten. Diese
Diode hat eine Kapazität, die zu derjenigen Kapazität äquivalent ist, welche am Eingang des Vorsteuertransi
stors des oberen Schaltungsteils erscheint
Die Verzerrung der vom oberen Schaltungsteil erzeugten Halbwelle ist besonders unangenehm, weil sie
Harmonische höherer Ordnung erzeugt die leicht übertragen oder ausgestrahlt werden und Störungen bei
Geräten verursachen können, die bei hoher Frequenz arbeiten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, solche stellenweisen Verzerrungen bei Beginn der oberen
Halbwelle zu vermeiden.
Eine Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 angegeben und kann den Unteransprüchen entsprechend vorteilhaft weitergebildet werden.
Durch die erfindungsgemäße Maßnahme wird' erreicht, daß der obere Schaltungsteil während des
gesamten Zeitintervalls, in welchem der untere Schaltungsteil Strom und Spannung für die Last erzeugt im
leitenden Zustand gehalten wird. Vorzugsweise wird durch die vorteilhafte Weiterbildung gemäß Patentanspruch 2 dafür gesorgt, daß der Steuertransistor
dauernd mindestens auf einen Spannungswert vorgespannt ist, der dem Einsetzen des Leitens (Ruhewert)
entspricht, und zwar unabhängig von dem von der Basis dieses Steuertransistors aufgrund der Spannungs-
29 1? 020
Schwankung am Kollektor des Vorsteuertransistors
aufgenommenen Potential,
Pie Erfindung wird nachstehend an Hand der Pig, 1, 2 und 3 der Zeichnung beispielhaft erläutert.
Es zeigt
Fig, 1 den Verlauf des Stromes am Ausgang des
Verstärkers mit oder ohne die Erfindung,
F i g, 2 einen vergrößerten Ausschnitt aus der F i g, 1
und
F ί g, 3 ein Priiv.ipschaltbild für eine Ausführungsform
der Erfindung.
Fig, t zeigt in nicht maßstabsgetreuer Darstellung
ein Diagramm, in dem de? Verlauf der Spannung an der
Last des Verstärkers dargestellt ist, wenn das Signal am
Eingang sinusförmig ist Die durchlaufende Linie zeigt
das Verhalten ohne die Erfindung, während die auf die Zeitpunkte 1 und 3 folgende, gestrichelte Linie den
Spannungsverlauf an der Last darstellt, wenn von der
Erfindung Gebrauch gemacht wird.
F i g. 2 zeigt in vergrößerter Darstellung der F i g. 1
die auf die Zeitpunkte 1 oder 3 folgenden Phasen.
F i g. 3 ist ein Ausführungsbeispiei für eine Schaltung,
mit der die Erfindung verwirklicht werden iann. In diesem Schema ist der Vorsteuertransistor Q* mit einer
Stromquelle /2 über eine Diode A verbunden. Der obere
Teil des Verstärkers wird durch Q3, D5, Qr und Q\
gebildet, während der untere Teil durch Qt, Qs, Qi, Di,
A und h gebildet wird. Die Piode A erlaubt die
Gleichheit der Ruheströme der beiden Teile, Die Diode A stellt die Piode der, die parallel zum Pesis-Emitter-Obergang
des Steuertransistors Qj gemeinsam mit der gestrichelt dargestellten Kapazität C geschaltet ist,
welche die Summe aller Kapazitäten des oberen Teils darstellt, die ein Äquivalent zu dem genannten
Obergang haben,
R bedeutet den Widerstand, der gemäß der Erfindung zwischen die Punkte A und B geschaltet ist, während die
Stromquelle G zwischen den negativen Pol und den Punkt A geschaltet ist
Wenn man in einer ersten Näherung von den Strömen absieht, die in den Obergängen fließen, und für
alle Obergänge die Potentialdifferenz gleich Vbe setzt,
kann man sagen, daß die Kathode von A, die mit der Basis von Qs verbunden ist, dasselbe Potential hat wie
der Punkt Ä Wenn daher Q4 und Qi eine Sättigung
erreichen, ist das Potential der Basis von Qs bezüglich
Masse gleich Vm + Vcaar· Aufgrund des Stromes von
G in R hat der Punkt A eine Spannung bezüglich Masse,
die gleich ist mit Vceou—Og RX(LiL, daß VBe von Q3
um Ig-R vergrößert worden ist was garantiert daß
Vbe von Qi für alle Inkremente von Vorüber Qs, Qe, für
die Verminderung von Vorüber Qi und für den größten
Wert von Vcesu von Q\ bezüglich Vcesu von Q4
kompensiert werden kann.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Lineare, transistorisierte Wechselstrom-Verstärkerschaltung mit einer im A#-Betrieb arbeitenden Endstufe, die ^us einen? oberen und einem
unteren SehaitungsteH mit komplementärer oder
quasi-komplementärer Symmetrie besteht, wobei
diese Schaltungsteile von einer im A-Betrieb arbeitenden Vorsteuerstufe in Emitterschaltung
g„-steuert werden und der Steuertransistor des
oberen Schaltungsteils, der zwischen den Vorsteuertransistor und den Rest des oberen Schaltungsteils
geschaltet ist, ein Transistor in Emitterschaltung ist,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand (R) vorgesehen ist, der einen Endes mit dem
Ausgangspunkt (B) der Verstärkerschaltung und
anderen Endes sowohl mit dem Emitter des Steuertransistors (Qi) des oberen Schaltungsteils als
auch über eine Stromquelle (G) mit Erde verbunden
ist, und daß «lie Richtung des von der Stromquelle (G) durch (5en Widerstand (R) geschickten Stroms
entgegengesetzt ist zur Richtung des während der aktiven Phase des oberen Schaltungsteils (Qt, Qs, Qt)
vom Steuertransistor (Q3) durch den Widerstand (R) geleiteten Stroms.
2. Wechselstrom-Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle (G) eine Konstantstromquelle ist, und daß die
Konstantstromquelle (G) und der Widerstand (R) im Verhältnis zueinander derart bemessen sind, daß der
Basis-Emitter-Übergang des Steuertransistors (Qi)
immer mindestens auf einen Spannungswert vorgespannt ist, bei dem der Steuertransistor zu leiten
beginnt
3. Wechselstrom-Verstärkersc.altung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Konstantstromquelle ein Widerstand ist
4. Wechselstrom-Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet daß die Konstantstromquelle ein Transistor ist
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Family Applications (1)
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