DE2114562A1 - Schaltung mit linear veränderlichem Verstärkungsgrad und Feldeffekttransistor - Google Patents

Schaltung mit linear veränderlichem Verstärkungsgrad und Feldeffekttransistor

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DE2114562A1
DE2114562A1 DE19712114562 DE2114562A DE2114562A1 DE 2114562 A1 DE2114562 A1 DE 2114562A1 DE 19712114562 DE19712114562 DE 19712114562 DE 2114562 A DE2114562 A DE 2114562A DE 2114562 A1 DE2114562 A1 DE 2114562A1
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    • G06G7/163—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for multiplication or division using a variable impedance controlled by one of the input signals, variable amplification or transfer function
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Description

Feldeffekttransistor
Diese Erfindung betrifft Schaltungen mit linear variablem Verstärkungsgrad und insbesondere solche Schaltungen, in denen ein Feldeffekttransistor verwendet wird und bei denen die Abhängigkeit der Verstärkung von dem Eingangs-Steuersignal linear ist.
Aus der US-Patentschrift 3 368 157 ist bekannt, daß der Widerstand eines Feldeffekttransistors durch eine Steuerspannung verändert werden kann, wobei diese Änderung jedoch nicht linear
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mit der Steuerspannung erfolgt. Aus den US-Patentschriften 3 131 312 und 3 213 299 ist es ebenfalls bekannt, den Widerstand eines Feldeffekttransistors mittels eines Spannungsteilers, der zwischen den "Drain"- und "Source"-Elektroden (manchmal auch als "Anode" und "Kathode" bezeichnet) des FET liegt,"mit einer Steuerspannung, die zwischen dem Mittenpunkt des Spannungsteilers und der "Gate"-Elektrode (manchmal auch "Gritter" genannt) liegt, zu linearisieren; der Widerstand des FET ändert sich dabei jedoch nicht linear mit der Steuerspannung.
j Ein Gegenstand der Erfindung ist demgemäß eine Schaltungsan-P-Ordnung, um den Widerstand eines Feldeffekttransistors linear mit der Steuerspannung zu verändern*
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltung mit linear variablem Verstärkungsgrad in relativ einfacher und wirtschaftlicher Ausführung.
Ein Kennzeichen der vorliegenden Erfindung ist eine Schaltung mit linear variablem Verstärkungsgrad, die einen Feldeffekttransistor als einen Zweig von zwei Spannungsteilernetzwerken benutzt. Die Drain-Elektrode des FET bildet den Mittenpunkt der beiden Spannungsteilernetzwerke. Eine der Spannungsteiler- |i schaltungen enthält einen Widerstand und den FET in Reihe mit . einer geregelten Spannungsquelle und der andere Spannungsteilerkreis enthält einen Widerstand, auf den das (relative) Eingangs wechselspannungs signal kapazitiv gegeben wird, und den FET. Das Signal von der Drain-Elektrode des FET, das aus einem (relativen) Gleichspannungspegel und einem relativen Kechselspannungspegel besteht, die auf den Durchlaßwiderstand (zwischen Drain und Source) des FET ansprechen, wird als die eine Eingangsspannung auf einen Differenz-Operationsverstärker (DOA) rückgekoppelt» Die andere Eingangsspannung für den DOA ist ein relatives Gleicheρannungssteuersignal» bezüglich dessen die Verstärkung der Schaltung geändert werden soll. Der DOA enthält noch eine Wechselapannimgs-Rückkopplungssehleife. Die Gleichspannungen an den beiden Eingängen wer-
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den durch den DOA verglichen, und jede beliebige entstehende Gleichspannungsdifferenz wird über eine Entkopplungsschaltung der Gate-Elektrode des FET zugeführt, um die Größe des Widerstandes der Drain-Source-Strecke des FET zu variieren. Das Wechselspannungssignal von der Drain-Elektrode am DOA-Eingang wird verstärkt und vom DOA-Ausgang über einen Kondensator abgenommen.
Diese und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile werden anhand der folgenden Beschreibung der Erfindung, die in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen gegeben wird, offenbar.
Fig. 1 ist ein Schema des Modulators als Ausführungsbeispiel und Anwendungsbeispiel für die erfindungsgeraäße Schaltung.
Fig. 2 zeigt das Kennlinienfeld eines typischen Feldeffekttransistors.
Fig. 3 ist ein Schema eines Spannungsteilers, der den Modulator nach Fig. 1 einschließt.
Es ist bekannt, daß der Durchlaßwiderstand eines Feldeffekttransistors in Abhängigkeit von der zwischen Gate und Source angelegten Spannung verändert werden kann. Man sieht anhand der in Fig. 2 dargestellten Kennlinien eines typischen FET, daß er sich bei niedrigen Spannungen zwischen Drain und Source und niedrigem Drain-Strom wie ein im wesentlichen linearer Widerstand zwischen Drain und Source verhält; d. h. die Spannung zwischen Drain und Source verändert sich linear mit dem Drain-Strom. Jedoch ist die Form der Kurven, die den Durchlaßwiderstand in Abhängigkeit von der Spannung zwischen Gate und Source darstellen, nicht völlig linear. Daher ist eine Schaltung erforderlich, die bewirkt, daß sich der Durchlaßwiderstand linear mit dem Steuersignal ändert.
Einederartige Schaltung zeigt Fig. 1. Ein Feldeffekttransistor 10 besitzt Drain-, Gate- und Source-Elektroden und liegt über
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einen Widerstand 16 in Reihe mit einer geregelten Gleichspannungsversorgung. Diese besteht aus einem Widerstand 12, der einerseits mit dem Pol 13 einer Gleichepannungsquelle und andererseits mit einer an Erde liegenden Spannungsregeldiode Ik verbunden ist. Der Widerstand 16 dient zum Einspeisen eines konstanten Gleichstroms in die Drain-Elektrode des FET. Dadurch entsteht eine Gleichspannung über dem FET, die proportional zu dem Durchlaßwiderstand ist. Diese Spannung an der Drain-Elektrode wird ebenfalls über einen Widerstand an einen ersten Eingang 20 eines Differenz-Operationsverstärkers 22 rückgekoppelt. Ein Steuersignal E wird an dem Eingangsanschluß 2k zugeführt und wird über einen Spannungsteiler, der durch die Widerstände 26 und 28 entsteht, auf einen zweiten Eingang 30 des DOA 22 gegeben. Die Widerstände 26 und 28 bilden einen Spannungsteiler, der die Steuerspannung auf den gewünschten niedrigen Wertebereich der zwischen Drain und Source des FET liegenden Gleichspannung herabsetzt. Der DOA vergleicht die Spannungen an seinen beiden Eingängen und liefert ein Differenzsignal an seinem Ausgang 32, dessen niederfrequenter Anteil über einen Auskoppelteil, der durch den Widerstand 3^ und den Kondensator 36 entsteht, auf die Gate-Elektrode des FET gegeben wird. Dieses Gate-Signal besitzt die erforderliche Polarität, um den Durchlaßwiderstand in der geeigneten Richtung zu verändern, damit die Differenz zwischen Eingangssteuerspannung E und der Spannung Edg zwischen Drain und Source abnimmt. Da der in die Drain-Elektrode fließende Gleichstrom konstant ist und die Spannung zwischen Drain und Source proportional zu dem Eingangssteuersignal ist, muß der Durchlaßwiderstand R. zwischen Drain und Source proportional zur Eingangssteuersparinung sein. Dieser veränderliche Widerstand R. kann als ein Teil eines Spannungsteilers zur Regelung der auf ein Wechselspannungseingangs signal angewendeten Verstärkung benutzt werden. Der Anschluß 38 für ein Wechselspannungseingangssignal ist über einen Kondensator 10 und einen Widerstand k2 mit der Drain-Elektrode des FET verbunden. Der Widerstand k2 dient dabei zum Einspeisen eines Wechselstromes in die Drain-Elektrode des FET, der proportional zu dem Eingangssignal E.
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— ε; —
am Anschluß 38 ist. Der Widerstand 42 muß groß im Vergleich zum Durchlaßwiderstand (zwischen Drain und Source) sein. Der Wechselstrom wird über den Kondensator 40 eingekoppelt, dessen Impedanz bei der Signalfrequenz klein im Vergleich zu dem Widerstand 42 sein muß.
Der DOA 22 wird außer zur Steuerung des Durchlaßwiderstandes auch zur Verstärkung des Wechselspännungseingangssignals benutzt. Da der Eingangswechselstrom proportional zu dem Wechselspannungseingangssignal E. ist, ist die Wechselspannung, die am Durchlaßwiderstand zwischen Drain und Source entsteht, proportional zu E. ; sie ist zusätzlich zu der Steuerspannung E vorhanden. Diese Wechselspannung wird Über den Widerstand 18 zu dem Eingang 20 des DOA zurückgekoppelt. Ein Wechselspannungsgegenkopplungskreis, bestehend aus einem Kondensator 44 und einem Widerstand 46, liegt zwischen dem DOA-Ausgang 32 und dem DOA-Eingang 30 und bestimmt und stabilisiert zusammen mit dem Widerstand 28 die Wechselspannungsverstärkung durch den DOA, so daß die Ausgangswechselspannung proportional zu E. ist und ebenfalls proportional zu E ist. Die Impedanz des Kondensators 44 ist bei der Signalfrequenz klein im Vergleich zum Widerstand 46, und der Kondensator 44 wirkt daher nur als Koppelkondensator und hat geringen Einfluß auf die Verstärkung. Der aus dem Widerstand 34 und dem Kondensator 36 bestehende Auskopplungskreis dient zur Abschwächung der Signalfrequenz und verhindert Wechselspannungsrückkopplung durch den FET. Der Widerstand 34 kann groß sein, ohne daß die Gleichspannungsverstärkung merklich beeinfluß wird, weil die Eingangsimpedanz an der Gate-Elektrode des FET sehr hoch ist. Das edaubt, die Kapazität des Kondensators 36 klein zu halten, und verringert auch die Belastung des DOA auf ein Minimum. Der DOA-Ausgang 32 ist über einen Kondensator 50 mit dem Anschluß 48 für das Ausgangssignal verbunden. Dieser Kondensator 50 muß bei der Signalfrequenz eine kleine Impedanz haben, verglichen mit der Belastung am Ausgangsanschluß 48. Der Widerstand 18 ist derartig bemessen, daß er die Eingangswiderstände an den zwei DOA-Eingängen ausgleicht, damit
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die Gleichspannungsdrift, die als ein falsches Steuerspannungssignal am Eingang wirken könnte, auf ein Minimum reduziert
Aus dem Gesagten folgt, daß unter Verwendung eines DOA und eines Gegenkopplungskreises der Widerstand eines FET einer Steuergleichspannung proportional gemacht wurde. Dieser gleiche Widerstand wird dann als Teil eines Spannungsteilers zur Regelung der Verstärkung eines Wechselspannungssignal^benutzt. Der gleiche DOA wird dann dazu benutzt, das Wechselspannungssignal zu verstärken und es auf einen geeigneten Spannungswert zu bringen. Die Schaltung bewirkt so die grundlegende Multiplikationsfunktion in einer einfachen Weise mit wenigen Bauteilen, so daß E . = K · E. · E ist. Die Linearität der Schaltung hängt nicht von der Linearität des FET-Widerstandes als Funktion der Spannung zwischen Gate- und Source-Elektrode ab. Jedoch erfordert sie, daß der Widerstand des FET bei jeder gewählten Steuerspannung linear ist. Diese Eigenschaft besteht bei niedrigen Spannungs- und Stromwerten, wie in Fig. 2 zu sehen ist. Die Schaltung kann über einen weiten Temperaturbereich verwendet werden, weil sie durch Veränderungen in Verstärker- oder FET-Eigenschaften nicht bedeutend beeinträchtigt wird. Die die Verstärkung steuernden Bauteile sind hauptsächlich Widerstände, die leicht mit niedrigen Temperaturkoeffizienten zu erhalten sind. Spannungs- oder Stromdrift in dem DOA ist von Bedeutung, wenn bei niedrigen Spannungen gearbeitet wird; aber stabile, integrierte DOA1s sind leicht erhältlich.
Man erkennt leicht, daß die Erfindung in verschiedenen Ausführungsformen verwirklicht werden kann. Der Feldeffekttransistor kann entweder vom P-Kanal- oder vom N-Kanal-Typ sein, wenn die richtige Polarität der Drain-Spannung und der Steuerspannung benutzt wird. Der FET kann ebenfalls vom Verarma.-gstyp oder vom Anreieherungstyp sein und/oder einen MOSFET-Aufha« besitzen. Das Steuersignal kann entweder ein Gleiehspannungssignal sein, wie in Fig. 1 gezeigt ist, oder wenn ein Wechsel-
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Spannungssteuersignal erforderlich ist, kann die Wechselspannung durch eine Diode gleichgerichtet, mit einem Kondensator gefiltert und dann auf die Steuereinheit gegeben werden. Wenn das Steuersignal ein sich änderndes Gleichspannungssignal ist, d. h. zusätzlich zu dem Gleichspannungssignal ein Wechselspannungssignal enthält, das eine niedrigere Frequenz als das Eingangssignal besitzt, kann die Schaltung als ein Modulator betrachtet werden.
Die Schaltung kann außerdem in einen Spannungsteiler eingebaut werden, wobei sie in der Rückkopplung eines anderen DOA liegt, wie in Fig. 3 dargestellt ist. Hier ist die Steuerspannung E ein Wechselspannungssignal, das auf den Eingangsan-Schluß 24' gegeben wird. Es wird dann mittels eines aus Dioden 102, 104, Widerstand 106 und Kondensatoren 108, 110 bestehenden Netzwerkes gleichgerichtet und gefiltert. Die übrigen Teile der Schaltung, die mit denen der Schaltung aus Fig. 1 identisch sind, sind mit gestrichenen Bezugszeichen versehen. Das sich schneller verändernde Wechselspannungs-Eingangssignal wird auf den Eingangsanschluß 38' gegeben, der über einen Einstellwiderstand 112 für die Wechselspannungsverstärkung und einen Wechselspannungs-Kopplungskondensator 114 auf den einen Eingang 116 des DOA 100 gegeben wird. Der Eingang 116 und der Ausgang des DOA 100 sind übex» einen Wechselspannungs-Rückkopplungskondensator 117 miteinander verbunden und sind außerdem über ein T-Glied, das aus einem Widerstand 120, einem Widerstand 122, einem Widerstand 134 und einem Kondensator 126 besteht, mit Erde verbunden, was dazu dient, die Gleichspannungs- und die Wechselspannungsverstärkung des DOA 100 einzustellen und zu stabilisieren. Der zweite Eingang 128 des DOA 100 liegt an Erde. Der Ausgang 118 des DOA 100 ist über den Kondensator 40f und den Widerstand 42' mit der Drain-Elektrode des FET 10· verbunden. Der Ausgang 32' des DOA 22' ist über einen Einstellwiderstand 130 für die Rückkopplungsverstärkung an einen Summierungspunkt 132 zwischen dem Widerstand 112 und dem Kondensator 114 geführt. Der Ausgang 118 ist über einen Wechselspannungs-Kopplungskondensator 134 mit dem Anschluß 136 für das Ausgangssignal verbunden.
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- 8 Die Signalbeziehungen des Multiplikators nach Pig. 1 sind:
E(I)
= K E= Verstärkung des Multiplikators. Ein-Q1J
Die Signalbeziehungen des Spannungsteilers nach Fig. 3,
der den Multiplikator nach Fig. 1 mit Rückkopplung verwendet, sind: K1 E = G fb.
Eout(2) _ 1 11
1—"ΠΓ7 * ^
"ΠΓ7 * R1n (Widerstand 112) · G^ " R~
und: Eout
Ein (2) " Ec
Während in dem oben Gesagten die vorzugsweisen Ausführungsformen der Erfindung gezeigt und beschrieben worden sind,
ist es selbstverständlich, daß die Erfindung auf andere
Weise ausgeführt werden kann, als hier im Spezialfall dargestellt und beschrieben worden ist, und daß gewisse Veränderungen in der Form und in der Anordnung der Teile und in der spezifischen Art der Durchführung der Erfindung vorgenommen werden können, ohne daß von den der Erfindung zugrundeliegenden Ideen und Prinzipien abgewichen wird und wobei man innerhalb der durch die folgenden Ansprüche abgegrenzten Kennzeichen verbleibt.
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    • Ii Schaltung zur Multiplikation eines ersten, sich relativ langsam ändernden Spannungssignals mit einem zweiten, sich relativ schnell ändernden Signal, dadurch gekennzeichnet , daß sie umfaßt: einen Feldeffekttransistor (10), der Drain-(Anode), Gate-(Gitter) und Source-Elektrode (Kathode) besitzt, wobei besagte Drain- und Source-Elektroden mit einer konstanten Stromquelle (13, 12, 14, 16) in Reihe geschaltet sind, einen Eingang (38), der mit der Drain-Elektrode (D) zur Einspeisung des zweiten Signals verbunden ist, einen Gleichspannungsverstärker (22), der einen Eingangsteil (24, 26, 28, 30) besitzt, um das besagte erste Signal zu empfangen und einen Ausgangsteil (32, 3^, 36) besitzt, der mit der Gate-Elektrode (G) des FET (10) zur Einkopplung eines sich nur relativ langsam verändernden Stroms verbunden ist,
    Schaltung (18, 20) zur Rückkopplung des Steuersignals, die zwischen der Drain-Elektrode (D) des FET (10) und dem Eingang (20) des GleichspannungsVerstärkers (22) liegt und mit diesen verbunden ist, und
    Schaltung (44, 46) zur Rückkopplung und Signalstabilisierung, die zwischen dem Ausgang (32) und dem Eingang (30) des GleichspannungsVerstärkers (22) liegt und mit diesen verbunden ist.
    2. Schaltung zur Teilung eines ersten sich relativ schnell ändernden Spannungssignals durch ein zweites sich relativ langsam änderndes Signal, dadurch gekennzeichnet , daß sie umfaßt:
    einen Gleichspannungsverstärker (100), der eine Eingangsschaltung für das zweite Signal und einen Ausgang (118) enthält,
    eine Rückkopplungsschaltung zwischen dem Ausgang (118) und dem Eingang (116) des Gleichspannungsverstärkers(100), die einen Feldeffekttransistor (10·) umfaßt, der Drain-, Gate-
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    - ίο -
    und Source-Elektroden besitzt,
    wobei die Drain- und Source-Elektroden mit einer konstanten Stromquelle (12', 13'> 14, 16') in Reihe geschaltet sind und
    der Ausgang (118) des GleichspannungsVerstärkers (100) an die Drain-Elektrode gekoppelt ist,
    einen zusätzlichen Gleichspannungsverstärker (221), der einen Eingang (30') für das erste Signal und einen Ausgang (32f) besitzt, der einerseits mit der Gate-Elektrode des FET (10') verbunden ist, um an diesen einen sich nur relativ langsam ändernden Strom zu liefern, und andererseits mit dem Eingang (116) des Gleichspannungsverstärkers (100) verbunden ist,
    eine Rückkopplungsschaltung (I8f) für das Steuersignal zwischen der Drain-Elektrode des PET (101) und dem Eingang des zusätzlichen GleichspannungsVerstärkers (22'), und Rückkopplungsschaltung (44', 46') zur Signalstabilisierung zwischen dem Ausgang (32') und dem Eingang (3O')des zusätzlichen Gleichspannungs Verstärkers (22 *).
    Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichspannungsverstärker (22) ein Differenz-Operationsverstärker ist, der einen ersten und einen zweiten Eingang (20 und 30) und einen Ausgang (32) besitzt,
    daß der erste Eingang (20) für den Empfang des ersten, sich relativ langsam ändernden Signals angepaßt ist, und daß der zweite Eingang (30) mit der Schaltung (18) zur Rückkopplung des Steuersignals verbunden ist.
    Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Schaltung zur Rückkopplung und Signalstabilisierung aus einem Wechselspanmmgskopp!ungs~ zweig (44, 46) besteht, der zwischen dem Ausgang (32) und Eingang (3Ö) des GIeichspannungs Verstärkers (22) liegt.
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    5. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß ein Wechselspannungsauskopplungszweig (31*, 36) die Gate-Elektrode des PET (10) an den Ausgang (32) des GleichspannungsVerstärkers (22) ankoppelt.
    6. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Gleichspannungsverstärker (100) ein Differenz-Operationsverstärker ist, der einen ersten und einen zweiten Eingang (116) (128) und einen Ausgang (118) besitzt,
    daß der erste Eingang (116) für den Empfang des zweiten, sich relativ langsam ändernden Signals angepaßt ist, und daß der zweite Eingang mit der Schaltung zur Rückkopplung des Steuersignals verbunden ist.
    7. Schaltkreis nach Anspruch 6, dadurch gekenn zeichnet, daß der zusätzliche Gleichspannungsverstärker (221) ein Differenz-Operationsverstärker ist, der einen ersten und einen zweiten Eingang (2O')(3O*) und einen Ausgang (321) besitzt,
    daß der erste Eingang des zusätzlichen Gleichspannungsverstärkers für den Empfang des ersten, sich relativ schnell ändernden Signals angepaßt ist und durch einen Wechselspannungskopplungskreis mit dem Ausgangsteil des zuerst erwähnten GleichspannungsVerstärkers verbunden ist, und daß der Ausgangsteil des zusätzlichen Gleichspannungsverstärkers durch einen Wechselspannungskopplungskreis mit der Drain-Elektrode verbunden ist.
    8. Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekenn zeichnet, daß ein Wechselspannungsauskopplungskreis die Gate-Elektrode (G) über einen Wechselspannungskopplungskreis mit der Drain-Elektrode verbindet.
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    9. Schaltung zur Teilung eines ersten sich relativ schnell ändernden Spannungssignals durch ein zweites sich relativ langsam änderndes Signal, dadurch gekennzeichnet , daß sie umfaßt:
    einen Gleichspannungsverstärker (100), der eine Eingangsschaltung (38», 112, 114, 116, 132) für das erste Signal und eine Ausgangsschaltung (118) enthält, eine Rückkopplungsschaltung zwischen dem Ausgang (118) und dem Eingang (116) des GleichspannungsVerstärkers (100), die einen Feldeffekttransistor (101) umfaßt, der Drain-, Gate- und Source-Elektroden besitzt,
    wobei die Drain- und Source-Elektroden mit einer konstanten Stromquelle (12·, 13', 1*», 16·) in Reihe geschaltet sind und
    der Ausgang (118) des GleichspannungsVerstärkers (100) an die Drain-Elektrode gekoppelt ist,
    einen zusätzlichen Gleichspannungsverstärker (22·), der einen Eingang (30·) für das zweite Signal und einen Ausgang (321) besitzt, der einerseits mit der Gate-Elektrode des FET (101) verbunden ist, um an diesen einen sich nur relativ langsam ändernden Strom zu liefern, und andererseits mit dem Eingang (116) des GleichspannungsVerstärkers (100) verbunden ist,
    eine Rückkopplungsschaltung (18·) für das Steuersignal zwischen der Drain-Elektrode des FET (10·) und dem Eingang des zusätzlichen Gleichspannungsverstärkers (221), und eine Rückkopp lungs schaltung (41I1, 46·) zur Signalstabilisierung zwischen dem Ausgang (32·) und dem Eingang (30·) des zusätzlichen GleichspannungsVerstärkers (22·).
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    10. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich η e t ,. daß der Gleichspannungsverstärker (22·) ein Differenz-Operationsverstärker ist, der einen ersten und einen zweiten Eingang (3O')(2Of) und einen Ausgang (32f) besitzt,
    daß der erste Eingang (301) für den Empfang des zweiten, sich relativ langsam ändernden Signals angepaßt ist, und daß der zweite Eingang (20') mit der Schaltung (I8f) zur Rückkopplung des Steuersignals verbunden ist.
    11. Schaltkreis nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß der Gleichspannungsverstärker (100) ein Differenz-Operationsverstärker ist, der einen ersten und einen zweiten Eingang (Il6)(128) und einen Ausgang (118) besitzt,
    daß der erste Eingang (116) des GleichspannungsVerstärkers (100) für den Empfang des ersten, sich relativ schnell ändernden Signals angepaßt ist und durch einen Wechselspannungskopplungskreis (130, 132, 114) mit dem Ausgangsteil (321) des Gleichspannungsverstärkers (22*) verbunden ist, und
    daß der Ausgang (118) des Gleichspannungsverstärkers (100) durch einen wechselspannungskopplungskreis (40·, 42') mit der Drain-Elektrode (D) verbunden ist.
    12. Schaltkreis nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß ein Wechselspannungsauskopplungskreis die Gate-Elektrode (G) über einen Wechselspannungskopplungs kreis mit der Drain-Elektrode (D) verbindet.
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    Leersei te
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