DE2305291A1

DE2305291A1 - Signalregelschaltung

Info

Publication number: DE2305291A1
Application number: DE19732305291
Authority: DE
Inventors: Kiyoji Fujisawa; Takashi Miura; Masao Tomita
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1972-02-01
Filing date: 1973-01-31
Publication date: 1973-08-09
Also published as: DE2305291C3; JPS4881450A; FR2170088A1; NL175486C; NL175486B; US3835401A; NL7301324A; JPS5317025B2; CA970046A; JPS5226667B2; GB1365856A; FR2170088B1; DE2305291B2; JPS4883759A; JPS4883758A

Description

Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft eine Signalregelschaltung, insbesondere eine solche verbesserte Schaltung, die als veränderliches Impedanzelement verwendet wird.

Stand der Technik

üblicherweise wird in elektronischen Geräten, wie Bandgeräten, eine Signalrege!schaltung verwendet, wie z.B. ein Dynamikkompressor, ein Dynamikdehner und ein autdlktisches Verstärkungsregelungssystem. Bei einem solchen Signalregelsystem wird die Amplitude eines Wechselsignals entsprechend einem Regelsignal geregelt.

Bis jetzt wurden verschiedene Methoden zur Regelung der Amplitude von Signalen entwickelt. Diese Methoden sind in zwei Hauj)ttypen

zu unterteilen, nämlich in ein Verfahren, bei dem ein T?ansistor- ; verstärker verwendet wird, dessen Verstärkung sich mit dem Arbeitspunkt ändert, und ein anderes Verfahren, bei dem Elemente wie ; Dioden und Transistoren, die die verschiedenen Konstanten entsprechend dem Arbeitspunkt liefern, als ein Element eines Signal-, dämpfungsgliedes verwendet werden. Ein Beispiel für den ersten Typ ist ein Verstärker mit automatischer Verstärkungsregelung, ; bei dem die Bas is vorspannung des Transistors der ersten Stufe ; sich entsprechend der gleichgerichteten Spannung des Ausgangs-, signals ändert. Eine solche Signalregelschaltung hat Jedoch viele j Nachteile. Wenn eine geringe Verstärkung benötigt wird, erscheint,, j weil der Transistor nahe dem Abschaltpunkt betrieben wird, in dem Ausgangssignal leicht eine grosse harmonische Verzerrung. Weiterhin wird der Verstärker sehr unstabil, da die Bas is vorspannung eioh imner entsprechend der Änderung der Eingangssignalamplitude linder t.

Ein Beispiel für den zweiten Typ ist ein veränderliches Dämpfungs-j glied, das aus einem· festen Widerstand und der Reihenschaltung j

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von zwei Dioden als Element mit veränderlicher Impedanz besteht. Auch ein solches veränderliches Dämpfungsglied hat mehrere Nachteile. Wenn sich das Regelsignal plötzlich ändert, entsteht ein unerwünschtes Rauschen (thump) im Ausgangssignal durch die Änderung des Regelsignals. Weiterhin wird eine grosse elektrische L%stung für das Regelsignal benötigt, da der Regelstrom direkt in die Dioden fliessen muss. Bei einer anderen Type eines veränderlichen Dämpfungsgliedes wird der Widerstand zwischen Kollektor und Emitter des Transistors als Element veränderlicher Impedanz verwendet. Auch dieses DamfWngsglied hat Nachteile. Da gewöhnlich der Kleinstwert aes Widerstandes -von der Grosse des Transistorplättchens abhängt, ist schwer der sehr kleine Sättigungswiderstand in einem Kleinsignaltransistor zu erzielen, insbesondere bei einer monolithisch integrierten Schaltung, bei der viele Elemente auf einem Plättchen ausgebildet sind, infolgedessen wird es unmöglich, einen weiten Regelbereich bei dem veränderlichen Dämpfungsglied zu erzielen. Da weiterhin die Kennlinie der Spannung V_CE «wischen Kollektor und Emitter über dem Kollektorstrom I-, im Kleinsignalbereich im Transistorbetrieb nicht exakt linear ist, entsteht eine harmonische Verzerrung.

Kurze Zusammenfassung der Erfindung

Ziel der vorliegenden Erfindung 1st deshalb eine verbesserte Signalregelschaltung, die die Amplitude von Wechselsignalen regelt, die eine sehr geringe Harmonische Verzerrung und einen groseen Regelbereich des veränderlichen Dämpfungsgliedes aufweist, die kein Rauschen aufgrund der plötzlichen Änderung des Regelsignals erzeugt, die keine grosse elektrische Leistung für das Regelsignal erfordert, diedurch ein kleines Regelsignal geregelt werden kann, deren Verstärkung entsprechend der Amplitude des Eingangssignals geregelt wird und bei der die Amplitude des Ausgangssignals konstant gehalten wird. ■

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Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Dieses Ziel wird- mit einer Signalregelschaltung gemäss der vorliegenden Erfindung erreicht, die zwei Elektronen leitende Elemente und eine erste und eine zweite Klemme aufweist, wobei jedes der Elemente eine erste, eine zweite und eine dritte.Elektrode aufweist und an die erste und die zweite Klemme ein Signal angelegt wird, die erste Klemme der Verbindungspunkt eier ersten Elektrode des ersten Elektronen leitenden Elementes mit der zweiten Elektrode aes zweiten Elektronen leitenden Elementes'ist und die zweite Klemme" der Verbindungspunkt der zweiten Elektrode les ersten Elektronen leitenden-Elementes mit der ersten Elektrode des zweiten Elektroden leitenden Elementes ist und die dritten Elektroden des ersten und aes zweiten Elektronen leitenden Elementes mit dem Regelsignal von einer Regelsignalquelle beaufschlagt wird, wobei das Ende dieser Signalquelle mit der zweiten Klemme verbunden ist, wodurch die Amplitude eines zwischen den Klemmen angelegten Signals entsprechend dem an diedritten Elektroden angelegten Regelsignal geregelt wird.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen in den Einzelheiten beschrieben. In den Zeichnungen ist:

Fig. 1 ein Schaltbild der Grundsignalregelschaltung gemäss der Erfindung,

Fig. 2 eine Darstellung der Kennlinien des Transistors im Kleinsignalbereich zur Erklärung der Arbeitsweise der Signalregelschaltung der Erfindung,

Fig. J ^β*^η Schaltbild einer anderen Signalregelschaltung gemäss der Erfindung,

ι Fig. A eine Darstellung der Kennlinien der zweiten harmonischen j Verzerrung in den Signalregelsystemen zur Erklärung der ! Arbeitsweise der erfindungsgemässen Schaltung,

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Fig. 5 ein Schaltbild einer weiteren Signalregelschaltung gemäß der Erfindung,

Fig. 6 ein Schaltbild einer weiteren Signalregelschaltung gemäß der Erfindung,

Fig. 7 ein Schaltbild einer autom%ischen Verstärkungsregelungsschaltung gemMB der Erfindung,

Fig. δ ein Schaltbild einer weiteren automatischen Verstärkungsregelungsschaltung gemäß der Erfindung und

Fig. 9 ein Schaltbild einer weiteren automatischen Verstärkungsregelungsschaltung gemäß der Erfindung.

Genaue Beschreibung der Ausführungsform

In Figur 1 wird ein Schaltbild einer Grundsignalregelschaltung gemäß der Erfindung gezeigt, die eine Eingangsklemme 1, eine Ausgangsklemme 2, eine Regekleaee j5 und einen Widerstand 4 aufweist, der zwischen der Eingangsklemme 1 und der Ausgangsklemme 2 liegt. Die Ausgangsklemme 2 liegt am Verbindungspunkt des Kollektors eines Transistors 6 mit dem Emitter eines anderen Transistors 7 über eine Kapazität 5· Der Emitter des Transistors 6 und der Kollektor des Transistors 7 sind gemeinsam geerdet. Die Basiselektroden der Transistoren 6 und 7 sind gemeinsam mit der Regelklemme 3 verbunden.

Das veränderliche Dämpfungsglied besteht aus dem Widerstand 4, der Kapazität 5 und den Transistoren 6 und 7· Das Eingangswechselsignal wird zwischen der Eingangskelemme 1 und Erde angelegt. Das euf die Regelklemme 3 gegebene Regelsignal gelangt auf die Baaselektroden der Transistoren 6 und 7. Der Kleinsignalwiderstand zwischen Kollektor und Emitter der Transistoren 6 und 7 wird'gemäss dem Regelsignal verändert, und die Grosse der Dämpfung des veränderlichen Dämpfungsgliedes wird gemäss dem Widerstand

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der,Transistoren 6 und 7 verändert. Die Amplitude des Eingangssignals wird deshalb entsprechend dem Hegelsignal geregelt, und das geregelte Ausgangssignal erscheint an der Ausgangsklemme 2. In dieser Konfiguration wird die Kapazität 5 zum Abblocken des Gleichstromsignals verwenA, und die Impedanz der Kapazität 5 ist ausreichend klein gewählt im Vergleich zum Sättigungswiderstand der Transistoren 6 undf. Diese Signalregelschaltung verwendet die Tatsache, dass der Kleinsignalwiderstand zwischen Kollektor und Emitter des Transistors mit dem Basisstrom geregelt werden kann.

Allgemein hat die ν,,,,,-Ι,,-Kennlinie (die Kennlinie der Spannung V_CE zwischen Kollektor und Emitter über dem Kollektorstr-on, I™) im Kleinsignalbereich eine Nichtlinearität, wie sie in Fig. 2 gezeigt wird. Wenn in dem veränderlichen Dämpfungsglied nur ein Transistor verwendet wird, d.h. wenn der Transistor 7 in Fig. 1 nicht angeschlossen ist, erzeugt ein solches System selbstver ständlich eine nichtlineare Verzerrung. Diese nichtlineare Ver zerrung entspringt der Tatsache, dass die V_CE-I_c-Kennlinie im ersten Quadranten unterschiedlich ist von der im dritten Quadranten. Die durch die nichtlineare Kennlinie bewirkte Verzerrungskomponente enthält im wesentlichen zweite Harmonische.

Die in Figur 1 gezeigte Konfiguration der vorliegenden Erfindung kann jedoch die in jedem Transistor erzeugten Harmonischen gerader Ordnung ausschliessen, und dadurch kann die nichtlineare Verzerrung merklich verringert werden. Es wird jetzt angenommen, dass ein sinusförmige» Signal an die Eingangsklemme 1 angelegt wird. Während der positiven Halbwelle arbeitet der Transistor 6 Im ersten'Quadranten der V₀₇₇-I-,-Kennlinie der Figur 2. Da jedoch Kollektor und Emitter des Transistors ¹J umgekehrt zum Transistor 6 angeschlossen sind, arbeitet der Transistor 7 im dritten Qüa- ; dranten. Während der negativen Halbwelle arbeitet der Transistor 6 Im dritten und der Transistor 7 im ersten Quadranten. Wenn die Transistoren 6 und 7 identische Kennlinien haben, werden die zusammengesetzten Kennlinien symmetrisch zum Nullpunkt, und es

J _ ...■

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werden keine Harmonischen geräder Ordnung bewirkt.· Dementsprechend sind die zweiten Harmonischen perfekt ausgeschlossen, und die niohtlineare Verzerrung ist merkbar herabgesetzt. '

In einem monolithisch integrierten Schaltkreis sind leicht einige I Transistoren mit den gleichen Kennlinien zu erreichen, da die

i Transistoren mit dem gleichen Aufbau an sehr dicht benachbarten I Stellen auf einem Plättehen ausgebildet werden können. Deshalb ^! ist die Schaltung gemäss der Erfindung besonders geeignet für monolithisch integrierte Schaltkreise. Weiterhin zeigt die in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform, dass der Parallelwiderstand der Transistoren 6 und 7 "für die veränderliche Widerstandsschal-, tung verwendet wird, so dass der Kleinstwiderstand der veränder- ; liehen Widerstandssohaltung die Hälfte dessen eines einzigen Transistors ist. Dadurch kann ein grosser Regelbereich erzielt werden. - · *

. Allgemein verläuft die V_CE-I_c-Kennlinie für jeden in Fig. 2 gezeigten Basisstrom nahe dem ürsprUngspunkt, so dass das Rauschen im Ausgangssignal (thump) aicht erzeugt wird, auch wenn sich die Regelspannung plötzlich ändert.

Die in Fig. 3 gezeigte Sohaltung ist eine andere Ausführungsform der Erfindung· Der Unterschied zur Schaltung tier Fig. 1 ist der, dass ein Widerstand 8 zwischen der Regelklemroe 3 und den Bas is- ; elektroden der Transistoren 7 und 8 liegt. Widerstand 8 ist so ■ ι grots gewählt, dass die Basiselektroden der Transistoren 6 und 7 ! mit Kozftantstron betrieben werden, was sehr günstig ist zur ^! j Herabsetzung der niehtlinearen Verserrung. j

i - * ί

; Pig. 4 zeigt die Kennlinien der zweiten h&rmonisohen Verzerrung, ; j basierend auf experimentellen Ergebnissen, wobei die vertikal« j ; Aohse. das Verhältnis der zweiten Harmonischen zur Grundkomponente | j zeigt und die Horizontalaohse die Amplitude des Ausgangssignals, ! ¹ d.h. die Amplitude über dem veränderlichen Widerstand zeigt. Die \ Ί Kurve (a) ist die Kennlinie in dem Fall, dass nur ein Transistor ;

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für den veränderlichen Widerstand verwendet wird. In diesem Fall ist die zweite harmonische Verzerrung proportional zur Amplitude, die zwischen Kollektror und Emitter des Transistors für den veränderlichen Widerstand angelegt wird. Die Kurve (b) ist die Kennlinie für den Fall, bei dem die Regelklemme von einer konstanten Spannung getrieben wird, wie es in Fig. 1 gezeigt*wird. Es 1st zu sehen, dass die zweite harmonische Verzerrung abnimmt im Vergleich zur Kurve (a), obwohl sie noch nicht perfekt ausgeschlossen ist. Die Kurve (c) ist die Kennlinie für den Fall, dass die Regelklemme mit Konstantstrom betrieben wird, wie es in'der Fig. 3 gezeigt wird. Es ist zu sehen, dass in diesem Fall die zweiten Harmonischen beinahe perfekt ausgeschlossen sind, da 0,2 % die Komponente des verbleibenden Rauschens im Meßinstrument ist.

Die in Fig. 5 gezeigte Schaltung ist eine Ausführungsform der Erfindung, die geeignet 1st, wenn die zwei den veränderlichen Wider* stand bildenden Transistoren voneinander unterschiedliche Kennlinien haben. Die Schaltung, der Fig. 5 gleicht der der Fig. 1, mit der Ausnahme, dass die Widerstände 9 und 10 zwischen der Regelklemme 3 und den Basiselektroden der Transistoren 6 bzw. 7 liegen. Gemäss dieser Konfiguration ist es möglich, selbst wenn die Kennlinien der Transistoren 6 und 7 nicht miteinander identisch sind_t eine solche Einstellung vorzunehmen, dass die harmonische Verzerrung einen Minimalwert erreicht, indem ein geeigneter Wert für die" Widerstände 9 und 10 ausgewählt wird.

'. Die, in Fig. 6 gezeigte Schaltung ist eine andere Aus führungs form der Erfindung. Die Bedingung für den Basisstrom der Translatoren

ι 6 und 7 ist unterschiedlich zu der der Schaltung der Fig. 3· Din. die Regelklemme 3 ist mit der Basis des Transistors 11 verbunden. Der Emitter des Transistors 11 ist über einen EmUterwiderstand 12 geerdet, und der Kollektor liegt über eine Diode an einer äusseren Gleichspannungsquelle +E. Der Kollektor des Transistors 11 ist auch mit der Basis eines anderen Transistors l£ verbunden. Der Emitter des Transistors 14 ist mit der äusseren GleichepannungsqueHe +E verbunden, und der Kollektor liegt an den Basiselektroden der Transistoren 6 und 7. In Fig. 6 wird das

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Regelsignal an die Basis des Transistors 11 von der Regelklemme 3 angelegt, und es wird ein Kollektorstrom geliefert. Die Amplitude dieses Kollektorstromes ist durch die Regelspannung, die Spannung zwischen Basis und Emitter des Transistors 11 und die Grosse des Widerstandes 12 bestimmt. Dieser Kollektiv^ tr om ist deshalb proportional zur Regelspannung, da'die Spannung zwischen Basis und Emitter des Transistors 11 einen konstanten Wert hat und der Widerstand 12 fest ist. Über der Diode IJ erscheint eine Spannung entsprechend dem Kollektorstrom. Basis und Emitter des pnp-Transistors 14 liegen über der Diode 13.

Der Kollektorstrom des Transistors 14 ist proportional dem Kollektorstrom desTransistors 11. Wenn die Diode 13 und der Basis- -Emitter-Übergang des Transistors 14 von identischem Aufbau sind, wird der Kollektorstrom des Transistors 14 praktisch gleich dem des Transsistore 11. Infolgedessen ist der Basisstrom der Transistoren 6 und 7 proportional dem Regelsignal, und damit wird die Grosse der Dämpfung des veränderlichen Dämpfungsgliedes gemäss dem Regelsignal geregelt.

Ein besonderer Vorzug dieser Konfiguration ist, dass die zweite harmonische Verzerrung fast perfekt ausgeschlossen wird, da die Ausgangsimpedanz des Kollektors des Transistors 14 sehr gross, ist und die Basiselektroden der Transistoren 6 und 7 mit Konstantstrom betrieben werden. Weitere besondere Vorzüge sind, dass die Dämpfung durch ein Regelsiagnal mit kleiner elektrischer Leistung geregelt werden kann, weil die Eingangsimpedanz an der Regelklemme 3 gross genug ist, denn der Transistor 11 h% einen Emitterwiderstand 12. Weiterhin braucht das Regelsignal keine hohe Spannung aufzuweisen, weil der Transistor 11 arbeitet, wenn mindestens 0,7 Volt an der Basis liegen.

Das System der Fig. 7 ist eine Ausführungsform der Erfindung, bei der die in Fig. 6 gezeigte Schaltung bei einem automatischen Verstärkungsregelungssystem für das Tonfrequenzband verwendet wird. Gemäss Fig. 7 wird das an die Eingangsklemme 1 angelegte EingangssfeiAdurch ein veränderliches Dämpfungsglied geregelt,

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welches durcheinen Widerstand 4, die Kapazität 5 und die Transistoren 6 und 7 gebildet wird. Das von dem veränderlichen Dämpfungsglied geregelte Signal wird durch einen Verstärker 21 verstärkt und erscheint an einer Ausgangsklemme 22. Das Ausgangssignal wird durch eine Gleichrichterschaltung, die aus der Diode 23 und einer Kapazität 24 besteht, gleichgerichtet, und das gleichgerichtete Signal wird auf die Basis des Transistors 11 gegeben, der zusammen mit dem ,Widerstand 12, der Diode 13 und dem Transistor 14 einen KonstantstromkreÄs bildet.

In dieser Konfiguration steigt, wenn das Eingangssignal grosser wird, das Ausgangssignal vom Verstärker 21, und auch die von der Diode 23 und der Kapazität 24 gleichgerichtete Regelgleichspan-Jiung wird grosser. Damit erhöht sich der Basisstrom der Transistoren 6 und 7, und· es erhöht sich die Dämpfung desveränderlichen Dämpfungsgliedes. infolgedessen wird die Amplitude des Ausgangssignals auf einem konstanten Wert gehalten. Dieses automatische Verstärkungsregelungssystem hat viele Merkmale. Eines davon ist, dass die zweite harmonische Verzerrung sehr klein ist, wie schon beschrieben wurde. Ein anderes ist, das ein breiter Regelbereich

in. dem automatischen Vers tärkungs rege lungssys tem erzielt wird, weil die beiden Transistoren für den veränderlichen Widerstand parallel geschaltet sind. Weiterhin 1st es möglich, eine ausreichend lange Erholzeit bei der automatischen Verstärkungsregelung zu erzielen. Da die Erholzeit die Entladezeit der gleichgerich-

' teten Spannung über der Kapazität 24 in diesem Pail ist, wird sie lang genug, da die Ausgangsimpedanz an der Basis des Transistors 11 sehr gross ist. Die lange Erholzeit ist sehr geeignet für ein Bandgerät. Weiterhin kann das automatische Verstärkungsregelungssystem mit einer kleinen Regelspannung und der kleinen

; Regelleistung betrieben werden, wie es schon^für die Ausführungsforra der Fig. 6 beschrieben wurde.

^: Daß System der Fig., 8 ist eine andere Ausführungsform des auto- ! matiechen Verstärkungsregelungssystems der Erfindung. Dieses j System unterscheidet sich in zwei Punkten von der Aus führungs form der Fig. 7. Erstens' besteht die Gleichrichterschaltung aus einem

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Transistor 25 und einer Kapazität 26. Die Glattungskapazität 26 liegt am Emitter desTrans is tors. 25, um eine kurze Ladezeit für die Kapazität 26 zu erzielen. Viie schon beschrieben wurde, kann die Ansprechzeit der automatischen Verstärkungsregelung kurzer eingestellt werden als die der Ausführungsform der Fig. 7. Zweitens besteht ein Unterschied darin, dass die Widerstände 27 und 28 in die Konstantstromschaltung eingefügt sind. Selbst wenn die Diode 13 und die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 14 unterschiedliche Kennlinien haben, ist es möglich, den Kollektorstrom des Transistors 14 durch Wahl dieser Widerstände 27 und 28 einzustellen.

Das System der Pig. 9 ist eine andere Ausführungsform des auto* matischen Verstärkungsregelungssystems der Erfindung. Dieses System unterscheidet sich in zwei Punkten von dem der Fig. 7. Erstens ist ein Widerstand 29 zu der Kapazität 24 in der Gleichrichters chaltung parallel geschaltet, In diesem Fall ist die Erholzeit, d.h. die Entladezeit der Kapazität 24, bestimmt durch die Grosse des Widerstandes 29 und die Grosse der Kapazität 24. Deshalb kann die Ejrholzeit frei eingestellt werden durch Wahl des Widerstandes 29. Selbstverständlich kann dies auch bei der Ausführungsform der Fig. 8 durchgeführt werden. D.h. auch da kann ein Widerstand der Kapazität 26 parallel geschaltet werden, um die Erholzeit frei einzustellen. Zweitens ist ein Transistor -30 zum Konstantstromkreis hinzugefügt. Dieser Transistor 30 bildet die Komplementärverbindung mit dem Transistor 14, und so kann die äquivalente Stromverstärkung des pnp-Transistors vergrössert werden. Dementsprechend kann diese Konfiguration gut eingesetzt ^: werden, wenn der pnp-Transistor eine kleine Stromverstärkung aufweist. \

: Es wurde hier die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung be- ! schrieben, und es ist offensichtlich, dass zahlreiche Änderungen vorgenommen werden Jcönnen, ohne dass der Bereich der vorliegenden ■ Erfindung verlassen wird, der durch de nachfolgenden .Patentansprüche bestimmt wird.

- - Patentansprüche -

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Claims

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Patentans prüche

Signalregelschaltung, gekennzeichnet durch zwei Elektronen

leitende Elemente und eine erste und eine zweite Klemme, i wobei jedes der Elemente eine erste, eine zweite und eine ι dritte Elektrode aufweist und die erste und die zweite Klemme , mit einem Signal beaufschlagt werden, wobei die erste Klemme '. der Verbindungspunkt der ersten Elektrode des ersten Elek- : tronen leitenden Elementes mit der zweiten Elektrode des

zweiten Elektronen leitenden Elementes ist und die zweite I Klemme der Verbindungspunkt der zweiten Elektrode des ersten

Elektronen leitenden Elementes mit der ersten Elektrode des ; zweiten Elektronen leitenden Elementes ist, und wobei die : dritten Elektroden des ersten und des zweiten Elektronen

leitenden Elementes mit dem Regelsignal von einer Regel- ; signalquelle beaufschlagt werden, deren Ende mit der zweiten

Klemme verbunden ist, wodurch die Amplitude des zwischen j den Klemmen angelegten Signals gemäss einem Regelsignal ge- ; . regelt wird, das an die dritten Elektroden angelegt wird.

2. Signalregelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Elektronen leitende Element jeweils ein Transistor sind.

j J. Signalregelechaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet^ ; dass das erste und das zweite Elektronen leitende Element in i demselben Herstellungsvorgang hergestellt sind.

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4. Signalregelsohaltung nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Elektroden des ersten und des zweiten Elektronen leitenden Elementes die Kollektoren eines ersten und eines zweiten Transistors sind, dass die zweiten Elektroden des ersten und des zweiten Elektronen leitenden Elementes die Emitter des ersten und des zweiten Transistors sind und dass die dritten Elektroden des ersten und des zweiten Elek-· tronen leitenden Elementes die Basiselektroden des ersten und des zweiten Transistors sind.

5. Signalregelschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Basiselektroden des ersten und des zweiten Transistors miteinander verbunden sind.

weiterhin

6. Signalregelschaltung nach Anspruch 4, gekennzeichnet,

daroh eine Eingangsklemme, eine Ausgangsklemme, einen Widerstand zwischen der Eingangs- und der Ausgangsklemme und. eine Kapazität, die zwischen der Ausgangsklemme und der ersten Klemme liegt, wobei die zweite Klemme der Transistoren geerdet ist und die Basiselektroden des ersten und des zweiten Transistors miteinander verbunden sind.

7. Signalregelschaltung nach Anspruch 6, weiterhin gekennzeich net durch eine Konstantstromschaltung, die zwischen den Ba siselektroden des ersten und des zweiten Transistors und der Regelsignalquelle liegt.

8. Signalregelschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Konstantstromschaltung einen Widerstand enthält.

9. Signalregelschaltung nach Anspruch 7, dadureh gekennzeichnet, dass die Konstantstromschaltung eine Diode, einen Widerstand, einen dritten und einen vierten Transistor umfasst, wobei ein Emitter des dritten Transistors mit einer Gleichspannungsquelle verbunden ist, der Kollektor des dritten Transistors mit den Basiselektroden des ersten und des zweiten Transistors verbunden ist, die Diode zwischen der Basis und dem Emitter"

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desdritten Transistors liegt, der Kollektor des vierten Transistors mit der Basis des dritten Transistors verbunden ist, der Emitter des vierten Transistors über einen Widerstand geerdet ist und die Basis des vierten Transistors mit dem Regelsignal von der Regelsignalquelle gespeist wird.

10. Signalregelschaltung nach Anspruch 4, weiterhin gekennzeichnet durch eine Eingangsklemme, eine Ausgangsklemme, einen Widerstand zwischen der Eingangs- und der Ausgangsklemme und eine Kapazität zwischen der Ausgangsklemme und der ersten Klemme, wobei die zweiten Klemmen der Transistoren geerdet sind und jede der Basiselektroden der ersten und des zweiten Transistors mit der Regelsignalquelle über einen anderen Widerstand gekoppelt ist.

11. Signalregelschaltung, gekennzeichnet durch eine Eingangsklemme, eine Ausgangsklemme, eine veränderliche Widerstandsschaltung mit mindestens einem ersten und einem zweiten Transistor, wobei der Emitter des ersten mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist und der Verbindungspunkt geerdet ist, der Kollektor des ernsten, mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden ist und die Basiselektroden des ersten und des zweiten Transistors miteinander verbünden sind, eine Konstantstromquelle, die mit der veränderlichen Widerstandsschaltung gekoppelt ist und einen Regelst&m in die Basiselektroden der Transistoren treibt, einen Verstärker, der mit der Ausgangs klemme gekoppelt ist und ein verstärktes Signal liefert, einen Gleichrichter, der das verstärkte Signal empfängt und ein Regelsignal in die KonstantStromschaltung liefert, einen Eingangswiderstand zwischen der Eingangs klemme. und der Verstärkereingangsklemme und durch eine Kapazität zwischen der Verstärkereingangsklemme und dem Verbindungspunkt des Kollektors des ersten nit dem Emitter des zweiten Transistors der veränderlichen Widerstandsschaltung.

12. Signalregelschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Konstantetromsohaltung ein Widerstand ist.

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I^. Signalregelscliaitung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Konstantstromschaltung aus einerDiode, einem Widerstand, einem dritten und einem vierten Transistor besteht, wobei der Emitter des dritten Transistors mit einer Gleichspannungsquelle verbunden ist, der Kollektor des dritten Transistors mit den Basiselektroden des ersten und des zweiten Transistors verbunden ist, die Diode zwischen Baäs und Emitter des dritten Transistors liegt, der Kollektor des vierten mit der Basis des dritten Transistors verbunden ist, der Emitter des vierten Translster. über einen Widerstand geerdet ist und die Basis des vierten Transistors mit dem Regelsignal von der Regelsignalquelle beaufschlagt wird.

1^. Signalregelschaltung nach Anspruch 13» weiterhin gekennzeichnet durch zwei Widerstände, von denen einer zwischen dem Emitter des dritten Transistors und der Gleichspannungsquelle liegt und der andere zwischen einem Ende der Diode und der Gleichspannungsquelle liegt.

15· Signalregelschaltung nach. Anspruch 13* weiterhin gekennzeichnet durch einen Transistor, dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors verbunden ist, dessen Kollektor mit der Gleichspannungsquelle verbunden ist und dessen Emitter mit den Basiselektroden des ersten und des zweiten Transistors verbunden ist.

16. Signalregelschaltung nach Anspruch 13* dadurch gekennzeichnet, dass die Gleichrichtervorrichtung einen Transistor, dessen Kollektor mit der Gleichspannungsquelle verbunden ist, und eine Kapazität umfasst, die zwischen dem Emitter des Transistors und Erde liegt.

17.. Signalregelschaltung nach Anspruch I3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gleichrichtervorrichtung aus einer Diode und _ der Parallelschaltung einer Kapazität und eines Widerstandes besteht.

Dr.H.P./Br.

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ι & · j.

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