DE3036877A1 - Uebergangsdetektorschaltung - Google Patents
UebergangsdetektorschaltungInfo
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Description
RCA 73714/Sch/Ro.
US-Ser.No. 080,702
AT: 1. Oktober 1979
US-Ser.No. 080,702
AT: 1. Oktober 1979
RCA Corporation, New York, N.Y. (V.St.A.)
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zum Abfühlen eines Pegelübergangs (übergang zwischen zwei Pegel) eines Signals.
Es gibt viele Anwendungen, bei denen Signalübergänge abgefühlt werden müssen, um einen Vorgang oder eine Reihe von Vorgängen
einzuleiten. Beispielsweise ist es bei einer Speicheranordnung erwünscht oder sogar notwendig, Änderungen in der Adressenleitungsinformation
abzufühlen, um damit dem Speicher und der zugehörigen Schaltung anzuzeigen, daß Information in den Speicher
eingeschrieben wird oder aus ihm ausgelesen wird, und daß bestimmte organisatorische Funktionen zu beachten sind. Zu solchen
organisatorischen Funktionen gehört das Ein- und Ausspeichern
in und aus Teilen der Speicheranordnung, und sie sind vor und nach dem Einschreiben oder Auslesen durchzuführen. Die Information
auf den Adressenleitungen wird dann normal decodiert und bestimmt den Speicherplatz in den oder aus dem ein Bit oder
Wort einzuschreiben oder auszulesen ist. Bei den vorstehend erwähnten oder anderen Anwendungen ist es erwünscht, daß eine
Übergangsfühl- oder Detektorschaltung: schnell auf Anstiegszeiten und Abfallzeiten des Eingangssignals reagiert, zuverlässig
ist, nur wenige Bauelemente benötigt und relativ einfach aufgebaut ist.
Eine die Erfindung anwendende Schaltung hat einen Eingangsanschluß, an dem ein Signal zugeführt wird, in dem übergänge
zwischen zwei Werten auftreten, beispielsweise von einem hohen Pegel zu einem niedrigen Pegel und umgekehrt, und einen Ausgangsanschluß,
an dem ein Signal erzeugt werden soll, welches jedem EingangsSignalübergang entspricht, und eine Schaltungsanordnung,
welche je nach dem Wert des Eingangssignals einen Betriebsspannungspunkt mit dem Ausgangsanschluß koppelt.
Eine erfindungsgemäße Koppelschaltung enthält einen ersten und einen zweiten Signalweg, die parallel zwischen den Betriebsspannungspunkt
und den Ausgangsanschluß geschaltet sind und deren jeder einen ersten und einen zweiten Schalter enthält und
einen niederohmigen Stromweg zwischen den ersten Potentialpunkt und den Ausgangsanschluß bietet, wenn der erste und zweite
Schalter dieses Strompfades leiten, ferner eine zwischen den Eingangsanschluß und den ersten und zweiten Schalter des ersten
und zweiten Stromweges geschaltete Steuerschaltung, welche (a) für einen Wert des Eingangssignals den ersten Schalter des ersten
Strompfades einschaltet und den ersten Schalter des zweiten Strompfades sperrt, dagegen bei dem anderen Wert des Eingangssignals
den ersten Schalter des ersten Strompfades sperrt und
den zweiten Schalter des zweiten Strompfades einschaltet, und (b) den zweiten Schalter jedes Strompfades mit einer ersten
Zeitverzögerung,nachdem der erste Schalter dieses Strompfades eingeschaltet worden ist, sperrt und den zweiten Schalter jedes
Strompfades mit einer zweiten Zeitverzögerung, nachdem der erste Schalter dieses Strompfades gesperrt ist, einschaltet.
Die erfindungsgemäße Schaltung eignet sich gut, um übergänge
eines Eingangssignals zwischen zwei Werten schnell festzustellen, weil nur ein Schalter pro übergang des Eingangssignals betätigt
werden muß.
130016/0855
In den beiliegenden Zeichnungen sind gleiche Komponenten mit denselben Bezugsziffern bezeichnet. Es zeigt:
Fig. 1 ein Schaltbild einer erfindungsgemäßen Schaltung,
Fig. 2A ein Schaltbild eines komplementären Inverters, der •sich zur Verwendung in der Schaltung gemäß Fig. 1 eignet,
Fig. 2B Kurvenformen der Eingangs- und Ausgangssignale bei der Schaltung gemäß Fig. 2A und
Fig. 3 Kurvenformen, wie sie an verschiedenen Punkten der
Schaltung gemäß Fig. 1 auftreten.
Als aktive Schaltungselemente werden bei der Erfindung vorzugsweise
Isolierschicht-Feldeffekttransistoren verwendet. Aus diesem Grunde sind in der dargestellten Zeichnung auch
solche Transistoren gezeichnet und werden nachfolgend auch als solche beschrieben. Jedoch ist die Erfindung nicht auf
die Benutzung solcher Transistoren beschränkt, sondern es können auch andere geeignete Elemente benutzt werden, die
unter dem nachfolgend in ganz allgemeinem Sinne benutzten Ausdruck "Transistor" ebenfalls verstanden werden sollen.
In den Figuren sind P leitende Anreicherungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
durch den Buchstaben P mit jeweiliger nachfolgender Bezugsζiffer gekennzeichnet; N leitende Anreicherungs-Feldeffekttransistoren
sind durch den Buchstaben N mit jeweiliger Bezugsziffer gekennzeichnet. Die Eigenschaften
von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren sind bekannt und brauchen nicht im einzelnen beschrieben zu werden. Zum besseren
Verständnis der folgenden Beschreibung seien aber noch die für die Erfindung bedeutsamen Definitionen und Eigenschaften angeführt:
1 3 ö ö 1 β / Ö 8 B1
1. Jeder Isolierschicht-Feldeffekttransistor hat eine erste und
eine zweite Elektrode, welche die Enden seines Leitungsweges (Kanal) definieren, und eine Steuerelektrode (Gate), welche
über das ihr zugeführte Potential die Leitfähigkeit des Leitungspfades zu bestimmen gestattet. Die erste und zweite Elektrode
eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors werden als Source- und Drain-Elektroden bezeichnet. Bei einem P leitenden Isolierschicht-Feldeffekttransistor
ist unter der Source-Elektrode diejenige der beiden Hauptelektroden zu verstehen, der ein
positiveres (höheres) Potential zugeführt wird. Bei einem N leitenden Isolierschicht-Feldeffekttransistor wird als Source-Elektrode
diejenige der beiden Hauptelektroden definiert, der ein weniger positiveres (niedrigeres) Potential zugeführt wird.
2. Der Transistor leitet, wenn die zugeführte Gate-Source-Spannung
Vnc eine Richtung hat, in welcher der Transistor
eingeschaltet wird und einen höheren Wert als ein vorgegebener Wert hat, der als Schwellspannung V des Transistors definiert
ist. Um einen P leitenden Transistor einzuschalten, muß seine Gate-Spannung V^ um mindestens νφ negativer als seine
Source-Spannung Vc sein. Um einen N leitenden Transistor
einzuschalten, muß seine Spannung V-, um Vm positiver als Vc
sein.
3. Isolierschicht-Feldeffekttransistoren leiten in beiden
Richtungen, so daß bei Zuführung eines Leitungssignals zur Steuerelektrode Strom in beiden Richtungen durch den Leitungspfad oder Kanal fließt, der von der ersten und zweiten Elektrode,
welche auch als Hauptelektroden bezeichnet werden, begrenzt wird, also Source und Drain sind austauschbar.
In der nachfolgenden Diskussion wird der Einfachheit halber die Betriebsweise mit den Boole'sehen Ausdrücken beschrieben.
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Hierbei wird willkürlich angenommen, daß eine relativ positivere Spannung (also bei oder nahe V„) den Binärwert 1 bedeuten soll
und mit "high" oder "hi" bezeichnet ist, während eine relativ;, weniger positive Spannung (also bei oder nahe Masse) den Binärwert O angibt, der auch als "low" oder "lo" bezeichnet wird.
Zur weiteren Vereinfachung der Erklärung der Betriebsweise wird manchmal gesagt, daß eine 1 (high oder hi) oder eine O
(low oder Io) einer Schaltung zugeführt wird oder von ihr erzeugt wird, anstatt zu sagen, daß eine Spannung zugeführt
oder erzeugt wird, welche den Wert einer 1 oder einer 0 angibt.
Die in Fig. 1 dargestellte Schaltung enthält eine erste Kette 11a von vier Transistoren zum frühzeitigen Abfühlen des Anstiegs
eines positiv gerichteten Eingangssignals und eine zweite Kette 11b von vier Transistoren zum frühzeitigen Abfühlen
des Abfalls eines negativ gerichteten Eingangssignals.
Die Transistoren in der Kette 11a sind mit einem nachgestellten Index a bei ihren Bezugsziffern versehen, die Transistoren der
Kette 11b haben dagegen ein b.
Jede Kette hat zwei P leitende Transistoren (Pia und P2ar Pib
und P2b), deren Leitungspfade parallel zwischen einen ersten Spannungsanschluß 20 und einen Schaltungsausgangsanschluß 22
geschaltet sind, und zwei N leitende Transistoren (N1a und N2a, N1b und N2b), deren Leitungspfade in Reihe zwischen die Anschlüsse
22 und 24 geschaltet sind. Dem Anschluß 24 wird Massepotential, bzw. die Spannung Null, zugeführt, und dem Anschluß
20 wird eine Spannung von VD_ Volt zugeführt, die positiv
(beispielsweise 5 V) gegen Masse ist.
Von einer nicht dargestellten äußeren Quelle erzeugte Eingangssignale
werden der Schaltung über einer Adressenleitung zugeführt. Die Eingangssignale VJN sind in Fig. 3 durch die
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Kurvenform A dargestellt und verändern sich zwischen einem ersten Pegel (der ebenfalls als O V, Masse oder "low" angegeben
ist) und einem zweiten Pegel (der auch mit V Volt oder "high" angegeben ist).
Die Eingangsleitung 12 ist mit den Gate-Elektroden der Transistoren
N1a und P1b und mit dem Eingang eines Inverters 11
verbunden. Der Ausgang des Inverters 11 führt zu den Gate-Elektroden
der Transistoren Pia und N1b und zum Eingang eines Inverters 12.
Der Ausgang des Inverters 12 ist mit einem (1) Eingang eines
zwei Eingänge aufweisenden NAND-Tores G1 verbunden, und dessen Ausgang wiederum ist an die Gate-Elektroden der Transistoren
N2b und P2b und an einem (1) Eingang eines zwei Eingänge aufweisenden NAND-Tores G2 geführt. Der Ausgang des NAND-Tores G2
liegt an den Gate-Elektroden der Transistoren P2a und N2a.
Ein mit CS bezeichnetes Steuersignal (oder Chip-Auswahlsignal), das von einer nicht dargestellten äußeren Quelle kommt, wird den
Eingängen (2) der Tore G1 und G2 zugeführt. Wenn CS einen niedrigen Wert hat, dann werden die Aus gangs signale V^1 bzw. V-, „ der
Tore G1 und G2 auf einem hohen Pegel gehalten und verhindern die Erzeugung von Impulsen am Ausgang 22, dessen Signal dann
niedrig bleibt. Wenn VG1 und V ~ gleich sind und einen hohen
Wert haben, dann sind P2a und P2b gesperrt, und ob nun VJN einen
hohen oder einen niedrigen Wert hat, sind entweder die Transistoren Nia und N2a oder die Transistoren Nib und N2b eingeschaltet.
Für die nun zu beschreibende Betriebsweise der Schaltung sei angenommen, daß CS einen hohen Wert hat, so daß
Impulse am Schaltungsausgang 22 bei jedem übergang des Adressensignals
erzeugt werden können.
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Zum besseren Verständnis der Betriebsweise seien nun einige Eigenschaften der Schaltungskomponenten erläutert.
Der Inverter 11 in der Schaltung gemäß Fig. 2 ist ein komplementärer
Inverter mit einem Transistor P11, dessen Leitungspfad in Reihe mit einem Transistor N11 zwischen V_D und Masse
liegt. Die Gate-Elektroden von P11 und N11 sind an den Invertereingang
und ihre Drain-Elektroden an den Inverterausgang angeschlossen. Der Transistor N11 wird wesentlich größer als
der Transistor P11 gemacht, so daß der Umschaltpunkt des
Inverters 11 sehr dicht bei der Schwellspannung V von N11
liegt, die beispielsweise 1 V sein kann. Daher geht die Ausgangsspannung
V1 des Inverters 11 sehr schnell von einem hohen auf einen niedrigen Wert über, nachdem sein Eingangssignal gerade
über V Volt angestiegen ist. Da N11 aber ein sehr großer
Transistor ist, kann er die an seinem Ausgang wirksame Kapazität sehr schnell nach Masse entladen. V1 geht von einem niedrigen
auf einen hohen Pegel nur dann über, nachdem das Eingangssignal des Inverters 11 unter V Volt gefallen ist, und dann dauert
es, weil P11 ein kleines Element ist, relativ lange, die Kapazität
an seinem Ausgang wieder auf Vn_ Volt aufzuladen. Damit
ist der Inverter 11 unsymmetrisch, indem er in einer Richtung
schneller als in der anderen Richtung reagiert.
Der Inverter 12, der ein komplementärer Inverter mit P und N
Transistoren ist, ist schematisch in Fig. 2A dargestellt und arbeitet als zweiseitige Verzögerungsschaltung. Dies ist möglich,
weil die P und N Transistoren sehr klein sind. Daher ist die Impedanz Z der Leitungspfade ihrer P und N Transistoren
relativ (gleich) hoch, selbst wenn die Transistoren eingeschaltet sind. Das Ausgangssignal des Inverters 12, welches invers
zu seinem Eingangssignal ist, wird gegenüber dem Eingangssignal nennenswert verzögert. Beispielsweise kann die von dem Inverter
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12 hervorgerufene Verzögerung (welche wesentlich größer als
jegliche durch den Inverter 11 bewirkte Verzögerung ist) im Bereich von 30 Nanosekunden liegen.
In den beiden Transistorketten 11a und 11b sind die P leitenden
Transistoren vier- bis fünfmal größer als die N leitenden Transistoren. Die P Transistoren neigen daher dazu, (bei gleichen
Spannungen ν_ς) früher zu reagieren und einen höheren
Strom führen zu können als die N Transistoren. Da die Impedanz Z eines Transistors vom Verhältnis Breite zu Länge (W/L) abhängt,
haben größere Transistoren niedrigere Impedanzen und damit eine höhere Leitfähigkeit für jeden vorgegebenen Wert der Gate-Source-Spannung
V_c. In den nachfolgenden Erläuterungen sind
üb
die Impedanzen Z der verschiedenen Transistoren durch den Buchstaben Z in Verbindung mit der Bezugsziffer des betreffenden
Transistors angegeben.
Es soll zunächst die Betriebsweise der Schaltung für den Fall untersucht werden, daß das Eingangssignal V1n. 0 Volt hat, also
niedrig ist (low), dann für den Fall, daß V1n einen übergang
von einem niedrigen zu einem hohen Wert (V_D Volt) aufweist,
und dann für den Fall, daß V1n einen hohen Wert hat, und
schließlich für den Fall, daß VTN von einem hohen auf einen
niedrigen Wert übergeht.
(a) Wenn Vn einen niedrigen Wert (low) hat, dann liegt V1
bei VD^. Die Transistoren Pia und N1a sind gesperrt, die Tran- "
sistoren P1b und N1b sind eingeschaltet, das Ausgangssignal des
Inverters 12 (V12) ist niedrig und die Spannung VG«. ist hoch.
Daher ist N2b eingeschaltet und P2b gesperrt. V^2 ist niedrig
und P2a wird eingeschaltet, während N2a gesperrt wird. Die Spannung VQ am Ausgang 22 wird wegen der Klemmwirkung der
leitenden Transistoren N1b und N2b auf Masse gehalten.
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In jeder der beiden Ketten 11a und 11b ist einer der P Transistoren
eingeschaltet, während der andere gesperrt ist. Daher besteht kein niederohmiger Leitungspfad zwischen den Anschlüssen
20 und 22.
(b) Es sei nun angenommen, daß das Adressensignal einen positiv gerichteten übergang zum Zeitpunkt t_ aufweist, wie dies die
Kurvenform A in Fig. 3 zeigt.
Sobald V etwas positiver als V des Transistors N11 des
Inverters 11 ist, nimmt V1 einen niedrigen Wert an, wie dies
für den Zeitpunkt t* gezeigt ist. Der Transistor Pia (ein großer
Transistor) wird fast augenblicklich eingeschaltet, während der Transistor N1b (ein kleiner Transistor) gesperrt wird. Weil P2a
schon leitet, stellen Pia und P2a eine relativ niedrige Impedanz zwischen den Anschlüssen 20 und 22 dar und ziehen die Spannung
V0 nach VD . Es besteht auch ein Leitungspfad zwischen dem Anschluß
22 und Masse, weil der Transistor N2b noch eingeschaltet ist und der Transistor N1b, obwohl er gerade abgeschaltet wird,
noch leitet. Jedoch sind die Transistoren Pia und P2a wesentlich größer als die Transistoren N1b und N2b und können die Spannung
Vq gut über VDD/2 bringen, selbst falls N2b nicht abgeschaltet
werden würde. Nimmt man an, daß Z .. = Z-., = 4Z .., = 4Zp2b
(für gleiche Werte von VGg) ist, dann würde VQ auf 0,8 VDD ansteigen.
Da der Transistor N2b gerade gesperrt wird, ist seine Impedanz noch höher als 4Z131 , und die Transistoren Pia und P2a
ir I el
können die Spannung VQ dicht an VDD bringen. Weil die Impedanzen
der Transistoren N1b und N2b hoch sind und weil sie nur für eine kurze Zeitdauer eingeschaltet sind, wie noch erläutert wird,
ergibt sich auch nur ein geringer Leistungsverbrauch.
Das Ausgangssignal V12 des Inverters 12 reagiert langsam auf
einen übergang von einem hohen auf einen niedrigen Wert seines Eingangssignals. Nach einer Zeitverzögerung t-, steigt jedoch
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das Ausgangssignal des Inverters 12, wie zum Zeitpunkt t3 in der
Kurvenform C gemäß Fig. 3 gezeigt ist, auf einen hohen Wert, so daß VG1 auf einen niedrigen Wert geht. Dadurch wird der
Transistor N2b gesperrt und der Transistor P2b eingeschaltet. VG1 wird niedrig und läßt V_2 hoch werden, so daß P2a gesperrt
und N2a eingeschaltet werden. Beim Sperren des Transistors P2a endet der positiv gerichtete Impuls, der bei V0 (zum Zeitpunkt
t.) erzeugt worden ist, und der niederohmige Leitungspfad, der
durch die Transistoren Pia und P2a zwischen den Anschlüssen 22 und 20 gebildet wurde, hört auf zu bestehen. Gleichzeitig wird
der Transistor Pib durch den positiv gerichteten übergang des
Eingangssignals gesperrt. Bei gesperrtem Transistor P2a können die Transistoren N1a und N2a, welche eingeschaltet werden, die
Kapazität am Ausgangsanschluß schnell nach Masse entladen. Daher wird ein Impuls erzeugt, sobald die Amplitude des positiv
gerichteten Übergangs des Signals νχΝ positiver als ein vorbestimmter
Schwellwert V1^ ist.
Im Betrieb wird die Spannung V der Gate-Elektrode des Transistors
P1b zugeführt, und die Spannung V1, welche invers zu
V1 ist, wird der Gate-Elektrode von Pia zugeführt. Wenn also
VTN einen hohen Wert hat, dann ist der Transistor Pia eingeschaltet
und der Transistor Pib gesperrt, wenn dagegen V1n
einen niedrigen Wert hat, ist der Transistor Pia gesperrt und der Transistor P1b eingeschaltet.
Die verzögerte und durch den Inverter 12 invertierte und dann
durch G1 invertierte Spannung V1 wird der Gate-Elektrode des
Transistors P2b zugeführt. Demzufolge wird nach einer Zeitverzögerung Tn1 der inverse Wert des der Gate-Elektrode des Transistors
P1b zugeführten Signals der Gate-Elektrode des Transistors P2b zugeführt. Da die Transistoren P1b und P2b vom
gleichen Leitungstyp sind, können sie beide nur während des Verzögerungs zeitintervalls leiden.
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(c) Wenn die Spannung V hoch ist, ist V1 niedrig. Die Transistoren
Pia und N1a sind eingeschaltet und die Transistoren Pib und N1b sind gesperrt. VT„ hat einen hohen und V-... einen
niedrigen Wert. Daher ist der Transistor P2b eingeschaltet und der Transistor N2b gesperrt. V_,p hat einen hohen Wert und
schaltet den Transistor N2a ein und sperrt den Transistor P2a. V0 wird wegen der leitenden Transistoren NIa und N2a auf Masse
gehalten. In der Transistorkette 11a leitet der Transistor Pia, während der Transistor P2a gesperrt ist, und in der Transistorkette
11b ist der Transistor P1b gesperrt, während der Transistor
P2b leitet.
Eine Untersuchung der Signalfortleitungsschleife zeigt, daß im eingeschwungenen Zustand, wenn VTN einen hohen oder niedrigen
Wert hat, das der Gate-Elektrode des Transistors P2b zugeführte Signal das Komplement des der Gate-Elektrode des Transistors
P1b zugeführten Signales ist, und daß das der Gate-Elektrode des Transistors P2a zugeführte Signal das Komplement des dem
Transistor Pia zugeführten Signals ist. Daher ist im Ruhezustand
einer der P leitenden Transistoren in jeder Kette gesperrt und der andere leitet. Immer wenn Pia oder P1b gesperrt
ist, ist somit der andere P Transistor in der Reihenschaltung leitend. Wenn immer Pia oder P1b dann eingeschaltet werden,
muß demzufolge kein anderer P Transistor (P2a oder P2b) als derjenige Transistor (Pia oder P1b) der gerade leitend wird,
eingeschaltet werden, um einen niederohmigen Impedanzweg zwischen VDD und dem Anschluß 22 zu bilden. Es ist daher ein
außerordentlich schnelles Reagieren auf einen Eingangssignalübergang möglich, wie noch weiter ausgeführt wird.
(d) Es sei nun angenommen, daß die Spannung V_N einen negativen
übergang von einem hohen auf einen niedrigen Wert hat.
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Sobald V etwas stärker als V Volt unter VDD Volt abfällt,
wobei νφ die Schwellenspannung des Transistors P1b ist, dann
wird dieser leitend. Weil der Transistor P2b schon leitet, ziehen die Transistoren P1b und P2b die Ausgangsspannung in
Richtung Vn , selbst falls die Transistoren N1a und N2a leiten.
Es sei daran erinnert, daß die Transistoren N1a und N2a kleine Transistoren sind und daß mit abnehmender Spannung VT„ der
Transistor N1a gesperrt wird. Obgleich die Transistoren Pib
und P2b V0 nicht auf VDD klemmen, lassen sie VQ schnell nahe
an VQD ansteigen, weil der Leitwert der Transistoren P1b und
P2b viel größer als der Leitwert der Transistoren N1a und N2a
ist. So wird also am Ausgangsanschluß 22 (zum Zeitpunkt t,-)
ein positiv gerichteter Impuls sehr schnell erzeugt, nachdem VTN mit einem negativ gerichteten Übergang beginnt.
Für den Fall eines negativ gerichteten Übergangs bleibt die Spannung VQ für einen Zeitraum auf einem hohen Wert, welcher
den Zeitraum (von t,- bis tfi, der als Verzögerung T bezeichnet
ist) umfaßt, den ein negativ gerichteter Übergang von V zum Erreichen des Wertes V™ von N11 (dem Schaltlogikpegel des
Eingangssignals) benötigt, zuzüglich der Zeitverzögerung der Inverter 11 und 12, wobei die Verzögerung dieser letztgenannten
als vorherrschend angesehen werden kann.
Wenn die Spannung V_N gerade unter V,™ abfällt, dann schaltet
der Inverter 11 zum Zeitpunkt tß von einem niedrigen auf einen
hohen Logikwert um, und dadurch wird sofort der Transistor Pia
gesperrt und der Transistor N1b eingeschaltet (jedoch bleiben Pib und P2b leitend). Nach einer Zeitverzögerung reagiert der
Inverter 12, und VT„ nimmt zum Zeitpunkt t7 einen niedrigen
Wert an, so daß V„. auf einen hohen Wert übergeht. Damit wird
la I
der Transistor P2b gesperrt und unterbricht damit das Leiten der Transistorkette 11b zwischen Vn und dem Anschluß 22. Der
Transistor N2b schaltet ein, und weil der Transistor N1b schon leitet, entladen diese Transistoren schnell die Kapazität am
Ausgang auf Massepotential. Infolge des hohen Wertes von V-,.,
nimmt V_,„ einen niedrigen Wert an und schaltet den Transistor
P2a ein, den Transistor N2a dagegen ab. Damit ist die Transistorkette 11a für den nächsten (möglichen) positiv gerichteten übergang
des Eingangssignals bereit, und die Schaltung nimmt wieder
den oben für VT1.T = O beschriebenen Dauerzustand ein.
IN
Ähnlich wie bei einem positiv gerichteten übergang ist das nach
einer Zeitverzögerung der Gate-Elektrode des Transistors P2a zugeführte Signal Vr2 der inverse Wert des der Gate-Elektrode
des Transistors Pia zugeführten Signals V1. Damit können die
Transistoren Pia und P2a beide nur während des Zeitverzögerungsintervalls
leiten.
Die am Ausgangsanschluß 22 erzeugten Impulse werden einer Lastschaltung
15 zugeführt, die dann weitere (nicht dargestellte) Teile der Speicheranordnung ansteuert.
Die Schaltung gemäß Fig. 1 fühlt frühzeitig positiv gerichtete sowie negativ gerichtete Signalübergänge ab. Jedoch dauert der
bei einem negativ gerichteten Signalübergang erzeugte Ausgangsimpuls länger als der bei einem positiv gerichteten übergang
erzeugte Ausgangsimpuls. Die Unsymmetrie des Inverters 11 bewirkt,
daß V0 bei der Abfallflanke von V für eine längere
Zeitdauer auf einem hohen Wert gehalten wird.
Die beschriebene Schaltung paßt pegelmäßig zu TTL-Schaltungen
(Transistor-Transistor-Logikschaltungen), deren Eingangspegel sich typischerweise zwischen 0,8 und 2,4 Volt verändern. Zum
Zwecke der Erläuterung sei angenommen, daß Signale unterhalb von 1,0 Volt den Logikzustand 0 und Signale oberhalb 1,0 Volt
den Logikzustand 1 bedeuten sollen. Die in Fig. 1 dargestellte Schaltung ist daher so bemessen, daß sie um den 1 Volt-Pegel
herumschaltet.
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Bei dem positiv gerichteten Übergang wird, sobald V von N11
(und N1a) erreicht ist (was mit 1 Volt angenommen wird) auch der Schaltpegel des Eingangssignals erreicht, und es wird ein
Ausgangssignal erzeugt. Bei einem negativ gerichteten übergang wird, sobald V1n unter (VDD - V) Volt absinkt, ein positiver
Impuls erzeugt, der den negativ gerichteten übergang anzeigt. Jedoch liegt dieser Übergangsfeststellungspegel (also VDn - VTp)
oberhalb des Schaltpegels (nämlich 1 Volt), und es ist nicht bestimmt, wenn VTN bei VDD - V171- liegt, ob ein Null-Pegel der
Adressenleitung 12 zugeführt wird. Daher wird der positive Impuls V vom Zeitpunkt, wo V gleich V - V ist, bis dann,
wenn V^n gleich dem Schaltlogikpegel ist (zuzüglich der eingebauten
Zeitverzögerung) aufrechterhalten. Dieses Entwurfsmerkmal
ermöglicht die frühe Erzeugung eines Vorladungsimpulses, der
zu den verschiedenen Teilen des Speichersystems gelangt, ehe ein tatsächliches Datensignal gültig ist.
In der in Fig. 1 dargestellten Schaltung sind komplementäre Transistoren verwendet. Die Schaltung würde aber auch funktionieren,
wenn man die gezeigten N Transistoren durch eine geschaltete oder konstante Last ersetzt, welche zwischen den
Anschluß 22 und Masse geschaltet ist, wobei dann der Rest der Schaltung so bleibt, wie es Fig. 1 zeigt.
Die Transistoren Pia, P2a, P1b und P2b würden nach wie vor
einen Impuls am Ausgang 22 für jeden übergang des Eingangssigna3.s
erzeugen. Abhängig von der Art der Last kcinn jedoch
der Leistungsverbrauch größer als bei der in Fig. 1 dargestellten Schaltung sein.
Es leuchtet ein, daß die P leitenden Transistoren auch durch andere Schaltertypen ersetzt werden können, wobei auch dann
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die Ermittlung von Übergängen erfolgen würde. Beispielsweise könnten die Transistoren Pia und P2a durch ein Element ersetzt
werden, welches einen einzigen Leitungskanal mit zwei Steuerelektroden besitzt. Dabei ist natürlich angenommen, daß für
einen Signalzustand (also wenn beiden Steuerelektroden ein Einschaltsignal zugeführt wird) ein Strom eines Wertes durch
den Leitungskanal fließen kann, und daß für andere Signalzustände (wenn einer oder beiden Steuerelektroden ein Sperrsignal
zugeführt wird) ein Strom eines anderen Wertes (oder gar kein Strom) durch den Leitungskanal fließen kann.
Es leuchtet auch ein, daß die gegenseitige Reihenfolge der Transistoren P1b, P2b oder Pia, P2a oder N2b, N1b oder N2a, N1a
gleichgültig ist, weil beide Elemente in der Reihenschaltung eingeschaltet sein müssen, um einen Leitungspfad durch das
Paar zu bilden.
Die Schaltung gemäß Fig. 1 ist für ein unsymmetrisches Abfühlen beschrieben, es versteht sich jedoch, daß die Feststellung eines
Eingangsüberganges und die Erzeugung einer entsprechenden Anzeige (Ausgangsimpuls) für einen beliebigen Punkt zwischen
V1711 und Vnn - Vm7, gewählt werden kann.
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Bei der Schaltung nach Fig. 1 ist der Ausgang normalerweise an Masse gelegt, und es werden bei Ausgangssignal-übergangen
positive Ausgangsimpulse erzeugt. Es versteht sich, daß die Schaltung auch so abgewandelt werden kann, daß am Ausgang
normalerweise die Spannung VDD erzeugt, und während Eingangssignal-
Übergängen negative Ausgangs impulse erzeugt v/erden.
Claims (1)
- PATENTANWÄLTE Q Π ^ R P 7DR. DIETER V. BEZOLD Öl) OQ Q f tDIPL. ING. PETER SCHÜTZ DIPL. ING. WOLFGANG HEUSLERMARIA-THERESIA-STRASSE 22 N©UeS POStfaCfü POSTFACH 86 06 68 M-*,«/ D O D^,,D-8OOO MUENCHEN 86 N2W P-O.BOX86 02 60.TELEFON 089(47 69 06 4768 19AB SEPT. 1980: 4 70 60 TELEX 522 638 TELEGRAMM SOMBEZRCA 73714/Sch/Ro.
US-Ser.No. 080,702
AT: 1. Oktober 1979RCA Corporation, New York, N.Y. (V.St.A.)ÜbergangsdetektorschaltungPatentansprücheG)1/ Schaltungsanordnung zum Abfühlen von Übergängen zwischen zwei Werten (hoch und niedrig) eines Eingangssignals, welches einem Schaltungseingang zugeführt wird, mit einer je nach dem Wert des Eingangssignals einen Betriebsspannungspunkt mit dem Ausgangsanschluß koppelnden Schaltung, dadurch gekennzeichnet , daß die Koppelschaltung einen ersten und einen zweiten Signalweg (11a, 11b), die parallel zwischen den Betriebsspannungspunkt und den Ausgangsanschluß geschaltet sind und je einen ersten und einen zweiten Schalter ^P1a' P2a; P1b' P2b^ enthalten und je einen relativ nieder-130018/0818ZUGELASSEN BEIM EUROPAISCHEN PATENTAMT · PROFESSIONAL REPRESENTATIVES BEFORE THE EUROPEAN PATENT OFFICEPOSTSCHECK MÖNCHEN NR. 6 91 48 - 8OO - BANKKONTO HYPOBANK MÜNCHEN (BLZ 700 200 40) KTO. 60 60 25 73 78 SWIFT HYPO DE MMohmigen Pfad zwischen den Betriebsspannungspunkt und den Ausgangsanschluß bilden, wenn beide Schalter eingeschaltet sind, und eine Steuerschaltung (I1, I2, G-, G-) enthält, die zwischen den Eingangsanschluß und den ersten und zweiten Schalter des ersten und zweiten Signalweges gekoppelt ist und durch das Signal am Eingangsanschluß derartig steuerbar ist, daßa) für einen (hohen) Wert des Eingangssignales der erste Schalter (P- ) des ersten Signalpfades leitend und der erste Schalter (P1, ) des zweiten Signalpfades gesperrt wird und für den anderen (niedrigen)Vfert des Eingangesignales der erste Schalter des ersten Signalpfades gesperrt und der erste Schalter des zweiten Signalpfades leitend wird undb) der zweite Schalter (P„ , P2b) jedes Signalweges für eine erste Zeitverzögerung (Τ_), nachdem der erste Schalter dieses Signalweges leitet, sperrt und den zweiten Schalter jedes Signalweges für eine zweite Zeitverzögerung, nachdem der erste Schalter dieses Signalweges gesperrt ist, leitend macht.2) Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß jeder der Schalter ein Transistor mit einer ersten und einer zweiten Elektrode (Source und Drain), welche die Enden eines Leitungsweges (Kanal) definieren und mit einer Steuerelektrode (Gate) ist.3) Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen den Ausgangsanschluß und einen zweiten Betriebsspannungspunkt (Masse) eine Koppelschaltung (N- , N0 , N-, , N0, ) geschaltet ist, welchela AcL I jD ASDwahlweise einen Leitungspfad zwischen diesen Punkten bildet.4) Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der erste und zweite Schalter des ersten Signalweges ein erster bzw. zweiter Transistor(P1 , P0 ) sind, und daß der erste und zweite Schalter des ι a AcLzweiten Signalweges ein dritter bzw. vierter Transistor (P., ,]130Ö18/Ö8BSsind, daß jeder Transistor einen Leitungspfad (zwischen Source- und Drain-Elektrode) und eine Steuerelektrode (Gate) hat und
die Leitungspfade des ersten und zweiten Transistors in Reihe zwischen den Ausgangsanschluß und den ersten Betriebsspannungspunkt geschaltet sind und die in Reihe geschalteten Leitungspfade des dritten und vierten Transistors ebenfalls am Ausgangsanschluß liegen, und daß der erste Betriebsspannungspunkt und die Steuerelektroden des ersten, zweiten, dritten und vierten Transistors an die Steuerschaltung angeschlossen sind, daß
weiterhin ein fünfter, sechster, siebter und achter Transistor (N. , ISU , N1, , N_, ) mit jeweils einem Leitungspfad (Source-Drain-Strecke) und einer Steuerelektrode (Gate) vorgesehen sind und die Leitungspfade des fünften und sechsten Transistors in Reihe zwischen den Ausgangsanschluß und einen zweiten Betriebsspannungspunkt geschaltet sind und die Leitungspfade des siebten und achten Transistors in Reihe zwischen den Ausgangsanschluß und den zweiten Betriebsspannungspunkt geschaltet sind, und
daß die Steuerschaltung mit den Steuerelektroden des fünften, sechsten, siebten und achten Transistors derart verbunden ist, daßa) vom ersten oder fünften Transistor gleichzeitig einer eingeschaltet und der andere gesperrt wird,b) vom dritten und siebten Transistor gleichzeitig einer eingeschaltet und der andere gesperrt wird,c) der sechste Transistor gesperrt wird, wenn der zweite Transistor leitet und der sechste Transistor leitet, wenn der zweite Transistor gesperrt ist undd) der achte Transistor gesperrt wird, wenn der vierte
Transistor leitet und der achte Transistor leitet, wenn der
vierte Transistor gesperrt wird.1300 US/OÖSS-A-3', Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste, zweite, dritte und vierte Transistor von einem Leitungstyp (P) sind und der fünfte, sechste, siebte und achte Transistor vom entgegengesetzten Leibungstyp (N) sind, und daß die Steuerschaltung enthält eine Koppelschaltung zur Verbindung der Steuerelektroden des dritten and fünften Transistors mit dem Eingangsanschluß, einen ersten Inverter (I1) dessen Eingang an den Eingangsanschluß und dessen Ausgang an die Steuerelektroden des ersten und siebten Transistors angeschlossen ist, eine gesteuerte Verzögerungsschaltung (I2, G1), die zwischen den Ausgang des ersten Inverters und die Steuerelektroden des vierten und achten Transistors geschaltet ."ist, und eine Inverterschaltung (G-) die zwischen den Ausgang der gesteuerten Verzögerungsschaltung und die Steuerelektrode ?.es zweiten und sechsten Transistors geschaltet ist.6) Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die gesteuerte Verzögerungsschaltung einen hochohmigen Inverter (I2), dessen Ausgangssignal gegenüber seinem Eingangssignal effektiv verzögert wird, und eine erste logische Torschaltung (G1) mit zwei Eingängen enthält, deren einer Eingang (1) an den Ausgang des hochohmigen Inverters •^.geschlossen ist und deren zweitem Eingang (2) das Steuersignal (CS) zugeführt wird, und daß die Inverterschaltung eine zweite logische Torschaltung (G2) mit zwei Eingängen ist, deren einer Eingang mit dem Ausgang der ersten logischen Torschaltung verbunden ist und deren zweitem Eingang das Steuersignal zugeführt wird.1 3 0 ö 1 δ / 0 % 6
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