DE3015101C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3015101C2 DE3015101C2 DE3015101A DE3015101A DE3015101C2 DE 3015101 C2 DE3015101 C2 DE 3015101C2 DE 3015101 A DE3015101 A DE 3015101A DE 3015101 A DE3015101 A DE 3015101A DE 3015101 C2 DE3015101 C2 DE 3015101C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zones
- mask
- semiconductor body
- layer
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/01—Manufacture or treatment
- H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
- H10D30/027—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of lateral single-gate IGFETs
-
- H10P76/40—
-
- H10W10/0126—
-
- H10W10/13—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/911—Differential oxidation and etching
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7903158A NL7903158A (nl) | 1979-04-23 | 1979-04-23 | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekt- transistor met geisoleerde poortelektrode, en transistor vervaardigd door toepassing van een derge- lijke werkwijze. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3015101A1 DE3015101A1 (de) | 1980-11-06 |
| DE3015101C2 true DE3015101C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1990-03-29 |
Family
ID=19833027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19803015101 Granted DE3015101A1 (de) | 1979-04-23 | 1980-04-19 | Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors mit isolierter gate-elektrode und durch ein derartiges verfahren hergestellter transistor |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4343079A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| JP (1) | JPS55141758A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| AU (1) | AU537858B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| CA (1) | CA1146675A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| CH (1) | CH653482A5 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| DE (1) | DE3015101A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| FR (1) | FR2455361A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| GB (1) | GB2047961B (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| IT (1) | IT1140878B (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| NL (1) | NL7903158A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55156370A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-05 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| US5252505A (en) * | 1979-05-25 | 1993-10-12 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| JPS60106142A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
| US4675982A (en) * | 1985-10-31 | 1987-06-30 | International Business Machines Corporation | Method of making self-aligned recessed oxide isolation regions |
| IL106513A (en) | 1992-07-31 | 1997-03-18 | Hughes Aircraft Co | Integrated circuit security system and method with implanted interconnections |
| US5973375A (en) * | 1997-06-06 | 1999-10-26 | Hughes Electronics Corporation | Camouflaged circuit structure with step implants |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3698966A (en) * | 1970-02-26 | 1972-10-17 | North American Rockwell | Processes using a masking layer for producing field effect devices having oxide isolation |
| NL164424C (nl) * | 1970-06-04 | 1980-12-15 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor met een geisoleerde stuurelektrode, waarbij een door een tegen oxydatie maskerende laag vrijgelaten deel van het oppervlak van een siliciumlichaam aan een oxydatiebehandeling wordt onderworpen ter verkrijging van een althans gedeeltelijk in het siliciumlichaam verzonken siliciumoxydelaag. |
| NL173110C (nl) * | 1971-03-17 | 1983-12-01 | Philips Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een uit ten minste twee deellagen van verschillend materiaal samengestelde maskeringslaag wordt aangebracht. |
| JPS5528229B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1971-03-19 | 1980-07-26 | ||
| FR2134290B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1971-04-30 | 1977-03-18 | Texas Instruments France | |
| NL7113561A (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1971-10-02 | 1973-04-04 | ||
| US4023195A (en) * | 1974-10-23 | 1977-05-10 | Smc Microsystems Corporation | MOS field-effect transistor structure with mesa-like contact and gate areas and selectively deeper junctions |
| US4013484A (en) * | 1976-02-25 | 1977-03-22 | Intel Corporation | High density CMOS process |
| JPS52131483A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-04 | Hitachi Ltd | Mis-type semiconductor device |
| NL185376C (nl) * | 1976-10-25 | 1990-03-16 | Philips Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. |
| JPS53123661A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS53123678A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-28 | Nec Corp | Manufacture of field effect semiconductor device of insulation gate type |
| JPS53144280A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-15 | Hitachi Ltd | Mis semiconductor device |
| US4268950A (en) * | 1978-06-05 | 1981-05-26 | Texas Instruments Incorporated | Post-metal ion implant programmable MOS read only memory |
| US4168999A (en) * | 1978-12-26 | 1979-09-25 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Method for forming oxide isolated integrated injection logic semiconductor structures having minimal encroachment utilizing special masking techniques |
-
1979
- 1979-04-23 NL NL7903158A patent/NL7903158A/nl not_active Application Discontinuation
-
1980
- 1980-04-17 CA CA000350071A patent/CA1146675A/en not_active Expired
- 1980-04-18 FR FR8008773A patent/FR2455361A1/fr active Granted
- 1980-04-18 GB GB8012778A patent/GB2047961B/en not_active Expired
- 1980-04-18 IT IT21514/80A patent/IT1140878B/it active
- 1980-04-18 US US06/141,510 patent/US4343079A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-04-19 DE DE19803015101 patent/DE3015101A1/de active Granted
- 1980-04-21 CH CH3064/80A patent/CH653482A5/de not_active IP Right Cessation
- 1980-04-21 JP JP5181280A patent/JPS55141758A/ja active Pending
- 1980-04-21 AU AU57651/80A patent/AU537858B2/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH653482A5 (de) | 1985-12-31 |
| AU537858B2 (en) | 1984-07-19 |
| AU5765180A (en) | 1980-10-30 |
| FR2455361B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1983-04-29 |
| FR2455361A1 (fr) | 1980-11-21 |
| US4343079A (en) | 1982-08-10 |
| GB2047961A (en) | 1980-12-03 |
| GB2047961B (en) | 1983-08-03 |
| CA1146675A (en) | 1983-05-17 |
| IT8021514A0 (it) | 1980-04-18 |
| IT1140878B (it) | 1986-10-10 |
| DE3015101A1 (de) | 1980-11-06 |
| NL7903158A (nl) | 1980-10-27 |
| JPS55141758A (en) | 1980-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2745857C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | ||
| DE2212049C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Transistors | |
| DE3245064C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | ||
| DE2646308C3 (de) | Verfahren zum Herstellen nahe beieinander liegender elektrisch leitender Schichten | |
| DE68911715T2 (de) | Dünnfilm-Transistor zum Betrieb für hohe Spannungen und dessen Herstellungsverfahren. | |
| DE2916364C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | ||
| EP0001574B1 (de) | Halbleiteranordnung für Widerstandsstrukturen in hochintegrierten Schaltkreisen und Verfahren zur Herstellung dieser Halbleiteranordnung | |
| DE3327301A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE19642538A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren derselben | |
| DE1764056B1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
| DE3116268C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2253702A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnung | |
| DE4116690A1 (de) | Elementisolationsaufbau einer halbleitereinrichtung und verfahren zur herstellung derselben | |
| DE2749607C3 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE4101130C2 (de) | MOS-Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE3015782C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isolierter Steuerelektrode | |
| DE1764847B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE2453279C3 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE2621165A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines metallkontaktes | |
| EP0000545B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Selbstjustierung | |
| EP1794803A2 (de) | Lateraler dmos-transistor und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE2133976B2 (de) | Monolithisch integrierte Halbleiteranordnung | |
| DE4003681C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von inselförmigen Halbleiteranordnungen | |
| DE3015101C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | ||
| DE2218680C2 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |