DE3013679C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3013679C2
DE3013679C2 DE3013679A DE3013679A DE3013679C2 DE 3013679 C2 DE3013679 C2 DE 3013679C2 DE 3013679 A DE3013679 A DE 3013679A DE 3013679 A DE3013679 A DE 3013679A DE 3013679 C2 DE3013679 C2 DE 3013679C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
workpiece
laser beam
gaseous
gas atmosphere
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE3013679A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3013679A1 (de
Inventor
Dean R. Los Gatos Calif. Us Denison
Larry D. Berkeley Calif. Us Hartsough
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Biosystems Inc
Original Assignee
Perkin Elmer Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Perkin Elmer Corp filed Critical Perkin Elmer Corp
Publication of DE3013679A1 publication Critical patent/DE3013679A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3013679C2 publication Critical patent/DE3013679C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln von Werkstückoberflächen, bei dem ein Werkstück einer gasförmigen Atmosphäre ausgesetzt wird, die einen gasförmigen Bestandteil enthält, der in Produkte für die Behandlung der Werkstückoberfläche zerlegbar ist und bei dem die Zerlegung des gasfömigen Bestandteils direkt durch Einwirkung eines Laserstrahls erfolgt, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Ein Verfahren der obengenannten Art ist in der FR-OS 22 32 613 beschrieben. Das Verfahren dient zur Beschichtung von Werkstückoberflächen, insbesondere zur Beschichtung von Drähten, wobei das sich niederschlagende Beschichtungsmaterial zum Überziehen der Werkstückoberfläche durch unmittelbare Einwirkung des Laserstrahls aus den zerlegbaren Bestandteil der Umgebungsatmsophäre entsteht.
Verfahren zum Bearbeiten von Werkstückoberflächen, bei denen das Werkstück einer kontrollierten Gasatmosphäre ausgesetzt ist, die einen gasförmigen, in Produkte für die Bearbeitung von Werkstückoberflächen zerlegbaren Bestandteil enthält, sind in der Druckschrift "J. Appl. Phys.", 1978, Seiten 3796 bis 3803, sowie in der US 28 41 477 beschrieben.
Bisher werden Werkstücke, wie beispielsweise Halbleiterplättchen, dadurch bearbeitet, daß eine Dissoziation von gasförmigen Bestandteilen einer kontrollierten Gasatmosphäre bewirkt wird, um ein gasförmiges Reaktionsprodukt für eine chemische Reaktion mit der Oberfläche des Werkstücks zu erzeugen, um dieses zu bearbeiten. Eine bekannte Klasse von derartigen Bearbeitungsanlagen weist eine Plasmaätz- und eine Plasmaniederschlagseinrichtung auf. Bei diesen Plasmabearbeitungsanlagen wird die Dissoziation im typischen Fall entweder über eine elektrische Entladung oder über eine Ultraviolettlichtbestrahlung des zu dissoziierenden Gasbestandteils erreicht. Die Schwierigkeit bei den bekannten Anlagen besteht darin, daß die Dissoziation nicht selektiv ist und viele unerwünschte Nebenprodukte erzeugt werden, die die gewünschte chemische Reaktion an der Oberfläche des behandelten Werkstücks nachhaltig stören können. Darüber hinaus werden eine unerwünscht hohe Energiestrahlung und Teilchen mit unerwünscht hoher Energie im Plasma erzeugt, was Versetzungen in der Gitterstruktur der Halbleiter hervorrufen kann, was zu einer nicht notwendig hohen Defektstellenkonzentration in den bearbeiteten Halbleiterbauelementen führt, wodurch die Produktivität abnimmt oder das elektrische Betriebsverhalten dieser Bauteile beeinträchtigt wird.
Es ist auch bekannt, Halbleiterplättchen dadurch zu bearbeiten, daß gewählte Teile des Plättchens mit einem Laserstrahl bestrahlt werden, um von der bestrahlten Oberfläche des Plättchens bestimmte Materialien zu verdampfen, um beispielsweise Widerstände abzustimmen usw. Dieses Verfahren der Laserbearbeitung von Plättchen bringt keine durch das Laserlicht herbeigeführte chemische Gasphasenreaktion mit der Oberfläche des Plättchens oder mit der Oberfläche eines Werkstücks während der Behandlung mit sich.
Es ist weiterhin bekannt, Werkstücke dadurch zu bearbeiten, daß ihre Oberfläche mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, um diese lokalisiert zu erhitzen, was dann zu einer thermischen Dissoziation von gasförmigen Bestandteilen, beispielsweise Wolframhexafluorid und ähnlichen Bestandteilen führt, so daß ein Metallbestanteil der Gaskomponente thermisch dissoziiert wird und auf der durch das Laserlicht erhitzten Oberfläche des behandelten Plättchens niedergeschlagen wird. Diese Dissoziation ist pyrolytisch und keine direkte Folge einer Wechselwirkung des Laserstrahls mit dem dissoziierten Molekül.
Der Nachteil, daß die Bildung der Produkte für die Behandlung der Werkstückoberfläche nicht genügend selektiv erfolgt, ist bei dem in der FR-OS 22 32 613 beschriebenen Verfahren, daß einem Verfahren der eingangs erwähnten Art entspricht, beseitigt, indem zur Bildung der Produkte die monoenergetische Strahlung eines Lasers eingesetzt wird. Das Verfahren dient zur Beschichtung von Werkstückoberflächen, insbesondere zur Beschichtung von Drähten, wobei das sich niederschlagende Beschichtungsmaterial zum Überziehen der Werkstückoberfläche durch unmittelbare Einwirkung des Laserstrahls auf den zerlegbaren Bestandteil der Umgebungsatmosphäre entsteht.
Beim Einsatz von Laserstrahlung zur Bildung von Produkten zur Behandlung der Werkstückoberfläche verbleibt der Nachteil, daß es durch den Laserstrahl zur Beeinträchtigung der Werkstoffeigenschaften kommen kann. Es ist in solchen Fällen daher nur Laserstrahlung mit begrenzter Intensität einsetzbar, was eine geringe Entstehungsrate für Produkte zur Behandlung der Werkstückoberfläche und damit eine geringere Bearbeitungsgeschwindigkeit der Werkstücke zur Folge hat.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren der eingangs erwähnten Art, bei dem eine hohe Bearbeitungsgeschwindigkeit erzielt wird, sowie eine Vorrichtung nach diesem Verfahren vorzuschlagen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß der Laserstrahl in die Umgebungsatmophäre eingestrahlt wird, um den gasförmigen Bestandteil zu dissoziieren und ein gasförmiges, reaktives Produkt zu erzeugen, mit dem die Werkstoffoberfläche chemisch zur Reaktion gebracht wird, um das Werkstück dadurch zu bearbeiten, wobei der Laserstrahl in großer Nähe, jedoch in begrenztem Abstand von der Werkstoffoberfläche eingestrahlt wird, so daß das reaktive Produkt die zu bearbeitende Werkstoffoberfläche erreicht, die Reaktion auf der Oberfläche aber nicht durch den Laser selbst beeinflußt werden kann.
Erfindungsgemäß ist das Reaktionsprodukt weiterhin aus einer Gruppe gewählt, die aus F, CF₃, CF2, CF, NF₂, NF, BCl₂, Cl und O besteht.
Erfindungsgemäß ist weiterhin der gasförmige Bestandteil, der zu dissoziieren ist, aus einer Gruppe gewählt, die aus O₂, CCl₄, BCl₃, CF₃, CDF₃, CF₄, SiH₄, NH₃, CHF₃, CFCl₃, N₂F₄, Fluorverbindungen und Halogencarbonen besteht.
Insbesondere ist das zu behandelnde Werkstück erfindungsge­ mäß ein Halbleiterplättchen.
Erfindungsgemäß kann weiterhin die Querschnittsabmessung des Laserstrahles ausgedehnt werden und kann der ausgedehnte Laserstrahl durch die Gasatmosphäre in eine Richtung im we­ sentlichen parallel zur Oberfläche des zu behandelnden Werk­ stückes und in einem relativ geringen Abstand davon gelenkt werden.
Ein besonders bevorzugter Gedanke der Erfindung besteht in einem Verfahren und in einer Vorrichtung zur chemischen Be­ handlung von Werkstücken, wobei das zu bearbeitende Werkstück einer kontrollierten Gasatmosphäre ausgesetzt wird, die einen gasförmigen Bestandteil enthält, der durch Laserstrahlung zu dissoziieren ist, um ein gasförmiges Reaktionsprodukt für eine Reaktion mit der Oberfläche des Werkstückes zu erzeugen, um das Werkstück chemisch zu bearbeiten. Die Wellenlänge der Laserstrahlung ist so gewählt, daß nur die gewünschten Bin­ dungen aufgebrochen werden, um nur das gewünschte Reaktions­ produkt zu erzeugen, ohne unerwünschte Nebenprodukte zu bil­ den, die die gewünschte chemische Reaktion nachteilig stören könnten. Beispiele für die gewünschte, durch das Laserlicht herbeigeführte Dissoziation zur Erzeugung gewünschter Reak­ tionsprodukte sind beispielsweise die Dissoziation zur Er­ zeugung von reaktivem Sauerstoff für eine chemische Reaktion mit dem Fotolack, um diesen zu entfernen oder den Fotolack zu veraschen, die vom Laserlicht herbeigeführte Dissoziation von Halogenverbindungen, um reaktives Halogen oder Halogen­ verbindungen zur Metallätzung zu erzeugen, und die vom Laser­ licht herbeigeführte Dissoziation von Fluorverbindungen, um reaktives Fluor oder Fluorverbindungen zu erzeugen, um selek­ tiv siliziumhaltige, metallische oder keramische Materialien zu ätzen. Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungs­ gemäße Vorrichtung eignen sich insbesondere für die Bearbei­ tung von Halbleiterplättchen.
Im folgenden werden anhand der zugehörigen Zeichnung bevor­ zugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert:
Die einzige Figur zeigt schematisch eine Längsschnittansicht eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Werkstück­ bearbeitungsstation.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel einer erfindungs­ gemäßen chemischen Gasphasenbearbeitungsstation 11 für ein Werkstück dargestellt. Die Bearbeitungsstation 11 weist eine evakuierbare Hülle 12 auf, die das zu bearbeitende Werkstück 13 aufnimmt. Im typischen Fall ist das Werkstück 13 ein Halb­ leiterplättchen mit einem Durchmesser von 2,54 cm bis 15,24 cm und einer Stärke von 0,127 bis 0,89 mm, das auf einer Dreh­ platte 14 gehalten ist, die in der evakuierbaren Hülle 12 über eine Zwischenachse 15 und einen evakuierten mechanischen Bewegungsdurchgang 16 gedreht wird.
Die Gasatmosphäre in der evakuierbaren Kammer 12 wird über eine Absaugpumpe 17 gesteuert, die in Gasverbindung mit der Hülle 12 über ein Zwischenabsaugrohr 18 und ein Ventil 19 steht. Eine Gasquelle 21 ist gleichfalls in Gasverbindung an die evakuierbare Hülle 12 über ein Zuleitungsrohr 12 und ein Ventil 23 angeschlossen. Die Gasatmosphäre in der Hülle 12 wird dadurch gesteuert, daß das darin befindliche Gas abgesaugt wird und vorgewählte gasförmige Bestandteile von der Gasquelle 21 in gesteuerten Mengen zugeführt werden. Die Gasströmung von der Gasquelle 21 durch die Hülle 12 zur Ab­ saugpumpe 17 kann durch eine Steuerung der Ventile 19 und 23 aufrechterhalten werden. Ein Vakuumverschluß 24 ist in der Hülle 12 vorgesehen, um die Werkstücke 13 in die Kammer 12 einzuführen.
Ein Laserstrahl 25 wird von einer Laserquelle 26 durch ein optisch transparentes und gasdichtes Fenster 27 in die Gas­ atmosphäre in der Kammer 12 gelenkt, um einen gasförmigen Bestandteil in der Kammer zu dissoziieren und dadurch ein gewünschtes gasförmiges Reaktionsprodukt für eine Reaktion mit der Oberfläche des zu bearbeitenden Werkstückes zu lie­ fern. Eine Beobachtungsöffnung 29 aus Glas optischer Quali­ tät ist in der Hülle 12 vorgesehen, um das Werkstück während seiner Bearbeitung zu beobachten.
Bei einem typischen Ausführungsbeispiel ist der Laser 26 ein gepulster abstimmbarer CO₂-Hochleistungslaser, beispiels­ weise ein TEA-Laser, der auf eine gewünschte Wellenlänge ab­ stimmbar ist, um selektiv eine gewählte Gaskomponente zu dissoziieren. Das typische Fenstermaterial für das Laser­ strahleintrittsfenster 27 schließt Zinkselenid mit einem Antireflektionsüberzug ein. Die Ventile 19 und 23 und die Absaugpumpe 17 werden so gesteuert, daß der Druck in der Kammer 12 auf dem gewünschten Wert im Bereich von 10-3 Torr bis 1 Atmosphäre gehalten wird.
Der Laserstrahl 25 wird durch das Fenster 27 in einer Rich- tung im allgemeinen parallel zur Oberfläche des zu behandeln­ den Werkstückes 13 gelenkt. Eine zylindrische Linse 32 ist so angeordnet, daß die Querschnittsfläche des Strahls 25 im wesentlichen nur in einer Richtung ausgedehnt wird, um einen Strahlquerschnitt zu erzeugen, der relativ breit und flach ist. Der Strahlquerschnitt liegt dann so, daß die Breitenabmessung im allgemeinen parallel zur Oberfläche des zu behandelnden Werkstückes liegt und daß der Abstand des Laserstrahls vom Werkstück relativ gering, d. h. kleiner als einige mittlere freie Weglängen der Gasmoleküle in der Kam­ mer 12 ist. Das hat den Vorteil, daß das gasförmige Reaktions­ produkt in großer Nähe der zu behandelnden Oberfläche erzeugt wird, so daß die Chancen für eine Rekombination vor einer chemischen Reaktion mit der zu behandelnden Oberfläche ver­ mindert sind. Diese Vorrichtung hat auch den Vorteil, daß die zu behandelnde Oberfläche nicht mit dem Laserstrahl bestrahlt wird. Das ist ein wesentlicher Vorteil, da es dadurch möglich ist, einen Laserstrahl hoher Energiedichte zu verwenden, der sonst das Werkstück beschädigen oder zerstören würde. Die Ver­ wendung eines Laserstrahls mit hoher Energiedichte erhöht die Produktionsrate auf einen wirtschaftlich annehmbaren Wert. Im folgenden werden verschiedene Beispiele für die chemischen Bearbeitungsschritte gegeben, die in der oben beschriebenen Arbeitsstation 11 ausgeführt werden:
Beispiel I
Ein selektives Ätzen der Siliziumoxidschicht, die ein Sili­ ziumsubstratplättchen als Werkstück 13 überlagert, wird da­ durch erhalten, daß Trifluormethyljodid CF₃I in die Kammer 12 von der Gasquelle 21 bei einem Druck von wenigen Torr eingeführt und mit einem Laserstrahl der CO₂-Linie R 14 (9,6 μm) von einem TEA-Laser 26 mit einer Laserfluenz oder Strahlungsdichte von 1,2 Joule/cm² und einer Impulsbreite von 10 ns bis 1 μs bestrahlt wird, um das CF₃I-Molekül in I + CF₃ (neutrales Radikal) zu dissoziieren. Das CF₃ wandert zur Oberfläche des zu behandelnden Werkstückes und reagiert dort chemisch mit dem Siliziumdioxyd, so daß sich SiF₄ und Sauerstoff ergibt. Das Dissoziationsreaktionspro­ dukt dient somit dazu, selektiv das Siliziumdioxyd zu ätzen und zu entfernen. Die Produkte SiF₄ und Sauerstoff werden über die Absaugpumpe 17 aus dem System entfernt.
Beispiel II
Bei diesem Beispiel ist das Verfahren im wesentlichen das gleiche wie beim Beispiel I mit der Ausnahme, daß der zu dissoziierende gasförmige Bestandteil CDF₃ bei einem Partial­ druck von wenigen Torr in einem Argonpuffergas bei einem Partialdruck von 50 Torr ist. Das CDF₃ wird unter Verwen­ dung eines Laserstrahls 25 der CO₂-Linien R 26 und R 28 (10,6 μm) bei 25 Joule / cm² dissoziiert, um CF₂ und DF zu erzeugen. Das CF₂ bildet das Reaktionsprodukt, das chemisch mit dem Siliziumdioxyd an der Oberfläche des Plättchens rea­ giert, um ein selektives chemisches Ätzen der Oberfläche zu erzielen. Die Nebenprodukte, die sich aus dem Ätzen ergeben, werden durch die Absaugpumpe 17 entfernt.
Beispiel III
Dieses Beispiel ist im wesentlichen gleich dem Beispiel I mit der Ausnahme, daß der zu dissoziierende gasförmige Be­ standteil in der Kammer 12 CFCl₃ ist, das durch den Laser­ strahl 25 dissoziiert wird, um das Reaktionsprodukt CF zu erzeugen, das mit dem Siliziumdioxyd an der Oberfläche des Plättchens reagiert, um dieses selektiv zu ätzen. Die Neben­ produkte des Ätzprozesses werden durch die Absaugpumpe 17 entfernt.
Beispiel IV
Bei diesem Beispiel zum selektiven Ätzen eines Metalls über Silizium oder eines Metalls über Siliziumdioxyd wird gasför­ miges BCl₃ auf einem Druck von wenigen Torr in die Kammer 12 eingeleitet und wird die Gasatmopshäre mit einem Laserstrahl der CO₂-Linie P 20 (10,6 μm) bestrahlt, um das BCl₃ in BCl₂ und Cl zu dissoziieren. Die Komponente Cl und mög­ licherweise die Komponente BCl₂ bilden die Reaktionspro­ dukte, die mit dem Metall auf der Oberfläche des plätt­ chenförmigen Werkstückes reagieren, um das Metall selek­ tiv zu ätzen. Die in dieser Weise zu ätzenden Metalle schließen Aluminium, Wolfram, Titan, Chrom und deren Legie­ rungen ein.
Beispiel V
Dieses Verfahren ist im wesentlichen das gleiche wie beim Beispiel II mit der Ausnahme, daß der zu dissoziierende gasförmige Bestandteil N₂F₄ mit einem Partialdruck von 2 bis 20 Torr in einem Argonpuffergas mit einem Partial­ druck von 0 bis 85 Torr ist. Die Impulsenergien liegen im Bereich von 0,3 bis 1,0 Joule / cm². Das Reaktionsprodukt ist NF₂ Eine noch höhere NF₂-Ausbeute wird dadurch erhal­ ten, daß SF₅NF₂ mit einer Laserstrahlwellenlänge von 950 cm-1 (10,5 μm) und Laserstrahlungsdichten im Bereich von 0,1 bis 1,0 Joule / cm² dissoziiert wird.
Beispiel VI
Dieses Verfahren dient dazu, selektiv eine Fotolackschicht auf einem Werkstück abzuziehen, wozu ein gasförmiger Be­ standteil O₂ eingeleitet wird, der durch den Laserstrahl 25 dissoziiert wird, um atomaren Sauerstoff zu erzeugen, der mit dem Fotolack reagiert, um diesen zu oxidieren und zu entfernen.
Statt des CF₃I beim Beispiel I können die folgenden anderen gasförmigen Bestandteile verwandt werden: CF₃Br bei den CO₂- Linien R 26 oder R 28 mit 9,6 μm und 2 Joule / cm² , CF₃NO, C₂F₂ bei der CO₂-Linie R 36 mit 9,6 μm und 6 Joule / cm² oder Hexafluoraceton (CF₃)₂CO bei der CO₂-Linie R 12 mit 10,6 μm und 0,1 bis 1,0 Joule / cm².
Beim Beispiel II können die folgenden weiteren Gasbestand­ teile dissoziiert werden: CF₂HCl, CF₂HBr, CF₂Cl₂, CF₂Br₂, CF₂CFCl, CF₂CFH und CF₂CF₂CH₂.
Im Gegensatz zu den bekannten Plasmabearbeitungsverfahren und Vorrichtungen haben das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung den Vorteil, daß es mög­ lich ist, stark entspannte Unterdruckerfordernisse in der Kammer zu verwenden, die das Reaktionsprodukt enthält. Ein zweiter Vorteil besteht darin, daß eine Beschädigung des Werkstückes durch die Strahlung beträchtlich vermindert ist. Das heißt, daß weniger Ladungen implantiert werden, was zu geringeren Versetzungen im Gitter des Substrats führt. Diese Versetzungen und Fehler im Gitter wurden bisher durch den Ionenbeschuß, den Elektronenbeschuß, die UV- und Röntgenstrah­ lung hervorgerufen. Das ist insbesondere dann wichtig, wenn auf Einrichtungen mit höherer Dichte und flacheren Diffusions­ schichten übergegangen wird, die einer Beschädigung durch die Strahlen stärker ausgesetzt sind. Durch eine Abnahme der Strahlungsbeschädigung erübrigt sich die Notwendigkeit, die beschädigte Oberfläche zu vergüten oder zu glühen.
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß eine genauer bestimm­ te Dissoziationsreaktion mit Hilfe der Laserstrahlung als bei bekannten Plasmaentladungen erhalten werden kann, so daß unerwünschte Dissoziationsprodukte vermieden werden, wodurch eine Unterätzung der Maske vermieden wird und wirksamer von dem Gas und den höheren Bearbeitungsgeschwindigkeiten und der höheren Selektivität beim Ätzen eines über einem ande­ ren Material befindlichen Materials Gebrauch gemacht wird. Das Reaktionsprodukt FCO wird durch eine Laserstrahldissozi­ ierung im Infrarotbereich entweder von F₂CO oder (FCO)₂ er­ halten.

Claims (16)

1. Verfahren zum Behandeln von Werkstückoberflächen, bei dem ein Werkstück einer gasförmigen Atmosphäre ausgesetzt wird, die einen gasförmigen Bestandteil enthält, der in Produkte für die Behandlung der Werkstückoberfläche zerlegbar ist und bei dem die Zerlegung des gasförmigen Bestandteils direkt durch Einwirkung eines Laserstrahls erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserstrahl den gasförmigen Bestandteil dissoziiert und ein gasförmiges reaktives Produkt erzeugt, mit dem die Werkstoffoberfläche chemisch reagiert, wobei, um das Werkstück dadurch zu bearbeiten, der Laserstrahl in großer Nähe, jedoch in begrenztem Abstand von der Werkstoffoberfläche in die Gasatmosphäre eingestrahlt wird, so daß die reaktiven Produkte die zu bearbeitende Oberfläche erreichen können, aber die Reaktion auf der Oberfläche durch den Laserstrahl selbst nicht beeinflußt werden kann.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive Produkt ein Halogen ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive Produkt aus einer Gruppe gewählt ist, die aus F, CF₃, CF₂, CF, NF₂, NF, Cl, O, BCl₂, BCl und FCO besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zu dissoziierende gasförmige Bestandteil aus einer Gruppe gewählt ist, die aus O₂, CCl₄, BCl₃, CDF₃, CF₄, SiH₄, CFCl₃, F₂CO, (FCO)₂, SF₅NF₂, N2F₄, CF₃Br, CF₃NO, (CF₃)₂CO, CF₂HCl, CF₂HBr, CF₂Cl₂, CF₂Br₂, CF₂CFCl, CF₂CFH, CF₂CF₂CH₂, NH₃, CHF₃, Fluorhalogeniden und Halogencarbonen besteht.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück ein Halbleiterplättchen ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive Produkt die Oberfläche des Werkstückes ätzt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Werkstücks mit einer Photolackschicht beschichtet ist, und daß das reaktive Produkt mit dem Photolack zur Reaktion gebracht wird, um diesen zu entfernen.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserstrahl in die Gasatmosphäre in einer Richtung im wesentlichen parallel zu einer zu bearbeitenden ebenen Oberfläche des Werkstücks gelenkt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß beim Lenken des Laserstrahls in die Gasatmosphäre die Querschnittsabmessung des Laserstrahls ausgedehnt wird, um einen relativ breiten flachen Strahl zu erzeugen.
10. Vorrichtung für die Behandlung von Werkstückoberflächen mit einer Arbeitsstation (11), an der ein Werkstück (13) einer kontrollierten Gasatmosphäre ausgesetzt wird, die einen gasförmigen Bestandteil enthält, der mittels direkter Einwirkung eines Laserstrahls in Produkte für die Behandlung der Werkstückoberfläche zerlegbar ist, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (26) zum Einstrahlen des Laserstrahls in großer Nähe, jedoch in einem begrenzten Abstand von der Werkstückoberfläche in die Gasatmosphäre zur Dissoziation des gasförmigen Bestandteils in reaktive gasförmige Produkte, mit denen die Werkstückoberfläche zwecks Bearbeitung zur chemischen Reaktion gebracht werden kann.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Arbeitsstation (11) eine evakuierbare Hülle (12) aufweist, die die kontrollierte Gasatmosphäre und das zu bearbeitende Werkstück (13) enthält.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Hülle (12) ein Fenster (27) aufweist, das für die Laserstrahlen transperent ist und gasdicht an der Hülle (12) abgedichtet ist, so daß der Laserstrahl durch das Fenster (27) hindurch in die kontrollierte Gasatmosphäre treten kann.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die den Laserstrahl in die Gasatmosphäre lenkende Einrichtung eine Einrichtung aufweist, die den Laserstrahl in einer Richtung im wesentlichen parallel zu einer zu bearbeitenden ebenen Oberfläche des Werkstücks lenkt.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die den Laserstrahl lenkende Einrichtung eine Einrichtung (32) zum Ausdehnen des Laserstrahls aufweist, die die Querschnittsabmessung des Laserstrahls so ausdehnt, daß sich ein relativ breiter flacher Strahl ergibt.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der begrenzte Abstand kleiner als wenige mittlere freie Weglängen der Gasmoleküle in der Arbeitsstation (11) ist.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserstrahl eine Laserstrahlungsdichte von 0,1 bis 25 Joule pro cm² hat.
DE19803013679 1979-05-07 1980-04-09 Verfahren und vorrichtung zum chemischen behandeln von werkstuecken Granted DE3013679A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/036,828 US4260649A (en) 1979-05-07 1979-05-07 Laser induced dissociative chemical gas phase processing of workpieces

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3013679A1 DE3013679A1 (de) 1980-11-13
DE3013679C2 true DE3013679C2 (de) 1990-06-13

Family

ID=21890868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803013679 Granted DE3013679A1 (de) 1979-05-07 1980-04-09 Verfahren und vorrichtung zum chemischen behandeln von werkstuecken

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4260649A (de)
JP (1) JPS55149643A (de)
CH (1) CH644898A5 (de)
DE (1) DE3013679A1 (de)
FR (1) FR2456145A1 (de)
GB (1) GB2048786B (de)
NL (1) NL8002566A (de)

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4340617A (en) * 1980-05-19 1982-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing a material on a surface
US4579750A (en) * 1980-07-07 1986-04-01 Massachusetts Institute Of Technology Laser heated CVD process
NL8004007A (nl) * 1980-07-11 1982-02-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL8004008A (nl) * 1980-07-11 1982-02-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
US4348428A (en) * 1980-12-15 1982-09-07 Board Of Regents For Oklahoma Agriculture And Mechanical Colleges Acting For And On Behalf Of Oklahoma State University Of Agriculture And Applied Sciences Method of depositing doped amorphous semiconductor on a substrate
US4331504A (en) * 1981-06-25 1982-05-25 International Business Machines Corporation Etching process with vibrationally excited SF6
JPS5852827A (ja) * 1981-09-25 1983-03-29 Hitachi Ltd ドライエツチング方法および装置
US4376672A (en) * 1981-10-26 1983-03-15 Applied Materials, Inc. Materials and methods for plasma etching of oxides and nitrides of silicon
US4608117A (en) * 1982-06-01 1986-08-26 Massachusetts Institute Of Technology Maskless growth of patterned films
US4542580A (en) * 1983-02-14 1985-09-24 Prime Computer, Inc. Method of fabricating n-type silicon regions and associated contacts
JPH0669027B2 (ja) * 1983-02-21 1994-08-31 株式会社日立製作所 半導体ウエハの薄膜形成方法
JPS59207631A (ja) * 1983-05-11 1984-11-24 Semiconductor Res Found 光化学を用いたドライプロセス装置
JPH0622212B2 (ja) * 1983-05-31 1994-03-23 株式会社東芝 ドライエッチング方法
DE3420347A1 (de) * 1983-06-01 1984-12-06 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Gas und verfahren zum selektiven aetzen von siliciumnitrid
JPS6041229A (ja) * 1983-08-17 1985-03-04 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JPS6077429A (ja) * 1983-10-04 1985-05-02 Asahi Glass Co Ltd ドライエツチング方法
US4645687A (en) * 1983-11-10 1987-02-24 At&T Laboratories Deposition of III-V semiconductor materials
JPS60118234A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Inoue Japax Res Inc 金属若しくは非金属化合物又はグラファイト若しくはグラファイト組成物の製造方法
US4478677A (en) * 1983-12-22 1984-10-23 International Business Machines Corporation Laser induced dry etching of vias in glass with non-contact masking
US4490211A (en) * 1984-01-24 1984-12-25 International Business Machines Corporation Laser induced chemical etching of metals with excimer lasers
US4490210A (en) * 1984-01-24 1984-12-25 International Business Machines Corporation Laser induced dry chemical etching of metals
US4581248A (en) * 1984-03-07 1986-04-08 Roche Gregory A Apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition
US4568565A (en) * 1984-05-14 1986-02-04 Allied Corporation Light induced chemical vapor deposition of conductive titanium silicide films
US4617237A (en) * 1984-05-14 1986-10-14 Allied Corporation Production of conductive metal silicide films from ultrafine powders
JPS60247927A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Toshiba Corp パタ−ン形成方法
JPS617639A (ja) * 1984-06-22 1986-01-14 Toshiba Corp 半導体薄膜の分解装置
KR920004171B1 (ko) * 1984-07-11 1992-05-30 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 드라이에칭장치
DE3437056A1 (de) * 1984-10-09 1986-04-10 Dieter Prof. Dr. Linz Bäuerle Aetzverfahren fuer koerper aus dielektrischer oxidkeramik bzw. dielektrische oxidische (ein-)kristalle
JPS61213376A (ja) * 1985-03-19 1986-09-22 Mitsubishi Electric Corp 光化学成膜装置
US4719122A (en) * 1985-04-08 1988-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. CVD method and apparatus for forming a film
US4668304A (en) * 1985-04-10 1987-05-26 Eaton Corporation Dopant gettering semiconductor processing by excimer laser
US4659426A (en) * 1985-05-03 1987-04-21 Texas Instruments Incorporated Plasma etching of refractory metals and their silicides
US4664938A (en) * 1985-05-06 1987-05-12 Phillips Petroleum Company Method for deposition of silicon
US4699689A (en) * 1985-05-17 1987-10-13 Emergent Technologies Corporation Method and apparatus for dry processing of substrates
US4649059A (en) * 1985-05-29 1987-03-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Photoionization technique for growth of metallic films
US4987008A (en) * 1985-07-02 1991-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film formation method
US4694777A (en) * 1985-07-03 1987-09-22 Roche Gregory A Apparatus for, and methods of, depositing a substance on a substrate
JPS6245035A (ja) * 1985-08-23 1987-02-27 Hitachi Ltd 半導体装置の製造装置
JPH0643638B2 (ja) * 1985-09-20 1994-06-08 宇部興産株式会社 アルミニウム膜のエツチング方法
US4622095A (en) * 1985-10-18 1986-11-11 Ibm Corporation Laser stimulated halogen gas etching of metal substrates
US4664057A (en) * 1985-12-20 1987-05-12 Allied Corporation Photoprocessing apparatus including conical reflector
JPS62262433A (ja) * 1986-05-09 1987-11-14 Hitachi Ltd 表面処理方法
US4888203A (en) * 1987-11-13 1989-12-19 Massachusetts Institute Of Technology Hydrolysis-induced vapor deposition of oxide films
JPH01134932A (ja) * 1987-11-19 1989-05-26 Oki Electric Ind Co Ltd 基板清浄化方法及び基板清浄化装置
US4843030A (en) * 1987-11-30 1989-06-27 Eaton Corporation Semiconductor processing by a combination of photolytic, pyrolytic and catalytic processes
US5310624A (en) * 1988-01-29 1994-05-10 Massachusetts Institute Of Technology Integrated circuit micro-fabrication using dry lithographic processes
DE3837487A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum aetzen von substraten mit einer magnetfeldunterstuetzten niederdruck-entladung
US4940505A (en) * 1988-12-02 1990-07-10 Eaton Corporation Method for growing single crystalline silicon with intermediate bonding agent and combined thermal and photolytic activation
DE3921845C2 (de) * 1989-07-03 1996-09-12 Olaf Dr Adam Verfahren zur quantitativen Messung dünnschicht-chromatographisch getrennter Proben
US4987855A (en) * 1989-11-09 1991-01-29 Santa Barbara Research Center Reactor for laser-assisted chemical vapor deposition
US5525156A (en) * 1989-11-24 1996-06-11 Research Development Corporation Apparatus for epitaxially growing a chemical compound crystal
US5318662A (en) * 1989-12-20 1994-06-07 Texas Instruments Incorporated Copper etch process using halides
US5493445A (en) * 1990-03-29 1996-02-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser textured surface absorber and emitter
US5322988A (en) * 1990-03-29 1994-06-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser texturing
US5195163A (en) * 1991-09-27 1993-03-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Fabrication and phase tuning of an optical waveguide device
US5366559A (en) * 1993-05-27 1994-11-22 Research Triangle Institute Method for protecting a substrate surface from contamination using the photophoretic effect
JP2718893B2 (ja) * 1993-06-04 1998-02-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 移相マスクの移相欠陥を修復する方法
US5580421A (en) * 1994-06-14 1996-12-03 Fsi International Apparatus for surface conditioning
US6015503A (en) * 1994-06-14 2000-01-18 Fsi International, Inc. Method and apparatus for surface conditioning
US5607601A (en) * 1995-02-02 1997-03-04 The Aerospace Corporation Method for patterning and etching film layers of semiconductor devices
DE19506118C1 (de) * 1995-02-22 1996-08-14 Karlsruhe Forschzent Verfahren zum plasmalosen Ätzen eines Silicium-Substrats
GB9514558D0 (en) 1995-07-17 1995-09-13 Gersan Ets Marking diamond
JPH09129612A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Tokyo Electron Ltd エッチングガス及びエッチング方法
JPH1027781A (ja) * 1996-07-10 1998-01-27 Daikin Ind Ltd エッチングガスおよびクリーニングガス
US5874011A (en) * 1996-08-01 1999-02-23 Revise, Inc. Laser-induced etching of multilayer materials
JP3322181B2 (ja) * 1997-09-17 2002-09-09 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ドライエッチング方法および装置
US6165273A (en) 1997-10-21 2000-12-26 Fsi International Inc. Equipment for UV wafer heating and photochemistry
US6635185B2 (en) * 1997-12-31 2003-10-21 Alliedsignal Inc. Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds
US6120697A (en) 1997-12-31 2000-09-19 Alliedsignal Inc Method of etching using hydrofluorocarbon compounds
JP3570903B2 (ja) * 1998-09-25 2004-09-29 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6136210A (en) * 1998-11-02 2000-10-24 Xerox Corporation Photoetching of acoustic lenses for acoustic ink printing
US6951827B2 (en) 2000-03-15 2005-10-04 Tufts University Controlling surface chemistry on solid substrates
US6674058B1 (en) 2000-09-20 2004-01-06 Compucyte Corporation Apparatus and method for focusing a laser scanning cytometer
ATE323569T1 (de) * 2001-03-22 2006-05-15 Xsil Technology Ltd Ein laserbearbeitungssystem und -verfahren
CA2381028A1 (en) * 2001-04-09 2002-10-09 Marc Nantel Photo processing of materials
US6937350B2 (en) * 2001-06-29 2005-08-30 Massachusetts Institute Of Technology Apparatus and methods for optically monitoring thickness
US7001481B2 (en) * 2001-11-30 2006-02-21 Micron Technology, Inc. Method and system providing high flux of point of use activated reactive species for semiconductor processing
US20030155328A1 (en) * 2002-02-15 2003-08-21 Huth Mark C. Laser micromachining and methods and systems of same
US6730367B2 (en) * 2002-03-05 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition method with point of use generated reactive gas species
US7754999B2 (en) 2003-05-13 2010-07-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Laser micromachining and methods of same
US6969822B2 (en) * 2003-05-13 2005-11-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Laser micromachining systems
US7311947B2 (en) * 2003-10-10 2007-12-25 Micron Technology, Inc. Laser assisted material deposition
JP5628472B2 (ja) * 2004-04-19 2014-11-19 エスディーシーマテリアルズ， インコーポレイテッド 気相合成による高スループットの材料発見方法
US7892978B2 (en) * 2006-07-10 2011-02-22 Micron Technology, Inc. Electron induced chemical etching for device level diagnosis
US7807062B2 (en) * 2006-07-10 2010-10-05 Micron Technology, Inc. Electron induced chemical etching and deposition for local circuit repair
US7791055B2 (en) * 2006-07-10 2010-09-07 Micron Technology, Inc. Electron induced chemical etching/deposition for enhanced detection of surface defects
US7791071B2 (en) 2006-08-14 2010-09-07 Micron Technology, Inc. Profiling solid state samples
US7833427B2 (en) 2006-08-14 2010-11-16 Micron Technology, Inc. Electron beam etching device and method
US7718080B2 (en) 2006-08-14 2010-05-18 Micron Technology, Inc. Electronic beam processing device and method using carbon nanotube emitter
US8142619B2 (en) 2007-05-11 2012-03-27 Sdc Materials Inc. Shape of cone and air input annulus
US8575059B1 (en) 2007-10-15 2013-11-05 SDCmaterials, Inc. Method and system for forming plug and play metal compound catalysts
US20110143930A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 SDCmaterials, Inc. Tunable size of nano-active material on nano-support
US8652992B2 (en) * 2009-12-15 2014-02-18 SDCmaterials, Inc. Pinning and affixing nano-active material
US8557727B2 (en) 2009-12-15 2013-10-15 SDCmaterials, Inc. Method of forming a catalyst with inhibited mobility of nano-active material
US9149797B2 (en) 2009-12-15 2015-10-06 SDCmaterials, Inc. Catalyst production method and system
US9090475B1 (en) 2009-12-15 2015-07-28 SDCmaterials, Inc. In situ oxide removal, dispersal and drying for silicon SiO2
US9126191B2 (en) 2009-12-15 2015-09-08 SDCmaterials, Inc. Advanced catalysts for automotive applications
US8803025B2 (en) 2009-12-15 2014-08-12 SDCmaterials, Inc. Non-plugging D.C. plasma gun
JP5537324B2 (ja) * 2010-08-05 2014-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US20120113513A1 (en) * 2010-10-22 2012-05-10 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Self-cleaning of optical surfaces in low-pressure reactive gas environments in advanced optical systems
US8669202B2 (en) 2011-02-23 2014-03-11 SDCmaterials, Inc. Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts
US8679433B2 (en) 2011-08-19 2014-03-25 SDCmaterials, Inc. Coated substrates for use in catalysis and catalytic converters and methods of coating substrates with washcoat compositions
US20130126467A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for manufacturing conductive lines with small line-to-line space
US9156025B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
US9511352B2 (en) 2012-11-21 2016-12-06 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
KR102103247B1 (ko) * 2012-12-21 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
WO2015013545A1 (en) 2013-07-25 2015-01-29 SDCmaterials, Inc. Washcoats and coated substrates for catalytic converters
US8986562B2 (en) 2013-08-07 2015-03-24 Ultratech, Inc. Methods of laser processing photoresist in a gaseous environment
WO2015061477A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 SDCmaterials, Inc. Catalyst design for heavy-duty diesel combustion engines
KR20160074574A (ko) 2013-10-22 2016-06-28 에스디씨머티리얼스, 인코포레이티드 희박 NOx 트랩의 조성물
US9687811B2 (en) 2014-03-21 2017-06-27 SDCmaterials, Inc. Compositions for passive NOx adsorption (PNA) systems and methods of making and using same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2841477A (en) * 1957-03-04 1958-07-01 Pacific Semiconductors Inc Photochemically activated gaseous etching method
US3122463A (en) * 1961-03-07 1964-02-25 Bell Telephone Labor Inc Etching technique for fabricating semiconductor or ceramic devices
US3271180A (en) * 1962-06-19 1966-09-06 Ibm Photolytic processes for fabricating thin film patterns
US3364087A (en) * 1964-04-27 1968-01-16 Varian Associates Method of using laser to coat or etch substrate
US3543394A (en) * 1967-05-24 1970-12-01 Sheldon L Matlow Method for depositing thin films in controlled patterns
US3494768A (en) * 1967-05-29 1970-02-10 Gen Electric Condensed vapor phase photoetching of surfaces
CH468083A (de) * 1968-02-09 1969-01-31 Siemens Ag Verfahren zum formändernden Bearbeiten eines kristallinen Körpers aus Halbleitermaterial, insbesondere eines Siliziumeinkristalls
FR2232613A1 (en) * 1973-06-07 1975-01-03 Poudres & Explosifs Ste Nale Deposition from vapour phase using laser heating - boron cpds. obtd. on silica, carbon or tungsten substrates
JPS53121469A (en) * 1977-03-31 1978-10-23 Toshiba Corp Gas etching unit

Also Published As

Publication number Publication date
GB2048786B (en) 1983-01-06
NL8002566A (nl) 1980-11-11
JPS55149643A (en) 1980-11-21
US4260649A (en) 1981-04-07
GB2048786A (en) 1980-12-17
CH644898A5 (de) 1984-08-31
JPS631097B2 (de) 1988-01-11
FR2456145B1 (de) 1985-03-22
DE3013679A1 (de) 1980-11-13
FR2456145A1 (fr) 1980-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3013679C2 (de)
EP0009558B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Modifizierung einer Oberfläche mittels Plasma
DE69406103T2 (de) Verfahren zur Oxidation der Oberflächen eines Gegenstandes
DE4104762A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung einer oberflaeche
DE3925070C2 (de) Verfahren zum Erhalt einer sauberen Siliziumoberfläche
DE69607450T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Laserfacetten
DE112011101910T5 (de) Reduzieren von Kupfer- oder Spurenmetallverunreinigungen bei elektrolytischen Plasmaoxidationsbeschichtungen
DE112009005052T9 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Schutz von Plasmakammerflächen
DE69723106T2 (de) Bestrahlung/halogenbehandlung zum trockenätzen eines oxids
DE69119672T2 (de) Plasmabearbeitungsverfahren
EP0328757B1 (de) Verfahren zur Herstellung dünner Schichten aus oxydischem Hochtemperatur-Supraleiter
DE10338019A1 (de) Verfahren zum hochaufgelösten Bearbeiten dünner Schichten mit Elektronenstrahlen
DE60021302T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung eines Werkstoffes mit elektromagnetischer Strahlung in einer kontrollierten Atmosphäre
DE60123576T2 (de) Halbleiterlaserherstellungsverfahren
WO2003000456A2 (de) Verfahren zum lokalen laserinduzierten ätzen von feststoffen
US5336636A (en) Method for contacting conductive structures in VLSI circuits
DE3935189A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen
DE68922409T2 (de) Verfahren zur gasartigen reinigung von halbleiterbauelementen.
DE69421215T2 (de) Einen Schnellatomstrahl gebrauchende Verarbeitungsvorrichtung
DE69632596T2 (de) Schonendes laser-flächenbearbeitungsverfahren
DE69229470T2 (de) Fotochemisches Trocken-Ätzverfahren
EP0278330A1 (de) Verfahren zum Bearbeiten von Werkstücken mit Laserstrahlung
DE2334658C3 (de) Verfahren zum Zerteilen von Halbleiterscheiben
DE1151162B (de) Verfahren zum formgebenden Bearbeiten, insbesondere zum Zerschneiden, von Halbleiterkristallen auf chemischem Wege
JPH0437129A (ja) エッチング方法及びエッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee