DE3009905C2 - Regelbarer Verstärker - Google Patents
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Description
Die Erfindung geht aus von einem regelbaren Verstärker nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Um in einer Signalverarbeitungsschaltung, wie etwa dem Zwischenfrequenzverstärker eines Fernsehempfängers,
brauchbar zu sein, muß ein im Verstärkungsgrad regelbarer Verstärker einen großen Bereich von
Eingangssignalen linear verarbeiten können, so daß kein verzerrtes Ausgangssignal entsteht
Dieses Ziel einer linearen Verstärkung über einen großen Eingangssignalbereich wird durch die nichtlineare
Übertragungscharakteristik eines Transistors kompliziert Die Übertragungscharakteristik, also die
Kennlinie des Kollektorstroms in Abhängigkeit von der Basis-Emitter-Spannung, ist eine Exponentialfunktion:
die Steigung dieser Übertragungskennlinie ist somit nicht konstant Wenn man nun der Basis eines Transistors
ein Signal zuführt, dann erhält man demzufolge ein verzerrtes Ausgangssignai. Für kleine Signale ist diese
Verzerrung jedoch tolerierbar, weil kleine Zuwächse
längs der Übertragungskennlinie als linear angesehen
werden können. Wenn jedoch das Eingangssignal größer wird, dann gilt diese Approximation nicht mehr, so
daß größere Verzerrungen auftreten. Bei einem Zwischenfrequenzverstärker für einen Fernsehempfänger
kann ein solcher Großsignalbetrieb zu Amplitudenverzerrungen, und Kreuzmodulation sowie Intermodulationsverzerrungen
führen, wenn die verschiedenen Signalträger und ihre Seitenbänder zusammenwirken.
Aus der US-PS 33 09 617 ist es bekannt, einen im Emitterkreis eines Verstärkertransistors vorgesehenen Gegenkopplungswiderstand
mit einer Diode zu überbrükken, die so lange in Sperrichtung vorgespannt ist, wie
große Signale am Basiseingang des Transistors liegen, für welche die Emittergegenkopplung wirksam sein soll.
Für kleinere Signalspannungen wird die ebenfalls der Basis des Transistors zugeführte Regelspannung so verändert,
daß die Diode leitend wird und den Emitierwiderstand überbrückt, so daß die im Emitter wirksame
Gegenkopplungsimpedanz kleiner wird, der Gegenkopplungsgrad also schwächer wird und die Signale entsprechend
höher verstärkt werden. Auf diese Weise wird der Regelbereich gegenüber dem Fall der Verwendung
nur eines Emitterwiderstandes in Richtung höherer Verstärker für kleine Signale ausgedehnt.
Großsignalverzerrungen eines Transistorverslärkers lassen sich innerhalb toleritrbarer Grenzen halten,
wenn man die der Basis des Transistors zugeführten Signalpegel begrenzt. Gemäß der US-PS 36 28 166 hat
man gefunden, daß die maximale Signalamplitude an der Basis eines in integrierter Schaltung ausgebildeten, in
Emittergrundschaltung betriebenen Transistors in der Größenordnung von 10 mV liegen soll, wenn Verzerrungen
im Ausgangssignal verhindert werden sollen. Die bekannte Technik zur Begrenzung von Eingangssignalen
auf diesen Pegel liegt in einer Dämpfung der Eingangssignale, die 10 mV überschreiten, wie dies in
der erwähnten Patentschrift sowie in der US-PS 35 38 448 erläutert ist. Jedoch wird die Anordnung
durch Hinzufügung einer gesteuerten Dämpfungsschaltung zum Verstärker offensichtlich nicht nur komplizierter,
sondern durch ihre Verwendung ergeben sich weitere Nachteile. Wenn nämlich das Eingangssignal
gedämpft wird, dann wird das Signal/Rausch-Verhältnis des Verstärkers schiechter, weil sich der Rauschpegel
des Verstärkers nicht ändert. Dieses Verhältnis kann sogar anwachsen, wenn der Eingangssignalpegel herabgesetzt
wird. Auch verändert die zunehmende Dämpfung die Impedanz am Eingang des Verstärkers, so daß
die Lastimpedanzen von in der Schaltung verwendeten Filtern nachteilig beeinflußt werden und unerwünschte
Phasenverschiebungen im Ausgangssignal auftreten können. Es kann daher erforderlich werden, die Dämpfungsschaltung
durch zusätzliche Transistoren zu isolie-
ren, um derartige schädliche Auswirkungen auf abgestimmte Schaltungselemente zu verhindern. Aus der japanischen
OS 54-6750 und den entsprechenden Patent Abstracts of japan, E-96, Band 3, Nr. 28, ist es bekannt,
im Emitterkreis eines Transistorverstfrkers eine PIN-Diode
als regelbare Impedanz vorzusehen, die vom Emitterstrom des Transistors durchflossen wird, wobei
der Basis des Transistors das Eingangssignal und «ine
Verstärkunjjsregelspannung zugeführt werden. Wenn
der Eingangssignalpegel anwächst, dann sinkt die Regelspannung und bewirkt ein Anwachsen der im wesentlichen
ohmschen impedanz der PIN-Diode, die in einem konstanten Verhältnis zu der abnehmenden Verstärkungsregelspannung
steht (also in linearer Beziehung in einer halblogarithmischen Darstellung). Die
Verstärkung des Transistorverstärkers wird dabei herabgesetzt. Bei hohen Eingangssignalpegeln weist die
Impedanz der PIN-Diode eine hohe ohmsehe Komponente parallel zu einer hohen Reaktanzkomponente (also
einer kleinen Kapazität) am Emitter des Transistors auf und bewirkt dadurch eine wesentliche Herabsetzung
der Verstärkung. Die hohe Impedanz der PIN-Diode bei starken Signalen hat zur Folge, daß die PIN-Diode
Eingangssignalspannungen in Verlustleistung umsetzt, die über das Maximum hinausgehen, welches
durch die zulässige Verlustleistung im Basis-Emitter-Übergang des in Emittergrundschaltung betriebenen
Transistors gegeben ist, so daß der Verstärker Eingangssignale verarbeiten kann, welche über diejenigen
hinausgehen, die der Transistor allein ohne Verzerrung verarbeiten könnte. Der Verstärker hat einen Verstärkungsregelbereich,
der um 12 dB besser als derjenige eines einfachen Transistorverstärkers in Emittergrundschaltung
ist, und um 6 dB besser als derjenige eines in Emittergrundschaltung betriebenen Transistors, der als
Emitterimpedan;? eine übliche Diode mit PN-Übergang hat. Der mit Hilfe der PIN-Diode geregelte Verstärker
ergibt ferner ein Signal/Rausch-Verhältnis, welches doppelt so groß wie dasjenige eines Verstärkers mit
einer PN-Diode und viermal besser als dasjenige eines einfachen Verstärkers in Emittergrundschaltung ist.
Idealerweise sollte die PIN-Diode in der bevorzugten Ausführungsform des geregelten Verstärkers eine rein
ohmsehe Impedanz haben, welche durch den der Diode zugeführten Gleichstrom moduliert wird. Dies wäre der
Fall, wenn die eigenleitende I-Schicht der PIN-Diode rein eigenleitend wäre und keinerlei Verunreinigungs-Ladungsträger
enthielte. Eine PIN-Diode läßt sich jedoch technologisch nicht so herstellen, daß sie eine rein
eigenleitende I-Schicht hat, weil ein Einbringen von Verunreinigungen in die I-Schicht während des Diffusionsvorgangs
unvermeidlich ist. Die Impedanzkennlinie der PIN-Diode enthält daher eine kleine kapazitive
Komponente, die in Abhängigkeit von den Eigenleitungseigenschaften des I-Schichtmaterials und der Geometrie
des Bauelementes schwankt. Das Problem der Minimalisierung der Kapazität des Elementes ist besonders
akut, wenn die PIN-Diode als Element einer integrierten Schaltung hergestellt wird, weil typische Halbleitermaterialien
für integrierte Schaltungen schlechte Eigenleitungseigenschaften haben und bei der Herstellung
üblicherweise viele Diffusionsschritte durchgeführt werden.
Wenn die Impedanzkennlinie der PIN-Diode eine große kapazitive Komponente enthält, dann hat sie bei
Sperrvorspannung eine niedrige (und zwar kapazitive) Impedanz und einen verkleinerten Impedanzmodulationsbereich.
Ist die PIN-Diode stark in Durchlaßrichtung vorgespannt, dann ist ihr Widerstand klein, und
ihre Impedanz wird scheinbar ausschließlich durch diese Widerstandskomponente bestimmt. Verringert man jedoch
die Durchlaßvorspannung der PIN-Diode, so daß sich ihr Widerstand erhöht, dann nimmt ihre Kapazität
mit abnehmendem Vorspannungsstrom ebenfalls ab, bis ein Punkt erreicht ist, bei welchem die parasitäre Kapazität
mit weiterer Verringerung des Vorspannungsstromes praktisch konstant bleibt. Jenseits dieses Punktes
bleibt die kapazitive Reaktanz Xc der PIN-Diode im
wesentlichen konstant, und danach überwiegt zunehmend die ohmsehe Komponente der Impedanz der PIN-Diode.
Die Blindkomponente der Impedanz erscheint parallel zur ohmschen Komponente, so daß für hochfrequente
Signale eine kleinere Impedanz erscheint als sie die ohmsehe Komponente allein bietet
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Verstärker gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1,
. wie er aus der vorgenannten japanischen Literaturstelle bekannt ist, den Regelbereich im Sinne einer verzerrungsfreien
Verstärkung auch großer Eingangssignale ohne Notwendigkeit einer Eingangssignaldämpfungsschaltung
auszudehnen. Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichnungsteil des Anspruchs 1 angegebenen
Merkmale gelöst.
Durch den der PIN-Diode parallelgeschalteten Widerstand verschiebt sich die Signalbelastung nach Erreichen
der zulässigen Grenzamplitude am Basis-Emitter-Übergang des Verstärkertransistors auf die PIN-Diode,
so daß der Transistor auch bei wachsendem Eingangssignal verzerrungsfrei arbeitet. Der Bereich der verzerrungsfrei
verarbeiteten Signale läßt sich über das Verhältnis des Wertes des Parallelwiderstandes zum Basis-Emitter-Widerstand
des Transistors und der Impedanz der PIN-Diode nach Wunsch bestimmen.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet und werden ebenso wie Einzelheiten
und Funktionsweise nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen noch im einzelnen erläutert.
Die Erfindung sei nun anhand von in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert Die Zeichnungen zeigen
Die Erfindung sei nun anhand von in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert Die Zeichnungen zeigen
Fig. 1 ein teilweise in Blockdarstellung ausgeführtes
Schaltbild eines regelbaren Verstärkers gemäß der Erfindung;
Fig.2 die Regelkurve des in Fig. 1 gezeigten Verstärkers;
F i g. 3a einen Verstärker in Emittergrundschaltung; Fig.3b einen Verstärker in Emittergrundschaltung
mit einer Diode im Emitterkreis;
F i g. 3c einen Verstärker in Emittergrundschaltung; F i g. 4a einen Querschnitt durch eine PIN-Diode;
Fig.4b eine Draufsicht auf die PIN-Diode gemäß F i g. 4a und
Fig.4b eine Draufsicht auf die PIN-Diode gemäß F i g. 4a und
F i g. 5 das teilweise in Blockdarstellung ausgeführte
Schaltbild eines Zwischenfrequenzverstärkers für einen Fernsehempfänger.
In F i g. 1 ist ein regelbarer Verstärker 100 dargestellt, der gemäß den Prinzipien der hier zu beschreibenden
Erfindung aufgebaut ist. In dieser Ausführungsform wird der Verstärker 100 zur Verstäi kung eines Fernseh-Zwischenfrequenzsignals
verwendet, das von einer ZF-Signalquelle 150 geliefert wird. Die Verstärkung des
Verstärkers 100 läßt sich über eine Regelspannung regeln, die von einer Regelspannungsquelle 140 über einen
Widerstand 102 geliefert wird.
Das Zwischenfrequenzsignal und die Regelspannung werden der Basis eines Puffertransistors 104 zueeführt.
der als Emitterfolger geschaltet ist. Der Kollektor des Transistors 104 liegt an einer Betriebsspannungsquelle
B+, und das Zwischenfrequenzsignal und die Regelspannung treten am Emitter des Transistors 104 praktisch
in derselben Form auf, wie sie an seiner Basis liegen, abzüglich des Basis-Emitter-Spannungsabfalls des
Transistors. Vom Emitter des Transistors 104 führt ein Lastwiderstand 106 zu einer Bezugspotentialquelle
(Masse). Die Aufgabe des Transistors 104 liegt in der Transformierung des Zwischenfrequenzsignals und der
Regelspannung von einer hohen Impedanz auf eine niedrigere Impedanz.
Das Zwischenfrequenzsignal und die Regelspannung werden vom Emitter des Transistors i04 der Basis eines
Transistors 110 zugeführt, der als Verstärker in Emitter- is
grundschaltung betrieben wird und mit seinem Kollektor über einen Lastwiderstand 116 an die Betriebsspannungsquelle
B+ und mit seinem Emitter über die Parallelschaltung einer PIN-Diode 112 mit einem Widerstand
114 an Masse angeschlossen ist. Die Anode der PIN-Diode
112 liegt am Emitter des Transistors 110, ihre Kathode an Masse. Die verstärkten Zwischenfrequenzsignale
erscheinen am Kollektor des Transistors 110.
Die PIN-Diode 112 hat eine eigenleitende Halbleiterschicht
hohen spezifischen Widerstandes (I-Schicht) zwischen zwei hochdotierten Schichten aus P- und N-leitendem
Material. Solche PIN-Dioden zeichnen sich durch eine sehr lange Lebensdauer der Minoritätsträger
aus. Bei hohen Frequenzen (nämlich 1 Mhz, abhängig von der Dicke und Reinheit der eigenleitenden Schicht)
hört die Diode praktisch auf als Gleichrichter zu arbeiten, wenn sie in Durchlaßrichtung vorgespannt ist, und
nimmt die Eigenschaften eines linearen veränderbaren Widerstandes an, wobei sich der Widerstand umgekehrt
mit dem Vorspannungsgleichstrom ändert Weiterhin hat eine PIN-Diode im Gegensatz zu einer Diode mit
einem üblichen PN-Übergang eine sehr kleine charakteristische Kapazität. Während die durch die Sperrschichtskapazität
des PN-Übergangs einer üblichen PIN-Diode bedingte kapazitive Reaktanz mit abnehmender
Spannung an der PIN-Diode gegen einen sehr kleinen Wert geht, sind Änderungen der hohen kapazitiven
Reaktanz einer PIN-Diode klein genug, um im Vergleich zur niedrigeren ohmschen Komponente der Impedanz
der PIN-Diode in vielen Schaltungsanwendungen vernachlässigbar zu sein.
Die Eigenschaften der PIN-Diode werden vorteilhafterweise bei dem geregelten Verstärker 100 ausgenutzt,
damit man über einen weiten Bereich von Eingangssignalverhältnissen eine Regelung ohne Verzerrungen erreicht
und dadurch die Notwendigkeit von Serien- oder Paralleldämpfungsanordnungen für Großsignalbedingungen
vermeiden kann.
Wenn dem Verstärker 100 ein sehr schwaches Zwischenfrequenzsignal zugeführt wird, dann soll der Verstärker
mit hoher oder maximaler Verstärkung arbeiten. Dies erreicht man durch Zuführung einer Regelspannung
hohen Wertes zum Verstärker 100 von der Regelspannungsquelle 140. Das Zwischenfrequenzsignal und
die Regelspannung gelangen über den Transistor 104 zur Basis des Transistors 110, der dann mit hoher Verstärkung
arbeitet. Der Transistor 110 reagiert auf die Regelspannung für hohe Verstärkung, indem er über
seine Kollektor-Emitter-Strecke einen hohen Gleichstrom leitet. Dieser Gleichstrom spannt die PIN-Diode
in Durchlaßrichtung vor, so daß diese eine niedrige ohmsche Impedanz zeigt Damit arbeitet der Transistor
110 mit kleiner Emitterimpedanz im Verhältnis zum Lastwiderstand 116 und verstärkt das schwache Zwischenfrequenzsignal
an seiner Basisdiode stark.
Wenn die Signalstärke des von der Signalquelle 150 zugeführten Zwischenfrequenzsignals anwächst, dann
wird die von der Spannungsquelle 140 gelieferte Regelspannung herabgesetzt. Die verkleinerte Verstärkungsregelspannung
läßt den Transistor HO einen niedrigeren Vorspannungsgleichstrom an die PIN-Diode 112 liefern,
so daß deren Widerstand ansteigt. Die Beziehung zwischen dem abnehmenden Vorspannungsgleichstrom
und dem Widerstand der PIN-Diode 112 ist über einen weiten Bereich von Vorspannungsströmen konstant, so
daß man eine lineare Beziehung zwischen der Verstärkungsverringerung des Transistors MO und der Verringerung
der Verstärkungsregelspannung erhält. Dieses Merkmal der Erfindung ist von ganz wesentlicher Bedeutung,
wenn der Verstärker 100 in einem automatischen Verstärkungsregelsystem für konstante Geschwindigkeit
(constant speed automatic gain control system) verwendet wird, wo die lineare Verstärkungsregelung
ein wichtiges Systemerfordernis ist.
Wenn das Zwischenfrequenzeingangssignal an der Basis des Transistors 110 anwächst, dann wird die Zwischenfrequenzsignalspannung
infolge des dynamischen Widerstandes redes in Durchlaßrichtung vorgespannten
Emitterübergangs des Transistors 110 und des P-I-N-Übergangs der PIN-Diode 112 in gleichem Maße herabgesetzt.
Der Widerstand re wächst kontinuierlich während
dieses Stadiums der Verstärkungsverringerung an, wenn die Steilheit oder Transkonduktanz gm des Transistors
110 herabgesetzt wird. Erreicht das ZF-Eingangssignal an der Basis des Transistors 110 einen Pegel von
etwa 2OmV, dann hat der Widerstand rc seinen gewünschten
Maximalwert erreicht, jenseits dessen im Ausgangssignal Verzerrungen auftreten, weil ein weiteres
Anwachsen von re Signalamplituden über 10 mV hinaus
durch den Transistor 110 zur Folge haben würde. An diesem Punkt stabilisiert die durch den Widerstand 114
fließende Emitterstromkomponente die Steilheit g„, des Transistors 110 und verhindert so ein weiteres Anwachsen
von /v Da re durch den den Widerstand 114 durchfließenden
Emitterstrom auf diesem Punkt konstant gehalten wird, fällt jeder weitere Zuwachs des ZF-Signals
nicht mehr am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 110 ab, sondern an der Diode 112. Die PIN-Diode 112
bestimmt dann die Verstärkungsminderung, weil sie ein weiteres Signalanwachsen abfängt.
Wenn der ZF-Eingangssignalpegel an der Basis des
Transistors 110 20 mV überschreitet, dann wird die Regelspannung an der Basis des Transistors 110 weiter
abgesenkt so daß der Vorspannungsgleichstrom für die PIN-Diode 112 kontinuierlich abnimmt und der Widerstand
der PIN-Diode weiter anwächst Die ZF-Impedanz der PIN-Diode wächst mit zunehmenden Zwischenfrequenzsignalpegeln
weiter an, bis ein 40-mV-Signal an der Basis des Transistors 110 so aufgeteilt wird,
daß ein Signalspannungsabfail von 10 mV am Transistor
110 und die restlichen 3OmV an der PIN-Diode 112 abfallen. Da die PIN-Diode für Zwischenfrequenzen
nicht mehr als Gleichrichter arbeitet und am Transistor 110 nicht mehr als sein Maximalgrenzwert von 10 mV
abfällt, ist das Ausgangssignal am Kollektor des Transistors 110 trotz des Signalpegels von 40 mV an seiner
Basis nicht verzerrt
Der Zweck des Widerstandes 114 liegt wie gesagt in
der Verschiebung der ZF-Signalbelastung auf die PIN-Diode
112, nachdem am Basis-Emitterübergang des Transistors 110 die Grenze von 10-mV-Signalamplilude
für cine verzerrungsfreie Verstärkung erreicht ist. Ohne
den Widersland 114 würde das ZF-Eingangssignal gleichmäßig am Transistor 110 und der PIN-Diode 112
abfallen wollen und dabei die Grenze für eine verzerrungsfreie
Verstärkung durch den Transistor auf eine Eingangssignalspannung von 20 mV begrenzen. Jedoch
kann man den Widerstand 114 für eine proportionierte
Signalbelastung durch den Transistor 110 und die PIN-Diode 112 heranziehen, so daß höhere Eingangssignalpegel
als die erwähnten 40 mV verzerrungsfrei verarbeitet werden können. Wählt man beispielsweise den
Widerstand 114 so, daß das Verhältnis zwischen dem Widerstand r,- des Transistors 110 und der Impedanz der
PIN-Diode 112 kontinuierlich auf 1 :9 gehalten wird, dann können Zwischenfrequenzsignalpegel bis zu
100 mV verzerrungsfrei verarbeitet werden. Ein Signal von 10 mV teilt sich dann so auf, daß am Transistor 110
1 mV und an der PIN-Diode 112 9 mV erscheinen. Ein Signal von 50 mV teilt sich im Verstärker so auf, daß
5 mV am Transistor 110 und 45 mV an der PIN-Diode 112 liegen. Das maximale Signal von 100 mV wird so
aufgeteilt, daß 10 mV am Transistor 110 und 90 mV an der PIN-Diode 112 auftreten. Man sieht also, daß die
Signalverarbcitungseigenschaften des Verstärkers 110 durch geeignete Wahl der Schaltungskomponenten und
der Vorspannungsverhältnisse ausgeweitet werden können.
In F i g. 1 erfolgt die Zuführung der Verstärkungsregclspannung
beispielsweise zur Basis des Transistors 110 über den Widerstand 102 und die Basis-Emitter-Strecke
des Transistors 104. Jedoch kann die Regelspannung dem Transistor 110 und der PIN-Diode 112 auf
irgendeine Weise zugeführt werden, welche gleichzeitig die Vcrstärkungsregelvorspannung dieser beiden Bauelemente
ergibt. Beispielsweise kann die Verstärkungsregelspannung an der Kathode der PIN-Diode zugeführt
werden; hierbei würde die Kathode der PIN-Diode über einen Kondensator für ZF-Signalfrequenzen
an Masse geführt.
Der hier beschriebene geregelte Verstärker ist beispielshalber als Verstärker mit unsymmetrischem Eingang
in F i g. 1 dargestellt, der auf Masse bezogene Signale verstärkt. Natürlich kann man auch zwei Schaltungen
gemäß F i g. 1 zu einem Differenzverstärker zusammenschalten und mit komplementären, gegenphasigen
Eingangssignalen ansteuern. Eine solche Schaltung würde dann auch Gegentaktausgangssignale liefern.
Die beiden Verstärker 100 können dann so geschaltet werden, daß sie nur eine einzige Verbindung zur Regelspannungsquelle
140 benötigen, indem die Kathoden der beiden PIN-Dioden direkt an die Regelspannungsquelle
140 angeschlossen würden. Die Regelspannungsquelle 140 arbeitet so als Quelle für einen Vorspannungsgleichstrom
für die PIN-Diode 112 und die im Gegentakt angesteuerten Transistoren 110. Die beiden
Emitterwiderstände 114 wären nach wie vor an Masse angeschlossen. Die Kathoden der PIN-Dioden könnten
bei dieser Schaltung für Zwischenfrequenzsignale nach Masse überbrückt sein.
Die Eigenschaften des geregelten Verstärkers 100 gemaß
F i g. 1 erhält man nicht, wenn man anstelle der PIN-Diode 112 eine normale PN-Übergangs-Diode verwendet
Zunächst begrenzt die parasitäre Kapazität Cp einer PN-Diode den Bereich der Verstärkungsverminderung
des Verstärkers im Vergleich zu einer PIN-Diode. Wie bereits erläutert, wird der Verstärkungsgrad
des Verstärkers 100 durch Erhöhen der Emitterimpedanz des Transistors 110 herabgesetzt Wenn der Vorspannungsgieichstrom
für die PIN-Diode verkleinert wird, erhöht sich der Widerstand der PIN-Diode und
damit die Emitterimpedanz des Transistors 110, so daß
die Verstärkung des Verstärkers 100 absinkt. Würde man im Emitterkreis des Transistors 110 eine normale
PN-Diode verwenden, dann würde eine Verkleinerung des Vorspannungsgleichstroms nicht nur den Widerstand
dieses Elementes anheben, sondern auch seine parasitäre Kapazität Cn auf einen bestimmten Wen stabilisieren.
Die Kapazität Cn würde praktisch eine Überbrückung
der PN-Diode bedeuten, wie dies die gestrichelte Kapazität Cn in F i g. 1 andeutet. Für Zwischenfrequenzen
würde die parasitäre Kapazität eine reaktive Parallelimpedanz zur ohmschen Impedanz der Diode
bilden, die umgekehrt proportional zur Frequenz /'und zur Kapazität Cist und sich ausdrücken läßt als
Im Endergebnis führt die zunehmende ohmsche Impedanz und die stabilisierte reaktive Impedanz der PN-Diode
zu einer praktisch konstanten Impedanz zwischen dem Emitter des Transistors 100 und Masse, welche
keine weitere Abnahme des Verstärkungsgrades des Verstärkers 100 bewirkt. Dieser Effekt ist in F i g. 2
dargestellt, wo die Verstärkungsherabsetzung bei dem PIN-Diodenverstärker 100 mit zunehmendem Vorspannungsgleichstrom
durch die ausgezogene Linie 120 veranschaulicht ist. Die gestrichelte Linie 122 zeigt das Abweichen
von der linearen Verstärkungsverminderung bei Verwendung einer normalen PN-Übergangsdiode
anstelle der PIN-Diode 112. Es sei betont, daß die durch die gestrichelte Linie 122 veranschaulichte Verstärkungsverminderung
auch dann auftritt, wenn die Impedanz der PIN-Diode 12 eine nennenswerte kapazitive
Reaktanzkomponente aufweist.
Schließlich kann man sehen, daß der geregelte Verstärker 100 eine Verbesserung des Signal/Rausch-Verhältnisses
um 3 dB im Vergleich zu üblichen Verstärkern in Emittergrundschaltung zeigt. Gemäß F i g. 3a ist
ein Transistor 130 in Emittergrundschaltung mit seinem Emitter an Masse und mit seinem Kollektor an einen
Lastwiderstand RL angeschlossen. Seiner Basis wird ein
Eingangssignal Es,g zugeführt. Aus den vorstehend genannten
Gründen wird angenommen, daß der Transistor 130 maximal ein Eingangssignal von 100 mV verarbeiten
kann, ohne daß am Lastwiderstand Rl ein verzerrtes
Ausgangssignal geliefert wird. Hat das Signal ESjg seinen Maximalpegel von 10 mV, dann arbeitet der
Transistor mit minimaler Verstärkung, und sein dynamischer Emitterwiderstand re hat einen maximalen Wert
fen»* Zum Zwecke der hier angestellten Untersuchung
ist re „,ax auf einen Wert von 100 Ohm normalisiert
Der Signal/Rauschleistungs-Wert eines Transistorverstärkers
läßt sich in erster Näherung ausdrucken durch
wobei R der Gesamtwert der Widerstände im Verstärker, k die Boltzmann-Konstante, Tdie absolute Temperatur
und B die Bandbreite des Verstärkers ist Bekanntermaßen sind Widerstände die hauptsächlichsten
Rauscherzeuger in einer Schaltung. Zu Vergleichszwekken sei erwähnt, daß die Summe der Schaltungswiderstände
eine genaue Darstellung des Rauschverhaltens
für die in den F i g. 3a, 3b und 3c dargestellten Verstärker i.st. Weiterhin sei angenommen, daß die für alle drei
Verstärker charakteristischen Widerstände, wie also der Lastwiderstand Ri., der verteilte Basiswiderstand r^b des
eigenleitenden Materials und die ohmschen Kontaktwiderstände bei den drei Figuren gleich sein sollen und
daher beim Vergleich außer Betracht bleiben können. Ferner sind k, T und B in den Figuren als konstant
angenommen und können bei den Vergleichsrechnungen außer Betracht bleiben. Mit der obengenannten Beziehung
ergibt sich ein Signal/Rauschleistungs-Wert für die Schaltung gemäß F i g. 3a als
n0mV):
100 ti
100 ti
100
100
100
1.
In Fig. 3b sieht man den Transistor 130 in Emittergrundschaltung
mit einer PN-Übergangsdiode 132 zwischen seinem Emitter und Masse. Wegen der gleichen
Betrachtungsweise sei angenommen, daß die Diode 132 aus demselben Halbleitermaterial und mit gleicher Geometrie
wie der Transistor 130 aufgebaut ist und daher den gleichen dynamischen Durchlaßwiderstand ro hat,
wie er für den Emitter des Transistors 130 gilt. Wenn also der Transistor 130 im Zustand minimaler Verstärkung
arbeitet, dann ist r»,,,,,, gleich />„,«», und zwar 100
Ohm.
Die Schaltung gemäß F i g. 3b unterscheidet sich von derjenigen gemäß F i g. 3a darin, daß zwischen der Eingangsbasiselektrode
und Masse zwei PN-Übergänge liegen: Nämlich derjenige der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 130 und derjenige der Diode 132. Diese
beiden PN-Übergänge erhöhen die Signalverarbeitungsfähigkeit der Schaltung von 10 mV auf 20 mV, weil
sich das Eingangssignal gleichmäßig auf die beiden Übergänge verteilt. Oberhalb von 20 mV treten Verzerrungen
auf, wenn die Signalverarbeitungsfähigkeit sowohl des Transistors 130 als auch der Diode 132 überschritten
werden und eine Diodengleichrichtung eintritt.
Somit ergibt sich der Wert des Signal/Rauschleistungs-Verhältnisses
der Schaltung gemäß F i g. 3b zu
(f„„): _ (20 mV)-
too υ+ loo u
400
200
200
= 2.
Man sieht, daß das Signal/Rausch-Verhalten der Schaltung nach F i g. 3b doppelt so gut oder 3 dB besser
als bei der Schaltung gemäß F i g. 3a ist.
In Fig.3c ist der Transistor 130 in Emittergrundschaltung
betrieben und zwischen seinem Emitter und Masse liegt die Parallelschaltung einer PIN-Diode 134
mit einem Emitterwiderstand Re. Wie bereits im Zusammenhang
mit F i g. 1 erläutert war, zieht der Emitterwiderstand Re eine Stromkomponente von Emitter des
Transistors 130, durch welche sichergestellt wird, daß der dynamische Emitterwiderstand re des Transistors
seinen gewünschten Maximalwert, in diesem Fall 100 Ohm, bei minimaler Verstärkung nicht überschreitet.
Der vom Transistor 130 gelieferte verbleibende Strom spannt die PIN-Diode 134 in Durchlaßrichtung
vor, so daß ihr Widerstand sich dem Wert des Emitterwiderstandes Renähen. Im vorliegenden Beispiel hat Re
einen Wert von 700 Ohm, und der Widerstand der PIN-Diode bei minimaler Verstärkung (maximalem Signal)
beträgt 525 Ohm, so daß die Parallelschaltung einen Gesamtwiderstand von 300 Ohm bildet. Die in Fig.3c
dargestellte Schaltung kann als ein Eingangssignal von 400 mV verarbeiten, das sich proportional über den
Transistor 130 und den EniiiiiTwidcrstaiu.1 auik-ilt:
10 mV am Widerstand 130 und JOmV am 300-Ohm-Emitterwiderstand.
Die PIN-Diode bewirkt wegen ihrer schlechten Gleichrichtungseigenschafte.n keine Ver/.errung,
wenn an ihr ein Signalspannungsabfall von 30 mV liegt.
Mit diesen Werten führt die Gleichung für den Signal/ Rauschleistungs-Pegel zu
(40 mV)2
100 + 300
100 + 300
1600
200
200
= 4
Man sieht somit, daß das Signal/Rausch-Verhalten des PIN-Diodenverstärkers doppelt so gut wie dasjenige
eines PN-Diodenverstärkers ist und viermal so gut wie das eines einfachen Emittergrundschaltungsverstärkers.
Der PIN-Diodenverstärker zeigt daher eine Verbesserung des Signal/Rausch-Verhaltens um 3 dB im
Vergleich zu einem PN-Diodenverstärker und liegt um 6 dB besser als das eines einfachen Verstärkers in Emittergrundschaltung.
Es war bereits darauf hingewiesen worden, daß die PIN-Diode 112 in Fig. 1 eine vernachlässigbar kleine
Kapazität haben muß, damit der Verstärker 100 einen maximalen Verstärkungsreduzierungsbereich haben
kann. Da die kapazitive Reaktanz Xc der PIN-Diode
sowohl von der Kapazität als auch der Frequenz abhängig ist, muß man die Betriebsfrequenz der PIN-Diodenschaltung
in Betracht ziehen, wenn der Maximalwert der zulässigen Kapazität bestimmt wird. In den Fig.4
und 4a ist eine neue PIN-Diode dargestellt, die unter Verwendung üblicher Materialien und Herslellungstechniken
als Element einer integrierten Bipolarschaltung gebaut werden kann und sich durch eine kapazitive
Komponente auszeichnet, die den Verstärker 100 bei Fernsehzwischenfrequenzen zufriedenstellend arbeiten
läßt.
Fig.4a zeigt den Querschnitt einer PIN-Diode, die
als Teil einer integrierten Bipolarschaltung dargestellt ist, welche einen Halbleiterkörper 10, üblicherweise Silizium,
enthält, welcher einen Substrat 24 eines Leitungstyps und eine schwach dotierte epitaktische Schicht 12
des entgegengesetzten Leitungstyps aufweist. Üblicherweise, und auch bei diesem Beispiel, ist das Substrat 24
Pk-Ieitend und die epitaktische Schicht 12 N-Icitcnd.
Die epitaktische Schicht 12 ist durch einen üblichen P+-Ieitenden Isolationsbereich 14 in zwei getrennte Inseln
12' und 12" unterteilt. Der Isolationsbcrcich 14
sorgt für eine elektrische Trennung zwischen den cpitaktischen Inseln auf der integrierten Schaltung, deren
jede im allgemeinen ein separates aktives Schaltungselement enthält. Angrenzend an die Oberfläche 26 der
epitaktischen Insel 12' sind Bereiche 16 und 18 höherer Trägerdichte aus N+-leitendem Material diffundiert.
Ebenfalls an die Oberfläche 26 der epitaktischen Insel 12' angrenzend und in der Mitte zwischen den Bereichen
16 und 18 befindet sich ein dritter Diffusionsbereich 20 höherer Trägerdichte aus P+-leitendem Material.
Die Bereiche 16 und 18 aus N+-leitendem Material werden durch Zonen der epitaktischen Schicht vom Bereich
20 getrennt, wie die Pfeile 22 und 23 andeuten. Die
N+-leitenden Zonen sind elektrisch durch einen metallisierten Leiter verbunden, welcher die N+-Bereiche kontaktiert
durch Öffnungen in einer Isolierschicht 28 aus Siliziumdioxid, welche über der Oberfläche 26 der epilaktischen
Schicht 12 liegt. Ein nicht dargestellter separater metallischer Leiter läuft ebenfalls durch die isolierschicht
28 und ermöglicht ein externes Anschließen des
P+-leitenden Bereichs 20.
Die PIN-Diode gemäß Fig.4a besteht aus einer Schicht P+-Ieitenden Materials 20, einer I-Schicht aus
epitaktischem Material 12', und N-Schichten 16 und 18 aus N+-leitendem Material. Der Durchlaßstromfluß in
der PIN-Diode erfolgt von dem P+-leitenden Bereich 20 zu den beiden N+-leitenden Bereichen 16 und 18, wie
die Pfeile 22 und 23 zeigen.
Idealerweise wäre es erwünscht, daß das Material der I-Schicht tatsächlich eigenleitend wäre, also völlig frei
von Verunreinigungen, und einen virtuell unendlichen Widerstand hätte. Bei einer wirklich eigenleitenden I-Schicht
würde sich die Kapazität des Bauelementes am wenigsten bei einer Verringerung der Durchlaßvorspannung
verändern, so daß man eine niedrige Durchlaßimpedanz und eine hohe Sperrimpedanz erhielte.
Praktisch gibt es aber keine echt eigenleitende Schicht in einer PIN-Diode, weil es technologisch nicht möglich
ist, den spezifischen Eigenleitungswiderstand in der I-Schicht während der Herstellung einer Diode beizubehalten.
Typischerweise ist die I-Schicht leicht dotiert mit einem spezifischen Widerstand von etwa 1000 Ohm-cm.
Es hat sich jedoch gezeigt, daß die PIN-Diode gemäß der hier beschriebenen Erfindung die Verwendung des
üblichen epilaktischen Materials für integrierte Bipolarschaltungen für die I-Schicht erlaubt, die einen typischen
spezifischen Widerstand von 1 bis 6 Ohm-cm hat
Dies wird anhand der F i g. 4b verständlich, die eine
Draufsicht auf die integrierte Schaltung auf die Oberfläche 26 der epitaktischen Schicht 12 zeigt. Da eine PIN-Diode
ein Bauelement mit P-, I- und N-Schichten ist, besteht also die PIN-Diode aus dem P+-Bereich 20, dem
N +-Bereich 18 und der dazwischenliegenden epitaktischen Zone, in welcher der Pfeil 22 liegt. Ein Maß für die
Qualität dieser PIN-Diode ist das Verhältnis ihres (niedrigen) Durchlaßwiderstandes zu ihrem (hohen) Sperrwiderstand.
Sind die Eigenschaften der Halbleitermaterialien der P-, I- und N-Schichten bestimmt, dann läßt sich
das Verhältnis von Durchlaß- zu Sperrimpedanz nur durch Änderungen der Geometrie der Schichten verbessern.
Für die obenerwähnte Lateral-PIN-Diode kann das Verhältnis verbessert werden durch Vergrößerung
der Länge /der P- und N-Schichten 20 und 18, wodurch sich die Durchlaßimpedanz der PIN-Diode verringert.
Jedoch führt die Vergrößerung der Länge /des P+-Bereiches
20 zu einem unerwünschten Abnehmen des Sperrwiderstandes der PIN-Diode, weil nämlich die Kapazität
an der Sperrschicht 32 zwischen dem P+-Bereich 20 und der schwach dotierten epitaktischen
Schicht 12' mit zunehmender Länge des P+-Bereiches 20 anwächst Diese Sperrschichtkapazität hängt praktisch
von der Fläche des P+-Bereichs 20 ab. Die zunehmende Kapazität verringert die kapazitive Reaktanz Xc
bei Sperrvorspannung der PIN-Diode und bewirkt damit eine Verringerung der Sperrimpedanz.
Das Problem der vergrößerten Kapazität wird erfindungsgemäß gelöst, indem man eine zweite N-Schicht
116 aus N+-leitendem Material auf der der N-Schicht 18
gegenüberliegenden Seite des P+-Bereiches 20 vorsieht Die zweite N-Schicht bewirkt eine Verdoppelung des
zulässigen Durchlaßstromflusses vom P+-Bereich 20 zu
den N-Schichten der PIN-Diode, wie dies der zweite Pfeil 23 veranschaulicht, und damit erhält man eine Halbierung
des minimalen Durchlaßwiderstandes des Bauelementes. Die Kapazität der Diode wird durch diesen
zweiten N+-Bereich nicht beeinträchtigt, weil sich die
Fläche des P+-Bereiches 20 nicht verändert hat Die geometrischen Abmessungen der neuen PIN-Diode
sind vergleichbar mit denen anderer bipolarer integrierter Schaltungselemente, und damit eignet sie sich gut für
die Herstellung auf einem typischen integrierten Schaltungsplättchen.
Es hat sich ferner gezeigt, daß ein Abstand von 25 μ zwischen den P+- und N+-Bereichen zufriedenstellende
Betriebseigenschaften für den NTSC-Femseh-Zwischenfrequenzbereich
von etwa 45 MHz ergibt Arbeitet man bei höheren Frequenzen, dann kann diese Abmessung
verringert werden, für niedrigere Frequenzen kann sie erhöht werden. Aufgebaut und für NTSC-Zwischenfrequenzen
geprüft ist das Bauelement mit einer Länge von 106,68 μ für die P+- und N+-Bereiche. Die
Breite des P+-Bereiches 20 betrug 22,86 μ, und die Breite der N+-Bereiche 16 und 18 betrug 10,16 μ.
Ein Fernseh-Zwischenfrequenzverstärker, welcher die Eigenschaften sowohl des regelbaren Verstärkers
100 wie auch der neuen PIN-Diode in sich vereinigt, ist in F i g. 5 dargestellt Dieser ZF-Verstärker läßt sich bequem
auf einem einzigen integrierten Schaltunsplättchen ausbilden, welches Kontaktflächen zum äußeren
Anschluß des Plättchens an Schaltungskomponenten, Signalquellen und Stromversorgungsquellen hat.
Die in F i g. 5 dargestellte Schaltung verstärkt Zwischenfrequenzsignale,
welche von einer ZF-Signalquelle 200 geliefert werden. Diese ZF-Signale werden allgemein
durch eine Mischstufe im Fernsehtuner erzeugt und liegen in einem Zwischenfrequenzband, das durch
eine dem ZF-Verstärker vorausgehende Filterschaltung gegeben ist. Die ZF-Signalquelle 200 ist über einen äußeren
Kontaktanschluß 202 mit dem ZF-Verstärker gekoppelt Der Kontaktanschluß 202 ist mit der Basis eines
Puffertransistors 302 eines ersten ZF-Verstärkers 300 gekoppelt. Der Kollektor des Transistors 302 ist an eine
Versorgungsspannung + V für die ZF-Schaltung angeschlossen,
sein Emitter liegt über einen Widerstand 304 an einer Bezugsspannungsquelle (Masse). Der Emitter
des Transistors 302 liegt ferner an der Basis eines Transistors 306, dessen Emitter über die Parallelschaltung
eines Widerstandes 310 mit einer in Durchlaßrichtung gepolten PIN-Diode 308 an Masse liegt. Der Kollektor
des Transistors 306 liegt am Emitter eines Transistors 312, dessen Basis über Widerstände 314 und 610 an die
Spannungsquelle + V und dessen Kollektor an einen äußeren Kontaktanschluß 316 angeschlossen ist. Der
Kollektor des Transistors 312 liegt ferner über die Reihenschaltung eines Widerstandes 324 mit einem spannungsveränderbaren
kapazitiven Element 326, welches der Anhebung der Verstärkung in der Nähe des Bildträgers
bei schwachem Signalzustand dient, an der Spannungsquelle + V. Die Transistoren 306 und 312 sind als
Kaskodeverstärker geschaltet und bilden eine erste geregelte Verstärkerstufe für das Zwischenfrequenzsignal.
Ein externer abgestimmter Kreis 320 liegt über einen Widerstand 318 an dem äußeren Kontaktanschluß 316.
Das Zwischenfrequenzsignal wird dann von dem abgestimmten Kreis 320 zum Eingang eines zweiten Zwischenfrequenzverstärkers
330 über einen äußeren Kontaktanschluß 322 gekoppelt. Dieser Anschluß 322 liegt an der Basis eines Puffertransistors 332, dessen Kollektor
an der Spannungsquelle + V und dessen Emitter über einen Widerstand 334 an Masse liegt.
Der zweite ZF-Verstärker 330 ist in gleicher Weise wie der erste ZF-Verstärker 300 geschaltet und enthält
den Puffertransistor 332, einen Kaskodenverstärker mit Transistoren 336 und 342, eine vom Emitter des in Emittergrundschaltung
betriebenen Transistors 336 nach Masse geschaltete PIN-Diode 338 und zugehörige Wi-
30 09 S05
derstandselemente. Der Ausgang des zweiten ZF-Verstärkers
330 ist vom Kollektor des Transistors 342 über einen Kontaktanschluß 346 an eine äußere abgestimmte
Schaltung 350 geführt. Das verstärkte ZF-Signal wird dann von der abgestimmten Schaltung 350 einem nicht
dargestellten dritten ZF-Verstärker zur weiteren Verstärkung
und nachfolgenden Signalverarbeitung zugeführt.
Die Verstärkung der ZF-Verstärker 300 und 330 wird
durch eine ZF-Verstärkungs-Regelspannung geregelt die aus einer von einer Regelschaltung 400 erzeugten
Regelspannung abgeleitet wird. Die Regelschaltung 400 kann derart ausgebildet sein, daß sie eine Verstärkungsregelspannung
erzeugt welche sich in Abhängigkeit vorn Pegel des demodulierten Videosignals verändert,
wie dies in der US-Patentanmeldung Ser. Nr. 9 34 823 vom 18. August 1978 (DE-OS 29 33 396) mit dem Titel
»Keyed AGC Circuit« beschrieben ist Die Verstärkungsregelspannung wird der Basis eines Transistors
372 in einer Vorspannungsnachbildungsschaltung 370 über die Reihenschaltung zweier Widerstände 362 und
364 zugeführt Der Kollektor des Transistors 372 liegt an der Spannungsquelle + V, sein Emitter liegt an der
Basis eines Transistors 376 und über einen Widerstand 374 an Masse. Der Emitter des Transistors 376 liegt über
eine PIN-Diode 378 an Masse, und sein Kollektor liegt an einer ZF-Regelspannungsleitung 360, welche über
einen Kondensator 368 an die Basis des Transistors 372 und außerdem über einen Widerstand 366 an den Verbindungspunkt
der Widerstände 362 und 364 angeschlossen ist.
Die Vorspannungsnachbildungsschaltung 370 ist so benannt weil sie den Vorspannungsstrom steuert, welcher
dem ersten und zweiten ZF-Verstärker 300 und 330 zugeführt ist und so aufgebaut ist, daß ihre Geometrie
ein Abbild (eine Nachbildung) derjenigen des ZF-Verstärkers ist. In dieser Vorspannungsnachbildungsschaltung
370 liegen drei Basis-Emitter-Spannungsabfälle (3 Vix) zwischen der Basis des Transistors 372 und der
geerdeten Kathode der PIN-Diode 378 zur Anpassung der in den ZF-Verstärkern vorgesehenen 3Vfce-Schaltungen.
Wegen dieser Geometrieanpassung wird der von einer Vielfach- Vf,t.-Spannungsquelle 600 gelieferte
Ruhestrom durch den Transistor 376 nach Masse geleitet und in den komplementären Transistoren 306 und
336 in den Zwischenfrequenzverstärkern in einem Verhältnis widergespiegelt, das durch die Emitterflächen
der betreffenden Transistoren bestimmt ist. Wenn beispielsweise die Emitterflächen dieser drei Transistoren
alle gleich sind, dann wird ein Kollektor-Emitter-Strom im Transistor 376 von einem Milliampere widergespiegelt
als ein Kollektor-Emitter-Strom von ein Milliampere in den Transistoren 306 und 336. Sind die Emitterflächen
der Transistoren 306 und 336 doppelt so groß wie die Emitterfläche des Transistors 376, dann wird ein
Kollektor-Emitter-Strom von ein Milliampere im Transistor 376 in den Transistoren 306 und 336 als Kollektor-Emitter-Strom
von 2 mA in jedem dieser Transistoren
Die Vielfach-Vbe-Spannungsquelle 600 arbeitet als
Stromübertrager für die ZF-Regelspannungsleitung 360. Ein Transistor 602 ist mit seinem Kollektor über
einen Widerstand 610 an die Spannungsquelle + V und mit seinem Emitter über einen Widerstand 608 an die
ZF-Regelspannungsleitung 360 angeschlossen. Ein Widerstand 604 verbindet den Kollektor mit der Basis des
Transistors 602, und ein Widerstand 606 verbindet die Basis mit dem Emitter dieses Transistors. Wählt man die
Widerstände 604 und 606 mit den in F i g. 5 angegebenen Werten, dann bleibt die Spannung am Emitter des
Transistors 602 (und auch auf der ZF-Regelspannungsleitung 360) auf einem Wert, der etwa um 6 V01. unterhalb
des Spannungspegels am Kollektor des Transistors liegt Bei fehlender Verstärkungsregelspannung von der
Regelschaltung 400 (also beim Betrieb mit maximaler Verstärkung) wird die Spannung auf der ZF-Regelspannungsleitung
360 durch die Vorspannungsnachbüdungs-
lö schaltung 370 etwa 3VJ* oberhalb Masse gehalten. Bei
diesen Bedingungen liegt die den Basen der als Kaskodeverstärkertranistoren
in Basisgrundschaltung arbeitenden Transistoren 312 und 342 zugeführten Spannung
etwa 9Vtc über Masse. Die Spannungsquelle 600 hält
einen konstanten Spannungswert auf der Regelspannungsleitung 360 bei fehlender Verstärkungsregelung
auch bei Temperaturänderungen in Schaltung aufrecht durch Modulation des von der Spannungsquelle + V
über den Widerstand 610 entnommenen Stromes. Die Spannungsquelle 600, und die Schaltung 370 sind im
einzelnen in der US-Patentanmeldung Ser. Nr. 0 21 322 vom 16. März 1979 mit dem Titel »Temperature Compensating
Bias C>cuit« des gleichen Erfinders beschrieben.
Die ZF-Verstärkungsregelspannung auf der Leitung 360 wird der Basis des Transistors 302 des ersten ZF-Verstärkers
300 über die Reihenschaltung von Widerständen 382 und 384 zugeführt Vom Verbindungspunkt
dieser Widerstände ist ein Kondensator 386 nach Masse geschaltet welcher die an der Basis des Transistors 302
liegenden Zwischenfrequenzsignale von der Regelspannungsleitung 360 ableitet. Ähnlich wird die ZF-Regelspannung
der Basis des Transistors 332 von der Regelspannungsleitung 360 über in Reihe geschaltete Widerstände
390 und 392 zugeführt, von deren Verbindungspunkt ein Kondensator 394 nach Masse geschaltet ist
und eine Tiefpaßfilterung der Regelspannung an diesem Punkt bewirkt Die ZF-Regelspannung wird weiterhin
einer Tunerregelschaltung 500 über einen Trennwiderstand 380 zugeführt. Die Tunerregelschaltung 500 erzeugt
bei sinkender ZF-Regelspannung an ihrem Eingang eine verzögerte HF-Regelspannung, welche dem
Tuner des nicht dargestellten Fernsehempfängers zugeführt wird.
Im Betrieb erzeugt die Regelschaltung 400 eine Vcrstärkungsregelspannung,
welche in direkter Beziehung zum Pegel des demodulierten Videosignals steht. Ein
schwaches Videosignal (niedriger Pegel) führt zur Erzeugung einer Verstärkungsregelspannung niedrigen
Wertes, und ein starkes Videosignal (hoher Pegel) führt zur Erzeugung einer Verstärkungsregelspannung großen
Wertes.
Der oben beschriebene Ruhezustand, bei welchem sich der Kollektorstrom des Transistors 376 in den
Transistoren 306 und 336 widerspiegelt, führt zu einem bestimmten Potential auf der Regelspannungsleitung
360. Wenn der Vorspannungsnachbildungsschaltung 370 eine Verstärkungsregelspannung von der Regel-
sv.naii.uiii:
Ruhezustand, weil der Transistor 376 darauf mit einem höheren Kollektor-Emitter-Strom reagier!. Dieser stärkere
Stromfluß verringert das Potential auf der Regclspannungsleitung 360, wodurch sich die den Basen der
Transistoren 302 und 332 in den ZF-Verstärkcrn 300 bzw. 330 zugeführte Gleichspannung verringert.
Bei schwachem Signal wird der Vorspannungsnachbildungsschaltung 370 eine niedrige Regelspannung zugeführt,
welche den Leitungszustand der Transistoren
15 16
372 und 376 wenig verändert Die Spannung auf der möglichen. Wenn schließlich ein volles 40-mV-Zwi-Regeispannungsleitung
360 hat daher einen hohen Wert schenfrequenzsignal den ZF-Verstärkern von der ZF-von
etwa 3 Vk- Diese hohe Regelspannung wird den Signalquelle 200 zugeführt wird, dann ist der volle BeBasen
der Transistoren 302 end 332 in den Zwischenfre- reich der Zwischenfrequenzverstärkungsverminderung
quenzverstärkern 300 und 330 zugeführt Daher leiten 5 durchlaufen, und jede weitere Verstärkungsvermindedie
Transistoren 302, 306 und 332, 336 stark, und die rung erfolgt im Tuner unter Steuerung durch die verzö-Pl
N-Dioden 308 und 338 erhalten von den Transistoren gert arbeitende Tunerregelschaltung 500. An der Stelle
306 bzw. 336 hohe Durchlaßgleichströme. Diese hohen der völligen ZF-Verstärkungsreduzierung zeigt das
Durchlaßströme ergeben niedrige Widerstände der 40-mV-ZF-Signal am Anschluß 202 im wesentlichen ei-PIN-Dioden,
so daß die Emitterwiderstände der Transi- 10 ne Spannungsverstärkung 1 durch den ersten ZF-Verstoren
306 und 336 klein sind. Die Kaskodenverstärker stärker 300, und das 40-mV-Signal erscheint am Eingang
306, 312 und 336, 342 bewirken dann eine erhebliche des zweiten ZF-Verstärkers 330. Der ZF-Signalpegel
Verstärkung für das schwache Zwischenfrequenzsignal, am Ausgang des zweiten Verstärkers reicht aus, um die
welches von der ZF-Signalquelle 200 geliefert wird. Ausgangsimpedanz mit der abgestimmten Schaltung
Wenn der Videosignalpegel mit zunehmendem Pegel 15 350 und den Eingang des dritten ZF-Verstärkers anzudes
empfangenen H F-Fernsehsignals ansteigt, dann steuern.
wächst der Wert der von der Regelschaltung 400 er- Der in F i g. 5 gezeigte Fernseh-Zwischenfrequenz-
zeugten Verstärkungsregelspannung. Diese stärkere verstärker ist in integrierter Form aufgebaut und ge-Regelspannung
bewirkt ein Anwachsen des Stromflus- prüft worden,wobei die PIN-Dioden 308, 338 und 378
ses durch den Widerstand 362 zur Vorspannungsnach- 20 gemäß den F i g. 4a und 4b aufgebaut waren. Es hat sich
bildungsschaltung 370 und der ZF-Verstärkungsregel- gezeigt, daß bei maximaler Verstärkungsabsenkung der
Spannungsleitung 360. Praktisch dieser gesamte Strom- Wert re des Transistors 306 durch den im Widerstand
Zuwachs fließt über den Widerstand 366 zur Regelspan- 310 fließenden Strom auf etwa 400 Ohm gehalten wurnungsleitung
und dann über den Transistor 376 nach de. Die Impedanz der PIN-Diode 308 hat sich von 4,5
Masse und bewirkt einen Spannungsabfall am Wider- 25 Ohm bei voller Verstärkung auf 130 0hm bei maximaler
stand 366. Da die Vorspannungsnachbildungsschaltung Verstärkungsabsenkung geändert. Bei voller Verstär-370
auf den Stromfluß von der Regelschaltung 400 hin kung war die Kapazität der PIN-Diode 308 vernachläsversucht,
den Spannungswert an der Basis des Transi- sigbar (d. h. die PIN-Diode bewirkte eine positive Phastors
372 etwa auf 3 Vb0 zu halten, wird der Spannungs- senverschiebung) und bei maximaler Verstärkungsababfall
am Widerstand 366 auf diesen 3Vi„-Punkt bezo- 30 Senkung wurde eine Kapazität der PIN-Diode 308 von
gen und bewirkt ein Abfallen der Regelspannung auf etwa 7 pF gemessen.
der Regelspannungsleitung unterhalb des 3-Vjw-Pegels.
Der Transistor 376 leitet dann praktisch den gesamten Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
von der Regelspannungsschaltung 400 über den Wider-
stand 366 gelieferten Strom. Der restliche Teil des Stro- 35
mcs von der Regelspannungsschaltung 400 wird der Basis des Transistors 372 zugeführt, damit die Vorspannungsnachbildungsschaltung 370 diesen erhöhten
Strom leitet.
mcs von der Regelspannungsschaltung 400 wird der Basis des Transistors 372 zugeführt, damit die Vorspannungsnachbildungsschaltung 370 diesen erhöhten
Strom leitet.
Die abgesunkene Rcgelspannung auf der Leitung 360 40
wird den ZF-Verstärkern 300 und 330 zugeführt, woraufhin die Steilheit der Transistoren 306 und 336 abnimmt. Der den PIN-Dioden 308 und 338 von den Transistoren 306 bzw. 336 zugeführte Durchlaßgleichstrom
nimmt ab, und die PIN-Dioden 308 und 338 erhöhen 45
ihren Widerstand. Die vergrößerten Emitterimpedanzen der Transistoren 306 und 336 bewirken eine Verstärkungsverminderung der Kaskodeverstärker 306,
312 und 336,342.
wird den ZF-Verstärkern 300 und 330 zugeführt, woraufhin die Steilheit der Transistoren 306 und 336 abnimmt. Der den PIN-Dioden 308 und 338 von den Transistoren 306 bzw. 336 zugeführte Durchlaßgleichstrom
nimmt ab, und die PIN-Dioden 308 und 338 erhöhen 45
ihren Widerstand. Die vergrößerten Emitterimpedanzen der Transistoren 306 und 336 bewirken eine Verstärkungsverminderung der Kaskodeverstärker 306,
312 und 336,342.
Die von der Regelspannungsschaltung 400 gelieferte 50
Verstärkungsregelspannung nimmt weiter ab, wenn der
Videosignalpegel sinkt, und die Vorspannungsnachbildungsschaltung 370 läßt den Wert der Regelspannung
auf der Leitung 360 weiter absinken. Infolge der sinkenden Regelspannung wird die Steilheit gm der ZF-Ver- 55
Stärkertransistoren 306 und 336 weiterhin vermindert,
und die Widerstände der PIN-Dioden 308 und 338 nehmen weiter zu. Wie im Zusammenhang mit Fig. 1 erwähnt worden war. erreichen die Steilheiten der Transistoren 306 und 336 schließlich einen Minimalwert, bei 60
welchem das ZF-Signal von 10 mV an ihren jeweiligen
dynamischen Emitterwiderständen re abfällt. Hier stabilisiert sich die Steilheit gm der Transistoren 306 und 336
durch den in den Widerständen 310 bzw. 340 fließenden
Strom, und eine weitere Verstärkungsabsenkung wird 65
erreicht durch weitere Zunahme der Widerstände der
PIN-Dioden 308 und 338, die einen zusätzlichen Spannungsabfall bis zu 30 mV an jeder der PIN-Dioden er-
Verstärkungsregelspannung nimmt weiter ab, wenn der
Videosignalpegel sinkt, und die Vorspannungsnachbildungsschaltung 370 läßt den Wert der Regelspannung
auf der Leitung 360 weiter absinken. Infolge der sinkenden Regelspannung wird die Steilheit gm der ZF-Ver- 55
Stärkertransistoren 306 und 336 weiterhin vermindert,
und die Widerstände der PIN-Dioden 308 und 338 nehmen weiter zu. Wie im Zusammenhang mit Fig. 1 erwähnt worden war. erreichen die Steilheiten der Transistoren 306 und 336 schließlich einen Minimalwert, bei 60
welchem das ZF-Signal von 10 mV an ihren jeweiligen
dynamischen Emitterwiderständen re abfällt. Hier stabilisiert sich die Steilheit gm der Transistoren 306 und 336
durch den in den Widerständen 310 bzw. 340 fließenden
Strom, und eine weitere Verstärkungsabsenkung wird 65
erreicht durch weitere Zunahme der Widerstände der
PIN-Dioden 308 und 338, die einen zusätzlichen Spannungsabfall bis zu 30 mV an jeder der PIN-Dioden er-
Claims (7)
1. Regelbarer Verstärker für Signale mit Frequenzen über 1 MHz für einen Fernsehempfänger, mit
einem in Emittergrundschaltung betriebenen ersten Transistor (110), dessen Basis an eine Eingangssignalquelle
angeschlossen ist, mit dessen Kollektor eine Lastimpedanz (116) verbunden ist und dessen
Emitter über eine in Durchlaßrichtung vorgespannte PIN-Diode (112) mit einem Bezugspotentialpunkt
verbunden ist, und mit einer an den ersten Transistor angeschlossenen Regelspannungsquelle zur gleichzeitigen
Änderung der Vorspannung des Transistors und der PIN-Diode, dadurch gekennzeichnet,
daß parallel zu der PIN-Diode (112) ein Widerstand (114) geschaltet ist
2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Regelspannungsquelle (140) derart mit dem ersten Transistor (110) gekoppelt ist, daß sie
die Durchlaßvorspannung seines Bassis-Emitter-Überganges und der PIN-Diode (112) bestimmt.
3. Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (110) ein
NPN-Transistor ist, daß die PIN-Diode (112) anodenseitig an den Emitter dieses Transistors und kathodenseitig
an eine Bezugspotentialquelle (Masse) angeschlossen ist und daß die Regelspannungsquelle
(140) an die Basis des ersten Transistors angeschlossen ist.
4. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Regelspannung
über einen Spannungsbereich veränderbar ist, der einen ersten Bereich, in dem die Steilheit des ersten
Transistors (110) und die Impedanz der PIN-Diode (112) sich ändern, und einen zweiten Bereich, in dem
die Steilheit des ersten Transistors (110) im wesentlichen konstant ist und sich nur die Impedanz der
PIN-Diode(112) ändert, umfaßt.
5. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor
(110) über einen zweiten Transistor (104) an die Eingangssignalquelle
(150) angeschlossen ist und der zweite Transistor (104) mit seinem Kollektor an eine
Betriebsspannungsquelle (B+), mit seiner Basis an die Eingangssignalquelle (150) und die Regelspannungsquelle
(140) und mit seinem Emitter an die Basis des ersten Transistors (110) angeschlossen ist.
6. Verstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des zweiten Transistors
(104) über einen zweiten Widerstand (106) mit dem Bezugspotentialpunkt (Masse) verbunden ist.
7. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Lastimpedanz (320
oder 350) über einen in Basisgrundschaltung betriebenen dritten Transistor (312 oder 342) mit dem Kollektor
des ersten Transistors (306 oder 336) gekoppelt ist und daß diese beiden Transistoren einen Kasküucvci'Siärkcr
uiiilcn.
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