DE1951295C3 - Regelbarer Transistorverstärker - Google Patents
Regelbarer TransistorverstärkerInfo
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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Description
Die Erfindung betrifft einen regelbaren Tansislorverstärker,
insbesondere für Zwisehenfrequenzstufen, mit einem dem geregelten Transistor zur Vermeidung einer
Libersteuerung vorgeschalteten Dämpfungsglied in Form eines Spannungsteilers aus einem Widerstand und
einem in seinem Leitungswiderstand mit Hilfe einer Rcgclspannung unter Maßgabe oines Schwellenwertes
veränderbaren Halbleiterbauelement.
Ureitbandige Transistorverstärker dieser Art werden
als Stufe mit geregelter Verstärkung im Zwischenfrcquenzkanal
von Fernsehempfängern eingesetzt. Die Tuner solcher Empfänger liefern ein Ausgangssignal,
welches bei der minimalen SignaKtärke, wenn keine Regelspannung für die automatische Verstärkungsregelung
angelegt wird (Zustand der maximalen Empfindlichkeit), einige Zehntel Millivolt beträgt. Bei maximaler
Signalstärke, wenn solche Regelspannung (AVR-Spannung)
angelegt wird (Zustand minimaler Empfindlichkeil), erreicht der vergleichbare Wert des Ausgangssignals
häufig bis zu K)O Millivolt.
Während der kleinere dieser beiden Werte von dem in üblicher Weise in Ka.skode liegenden Transistorpaar
in der nachfolgenden, geregelten ZF-Stufe ohne weiteres verarbeitet wird, ergeben sich beim Anlegen
des größeren Spannungswerles an die beiden Transistoren starke Verzerrungen im verstärkten Ausuaugssignal.
Durch eine Dämpfung des an die beiden Transistoren angelegten Signales auf einen annehmbaren
Wert im Falle großer Eingangssignalamplituden wird diese Verzerrung zwar herabgesetzt, doch würde
eine ähnliche Dämpfung der Signale im Falle kleiner Eingangssignalamplituden den Rauschzustand des erzeugten
Ausgangssignals verkleinern, da die Haupiqucl-Ie des Rauschens, nämlich diejenige des in Emitterschaltung
liegenden Kaskoiistrunsistors. praktisch unverändert
wirksam bleiben würde.
Zur Vermeidung dieses Nachteiles ist es bekannt (DE-PS 12 30 097 und L)S-PS 30 38 072). parallel zur
Steuerstrecke des geregelten Transistors einen mit Hilfe einer Diode cinschaltbarcn kapazitiven Nebenschluß zu
legen. Bei kleinen Eingangssignalen ist die in ihrem Leitungszusiand mil I lilfe der Regelspannung gesteuerte
Diode gesperrt, so daß der Ableitkondensator des Nebenschlusses unwirksam ist. Hei einem bestimmten
Schwellenwert der Regelspannung wird die Diode in ihren Lcitungsziistand umgeschaltet, so daß der
Ablcitkondensalor wirksam wird und die Signale von der Basis dc>
geregelten Transistors nach Masse ableitet. Nach einem älteren Vorschlag (DE-AS 12 80 <49) ist dem Eingang des geregelten Verstärkers
ein Spannungsteiler vorgeschaltet, welcher aus der mit der Signalquelle (Antenne) verbundenen Parallelschaltung
eines Dämpfungswidcrstandes mit einer Schalterdiode und dem Eingangswiderstand des Regelvcrstärkcrs
gebildet ist. Die durch Blockkondcnsatoren gleichmäßig vom Spannungsteiler getrennte Diode ist
zwischen die beiden Ausgänge eines Multivibrators geschallet, welcher je nach seinem Schaltzusland
die Diode in ihren Sperr/iistand oder ihren lcileiiden
Zustand vorspannt. Der Schaltzustand des bistabilen Multivibrators wird durch die Regelspannung
bestimmt. Bei leitender Diode liegt das volle Antcnncnsignal am Eingang des Regclvcrstärkcrs, bei gesperrter
Diode ist dort dagegen nur ein durch das Teilerverhältnis von Dämpfungswidersland und Eingangswiderstand
bestimmtet Bruchteil des Anlennensignals wirksam. Bei diesen Schaltungen wird der Regelbereich durch das Zu-
und Abschalten von Ableitungs- oder Dämpfungsimpcdän/.eü
in zwei Teilbereiche für kleine bzw. große Eingangssignale aufgeteilt. Zwar Ia(Jt sich auf diese
Weise eine Übersteuerung des geregelten Transistors vermeiden, jedoch ergeben sich beim Übergang von
einem Teilbereich in den -anderen infolge des Zu- bzw.
Abschallens der Impedanzen Sprünge im Rcgclverhalten,
die zu kurzzeitigen Instabilitäten im geregelten Signal führen, die sich in der Wiedergabe nachteilig
bemerkbar machen körnen. Bei den mit kapa/iliven
Nebenanschlüssen arbeitenden Schaltungen sind ferner
Kondensatoren erforderlich, die bei der Ausbildung der Schaltung in integrierier Form eine relativ grolie Fläche
des Halbleiierplüttchens zu vermeiden sind.
Weiterhin ist aus der US-PS JJ 88 JJ8 ein regelbarer
Verstärker bekannt, bei welchem der Verstärktingsgrad
eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors geregelt wird. Der von einem solehen Transistor verarbeitbare
KegelspannungsliereiLh ist jedoch wegen der begrenzten
Spannungsbelastbarkeil der Isolierschicht sehr eingeschränkt, so daß die bekannte Schaltung den
insgesamt erwünschten Regelbereich in zwei Teilbereiche aufteilt. Innerhalb des ersten Regelspannungsbereiches
wird die Verstärkung des Feldeffekttransistors in üblicher Weise über die seiner Ciateelektrode zugeführte
Regelspannung verändert. Übersteigt die Rcgelspannung bei wachsendem Eingangssignal einen bestimmten
Grenzwert, .so wird ein bis dahin gesperrter bipolarer
Transistor, welcher parallel zu der Reihenschaltung der Source-Drain-Strecke des Feldeffekttransistors mit
dessen Arbeitsimpedanz geschaltet ist, zunehmend in den Lcilungszustand gesteuert, so daß die am
Feldeffekttransistor wirksame Betriebsspannung zunehmend verringert wird. Die Gatevorspannung des
Feldeffekttransistors wird in diesem zweiten Regelspannungsbercieh auf einen festen Wert geklemmt, der von
der Isolierschicht des Feldeffekttransistors vertragen wird. Obwohl diese bekannte Schaltung den normalen
Regelbereich von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren erweitert, ist auch der zweite Regelspannungsbereich,
welcher die Abhängigkeit der Verstärkung von der Betriebsspannung des Feldeffekttransistors ausnutzt,
relativ klein, und bei seiner Überschreitung treien starke
Signalverzerrungen auf.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung einer regelten Schaltung, welche ein kontinuierliches
Regelverhalten innerhalb eines gegenüber dem Stande der Technik erweiterten Regelbereiches zeigt und
außerdem keine Kondensatoren benötigt, so daß sie sich insbesondere lür die Ausbildung in integrierter Form
eignet.
Bei einem regelbaren Transistorverkehr, insbesondere für Zwischenfrequcnzstufen, mit einem dem geregelten
Transistor zur Vermeidung einer Übersteuerung vorgcschaltcien Dämpfungsglied in F'irm eines Spannungsteilers
aus einem Widerstand und einem in seinem Leitungszustand mit Hilfe einer Regelspannung unter
Maßgabe eines Schwellenwertes veränderbaren Halbleiterbauelement wird dies»" Aufgabe erfindiingsgemäß
dadurch gelöst, daß der Spannungstcilerabgriff über den Widerstand mit der Signalquelle und der Regelspannungsquelle
über die Kolleklor-Emitter-Streckc eines bei unterhalb des Schwellwertcs liegender Regelspannung
gesperrten Spannungsteilertransistors mit einem Fcstpolenlial und über eine Gleichspannungsverbindting
mit der Basis des geregelten Transistors verbunden ist, und daß von der Basis des geregelten
Transistors eine galvanische Verbindung zur Basis eines bei unterhalb des Schwellwertes liegender Regelspannung
gesättigten Sleiierlransistörs geführt ist, dessen
mit einem Kondensator überbrückte Kollektor-Emitter-Strecke zwischen ein Be/.ugspotcntial und die Basis des
Spannungsteilertransistors geschaltet ist, die außerdem über einen Koppelwiderstand mit einer den Schwellwert
bestimmenden Spannungsquclle verbunden isi.
Die Verwendung eines kontinuierlich steuerbat jn
llalhlcitcrbaiielcmcnlcs in Form eines Transistors im
Spannungsteiler des Dämpfungsgliedes erlaubt in Verbindung mit dem diesen Transistor ansteuernden
SteuertranMsior die Vermeidung von Übergangsphänomenen
im Regelverhalten und ermöglicht einen kontinuierlichen Übergang vom einen Regelbereich, in
- dem nur die Regelung des Verstärkertransistors erfolgt,
in den anderen Regelbereich, in dem das Dämpfungsglied wirksam wird, dessen Spannungsteilerverhälinis
nicht umgeschaltet, sondern kontinuierlich verändert wird.
ι Einzelne zweckmäßige Ausgestaltungen der im Anspruch 1 gekennzeichneten Erfindung sind in den
Unteransprüchen angegeben. Der emiiterseitig mit dem
Widerstand, dessen anderem Ende das zu verstärkende Signal zugeführt wird, verbundene Dämpfungstransi-
--, stör bildet mit diesem Widerstand zusammen einen Spannungsteiler, dessen Teilerverhältnis entsprechend
der Impedanzänderung des Dämpfungswiderstandes bei basisseiliger Ansteuerung vom Steuertransistor aus
verändert wird. Diese Dämpfungswirkung setzt ein,
in wenn der geregelte Transistor in seiner Verstärkung
soweit herabgercgelt ist, daß bei weiterer Herubrcgclung
unerwünschte Verzerrungen auftreten würden.
Die Koppelung des Abgriffs dieses Spannungsteilers mit der Steuerelektrode des geregelten Transistors über
;.s Emiiierfuiger erhöht die am Spannungsteilcrabgriff
wirksame Impedanz, so daß im ersten Regelbereich bei noch gesperrtem Dämpfungstransistor der Spannungsteilerwiderstand
keine unerwünschte Signaldämpfung bewirkt, so daß gewünschlenfalls die volle
in Verstärkung zur Verfügung stehen kann.
Die Verbindung der Basis des Sleuertransisiors über
einen Widerstand mit der Basis des geregelten Transistors ergibt einen Rückkopplungskreis, welcher
eine Stabilisierung der Gleichspannung an der Basis des
i> geregelten Transistors bei leitendem Dämpfungstransistor
erlaubt, so daß im zweiten Regelbereich die Regelung ausschließlich über eine Veränderung des
.Spannungsteilerverhältnisses erfolgt.
Durch Vorschaltung eines Emitterfolgers vor den
.jo Spannungsteiler werden Auswirkungen der mit der
Dämpfungsregelung verbundenen Impedanzänderungen (des Dämpfungsiransistors) auf die das Eingangssignal
liefernde Quelle verhindert. Dies ist im ( alle der Lieferung der Eingangssignale durch (.ine ZF-Ver-
.15 stärkerstufe eines Fernsehempfängers erwünscht, um
eine Verstimmung der ZF-Kreise zu vermeiden. In einem solehen Anwendungsfall empfiehlt sich auch die
Verwendung einer zusätzlichen Gegenkopplungsschleifc, insbesondere wenn der geregelte Verstärker
vi seinerseits eine weitere ZF-Verstärkerstufe speist.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung näher beschrieben.
Der üargestellte Breitbandverstärker enthält zwei in Kaskode geschaltete Transistoren 10 und 12, die als
>-. Teile einer integrierten Schaltung ausgebildet sind,
welche sich innerhalb der mit einer unterbrochenen Linie dargestellten Rechtecks befindet. Der Emitter des
Transistors 10 ist ar den Kollektor des Transistors 12 geschaltet, während der Emitter des Transistors 12 an
ι«· einen Punkt 35 eines Bezugspotentials für die integrierte
Schaltung, wie z. B. Masse, angeschlossen ist, der an einer Kontaktfläche 3 zur Verfügung steht.
Die Basis des Transistors 10 liegt an einer Versorgungsspannung.^uelle + K1, während der Basis
'. des Transistors 12 die zu verstärkenden Signale zugeführt werden, wie noch erläutert werden wird. Die
Eingangssignale, die von dem dargestellten Breibandvcrstärker verstärkt werden ςηΙΙηη wprrlpn an Hip
integrierte Schallting über cine Koniaktflächc 5
zugeführt, und die Ausgangssignale der Schaltung
stehen am Kollektor des Transistors IO und an einer Kontaklfliichc 7 zur Verfügung.
Der lircitbandvcrslärkcr besitzt ferner drei als
Emitterfolger geschaltete Transistoren 14, 16 und 18.
denen jeweils ein l.asiwiderstand 20, 22 bzw 24 zugeordnet ist. Die Kollektoren dieser Transistoren sind
gemeinsam an eine Versorgiingsspanniingsqiiclle t V;
angeschlossen, wahrend ihre limitier über ihren jeweils
zugeordneten testwiderstand mit dem Bezugspotcnlial
I in η k I 15. also mit Masse, verbunden sind.
Der 1.milter des Transistors 16 ist ferner mit der H.isis
des Transistors 18 leitend verbunden. Der !!millet des Transistors 18 isl außerdem mit der liasis des
Transistors 12 verbunden, und die liasis des Transistors 14 isl an die Kontaktfla'chc 5 fü: die Eingangssignalc
angeschlossen
Der dargestellte Breitbandverstärker enthält weiier
hin eine Schaltung, mittels welcher Signale vom !-!miller
lies Transistors 14 zur Hasis des Transisiors lh gekoppelt werden. Im einzelnen enthält diese Schaltung
zwei Transistoren 26 und 28 und zwei Widerslände 30
und 32. Der Kollektor des Transistors 26 liegt an der
Versorgiingsspanniingsrjiielle + V;. während der Kollektor
des Transistors 28 mit der Basis des Transisiors
26 /usammengeschaltet ist. Der Kollektor des 'transistors
28 isl außerdem an eine Konlaktfläche 9 angeschlossen, über welche tier Halbleiterscheibe, aiii
der die integrierte Schaliiing ausgebildet ist. zu einem
weiter unten näher erläuterten /weck Steuerströme
zugeführt w erden.
Der Widerstand 30 ist zwischen die I.miller der
Transistoren 14 und 2f> geschaltet und der Widersland
32 liegt zwischen den Hasen der Transistoren 12 und 28.
Der !!miller des Transistors 26 schließlich ist direkt mit
der liiisis des Transistors 16 zusammengeschallel, und
der !-!muter des "transistors 28 liegt direkl am
Beziigspoientialpunkl 35.
Wenn der dargestellte Verstärker als die erste /l-'-Verslarkerslufe mn Verstärkungsregelung in einem
farbfernsehempfänger \erwendet wird, wird die Konlaktfläche
5 fiir die füngangssignale über einen
Kondensator 51 mit dem Ausgang des Tuners gekoppelt, der durch die Klemme 53 angedeutet ist. Die
Kontakifläche 7 fur die Alisgangssignale ist mit dem
Eingang einer /weilen Zt -Verstärkerstufe, nämlich der
Klemme 55. und außerdem über einen Resonanzkreis 57. der auf 50 MHz (entsprechend US-Norm) abgestimmt
isi. und einen Widerstand 59 mit einer BelriebsspannungsqucHe + V'i für die Kaskodelransistoren
10 und 12 verbunden.
Die Vorspannung für die Basis des Transistors 14 wird von einer Spannungsteilerschaltung mit Widerständen
59, 61, 63 und 65 geliefert, welche in dieser Reihenfolge
in Reihe zwischen der Spannungsquelle + V1 und Masse
geschallet sind. Die Kontaktfläche 5 ist an die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 63 und
65 angeschlossen.
Die Regelspannung für die automatische Verstärkungsregelung,
nachfolgend kurz AVR-Spannung genannt, wird über eine Klemme 67 an die Verbindungsslelle
zwischen den Widersländen 61 und 63 angelegt. Sie dient zur Änderung der Basisvorspannung des
Transistors 14. An jedem Ende des Widerstandes 61 befindet sich ein Ableitkondensator 69 bzw. 71. Eine
zusätzliche .Steuerspannungsquelle + Va ist über eine
Klemme 73 und einen Widerstand 75 an die Kontakifläche 9 angeschlossen, und ein Ablcitkondensalor
77 verbindet die Konlaktfläche 9 mit Masse. Diese Spanniingsquelle ( l'i und der Widerstand 75. die beide
außerhalb der inlegrierlen Schaltung angeordnet sind,
bilden die schon erwähnte Stromquelle, mit welcher der
Schwellwcrl der Dämpfiingswirkiing eingestellt wird.
Hei den angegebenen I Imgehungsheilingungen reicht
die Amplitude der vom tuner an die Klemme 5 5 angelegten Signale typischerweise von wenigen Zehnteln
eines Millivolts bis /» etwa KMI MüIimiIi. Signale,
deren Amplituden in der Nähe tier oberen (ircn/c
dieses Bereiches liegen, konnten die Verstärkerstufe aus
den in Kaskode geschalteten 'transistoren 10 und 12
überlasten und infolgedessen verzerrt werden Bei einem Breitbandverstärker gemäß der Erfindung wird
diese I Ibersleueriing jedoch vermieden.
Wenn heim Betrieb des Verstärkers keine Signale an die Klemme 53 anuclcLi werden, betraut die Spannnut:
ander Basis des 1 ransislors 16 gegenüber dem l'iinkl 55
(Masse) ungefähr \ 2.1 V. entsprechend der Summe der zwischen Basis und !!mittel jedes der 'transistoren 12.
16 und 18 abfallenden Spannungen von jeweils 0.7 V. Die Spannung 4 l!<
und die Widerstände 32 und 75 sind so gewählt, daß bei diesem Ruhezustand der durch den
Widerstand 32 fließende resultierende Strom den transistor 28 in einen Sältigiingszustand bringt,
während vine Kolleklorspannuiig den Transistor 26 gesperrt hall.
Werden f-üngangssignalc mil zunehmender Ampliltide
zugeführt, so wird ein Pegel eneichl werden, bei
welchem eine AVR-Span:iung auf irgendeine bekannte
Weise erzeugt wird und an der Klemme 67 anliegt, um die Signalamplitiide an der Ausgangskiemine 55 des
Verstärkers /\\ stabilisieren. Diese Regelspannung wird
mittels der Spanniingsteilerwiderslände 63, 65. der transistoren 14, 16 und 18 und ties Widerstandes 30 von
der Klemme 67 zum transistor 12 übertragen, dessen
Leitfähigkeit sie dadurch herabsetzen, daß sie seine
Basisvorspanming verkleinern, d. Ii. negativ machen.
Zur gleichen Zeit werden dem Transistor 12 auch die Eingangssignalc über den Transistor 14. den Widersland
30. den Transistor 16 und den Transistor 18 zugeführt. Danach würde als Folge zunehmender Eingangssignaislärke
der Verstärkungsfaktor ties T ransistors 12 weiter sinken, um die gewünschte Stabilisierung des Ausgangssignals
zu gewährleisten, und außerdem der Transistor 28 im Sättigungszustand bleiben, bis die übertragene
Vcrstärkungsregclspannung das Erreichen einer bestimmten Vorspannung am Transistor 12 verursachen
würde. Wenn dieser Pegel jedoch erreicht ist. gcschi ht
folgendes:
Erstens wird der Transistor 28 aus der Sättigung gesteuert, so daß seine Kollcktorspannung und somit
die Basisvorspannung des Transistors 26 ansteigt. Wenn aufgrund dieses Anstiegs der Transistor 26 leitend wird,
ändert sich das Teilerverhältnis des aus dem Transistor 26 und dem Widerstand 30 gebildeten Spannungsteilers
im Sinne einer Dämpfung des der Basis des Transistors 16 vom Emitter des Tranistors 14 z.ugcführten Signals.
Es sei in diesem Zusammenhang darauf hingewiesen, daß die als Emitterfolger geschalteten Transistoren 16
und 18 so arbeiten, daß sie die Eüigangsimpedanz des
dem Widerstand 30 nachgeschalteten Verstärkers erhöhen. Der Widerstand 30 wird so gewählt, daß er im
Vergleich mil der wirksamen Eingangsirnpedanz zwischen
der Basis des Transistors 16 und Masse genügend klein ist. so daß die AVR-Spannung nur wenig gedämpft
wird, wenn der Transistor 26 gesperrt ist.
Zweitens wird durch den Spannungsanstieg am Kollektor des Transistors 28 und die dadurch bedingte
lmpedanzverringe"iing des Transistors 26 die gesamte
AVR-Spannung so geteilt, daß die Gleichspannung an der Basis des Transistors 12 auf einen relaitv konstanten
Wert stabilisiert wird, wie gleich erläutert wird.
Wenr. die Amplitude des angelegten Eingangssignals
weiterhin ansteigt, steigt auch die AVR-Spannung weiter an, wird also negativer. Die die Transistoren 16,
18, 26 und 28 und den Widerstand 32 enthaltende Gegenkopplungsschleife dient jedoch zur Stabilisierung
der Gleichspannung an der Basis des Transistors 26 und wirkt folglich jeder Änderung entgegen, die durch den
Anstieg der AVR-Spannung andernfalls in der Basisvorspannung des Transistors 12 bewirkt würde. Dieser
Zustand, bei dem die Vorspannung des Transistors 12 konstant gehalten wird, bestimmt das weitere Verhalten,
nachdem die Amplitude des Eingangssignals und dementsprechend auch die AVR-Spannung so weit
angesteigen sind, daß der Transistor 28 außer Sättigung kommt.
Wenn die Amplitude des angelegten Eingangssignals nun weiter ansteigt, bewirkt gleichzeitig die an den
Transistor 14 angelegte wachsende AVR-Spannung, daß die Spannung am Emitter dieses Transistors
weniger positiv wird. Dies hat wiederum einen Anstieg des durch den Widerstand 30 fließenden Stromes zur
Folge, wodurch der Transistor 26 stärker leitend wird und die an seinem Emitter wirksame Impedanz sich
vermhdert. Dadurch wird das am Emitter des
Transistors 14 erscheinende Signal im Maße dieser Impedanzverminderung entsprechend dem sich ändernden
Spannungsteilerverhältnis (Transistor 26, Widerstand 30) gedämpft, wenn es zur Basis des Transistors 16
übertragen wird, wobei die Dämpfung direkt proportional zur Amplitude des Eingangssignals ist. Im Ergebnis
werden also die Signalamplituden an den Basen der Transistoren 16, 18 und — was wichtiger ist — an der
Basis des Transistors 12 stabilisiert. Wenn somit das Eingangssignal eine Amplitude erreicht hat, wird
welcher der Transistor 28 aus der Sättigung gerät, wird die Regelung der Signalamplitude an der Ausgangs
klemme 55 durch die Wirkung des Dämpfungstransistors 26 in Verbindung mit dem Widerstand 30
bestimmt. Mit anderen Worten: Für einen ersten Amplitudenbereich der Eingangssignale erfolgt die
Regelung im beschriebenen Verstärker mittels der AVR-Spannung. welche den Verstärkungsfaktor der
Stufe mit dem Transistor 12 herabsetzen, während außerhalb dieses Bereiches die Regelung durch eine
Dämpfungswirkung erfolgt, welche de Amplitude der an den Transistor 12 angelegten, zu verstärkenden Signale
herabsetzt.
Es ist leicht einzusehen, daß die Abgrenzung zwischen
ίο der ersten Art von Regelung und der zweiten
Regelungsart primär und genau durch eine entsprechende Wahl der Spannungsquelle + V« und des Widerslandes
75 festgelegt wird, die gemeinsam den Schwellenwert festlegen, bei welchem der Transistor 28 aus der
Sättigung kommen wird. Ferner dient der als Emitterfolger geschaltete Transistor 14 dazu, die sich aufgrund der
Dämpfungswirlung ergebenden Impedanzänderungen an der die Eingangsklemme 53 angeschlossenen
Schaltung (Eingangssignalquelle) nicht wirksam werden zu lassen.
Diese Betriebsweise bietet besondere Vorteile im ZF-Verstärker eines Fernsehempfängers. Dort werden
vom Tuner Eingangsisgnale geliefert, Jeren Amplitude
ungefähr von einigen Zehnteln eines Millivolts bis zu 100 mV reicht. Damit im Ausgangssignal eines Kaskodeverstärkers
(z. B. mit den Transistoren 10 und 12) keine Verzerrungen auftreten, sollte der maximale
Signalhub an der Basis des in Emitterschaltung liegenden Transistors des Paares (z. B. des Transistors
12) etwa 10 mV betragen. Bei einem Verstärker gemäß der Erfindung ist es ohne weiteres möglich, die
Dämpfungswirkung hinauszuzögern, bis die Amplitude des an dem Transistor 12 angelegten Signals diesen
Wert von 10 mV erreicht, und zwar durch entsprechende Wahl der Spannung + V4 und des Widerstandes 75.
Wenn die entsprechenden Eingangssignalamplituden so stark ansteigen, daß diese Grenze von 10 mV
überschritten würde, so hält die Dämpfungsschaltung die Amplitude der an den Transistor 12 angelegten
Signale konstant, so daß Verzerrungen des erzeugten Ausgangssignals verhindert werden. Für entsprechende
Eingangssignale unterhalb dieser Amplitudengrenze erfolgt keine Dämpfung, so daß sich keine Verschlechterung
des Störabstandes im Ausgangssignal ergibt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Regelbarer Transistorverstärker, insbesondere für Zwisehenfrequenzstufen mit einem dem geregelten
Transistor zur Vermeidung einer Übersteuerung vorgeschalteten Dämpfungsglied in Form eines
Spannungsteilers aus einem Widerstand und einem in seinem Leitungszustand mit Hilfe einer Regel-.spaniiung
unter Maßgabe eines Schwellenwertes veränderbaren Halbleiterbauelement, dadurch
gekennzeichnet, daß der Spannungsteilerabgriff
über den Widerstand (30) mit der Signalquelle (53, 14) und der Rcgelspannungsquelle (67, 14), über
die Kolleklor-Emitter-Strecke eines bei unterhalb des Schwellwerles liegender Regelspannung gesperrten
Spunnungsteilertransistors (26) mit einem Festpoiential (+ Vi) und über eine Gleichspannungsverbindung (16, 18) mit der Basis des geregelten
Transistors (1?) verbunden ist. und daß von der Basis des geregellen Transistors (12) eine galvanische
Verbindung (32) zur Basis eines bei unterhalb des Schwellwerles liegender Regelspannung gesättigten
Steuertransislors (28) geführt ist, dessen mit einem Kondensator (77) überbrückte Kollektor-Emitter-Strecke
zwischen ein Bczugspotcmial (Masse) und
die Basis des Spannungsteilertransistors (26) geschaltet ist, die außerdem über einen Koppelwidersland
(75) mit einer den Schwellwert bestimmenden Spannungsquclle(+ Ki) verbunden ist.
2. Transistorverstärker nach Anspruch !,dadurch
gekennzeichnet, daß der geregt-'.e Transistor (12) und der Steuertransistor (2S) in Emittcrgrundschaltung
geschaltet sind und daß der T; insistor (26) des Dümpfungsglicdcs mit seinem Emitter an den
Spannungsteilcrabgriff angeschlossen ist.
3. Transistorverstärker nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichspannungsvcrbindung
mindestens einen als Emitterfolger geschalteten Transislor(18) enthält.
4. Transistorverstärker nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Stcucrtransistors
(28) über einen Widerstand (32) mit der Basis des geregelten Transistors (12) verbunden ist.
5. Transistorverstärker nach einem der vorstrehenden
Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalquelle einen an seiner Basis über einen
Koppelkondensator (51) mit den Signalen angesteuerten Emitterfolgertransislor (14) enthält und
daß vom Kollektor des geregelten Transistors (12) eine galvanische Gegenkopplungsschleifc (10,57,59,
61, 63, 65, 69, 71), in welche gleichzeitig die Regelspannung (über Klemme 57) eingespeist wird,
auf die Basis des Emitterfolgerlransistors (14) geführt ist.
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