DE1951295C3 - Regelbarer Transistorverstärker - Google Patents

Regelbarer Transistorverstärker

Info

Publication number
DE1951295C3
DE1951295C3 DE1951295A DE1951295A DE1951295C3 DE 1951295 C3 DE1951295 C3 DE 1951295C3 DE 1951295 A DE1951295 A DE 1951295A DE 1951295 A DE1951295 A DE 1951295A DE 1951295 C3 DE1951295 C3 DE 1951295C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
voltage
base
resistor
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1951295A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1951295A1 (de
DE1951295B2 (de
Inventor
Jack Rudolph Flemington N.J. Harford (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE1951295A1 publication Critical patent/DE1951295A1/de
Publication of DE1951295B2 publication Critical patent/DE1951295B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1951295C3 publication Critical patent/DE1951295C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen regelbaren Tansislorverstärker, insbesondere für Zwisehenfrequenzstufen, mit einem dem geregelten Transistor zur Vermeidung einer Libersteuerung vorgeschalteten Dämpfungsglied in Form eines Spannungsteilers aus einem Widerstand und einem in seinem Leitungswiderstand mit Hilfe einer Rcgclspannung unter Maßgabe oines Schwellenwertes veränderbaren Halbleiterbauelement.
Ureitbandige Transistorverstärker dieser Art werden
als Stufe mit geregelter Verstärkung im Zwischenfrcquenzkanal von Fernsehempfängern eingesetzt. Die Tuner solcher Empfänger liefern ein Ausgangssignal, welches bei der minimalen SignaKtärke, wenn keine Regelspannung für die automatische Verstärkungsregelung angelegt wird (Zustand der maximalen Empfindlichkeit), einige Zehntel Millivolt beträgt. Bei maximaler Signalstärke, wenn solche Regelspannung (AVR-Spannung) angelegt wird (Zustand minimaler Empfindlichkeil), erreicht der vergleichbare Wert des Ausgangssignals häufig bis zu K)O Millivolt.
Während der kleinere dieser beiden Werte von dem in üblicher Weise in Ka.skode liegenden Transistorpaar in der nachfolgenden, geregelten ZF-Stufe ohne weiteres verarbeitet wird, ergeben sich beim Anlegen des größeren Spannungswerles an die beiden Transistoren starke Verzerrungen im verstärkten Ausuaugssignal. Durch eine Dämpfung des an die beiden Transistoren angelegten Signales auf einen annehmbaren Wert im Falle großer Eingangssignalamplituden wird diese Verzerrung zwar herabgesetzt, doch würde eine ähnliche Dämpfung der Signale im Falle kleiner Eingangssignalamplituden den Rauschzustand des erzeugten Ausgangssignals verkleinern, da die Haupiqucl-Ie des Rauschens, nämlich diejenige des in Emitterschaltung liegenden Kaskoiistrunsistors. praktisch unverändert wirksam bleiben würde.
Zur Vermeidung dieses Nachteiles ist es bekannt (DE-PS 12 30 097 und L)S-PS 30 38 072). parallel zur Steuerstrecke des geregelten Transistors einen mit Hilfe einer Diode cinschaltbarcn kapazitiven Nebenschluß zu legen. Bei kleinen Eingangssignalen ist die in ihrem Leitungszusiand mil I lilfe der Regelspannung gesteuerte Diode gesperrt, so daß der Ableitkondensator des Nebenschlusses unwirksam ist. Hei einem bestimmten Schwellenwert der Regelspannung wird die Diode in ihren Lcitungsziistand umgeschaltet, so daß der Ablcitkondensalor wirksam wird und die Signale von der Basis dc> geregelten Transistors nach Masse ableitet. Nach einem älteren Vorschlag (DE-AS 12 80 <49) ist dem Eingang des geregelten Verstärkers ein Spannungsteiler vorgeschaltet, welcher aus der mit der Signalquelle (Antenne) verbundenen Parallelschaltung eines Dämpfungswidcrstandes mit einer Schalterdiode und dem Eingangswiderstand des Regelvcrstärkcrs gebildet ist. Die durch Blockkondcnsatoren gleichmäßig vom Spannungsteiler getrennte Diode ist zwischen die beiden Ausgänge eines Multivibrators geschallet, welcher je nach seinem Schaltzusland die Diode in ihren Sperr/iistand oder ihren lcileiiden Zustand vorspannt. Der Schaltzustand des bistabilen Multivibrators wird durch die Regelspannung bestimmt. Bei leitender Diode liegt das volle Antcnncnsignal am Eingang des Regclvcrstärkcrs, bei gesperrter Diode ist dort dagegen nur ein durch das Teilerverhältnis von Dämpfungswidersland und Eingangswiderstand bestimmtet Bruchteil des Anlennensignals wirksam. Bei diesen Schaltungen wird der Regelbereich durch das Zu- und Abschalten von Ableitungs- oder Dämpfungsimpcdän/.eü in zwei Teilbereiche für kleine bzw. große Eingangssignale aufgeteilt. Zwar Ia(Jt sich auf diese Weise eine Übersteuerung des geregelten Transistors vermeiden, jedoch ergeben sich beim Übergang von einem Teilbereich in den -anderen infolge des Zu- bzw. Abschallens der Impedanzen Sprünge im Rcgclverhalten, die zu kurzzeitigen Instabilitäten im geregelten Signal führen, die sich in der Wiedergabe nachteilig bemerkbar machen körnen. Bei den mit kapa/iliven
Nebenanschlüssen arbeitenden Schaltungen sind ferner Kondensatoren erforderlich, die bei der Ausbildung der Schaltung in integrierier Form eine relativ grolie Fläche des Halbleiierplüttchens zu vermeiden sind.
Weiterhin ist aus der US-PS JJ 88 JJ8 ein regelbarer Verstärker bekannt, bei welchem der Verstärktingsgrad eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors geregelt wird. Der von einem solehen Transistor verarbeitbare KegelspannungsliereiLh ist jedoch wegen der begrenzten Spannungsbelastbarkeil der Isolierschicht sehr eingeschränkt, so daß die bekannte Schaltung den insgesamt erwünschten Regelbereich in zwei Teilbereiche aufteilt. Innerhalb des ersten Regelspannungsbereiches wird die Verstärkung des Feldeffekttransistors in üblicher Weise über die seiner Ciateelektrode zugeführte Regelspannung verändert. Übersteigt die Rcgelspannung bei wachsendem Eingangssignal einen bestimmten Grenzwert, .so wird ein bis dahin gesperrter bipolarer Transistor, welcher parallel zu der Reihenschaltung der Source-Drain-Strecke des Feldeffekttransistors mit dessen Arbeitsimpedanz geschaltet ist, zunehmend in den Lcilungszustand gesteuert, so daß die am Feldeffekttransistor wirksame Betriebsspannung zunehmend verringert wird. Die Gatevorspannung des Feldeffekttransistors wird in diesem zweiten Regelspannungsbercieh auf einen festen Wert geklemmt, der von der Isolierschicht des Feldeffekttransistors vertragen wird. Obwohl diese bekannte Schaltung den normalen Regelbereich von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren erweitert, ist auch der zweite Regelspannungsbereich, welcher die Abhängigkeit der Verstärkung von der Betriebsspannung des Feldeffekttransistors ausnutzt, relativ klein, und bei seiner Überschreitung treien starke Signalverzerrungen auf.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung einer regelten Schaltung, welche ein kontinuierliches Regelverhalten innerhalb eines gegenüber dem Stande der Technik erweiterten Regelbereiches zeigt und außerdem keine Kondensatoren benötigt, so daß sie sich insbesondere lür die Ausbildung in integrierter Form eignet.
Bei einem regelbaren Transistorverkehr, insbesondere für Zwischenfrequcnzstufen, mit einem dem geregelten Transistor zur Vermeidung einer Übersteuerung vorgcschaltcien Dämpfungsglied in F'irm eines Spannungsteilers aus einem Widerstand und einem in seinem Leitungszustand mit Hilfe einer Regelspannung unter Maßgabe eines Schwellenwertes veränderbaren Halbleiterbauelement wird dies»" Aufgabe erfindiingsgemäß dadurch gelöst, daß der Spannungstcilerabgriff über den Widerstand mit der Signalquelle und der Regelspannungsquelle über die Kolleklor-Emitter-Streckc eines bei unterhalb des Schwellwertcs liegender Regelspannung gesperrten Spannungsteilertransistors mit einem Fcstpolenlial und über eine Gleichspannungsverbindting mit der Basis des geregelten Transistors verbunden ist, und daß von der Basis des geregelten Transistors eine galvanische Verbindung zur Basis eines bei unterhalb des Schwellwertes liegender Regelspannung gesättigten Sleiierlransistörs geführt ist, dessen mit einem Kondensator überbrückte Kollektor-Emitter-Strecke zwischen ein Be/.ugspotcntial und die Basis des Spannungsteilertransistors geschaltet ist, die außerdem über einen Koppelwiderstand mit einer den Schwellwert bestimmenden Spannungsquclle verbunden isi.
Die Verwendung eines kontinuierlich steuerbat jn llalhlcitcrbaiielcmcnlcs in Form eines Transistors im Spannungsteiler des Dämpfungsgliedes erlaubt in Verbindung mit dem diesen Transistor ansteuernden SteuertranMsior die Vermeidung von Übergangsphänomenen im Regelverhalten und ermöglicht einen kontinuierlichen Übergang vom einen Regelbereich, in - dem nur die Regelung des Verstärkertransistors erfolgt, in den anderen Regelbereich, in dem das Dämpfungsglied wirksam wird, dessen Spannungsteilerverhälinis nicht umgeschaltet, sondern kontinuierlich verändert wird.
ι Einzelne zweckmäßige Ausgestaltungen der im Anspruch 1 gekennzeichneten Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben. Der emiiterseitig mit dem Widerstand, dessen anderem Ende das zu verstärkende Signal zugeführt wird, verbundene Dämpfungstransi- --, stör bildet mit diesem Widerstand zusammen einen Spannungsteiler, dessen Teilerverhältnis entsprechend der Impedanzänderung des Dämpfungswiderstandes bei basisseiliger Ansteuerung vom Steuertransistor aus verändert wird. Diese Dämpfungswirkung setzt ein,
in wenn der geregelte Transistor in seiner Verstärkung soweit herabgercgelt ist, daß bei weiterer Herubrcgclung unerwünschte Verzerrungen auftreten würden.
Die Koppelung des Abgriffs dieses Spannungsteilers mit der Steuerelektrode des geregelten Transistors über
;.s Emiiierfuiger erhöht die am Spannungsteilcrabgriff wirksame Impedanz, so daß im ersten Regelbereich bei noch gesperrtem Dämpfungstransistor der Spannungsteilerwiderstand keine unerwünschte Signaldämpfung bewirkt, so daß gewünschlenfalls die volle
in Verstärkung zur Verfügung stehen kann.
Die Verbindung der Basis des Sleuertransisiors über einen Widerstand mit der Basis des geregelten Transistors ergibt einen Rückkopplungskreis, welcher eine Stabilisierung der Gleichspannung an der Basis des
i> geregelten Transistors bei leitendem Dämpfungstransistor erlaubt, so daß im zweiten Regelbereich die Regelung ausschließlich über eine Veränderung des .Spannungsteilerverhältnisses erfolgt.
Durch Vorschaltung eines Emitterfolgers vor den
.jo Spannungsteiler werden Auswirkungen der mit der Dämpfungsregelung verbundenen Impedanzänderungen (des Dämpfungsiransistors) auf die das Eingangssignal liefernde Quelle verhindert. Dies ist im ( alle der Lieferung der Eingangssignale durch (.ine ZF-Ver-
.15 stärkerstufe eines Fernsehempfängers erwünscht, um eine Verstimmung der ZF-Kreise zu vermeiden. In einem solehen Anwendungsfall empfiehlt sich auch die Verwendung einer zusätzlichen Gegenkopplungsschleifc, insbesondere wenn der geregelte Verstärker
vi seinerseits eine weitere ZF-Verstärkerstufe speist.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung näher beschrieben.
Der üargestellte Breitbandverstärker enthält zwei in Kaskode geschaltete Transistoren 10 und 12, die als
>-. Teile einer integrierten Schaltung ausgebildet sind, welche sich innerhalb der mit einer unterbrochenen Linie dargestellten Rechtecks befindet. Der Emitter des Transistors 10 ist ar den Kollektor des Transistors 12 geschaltet, während der Emitter des Transistors 12 an
ι«· einen Punkt 35 eines Bezugspotentials für die integrierte Schaltung, wie z. B. Masse, angeschlossen ist, der an einer Kontaktfläche 3 zur Verfügung steht.
Die Basis des Transistors 10 liegt an einer Versorgungsspannung.^uelle + K1, während der Basis
'. des Transistors 12 die zu verstärkenden Signale zugeführt werden, wie noch erläutert werden wird. Die Eingangssignale, die von dem dargestellten Breibandvcrstärker verstärkt werden ςηΙΙηη wprrlpn an Hip
integrierte Schallting über cine Koniaktflächc 5 zugeführt, und die Ausgangssignale der Schaltung stehen am Kollektor des Transistors IO und an einer Kontaklfliichc 7 zur Verfügung.
Der lircitbandvcrslärkcr besitzt ferner drei als Emitterfolger geschaltete Transistoren 14, 16 und 18. denen jeweils ein l.asiwiderstand 20, 22 bzw 24 zugeordnet ist. Die Kollektoren dieser Transistoren sind gemeinsam an eine Versorgiingsspanniingsqiiclle t V; angeschlossen, wahrend ihre limitier über ihren jeweils zugeordneten testwiderstand mit dem Bezugspotcnlial I in η k I 15. also mit Masse, verbunden sind.
Der 1.milter des Transistors 16 ist ferner mit der H.isis des Transistors 18 leitend verbunden. Der !!millet des Transistors 18 isl außerdem mit der liasis des Transistors 12 verbunden, und die liasis des Transistors 14 isl an die Kontaktfla'chc 5 fü: die Eingangssignalc angeschlossen
Der dargestellte Breitbandverstärker enthält weiier hin eine Schaltung, mittels welcher Signale vom !-!miller lies Transistors 14 zur Hasis des Transisiors lh gekoppelt werden. Im einzelnen enthält diese Schaltung zwei Transistoren 26 und 28 und zwei Widerslände 30 und 32. Der Kollektor des Transistors 26 liegt an der Versorgiingsspanniingsrjiielle + V;. während der Kollektor des Transistors 28 mit der Basis des Transisiors 26 /usammengeschaltet ist. Der Kollektor des 'transistors 28 isl außerdem an eine Konlaktfläche 9 angeschlossen, über welche tier Halbleiterscheibe, aiii der die integrierte Schaliiing ausgebildet ist. zu einem weiter unten näher erläuterten /weck Steuerströme zugeführt w erden.
Der Widerstand 30 ist zwischen die I.miller der Transistoren 14 und 2f> geschaltet und der Widersland 32 liegt zwischen den Hasen der Transistoren 12 und 28. Der !!miller des Transistors 26 schließlich ist direkt mit der liiisis des Transistors 16 zusammengeschallel, und der !-!muter des "transistors 28 liegt direkl am Beziigspoientialpunkl 35.
Wenn der dargestellte Verstärker als die erste /l-'-Verslarkerslufe mn Verstärkungsregelung in einem farbfernsehempfänger \erwendet wird, wird die Konlaktfläche 5 fiir die füngangssignale über einen Kondensator 51 mit dem Ausgang des Tuners gekoppelt, der durch die Klemme 53 angedeutet ist. Die Kontakifläche 7 fur die Alisgangssignale ist mit dem Eingang einer /weilen Zt -Verstärkerstufe, nämlich der Klemme 55. und außerdem über einen Resonanzkreis 57. der auf 50 MHz (entsprechend US-Norm) abgestimmt isi. und einen Widerstand 59 mit einer BelriebsspannungsqucHe + V'i für die Kaskodelransistoren 10 und 12 verbunden.
Die Vorspannung für die Basis des Transistors 14 wird von einer Spannungsteilerschaltung mit Widerständen 59, 61, 63 und 65 geliefert, welche in dieser Reihenfolge in Reihe zwischen der Spannungsquelle + V1 und Masse geschallet sind. Die Kontaktfläche 5 ist an die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 63 und 65 angeschlossen.
Die Regelspannung für die automatische Verstärkungsregelung, nachfolgend kurz AVR-Spannung genannt, wird über eine Klemme 67 an die Verbindungsslelle zwischen den Widersländen 61 und 63 angelegt. Sie dient zur Änderung der Basisvorspannung des Transistors 14. An jedem Ende des Widerstandes 61 befindet sich ein Ableitkondensator 69 bzw. 71. Eine zusätzliche .Steuerspannungsquelle + Va ist über eine Klemme 73 und einen Widerstand 75 an die Kontakifläche 9 angeschlossen, und ein Ablcitkondensalor 77 verbindet die Konlaktfläche 9 mit Masse. Diese Spanniingsquelle ( l'i und der Widerstand 75. die beide außerhalb der inlegrierlen Schaltung angeordnet sind, bilden die schon erwähnte Stromquelle, mit welcher der Schwellwcrl der Dämpfiingswirkiing eingestellt wird.
Hei den angegebenen I Imgehungsheilingungen reicht die Amplitude der vom tuner an die Klemme 5 5 angelegten Signale typischerweise von wenigen Zehnteln eines Millivolts bis etwa KMI MüIimiIi. Signale, deren Amplituden in der Nähe tier oberen (ircn/c dieses Bereiches liegen, konnten die Verstärkerstufe aus den in Kaskode geschalteten 'transistoren 10 und 12 überlasten und infolgedessen verzerrt werden Bei einem Breitbandverstärker gemäß der Erfindung wird diese I Ibersleueriing jedoch vermieden.
Wenn heim Betrieb des Verstärkers keine Signale an die Klemme 53 anuclcLi werden, betraut die Spannnut: ander Basis des 1 ransislors 16 gegenüber dem l'iinkl 55 (Masse) ungefähr \ 2.1 V. entsprechend der Summe der zwischen Basis und !!mittel jedes der 'transistoren 12. 16 und 18 abfallenden Spannungen von jeweils 0.7 V. Die Spannung 4 l!< und die Widerstände 32 und 75 sind so gewählt, daß bei diesem Ruhezustand der durch den Widerstand 32 fließende resultierende Strom den transistor 28 in einen Sältigiingszustand bringt, während vine Kolleklorspannuiig den Transistor 26 gesperrt hall.
Werden f-üngangssignalc mil zunehmender Ampliltide zugeführt, so wird ein Pegel eneichl werden, bei welchem eine AVR-Span:iung auf irgendeine bekannte Weise erzeugt wird und an der Klemme 67 anliegt, um die Signalamplitiide an der Ausgangskiemine 55 des Verstärkers /\\ stabilisieren. Diese Regelspannung wird mittels der Spanniingsteilerwiderslände 63, 65. der transistoren 14, 16 und 18 und ties Widerstandes 30 von der Klemme 67 zum transistor 12 übertragen, dessen Leitfähigkeit sie dadurch herabsetzen, daß sie seine Basisvorspanming verkleinern, d. Ii. negativ machen.
Zur gleichen Zeit werden dem Transistor 12 auch die Eingangssignalc über den Transistor 14. den Widersland 30. den Transistor 16 und den Transistor 18 zugeführt. Danach würde als Folge zunehmender Eingangssignaislärke der Verstärkungsfaktor ties T ransistors 12 weiter sinken, um die gewünschte Stabilisierung des Ausgangssignals zu gewährleisten, und außerdem der Transistor 28 im Sättigungszustand bleiben, bis die übertragene Vcrstärkungsregclspannung das Erreichen einer bestimmten Vorspannung am Transistor 12 verursachen würde. Wenn dieser Pegel jedoch erreicht ist. gcschi ht folgendes:
Erstens wird der Transistor 28 aus der Sättigung gesteuert, so daß seine Kollcktorspannung und somit die Basisvorspannung des Transistors 26 ansteigt. Wenn aufgrund dieses Anstiegs der Transistor 26 leitend wird, ändert sich das Teilerverhältnis des aus dem Transistor 26 und dem Widerstand 30 gebildeten Spannungsteilers im Sinne einer Dämpfung des der Basis des Transistors 16 vom Emitter des Tranistors 14 z.ugcführten Signals.
Es sei in diesem Zusammenhang darauf hingewiesen, daß die als Emitterfolger geschalteten Transistoren 16 und 18 so arbeiten, daß sie die Eüigangsimpedanz des dem Widerstand 30 nachgeschalteten Verstärkers erhöhen. Der Widerstand 30 wird so gewählt, daß er im Vergleich mil der wirksamen Eingangsirnpedanz zwischen der Basis des Transistors 16 und Masse genügend klein ist. so daß die AVR-Spannung nur wenig gedämpft wird, wenn der Transistor 26 gesperrt ist.
Zweitens wird durch den Spannungsanstieg am Kollektor des Transistors 28 und die dadurch bedingte lmpedanzverringe"iing des Transistors 26 die gesamte AVR-Spannung so geteilt, daß die Gleichspannung an der Basis des Transistors 12 auf einen relaitv konstanten Wert stabilisiert wird, wie gleich erläutert wird.
Wenr. die Amplitude des angelegten Eingangssignals weiterhin ansteigt, steigt auch die AVR-Spannung weiter an, wird also negativer. Die die Transistoren 16, 18, 26 und 28 und den Widerstand 32 enthaltende Gegenkopplungsschleife dient jedoch zur Stabilisierung der Gleichspannung an der Basis des Transistors 26 und wirkt folglich jeder Änderung entgegen, die durch den Anstieg der AVR-Spannung andernfalls in der Basisvorspannung des Transistors 12 bewirkt würde. Dieser Zustand, bei dem die Vorspannung des Transistors 12 konstant gehalten wird, bestimmt das weitere Verhalten, nachdem die Amplitude des Eingangssignals und dementsprechend auch die AVR-Spannung so weit angesteigen sind, daß der Transistor 28 außer Sättigung kommt.
Wenn die Amplitude des angelegten Eingangssignals nun weiter ansteigt, bewirkt gleichzeitig die an den Transistor 14 angelegte wachsende AVR-Spannung, daß die Spannung am Emitter dieses Transistors weniger positiv wird. Dies hat wiederum einen Anstieg des durch den Widerstand 30 fließenden Stromes zur Folge, wodurch der Transistor 26 stärker leitend wird und die an seinem Emitter wirksame Impedanz sich vermhdert. Dadurch wird das am Emitter des Transistors 14 erscheinende Signal im Maße dieser Impedanzverminderung entsprechend dem sich ändernden Spannungsteilerverhältnis (Transistor 26, Widerstand 30) gedämpft, wenn es zur Basis des Transistors 16 übertragen wird, wobei die Dämpfung direkt proportional zur Amplitude des Eingangssignals ist. Im Ergebnis werden also die Signalamplituden an den Basen der Transistoren 16, 18 und — was wichtiger ist — an der Basis des Transistors 12 stabilisiert. Wenn somit das Eingangssignal eine Amplitude erreicht hat, wird welcher der Transistor 28 aus der Sättigung gerät, wird die Regelung der Signalamplitude an der Ausgangs klemme 55 durch die Wirkung des Dämpfungstransistors 26 in Verbindung mit dem Widerstand 30 bestimmt. Mit anderen Worten: Für einen ersten Amplitudenbereich der Eingangssignale erfolgt die Regelung im beschriebenen Verstärker mittels der AVR-Spannung. welche den Verstärkungsfaktor der Stufe mit dem Transistor 12 herabsetzen, während außerhalb dieses Bereiches die Regelung durch eine Dämpfungswirkung erfolgt, welche de Amplitude der an den Transistor 12 angelegten, zu verstärkenden Signale herabsetzt.
Es ist leicht einzusehen, daß die Abgrenzung zwischen
ίο der ersten Art von Regelung und der zweiten Regelungsart primär und genau durch eine entsprechende Wahl der Spannungsquelle + V« und des Widerslandes 75 festgelegt wird, die gemeinsam den Schwellenwert festlegen, bei welchem der Transistor 28 aus der Sättigung kommen wird. Ferner dient der als Emitterfolger geschaltete Transistor 14 dazu, die sich aufgrund der Dämpfungswirlung ergebenden Impedanzänderungen an der die Eingangsklemme 53 angeschlossenen Schaltung (Eingangssignalquelle) nicht wirksam werden zu lassen.
Diese Betriebsweise bietet besondere Vorteile im ZF-Verstärker eines Fernsehempfängers. Dort werden vom Tuner Eingangsisgnale geliefert, Jeren Amplitude ungefähr von einigen Zehnteln eines Millivolts bis zu 100 mV reicht. Damit im Ausgangssignal eines Kaskodeverstärkers (z. B. mit den Transistoren 10 und 12) keine Verzerrungen auftreten, sollte der maximale Signalhub an der Basis des in Emitterschaltung liegenden Transistors des Paares (z. B. des Transistors
12) etwa 10 mV betragen. Bei einem Verstärker gemäß der Erfindung ist es ohne weiteres möglich, die Dämpfungswirkung hinauszuzögern, bis die Amplitude des an dem Transistor 12 angelegten Signals diesen Wert von 10 mV erreicht, und zwar durch entsprechende Wahl der Spannung + V4 und des Widerstandes 75.
Wenn die entsprechenden Eingangssignalamplituden so stark ansteigen, daß diese Grenze von 10 mV überschritten würde, so hält die Dämpfungsschaltung die Amplitude der an den Transistor 12 angelegten Signale konstant, so daß Verzerrungen des erzeugten Ausgangssignals verhindert werden. Für entsprechende Eingangssignale unterhalb dieser Amplitudengrenze erfolgt keine Dämpfung, so daß sich keine Verschlechterung des Störabstandes im Ausgangssignal ergibt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Regelbarer Transistorverstärker, insbesondere für Zwisehenfrequenzstufen mit einem dem geregelten Transistor zur Vermeidung einer Übersteuerung vorgeschalteten Dämpfungsglied in Form eines Spannungsteilers aus einem Widerstand und einem in seinem Leitungszustand mit Hilfe einer Regel-.spaniiung unter Maßgabe eines Schwellenwertes veränderbaren Halbleiterbauelement, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteilerabgriff über den Widerstand (30) mit der Signalquelle (53, 14) und der Rcgelspannungsquelle (67, 14), über die Kolleklor-Emitter-Strecke eines bei unterhalb des Schwellwerles liegender Regelspannung gesperrten Spunnungsteilertransistors (26) mit einem Festpoiential (+ Vi) und über eine Gleichspannungsverbindung (16, 18) mit der Basis des geregelten Transistors (1?) verbunden ist. und daß von der Basis des geregellen Transistors (12) eine galvanische Verbindung (32) zur Basis eines bei unterhalb des Schwellwerles liegender Regelspannung gesättigten Steuertransislors (28) geführt ist, dessen mit einem Kondensator (77) überbrückte Kollektor-Emitter-Strecke zwischen ein Bczugspotcmial (Masse) und die Basis des Spannungsteilertransistors (26) geschaltet ist, die außerdem über einen Koppelwidersland (75) mit einer den Schwellwert bestimmenden Spannungsquclle(+ Ki) verbunden ist.
2. Transistorverstärker nach Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß der geregt-'.e Transistor (12) und der Steuertransistor (2S) in Emittcrgrundschaltung geschaltet sind und daß der T; insistor (26) des Dümpfungsglicdcs mit seinem Emitter an den Spannungsteilcrabgriff angeschlossen ist.
3. Transistorverstärker nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichspannungsvcrbindung mindestens einen als Emitterfolger geschalteten Transislor(18) enthält.
4. Transistorverstärker nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Stcucrtransistors (28) über einen Widerstand (32) mit der Basis des geregelten Transistors (12) verbunden ist.
5. Transistorverstärker nach einem der vorstrehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalquelle einen an seiner Basis über einen Koppelkondensator (51) mit den Signalen angesteuerten Emitterfolgertransislor (14) enthält und daß vom Kollektor des geregelten Transistors (12) eine galvanische Gegenkopplungsschleifc (10,57,59, 61, 63, 65, 69, 71), in welche gleichzeitig die Regelspannung (über Klemme 57) eingespeist wird, auf die Basis des Emitterfolgerlransistors (14) geführt ist.
DE1951295A 1968-10-11 1969-10-10 Regelbarer Transistorverstärker Expired DE1951295C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US76690568A 1968-10-11 1968-10-11

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1951295A1 DE1951295A1 (de) 1970-11-26
DE1951295B2 DE1951295B2 (de) 1977-07-28
DE1951295C3 true DE1951295C3 (de) 1978-03-30

Family

ID=25077888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1951295A Expired DE1951295C3 (de) 1968-10-11 1969-10-10 Regelbarer Transistorverstärker

Country Status (12)

Country Link
US (1) US3628166A (de)
AT (1) AT306123B (de)
BE (1) BE740148A (de)
BR (1) BR6913152D0 (de)
DE (1) DE1951295C3 (de)
DK (1) DK142387B (de)
ES (1) ES372211A1 (de)
FR (1) FR2020377A1 (de)
GB (1) GB1272655A (de)
MY (1) MY7500092A (de)
NL (1) NL164714C (de)
SE (1) SE359706B (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1425558A (en) * 1972-04-24 1976-02-18 Rca Corp Video frequency amplifier operable in either of two bias conditions
US3854006A (en) * 1973-10-23 1974-12-10 Rca Corp Switchable video amplifier
US4275362A (en) * 1979-03-16 1981-06-23 Rca Corporation Gain controlled amplifier using a pin diode
US4321553A (en) * 1979-03-21 1982-03-23 Ford Aerospace & Communications Corp. Wide bandwidth low distortion amplifier
US5156552A (en) * 1990-02-23 1992-10-20 General Electric Company Circuit board edge connector
US5559472A (en) * 1995-05-02 1996-09-24 Trw Inc. Loss compensated gain cell for distributed amplifiers
GB9717775D0 (en) * 1997-08-22 1997-10-29 Davies Christopher J Improved anaerobic digester process
US6806777B2 (en) * 2003-01-02 2004-10-19 Intel Corporation Ultra wide band low noise amplifier and method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3001145A (en) * 1956-11-28 1961-09-19 Avco Mfg Corp Multistage transistor amplifier
GB888995A (en) * 1959-05-11 1962-02-07 English Electric Co Ltd Improvements in and relating to variable-gain electric signal amplifiers
GB969202A (en) * 1960-06-02 1964-09-09 Secr Aviation Improvements in or relating to electronic amplifiers
DE1591506A1 (de) * 1966-06-13
US3447094A (en) * 1967-03-24 1969-05-27 Philco Ford Corp Ultralinear gain controllable amplifier
US3449686A (en) * 1967-05-29 1969-06-10 Us Navy Variable gain amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
GB1272655A (en) 1972-05-03
MY7500092A (en) 1975-12-31
US3628166A (en) 1971-12-14
ES372211A1 (es) 1972-02-16
BE740148A (de) 1970-03-16
DK142387C (de) 1981-03-16
DE1951295A1 (de) 1970-11-26
SE359706B (de) 1973-09-03
AT306123B (de) 1973-03-26
DE1951295B2 (de) 1977-07-28
NL164714B (nl) 1980-08-15
NL164714C (nl) 1981-01-15
FR2020377A1 (de) 1970-07-10
NL6915385A (de) 1970-04-14
DK142387B (da) 1980-10-20
BR6913152D0 (pt) 1973-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3009905C2 (de) Regelbarer Verstärker
DE932435C (de) Verstaerkerschaltung mit Transistoren
DE2920793C2 (de) Linearer Gegentakt-B-Verstärker
DE1812292C3 (de) Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung
DE2352587A1 (de) Verstaerker mit steuerbarer verstaerkung
DE1951295C3 (de) Regelbarer Transistorverstärker
DE1766563A1 (de) Schaltungsanordnung zur automatischen Verstaerkungsregelung
DE1804597A1 (de) Tastbarer Gegentaktverstaerker mit komplementaeren Transistoren
DD158302A5 (de) Verstaerkerschaltung mit steuerbarem verstaerkungsgrad
DE3145849A1 (de) Automatische verstaerkungsregeleinrichtung (agc) fuer einen breitbandtuner
DE2415364A1 (de) Verstaerkungssteuerkreis
DE1441842B2 (de) Geregelter Transistorverstärker
DE2108800C3 (de) Dropoutkompensator
CH629052A5 (de) Elektronischer sender fuer gleichstromtelegraphiesysteme.
DE69734854T2 (de) Automatische Verstärkungsschaltung mit PIN Diode und bidirektioneller CATV-Empfänger mit einer solchen Schaltung
DE2522490C3 (de) Stabilisierter Transistorverstärker
DE69207643T2 (de) Regelbare Verstärkerschaltung
DE3009299A1 (de) Hochfrequenzverstaerker mit verstaerkungsregelung
DE2120286A1 (de) Pegelschiebeschaltung
DE1023083B (de) Transistorverstaerkerschaltung mit automatischer Verstaerkungsregelung
DE2521387C3 (de) Eingangs-Schaltungsanordnung für einen VHF- oder UHF-Kanalwähler eines Fernsehgerätes
DE3010242A1 (de) Fernsehempfaenger mit uebersteuerungsschutz
DE2142659A1 (de) Begrenzerverstärker
DE2115961C3 (de) Schaltungsanordnung zur Regelung der Amplitude eines elektrischen Signals
DE1537658B2 (de) Begrenzerverstaerker

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee