DE1537658B2

DE1537658B2 - Begrenzerverstaerker

Info

Publication number: DE1537658B2
Application number: DE1967R0047654
Authority: DE
Inventors: Jack Princeton N.J. Avins (V.St.A.)
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1966-12-27
Filing date: 1967-12-22
Publication date: 1971-12-09
Also published as: US3569740A; GB1206479A; MY7300264A; DE1537658A1; GB1206478A; FR1549072A; ES348619A1; NL6717569A; BE708493A; MY7300265A; SE347096B

Description

Die Erfindung betrifft eine Begienzerverstärkerstufe mit zwei Transistoren gleichen Leitungstyps, deren Kollektoren über je einen Kollektorwiderstand an einer Betriebsspannungsquelle liegen, wobei der erste Transistor an seinem Emitter angesteuert wird, mit seiner Basis galvanisch an eine Vorspannungsquelle angeschlossen ist und mit seinem Kollektor mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist, während der Emitter des zweiten Transistors über einen Emitterwiderstand an einem Bezugspotential liegt.

Beim Aufbau von Verstärkerschaltungen in integrierter Form ergeben sich verschiedene Probleme. Beispielsweise bei in Kaskade geschalteten RC-Verstärkern ist in manchen Fällen die Verwendung von Koppelkondensatoren zwischen den einzelnen Stufen nachteilig. Und zwar nimmt der Koppelkondensator auch bei verhältnismäßig kleiner Kapazität ziemlich viel Platz in der integrierten Schaltung ein. Durch die kleine Koppelkapazität werden im Frequenzgang des Verstärkers nicht nur die niedrigen, sondern auch die hohen Frequenzen beschnitten, so daß die Verstärkung bei der gewünschten Signalfrequenz beschränkt ist, wobei die bei Kondensatoren in integrierten Schaltungen auftretende parasitäie Nebenschlußkapazität die hohen Frequenzen zusätzlich noch beeinträchtigt. Außerdem läßt die derzeitige Technologie der Kondensatorherstellung in integrierter Form insofern zu wünschen übrig, als nicht selten Kurzschlüsse zwischen den Kondensatorplatten oder -belägen auftreten.

Bei galvanisch gekoppelten Verstärkern in Kaskadenschaltung bildet die am Ausgang einer Stufe anstehende Gleichspannung die Eingangsspannung für die nächstfolgende Stufe. Man verwendet daher für die Einstellung des gewünschten -Arbeitspunktes der einzelnen Stufen komplizierte Vorspann-Netzwerke. Zusätzlich muß eine Gleichstromrückkopplung für die Arbeitspunktstabilisierung vorgesehen werden. Wenn mit einem einzigen integrierten Schaltungsbaustein eine beträchtliche Verstärkung erzielt werden soll, erhöht sich durch die Phasenverschiebung in der Rückkopplungsschleife die Wahrscheinlichkeit, daß die Schaltung unstabil wird.

Begrenzerverstärkerstufen, die sich galvanisch in Reihe schalten lassen, sind bereits vorgeschlagen. Sie enthalten in Kaskade je einen Transistor in Kollektorgrundschaltung, in Basisgrundschaltung und wiederum in Kollektorgrundschaltung. Die ersten beiden Transistoren sind als emittergekoppelter Verstärker zusammengeschaltet, während der letzte Transistor eine Verschiebung des Gleichspannungspotentials bewiikt, damit das Ausgangsruhepotential gleich dem Eingangsruhepotential wird, so daß sich mehrere derartige Stufen ohne Kondensatorkopplung hintereinanderschalten lassen. Der Begrenzungsmechanismus derartiger Begrenzerverstärker beruht auf den Eigenschaften der Basisgrundschaltung. Für Signalhalbwellen einer Polarität wird der die Kollektor-Emitter-Strecke des Basisgrundschaltungstransistors durchfließende Stiem herabgesetzt, für Signalhalbwellen der entgegengesetzten Polarität wird dieser Transistor in die Sättigung gesteuert. Der Sättigungsmechanismus für die beiden entgegengesetzten Polaritäten ist also unterschiedlich. Dadurch ergibt sich ein unterschiedliches Begrenzungsverhalten. Dies resultiert daraus, daß sich ein Transistor zwar relativ schnell in die Sättigung steuern läßt, daß sich dagegen beim Heraussteuern eines Transistors aus dem Sättigungszustand normalerweise eine Verzögerung ergibt, die durch eine Ladungstiägerspeicherung . bedingt ist. Die Größe dieser Verzögerung hängt davon ab, wie weit der Transistor gesättigt gewesen ist. Durch diesen Effekt führt eine Amplitudenmodulation der Eingangssignale eines derartigen Begrenzers in unerwünschter Weise zu einer Phasenmodulation seiner Ausgangssignale.

Begrenzerverstärker werden üblicheiweise im Tonteil

von Fernsehempfängern oder im Zwischenfrequenzkanal von Empfängern für frequenzmodulierte Signale

ίο zur Ausschaltung der Auswirkungen von Amplitudenmodulationen des Signals verwendet. Phasenmodulationen werden aber vom Demodulator in' Niederfrequenzsignale umgesetzt.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Vermeidung derartiger Nachteile durch eine Verbesserung der Eigenschaften der Begrenzerverstärkerstufen. Zu diesem Zweck soll das unterschiedliche Verhalten hinsichtlich entgegengesetzter Signalpolaritäten beseitigt werden, und es soll statt dessen ein symme-

ao irisches Verhalten erreicht werden.

Diese Aufgabe wird bei einer Begrenzerverstärkerstufe mit zwei Transistoren gleichen Leitungstyps, deren Kollektoren über je einen Kollektorwiderstand an einer Betriebsspannungsquelle liegen, wobei der erste Transistor an seinem Emitter angesteuert wird, mit seiner Basis galvanisch an eine Vorspannungsqvelle angeschlossen ist und mit seinem Kollektor mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist, während der Emitter des zweiten Transistors über einen Emitterwiderstand an einem Bezugspotential liegt, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Ausgangsanschluß der Stufe mit dem Emitter "des "zweiten Transistors verbunden ist, und daß das Widerstandsverhältnis des Kollektorwiderstandes zum Emitterwiderstand des zweiten Transistors der Gleichung

Rc _/l +ß*tt\ , / Vto - Vce satt \ Re \ β AU ) ' \ Vb₊- V„e j 40

genügt, wobei R_c der Kollektorwiderstand, R_e der Emitterwiderstand, /3_Bätt das Verhältnis von Kollektorzu Basisstrom des zweiten Transistors, F&_e die Basis-Emitter-Sättigungsspannung des zweiten Transistors, Vce satt die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des zweiten Transistors und Vb+ die Betriebsspannung gegenüber dem Bezugspotential ist, derart, daß bei Überschreiten einer bestimmten Amplitude in einer ersten Polarität durch die Eingangsspannung der erste

Transistor gesättigt wird, während bei Überschreiten dieser Ampltude in der entgegengesetzten Polarität der Kollektorstrom des ersten Transistors so weit erniedrigt wird, daß der zweite —Transistor in die Sättigung gesteuert wird.

Die Erfindung sieht somit einen Transistor in Basisgrundschaltung vor, dem . ein Transistor in Kollektorgrundschaltung galvanisch nachgeschaltet ist, wobei in die Kollektorleitung des zweiten Transistors ein Kollektorwiderstand eingefügt ist, der so bemessen ist, daß der zweite Transistor bei Ansteuerung des ersten Transistors an einem Emitter vor Sperren des ersten Transistors bei der gleichen Eingangssignalamplitude in die Sättigung gerät wie der erste Transistor bei der entgegengesetzten Polarität des Eingangssignals.

Die Sättigung des zweiten Transistors bewirkt eine Signalbegrenzung in einer Richtung, während die Sättigung des ersten Transistors eine Signalbegrenzung in der anderen Richtung bewirkt. Auf diese Weise

3 4

wird für beide Signalrichtungen der gleiche Begren- geschaltet ist. Die Basis des Transistors 14 liegt an zungsmechanismus sichergestellt, so daß für beide einem Bezugspotentialpunkt, beispielsweise Masse. Signalrichtungen dieselben durch die Ladungsträger- Ein Arbeitswiderstand 24 ist zwischen den Kollektor speicherung bedingten Verzögerungsverhältnisse vor- des Transistors 14 und den positiven Pol 26 der liegen und die Begrenzung somit für beide Signal- 5 Betriebsspannungsquelle geschaltet. Die am Arbeitsrichtungen symmetrisch erfolgt. Es tritt lediglich eine widerstand 24 erscheinenden veistärkten Signale wer-Gesamtveizögerung des Signals auf, die aber keinen den galvanisch auf die Basis des Transistors 16 Einfluß auf die Demodulation hat. Unerwünschte gekoppelt, der als Emitterfolger geschaltet ist. Die Amplitudenmodulationen des Signals können sich Ausgangssignale der Stufe 10 erscheinen am Arbeitssomit nicht auf die Demodulation auswirken. io widerstand 28 des Emitterfolgers. Ein zweiter Wider-Bei einer Ausführungsform der Erfindung enthält stand 30 ist zwischen den Kollektor des Transistors 16 die Begrenzerverstärkerstufe zwei Transistoren gleichen und den positiven Pol 26 geschaltet. . Leitungstyps, deren Kollektoren über je einen Kollek- Die Betriebsspannungsquelle (nicht gezeigt) ist eine torwiderstand an einer Betriebsspannung liegen, wobei Dreipoleinrichtung, die gegenüber Masse symmetrische ferner die Basis des zweiten Transistors an den Kollek- 15 positive und negative Spannungen liefert. Beispielsweise tor des ersten Transistors angeschlossen ist und die können die Spannungen an den Klemmen 26 und 22 Basis des ersten Transistors an einem Vorspannungs- +2,0 bzw. —2,0 Volt gegenüber Masse betragen, potential liegt, während seinem Emitter die Eingangs- Im vorliegenden Falle ist der emittergekoppelte signale zugeführt werden. Der Emitter des zweiten Verstärker ,dadurch symmetriert, daß die Basen der Transistors liegt über einem Emitterwiderstand an 20 Transistoren 12 und 14 auf im wesentlichen dem einem Bezugspotential und bildet außerdem den gleichen Potential (Masse) gehalten werden. . Die Ausgang der Stufe. Der erste Transistor ist auf diese Verstärkerstufe 10 kann weitere in der gleichen Weise Weise in Basisgrundschaltung geschaltet, und der aufgebaute Verstärkerstufen direkt aussteuern, wenn zweite Transistor ist in Kollektorgrundschaltung der Emitter des Transistors 16 gleichspannungsmäßig galvanisch an den ersten angeschlossen. Eine derartige 25 auf Massepotential gehalten wird. In diesem Fall ist Schaltung erlaubt eine symmetrische Signalbegrenzung, der emittergekoppelte Verstärker der nachgeschalteten wobei Signalhalbwellen in einer Polarität bei Über- Stufen symmetriert, da die Basen des ersten Transistors schreiten des Begrenzungspegels den ersten Transistor dieser Stufen gleichstrommäßig Massepotential führen, in die Sättigung steuern, während Signalhalbwellen Die Verstärkerstufe läßt sich gegen Temperaturder entgegengesetzten Polarität bei Überschreiten 30 änderungen und Betriebsspannungsschwankungen dadesselben Begrenzungspegels den Kollektorstrom des durch stabilisieren, daß man den Widerstand 24 dopersten Transistors so weit verringern, daß der zweite pelt so groß wie den Widerstand 20 bemißt. Die vorTransistor in die Sättigung gesteuert wird. liegende Verstärkerstufe enthält zusätzlich den Wider-Die Erfindung ist im folgenden an Hand der stand 30 im Kollektorkreis des Emitterfolgertran-Darstellungen einiger Ausführungsbeispiele näher 35 sistors 16. Die sich aus dieser Maßnahme ergebenden erläutert. Es zeigt Voiteilewerden aus der nachstehenden Beschreibung

F i g. 1 das Schaltschema einer erfindungsgemäßen ersichtlich werden. Begrenzerverstärkerstufe,

F i g. 2 das Schaltschema einer mit einer Betriebs- Ableitung der Widerstandsgleichung spannungsversorgungsschaltung kombinierten Begren- 40

zerverstärkerstufe, Für eine symmetrische Begrenzung der erfindungs-

F i g. 3 das Schaltschema einer kombinierten Schal- gemäßen Begrenzerverstärkei stufe lassen sich die

tungsanordnung nach dem Stande der Technik zur Werte der Widerstände 28 und 30 in der nachfolgend

Erläuterung der Unterschiede zu der in beschriebenen Weise allgemein bestimmen. Wenn

F i g. 4 dargestellten Schaltung nach der Erfindung, 45 der Transistor 16 gesättigt ist, gilt die Spannungs-

F i g. 5 das Schaltschema der Verstärkerstufe nach gleichung für den Widerstand 30, die Kollektor-

F i g. 4 in Verbindung mit einer anderen Betriebs- Emitter-Strecke des Transistors. 60 und den Wider-

spannungsversorgungsschaltung und stand 28

Fig. 6" ein Anwendungsbeispiel des erfindungsgemäßen Begrenzerverstärker im Tonkanal eines 50 /eiesätt #30 + Vcnes&tt + (—/eiesätt) U₂₈ = Vb+, Fernsehempfängers. (1)

F i g. 1 zeigt eine galvanisch gekoppelte Verstärkerstufe 1Oi die einen Grundbaustein für integrierte wobei /_cieSätt und /_ei6Sätt der Kollektorsättigungsstrom Schaltungen bilden kann. Die Verstärkerstufe 10 ent- bzw. der Emittersättigungsstrom des Transistors 16, hält drei Transistoren 12, 14 und 16, die als emitter- 55 K_cesätt die Kollektor-Emitter-Spannung für seilen gekoppelter, einen Emitterfolger aussteuernder Ver- Sättigungsstrom und Vb+ die an der Klemme 74 stärker geschaltet sind. (F i g. 4) liegende Betriebsspannung ist. Für den

Der emittergekoppelte Verstärker enthält den Sättigungszustand gilt ferner Transistor 12 in Kollektorschaltung, der den in Basisschaltung arbeitenden Transistor 14 aussteuert. Ein- 60 /_ciesätt = ßsätt /siesätt und (2) gangssignale aus einer Quelle 18, die nicht unbedingt

im integrierten Schaltungsbaustein enthalten zu sein — /eiesätt = {ßaUt + 1) /siesätt, (3) braucht, werden der Basis des Transistors 12 zugeführt.

Die Kopplung zwischen den Transistoren 12 und 14 wobei /3_Sätt die Stromverstärkung im Sättigungszustand erfolgt durch die Emitter-Direktverbindung und den 65 (die normalerweise bei 1 liegt oder etwas größer ist,

Widerstand 20, der zwischen die beiden zusammen- jedoch erheblich unter der normalen Durchlaßstrom-

geschalteten Emitter der Transistoren 12 und 14 und verstärkung liegt) und /ß₁₆sätt der Basissättigungsstrom

den negativen Pol 22 einer Betriebsspannungsquelle des Transistors ist.

5 6

Die Ausgangsspannung V_out am Emitter des Tran- der minimale Wert der Ausgangsspannung V_out durch .sistors 16 hat im Sättigungszustand ihr Maximum die Gleichung

° ° V_out min = Vbias — Vbeusütt + Vceusätt — Vbeiemin,

Voutmax = —leiesätt RiZ, (4) 5 '

wobei Vbias die Vorspannung an der Basis des Tran-

Vout max = ⁽^^sätt ^} ^{28 (} ~ ^Kcei6Sätt) . (5) sistors 14, F_6ei4Sätt und F_cei4Sätt die Basis-Emitter-

(/Ssätt + 1) i?28 + ßsätt -R₃₀ bzw. Kollektor-Emitter-Spannung des Transisors 14

im Sättigungszustand und Vbeiemin die Basis-Emitter-Wenn, der Transistor 14 bei negativen Halbwellen io Sättigungsspannung des Transistors 16 für den Strom des Eingangssignals gesättigt wird, dann ergibt sich V_Out minlRis ist.

Der Sättigungsstrom des Transistois 14 soll doppelt so groß wie sein Mittelwert Zc₁₄ sein, wenn die Begrenzung symmetrisch erfolgen soll. Daher gilt die Gleichung

_T 1 / Vb+ — Vbias + Vbe satt — F_cesätt \ _fn,

■ ⁷^" TI ^ j" ⁽⁷⁾

Aus diesem Mittelwert läßt sich V_out berechnen nach der Gleichung

Vout av = Vb+ — -^514^24 ~ Vbeieav , (8)

wobei 6e₁₆ao die Basis-Emitter-Sättigungsspannung des Transistors 16 für den Strom V_out av/Rzs ist.
Durch Zusammenfassen der Gleichungen (7) und (8) ergibt sich

_T, Vb+ Vbias Vbeu&äti , Fce₁₄ satt _T, _fr,~.

ν out αν = 1 I Vbeits αν · (?)

2 2 2 2

Für eine symmetrische Begrenzung muß die Gleichung

V₀Ut av = ¹Ii (V₀Ut max + Vout min) (10)

erfüllt sein, und durch Einsetzen der Gleichungen (5), (6) und (9) in Gleichung (10) und Auflösung nach R₃₀
ergibt sich

„ _D / 1 + ßsätt \ /2 Vbeieav—Vbeiemin — V_cei6 satt \

XVqn — Jtioa

\ Psätt / \ Vb+ ■— I Vbeisav + Vbewmin /

.- Da der Emitterstrom des Transistors 16 sich normalerweise weniger als im Verhältnis 2:1 ändert, ändern sich die Spannungen Vbeieav und Vbeiemin weniger als 25 Millivolt von 650, wenn der Transistor 16 ein Siliziumtransistor ist. Nimmt man ferner vereinfachend an, daß

Vbeiemin ⁼ 'beie ⁼ 'bei&av . . (12)

ist, wobei nur ein geringfügiger Fehler gegenüber Gleichung 11 auftritt, so ergibt sich

1+^sätt \ ( Vbeie — FOe₁₆ satt \ _n ,.

1 (13)

Psätt / V Vb+ — Vbeie

• · F i g. 2 zeigt eine Verstärkerstufe 11 in Verbindung Kollektorspannung ungefähr 4,2 Volt, während zwi-

mit einer unsymmetrischen Betriebsspannungsver- sehen den Basen der Transistoren 12 und 14 und Masse

sorgungsschaltung 45, bei der sämtliche Spannungen eine Spannung von ungefähr 2,1 Volt liegt. Dadurch,

positiv gegenüber Masse sind. Einander entsprechende daß die Basisspannung der Transistoren 12 und 14

Elemente in F i g. 1 bis 5 sind jeweils mit gleichen 50 die Hälfte der Kollektorbetriebsspannung, beträgt und

Bezugszeichen versehen. der gemeinsame Emitterwiderstand 20 halb so groß

Ih F i g. 2 sind ein Widerstand 50 und sechs bemessen wird wie der Kollektorarbeitswiderstand 24,

Gleichrichter 51, 52, 53, 54, 55 und 56, die alle auf erreicht man, daß der Spannungsabfall an diesen

einem integrierten Schaltungsplättchen ausgebildet Widerständen gleich ist.

sind, in Reihe zwischen den positiven und den nega- 55 Der Gleichspannungspegel an den zusammenge-

tiven Pci 60 bzw. 62 einer Gleichstromquelle gcs:haltet, schalteten Emittern der Transistoren 12 und 14 im

deren Spannung etwas schwanken kann. Die Gleich- Ruhezustand ist um einen Betrag, der gleich ist dem

richter 51 bis 56 sind so gepolt, daß sie durch die Spannungsabfall (Vbe) am Basis-Emitter-Übergang des

Spannungsquelle in der Duichlaßrichtung gespannt Transistors 14, kleiner als der Gleichspannungspegel

werden und bei verhältnismäßig starken Schwankungen 60 an der Basis dieses Transistors. Da dieser Spannungs-

der Speisespannung einen im wesentlichen konstanten abfall Vbe ebenfalls 0,7 Volt beträgt, ist die Spannung

Spannungsabfall liefern. Die volle Spannung an den an den Emittern ungefähr 1,4 Volt gegenüber Masse,

sechs Gleichrichtern dient als Kollektorspannung für Der Spannungsabfall am Widerstand 20 und folglich

die Transistoren 12, 14 und 16, während die Spannurg auch der am Widerstand 24 beträgt somit 1,4 Volt, so

an den Gleichrichtern 54 bis 56 die Basisspannung 65 daß am Kollektor des Transistors 14 eine Spannung

für die Transistoren 12 und 14 liefert. von +2,8 Volt gegenüber Masse herrscht.

Da der Spannungsabfall pro Gleichrichter des Da die Spannung am Emitter des Transistors 16

verwendeten Typs ungefähr 0,7 Volt beträgt, ist die um 1 Vbe oder 0,7 Volt kleiner ist als die Kollektorspan-

nung des Transistors 14 (der Spannungsabfall am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 16), ist deren Ruhewert 2,1 Volt in bezug auf Masse. Bei die gleiche Ruhespannung führendem Basiseingang des Transistors 12 und Emitterausgang des Transistors 16 können nachgeschaltete Verstärkerstufen direkt in Kaskade geschaltet werden, ohne daß komplizierte Vorspann-Netzwerke vorgesehen werden müssen.

Ein Merkmal der kombinierten Verstärker-Spannungsversorgungsschaltung nach F i g. 2 besteht darin daß sie die der Basis des Transistors 12 zugeführten Signale symmetrisch begrenzt. Wenn die von der Quelle 18 gelieferten Signale in ihrer Amplitude ansteigen (positiver werden), wird der Transistor 12 stärker leitend. Der Transistor 14 wird entsprechend schwächer leitend und bei Erreichen einer bestimmten Eingangssignalamplitude schließlich gesperrt. Bei Erreichen des Sperrzustandes steigt die Kollektorspannung des Transistors 14 auf 4,2 Volt, d. h. um 1,4 Volt gegenüber dem Ruhezustand an.

Wenn die von der Quelle 18 gelieferten Signale in ihrer Amplitude abnehmen (weniger positiv werden), erfolgt der umgekehrte Vorgang, d. h., der Transistor 12 wird weniger leitend, während die Leitfähigkeit des Transistors 14 zunimmt. Die Kollektorspannung des Transistors 14 nimmt dann entsprechend ab, während die Emitterspannung dieses Transistors ansteigt, und zwar so lange, bis eine Signalamplitude erreicht ist, bei welcher der Stromfluß durch den Transistor 14 sein Maximum erreicht und dieser Transistor gesättigt wird. Die Kollektorspannung des Transistors 14 fällt dann auf den Pegel der Emitterspannung, d. h. auf 1,4 Volt (die Basisspannung minus den Abfall Vbe) ab, was einem Abfall von ungefähr 1,4 Volt vom Ruhespannungswert entspricht.

Starke Eingangssignale an der Basis des Transistors 12 bewirken also, daß die Signalspannung am Kollektor des Transistors 14 um im wesentlichen gleiche Beträge bis zum positiven und zum negativen Spitzenwert ausschwingt. Wird dieses symmetrisch begrenzte Signal über den Emitterfolgertransistor 16 auf z. B. einen FM-Diskriminator gekoppelt, so sind etwaige Amplitudenverzerrungen im Eingangssignal praktisch beseitigt, so daß der Diskriminator verzerrungs- und störungsfrei arbeiten kann.

F i g. 3 zeigt die Verstärkerstufe in Verbindung mit einer Betriebsspannungsversorgungsschaltung, die der Gleichrichtelschaltung nach F i g. 2 insofern ähnlich ist, als sie für die Transistoren 12 und 14 eine Basisvorspannung liefert, die halb so groß ist wie die Kollektorbetriebsspannung. Außerdem wird in beiden Fällen die Vorspannung auch bei Temperaturschwankungen und Speisespannungsschwankungen (ζ. B. an der Spannungsklemme 62 in Fi g. 2) auf diesem Verhältniswert gehalten. Die Spannungsversorgungsschaltung nach F i g. 3 unterscheidet sich jedoch von der Gleichrichterschaltung nach F i g. 2 insofern, als der Absolutwert der Vorspannung zusätzlich bei Temperaturänderungen konstant gehalten wird. Durch Temperaturänderungen können die Spannungsabfälle Vu an den einzelnen Gleichrichtern in F i g. 2 verändert werden, so daß die von den Gleichrichtern 54 bis 56 gelieferte Vorspannung sich entsprechend ändert.

In F i g. 3 enthält die Betriebsspannungsversorgungsschaltung 65 zwei Transistoren 70 und 72. Der Transistor 70 arbeitet in gegengekoppelter Emitterschaltung mit über einen ersten Widerstand 76 mit einer Speisespannungsklemme 74 verbundenem Kollektor und über einen zweiten Widerstand 80 mit einem Bezugspotentialpunkt 78 verbundenem Emitter. Der andere Transistor 72 arbeitet in Kollektorschaltung mit direkt an die Speisespannungsklemme 74 angeschaltetem Kollektor und über einen dritten Widerstand 82 mit dem Bezugspotentialpunkt 78 verbundenem Emitter.
Der Emitter des Transistors 72 ist außerdem mit der

ίο Basis des Transistors 70 und mit der Basis des Transistors 14 der Verstärkerstufe 10 verbunden, während der Kollektor des Transistors 70 zusätzlich mit der Basis des Transistors 72 verbunden ist. Die Speisespannungsklemme 74 und der Bezugspunkt 78 sind über eine Speisespannungsquelle entsprechender Polung (nicht gezeigt) schaltbar, wobei die Klemme 74 außerdem die Kollektorbetriebsspannung für die Transistoren 12, 14 und 16 der Verstärkerstufe liefert. Beispielsweise können die Klemmen 74 und 78 an +7,0 Volt bzw. Masse angeschlossen sein, wähend der Widerstand 76 ungefähr den gleichen Wert hat wie der Widerstand 80. Bei so bemessenen Widerständen 76 und 80 herrscht am Emitter des Transistors. 72 eine Gleichspannung von 3,5 Volt, d. h. die Hälfte der Spannung am vom Transistor 70 entfernten Ende des Widerstands 76.

Der Gleichspannungspegel an den zusammengeschalteten Emittern der Transistoren 12 und 14 im Ruhezustand beträgt in diesem Fall 2,8 Volt, d.h.

dievonderVersorgungsschaltung65gelieferten3,5Volt, abzüglich des Spannungsabfalls Vbe des Transistors 14 von 0,7 Volt. Der Spannungsabfall am Widerstand 20 und folglich der am Widerstand 24 beträgt, wie beschrieben, 2,8 Volt, so daß die Kollektorspannung des Transistors 14 einen Wert von 7,0 Volt minus 2,8 Volt, also +4,2 Volt hat. Da die Emitterspannung des Transistors 16 den Wert 1 Vbe oder 0,7 Volt minus der Kollektorspannung hat, beträgt die Ruhespannung 3,5 Volt in bezug auf Masse. Wie in F i g. 2 führen der Basiseingang des Transistors 12 und der Emitterausgang des Transistors 16 die gleiche Ruhespannung, wodurch sich die Kaskadenschaltung mehrerer Verstärkerstufen vereinfacht.
Die Anordnung nach F i g. 3 kann jedoch außerstände sein, die der Basis des Transistors 12 zugeführten Signale symmetrisch zu begrenzen. Und zwar wird bei zunehmendem Amplitudenanstieg (in positiver Richtung) der von der Quelle 18 gelieferten Signale schließlich ein Wert erreicht, bei dem der Transistor 14 gesperrt wird. Die Kollektorspannung des Transistors 14 ist dann auf 7,0 Volt, d. h. um 2,8 Volt gegenüber dem Ruhezustand angestiegen. Umgekehrt wird bei Amplitudenverringerung der Signale von der Quelle 18 schließlich ein Wert erreicht, bei dem der Transistor 14 gesättigt ist. Da die Kollektorspannung des Tranistors 14 dann auf den gleichen Wert wie die Emitterspannung, nämlich 2,8 Volt (die Basisspannung von 3,5 Volt minus den Abfall Vbe) abgefallen ist und nicht mehr niedriger werden kann, ist dann die Kollektorspannung um 1,4 V gegenüber der Ruhespannung abgefallen.

Dies bedeutet, daß bei der Anordnung nach F i g. 3 die Signalspannung am Kollektor des Transistors 14 in der positiven Richtung um einen größeren Betrag (2,8 Volt) ausschwingt als in der negativen Richtung (1,4 Volt). Diese unsymmetrische Begrenzung der Eingangssignale der Verstärkerstufe 11 hat eine Verschiebung der Abtrenn- oder Abkappachse des Ver-

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9 ίο

stärkers zur Folge, wodurch die Leistungsfähigkeit des ausschwingungen am Kollektor des Transistors 14 Verstärkers beeinträchtigt wird. Dadurch können läßt sich mit einer entsprechend gepolten Diode an Verzerrungen und Störungen in das Ausgangssignal Stelle des Widerstands 30 oder mit einer oder mehreren eines nachgeschalteten FM-Diskriminators, der von Dioden in Verbindung mit einem Serienwiderstand und den Kollektorsignalen über den Emitterfolgertran- 5 ebenso auch mit einem an den Kollektor des Transistor 16 gespeist wird, eingeführt werden. Diese sistors 14 angeschalteten Diodenbegrenzer erreichen, unmittelbaren Wirkungen einer unsymmetrischen Be- Derartige Anordnungen sind jedoch komplizierter als grenzung treten ferner im allgemeinen immer dann die nach Fig. 4, die sowohl bei geregelten als auch auf, wenn die Verstärkerstufe 11 nach F i g. 3 mit bei ungeregelten Betriebsspannungsversorgungsschal-Kollektor- und Basisspannungen arbeitet, die von den io tungen besonders gut arbeitet.

im Zusammenhang mit F i g. 2 genannten Werten Das Problem der unsymmetrischen Begrenzung

von 4,2 bzw. 2,1 Volt abweichen. entstand deshalb, weil die Ruhespannung am Kollektor

F i g. 4 zeigt die erfindungsgemäße Verstärkerstufe des Transistors 14 einen Wert hat, der von der Hälfte 10 in Verbindung mit der Spannungsversorgungs- der Summe der Kollektorbetriebsspannung und der schaltung 65 nach Fig. 3, die von 2,4 bzw. 2,1 Volt 15 Ruhespannung am Emitter des Transistors 14 ababweichende Kollektor- und Basisspannungen liefert. weicht. Die Kollektorspannung des Transistors 14 Wie bei der Anordnung nach F i g. 3 haben die kann in diesem Fall stärker in der einen Richtung, Ruhespannunen an der Basis und am Kollektor des beispielsweise beim Sperren des Transistors 14, als Transistors 14 den Wert von 3,5 bzw. 4,2 Volt. in der anderen Richtung, bei Sättigen des Transistors Jedoch werden bei dieser Anordnung die Eingangs- 20 14, ausschwingen.

signale der Stufe 10 symmetrisch begrenzt, so daß ein Beim Verstärker 11 nach F i g. 2 führt der Kollektor

nachgeschalteter Diskriminator verzerrungs- und stö- des Transistors 14 eine Ruhespannung von 2,8 Volt,

rungsfrei arbeiten kann. das ist die Hälfte der Summe der von der Gleichrichter-

Es soll zunächst der Fall betrachtet werden, daß die anordnung gelieferten Speisespannung von 4,2 Volt

von der Quelle 18 gelieferten Signale in ihrer Amplitude 25 und der Ruhespannung von 1,4VoIt am Emitter des

abnehmen (weniger positiv werden). Dabei wird Transistors 14. Die Schaltung 11, wie erwähnt, be-

schließlich ein Wert erreicht, bei dem der Tranisstor 14 grenzt symmetrisch.

sich sättigt und seine Kollektorspannung auf +2,8 Volt, Andererseits ist beim Verstärker 11 nach Fig. 3,

den Wert der Emitterruhespannung, abfällt. Der wo die Kollektorruhespannung des Transistors 14

Kollektorspannungsabfall gegenüber dem Ruhewert 30 den Wert von 4,2 Volt hat, diese Spannung kleiner als

beträgt wiederum 1,4 Volt, und es ergibt sich die die Hälfte der Summe der 7,0-Volt-Speisespannung

gleiche Situation wie bei der Anordnung nach Fig. 3. an der Klemme 74 und der 2,8-Volt-Emitterruhe-

Wenn die von der Quelle 18 gelieferten Signale in spannung des Transistors 14. Die Schaltung 11, wie

ihrer Amplitude ansteigen (positiver werden), wird erwähnt, begrenzt in diesem Fall nicht symmetrisch, wiederum schließlich ein Wert erreicht, bei dem der 35 Durch Einschalten des zusätzlichen Widerstands 30

Transistor 14 gesperrt wird. Während jedoch zuvor die entsprechend Fig. 4 kann man jedoch mit der

Kollektorspannung des Transistors 14 in positiver Anordnung nach F i g. 3 eine symmetrische Be-

Richtung auf den 7,0-Volt-Pegel der Klemme 74 grenzung erhalten, obwohl die Kollektorruhespannung

ausschwingen konnte, wird jetzt durch den Wider- des Transistors 14 nicht diese Halbwertbeziehung stand 30 im Kollektorkreis des Transistors 16 ver- 40 aufweist.

hindert, daß dieser Pegel erreicht wird. Und zwar F i g. 5 zeigt die Vei stärkerstufe 10 in Verbindung nimmt, wenn die Kollektorspannung des Transistors 14 mit einer anderen Betriebsspannungsversorgungspositiver wird als +4,2 Volt, der Spannungsabfall am schaltung 85. Die Schaltung 85 enthält einen in Widerstand 30 zu und fällt die Kollektorspannung Kollektorschaltung arbeitenden Transistor 90, dessen des Transistors 16 ab. 45 Kollektor direkt an eine Speisespannungsklemme 92

Der Widerstand 30 wird so bemessen, daß der Tran- angeschaltet und dessen Emitter über einen Wider-

sistor 16 sich sättigt, wenn die Ausschwingung der stand 94 mit dem Bezugspunkt oder Masse verbunden

Kollektorspannung des Transistors 14 den Wert ist. Die Reihenschaltung zweier Widerstände 96 und 98

+5,6 Volt erreicht. Der Basis-Kollektor-Übergang des und einer Diode 100 ist zwischen die Klemme 92 und Transistors 16 wird dann in der Durchlaßrichtung 50 Masse geschaltet, wobei die Diode 100 mit ihrer

gespannt, und die Spannung am Kollektor des Tran- Kathode an Masse liegt.

sistors 14 wird auf den Wert der Spannung am Die Basis des Transistores 90 liegt am Verbindungs-

Kollektor des Transistors 16 minus den Abfall von punkt der Widerstände 96 und 98, während der

1 Vbe angeklammert. Der Widerstand 28 wild in bezug Emitter dieses Transistors mit einer Klemme 102 und mit auf den Widerstand 30 so bemessen, daß die Kollektor- 55 der Basis des Transistors 14 der Verstärkerstufe 10

spannung des Transistors 14 auf diesen Pegel von verbunden ist. Die Schaltung 85 enthält außerdem

5,6 Volt angeklammert wird. Dadurch wird außerdem eine zweite Diode 106, deren Anode mit der Klemme 92

die positive Ausschwingung der Kollektorspannung und deien Kathode über eine Klemme 108 und eine

des Transistors 14 auf diesen 5,6-Volt-Pegel, d. h. einen Leitung 110 mit der Speisespannungsklemme 74 der Pegel, der um 1,4 Volt vom 4,2-Volt-Ruhepegel ab- 60 Verstärkerstufe 10 verbunden ist. In der Praxis sind

weicht, begrenzt. unter Umständen die Klemmen 74, 102 und 108 nicht

Bei dieser Anordnung wird das Signal am Kollektor als getrennte Kontakte ausgebildet, indem bei einer des Transistors 14 symmetrisch begrenzt, indem es in integrierten Schaltung, wo am Rand eines Schaltungspositiver Richtung um nicht mehr als 1,4 Volt gegen- plättchens eine nur beschränkte Anzahl von äußeren über dem Ruhepegel von 4,2 Volt und um nicht mehr 65 Anschlüssen vorhanden sind, diese Klemmenpunkte als 1,4 Volt von diesem Pegel in negativer Richtung intern verschaltet statt gesondert herausgeführt sind, ausschwingt. Die Spannungsversorgungsschaltung 85 liefert wie

Die gleiche Begrenzerwirkung für positive Signal- die Schaltung 65 in F i g. 3 und 4 zwei Gleichspan-

11 12

nungen im Verhältnis von ungefähr 2:1. Wenn die Klemmen 108 und 102 dem Widerstandsverhältnis der Widerstände 96 und 98 gleiche Werte haben, ist die Widerstände 96 und 98 plus 1 proportional ist.
Gleichspannung an der Basis des Transistors 90 Die Diode 100 und/oder die Diode 106 in der gleich der Hälfte der Differenz zwischen der Speise- Schaltung 85 können durch einen Transistor in Emitterspannung an der Klemme 92 und dem Durchlaß- 5 folgerschaltung ersetzt werden, ohne daß die Stabilisierspannungsabfall an der Diode 100 plus diesem eigenschaften der Schaltung 85 bei Temperatur- und Durchlaßspannungsabfall. Die Gleichspannung am Spannungsschwankungen beeinträchtigt werden, da Emitter des Transistors 90 ist dann gleich dieser der Spannungsabfall V^ des Transistors im wesent-Spannung minus dem Spannungsabfall am Basis- liehen gleich ist und sich in der gleichen Weise ändert Emitter-Übergang des Transistors 90, der typischer- io wie das Kontaktpotential der Diode. Eine derartige weise gleich dem Spannungsabfall an der Diode 100 Transistorschaltung ist auf der rechten Seite von ist. F i g. 5 gezeigt, wobei die Basis des Transistors 399 Dadurch wird die Gleichspannung an der Klemme mit entweder dem Widerstand 98 oder dem Wider-102 gleich der Hälfte der Differenz zwischen der stand 96 und der Emitter des Transistors 399 mit Speisespannung an der Klemme 92 und der Dioden- 15 Masse bzw. der Klemme 108 verbunden sind,
kontaktspannung. Die Gleichspannung an der Klemme F i g. 6 zeigt den Tonkanal eines Fernsehempfängers, 108 ist andererseits gleich der Speisespannung an der der sich in integrierter Form aufbauen läßt. Der Klemme 92 minus dem Durchlaßspannungsabfall an gestrichelte Block 200 stellt ein monolithisches HaIbder Diode 106, d. h. gleich der Differenz zwischen der leiterplättchen dar, das eine Größe von ungefähr Speisespannung und der Diodenkontaktspannung. 20 1,5 · 1,5 mm 'oder weniger haben kann.
Die Gleichspannung an der Klemme 108 ist also Von einem auf die Ton-ZF abgestimmten Resonanzdoppelt so groß wie die an der Klemme 102. kreis 210 gelangen die ZF-Signale über das Anschluß-Wenn beispielsweise die Spannung an der Klemme 92 plättchen 202 der integrierten Schaltung zur ersten 7,7 Volt und das Kontaktpotential oder der Spannungs- Verstärkerstufe 212, welche drei Transistoren 214, abfall an den Dioden 100 und 106 je 0,7 Volt betragen, 25 216 und 218 enthält. Die Transistoren 214 und 216 sind die Gleichspannungen an den Klemmen 108 und sind als emittergekoppelter Verstärker über Wider-102 7,0 bzw. 3,5 Volt. Bei diesen Spannungsverhält- stände 220 und 222 im Widerstandsverhältnis 2:1 nissen begrenzt die an diese Klemmen in F i g. 5 verbunden, während der dritte Transistor 218 mittels angeschaltete Verstärkerstufe 10 symmetrisch, wäh- der Widerstände 224 und 226 als Emitterfolger rend die Verstärkerstufe 11 nach F i g. 2 ohne den 30 geschaltet ist. Wie im Zusammenhang mit F i g. 1 Kollektorwiderstand 30 im Emitterfolgerkreis dies erwähnt ist, bewirkt der Widerstand 224 eine symmenicht tut. trische Begrenzung der Eingangssignale der Verstärker-Die Spannungsversorgungsschaltung 85 hat außer- stufe 212. Die Verstärkerstufe 212 ist galvanisch mit dem die wünschenswerte Eigenschaft, daß sie zwei einer gleichartigen Verstärkerstufe 228 gekoppelt, die Spannungen liefert, deren gegenseitiges Verhältnis 35 ebenfalls mit drei Transistoren 230, 232, 234, zwei auch bei Temperaturänderungen und Spannungs- Widerständen 236 und 238 im Widerstandsverhältnis Schwankungen an der Klemme 92 erhalten bleibt. 2:1 und zwei weiteren Widerständen 240 und 242 Beispielsweise bei einer Temperaturänderung wird eine aufgebaut ist. Die am Widerstand 242 abgenommenen etwa sich ergebende Änderung des Spannungsabfalls Ausgangssignale der Verstärkerstufe 228 werden einer am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 90 durch 40 mit einem hohen Signalpegel arbeitenden Begrenzereine entsprechende Änderung des Kontaktpotentials stufe 244 mit Transistoren 246 und 248 und einem der Diode 100 verschoben. Bei gleichbemessenen Emitterkoppelwiderstand 250 zugeführt, an die über Widerständen 96 und 98 und einer Speisespannung einen Diskriminatortransformator 254 eine Diskrimivon 7,7 Volt an der Klemme 92 und bei einer Tempe- natorschaltung 260 angeschlossen ist, die so symmeraturänderung, die eine Abwanderung des Spannungs- 45 triert ist, daß sie am Anschlußkontakt 262 eine Ausabfalls Vbe von 0,7 auf 0,9 Volt hervorruft, ergibt gangsgleichspannung liefert, die sich bei Schwansich an der Klemme 102 eine Gleichspannung von kungen des Signalpegels oder der Betriebsspannung 3,4 Volt. Die Gleichspannung an der Klemme 108 nicht ändert. Die vom Diskriminator gelieferten beträgt dann 6,8 Volt, d. h. die Speisespannung von NF-Signale gelangen über einen NF-Verstärker 276 7,7 Volt minus das Kontaktpotential der Diode 106 50 und eine Treiberstufe 286 auf die Lautsprecherend-(jetzt 0,9 Volt), was dem Doppelten der Spannung stufe 328.

an der Klemme 102 entspricht. Die Schaltung nach Fig. 6 ist der nach den Fig. 2

Wenn andererseits die Spannung an der Klemme 92 bis 5 insofern ähnlich, als die Betriebsspannung nicht

von 7,7 auf 7,9 Volt bei konstant bleibender Tempe- symmetriert ist. d. h., daß sämtliche Spannungen in

ratur ansteigt, ergibt sich an der Klemme 108 eine 55 der Schaltung positiv gegenüber Masse sind. Zu

Spannung von 7,2 Volt und an der Klemme 102 eine diesem Zweck ist eine Gleichspannungsquelle (deren

Spannung von 3,6 Volt. Wiederum bleibt das Ver- Spannung etwas schwanken kann) mit ihrem positiven

hältnis der beiden Gleichspannungen von 2:1 er- Pol an den Kontakt 300 und mit ihrem geerdeten

halten. negativen Pol an den Kontakt 302 angeschlossen.

Mit der Spannungsversorgungsschaltung 85 nach 60 Die ungeregelte Spannung zwischen den Kontakten

F i g. 5 lassen sich auch andere Spannungsverhältnisse 300 und 302 wird direkt dem Transistor 246 der

als 2: 1 erhalten, indem man für die Widerstände 96 hochpegeligen Begrenzerstufe 244 zugeführt,

und 98 entsprechend andere Widerstandsverhältnisse Die Speisespannungsschwankung wird durch die

wählt. Ist beispielsweise der Widerstand 96 doppelt Emitter-Basis-Durchbruchsspannung eines Transistors

so groß wie der Widerstand 98, so ist die Gleich- 65 308 reguliert, der über einen Widerstand 310 an den

spannung an der Klemme 108 dreimal so groß wie die Kontakt 300 angeschlossen und dessen Kollektor

Gleichspannung an der Klemme 102. Allgemein gilt, anschlußfrei ist. An den Kontakt 300 und den Tran-

daß das Verhältnis der Gleichspannungen an den sistor 308 angeschlossene Transistoren 312 und 314

in Emitterfolgerschaltung isolieren die geregelte Spannung, die den Verstärkerstufen 212 und 228 als Kollektorspeisespannungen zugeführt werden.

Zwei Transistoren 316 und 318 und drei Widerstände 320, 322 und 324 dienen als Vorspannschaltung 325 für die Verstärkerstufen 212, 228 und 244. Die Vorspannschaltung 325 ist der Betriebsspannungsversorgungsschaltung 65 nach F i g. 3 insofern ähnlich, als sie am Widerstand 324 eine Spannung liefert, die ungefähr gleich der Hälfte der Speisespannung am vom Kollektor des Transistors 316 abgewandtenEnde des Widerstands 320 und unabhängig von Temperatur- und Betriebsspannungsschwankungen ist.

Eine Arbeitspunktstabilisierung der Verstärkerstufen 212 und 228 wird mittels einer Gleichstrom-Rückkopplung über den Widerstand 334 über diese beiden Stufen erhalten, wobei ein Überbrückungskondensator 336 mittels des Kontaktes 338 an den Widerstand 334 angeschlossen ist. Die Begrenzerstufe 244 wird dadurch automatisch in ihrem Arbeitspunkt stabilisiert, weil die Rückkopplung über die Verstärkerstufen 212 und 228 die Spannung an der Basis der Stufe 244 auf dem halben Wert der vorerwähnten Speisespannung hält.

Die Begrenzerstufe 244 wird somit symmetriert, ohne daß sie in der Rückkopplungsschleife liegt. Dies ist deshalb wünschenswert, weil die Schwingneigung der Rückkopplungsschleife um so geringer ist, je weniger Stufen die Schleife enthält. Die Vorspannung für die Begrenzerstufe 244 wird dadurch weitgehend unabhängig von der Transistorstromverstärkung gemacht, daß ein Widerstand 340 in die Basisrückleitung des Transistors 214 eingeschaltet ist, der den gleichen Wert hat wie der in der Basisrückleitung des Transistors 216 liegende Widerstand 334.

Claims

Patentansprüche:

1. Begrenzerverstärkerstufe mit zwei Transistoren gleichen Leitungstyps, deren Kollektoren über je einen Kollektorwiderstand an einer Betriebs-Spannungsquelle liegen, wobei der erste Transistor an seinem Emitter angesteuert wird, mit seiner Basis galvanisch an eine Vorspannungsquelle angeschlossen ist und mit seinem Kollektor mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist, während der Emitter des zweiten Transistors über einen Emitterwiderstand an einem Bezugspotential liegt, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangsanschluß der Stufe mit dem Emitter des zweiten Transistors (16) verbunden ist, und daß das Widerstandsverhältnis des Kollektorwiderstandes (30) zum Emitterwiderstand (28) des zweiten Transistors (16) der Gleichung

Re

1 + ßsätt

— Vce satt

55

Rc \ jffrttt j \ Vb- Vbe

genügt, wobei R₀ der Kollektorwiderstand, R_e der Emitterwiderstand, /3_Sätt das Verhältnis von Kollektor- zu Basisstrom des zweiten Transistors (16), Vu die Basis-Emitter-Sättigungsspannung des zweiten Transistors, V_ce satt die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des zweiten Transistors und Vb+ die Betriebsspannung gegenüber dem Bezugspotential ist, derart, daß bei Überschreiten einer bestimmten Amplitude in einer ersten Polarität durch die Eingangsspannung der erste Transistor (14) gesättigt wird, während bei Überschreiten dieser Amplitude in der entgegengesetzten Polarität der Kollektorstrom des ersten Transistors (14) so weit erniedrigt wird, daß der zweite Transistor (16) in die Sättigung gesteuert wird.

2. Begrenzerverstärkerstufe nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen als Emitterfolger geschalteten Eingangstransistor (12), dessen Basis mit einer Eingangssignalquelle (18) und dessen Emitter mit dem Emitter des ersten Transistors (14) verbunden ist.

3. Begrenzerverstärkerstufe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der die Emitter des Eingangstransistors (12) und des ersten Tran- . ( sistors (14) mit Bezugspotential (Klemme 22) verbindende Emitterwiderstand (20) halb so groß wie der Kollektorwiderstand (24) des ersten Transistors ist.

4. Begrenzerverstärkerstufe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungsquelle durch einen als Emitterfolger geschalteten vierten Transistor (72) gebildet wird, dessen Basis mit dem Kollektor eines fünften Transistors (70) und dessen Vorspannung liefernde Emitter mit der Basis des fünften Transistors verbunden ist, und daß der fünfte Transistor (70) kollektorseitig über einen fünften Widerstand (76) an der Betriebsspannung und emitterseitig über einen sechsten Widerstand (80), der gleich dem fünften Widerstand (76) ist, an dem Bezugspotential liegt (Fig. 3 und 4).

5. Begrenzerverstärkerstufe nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Betriebsspannung (Klemme 100) über eine erste in Durchlaßrichtung gepolte Diode (106) von der Betriebsspannungs- ( quelle (Klemme 92) abgeleitet wird, daß die Vorspannung am Emitter eines als Emitterfolger geschalteten vierten Transistors (90) abgenommen wird, dessen Basis über einen fünften Widerstand (96) mit der Betriebsspannungsquelle (Klemme 92) und über einen sechsten Widerstand (98) gleicher Größe sowie eine in Durchlaßrichtung gepolte zweite Diode (100) mit dem Bezugspotential (Masse) verbunden ist (F i g. 5).

6. Begrenzeiverstärkerstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannung durch eine vom Ausgangsanschluß abgenommene galvanische Rückführungsverbindung, welche einen Tiefpaß (334, 336) enthält, geliefert wird (F i g. 6).

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen