DE1812292B2 - Schaltungsanordnung zur verstaerkungsregelung - Google Patents
Schaltungsanordnung zur verstaerkungsregelungInfo
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000013641 positive control Substances 0.000 description 1
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung mit einem Mehr-Gate-Feldeffekttransistor,
dessen erster Gate-Elektrode die zu verstärkende Eingangs-Signalspannung und dessen
zweiter Gate-Elektrode eine Verstärkungsregelspannung zugeführt ist und mit einem Gleichstrom-Gegenkopplungswiderstand
im Source-Kreis.
Mehr-Gate-Feldeffekttransistoren sind für viele Anwendungen interessant, da sie erstens eine hohe
Eingangsimpedanz haben, zweitens eine hohe Kreuzmodulationsfestigkeit,
drittens eine niedrige Rauschzahl, viertens einfach gleichstromgekoppelt werden können und fünftens zur Verwendung mit oder in
integrierten Schaltungen geeignet sind.
Aus der GB-PS 10 74 287 ist ein bipolarer Doppelbasis-Transistor bekannt, der in e.ner AVR-Schaltung
verwendet werden kann, wobei an die zweite Basiselektrode ein Widerstandsspannungsteiler angeschlossen
wird. Während das zu verstärkende Signal kapazitiv auf beide Basiselektroden gekoppelt wird, liegt die Regelspannung
nur an der einen Basiselektrode.
Aus »Proceedings of the National Electronics Conference«, 1966, Seiten 83 bis 93, ist auch bereits eine
Vorspannungsschaltung für einen Doppel-Gate-Feldeffekttransistor vom MOS-Typ bekannt, bei der die
Eingangs-Gate-Elektrode über einen Widerstandsspannungsteiler, an dessen Abgriff die zweite Gate-Elektrode
angeschlossen ist, mit der Drain-Elektrode gekoppelt ist. Eine automatische Verstärkungsregelung bei einer
solchen Schaltung ist nicht vorgesehen.
Da der bei einer bestimmten Gate-Vorspannung fließende Drain-Strom von Feldeffekt-Transistor zu
Feldeffekt-Transistor erheblich schwanken kann, ist es wünschenswert, mit der Source-Elektrode einen Gleichstrom-Gegenkopplungswiderstand
in Reihe zu schalten und dadurch die durch die Exemplarstreuung verursachten Drain-Stromschwankungen zu verringern. Die
Einschaltung dieses Widerstandes in den Gate-Elektrodenkreis hat jedoch zur Folge, daß sich die Spannung
zwischen den Gate-Elektroden und der Source-Elektrode
mit dem den Transistor durchfließenden Strom ändert.
Der Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung
der eingangs genannten Art anzugeben, bei der die Spannung zwischen der ersten Gate-Elektrode
und der Source-Elektrode relativ unabhängig von dem den Feldeffekt-Transistor durchfließenden Strom ist.
Diese Aufgabe wird durch eine Spannungsteilerschaltung gelöst, mit welcher ein Teilbetrag der Regelspannung
der ersten Gate-Elektrode zugeführt ist.
Die Erfindung hat den Vorteil, daß bei Änderungen der Regelspannung der Arbeitspunkt des Feldeffekttransistors
weitgehend konstant bleibt.
In Weiterbildung der Erfindung ist der eine Anschluß der Spennungsteilerschaltung an den vom Feldeffekttransistor
abgewandten Pol des Gleichstrom-Gegenkopplungswiderstands geschaltet. Dadurch wird erreicht,
daß jede Änderung der Regelspannung zu einer genau entsprechenden Änderung der Spannung an der
ersten Gate-Elektrode führt.
Ferner kann der eine Anschluß der Spannungsteilerschaltung
an eine Bezugsspannungsquelle geschaltet sein. Diese Weiterbildung der Erfindung ist dann von
Vorteil, wenn eine Verstärkungsregelspannung nur einer Polarität verwendet werden soll.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert; es zeigt
F i g. 1 ein Schaltbild einer geregelten Verstärkerschaltung und
F i g. 2 ein Schaltbild eines gegenüber F i g. 1 etwas abgewandelten Ausführungsbeispiels der Erfindung, bei
dem eine Regelspannung verwendet werden kann, die stets positiv bleibt.
Die in F i g. 1 als Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellte geregelte Verstärkerschaltung enthält
einen als Tetrode arbeitenden MOS-Feldeffekt-Transistor 10 mit einer Drain-Elektrode 12, einer Source-Elektrode
14, einer ersten Gate-Elektrode 16 und einer zweiten Gate-Elektrode 18. Die Transistor-Tetrode
arbeitet als geregelter Hochfrequenzverstärker. Die Eingangssignale für den Verstärker werden einer
Eingangsklemme 20 zugeführt und gelangen über einen gleichstromsperrenden Kondensator 22 zur ersten
Gate-Elektrode 16. Einer Regelspannungs-Eingangsklemme 24 wird eine Spannung zur automatischen
Verstärkungsregelung zugeführt, die über eine einen Entkopplungswiderstand 27 enthaltende Gleichstromverbindung
der zweiten Gate-Elektrode 18 zugeführt wird. Hochfrequenzsignale, die an der Regelspannungsklemme
24 erscheinen, werden durch einen Ableitkondensator 28 nach Masse kurzgeschlossen.
Die Zuführung der Regelspannung an die zweite Gate-Elektrode 18 im Gegensatz zur ersten Gate-Elektrode
16 hat den Vorteil, daß sich eine bessere Regelcharakteristik und eine höhere Kreuzmodulationsfestigkeit
ergeben. Bei den derzeit verfügbaren Isolierschicht-Feldeffekt-Transistoren hält die erste
Gate-Elektrode außerdem nicht die Regelspannungen aus, die für den erforderlichen Regelbereich benötigt
werden. Die zweite Gate-Elektrode ist jedoch auf einer
dickeren Oxidschicht angeordnet und kann daher mit den Regelspannungen im erforderlichen Aussteuerungsbereich
beaufschlagt werden.
Zwischen die zweite Gate-Elektrode 18 und eine Klemme 34, die mit einem Bezugspotential, z. B. Masse
26, verbunden ist, sind zwei in Reihe liegende Widerstände 30 und 32 geschaltet. Der Verbindungspunkt der beiden in Reihe liegenden Widerstände 30
und 32 ist mit der ersten Gate-Elektrode 16 verbunden, so daß dieser ein Teil der der Klemme 24 zugeführten
Regelspannung zugeführt wird. Jede Spannungsänderung an der Regelspannungsklemme 24 bezüglich
Masse hat daher eine Änderung der Spannung am Verbindungspunkt der Widerstände 30 und 32 bezüglich
Masse und damit an der ersten Gate-Elektrode 16 zur Folge. Die beiden Gate-Elektroden 18 und 16 sind durch
jeweils einen Kondensator 31 bzw. 33 mit Masse verbunden. Der Kondensator 31 leitet Hochfrequenzsignale
von der zweiten Gate-Elektrode 18 nach Masse 26 ab. Der Kondensator 33 dient zusammen mit anderen
Kapazitäten zur Abstimmung eines nicht dargestellten, mit der Eingangsklemme 20 verbundenen Eingangsresonanzkreises.
Da die Drain-Ströme von Feldeffekt-Transistor zu Feldeffekt-Transistor oft erheblich verschieden sind,
sieht man gewöhnlich eine Gleichstrom-Gegenkopplung zur Verringerung der Drain-Stromschwankungen
infolge der Exemplarstreuung vor. Zu diesem Zwecke ist bei der vorliegenden Schaltung ein Widerstand 36,
der für Signalfrequenzen durch einen Kondensator 38 überbrückt ist, zwischen die Source-Elektrode 14 und
die geerdete Klemme 34 geschaltet Die Einschaltung des Widerstandes 36 hat jedoch zur Folge, daß sich die
Spannung an der Source-Elektrode mit dem Drain-Strom ändert. Der sich aus dem Widerstandswert Ry,
des Widerstandes 36 und dem Drain-Strom fo ergebende Spannungsabfall ipRyt, schwankt also, wenn
sich der Drain-Strom Id in Abhängigkeit von Schwankungen
der Regelspannung ändert.
Wenn der in Reihe geschaltete Widerstand 30 fehlen würde, würde eine durch eine Änderung der an der
Klemme 24 liegenden Regelspannung verursachten Schwankung des Drain-Stromes eine Änderung der
Spannung zwischen der ersten Gate-Elektrode 16 und der Source-Elektrode 14 verursachen. Diese Änderung
würde dann den Arbeitspunkt des Transistors verschieben, wenn sie nicht kompensiert wird.
Dem Transistor wird eine positive Betriebsspannung von einer nicht dargestellten Spannungsquelle zugeführt,
die an eine Klemme 40 angeschlossen ist. Die Klemme 40 ist über einen Schwingkreis 42 mit der
Drain-Elektrode 12 verbunden. Mit dem Schwingkreis 42 ist eine Spule 46 gekoppelt die mit Ausgangsklemmen
44,44' verbunden ist, an welchen die Ausgangssignale zur Verfügung stehen.
Unter den Bedingungen mit maximaler Verstärkung liegt an der Klemme 24 eine positive Regelspannung.
Wenn die Spannung an der Klemme 24 abnimmt, also weniger positiv wird, sinkt der Drain-Strom foebenfalls,
und damit wird auch die Spannung (loRy>) an der
Source-Elektrode 14 kleiner (weniger positiv). Diese Änderung der Spannung an der Source-Elektrode
würde die Spannungsdifferenz zwischen der ersten Gate-Elektrode und der Source-Elektrode erhöhen. Da
jedoch ein Tsil der in negativer Richtung verlaufenden
Änderung der Regeispannung zur ersten Gate-Elektrode 16 gelangt, wird die Spannungsänderung zwischen
der ersten Gate-Elektrode und der Source-Elektrode erheblich verringert. Die beschriebene Vorspannungsschaltung
hält also die Spannung zwischen der ersten Gate-Elektrode 16 und der Source-Elektrode auch bei
Änderungen der Regelspannung konstant, so daß der Arbeitspunkt des Transistors bezüglich der ersten
Gate-Elektrode auch bei Änderungen der Regelspannung an der zweiten Gate-Elektrode konstant bleibt.
Die in Fig.2 dargestellte Schaltungsanordnung ist ähnlich aufgebaut wie die Schaltungsanordnung gemäß
Fig. 1. Die Schaltung gemäß Fig. 2 unterscheidet sich
von der nach Fig. 1 in erster Linie durch zwei zusätzliche Widerstände 48 und 50, durch die die
Verwendung einer Regelspannung ermöglicht wird, die stets positiv (oder stets negativ) bleibt, was oft
wünschenswert ist.
Die Widerstände 48 und 50 sind in Reihe zwischen die Betriebsspannung an der Klemme 40 und Masse 26
geschallet. Der Verbindungspunkt der Widerstände ist mit der Klemme 34 verbunden und liefert an diese
Klemme eine positive Bezugsspannung. Die ganze Schaltungsanordnung wird auf diese Weise auf einem
gewünschten Spannungspegel gehalten, der oberhalb des Massepotentials liegt und die Verwendung einer
Regelspannung erlaubt, die im vorliegenden Falle stets positiv ist.
Bei einer praktisch realisierten Ausführungsform der Schaltung nach F i g. 1 hatten die die Spannungsteilerschaltung
bildenden Widerstände 30 und 32 einen Wert von 820 kOhm bzw. 270 kOhm. Bei einer Ausführungsform der F i g. 2 wurden ähnliche Werte verwendet,
nämlich 820 kOhm bzw. 330 kOhm (bei einem Wert von 100 Ohm für den Widerstand 50). In beiden Fällen
wurde also der ersten Gate-Elektrode 16 ungefähr '/«
der Spannung der zweiten Gate-Elektrode 18 zugeführt; mit einer solchen Bemessung kann der Spannungsabfall
am Gleichstrom-Gegenkopplungswiderstand 36 (bei den genannten Beispielen 270 0hm in Fig. 1 bzw. 180
Ohm in Fig.2) gut kompensiert, d. h. eine v/eitgehend
konstante Spannung zwischen der ersten Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Feldeffekttransistors
aufrechterhalten werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung mit einem Mehr-Gate-Feldeffekttransistor, ·
dessen erster Gate-Elektrode die zu verstärkende Eingangssignalspannung und dessen zweiter Gate-Elektrode
eine Verstärkungsregelspannung zugeführt ist und mit einem Gleichstrom-Gegenkopplungswiderstand
im Source-Kreis, gekenn- n. zeichnet durch eine Spannungsteilerschaltung
(30, 32), mit welcher ein Teilbetrag der Rcgelspannung der ersten Gate-Elektrode (C 1 bzw. 16)
zugeführt ist
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch ι ■
gekennzeichnet, daß ein ohmscher Widerstand (30) der Spannungsteilerschaltung die beiden Gate-Elektroden
(16, s3) verbindet.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Anschluß der _·π
Spannungsteilerschaltung (30, 32) an den vom Feldeffekttransistor (10) abgewandten Pol des
Gieichstrom-Gegenkopplungswiderstandes (36) geschaltet
ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch j ·.
gekennzeichnet, daß der eine Anschluß der Spannungsteilerschaltung (30,32) ferner an eine Bezugsspannungsquelle
(48,50) geschaltet ist.
5. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die tu
Spannungsteilerschaltung (30, 32) durch ohmsche Widerstände gebildet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US68945467A | 1967-12-11 | 1967-12-11 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1812292A1 DE1812292A1 (de) | 1969-08-14 |
DE1812292B2 true DE1812292B2 (de) | 1978-02-16 |
DE1812292C3 DE1812292C3 (de) | 1978-10-12 |
Family
ID=24768538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1812292A Expired DE1812292C3 (de) | 1967-12-11 | 1968-12-03 | Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3480873A (de) |
JP (1) | JPS4841382B1 (de) |
AT (1) | AT289198B (de) |
BE (1) | BE725228A (de) |
BR (1) | BR6804781D0 (de) |
DE (1) | DE1812292C3 (de) |
ES (1) | ES361235A1 (de) |
FR (1) | FR1594342A (de) |
GB (1) | GB1242858A (de) |
MY (1) | MY7400213A (de) |
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- 1968-12-03 DE DE1812292A patent/DE1812292C3/de not_active Expired
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- 1968-12-10 NL NL6817685.A patent/NL160128C/xx not_active IP Right Cessation
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- 1968-12-11 BR BR204781/68A patent/BR6804781D0/pt unknown
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |