DE1491986C3 - Schaltung zur selbsttätigen Verstärkungsregelung für einen Überlagerungsempfänger - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur selbsttätigen Verstärkungsregelung für einen Überlagerungsempfänger mit nach dem Prinzip der Sättigungsregelung in ihrer Verstärkung geregelten Transistoren im HF-und ZF-Verstärker.

Zur Regelung der Verstärkung von Transistoren ist die sogenannte Sättigungsregelung bekannt (radio mentor 1956, S. 208 bis 210, DE-PS 12 56 735, DE-AS 11 68 981, US-PS 30 84 216), bei der die Tatsache ausgenutzt wird, daß die Verstärkung eines Transistors mit zunehmendem Kollektorstrom nach anfänglichem Anwachsen wieder absinkt, wenn der Transistor allmählich in die Sättigung gerät. Es sind Schaltungen für transistorisierte Funkempfänger bekannt, bei denen diese Erscheinung zur automatischen Verstärkungsregelung zum Ausgleich schwankender Antenneneingangssigna-Ie benutzt wird. Wendet man diese Art der Regelung bei einem mehrstufigen Transistorverstärker an, bei dem sämtliche Transistoren gleichzeitig und in gleicher Weise geregelt werden, und leitet man die Regelspannung in üblicher Weise aus der Amplitude des hinter der letzten Zwischenfrequenzverstärkerstufe auftretenden Zwischenfrequenzsignals ab, so ergibt sich der Nachteil, daß beim gleichzeitig mit den ZF-Stufen erfolgenden Herunterregeln der HF-Stufe das Signal/Rausch-Verhältnis ungünstiger wird, da die HF-Stufe dann nicht mehr mit ihrer vollen Verstärkung arbeitet.

Aus diesem Grunde ist es bekannt (P i t s c h , »Lehrbuch der Funkempfangstechnik«, Bd. II, 4. Auflage [1964], S. 742 bis 749), die HF-Stufe mit verzögerter Regelung arbeiten zu lassen, wobei sie zunächst noch mit voller Verstärkung arbeitet, während die ZF-Stufen bereits heruntergeregelt werden, und erst später bei weiterem Anwachsen des Eingangssignals in ihrer Verstärkung ebenfalls herabgeregelt wird. Zur Erzielung dieser verzögerten Regelung verhindert man entweder die Entstehung einer Regelspannung bis zu einem Schwellwert der Hochfrequenzamplitude, oder man macht die Regelspannung bis zu diesem Werte unwirksam. In manchen Fällen ist es bekannterweise zweckmäßig, die Regelspannung auch auf einem bestimmten Wert zu begrenzen.

In der DE-PS 6 48 723 ist ein mehrstufiger Röhrenverstärker beschrieben, bei dem zum Zwecke einer stufenweisen Verzögerung des Regeleinsatzes den einzelnen Röhren unterschiedliche Gittervorspannungen zugeführt werden, derart, daß die erste Röhre die stärkste Gittervorspannung und die letzte zu regelnde Röhre die geringste Gittervorspannung erhält. Dadurch wird die erste Röhre infolge der überlagerten Regelspannung zuerst in den Krümmungsbereich der Anodenstromkennlinie gesteuert, wo ihre Verstärkung absinkt. In gleicher Weise wird die Verstärkung der folgenden Röhren bei zunehmender Regelung nacheinander verringert.

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung eines mehrstufigen Transistorverstärkers, der nach dem Prinzip der verzögerten Regelung arbeitet und den verzögerten Einsatz der Regelung in schaltungsmäßig einfacher Weise ohne zusätzlichen Aufwand, etwa durch einen zu überschreitenden Schwellwert bestimmende Bauelemente, ermöglicht.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Die Verzögerung des Regelungseinsatzes der HF-Stufe wird hierbei allein durch die Wahl einer besonderen Kennlinienform dieses Transistors bewirkt, dessen Verstärkungsgrad innerhalb eines bestimmten Kollektorstrombereiches konstant bleibt, so daß er sich trotz der gleichzeitigen Zuführung der Regelspan-

⁶S nung zur Steuerelektrode auch dieses Transistors nicht verändert. Hierzu gibt der Stand der Technik keine Anregung. Vielmehr sind dort für den verzögerten Regelungseinsatz vorgespannte Dioden oder andere Schal-

tungsmaßnahmen erforderlich, die den konstruktiven Aufwand erhöhen.

Vorzugsweise wird der Arbeitspunkt des HF-Transistors an ein" Ende des Bereiches konstanter Verstärkung gelegt, so daß für diesen gesamten Bereich die Verstärkungsregelung ausschließlich über den oder die ZF-Transistoren erfolgt und solange die volle Verstärkung des HF-Transistors zur Verfugung steht.

In besonderer Ausgestaltung der Erfindung kann der HF-Transistor gleichzeitig als Verstärker für die Regelspannung des ZF-Transistors geschaltet werden. Dadurch steht an diesem eine höhere Regelspannung zur Verfügung, so daß das Regelverhalten sich verbessern läßt. Insbesondere kann zu diesem Zweck mit dem HF-Transistor ein Schaltungsteil, etwa in Form eines Widerstandes gekoppelt sein, welcher die Regelspannung für den ZF-Transistor proportional zum Kollektorstrom des HF-Transistors erzeugt und dem ZF-Transistor über einen Gleichspannungsweg zuführt. Hierdurch läßt sich in einfacher Weise der richtige An-Schluß der Regelbereiche für den HF-Transistor und den ZF-Transistor erzielen.

"^ Ferner läßt sich eine Übersteuerung der ZF-Transistören bei sehr großen Eingangssignalen vermeiden, wenn man an die Elemente des Gleichspannungsweges eine Klemmschaltung anschließt, welche die Regelspannung für den ZF-Transistor derart begrenzt, daß die Verstärkung des ZF-Transistors konstant bleibt, wenn der Arbeitspunkt des HF-Transistors bei anwachsendem Eingangssignal über die Grenze des Bereiches konstanter Verstärkung wandert. Hierbei übernimmt dann die HF-Vorstufe, an welcher die gleiche Wechselspannungsamplitude auftritt und welche daher gegen Verzerrungen am unempfindlichsten ist, in verstärktem Maße allein die Regelung.

Die Verstärkung der Regelspannung läßt sich noch erhöhen, wenn man den HF-Transistor über eine Rückkopplungsverbindung mit der seine Regelspannung liefernden Regelspannungsquelle verbindet. Dadurch erhöht sich die Schleifenverstärkung des Regelkreises zusätzlich, und die Regelung wird noch empfindlicher.

Ein besonderes Anwendungsgebiet der erfindungsgemäßen Schaltung sind Fernsehempfänger, wobei die -\ Regelspannungsquelle eine der Empfangsfeldstärke un- J verzögernd folgende Regelspannung erzeugt, mit Hilfe deren die ZF-Stufen unverzögert geregelt werden.

Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Darstellungen von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 das Blockschaltbild eines Fernsehempfängers mit der erfindungsgemäßen Regelschaltung,

F i g. 2 die ausführliche Schaltung eines Teils des in F i g. 1 dargestellten Empfängers,

F i g. 3 den Verlauf der Verstärkung über der Kollektorstromstärke eines HF- oder ZF-Transistors,

Fig.4 eine abgewandelte Ausführungsform eines Teils der Schaltung nach F i g. 2,

F i g. 5 eine weitere Ausführungsform eines Teils der Schaltung nach F i g. 2 und

F i g. 6 eine dritte Ausführungsform eines Teils der Schaltung nach F i g. 2.

Es soll zunächst an Hand der F i g. 1 kurz das Blockschaltbild eines Fernsehempfängers betrachtet werden, ehe im Zusammenhang damit die Verstärkungsregelung im einzelnen beschrieben wird. Über eine Antenne 10 gelangen die Fernsehsignale zum Tuner 12, der einen HF-Verstärker 14, einen Oszillator 15 und eine Mischstufe 16 enthält. Vom Tuner 12 gelangen die ZF-Signale zum ZF-Verstärker 18 und werden in einer oder mehreren ZF-Stufen für die Demodulation im Videodetektor 20 verstärkt. An dessen Ausgang erscheint das demodulierte Fernsehsignal, welches im ersten Videoverstärker 26 verstärkt wird und anschließend auf den Tonkanal 22, den zweiten Videoverstärker 28, den Ablenkteil 34 und die Regelspannungsstufe 36 aufgeteilt wird. An den Tonkanal 22 ist ein Lautsprecher 24, an den Videoverstärker 28 ist die Kathode 30 der Bildröhre 32 angeschlossen. Die Ablenkeinheit 38 der Bildröhre erhält die Strahlablenksignale vom· Ablenkteil 34.

Die Ausgangssignale des ersten Videoverstärkers 26 und des Ablenkteils 34 gelangen zur unverzögert arbeitenden Regelspannungsstufe 36, weiche eine Regelspannung erzeugt, die dem Transistor des HF-Verstärkers 14 zugeführt wird. Bei der dargestellten Ausführungsform verstärkt der HF-Verstärker 14 die Regelspannung, welche dann über die Leitung 42 dem ZF-Verstärker 18 zugeleitet wird und dessen Verstärkung regelt. Ferner gelangt die verstärkte Regelspannung über die Leitung 42 als Rückkopplungsspannung zur Regelspannungsschaltung 36, so daß die Schleifenverstärkung im Regelkreis erhöht wird.

Gemäß F i g. 2 enthält der HF-Verstärker einen Transistor 50, dessen Emitter über einen Widerstand 52 an Masse liegt und dessen Kollektor über die Serienschaltung eines Widerstandes 58 und eines Parallelresonanzkreises 54 an eine Betriebsspannungsquelle B + angeschlossen ist. Der Resonanzkreis 54 besteht aus einer veränderbaren Induktivität 53 und einem Kondensator 56.

Die Basis des Transistors 50 ist mit dem Verbindungspunkt der zwischen B+ und Masse als Spannungsteiler geschalteten Widerstände 60 und 62 verbunden. Die Widerstände 60 und 62 sind so bemessen, daß der Transistor 50 leitet. Die zu verstärkenden Eingangssignale werden zwischen die Klemme 64 und Masse gelegt und von dort über einen Serienresonanzkreis 65 mit einem Kondensator 66 und einer veränderbaren Induktivität 68 auf die Basis des Transistors 50 gekoppelt. Die Abstimm-Mechanismen der Spulen 53 und 68 sind zum Abstimmen des Verstärkers auf eine gewünschte Frequenz oder einen gewünschten Fernsehkanal mechanisch miteinander gekuppelt (gestrichelte Linie 55).

Die im Resonanzkreis 54 auftretende verstärkte H F-Eingangsspannung gelangt über einen Kondensator 70 zum Transistor 72 der Mischstufe. Dort wird die HF-Spannung mit der über den Kondensator 74 eingekoppelten, vom nicht dargestellten Oszillator des Empfängers erzeugten Schwingung zur Bildung der ZF-Spannung überlagert. Der Emitter des Transistors 72 liegt über einen Widerstand 76 an Masse, während der Kollektor über die Primärwicklung eines auf die Zwischenfrequenz abgestimmten Transformators 78 und einen hiermit in Reihe liegenden Widerstand 80 an den Pol B+ der Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist. Durch die am Verbindungspunkt der zwischen B+ und Masse geschalteten Widerstände 82 und 84 herrschende Spannung wird der Transistor 72 so vorgespannt, daß er leitet.

Die ZF-Spannung wird von der Sekundärwicklung des Transformators 78 über einen Kondensator 86 auf die Basis eines Transistors 88 der ersten ZF-Verstärkerstufc gekoppelt. Der Emitter des Transistors 88 liegt über ein Parallel-/?C-Glied mit einem Kondensator 93 und einem Widerstand 92 an Masse, während der Kollektor über die Serienschaltung eines Widerstandes

98 mit einem Parallelresonanzkreis 95 an den Pol B + angeschlossen ist. Der Resonanzkreis 95 besteht aus einer Spule 94 und einem Kondensator 96. Durch die am Verbindungspunkt zweier in Reihe zwischen den Pol B+ und Masse geschalteter Widerstände 90 und 102 herrschende Spannung wird der Transistor 88 so vorgespannt, daß er leitet.

Die am Kollektor des Transistors 88 erscheinende verstärkte ZF-Spannung gelangt über einen Koppelkondensator 104 zum Transistor 106 der zweiten ZF-Verstärkerstufe. Der Emitter des Transistors 106 liegt über ein Para!!el-/?C-Glied mit einem Widerstand 108 'und einem Überbrückungskondensator 109 an Masse, während der Kollektor über die Reihenschaltung eines Widerstandes 114 mit einem Parallelschwingkreis Ul an den Pol B+ angeschlossen ist. Der Schwingkreis 111 besteht aus der Primärwicklung eines Transformators UO und einem Kondensator 112. Durch die am Verbindungspunkt der in Reihe zwischen den Pol B + und Masse geschalteten Widerstände 116 und 118 herrsehende Spannung wird der Transistor 106 so vorgespannt, daß er leitet.

Die an der Sekundärwicklung des Transformators 110 und einem Kondensator 122 abgenommene verstärkte ZF-Spannung wird mit Hilfe einer Diode 120 des Videodemodulators demoduliert, der noch ein Siebglied mit den Kondensatoren 124 und 125 und der Serieninduktivität 126 enthält. Das demodulierte Signalgemisch besteht aus den Bildsignalen und den Synchronisierimpulsen sowie dem modulierten Tonträger. Dieses Signalgemisch gelangt zum Transistor 128 des ersten Videoverstärkers. Der Transistor 128 ist .hier als Emitterfolger geschaltet. Sein Emitter liegt über einen Widerstand 130 an Masse, während sein Kollektor über einen Widerstand 132 an den Pol B-f angeschlossen ist. Durch die am Verbindungspunkt der in Reihe zwischen den Pol B+ und Masse geschalteten Widerstände 134 und 138 herrschende Spannung, welche der Basis des Transistors 128 über einen Widerstand 135 zugeführt wird, wird der Transistor 128 so vorgespannt, daß er leitet.

Das Signalgemisch gelangt vom Emitter des Transistors 128 über einen Widerstand 140 auf die Basis eines Transistors 142 der Regelspannungsstufe. Die Zeilenrücklaufimpulse, die während des Horizontalaustast-Intervalls in einer Sekundärwicklung 150 des nicht dargestellten Zeilenablenktransformators erzeugt werden, gelangen über eine Diode 148 zum Kollektor des Transistors 142. Durch eine Vorspannungsschaltung, beispielsweise ein zwischen den Pol B+ und Masse geschaltetes Emitterpotentiometer 144, wird der Transistor 142 so vorgespannt, daß er in den Zeiträumen zwischen den Horizontalsynchronisierimpulsen und auch den Rücklaufimpulsen gesperrt ist. Zwischen den Emitter des Transistors 142 und Masse ist ein Überbrükkungskondensator 156 geschaltet.

Das Ausgangssignal der Regelspannungsstufe gelangt zu einem Filterglied mit einem Querkondensator 152 und einem Längswiderstand 154. Die Zeitkonstante dieses Filtergliedes ist einerseits so groß gewählt, daß der Kondensator 152 seine Ladung über mehrere Zeilendauern der Bildröhre beibehält, während sie andererseits so kurz ist, daß ziemlich rasche Schwankungen der Nutzsignal-Feldstärke ausgeregelt werden können. Die Diode 148 ist zwischen die Sekundärwicklung 150 und den Kollektor des Transistors 142 geschaltet und verhindert, daß der Kollektor-Basis-Übergang des Transistors 142 durch die am Kondensator 152 während der Abwesenheit der Rücklaufimpulse entwickelte Spannung in der Durchlaßrichtung gespannt werden kann.

Die Ausgangsspannung des aus dem Querkondensator 152 und dem Längswiderstand 154 bestehenden Filtergliedes wird der Basis des HF-Transistors 50 zugeleitet und ändert die Durchlaßvorspannung dieses Transistors (in der Ausführungsform nach F i g. 2), so daß der Strom im Transistor 50 mit zunehmender Nutzsignal-Empfangsfeldstärke ansteigt. Bei den derzeit auf dem Markt erhältlichen Transistoren wird eine solche Sättigungsregelung angewendet, da hierbei weniger Kreuzmodulationsverzerrungen auftreten.

Die durch die Regelspannungsänderungen an der Basis des Transistors 50 bewirkten Änderungen des Kollektorstromes haben proportionale Spannungsänderungen am Widerstand 58 zur Folge. Bei der Ausführungsform nach F i g. 2 ist der Widerstand 58 so bemessen, daß sich eine Verstärkung der Regelspannung ergibt. Die verstärkte Regelspannung wird über ein Filter mit einem Längswiderstand 158 und einem Querkondensator 160 sowie über einen Trennwiderstand 162 auf die Basis des ersten ZF-Transistors 88 gekoppelt. Wegen der durch den Transistor 50 bewirkten Phasenumkehr vermindert die auf die Basis des Transistors 88 gekoppelte Spannung den Kollektorstrom dieses Transistors bei ansteigender Signalfeldstärke. Die verstärkte Regelspannung gelangt außerdem über den Trennwiderstand 164 zur Basis des zweiten ZF-Transistors 106.

Um für eine vorgegebene Änderung der verstärkten Regelspannung jeweils gleiche Änderungen des Verstärkungsgrades der geregelten ZF-Verstärkerstufen (Transistoren 88 und 106) zu erhalten, werden die verschiedenen Schaltungselemente in den Vorspannungsschaltungen der beiden Stufen so bemessen, daß die Vorspannungsschaltung als Spannungsquelle wirkt. Dadurch werden übermäßige Verstärkungsänderungen in einer der beiden Stufen vermieden. Die Werte der Widerstände 102 und 118 in dieser Ausführungsform betragen etwa 560 Ohm und sind damit sehr klein gegenüber dem Eingangswiderstand der betreffenden Transistoren. Bei Verwendung einer Vorspannungsschaltung vom Spannungsquellentyp sind die Kollektorruheströme der Transistoren 88 und 106 im wesentlichen unabhängig vom Stromverstärkungsfaktor der einzelnen Transistoren. Diese Ruheströme hängen hauptsächlich von der an der Basis der Transistoren liegenden Spannung sowie vom ohmschen Wert der Emitterwiderstände 92 und 108 ab.

Wenn mehrere Stufen durch eine gemeinsame Regelspannungsquelle geregelt werden, muß man ferner Maßnahmen treffen, um die einzelnen Stufen voneinander zu entkoppeln, damit sie sich gegenseitig möglichst nicht beeinflussen können. Diesem Zweck dienen die Widerstände 162 und 164 mit Werten in der Größenordnung von 10 000 Ohm.

Die beiden Reihenschaltungen mit jeweils einem hochohmigen Trennwiderstand (Widerstände 162 und 164) und einem niederohmigen Vorspannungswiderstand (Widerstände 102 und 118) bilden zwei Spannungsteiler, bei denen nur ein kleiner Bruchteil der an den Widerständen 162 und 164 liegenden Spannung an den Vorspannungswiderständen 102 bzw. 118 auftritt. Folglich muß die Regelspannungsquelle, die für die Regelung dieser ZF-Verstärkerstufen (Transistoren 88 und 106) innerhalb des erforderlichen Verstärkungsänderungsbereiches benötigt wird. Spannungen liefern können, die einen größeren Bereich umfassen, als es bei

den herkömmlichen Regelschaltungen im allgemeinen der Fall ist.

In der Schaltung nach Fig.2 erfüllt der HF-Verstärkertransistor 50 eine doppelte Aufgabe, indem er einerseits die HF-Spannung und andererseits die auf seine Basis gekoppelte Regelspannung verstärkt. Dadurch reicht die Amplitude der verstärkten Regelspannung aus, um die ZF-Transistoren über den erforderlichen Verstärkungsbereich zu regeln. Außer für die Regelung der Vorspannung der ZF-Transistoren wird die am Widerstand 58 erscheinende verstärkte Regelspannung als positive Rückkopplungsgleichspannung über einen Widerstand 166 auf die Basis des Transistors 142 der Regelspannungsstufe gekoppelt.

Es ist auch eine andere Regelungsart anwendbar, bei der die Polarität der Ausgangsspannung der Regelspannungsstufe umgekehrt ist, so daß die Durchlaßvorspannung des HF-Verstärkertransistors bei ansteigender Nutzsignalfeldstärke in Sperrichtung herabgeregelt wird. In diesem Falle erfolgt die Verstärkungsregelung der ZF-Stufen im Sinne einer Erhöhung der Durchlaßvorspannung der ZF-Transistoren mit ansteigendem Nutzsignalpegel. Wird andererseits eine in Sperrichtung erfolgende Regelung für sowohl die ZF-Stufen als auch die HF-Stufe (Herunterregeln der Vorspannung mit ansteigendem Nutzsignalpegel) bevorzugt, so kann man die Schaltung nach F i g. 2 in der Weise abwandeln, daß man die Basis des ZF-Verstärkers an den Emitterwiderstand 52 ankoppelt.- Dadurch erhält man eine Spannung, die den ZF-Transistorstrom in dem Maße erniedrigt, wie der HF-Transistorstrom mit ansteigender Nutzsignalfeldstärke abnimmt.

Das Diagramm nach F i g. 3 zeigt einen typischen Verlauf des Verstärkungsgrades über dem Kollektorstrom eines HF- und ZF-Transistorverstärkers. Eine Kombination von Änderungen des Eingangs- und Ausgangswiderstandes und der Steilheit des in diesen Schaltungen verwendeten Trasistors ergibt eine Verstärkungscharakteristik, bei welcher der Verstärkungsgrad der betreffenden Stufe über einen bestimmten Kollektorstrombereich (zwischen den Punkten A und B) weitgehend konstant ist. Verläßt der Kollektorstrom diesen Bereich (links des Punktes A und rechts des Punktes B in F i g. 3), so sinkt der Verstärkungsgrad ab.

Eine verzögerte Verstärkungsregelung der HF-Stufe erhält man dadurch, daß man die Vorspannungsschaltungen des HF-Transistors und der ZF-Transistoren in F i g. 2 so bemißt, daß die Kollektorströme jeweils im Punkt A auf der Kurve in F i g. 3 liegen. Wie bereits erwähnt, wird in der beschriebenen Schaltung der Kollektorstrom des HF-Transistors 50 bei ansteigender Nutzsignal-Empfangsfeldstärke erhöht. Ein Ansteigen des Kollektorstromes des Transistors 50 vom Punkt A bis zum Punkt B(F i g. 3) hat aber nur eine sehr geringe Änderung des Verstärkungsgrades der HF-Stufe zur Folge: Die Verstärkung dieser Stufe über den Bereich A-B kleiner Empfangsfeldstärken bleibt somit im wesentlichen konstant, obwohl der Gleichstrom des Trasistors 50 mit zunehmenden Signalfeldstärken ansteigt, wobei der Kollektorstrom der geregelten ZF-Transistoren 88 und 106 entsprechend abnimmt.

Am Widerstand 58 tritt ein größerer Spannungsabfall auf, so daß die Vorspannungen an den Basen der Transistoren 88 und 106 entsprechend absinken. Da die Arbeitspunkte der Transistoren 88 und 106 gleichfalls im Punkt A liegen, bewirkt dieses Absinken des Kollektorstroms der Transistoren 88 und 106, daß bei im wesentlichen konstant bleibendem Verstärkungsgrad der HF-Stufe die Verstärkung des ZF-Verstärkers sinkt. Die Regelung der HF-Stufe erfolgt also verzögert gegenüber der unverzögerten Regelung der ZF-Stufen. Sobald die Empfangsfeldstärke denjenigen vorbestimmten Pegel übersteigt, von dem ab der Kollektorstrom des Transistors 50 über den Punkt B hinaus ansteigt, setzt die zusätzliche Herabregelung des Verstärkungsgrades auch der HF-Stufe ein.

ίο Zur Begrenzung des Regelbereichs der ZF-Stufen können Klemmschaltungen, wie sie in Fig.4, 5 und 6 gezeigt sind, vorgesehen werden. In Fi g. 4 ist die Änderung der Vorspannung an der Basis, des Transistors 88 dadurch begrenzt, daß der Widerstand 90 statt an den Pol B+ (wie in Fig.2) an den Kondensator 160 angeschlossen ist. Eine Diode 170 ist zwischen den Verbindungspunkt des Kondensators 160 mit dem Widerstand 90 einerseits und einen zwischen den Pol B+ und Masse geschalteten Spannungsteiler mit den Wider-

ao ständen 172 und 174 andererseits geschaltet. Wenn bei ansteigendem Eingangssignalpegel die Kathodenspannung der Diode 170 negativer als ihre Anodenspannung wird, leitet die Diode. Die Widerstände 172 und 174 sind klein gegenüber dem Widerstand 58, so daß bei leitender Diode 170 die Basisvorspannung des Transistors 88 auf die Kathodenspannung der Diode geklemmt und die Änderung der Vorspannung des Transistors 88 auf diese Weise begrenzt wird.

In F i g. 5 ist die eine Seite des Widerstandes 90 über einen zusätzlichen Widerstand 176 an den Pol B+ angeschlossen. Die am Kondensator 160 liegende Spannung gelangt über eine Diode 178 zum Verbindungspunkt der Widerstände 176 und 90. Die Diode 178 ist so vorgespannt, daß, wenn der Spannungsabfall am Widerstand 58 einen bestimmten Grenzwert übersteigt, die Anode der Diode 178 weniger positiv wird als die Spannung am Verbindungspunkt der Widerstände 176 und 90, so daß die Diode 178 aufhört zu leiten und dadurch die Vorspannungsänderung des Transistors 88 entsprechend begrenzt wird.

In F i g. 6 ist ein Spannungsteiler der Reihenschaltung der Widerstände 180 und 182 zwischen den Pol B+ und Masse geschaltet. Die Widerstände 180 und 182 sind klein gegenüber dem Widerstand 58. Eine Diode 184 ist zwischen den Verbindungspunkt der beiden Widerstände 180 und 182 einerseits und den Verbindungspunkt des Widerstandes 58 und des HF-Resonanzkreises 54 andererseits geschaltet. Durch diese Schaltungsanordnung wird die Amplitude der am Widerstand 58 auftretenden Spannungsänderung begrenzt. Die Diode 184 leitet, wenn der Spannungsabfall am Widerstand 58 einen vorbestimmten Schwellwert erreicht, bei dem der Spannungsabfall am Widerstand 182 kleiner als der Spannungsabfall am Verbindungspunkt des Widerstandes 58 mit dem Resonanzkreis 54 ist.

Die verstärkte Regelspannung, die am Widerstand 58 auftritt, wird auf die Basis des Regeltransistors 142 gekoppelt. Der H F-Verstärkertransistor kehrt die Regelspannung um, so daß die verstärkte Regelspannung auf den Regeltransistor 142 positiv rückgekoppelt wird. Durch diese Rückkopplung wird die Verstärkung des Regelkreises erhöht, so daß die Regelung empfindlicher arbeitet und die Ausgangsspannung des Empfän-

«5 gers über einen gegebenen Änderungsbereich der Empfangsfeldstärke besser konstant hält als ohne eine derartige Rückkopplung.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

809 682/1

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Schaltung zur selbsttätigen Verstärkungsregelung für einen Überlagerungsempfänger mit nach dem Prinzip der Sättigungsregelung in ihrer Verstärkung geregelten Transistoren im HF- und ZF-Verstärker, dadurch gekennzeichnet, daß ein verzögerter Regeleinsatz des H F-Verstärkers gegenüber dem ZF-Verstärker dadurch erreicht wird, daß ein HF-Transistor (50) mit einem ausgeprägten Bereich (A-B) konstanter Verstärkung (flaches Verstärkungsmaximum) seiner Kollektorstrom-Verstärkungsgrad-Kennlinie verwendet ist und der Arbeitspunkt für niedrigste Empfangsfeldstärke in einen Punkt am Ende (A) dieses Bereiches gelegt ist, derart, daß beim Anwachsen der Regelspannung und einsetzender Herunterregelung der Verstärkung der ZF-Stufe (88) der Arbeitspunkt des HF-Transistors (50) zunächst diesen Bereich (A-B) einschließlich des flachen Maximums durchläuft und erst anschließend bei weiterer Vergrößerung der Empfangsfeldstärke einen zusätzlichen Verstärkungsabfall zu demjenigen der ZF-Stufe erbringt.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der HF-Transistor (50) gleichzeitig als Verstärker für die Regelspannung des ZF-Transistors (88) geschaltet ist.

3. Schaltung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch einen mit dem HF-Transistor (50) gekoppelten Schaltungsteil (Widerstand 58), welcher die Regelspannung für den ZF-Transistor (88) proportional zum Kollektorstrom des HF-Transistors (50) erzeugt und dem ZF-Transistor über einen Gleichspannungsweg (158, 162) zuführt.

4. Schaltung nach Anspruch 2 oder 3, gekennzeichnet durch eine an die Elemente (176, 190) des Gleichspannungsweges angeschlossene Klemmschaltung (170, 172, 174; 178; 180, 182, 184), welche die Regelspannung für den ZF-Transistor (88) derart begrenzt, daß die Verstärkung des ZF-Transistors (88) konstant bleibt, wenn der Arbeitspunkt des HF-Transistors (50) bei anwachsendem Eingangssignal über die Grenze (B) des Bereiches (A-B) konstanter Verstärkung wandert.

5. Schaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der HF-Transistor (50) über eine Rückkopplungsverbindung (166) mit der seine Regelspannung liefernden Regelspannungsquelle (Transistor 142) verbunden ist.