DE2939920C2 - Verwendung eines Amins in einem Bad zum galvanischen Abscheiden von Palladium - Google Patents
Verwendung eines Amins in einem Bad zum galvanischen Abscheiden von PalladiumInfo
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Description
JO R2
R3
R1 —CH3-C—(CH2K-N
R2 R4
mit .v = 0 oder 1
für .v = 0 mit
für .v = 0 mit
Die Erfindung betrifft die Verwendung eines Amins zusammen mit einer Palladium(ll)-Verbindung für ein
ammoniakfreies. wäßriges, Leit- und/oder Puffersalz sowie gegebenenfalls Netzmittel und Glanzbildner
enthaltendes Had zum galvanischen Abscheiden von Palladiumschichten.
und
R1 = —N
oder
— N
R2. R\ R4 = H,
>o Tür χ = 1 mit
R1 = N(CH,XCH2)3NH2.
NH(CH2)2NH(CH2),NH2,
NH2. OH oder C1 ^-Alkoxy,
NH2. OH oder C1 ^-Alkoxy,
R2. R3, R4 = H oder CH3
zusammen mit einer Palladium(ll)-Verbindung für ein
an.moniakfreis, wüßriges, Leit- und/oder Puffersalz
sowie gegebenenfalls Netzmittel und Glanzbildner enthaltendes Bad zum galvanischen Abscheiden von
Palladiumschichten bei einem pH-Wert im Bereich von 6 bis II, einer Temperatur im Bereich von 20 bis 700C
und einer Stromdichte im Bereich von 0,1 bis 30 A/dm2 gelöst.
Als Amine haben sich neben
I -(2-AminoäthylJ-piperidin und
4-(2-Aminoäthyl)-morpholin
besonders
I -(2-AminoäthylJ-piperidin und
4-(2-Aminoäthyl)-morpholin
besonders
N.N.2.2-Tetramethy!-13-diaminopropan,
2.2-DimethyI-1.3-diaminopropan,
N.N-DimethyI-13-diaminopropan,
N-(2-AminoäthylJ-13-diaminopropan,
N-Methyl-bis-(3-aminopropyl)-amin,
N.N'-Bis-(3-aminopropyl)-1.2-diaminoäthan,
N.N^-Tetramethyl-S-aminopropanol,
2^-Dimethyl-3-aminopropanol,
3-Methoxypropylamin und
3-ButoxypropyIamin
bewährt.
2.2-DimethyI-1.3-diaminopropan,
N.N-DimethyI-13-diaminopropan,
N-(2-AminoäthylJ-13-diaminopropan,
N-Methyl-bis-(3-aminopropyl)-amin,
N.N'-Bis-(3-aminopropyl)-1.2-diaminoäthan,
N.N^-Tetramethyl-S-aminopropanol,
2^-Dimethyl-3-aminopropanol,
3-Methoxypropylamin und
3-ButoxypropyIamin
bewährt.
Als geeignete Palladium(II)-Verbindungen werden bevorzugt
PdCI2, Pd(OH)2, [K2 Pd(NO2J4J
Pd(NH2SO3J2, Pd(NH3J2CI2 und
Pd(NH3J2(NO2J2
verwendet.
Pd(NH2SO3J2, Pd(NH3J2CI2 und
Pd(NH3J2(NO2J2
verwendet.
Vorzugsweise beträgt die Palladium-Konzentration 6—20 g/l und wird das Amin in einer Menge verwendet,
die einem Mol-Verhältnis von Amin zu Palladium wie 1 zu 1 bis 3 zu 1 entspricht
Neben den Aminen und den PalIadium(II)-Verbindungen werden übliche und an sich bekannte Zusätze,
wie Leitsalze und/oder Puffersalze, Netzmittel und Glanzbildner verwendet.
Der überraschende Vorteil der erfindungsgemäß verwendeten Amine liegt in der Möglichkeit, die
dadurch erhaltenen ammoniakfreien, wäßrigen Bäder auch bei hohen StronuJichten betreiben zu können. So
können die Bäder auch bei Verfahrer.:, die eine hohe Abscheidungsgeschwindigkeit e/fordern, z. B. beim
Band-Galvanisieren und beim selektiven lalvanisieren,
eingesetzt werden.
Sie liefern halbglänzende bis glänzende Palladiumschichten, die haftfest und porenfrei sind und nur
geringe innere Spannungen aufweisen.
Die Schichten eignen sich sowohl für technische Zwecke, z. B. für elektrische Kontakte, als auch für
dekorative Zwecke, z. B. für Schmuckwaren.
In den folgenden Beispielen werden die Herstellung von Bädern unter Verwendung der genannten Amine
beschrieben und die Bedingungen zum galvanischen Abscheiden von Palladiumschichten aus diesen Bädern
angegeben.
Die Einstellung des pH-Wertes der Bäder erfolgt mit einer geeigneten basischen Verbindung, bevorzugt mit
dem angewandten Amin, bzw. mit einer Säure, bevorzugt mit einer solchen, deren Anionen bereits in
dem Bad vorhanden sind.
Zu der aus einer 10 g/l Pd als K2[Pd(NO2J4]
enthaltenden wäßrigen Lösung und 60 ml/l N-(2-Aminoäthyl)-l.3-diaminopropan
gewonnenen Lösung werden 30 g/l NaNO3 und 5 g/l Kaliumeitrat gegeben.
Bei einem pH-Wert von 8, 9, 60°C und 20 A/dm2 werden haftfeste,glänzende,fingerunempfindliche PaIIadiürnschichten
abgeschieden.
Zu der aus Pd(NH3J2CI2 in einer 10 g/l Pd entsprechenden
Menge, 20 ml/1 N.N'-Bis-(3-aminopropyl)-1.2-
ι η
diaminoathan und Wasser gewonnenen Lösung werden 20 g/I NH2SO3H und 20 g/l Na2SO4 gegeben.
Bei einem pH-Wert von 7,5O0C und 5 A/dm- werden
haftfeste, halbglänzende Palladiumschichten abgeschieden,
Zu der aus einer 10 g/l Pd als Pd(NH2SO3J2
enthaltenden wäßrigen Lösung und 30 ml/l N.N-2.2-Tetramethyl-13-diaminopropan
gewonnenen Lösung vi erden 25 g/i NH2SO3H gegeben.
Bei einem pH-Wert von 8,1, 5O0C und 5 A/dm2
werden haftfeste Palladiumschichten abgeschieden.
Zu der aus Pd(OH)2 in einer 10 g/l Pd entsprechenden
Menge, 10ml/I 2.2-DirnethyI-l.3-diaminopropan und
Wasser gewonnenen Lösung werden 10 g/l KH2PO4
gegeben.
Bei einem pH-Wert von 7,5, 600C und 5 A/dm2
werden haftfeste, halbglänzende Palladiumschichten abgeschieden.
Zu der aus einer 10 g/l Pd als Pd(NH2SO3J2
enthaltenden wäßrigen Lösung und 60 ml/l 2.2-DimethyI-3-aminopropanol
gewonnenen Lösung werden 35 g/l Na2SO4 gegeben.
Bei einem pH-Wert von 8,1, 500C und 5 A/dm2
werden haftfeste Palladiumschichten abgeschieden.
Zu der aus einer 10 g/l Pd als K2[Pd(NO2J4]
enthaltenden wäßrigen Lösung und 25 ml/I N-Methylbis-(3-aminopropyl)-amin
gewonnenen Lösung werden 30 g/l K2HPO4 gegeben.
Bei einem pH-Wert von 7,2, 6O0C und 10 A/dm2
werden haftende, glänzende Palladiumschichten abgeschieden.
Zu der aus einer 10 g/l Pd als Pd(NH2SO3J2
enthaltenden wäßrigen Lösung und 40 ml/l 3-Methoxypropylamin gewonnenen Lösung werden 75 g/l K2SO4
gegeben.
Bei einem pH-Wert von 7,50°C und 5 A/dm2 werden
haftfeste Palladiumschichten abgeschieden.
Zu der aus Pd(NH3J2CI2 in einer 10 g/l Pd entsprechenden
Menge, 30 ml/l 4-(2-Aminoäthyl)-morpholin und Wasser gewonnenen Lösung werden 30 g/I KCl
gegeben.
Bei einem pH-Weri von 8,2, 500C und 5 A/dm2
werden halbglänzende Palladiumschichten abgeschieden.
Zu der aus Pd(NH3J2CI2 in einer 10 g/l Pd entsprechenden
Menge, 25 ml/l l-(2-Aminoäthyl)-piperidin und Wasser gewonnenen Lösung werden 40 g/l KCI
gegeben.
Bei einem pH-Wert von 7,8, 50°C und 5 A/dm2
werden halbglänzende Palladiumschichten abgeschieden.
Claims (1)
1. Verwendung
Formel
Formel
eines Amins der allgemeinen
R:
R3
R1 —CH2-C—(CH2),-N
R4
mit χ = 0 oder 1
tür .v = 0 mit
tür .v = 0 mit
und
R1 = —N
oder
— N
R2. R3, R4 = H.
für χ = 1 mit
R1 = N(CH3XCH2)JNH2,
NH(CHj)2NH2,
NH(CH,)2NH(CH2)3NHj,
NH2, OH oder C,-4-Alkoxy,
NH(CHj)2NH2,
NH(CH,)2NH(CH2)3NHj,
NH2, OH oder C,-4-Alkoxy,
R', R', R4 = H oder CH3
zusammen mit einer Palladium(II)-Verbindung für ein ammoniakfreies, wäßriges, Leit- und/oder
Puffersalz -sowie gegebenenfalls Netzmittel und Glanzbildner enthaltendes Bad zum galvanischen
Abscheiden von Palladiumschichten bei einem pH-Wert im Bereich von 6 bis 11, einer Temperatur
im Bereich von 20 bis 70° C und einer Stromdichte im Bereich von 0,1 bis 30 A/dm2.
2. Verwendung von
2. Verwendung von
1 -(2-Aminoäthyl)-piperidin,
4-(2-Aminoälhyl)-morpholin,
N.N.2.2-Tetrameihyl-1.3-diaminopropan,
2.2-Dimethyl-1.3-diaminopropan,
N.N-Dimethyl-U-diaminopropan,
N-(2- Aminoäthyl)-1.3-diaminopropan,
N-Methyl-bis-(3-aminopropyl)-amin,
N.N'- Bis-(3-aminopropyl)- Ϊ .2-diaminoäthan,
N.N^-Tetramelhyl-i-aminopropanol,
2.2-Dimethyl-3-aminopropanol,
3-Methoxypropylamin und
3-Butoxypropylamin
für den in Anspruch 1 angegebenen Zweck.
4-(2-Aminoälhyl)-morpholin,
N.N.2.2-Tetrameihyl-1.3-diaminopropan,
2.2-Dimethyl-1.3-diaminopropan,
N.N-Dimethyl-U-diaminopropan,
N-(2- Aminoäthyl)-1.3-diaminopropan,
N-Methyl-bis-(3-aminopropyl)-amin,
N.N'- Bis-(3-aminopropyl)- Ϊ .2-diaminoäthan,
N.N^-Tetramelhyl-i-aminopropanol,
2.2-Dimethyl-3-aminopropanol,
3-Methoxypropylamin und
3-Butoxypropylamin
für den in Anspruch 1 angegebenen Zweck.
Aus der deutschen Patentschrift 23 60 834 ist ein Bad zum galvanischen Abscheiden von Palladiumschichten
bekannt, das Palladium als Komplex mit einem Amin der allgemeinen Formel
NH2-(CH2CH2NH)n-CH2CH2NH2 mit π δ 3
enthält
Aus diesem Bad lassen sich bei Stromdichten zwischen 0,1 und 2,5 A/dm2 glänzende, riß- und
ίο porenfreie Palladiumschichten abscheiden. Beim Galvanisieren
bleibt der pH-Wert des Bades stabil, und es entstehen im Gegensatz zu den schwach ammoniakalischen,
Palladium als Ammin-Komplexe enthaltenden Bädern keine schädlichen Dämpfe.
Auch aus der deutschen Offenlegungsscbrift 26 57 925 ist ein ammoniakfreies, wäßriges Bad zum galvanischen
Abscheiden von Palladium(ll)-Komplex und Aminoessigsäure als Komplexbildner.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, zus-animen mit
Palladium(II)-Verbindungen zu verwendende Amine für ein Bad der eingangs charakterisierten Art zu finden,
das auch bei Stromdichten oberhalb von 23 A/dm2 betrieben werden kann und haftfeste, porenfreie und
spannungsarme Palladiumschichten ergibt, und Bedingungen zum galvanischen Abscheidin von Palladiumschichten
aus diesem Bad zu entwickeln.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Verwendung eines Amins der allgemeinen Formel
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2939920A DE2939920C2 (de) | 1979-10-02 | 1979-10-02 | Verwendung eines Amins in einem Bad zum galvanischen Abscheiden von Palladium |
US06/192,753 US4339311A (en) | 1979-10-02 | 1980-10-01 | Baths and processes for electrodepositing palladium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2939920A DE2939920C2 (de) | 1979-10-02 | 1979-10-02 | Verwendung eines Amins in einem Bad zum galvanischen Abscheiden von Palladium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2939920A1 DE2939920A1 (de) | 1981-04-09 |
DE2939920C2 true DE2939920C2 (de) | 1982-09-23 |
Family
ID=6082489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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1979
- 1979-10-02 DE DE2939920A patent/DE2939920C2/de not_active Expired
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1980
- 1980-10-01 US US06/192,753 patent/US4339311A/en not_active Expired - Lifetime
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Title |
---|
NICHTS-ERMITTELT |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE2939920A1 (de) | 1981-04-09 |
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