DE2925370A1 - Verfahren zur herstellung von kolloidalen vanadiumpentoxidloesungen, die zur erzeugung einer antistatischen schicht auf hydrophoben oberflaechen verwendet werden - Google Patents

Verfahren zur herstellung von kolloidalen vanadiumpentoxidloesungen, die zur erzeugung einer antistatischen schicht auf hydrophoben oberflaechen verwendet werden

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DE2925370A1 DE19792925370 DE2925370A DE2925370A1 DE 2925370 A1 DE2925370 A1 DE 2925370A1 DE 19792925370 DE19792925370 DE 19792925370 DE 2925370 A DE2925370 A DE 2925370A DE 2925370 A1 DE2925370 A1 DE 2925370A1
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Description

Gegenstand des Hauptpatentes (DE-PvS 26 31 628) ist ein Verfahren zur Herstellung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen, die zur Erzeugung einer antistatischen Schicht auf hydrophoben Überflächen verwendet werden können. Mit den nach dem Verfahren des Hauptpatentes herstellbaren Lösungen lassen sich beispielsweise die Schichtträger photographischer, elektrographischer und magnetischer AufZeichnungsmaterialien mittels antistatischer Schichten ausrüsten, die dadurch gekennzeichnet sind, daß sie praktisch amorph sind und als antistatisch wirksame Substanz eine Substanz enthalten, die zu mindestens 80%, vorzugsweise mindestens 85% aus Vanadiumpentoxid besteht.
Derartige antistatisch wirksame Schichten lassen sich"durch Beschichten von hydrophoben Oberflächen mit kolloidalen Lösungen erzeugen, die erhalten werden durch Aufschmelzen des Vanadiumpentoxides auf eine Temperatur von mindestens 1000C oberhalb Schmelztemperatur und Eingießen der erhaltenen Schmelze in destilliertes Wasser bei Raumtemperatur unter solchen Bedingungen, daß die Schmelze in das V/asser bei einer Temperatur gelangt, die mindestens 500C über der Schmelztemperatur des Vanadiumpentoxides liegt.
Die kolloidalen Lösungen lassen sich auf hydrophobe Träger
2 beispielsweise in Beschichtungsstärken von etwa 20 mg pro m auftragen. Wird beispielsweise Vanadiumpentoxid allein auf eine Temperatur von 11000C aufgeschmolzen, so lassen sich Widerstandswerte in der Größenordnung von G^ erhalten.
Die nach dem Verfahren des Ilauptpatentes herstellbaren kolloidalen Lösungen lassen sich sehr vielseitig zur Herstellung antistatischer Schichten verwenden. Die nach dem Verfahren des Hauptpatentes herstellbaren Lösungen weisen jedoch auch einige Nachteile auf. So sind die erforderlichen Mengen an antistatischer Substanz die zur Erzielung \\rtinschenswerter Widerstandswerte verwendet werden müssen, obgleich diese an sich gering sind, doch vom Gesichtspunkt der Umweltverschmutzung gesehen, noch zu hoch, wenn es erwünscht ist, Schichtträger derartiger
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ORiGhNAL INSPECTED
antistatischer Schichten, wie hei sri elsvrei se iir> Falle photographischer rilmschichtträger,aufzuarbeiten und wiederzuf ev-innen.
Des !weiteren können die nach de'1: Verfahren des Ilauptpatentes herstellbaren antistatischen Schichten einen reiben Farbton aufweisen, der gelegentlich störend v:irken kann, v;ie insbesondere im Falle von photographischen "'ateri alien.
Die Oberfläclienv.'iderstandswerte der Schichten, die sich ausgehend von cen kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen des Ilauptpatentes herstellen lassen und die zu mindestens 8O°s und vorzugsweise 10Oo aus Vanadiuinpentoxid bestehen, sind an sich für viele Anwendungszwecke zufriedenstellend. Für spezielle Verwendungszwecke sind sie jedoch immer noch zu hoch. Dies gilt insbesondere im Falle der Verwendung der Lösungen zur Herstellung antistatischer Schichten von photographischen Filmmaterialien für mit hohen Geschwindigkeiten arbeitenden Filmkameras (mit mehr als 3000 Filmausschnitten pro Sekunde).
Aufgabe der Erfindung war es demzufolge, die nach den Verfahren des Ilauptpatentes herstellbaren antistatischen Schichten weiterzuverbessern. Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die gestellte Aufgabe dadurch gelöst werden kann, daß man bis zu 20 Gew.-o des Vanadiumpentoxides durch mindestens ein Oxid eines Alkalimetalles oder Übergangsmetalles und/oder ein Oxid eines Seltenen Erdmetalles und/oder eine entsprechende Verbindung, die bei chemischer Zersetzung ein entsprechendes Oxid liefert, ersetzt und daß man das Gemisch auf eine Temperatur, die mindestens 100 C oberhalb der Schmelztemperatur des Vanadiumpentoxides liegt, erhitzt.
>lit den nach dem Verfahren der Erfindung herstellbaren Lösungen lassen sich Schichten mit Oberflächenwiderstandswerten erzielen, die etwa gleich sind den Schichten, die unter Verwendung von Vanadiumpentoxid allein hergestellt wurden, wobei jedoch im Falle der vorliegenden Erfindung zur Erzielung der Oberflächenwiderstandswerte Vanadiumpentoxidipengen verwendet werden können (pro Quadratmeter Schichtträgerfläche) die etwa 2 mal geringer sind.
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ORIGINAL INSPECTED
Auch lassen sich Schichten reit einer geringeren Verfärbung erzielen und die optische Dichte der Schichten ist nicht meßbar. Schichten mit Lithium oder Silberoxid haben des weiteren noch geringere Widerstandsx\rerte, z.B. 0,2 GC5 für Lithium (5 mg V2O5 pro mZ) und 0,35 GiTfar Silber (7,2 ng V2O2 pro n2).
Erfindungsgemäß erfolgt die Herstellung der kolloidalen Lösungen dadurch, daß man (1) zunächst Vanadiumpentoxid und Oxide oder chemische Stoffe, die durch Hitzezersetzung entsprechende Oxide zu liefern vermögen, miteinander vermischt, daß man (2) die Mischung auf eine Temperatur erhitzt, die mindestens 100°C über der Schmelztemperatur des Vanadiumpentoxides liegt, daß nan (3) die Schmelze in destilliertes Wasser bei Raumtemperatur unter solchen Bedingungen einfließen läßt, daß die Schmelze in das Wasser bei einer Temperatur von mindestens 500C oberhalb der Schmelztemperatur des Vanadiumpentoxides gelangt, worauf man (4) die erhaltene Masse auf einen Träger auftragen kann.
In vorteilhafter Weise lassen sich mit dem Vanadiunpentoxid außer Oxiden der aufgeführten Metalle Oxalate und Carbonate verwenden.
Ein besonders vorteilhaftes Alkalimetalloxid ist Lithiumoxid. Bevorzugte Übergangsmetalle sind Chrom, Mangan, Kupfer, Zink, Niobium und Silber. Besonders vorteilhafte Seltene Erdmetalle sind Neodymium, Samarium, Gadolinium, Ytterbium sowie Europium.
Die vorerwähnten Verbindungen repräsentieren x-ieniger als 20 Gew. -% der antistatischen Substanz.
Die bei Durchführung des erfindungsgenäßen Verfahrens anfallenden wäßrigen Lösungen können gegebenenfalls mit organischen Lösungsmitteln verdünnt werden. Durch den Zusatz von organischen Lösungsmitteln wird es möglich, der Beschichtungsmasse Bindemittel aus natürlichen, synthetischen oder halbsynthetischen ilochpolymeren zuzusetzen, durch welche die mechanischen Eigenschaften der Schichten verbessert werden können und wodurch den erzeugten antistatischen Schichten spezielle Eigenschaften erteilt werden können,
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beispielsweise die Möglichkeit der Entfernung oder Haftung der Schichten während der Verarbeitung der antistatisch ausgerüsteten Materialien, beispielsweise während des Entwicklungsprozesses photographischer Aufzeichnungsmaterialien. Auch lassen sich beispielsweise durch Zusatz von Bindemitteln spezielle Reibungskoeffizienten je nach dem Verwendungszweck der antistatisch ausgerüsteten Materialien einstellen. Das Vorhandensein eines Bindemittels kann des weiteren die Adhäsion der Schichten auf dem Träger verbessern oder die Adhäsion von anderen Schichten, die auf die antistatische Schicht aufgetragen werden. Der Zusatz von derartigen Bindemitteln zu den antistatischen ßeschichtungsmassen ist jedoch nicht erforderlich um vorteilhafte Schichten zu erhalten, da die antistatisch wirksamen Substanzen selbst die Eigenschaften oder Verhaltensweisen eines Polymeren zeigen. V/erden Bindemittel verwendet, so können diese beispielsweise bestehen aus Cellulosederivaten, beispielsweise Celluloseacetat, Celluloseacetvophthalat, Celluloseätherphthalat, Methylcellulosen, löslichen Polyamiden, Styrol-und Maleinsäureanhydrid-Copolymeren, sowie nach Emulsions-Polymerisationsverfahren hergestellten Copolymeren, z.B. Copolymeren aus Methylacrylat, Vinylidenchlorid und Itaconsäure.
Das Aufschmelzen der feinpulvrigen Substanzen kann in jeder üblichen geeigneten Vorrichtung erfolgen, insbesondere in einem Muffelofen oder in einem Solarofen.
In vorteilhafter V/eise liegt die Schmelztemperatur bei etwa 11000C, d.h. bei einer Temperatur, bei der wie sich aus dem Ilauptpatent ergibt, die aus den Lösungen hergestellten entsprechenden Schichten, die niedrigsten Oberflächenwiderstandswerte aufweisen.
Die Schmelze kann in vorteilhafter Weise kontinuierlich in einer Konzentration von bis zu 6 Gew.-ο trockenem Material in destilliertes Wasser gegeben werden. Die Fallhöhe der Schmelze kann dabei sehr verschieden sein und beispielsweise zwischen 2 m und 15 cm liegen. Beim Eingießen der Schmelze in das Wasser wird das Wasser mittels einer geeigneten Vorrichtung kräftig ge-
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rührt.
Dabei wird ein Gel erhalten, das dann mit Wasser oder mit einer Mischung aus Wasser und einem organischen Lösungsmittel, beispielsweise einer Mischung aus Wasser und Aceton verdünnt wird. Die Konzentration an antistatischer Substanz kann je nach den erwünschten Ergebnissen verschieden sein. Vorteilhafte Ergebnisse werden dann erhalten, wenn die Konzentration an antistatischer Substanz bei beispielsweise. 0,1 Gew.-" liegt.
Mit den nach dem Verfahren der Erfindung herstellbaren Lösungen lassen sich wirksame antistatische Schichten auf einer Vielzahl von Trägern erzeugen, beispielsweise Celluloseesterträgern, z.B. aus Celluloseacetat, Celluloseacetobutyrat, Polyestern, z.B. Poly(äthylenterephthalat), Polycarbonaten, Poly(äthylen- und 1,4-Cyclohexandimethanolterephthalat-co-isophthalat), Polyolefinen und dergleichen.
Zum Aufbringen der erfindungsgemäß hergestellten Lösungen lassen sich verschiedene Methoden anwenden. Beispielsweise lassen sich die Lösungen mittels einer Tauchwalze aufbringen, die in die aufzutragende Lösung taucht. Ganz allgemein lassen sich solche Verfahren zum Auftragen der Lösungen verwenden, die sich zum Auftragen von Lösungen auf Schichtträger eignen. So lassen sich beispielsweise BeSchichtungen mit Hilfe von üblichen Gießkopfbeschichtungsvorrichtungen durchführen, mittels sog. Luftmessern, durch sog. Bürstenbeschichtung und dergleichen. In vorteilhafter Weise !herden antistatisch wirksame Schichten erzeugt, bei denen
2 weniger als 10 mg Vanadiumpentoxid auf eine Fläche von 1 m fallen.
Die nach dem Verfahren der Erfindung herstellbaren antistatischen Schichten können dauerhafte oder temporäre Schichten sein, je nach dem beabsichtigten Verwendungszweck. Um die Schichten permanent oder dauerhaft zu machen oder um ihre mechanischen Eigenschaften zu verbessern, insbesondere den Reibungskoeffizienten, ist es möglich, die antistatische Schicht mit einer Schicht zu beschichten, die eine geeignete Verbindung ent-
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Hält, die den antistatischen Schichten die gewünschte Eigenschaft verleiht. So kann beispielsweise eine Deckschicht mit einem Gleitmittel oder eine schützende Schicht mit einem Bindemittel, beispielsweise einem Cellulosederivat, z.B. einem Celluloseätherphthalat aufgetragen werden. Die schützende Schicht kann weiterhin ein Gleitmittel und ein Bindemittel enthalten wie auch andere Verbindungen, die sich als vorteilhaft oder z;veckmäßig erweisen, beispiels\\reise ein Mattierungsmittel.
Die nach dem Verfahren der Erfindung herstellbaren Lösungen eignen sich insbesondere zur Erzeugung von antistatischen Schichten auf photographischen Filmträgern, den Trägern magnetischer Aufzeichnungsmaterialien und dergleichen. Sie können dabei auf der Seite des Trägers aufgetragen werden die der Seite gegenüberliegt, auf der sich die empfindliche Schicht befindet. Andererseits können die Schichten jedoch auch als Unterschichten auf die Seite des Trägers aufgebracht werden, auf die später die empfindliche Schicht aufgebracht wird.
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veranschaulichen.
In den im folgenden beschriebenen Mischungen ist die Menge an chemischen Verbindungen (Oxiden, Oxalaten, Carbonaten) von Alkalimetallen, Übergangsmetallen oder Seltenen Erdmetallen in Gramm für 10Og V2O1- angegeben.
Die Beschichtungsmassen wurden auf Träger in Konzentrationen aufgetragen, die in Milligramm V^O5 pro m angegeben sind. Das Auftragen der antistatischen Schichten erfolgte dabei nach Verfahren, die für den Auftrag antistatischer Beschichtungsmassen üblich sind.
Die Oberflächenwiderstandswerte wurden gemessen in GQ bei einer 15Ugen Luftfeuchtigkeit und einer 50ligen Luftfeuchtigkeit.
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Vergleichsversuch A
0,1 g Vanadiumpentoxid wurden in Form einer kolloidalen Dispersion in eine hydroketonische Lösung von 10 Teilen destilliertem Wasser und 90 Teilen Aceton eingeführt. Um eine kolloidale Dispersion zu erzielen wurde das Vanadiumpentoxid in einen Platintiegel gebracht und 5 Minuten lang in einem Muffelofen auf 1000 C erhitzt, worauf die Schmelze unter kräftigem Rühren in destilliertes Wasser eingegossen wurde.
Die erhaltene Lösung wurde in einer Beschichtungsstärke von 90 mg pro m auf einen Cellulosetriacetat-filmträger aufgetragen.
Vergleichsversuch B
Die in dem Versuch A erhaltene Lösung wurde in einer Beschichtungsstärke von 8
aufgetragen.
2
stärke von 8 mg pro m auf einen Cellulosetriacetatschichtträger
Die Oberflächenwiderstandswerte der im Falle der Versuche A und B erhaltenen Schichten ergeben sich aus der folgenden Tabelle I.
Tabelle I
Ver- züge- Beschichtungs- Gberflächenwiderstand (ΠΩ)
such setztes stärke 9
Oxid mg V2O5/mZ 15$ RH 501 RH
A — 19 1 0,9
B — 8 3 2
Beispiele 1 bis 4
Im Falle dieser Beispiele wurde Silberoxid zugesetzt.
Zunächst wurde feinteiliges Vanadiumpentoxid und feinteiliges Silberoxid in den aus der folgenden Tabelle ersichtlichen Mengen gründlich miteinander vermischt. Die erhaltenen Mischungen von 40 g wurden dann in einen Platintiegel gebracht und hierin in
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eineia .iuf felofen 5 Minuten auf 1000°0 erhitzt. Die Schmelzen wurden dann schnell jeweils in 1 Liter kräftig gerührtes destilliertes V/asser gegossen.
Die erhaltenen kolloidalen Dispersionen wurden dann auf eine Konzentration von 0,1 Gew.-» antistatischer Substanz in einer Wasser-Acetonmischung (Vol.-Verhältnis 10:90) verdünnt. Die erhaltenen Lösungen wurden dann auf Cellulosetriacetatträger aufgetragen.
Die erhaltenen Oberflächenwiderstandswerte ergeben sich aus der folgenden Tabelle II.
Tabelle II ("uffelofen)
Bei
spiel		 zugesetztes
Element		 (Oxid) ilenge
100 s		 ρ ro
V2°5		 Be schichtungs-
stärke in mg
V2Os/m2		 Oberf lcichenwider-
stand (GQ)
15 % RII 50°s RH		 3 1 3
1 Ag (Oxid) 0,5 g 7,6 ,8 o, 26
2 Ag (Oxid) 4,4 g 7,6 0 ,4 o, 1
3 Ag (Oxid) 6,2 (T
O		 7,7 0 ,35 o,
4 Ag 8,8 β 7>2 0
Aus den in der Tabelle zusammengestellten Daten ergibt sich, daß wenn etwa 2 mal weniger an Substanz aufgetragen werden, der Oberflächenwiderstandswert unverändert bleibt oder im Vergleich zu dem Vergleichsversuch A eher geringer wird.
In entsprechender Weise ergibt sich aus dem Vergleichsversuch B, daß, wenn eine äquivalente Beschichtungsstärke erzeugt wird, der Oberflächenwiderstand vermindert wird, wenn der Silbergehalt ausreichend ist.
Beispiele 5 bis 10
Im Falle dieser Beispiele wurde feinteiliges Vanadiumpentoxid mit feinteiligen Übergangsmetalloxiden oder Obergangsmetallcarbonaten gründlich vermischt. Die erhaltenen Mischungen wurden dann wie in
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den Beispielen 1 bis 4 beschrieben aufgeschmolzen und in Wasser gegossen. Die erhaltenen kolloidalen Dispersionen wurden dann derart verdünnt, daß Lösungen mit 0,1 Gew.-% antistatischen Substanzen in einer Wasser-Acetonmischung CVoI.-Verhältnis 10:90) erhalten wurden. Die erhaltenen Lösungen wurden dann auf PoIy-Cäthylenterephthalat)schichtträger aufgetragen. Die Gewichtsmengen an Oxiden oder Carbonaten, die zu 100 g V9Oj. zugesetzt wur-
" 2 den, die Beschichtungsverhältnisse Cin mg V2O5 pro m ) und die Widerstandswerte sind in der folgenden Tabelle III zusammengestellt.
Tabelle III
Bei- zugesetztes Gewichtsmenge Beschich- Oberflächenwiderspiel Element pro 100 g tungsstär- stand (Gü)
" " -' ·' 15% PvH 501 RH
p V2°5
g ke in mg
5 Cr 5,9 g C0xid-Cr90,)
6 Cr 6,6 g COxId-Cr9O^)
7 Mn 1,3 g CCarbonat-rinCOj)
8 Cu 4,5 g COxid-Cu2O)
9 Zn 4 g COxid)ZnO
10 Nb 16 g
COxId)Hb2O5
9,4
6,8
4,4
3 75 - 5 0, 8
2 7 1, 6
0, 0, 75
0, v
2 0, 9
0, 0, 4
Wie in den vorstehenden Beispielen werden auch im vorliegenden Falle bei geringeren Beschichtungsstärken Widerstandswerte erhalten, die niedriger sind oder die gleich sind jenen, die im Falle der Vergleichsversuche erzielt wurden, bei denen lediglich V2O5 verwendet wurde.
Zu bemerken ist, daß die unter Verwendung von Chrom, Mangan oder Zink erhaltenen Schichten nicht so gelb sind vrie jene Schichten, die lediglich V9O5 enthalten und daß die unter Verwen-
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dung von Chrom, Mangan oder Zink hergestellten Schichten eine geringere optische Dichte aufwiesen.
Beispiel 11
Es wurde eine weitere kolloidale Dispersion nach deip in den Beispielen 5 bis 10 beschriebenen Verfahren hergestellt, unter Verwendung von 1 ς Lithiumoxid (Li9O,) auf 100 <r V9O . l/ie in den vorstehenden Beispielen beschrieben wurde /ffolloidale Dispersion verdünnt, worauf die verdünnte Lösung auf einen PoIv-(äthylenterephthalat)schichtträger in einer Beschichtungsstär-
2
ke von 5 mg V2Or pro ni Trägerf lache aufgetragen vurde. Der Oberflächenwiderstandswert bei 15 % RII betrug 0,2 C-.O..
Beispiele 13 bis 17
Im Falle dieser Beispiele wurden Oxide, Oxalate oder Carbonate von Seltenen Erdmetallen verwendet. Die Herstellung der Schichten erfolgte wie in den Beispielen 5 bis 1n beschrieben. Die verwendeten Mengen in Gramm pro 100 g V~,0r und die erhaltenen Oberflächenwiderstandswerte sind in der folgenden Tabelle IV aufgeführt.
zugesetztes
Element		 Tabelle 12,6 g IV Oberflächenwider-
stand (ΠΩ)
15°s RH 50% RH		 2
0,5
ei-
piel		 Nd
(Carbonat)
Nd2(CO3),,8U1O 		Gewichtsmenge
pro 100 g
V2°5		 9,9 R ßeschich-
tungsstär-
ke in mg9
V2O5 / mZ 		7
1		 0,4
0,09
13 Sm
(Oxalat)
SrI2(C2O4) 1OH		 9,6 g 6
9		 2
0,6		 0,3
0,2
14 Gd
(Oxalat)		 2° 9,1 C 6
7		 3
0,7		 0,1
15 Yb
(Oxalat)
Yb2(C2O )3,1OH		 ,0 5
9		 4
16 2° 4
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Fortsetzung von Tabelle IV
9098$1/0*53
17 Lu 4,0 4 0,5 0,5
(Oxid)

Claims (7)

PATENTANSPROCHE
1. Verfahren zur Herstellung von kolloidalen Vanädiunipentoxidlösungen, die zur Erzeugung einer antistatischen Schicht auf hydrophoben Oberflächen verwendet werden, durch Aufschmelzen des Vanadiumpentoxids, rasches Abkühlen und Lösen in Wasser, bei dein das Vanadiumpentoxid auf eine Temperatur von mindestens 100pC oberhalb Schmelztemperatur erhitzt und die Schmelze in destilliertes Wasser gegossen wird, iiobex die Temperatur der Schmelze bei Eintritt in"das Wasser mindestens 50 C oberhalb der Schmelztemperatur gehalten xvi-rd, nach Patent 26 31-628, dadurch gekennzeichnet, daß man bis zu 20 Gexir.-I des Vanadiumpentoxids durch mindestens ein Oxid eines Alkalimetalles oder Obergangsmetalles und/oder ein Oxid eines Seltenen Erdmetalles und/oder eine entsprechende Verbindung, die bei chemischer Zersetzung ein entsprechendes Oxid liefert, ersetzt und daß man das Gemisch auf eine Temperatur, die mindestens 1000C oberhalb der Schmelztemperatur des Vanadiumpentoxids"liegt, erhitzt»
2» Verfahren nach Anspruch T, dadurch gekennzeichnet, daß man bis - zu 20 Gew.-% des Vanadiumpentoxids durch mindestens ein Oxid, - Carbonat oder Oxalat eines Alkalimetalls, Obergangsmetalls uiid/oder Seltenen" Erdmetalles ersetzt«,
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ORIGINAL INSPECTED
3. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß nan das Verbindun^sgemisch auf eine Temperatur von mindestens 1000 C erhitzt, bevor man die Schmelze in Wasser gießt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ^kennzeichnet, daß man die Schmelze in destilliertes Wasser gießt und die erhaltene Masse mit einer Mischung aus Wasser und einem mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittel verdünnt .
5. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß man als AlLaI!metalloxid Lithiumoxid verwendet.
6. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß nan als Übergangsmetalloxid Chrom-, Mangan-, Kupfer-, Zink-, Niobium- oder Silberoxid verwendet.
7. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß man als Oxid eines Seltenen Erdmetalles Neodynium-, Samarium-, Gadolinium-, Ytterbium- oder Europiumoxid verwendet.
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DE2925370A 1978-06-23 1979-06-22 Verfahren zur Herstellung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen, die zur Erzeugung einer antistatischen Schicht auf hydrophoben Oberflächen verwendet werden Expired DE2925370C3 (de)

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