DE1496537B2 - Elektrisch halbleitendes glas insbesondere als werkstoff fuer orthikon bildroehren mit einem elekt ischen wider stand zwischen 10 hoch 4 und 10 hoch 18 ohm/cm - Google Patents

Elektrisch halbleitendes glas insbesondere als werkstoff fuer orthikon bildroehren mit einem elekt ischen wider stand zwischen 10 hoch 4 und 10 hoch 18 ohm/cm

Info

Publication number
DE1496537B2
DE1496537B2 DE19631496537 DE1496537A DE1496537B2 DE 1496537 B2 DE1496537 B2 DE 1496537B2 DE 19631496537 DE19631496537 DE 19631496537 DE 1496537 A DE1496537 A DE 1496537A DE 1496537 B2 DE1496537 B2 DE 1496537B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
glass
mol percent
percent
resistance
ohm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19631496537
Other languages
English (en)
Other versions
DE1496537A1 (de
Inventor
John Douglas Schenectady Mitoff Stephan Paul Elnora NY Mackenzie (V St A ) C03c 15 00
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE1496537A1 publication Critical patent/DE1496537A1/de
Publication of DE1496537B2 publication Critical patent/DE1496537B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/12Silica-free oxide glass compositions
    • C03C3/14Silica-free oxide glass compositions containing boron
    • C03C3/145Silica-free oxide glass compositions containing boron containing aluminium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/12Silica-free oxide glass compositions
    • C03C3/14Silica-free oxide glass compositions containing boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00Compositions for glass with special properties
    • C03C4/14Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/39Charge-storage screens
    • H01J29/41Charge-storage screens using secondary emission, e.g. for supericonoscope
    • H01J29/413Charge-storage screens using secondary emission, e.g. for supericonoscope for writing and reading of charge pattern on opposite sides of the target, e.g. for superorthicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description

1 2
Auf dem Gebiet der Elektronik wurden früher der neuen Gläser nach der Erfindung. Dabei ist der ionisch leitende Gläser verwendet, deren Nachteil Grundglasanteil so zu wählen, daß ein Glas der jedoch darin bestand, daß sie sich unter dem Einfluß erforderlichen Festigkeit für den vorgesehenen Zweck von Gleichstrom in der Zusammensetzung verändern erhalten wird, und das Molverhältnis von Grundglas und polarisiert werden. Infolgedessen ist ihre Ge- 5 zu mehrwertigem Metalloxid ist so zu wählen, daß brauchsdauer so kurz, daß sie zu verschiedenen man den erwünschten elektrischen Widerstandswert Zwecken nicht verwendet werden können. Es wurden erhält.
daher Versuche unternommen, Gläser herzustellen, Die elektrische Leitfähigkeit der neuen Gläser nach
in denen der Mechanismus der elektrischen Leitung der Erfindung kann ohne Veränderung der Gesamtnicht ionisch, sondern elektronisch ist. Die Bemühun- io menge oder Konzentration der mehrwertigen Metallgen um solche Gläser wurden noch dadurch gesteigert, oxide in dem Glas abgewandelt werden, indem man daß man erkannte, daß Orthikon-Bildröhren mit einer das Verhältnis der Wertigkeitsstufen, z. B. von aus solchem Glas hergestellten Scheibe eine weit Fe2+/Fe3+, Ti3+/Ti4+ oder V4+/V5+, verändert. Dies längere Gebrauchsdauer hätten und genauso gut kann durch Oxydations- oder Reduktionsvorgänge arbeiten würden wie solche aus bisher üblichen 15 in festem, gasförmigem oder zuweilen auch flüssigem Gläsern. Zustand erfolgen. Geeignete Reduktionskatalysatoren
Aufgabe der Erfindung war es daher, neue Gläser sind beispielsweise Ruß, Platin (beispielsweise als mit der Eigenschaft eines elektrischen Halbleiters, Tiegelmetall), Titanmetall und metallisches Eisen. Als insbesondere als Werkstoff für Orthikon-Bildröhren, gasförmige Oxydations- bzw. Reduktionsmittel komzu erhalten, in denen die elektrische Leitung nicht 20 men Luft, Sauerstoff und Wasserstoff in Betracht, ionisch, sondern elektronisch vor sich geht. Durch die Oxydations- oder Reduktionsreaktionen, die
Das erfindungsgemäße elektrisch halbleitende Glas, während der Glasherstellung oder anschließend vor-
insbesondere als Werkstoff für Orthikon-Bildröhren, genommen werden können, wird also entweder der mit einem elektrischen Widerstand zwischen 10* und höherwertige oder der niedrigerwertige Anteil der 1018 Ohm/cm ist dadurch gekennzeichnet, daß es aus 25 in zwei verschiedenen Wertigkeitsstufen vorkommenden
20 bis 85 Molprozent eines Boratglases und Metalle verändert.
15 bis 80 Molprozent Cr-, Fe-, Sb-, V-, Ti-, Ni-, *m allgemeinen gewinnt man die erfindungsgemaßen
Co-, Mn-, Mo-, W- und/oder As-Oxid Glas c ei\m de,r W^se' daß man Anteilige Borsaure und
ein Erdalkahcarbonat sowie mehrwertige Metalloxide
besteht, wobei die letzteren Metallverbindungen 30 miteinander vermischt, das erhaltene, praktisch trokjeweils in zwei verschiedenen Wertigkeitsstufen im kene und homogene Gemisch erhitzt und auf diese Molverhältnis von weniger als 9:1 vorliegen und das Weise die Borsäure mit dem Erdalkalicarbonat und Boratglas 60 bis 80 Molprozent B2O3 und 20 bis dem mehrwertigen Metalloxid zur Reaktion bringt 40 Molprozent BaO, CaO, SrO und/oder MgO und das mehrwertige Metalloxid teilweise auf eine enthält. 35 andere Wertigkeitsstufe bringt. Statt der Erdalkali-
Diese Halbleitergläser nach der Erfindung lassen sich carbonate können auch Oxide, Oxalate, Nitrate oder auf den verschiedensten elektrischen Gebieten ver- andere geeignete Erdalkaliverbindungen verwendet wenden, beispielsweise für die Feldpotentialsteuerung werden.
in Fernsehbildröhren, wo sie als Überzüge aufge- Das Verhältnis der beiden Wertigkeitsstufen beträgt
bracht werden, zur Herstellung von Thermistoren, 40 nach der Erfindung weniger als 9:1 in beiden Rich-Heizwiderständen, thermoelektrischen Geräten und tungen, d. h., mehr als 10°/0 des in zwei Wertigkeits-Bauteilen, die verschiedenen Überdrücken, Unter- stufen vorkommenden Metalloxids haben in der drücken und Temperaturen bis zu 600° C ausgesetzt höheren oder niedrigeren Wertigkeitsstufe vorzuliegen, werden sollen. Die neuen Gläser sind, soweit sie bisher Vorzugsweise liegt das Verhältnis der beiden Wertiggeprüft wurden, Halbleiter vom η-Typ und praktisch 45 keitsstufen in beiden Richtungen zwischen 4:1 und wasserunlöslich. 1:1, so daß entweder die höhere oder niedrigere der
Der angegebene Bereich für den elektrischen beiden Wertigkeitsstufen zwischen 20 und 50°/0 Widerstand und speziell erwünschte Widerstands- ausmacht. In Fällen, wo die mehrwertigen Metalle werte lassen sich genau einregeln, indem man den in mehr als zwei Wertigkeitsstufen vorkommen, Gehalt des Glases an mehrwertigem Metalloxid ent- 5° können die mittleren Wertigkeitsstufen so angesehen sprechend verändert oder indem man das Verhältnis werden, als ob sie die höchste oder die niedrigste der Wertigkeitsstufen dieses mehrwertigen Metalloxids Stufe seien.
selbst verändert. Vorzugsweise liegt der elektrische Sofern Magnesiumoxid oder Calciumoxid verwendet
Widerstand bei Zimmertemperatur zwischen 1010 und werden, kann zur besseren Vermischbarkeit mit dem 1012 Ohm/cm. 55 Boroxid ein zusätzlicher Bestandteil, wie Aluminium-
Die mehrwertigen Metalloxide können dem aus oxid oder Kaliumoxid, zweckmäßigerweise in einer B2O3 und Erdalkalioxid bestehenden Grundglas Menge von etwa 1 bis 5 Molprozent der gesamten während der Herstellung dieses Grundglases oder Glasmasse, zugesetzt werden. Auch dieser Bestandteil nachträglich zugesetzt werden. Vorzugsweise setzt kann vor dem Schmelzen der Glasmasse oder der man die Metalloxide mit zwei verschiedenen Wertig- 60 flüssigen Glasmasse zugesetzt werden,
keitsstufen in Mengen von 20 bis 70 Molprozent zu. Weiterhin können die erfindungsgemäßen Gläser
Auch können zwei oder mehr Oxide mehrwertiger auch Kieselsäure und Alkalioxide, vorzugsweise in Metalle im Gemisch zugesetzt werden, sofern die Mengen bis maximal 5 Molprozent, bezogen auf das Gesamtmenge dieser Oxide innerhalb des Bereiches Grundglas aus Boroxid und Erdalkalioxid, enthalten, von 15 bis 80 Molprozent liegt. Der Anteil des 65 ohne daß die Glaseigenschaften wesentlich beein-Grundglases aus B2O3 und Erdalkalioxid, wie beispiels- trächtigt werden und ohne daß man Gläser erhält, weise CaO · «B2O3 oder eines äquivalenten Borat- die in ihren Eigenschaften Borsilikatgläsern ähneln, glases, beträgt demnach nicht mehr als 80 Molprozent Während bekannte Boratgläser eine starke Affinität
3 4
zu Wasser besitzen, lösen sich die erfindungsgemäßen V2O5 und Fe3O4 mit reinem Borax und anschließendes Gläser im Verlauf von 2 Monaten in turbulentem Schmelzen des Gemisches in einem offenen Platin-Wasser von 30° C weniger als zu 2 Gewichtsprozent, tiegel bei 1250° C, wie oben beschrieben, hergestellt, was für die vorgesehenen Zwecke vernachlässigt V2O5 und Fe3O4 werden dabei in Mengen von 30 bzw. werden kann, und sie werden in einem Zeitraum von 5 15 Molprozent, bezogen auf CaO · 2 B2O3, verwendet. 6 Monaten an der Luft bei Zimmertemperatur nicht Die tatsächlichen Mengen dieser verschiedenen Bematt. Die neuen Gläser lassen sich blasen, ziehen, standteile des Glasproduktes sind also folgende:
pressen oder in sonstiger Weise strecken, um membran- Ca0 . 2 ß Q 55 Molprozent:. ;
artige Korper herzustellen, die beispielsweise als VO 30 Mobrozent
Orthikon-Bildröhrenscheiben verwendet werden kön- io Fe O 15 Molorozent
nen. Wegen ihrer Viskositätseigenschaften innerhalb 3 4
verhältnismäßig weiter Temperaturbereiche können Wie im Beispiel 1 führt diese Herstellungsmethode die Gläser zu Blasen unterschiedlicher Größe und zur Erzielung von zwei verschiedenen Wertigkeits-Dicke verarbeitet werden, aus welchen Abschnitte stufen des Vanadiums etwa im Verhältnis wie im herausgeschnitten und im Warmpreßverfahren abge- 15 Beispiel 1. .
flacht werden können. Diese Methode hat den Vorteil, Dieses neue Glas wurde bei 600° C angelassen und daß aus großen Blasen geschnittene Abschnitte in dann mehreren Prüfungen unterzogen, um gewisse ihren elektrischen und physikalischen Eigenschaften physikalische und elektrische Eigenschaften festzupraktisch völlig gleichmäßig sind. Außer für Orthikon- stellen. Bei einer dieser Prüfungen wurde das Glas in Bildröhren können die neuen Gläser auch für Glas- 20 Wasser von 30°C eingetaucht, um die Löslichkeit zu überzüge, Platten, Bogen und Streifen von Dicken ermitteln. Nach 5 Tagen wurde das Glas aus dem von etwa 1,25 cm verarbeitet werden, die für die Wasser entfernt und auf Gewichtsverlust gemessen, verschiedensten Zwecke geeignet sind. Die angegebene der nicht festzustellen war. Nach 2 Monaten betrug Dicke ergibt sich allerdings allein aus praktischen unter diesen Bedingungen der Gewichtsverlust des Überlegungen für die Herstellung. 25 Glases weniger als 2 °/0.
Die folgenden Beispiele und die Zeichnung dienen Die für dieses Produkt im festen Zustand erhaltenen
der weiteren Erläuterung der Erfindung. elektrischen Widerstandswerte werden durch Kurve B
F i g. 1 zeigt die Abhängigkeit des elektrischen in F i g. 1 wiedergegeben. Zum Vergleich bedeutet
Widerstandes verschiedener Gläser nach der Erfindung Kurve A Werte, die man bei derselben Prüfungsart
und eines Calciumborat-Grundglases von der Tem- 30 unter denselben Bedingungen mit CaO · 2 B2O3, d. h.
peratur, und mit dem Grundglas, bekam.
F i g. 2 zeigt die Abhängigkeit des elektrischen Bei Anlegung eines Gleichstromes von 100 Volt an
Widerstandes des Glases nach Beispiel 11 von der eine flache Scheibe aus diesem neuen Glas von 2 mm
Temperatur bei verschiedenen Verhältnissen der beiden Dicke mit einem Widerstand von 4 · 105 Ohm bei
Wertigkeitsstufen des Eisenoxids. 35 2300C blieb der Widerstand nach 72 Stunden unverändert. Derselbe Versuch, durchgeführt an einer
Beispiel 1 Probe eines typischen Natronkalksilikatglases, führte
zu einem hundertfachen Anstieg von 5 · IO8 Ohm
Feinteilige reine Borsäure wird mit 20 Molprozent schon nach 24 Stunden.
Bariumcarbonat vermischt, und das erhaltene, prak- 40 Die elektronische Natur des Leitungsvorganges in tisch trockene und homogene Gemisch wird dann dem neuen Glas ist also offensichtlich,
in einem offenen Platingefäß erhitzt. Feinteiliges Durch Erhitzen des einen Endes eines 5 cm langen Vanadiumpentoxid (kleiner als 100 Maschen und Stabes aus dem neuen Glas von 6,3 mm Durchmesser größer als 200 Maschen entsprechend Sieben mit auf 1500C, während das andere Ende auf Zimmer-Öffnungen von 0,149 und 0,074 mm) wird während 45 temperatur gehalten wird, kann eine thermische des Erhitzens in dieses Gemisch eingerührt, und zwar elektromotorische Kraft erzeugt werden. Das heiße wird V2O5 in solcher Menge zugesetzt, daß es 25 Mol- Endes dieses Stabes ist elektrisch positiv gegenüber prozent ausmacht. Die Temperatur des Gemisches dem kalten Ende, was anzeigt, daß dieses Glas ein wird rasch auf 12500C gesteigert und auf dieser Höhe Halbleiter vom η-Typ ist.
gehalten, bis eine Reaktion abgelaufen ist, die zur 50
Bildung von BaO · 4 B2O3 führt. Da das V2O5 mit B e i s ρ i e 1 3
dem BaO oder B2O3 unter diesen Bedingungen nicht
chemisch reagiert, hat das Glasprodukt die folgende In ähnlicher Weise wird ein Grundglas (CaO -2B2O3),
Zusammensetzung: das mit 50 Molprozent Vanadiumpentoxid vermischt
,m„n ARmj-vn 55 ist> durch Schmelzen eines Gemisches von CaO,
j^au-4O2U3;-(-V2U5. reinem B2O3 und V2O5 in einem offenen Platin-
In Gegenwart des Gefäßplatins wird das V2O5 bei schmelztiegel bei 12500C zubereitet. Die V2O5-dieser Arbeitsweise chemisch etwas reduziert, so daß Teilchen sind praktisch gleichmäßig in dem ganzen das Vanadium zu wesentlichen Anteilen in zwei Glas verteilt, und für das nackte Auge ist kein Unterverschiedenen Wertigkeitsstufen vorliegt, und zwar 60 schied zwischen den verschiedenen Teilen des Glases so, daß etwa 10 °/0 des Vanadiums in den vierwertigen festzustellen. Weder durch Röntgenstrahlenbeugung
r, . , , ■ ^ ■ j , u V4+ ηΛ, ... ., noch durch mikroskopische Untersuchung wird eine
Zustand reduziert sind, d. h. w = 0,1 (angenähert). kristaUine phase ermiftelt Dieses Produkf ist gieich.
mäßig opak gegen sichtbares Licht und hat ein gleich-
B e i s ρ i e 1 2 55 bleibend schwarzes Aussehen. Am erstarrten Glasprodukt durchgeführte Prüfungen nach Anlassen in
Ein auf CaO · 2 B2O3 aufgebautes Glas nach der trockenem Stickstoff und Zerschneiden in dünne
Erfindung wird durch Zusammenmischen von CaO, Scheiben von etwa 25 Mikron Dicke und nach rohem
Polieren lieferten ungefähr dieselben Ergebnisse, wie sie bei den Prüfungen des Glasproduktes nach Beispiel 2 erhalten wurden. Die tatsächlich erhaltenen Werte sind durch Kurve C der F i g. 1 wiedergegeben. Bei Anlegen eines Gleichstromes von 100 Volt an eine Flachscheibe mit einem Gesamtwiderstand von 1-106OhHi bei 200° C blieb der Widerstand nach 24 Stunden unverändert. Dies beweist die elektronische Natur des Leitungsvorganges.
Beispiel 4
Unter den Bedingungen, wie im Beispiel 2 beschrieben, jedoch mit anderen Mengen an V2O5 und Fe3O4, wird ein Glas mit 33 Molprozent V2O5 und 22 Molprozent Fe3O4 hergestellt, das die Werte für die Kurve D der F i g. 1 lieferte.
Beispiel 5
Unter den Verfahrensbedingungen des Beispiels 2 wird an Stelle von CaO BaO in einer Menge von ungefähr 35 Molprozent, bezogen auf das eingesetzte B2O3, verwendet. An Stelle von V2O5 und Fe3O4 wird Nickeloxid (NiO) in einer Menge von ungefähr 15 Molprozent, bezogen auf das BaO · 2 B2O3-Grundglas, benützt. Wiederum führt das Verfahren zu einer Reduktion eines Teiles des NiO, so daß Nickel von zwei verschiedenen Wertigkeitsstufen im Glas vorliegt und ihm die erzielten besonderen Halbleitereigenschaften zugeschrieben werden können.
Beispiel 6
Es wird, wie in den Beispielen 2 und 5, doch unter Verwendung von Magnesiumoxid statt CaO und BaO und von Kobaltoxid (CoO) statt von V2O5 und Fe3O4 oder NiO gearbeitet. In diesem Fall beträgt die verwendete CoO-Menge ungefähr 15 Molprozent, bezogen auf das Grundglas (MgO · 2 B2O3). Wie im vorhergehenden Fall bei Verwendung von NiO liegt das Kobalt in zwei Wertigkeitsstufen vor, um die gewünschten Halbleitereigenschaften zu liefern.
Beispiel 7
Wie im Beispiel 2 wird ein neues Glas mit folgender Zusammensetzung hergestellt:
SrO · 2 B2O3 55 Molprozent
V2O5 45 Molprozent
Der spezifische Widerstand dieses Produktes bei Zimmertemperatur betrug 4,6 · 1011 Ohm/cm. Eine Scheibe aus diesem Glas, die auf beiden Seiten in geeigneter Weise mit Platin plattiert war, hatte bei Zimmertemperatur einen Widerstand von3,5 · 1010Ohm bei einem Gleichstrom von 200 Volt. Nach 6 Stunden war ihr Widerstand unverändert. Ein ähnlicher Versuch an einem typischen Natronkalksilikatglas, der mit einem Mikroskopobjektträger durchgeführt wurde, ergab einen Widerstandswert von 2,3 · 1010 0hm bei Zimmertemperatur, und dieser Widerstand stieg nach nur 24 Minuten um das Zehnfache auf 23 · 1011 0hm.
Beispiel 8
Es wird ein anderes Glas nach der Erfindung folgender Zusammensetzung hergestellt:
BaO · 2 B2O3 52 Molprozent
V2O5 48 Molprozent
Der spezifische Widerstand dieses Produktes betrug 6,2 · 1011 Ohm/cm bei Zimmertemperatur. Seine elektrischen Eigenschaften erwiesen sich als ähnlich denen der anderen oben beschriebenen neuen Gläser.
Beispiel9 /
Kurve E zeigt Werte, die bei der Prüfung eines neuen Glases nach der Erfindung mit folgender Zusammensetzung erhalten wurden:
CaO · 2 B2O3 40 Molprozent
V2O5 .50 Molprozent
Fe3O4 10 Molprozent
Die elektrischen Eigenschaften dieses Glases waren sehr ähnlich denen der oben beschriebenen anderen neuen Gläser.
Beispiel 10
Bei noch einem anderen Versuch wird wiederum die Methode des Beispiels 2 befolgt, und dem trockenen Ausgangspulvergemisch wird eine Menge Al2O3 zugesetzt, um die Verarbeitungsfähigkeit des Glases noch wesentlich zu verbessern. Die tatsächlichen Mengen der verschiedenen Bestandteile dieses Gemisches sind also:
CaO · 2 B2O3 53 Molprozent
V2O5 28 Molprozent
Fe3O4 13 Molprozent
Al2O3 6 Molprozent
Das erhaltene Glas wurde den im Beispiel 2 beschriebenen Prüfungen mit demselben Ergebnis unterzogen, wie man sie für das Glas des Beispiels 2 erhalten hatte.
B e i s ρ i e 1 11
40
Bei einer ähnlichen Arbeitsweise wie im Beispiel 3 wird ein Grundglas (CaO · 2 B2O3), das mit 6,25 Molprozent Fe3O4, bezogen auf den CaO · 2 B2O3-Gehalt, versetzt war, dadurch hergestellt, daß man ein Gemisch aus CaO und reinem B2O3 sowie Fe3O4 in einem offenen Platintiegel bei 12500C schmilzt. Die Fe3O4-Teilchen sind praktisch gleichmäßig in dem erhaltenen Glas verteilt, und das Verhältnis von Fe2+ zu Fe3+ wird geregelt und eingestellt, indem ein Gemisch aus etwa gleichen Teilen Wasserstoff und Stickstoff durch die Glasschmelze geblasen wird. Die Veränderungen des elektrischen Widerstandes des Glases in Abhängigkeit von der Dauer dieser Behandlung sind aus F i g. 2 ersichtlich. Der Logarithmus des spezifischen Wider-Standes (in Ohm/cm) ist gegen die Temperatur in 0C für drei verschiedene Verhältnisse von Fe2+ zu Fe3+ in diesem Glas aufgetragen. Die Kurve K gibt ein Verhältnis von 0,135 wieder, während die
Kurven L und M -Verhältnisse von 0,202 bzw. 0,234 wiedergeben.
Beispiel 12
Nach der Arbeitsweise des Beispiels 1 wird ein mit Titanoxid versetztes Bariumboratglas mit Halbleitereigenschaften hergestellt. Dieses Glas hatte folgende

Claims (1)

7 8 Zusammensetzung: 20 bis 85 Molprozent eines Boratglases und BaO 22 Molprozent 15 bis 80 ^Γ^Λ'λ J"' S"' ^/ ?'' B2O3 44 Molprozent Ψ~'γ?%' ' ' UQd/oder TiO2 34 Molprozent As-Uxid Dieses Glas ist ursprünglich auf Grund der Tatsache, besteht, wobei die letzteren Metallverbindungen daß wenig Ti3+ vorhanden ist, gelb, und aus demselben jeweils in zwei verschiedenen Wertigkeitsstufen im Grund ist sein Widerstandswert ziemlich hoch. Wenn Molverhältnis von weniger als 9:1 vorliegen und es reduzierenden Bedingungen, d. h. einer Wasserstoff- das Boratglas atmosphäre bei einer Temperatur von 5500C 16 Stun- xo den lang ausgesetzt wird, wird das Glas infolge 60 bis 80 Molprozent B2O3 und teilweiser Reduktion seines Ti4+-Gehaltes blau, und 20 bis 40 Molprozent BaO, CaO, SrO und/ sein Widerstandswert verändert sich merklich, wie °der MgO dies die Kurven G und H der F i g. 1 zeigen. Das enthält. ursprüngliche gelbe Glas ist durch Kurve G wieder- 15 2. Glas nach Anspruch 1, dadurch gekenn- gegeben, während die Kurve H die Werte für das zeichnet, daß die in dem Glas in zwei verschiedenen behandelte blaue Glasprodukt zeigt. Wertigkeitsstufen vorliegenden Metallverbindungen -^ .. , ein Molverhältnis der beiden Wertigkeitsstufen von Patentansprüche: 4:1 bis 1:1 besitzen.
1. Elektrisch halbleitendes Glas, insbesondere 20 3. Glas nach einem der Ansprüche 1 und 2, als Werkstoff für Orthikon-Bildröhren, mit einem dadurch gekennzeichnet, daß es 20 bis 70 Molelektrischen Widerstand zwischen 104 und prozent der in dem Glas in zwei verschiedenen 1018 Ohm/cm, dadurch gekennzeich- Wertigkeitsstufen vorliegenden Metallverbindungen net, daß es aus enthält.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE19631496537 1962-08-01 1963-06-29 Elektrisch halbleitendes glas insbesondere als werkstoff fuer orthikon bildroehren mit einem elekt ischen wider stand zwischen 10 hoch 4 und 10 hoch 18 ohm/cm Pending DE1496537B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US213960A US3258434A (en) 1962-08-01 1962-08-01 Semiconducting glass

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1496537A1 DE1496537A1 (de) 1969-05-22
DE1496537B2 true DE1496537B2 (de) 1971-05-13

Family

ID=22797207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19631496537 Pending DE1496537B2 (de) 1962-08-01 1963-06-29 Elektrisch halbleitendes glas insbesondere als werkstoff fuer orthikon bildroehren mit einem elekt ischen wider stand zwischen 10 hoch 4 und 10 hoch 18 ohm/cm

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3258434A (de)
JP (1) JPS4225918B1 (de)
DE (1) DE1496537B2 (de)
FR (1) FR1367768A (de)
NL (1) NL294762A (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL294727A (de) * 1963-06-28
GB1079621A (en) * 1964-01-02 1967-08-16 Gen Electric Image orthicon target
NL6507894A (de) * 1964-06-19 1965-12-20
DE1596900A1 (de) * 1964-06-19 1971-04-01 Minnesota Mining & Mfg Glaszusammensetzung
NL6507796A (de) * 1964-06-19 1965-12-20
NL6601167A (de) * 1966-01-29 1967-07-31
GB1168415A (en) * 1968-07-31 1969-10-22 Mullard Ltd Improvements in or relating to Image Intensifiers
US3630667A (en) * 1969-04-01 1971-12-28 Stackpole Carbon Co Production of barium ferrite
FR2098953A5 (de) * 1970-07-31 1972-03-10 Anvar
US3732425A (en) * 1970-12-18 1973-05-08 Gen Electric Light conduit with double cladding
US3786294A (en) * 1971-02-22 1974-01-15 Gen Electric Protective coating for diode array targets
US3761762A (en) * 1972-02-11 1973-09-25 Rca Corp Image intensifier camera tube having an improved electron bombardment induced conductivity camera tube target comprising a chromium buffer layer
US3814977A (en) * 1972-06-09 1974-06-04 Corning Glass Works Image storage device
LU69220A1 (de) * 1973-06-18 1974-04-08
US3930824A (en) * 1974-07-19 1976-01-06 Metrologic Instruments, Inc. Method of forming laser components
US4139796A (en) * 1974-10-09 1979-02-13 Rca Corporation Photoconductor for imaging devices
US4280932A (en) * 1979-02-12 1981-07-28 General Electric Company Magnesia insulated heating elements
US4748137A (en) * 1987-05-20 1988-05-31 Corning Glass Works Low temperature melting frits
JPH0764588B2 (ja) * 1989-04-28 1995-07-12 日本電気硝子株式会社 被覆用ガラス組成物
US20090239363A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Honeywell International, Inc. Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes
US8053867B2 (en) * 2008-08-20 2011-11-08 Honeywell International Inc. Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants
US7951696B2 (en) 2008-09-30 2011-05-31 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes
US8518170B2 (en) * 2008-12-29 2013-08-27 Honeywell International Inc. Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks
US8324089B2 (en) * 2009-07-23 2012-12-04 Honeywell International Inc. Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions
US8629294B2 (en) 2011-08-25 2014-01-14 Honeywell International Inc. Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants
US8975170B2 (en) 2011-10-24 2015-03-10 Honeywell International Inc. Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2506741A (en) * 1940-09-20 1950-05-09 Rca Corp Television transmitting tube
US2518434A (en) * 1945-07-12 1950-08-08 Emi Ltd Electron discharge device such as a television transmitting tube
NL95807C (de) * 1954-06-26 1960-11-15
US2786819A (en) * 1955-11-17 1957-03-26 Gen Motors Corp Resistor
GB746566A (en) * 1957-06-12 1956-03-14 Gen Motors Corp Improvements relating to semi-conductive compositions
NL231332A (de) * 1957-09-13
US3061752A (en) * 1958-07-28 1962-10-30 English Electric Valve Co Ltd Television camera tubes

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4225918B1 (de) 1967-12-09
FR1367768A (fr) 1964-07-24
DE1496537A1 (de) 1969-05-22
US3258434A (en) 1966-06-28
NL294762A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1496537B2 (de) Elektrisch halbleitendes glas insbesondere als werkstoff fuer orthikon bildroehren mit einem elekt ischen wider stand zwischen 10 hoch 4 und 10 hoch 18 ohm/cm
DE602004006951T2 (de) Leitfähige paste
DE2523009A1 (de) Silbermasse und ihre verwendung
DE2617226A1 (de) Paste zur bildung elektrischer leiter und ihre anwendung
DE2006714A1 (de) Oxid
DE2746320A1 (de) Kupfer-glas-stoffzusammensetzung und ihre verwendung
DE4406276B4 (de) Elektrisch leitendes Keramikmaterial
EP0327816A2 (de) Nicht-oxidierende Kupfer-Dickfilmleiter
EP0047540B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines V2O5 und Alkalisulfat enthaltenden Katalysators
DE102013009241A1 (de) Kupferpastenzusammensetzung und ihre Verwendung in einem Verfahren zum Bilden von Kupferleitern auf Substraten
DE3041960C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Magnetpulvers für die Magnetaufzeichnung mit hoher Dichte
DE1608211A1 (de) Elektrisches Kontaktmaterial
DE1496537C (de) Elektrisch halbleitendes Glas, insbe sondere als Werkstoff für Orthikon-Bildröhren, mit einem elektrischen Widerstand zwischen 10 hoch 4 und 10 hoch 18 Ohm/cm
DE2642161C2 (de) Stromleitender Film für elektrische Heizgeräte
DE2303050A1 (de) Zusammengesetztes elektrisches kontaktmaterial
DE1496531B1 (de) Verfahren zur herstellung von aus glas und metallteilchen bestehenden gesinterten koerpern unter verwendung von reduzierfaehigen metallverbindungen sowie gesinterter koerper
DE60316133T2 (de) Verfahren zur herstellung eines heizelements vom molybdänsilizid-typ
DE3442270A1 (de) Verfahren zur herstellung metamorpher alkalimetalltitanate
DE2643596A1 (de) Verfahren zur ueberwachung und einstellung des erweichungspunktes eines loetglases
DE3148545A1 (de) Verfahren zur faerbung von flachgas durch diffusion und reduktion von silberionen
DE1049063B (de) Glaeser zum direkten Verschmelzen mit Metallen und Legierungen hoher thermischer Ausdehnung
CH618808A5 (en) Process for preparing an electroconductive material.
DE2065068B2 (de) Masse zur Herstellung elektrischer Elemente, insbesondere von Widerstandselementen
DE1533236B1 (de) Verfahren zur Herstellung von dispersionsgehaerteten Werkstoffen
DE1802452C (de) Spannungsabhängiger Massenwiderstand und Verfahren zu seiner Herstellung