DE2904480B2 - Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrem Herstellen - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrem Herstellen

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DE2904480B2 DE2904480A DE2904480A DE2904480B2 DE 2904480 B2 DE2904480 B2 DE 2904480B2 DE 2904480 A DE2904480 A DE 2904480A DE 2904480 A DE2904480 A DE 2904480A DE 2904480 B2 DE2904480 B2 DE 2904480B2
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Description

Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung mit einem ein Substrat des einen Leitungstyps und eine Epitaxialschicht des anderen Leitungstyps enthaltenden Halbleiterkörper, in welchem sich an der Grenzfläche zwischen dem Substrat und der Epitaxial-
schicht mit Abstand voneinander eine erste und eine zweite örtlich begrenzte vergrabene Zone des zweiten Leitungstyps befinden, wobei die den Leitungstyp bestimmenden Störstellen der ersten örtlich begrenzten vergrabenen Zone im wesentlichen aus einem ersten chemischen Element und diejenigen (fsr zweiten örtlich begrenzten vergrabenen Zone im wesentlichen aus einem zweiten chemischen Element bestehen. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Schaltung.
Bipolare digitale und analoge integrierte Schaltungen (IC) werden oft in einer normalerweise als Epitaxialschicht auf einem Substrat gebildeten Halbleiterschicht hergestellt, welche vergrabene Zonen mit dem Leitungstyp der Schicht, aber mit relativ niedrigem
spezifischen Widersiand enthält Wenn Niederspannungs-Schnellschaltelemente hergestellt werden sollen, wie sie zum Beispiel in digitalen, die integrierte Injektions·Logik anwendenden Schaltungen (PL-Schaltungen) gebraucht werden, ist eine relativ dünne und relativ hochdotierte, d.h. einen relativ niedrigen spezifischen Widerstand aufweisende Epitaxialschicht erwünscht Wenn andererseits Hochspannungs-Schaltelemente hergestellt werden sollen, ist eine relativ dicke Schicht mit relativ hohem spezifischen Widerstand erwünscht
Ein den vorgenannten Forderungen in etwa entsprechend aufgebautes integriertes Halbleiterbauelement ist aus der DE-OS 26 55 400 bekannt Hierbei wird der Bereich mit relativ dicker hochohmiger Schicht dadurch
hergestellt daß in das Substrat vor dem Einbringen der Dotierstoffe zunächst nach entsprechender Maskierung eine napfförmige Vertiefung eingeätzt und nach dem Bilden der Epitaxialschicht diese mit Hilfe einer
wetteren Maskierung und Ätzung eingeebnet wird. Wenn demgemäß bei relativ niedriger Spannung und bei relativ hoher Spannung arbeitende Schaltelemente auf ein und demselben Halbleitersubstrat zu kombinieren sind, müssen entweder ein unverhältnismäßig hoher Aufwand oder Kompromisse betreffend den spezifisehen Widerstand der Epitaxialschicbt ra Kauf genommen werden.
Hersteller, die die übliche, im allgemeinen bei Hochspannungs-SohaJtelementen angewendete Technologie zum Herstellen bipolarer integrierter Schaltungen benutzen, sind auf Schwierigkeiten bei dem Versuch gestoßen, in ihren Bauelementen mit Niederspannung arbeitende I2L-Schaltungen zu integrieren. Wenn Modifikationen des Verfahrens nicht vorgenommen werden, ist bei den entstehenden IZL-Schalte:ementen das Verhältnis der Stromverstärkung bei inversem Betrieb zur Stromverstärkung im Normalbetrieb ungünstig; das entstandene I2L-Schaltelement weist nämlich nur einen kleinen Emitter-Wirkungsgrad (Ergiebigkeit) auf. Zum Verbessern der Stromverstärkung bei inversem Betrieb diesser Bauelemente ä« versucht worden, die Stromverstärkung im Nffsnalbetrieb zu vergrößern; hierbei ergaben sich aber schlechte Ausbeuten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die integrierte Halbleiterschaltung der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß die Anbringung eines bei relativ hoher und eines bei relativ niedriger Spannung arbeitenden Bauelements ohne besonderen Herstellungsaufwand mit hoher Ausbeute möglich ist, ohne daß wesentliche Einbußen hinsichtlich der Qualität und Einsatzfähigkeit der in der integrierten Schaltung vereinigten Bauelemente hingenommen werden müssen. Mit der Erfindung soll ferner ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen integrierten Halbleiterschaltung angegeben werden.
Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe besteht darin, daß die beiden chemischen Elemente nahezu gleiche Diffusionskoeffizienten in dem Halbleiterkörper, aber erheb'ich voneinander abweichende Dampfdrücke bei der Aufwachstemperatur der Epitaxialschicht aufweisen und daß der Bereich der Eoitaxialschicht der an die zweite örtlich begrenzte vergrabene Zone, die das zweite chemische Element mit dem höheren Dampfdruck enthält, angrenzt, eine größere Zahl aus der zweiten örtlich begrenzton vergrabenen Zone ausgetretener selbstdotierender Atome des zweiten Elements aufweist als der Bereich der Epitaxialschicht, der sich an die erste örtlich begrenzte vergrabene Zone anschließt, aus der ersten Örtlich begrenzten vergrabenen Zone ausgetretene selbstdotierende Atome des ersten Elements enthält
Die erfindungsgemäße integrierte Halbleiterschaltung kann also Schaltelemente mit sehr verschiedenen Leistungskennwerten enthalten. In den einzelnen Schaltelementen sind dabei verschiedene chemische Elemente als Dotierstoffe enthaltende vergrabene Zonen vorgesehen, aus denen heraus der jeweils angrenzende Bereich der Epitaxialschicht in voneinander abweichender Weise beim Aufwachsen der Epitaxialschicht selbstdötiöft Worden ist Vorzugsweise sind als Substrat des Halbleiterkörpers P-Ieitendes Silizium und als Epitaxialschicht N-leitendes Silizium vorgesehen. Eine vorteilhafte Kombination von chemischen Elementen zum Dotieren der ersten und zweiten örtlich begrenzten vergrabenen Zone des erfindungsgemäßen Halbleiterkörpers ;?t die Kombination von
Antimon, das einen relativ niedrigen Dampfdruck und Arsen, das einen relativ hohen Dampfdruck bei der Aufwachstemperatur der Epitaxialschicht hat,
Zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung der eingangs genannten Art werden folgende Schritte angewandt:
a) Herstellen einer ersten örtlich begrenzten Zone mit den zweiten Leitungstyp hervorrufenden Störstellen in einem ersten Teil der Oberfläche des
»° Substrats,
b) Herstellen einer zweiten örtlich begrenzten Zone mit den zweiten Leitungstyp hervorrufenden Störstellen in einem zweiten Teil der Oberfläche des Substrats,
c) Aufwachsen einer Epitaxialschicht des zweiten Leitungstyps auf der die örtlich begrenzten Zonen enthaltenden Oberfläche des Substrats.
Gemäß dem Verfahren nach der Erfindung werden
zur Bildung der Störstellen in den örtlich begrenzten Zonen im wesentlichen zwei verschic'äne chemische Elemente verwendet, die bei der Aufwtsbstemperatur der Epitaxialschicht nahezu den gleichen Diffusionskoeffizienten, aber erheblich voneinander abweichenden Dampfdruck aufweisen, so daß der der zweiten örtlich begrenzten vergrabenen Zone benachbarte Bereich der Epitaxialschicht eine größere Zahl selbstdotierender Atome des zweiten chemischen Elements aufnimmt als der an die erste örtlich begrenzte vergrabene Zone angrenzende Bereich der Epitaxialschicht selbstdotierende Atome des ersten chemischen Elements.
Das Halbleiterbauelement kann während des Aufwachsens der Epitaxialschicht auch von einer äußeren Quelle her mit den zweiten Leitungstyp hervorrufenden
Störstellen dotiert werden. Die Zahl solcher Störstellen in einem bestimmten Bereich der Epitaxialschicht wird dann durch die Summe aus von der äußeren Quelle und von der zweiten örtlich begrenzten vergrabenen Zone stammenden Dotierstoffatome bestimmt
Durch das Verfahren nach der Erfindung ist es möglich, daß in einer integrierten Halbleiterschaltung zusammenzufassende Hochspannungs- und Niederspannungs-Schaltelemente jedes für sich in der günstigsten Weise hergestellt werden, wobei die aufwachsende Epitaxialschicht in den verschiedenen Bereichen durch Elemente mit demselben Leitungscharakter, aber abweichendem Dampfdruck bei der Aufwachstemperatur mit voneinander entsprechend abweichender Konzentration selbstdotiert wird.
Anhand von Ausführungsbeispielen und der Zeichnung wird im folgenden die Erfindung näher erläutert Es zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch einen Teil einer integrierten Halbleiterschaltung und
F i g. 2 bis 4 Verfahrensstadien beim Herstellen der integrierten Halbleiterschaltung.
Die integrierte Schaltung v/ird am Beispiel eines Bauelemente 10 anhand von F i g. 1 beschrieben. Zu dem Bauelement 10 gehören ein normalerweise aus Silizium bestehender, ein Subs'rat 14 des einen Leitungstyps und eine Epitaxialschicht 16 des anderen Leitungstyps enthaltender Halbleiterkörper 12 In der Praxis ist das Substrat 14 P-Ieitend und die EpitaxiaL'-chicht 16 N-Ieitend.
An der zwischen der Epitaxialschicht 16 und dem Substrat 14 definierten 3renzfiäche 18 befindet sich im letzteren eine erste örtlich begrenzte vergrabene Zone 20, welche mit den zweiten Leitungstyp herrufendem
Dotierstoff relativ hoch dotiert ist. Wie F i g. 1 zeigt, erstreckt sich die vergrabene Zone 20 etwas über die Grenzfläche 18 hinaus in die Epitaxialschicht 16 hinein. Obwohl die Zeichnung schematisch ist, zeigt sie doch grundsätzlich den Zustand bei fertigen Bauelementen, -, der sich durch Ausdiffusion von Dotierstoffen aus der vergrabenen Zone 20 heraus beim Aufwachsen der Epitaxialschicht in diese hinein einstellt.
Mit Abstand von der ersten vergrabenen Zone 20 ist im Substrat 14 an der Oberflache 18 eine zweite örtlich i<> begrenzte vergrabene Zone 22 des zweiten Leitungstyps vorgesehen. Auch die zweite vergrabene Zone 22 erstreckt sich gemäß Fig. I in die Epitaxialschicht 16 hinein. Hierbei ist jedoch zu beachten, daß die zweite vergraoene Zone 22 weiter in die Epitaxialschicht 16 ι-, hineinreicht als die erste vergrabene Zone 20. Natürlich gibt die Zeichnung nicht die genaue räumliche Struktur im Bauelement wieder, zumal es keine exakt bestimmbare Grenze zwischen den vergrabenen Zonen 20 oder 22 einerseits und der Epitaxialschicht 16 andererseits ;.. gibt. Es sind jedoch in dem Bereich 28 der Epitaxialschicht 16, der an die Zone 22 angrenzt, mehr Störstellen durch Ausdiffusion und Selbstdotierung aus der zweiten vergrabenen Zone 22 gebildet worden als in dem Bereich 26 der Epitaxialschicht 16, der an die Zone 20 _··, angrenzt.
Zum Erreichen der zuvor erläuterten Ergebnisse werden die beiden vergrabenen Zonen 20 und 22 durch Dotieren des Substrats 14 mit voneinander unterschiedlichen Dotierstoffen gebildet. Es werden dabei verschie- in dene Elemente benutzt, bei denen es sich zum Beispiel im Falle der ersten vergrabenen Zone 20 um Antimon und im Falle der zweiten vergrabenen Zone 22 um Arsen handeln kann. Kennzeichen dieser beiden Elemente ist es, im wesentlichen denselben Diffusions- r> koeffizienten in Silizium zu besitzen, aber erheblich unterschiedliche Dampfdrücke bei der Auf wachs temperatur der Epitaxialschicht 16 aufzuweisen. Hierbei ist es das zweite chemische Element, nämlich Arsen, das den relativ höheren Dampfdruck bei der Aufwachstempera- 4n tür hat Das hat zur Folge, daß in dem an die zweite vergrabene Zone 22 angrenzenden Bereich der aufwachsenden Epitaxialschicht 16 mehr selbstdotierende Arsen-Atome eingebaut sind als in dem an die erste Zone 20 angrenzenden Teil der Epitaxialschicht 16 bei 4i deren Aufwachsen selbstdotierende Antimon-Atome enthalten sind. Es gibt auch andere Kombinationen chemischer Elemente mit Hilfe deren versucht werden kann, in den genannten Bereichen der Epitaxialschicht voneinander abweichende Dotierstoffkonzentrationen ,o zu erzeugen.
Wie sich aus der Beschreibung des Verfahrens zur Herstellung der integrierten Halbleiterschaltung noch ergeben wird, ist ein zusätzlicher Unterschied zwischen der vergrabenen Zone 20 und der vergrabenen Zone 22 durch die höhere Oberflächenkonzentration des zum Bilden der zweiten Zone 22 benutzten Arsens als des zum Bilden der vergrabenen Zone 20 benutzten Antimons gegeben. Dieser Effekt kommt zu dem vorbeschriebenen Selbstdotier-Effekt noch hinzu.
In F i g. 1 sind folgende weitere Teile der integrierten Halbleiterschaltung gezeigt:
Zunächst sind übliche, die Epitaxialschicht 16 in getrennte Inseln teilende P+-leitende Isolierzonen 24 gebildet Die durch die Isolierzonen 24 getrennten Bereiche sind im Ausführungsbeispiel mit 26 und 28 bezeichnet. Der an die erste vergrabene Zone 20 angrenzende Bereich 26 der Epitaxialschicht 16 ist als bipolarer Transistor, d. h. als Schaltelement mit Hochspannungscharakteristik ausgestaltet. Es ist daher eine P-Ieiitende Zone 30, angrenzend an eine Oberfläche 32 der Epitaxialschicht 16 und innerhalb der P-Ieitenden Zone 30 eine N + -leitende Zone 34 angebracht. Diese Zonen 30 und 34 dienen als Basis- bzw. Emitterzone, wobei der verbleibende Teil de; Bereiches 26 als Kollektorzone des Transistors dient. Falls erwünscht, kann eine Kollektor-Kontaktzone 36 mit Abstand von der P-Ieitenden Zone 30 angrenzend an die Oberfläche 32 eingebaut werden.
In dem Bereich 28 ist ein Schaltelement mit einer vergleichsweise Niederspannungs-Charakteristik ausgebildet Im Ausfuhrungsbeispiel handelt es sich um eine I2L-Struktur mit zwei Kollektoren. Angrenzend an die Oberfläche 32 der Epitaxialschicht 16 befinden sich daher eine zweite P-Ieitende Zone 38 innerhalb des Bereichs 28 und zwei N + -leitende Zonen 40 und 42 innerhalb der P-Ieitenden Zone 38 sowie eine dritte P-leitenHe Zonp λλ mit A.bstsnd von der zwsiten P-Ieitenden Zone 38 in dem Bereich 28. Funktionell stellen diese Zonen einen Lateraltransistor mit der Zone 44 als Emitter, einem Teil des Bereichs 28 als Basis und der zweiten P-Ieitenden Zone 38 als Kollektor dar. Der Schalt-Transistor der PL-Struktur ist durch den Bereich 28 als Emitter, durch die zweite P-Ieitende Zone 38 als Basis und durch die Zonen 40 und 42 als Kollektor gebildet. Es ist eine Emitter-Kontaktzone 46 vorgesehen, d'* sich von der Oberfläche 32 der Epitaxialschicht 16 in die vergrabene Zone 22 hinein erstreckt. Diese PL-Schaltung hat einen üblichen Aufbau, unterscheidet sich aber von den bekannten integrierten Schaltungen dadurch, daß sie einen besseret? Emitter-Wirkungsgrad aufweist weil der Bereich 28 infolge der Verwendung von Arsen als Dotiermittel für die vergrabene Zone 22 und dem oben beschriebenen Selbstdotiereffekt höher doJert ist als der Bereich 26.
Anhand der F i g. 2 bis 4 sind einige Schritte des Verfahrens zur Herstellung der integrierten Halbleiterschaltung erläutert Es sind jedoch zum Beispiel übliche Ätz- und Reinigungsschritte zur Vereinfachung der Erläuterung weggelassen worden.
Das Verfahren zur Herstellung der integrierten Schaltung geht von einem herkömmlichen, mit einer Oberflächenmaske 48, zum Beispiel aus Siliziumdioxid, versehenen Substrat 14 aus. Mit Hilfe üblicher fotolithografischer Verfahren wird in der Maske 48 eine Öffnung 50 als Ort für die erste vergrabene Zone 20 gebildet Das Substrat 14 wird dann in einen Standard-Diffusionsofen gesetzt Dort wird durch die Öffnung 50 Antimon in das Substrat 14 eindiffundiert so daß eine relativ hoch dotierte, N-Ieitende Diffuskaszone 205 entsteht, die in F i g. 2 mit N+ + bezeichnet ist Die Diffusionsbedingungen sollen so ausgewählt werden, daß die Diffusionszone 205 einen spezifischen Flächenwiderstand von 25 bis 30 Ohm/Quadrat erhält
Im Anschluß an das Herstellen der Diffusionszone 20S wird die Maske 48 abgetragen und durch eine neue auf die Oberfläche des Substrats 14 aufgebrachte Maske 52 ersetzt Durch eine fotolithografisch an der für die zweite vergrabene Zone 22 vorgesehenen Stelle begrenzten Öffnung 54 in der Maske 52 wird dann Arsen in das Substrat 14 eindiffundiert und damit eine Diffusionszone 225 hergestellt Die Diffusionsbedingungen bei diesem Verfahrensschritt sollen so ausgewählt werden, daß die Zone 225 höher dotiert wird als die Zone 205. Ein spezifischer Flächenwiderstand von etwa 10 Ohm/Quadrat ist relativ leicht zu erhalten, da das
Kristallgitter des Arsens relativ gut mit demjenigen des Siliziums zusammenpaßt
Die nächsten Verfahrensschritte bestehen darin, das Substrat 14 in üblicher Weise für das Aufwachsen der Epitaxialschicht 16 vorzubereiten und diese Schicht aufwachsen zu lassen. Das Ergebnis ist in Fig.4 dargestellt Aus F i g. 4 ergeben sich auch schematisch die unterschiedlichen Ausdehnungen der Zonen 20 und 22. Weil im vorliegenden Fall der Vorteil des Selbsttiotier-Phänomens ausgenutzt wird, müssen Vorsichtsmaßnahmen beim Aufwachsen der Epitaxialschicht 16 ergriffen werden. Eine wichtige Vorsichtsmaßnahme besteht darin, für das epitaxiale Abscheiden einen Reaktionsofen zu verwenden, in dem ein relativ geringer seitlicher Gasfluß über die Oberfläche des Substrats auftritt Ein bekannter Flach- oder Scheiben-Ofen als Horizontal-Reaktor ist für diesen Zweck gut geeignet. Des weiteren sollen die Aufwachszeit und -temperatur so gesteuert werden, daß eine Epitaxialschicht 16 mit einer Dicke im Bereich von 6 bis ö Mikrometern entsteht. Das ist relativ dünn im Vergleich zur bisherigen Praxis, ermöglicht aber ein relativ schnelles Wachsen und führt zu einer insbesondere für den PL-Abschnitt des Bauelements vorteilhaften Dicke. Natürlich kann die Epitaxialschicht 16 während ihres Aufwachsens von einer äußeren Quelle her dotiert werden; dadurch wird ein Bereich mit einem spezifischen Widerstand von etwa 0,5 bis etwa 0,8 Ohm cm Der tatsächliche spezifische Widerstand der Epitaxialschicht 16 ist an verschiedenen Stellen der Epitaxialschicht verschieden, da dieser sich aus der Wirkung der von einer äußeren Dotierstoffquelle stammenden und der durch Selbstdotierung in die Epitaxialschicht eingebauten Störstellen ergibt
Durch das vorstehend beschriebene Verfahren können Hochspannungs- und Niederspannungs-Bauelemente — insbesondere für den Fall einer 12L-Schaltung als Niederspannungs-Bauelement — auf ein und demselben Substrat vereinigt werden. Durch die vergrabene Zone mit der hohen Arsen-Konzentration wird der für das I2L-Bauelement vorgesehene epitaxiale Bereich selbstdotiert, was einen besseren Emitter-Wirkungsgrad und eine höhere inverse Stromverstärkung bedingt. Die niedrige Durchbruchspannung ist kein den PL-Abschnitt betreffendes Problem, da dieser Teil der integrierten Halbleiterschaltung im allgemeinen nur bei Versorgungsspannungen von weniger als t Volt betrieben wird. Der bei relativ hohen Spannungen arbeitende Abschnitt der integrierten Halbleiterschaltung, der z. B. wie oben beschrieben als Transistor ausgebildet ist, kann mit herkömmlichen Spannungen betrieben werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

  1. Patentansprüche;
    1, Integrierte Halbleiterschaltung mit einem ein Substrat des einen Leitungstyps und eine Epitaxialschicht des anderen Leitungstyps enthaltenden Halbleiterkörper, in welchem sich an der Grenzfläche zwischen dem Substrat und der Epitaxialschicht mit Abstand voneinander eine erste und eine zweite örtlich begrenzte vergrabene Zone des zweiten Leitungstyps befinden, wobei die den Leitungstyp bestimmenden Störstellen der ersten örtlich begrenzten vergrabenen Zone im wesentlichen aus einem ersten chemischen Element und diejenigen der zweiten örtlich begrenzten vergrabenen Zone im wesentlichen aus einem zweiten chemischen Element bestehen, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden chemischen Elemente nahezu gleiche Diffusionskoeffizienten in dem Halbleiterkörper (12), aber erheblich voneinander abweichende Dampfdrücke bei der Aufwachstemperatur der EpitaxialschkAt (16) aufweisen und daß der Bereich (28) der Epitaxialschicht (16), der an die zweite örtlich begrenzte vergrabene Zone (22), die das zweite chemische Element mit dem höheren Dampfdruck enthält, angrenzt, eine größere Zahl aus der zweiten örtlich begrenzten vergrabenen Zone (22) ausgetretener selbsulotierender Atome des zweiten Elements aufweist als der Bereich (26) der Epitaxialschicht (16), der sich an die erste örtlich begrenzte vergrabene Zone (20) anschließt, aus der ersten örtlich begrenzten vergrabenen Zone (20) ausgetretene selbstdotierende Atome des ersten Elements enthält
  2. 2. Halbleiterschaltung noch Anspruch 1, bei der als Halbleitermaterial Silizium, als vster Leitungstyp die P-Leitung und als zweiter Leitungstyp die N-Leitung vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß das erste chemische Element Antimon und das zweite chemische Element Arsen ist
  3. 3. Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, bei dem folgende Schritte durchgeführt werden:
    a) Herstellen einer ersten örtlich begrenzten Zone mit den zweiten Leitungstyp hervorrufenden Störstellen in einem ersten Teil der Oberfläche des Substrats,
    b) Herstellen einer zweiten örtlich begrenzten Zone mit den zweiten Leitungstyp hervorrufenden Störstellen in einem zweiten Teil der Oberfläche des Substrats,
    c) Aufwachsen einer Epitaxialschicht des zweiten Leitungstyps auf der die örtlich begrenzten Zonen enthaltenden Oberfläche des Substrats,
    dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung d:r Störstellen in den örtlich begrenzten Zonen (205, 225; im wesentlichen zwei verschiedene chemische Elemente verwendet werden, die bei der Aufwachstemperatur der Epitaxialschicht (16) nahezu den gleichen Diffusionskoeffizienten, aber erheblich voneinander abweichenden Dampfdruck aufweisen, so daß der der zweiten örtlich begrenzten vergrabenen Zone (22) benachbarte Bereich (28) der Epitaxialschicht (16) eine größere Zahl selbstdotierender Atome des zweiten chemischen Elements aufnimmt als der an die erste örtlich begrenzte vergrabene Zone (20) angrenzende Bereich (26) der Epitaxialschicht (16) selbstdotierende Atome des ersten chemischen Elements,
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem das Halbleitermaterial Silizium, der erste Leitungstyp
    die P-Leitung und der zweite Leitungstyp die N-Leitung ist, dadurch gekennzeichnet, daß die erste örtlich begrenzte Zone (20SJ durch Diffusion von Antimon bis zu einer vorbestimmten Oberflächenkonzentration in das Substrat (14) und die zweite
    ίο örtlich begrenzte Zone (22SJ durch Diffusion von Arsen bis zu einer vorbestimmten Oberflächenkonzentration in das Substrat (14) gebildet werden.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß Arsen bis zu einer höheren Oberflächenkonzentration als Antimon diffundiert wird.
  6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet daß die Epitaxialschicht (16) während ihres Aufwachsens auch von einer äußeren, den zweiten Leitungstyp hervorrrJenden Dotierstoff enthaltenden Quelle derart dotiert wird, daß die Zahl der Störstellen des zweiten Leitungstyps in einem vorgegebenen Bereich der Epitaxialschicht (16) die Summe der Dotierstoffatome aus der äußeren Quelle und der selbstdotierenden Atome darstellt
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