DE2700094A1 - Verfahren zum herstellen von hybridoxiden - Google Patents

Verfahren zum herstellen von hybridoxiden

Info

Publication number
DE2700094A1
DE2700094A1 DE19772700094 DE2700094A DE2700094A1 DE 2700094 A1 DE2700094 A1 DE 2700094A1 DE 19772700094 DE19772700094 DE 19772700094 DE 2700094 A DE2700094 A DE 2700094A DE 2700094 A1 DE2700094 A1 DE 2700094A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
oxygen
oxide
hydrogen
minutes
dry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19772700094
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Seymour Hyman Cohen
Joseph John Fabula
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE2700094A1 publication Critical patent/DE2700094A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P14/6309—
    • H10P14/6322—

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
DE19772700094 1976-01-12 1977-01-04 Verfahren zum herstellen von hybridoxiden Withdrawn DE2700094A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US64845576A 1976-01-12 1976-01-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2700094A1 true DE2700094A1 (de) 1977-07-21

Family

ID=24600841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772700094 Withdrawn DE2700094A1 (de) 1976-01-12 1977-01-04 Verfahren zum herstellen von hybridoxiden

Country Status (9)

Country Link
JP (1) JPS5286070A (cg-RX-API-DMAC10.html)
AU (1) AU502350B2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE2700094A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR2337941A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB1513640A (cg-RX-API-DMAC10.html)
IN (1) IN145547B (cg-RX-API-DMAC10.html)
IT (1) IT1064328B (cg-RX-API-DMAC10.html)
SE (1) SE7614145L (cg-RX-API-DMAC10.html)
YU (1) YU301876A (cg-RX-API-DMAC10.html)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3425531A1 (de) * 1984-07-11 1986-01-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum verfliessenlassen von dotierten sio(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-schichten bei der herstellung von integrierten mos-halbleiterschaltungen
EP1014432A1 (en) * 1998-12-23 2000-06-28 Infineon Technologies North America Corp. Method for forming the gate oxide of metal-oxide-semiconductor devices

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58188162A (ja) * 1982-04-28 1983-11-02 Agency Of Ind Science & Technol ゲ−ト絶縁膜の形成方法
JPS61193456A (ja) * 1985-02-21 1986-08-27 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法
NL8603111A (nl) * 1986-12-08 1988-07-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij een siliciumplak aan zijn oppervlak wordt voorzien van veldoxidegebieden.
JP3310386B2 (ja) * 1993-05-25 2002-08-05 忠弘 大見 絶縁酸化膜の形成方法及び半導体装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2014382B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1968-06-28 1974-03-15 Motorola Inc
JPS4913909B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1970-05-04 1974-04-03

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3425531A1 (de) * 1984-07-11 1986-01-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum verfliessenlassen von dotierten sio(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-schichten bei der herstellung von integrierten mos-halbleiterschaltungen
EP1014432A1 (en) * 1998-12-23 2000-06-28 Infineon Technologies North America Corp. Method for forming the gate oxide of metal-oxide-semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
IN145547B (cg-RX-API-DMAC10.html) 1978-11-04
AU2108877A (en) 1978-07-13
JPS5286070A (en) 1977-07-16
IT1064328B (it) 1985-02-18
YU301876A (en) 1982-06-30
AU502350B2 (en) 1979-07-19
FR2337941B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1982-05-28
FR2337941A1 (fr) 1977-08-05
GB1513640A (en) 1978-06-07
SE7614145L (sv) 1977-07-13
JPS5615573B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1981-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19829309B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines thermischen Oxidfilms auf Siliciumcarbid
DE1564963C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Halbleiterbauelements
DE69414199T2 (de) Verwendung von negativen Ladungsträgern in der Gitterisolierung, um die Schwellspannung von SOI-Transistoren zu optimieren
DE2636961C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherelementes
DE1952626B2 (de) Verfahren zur herstellung von isolationsschichten auf halbleitersubstraten durch hochfrequenz-kathodenzerstaeubung
DE1696625B2 (de) Verfahren zum Erzeugen einer Nitridschutzschicht auf einem Halbleiterkörper
DE2655341A1 (de) Halbleiteranordnung mit passivierter oberflaeche und verfahren zur herstellung dieser anordnung
DE1148024B (de) Diffusionsverfahren zum Dotieren eines Silizium-Halbleiterkoerpers fuer Halbleiterbauelemente
DE1489258C2 (de) Verfahren zum Herstellen des Stromkanals eines Feldeffekttransistors
DE1913718C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE2052221C3 (de) Verfahren zum Erzeugen einer Siliciumoxidschicht auf einem Süiciumsubstrat und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE1514359B1 (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2700094A1 (de) Verfahren zum herstellen von hybridoxiden
DE2550371A1 (de) Verfahren zum thermischen oxydieren von silicium
DE1544245B2 (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleiter korpern
DE2931432A1 (de) Eindiffundieren von aluminium in einem offenen rohr
DE69029234T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsupraleitern und supraleitenden Einrichtungen
DE1923035A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit Passivierfilm
DE2063726B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE2838928A1 (de) Verfahren zum dotieren von siliciumkoerpern mit bor
DE2316520B2 (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleiterplättchen durch Diffusion aus einer auf das Halbleitermaterial aufgebrachten Schicht
DE1614455C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers
DE2951292A1 (de) Verfahren zum dotieren von siliciumkoerpern durch eindiffundieren von bor
DE2830035C2 (de) Verfahren, bei arsenhaltigen Oxidfilmen auf einer Halbleitervorrichtung die Verarmung an Arsen zu verhindern
DE1444495A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristallen

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination