JPS58188162A - ゲ−ト絶縁膜の形成方法 - Google Patents
ゲ−ト絶縁膜の形成方法Info
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- JPS58188162A JPS58188162A JP7041082A JP7041082A JPS58188162A JP S58188162 A JPS58188162 A JP S58188162A JP 7041082 A JP7041082 A JP 7041082A JP 7041082 A JP7041082 A JP 7041082A JP S58188162 A JPS58188162 A JP S58188162A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＜発明の分野＞
本発明は、ＭＯＳ型半導体装置のゲート絶縁膜形戎方法
に係わり、特に耐放射線性権化水子の製造に用いて岐適
な方法に関する。
に係わり、特に耐放射線性権化水子の製造に用いて岐適
な方法に関する。
〈従来技術及びその間＠点〉
耐放村線性帽化のために、シリコンｅ縁１とアｔｗミナ
模との二＝ ｒｅ ｌ造を用い九ものが知られている。
模との二＝ ｒｅ ｌ造を用い九ものが知られている。
然しながら、工程も複離かつアルミナ漠の信頼性も低い
。また、８５０’０（一定）で、シリコンの熱孜化を行
ない、ゲート酸化・漢とすると耐放５↑−性強化として
良いことが知られているが【俊イヒ奥の信頼性が噛めて
低い。
。また、８５０’０（一定）で、シリコンの熱孜化を行
ない、ゲート酸化・漢とすると耐放５↑−性強化として
良いことが知られているが【俊イヒ奥の信頼性が噛めて
低い。
〈発明の目的〉
く＠明の髪薇ン
本４明者の咄々検討を行ケつた桔東によれば、γ−ト絶
→漠を１ステツプでなく、最初９２５°０μく姥月の実
癩例〉 以Ｆ１本宅明を一夷鴫列により祥細に説明する。
→漠を１ステツプでなく、最初９２５°０μく姥月の実
癩例〉 以Ｆ１本宅明を一夷鴫列により祥細に説明する。
列えば、杷→体すファイア琲結晶苓体上に、厚さ〜１ｕ
ｍのシリコン単債晶１−を設けてなる所ｓｌｌ ＳＯ８
青板を用意する。そして、この基板全体を酸素とＹ菖酸
（３チ）＃囲気中で９５０’Ｏの温度下に於いて熱＋Ｉ
Ｉ化しる０例えば酸化時間を３０分間とすると、厚さ：
＋ｏｏＸの護ｔｌＤ艮好なシリコン熱情化膜がまず形成
される。この時の１！１ｆとしては、９２５℃以上が□
Ａましく、９２５°Ｃより低温Ｆでは、爵終的に形成さ
れるｆ−ト絶縁模りガンＶ線照射によるゲートしきいｌ
１ｆＬイ王の変化ｔ（即ち、照射前と照射後のしきい値
５イヒ）が小となるが、ゲート＠暖となが形成された。
ｍのシリコン単債晶１−を設けてなる所ｓｌｌ ＳＯ８
青板を用意する。そして、この基板全体を酸素とＹ菖酸
（３チ）＃囲気中で９５０’Ｏの温度下に於いて熱＋Ｉ
Ｉ化しる０例えば酸化時間を３０分間とすると、厚さ：
＋ｏｏＸの護ｔｌＤ艮好なシリコン熱情化膜がまず形成
される。この時の１！１ｆとしては、９２５℃以上が□
Ａましく、９２５°Ｃより低温Ｆでは、爵終的に形成さ
れるｆ−ト絶縁模りガンＶ線照射によるゲートしきいｌ
１ｆＬイ王の変化ｔ（即ち、照射前と照射後のしきい値
５イヒ）が小となるが、ゲート＠暖となが形成された。
この時、酸化１實としては、９００℃より低い温度が好
ましい。又、２ｖ目の給縁襖形成としては、シリコン−
シリコン酸化！ｌＩ痒面から少くとも１００Ｘよりシエ
〈シた方がよい。
ましい。又、２ｖ目の給縁襖形成としては、シリコン−
シリコン酸化！ｌＩ痒面から少くとも１００Ｘよりシエ
〈シた方がよい。
域とその人々成極を形成する。
本Ｊ！癩例では、８０８基板への適用について説明した
が、勿備半４体自体を基板にも用いる所墳ペルクゾリコ
ン半導体素子についても１本発明が適用できることは明
白でちる。
が、勿備半４体自体を基板にも用いる所墳ペルクゾリコ
ン半導体素子についても１本発明が適用できることは明
白でちる。
〈発明の幼東〉
木尾明、てよれば、第１図に示す妬く、耐放ｉｔｔ線性
が極６て良好なぺ子が得られる。しかも、第２図にＴ＜
ｆ ｌｚｌ＋ ＜ 、 ゲート破壊肩「釦も啄めて
小なる素子が【４された。放射線照射ドで聞出しても、
ｖＴＩ＋の変動が極めて少なく回路動作が正常でうった
。１１亡っで１枚射線が当たる＝１１１丁で使用する鳴
ゴｆ、（禎陛の特ｅこ問いｆバイス形成に対し、本発明
ケま縛幼である。ｉし、第１図に於いて、曲＠Ｐｌは／
−ト・変化を９５０ ’Ｏのみで行なった４合、曲線Ｐ
２、−１ ’Ｊ ２５ ’（１のみ、曲４ Ｐ３ば８５
０’０７）みで行なった一１ｉｉ＆Ｋ Ｋ：々対し乙し
、横軸がガンマ線の吸収線≠（１ｒａｄ ＝ １００
ｅｒｇ／ｇのエネルギー吸収ｌ！ｉ１）、縦軸がゲート
し舞いｑｉ Ｉｉ！ｃ王のガンマ線照射による変化媛（
ｚｌｖｖ、Ｉ（ボνト〕）を示し％ ｎ−チャネル＋Ｑ
８デバイスについてのｆ−夕列である。セして１曲ｉＡ
が、１１工記実施列方法に従ったデバイスの特性でちる
。
が極６て良好なぺ子が得られる。しかも、第２図にＴ＜
ｆ ｌｚｌ＋ ＜ 、 ゲート破壊肩「釦も啄めて
小なる素子が【４された。放射線照射ドで聞出しても、
ｖＴＩ＋の変動が極めて少なく回路動作が正常でうった
。１１亡っで１枚射線が当たる＝１１１丁で使用する鳴
ゴｆ、（禎陛の特ｅこ問いｆバイス形成に対し、本発明
ケま縛幼である。ｉし、第１図に於いて、曲＠Ｐｌは／
−ト・変化を９５０ ’Ｏのみで行なった４合、曲線Ｐ
２、−１ ’Ｊ ２５ ’（１のみ、曲４ Ｐ３ば８５
０’０７）みで行なった一１ｉｉ＆Ｋ Ｋ：々対し乙し
、横軸がガンマ線の吸収線≠（１ｒａｄ ＝ １００
ｅｒｇ／ｇのエネルギー吸収ｌ！ｉ１）、縦軸がゲート
し舞いｑｉ Ｉｉ！ｃ王のガンマ線照射による変化媛（
ｚｌｖｖ、Ｉ（ボνト〕）を示し％ ｎ−チャネル＋Ｑ
８デバイスについてのｆ−夕列である。セして１曲ｉＡ
が、１１工記実施列方法に従ったデバイスの特性でちる
。
Ａ、ＶＴｌ（につき、Ｐ３と同等の特性となった。
又、第２図において、横軸Ｐｉ、Ｐ２．Ｐ３、人は第１
１図に対応し、横軸がＰ３で規格化した際のゲート絶縁
・１体の破壊軸度に対応する。破壊帽傘については、Ｐ
Ｉと同等の特性と立った。
１図に対応し、横軸がＰ３で規格化した際のゲート絶縁
・１体の破壊軸度に対応する。破壊帽傘については、Ｐ
Ｉと同等の特性と立った。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための特性図、
第２図は、本発明の一実施例方法による効果を説明する
ための図である。 出願人 工業技術院長 石 坂 緘 −策１図 菫２図 暴
第２図は、本発明の一実施例方法による効果を説明する
ための図である。 出願人 工業技術院長 石 坂 緘 −策１図 菫２図 暴
Claims (1)
- ｆｆｆｓ型半導体装置のゲート絶縁膜を形成する方°
法に於いて、ゲート絶！Ｉ＆４の形成工程が、半導体壱
板を９２５’０以上の＠度下で熱漬化する第１工程と、
その後９００°０以下のａｔ下で前記半導体基板を熱俊
化する第２工程とを具備することを特命とするゲート絶
縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7041082A JPS58188162A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | ゲ−ト絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7041082A JPS58188162A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | ゲ−ト絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188162A true JPS58188162A (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=13430666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7041082A Pending JPS58188162A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | ゲ−ト絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188162A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5286070A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-16 | Rca Corp | Method of manufacturing concocted oxide |
| JPS5315775A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of mos type semiconductor device |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP7041082A patent/JPS58188162A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5286070A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-16 | Rca Corp | Method of manufacturing concocted oxide |
| JPS5315775A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of mos type semiconductor device |
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