DE690598C - Verfahren zur Herstellung von Photozellen, die aus Kupferoxydul und dieses beruehrenden Elektroden bestehen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Photozellen, die aus Kupferoxydul und dieses beruehrenden Elektroden bestehen

Info

Publication number
DE690598C
DE690598C DE1931S0100865 DES0100865D DE690598C DE 690598 C DE690598 C DE 690598C DE 1931S0100865 DE1931S0100865 DE 1931S0100865 DE S0100865 D DES0100865 D DE S0100865D DE 690598 C DE690598 C DE 690598C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
copper oxide
electrodes
production
photocells
consist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1931S0100865
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Ferdinand Waibel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens and Halske AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens and Halske AG
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens and Halske AG, Siemens AG filed Critical Siemens and Halske AG
Priority to DE1931S0100865 priority Critical patent/DE690598C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE690598C publication Critical patent/DE690598C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydulphotozellen, bei denen das Kupferoxydul in leitender Verbindung mit den Elektroden steht. Derartige Zellen liefern bei Belichtung der Berührungsflächen zwischen dem Oxydul und einer nach besonderem Verfahren hergestellten photoelektrisch wirksamen Elektrode eine elektromotorische Kraft, ohne daß an die Elektroden »ο eine Spannung gelegt wird.
Gemäß der Erfindung wird die Kupferoxydulphotozelle unter Verwendung von ' Kupferoxydul hergestellt, das einem besonderen Verfahren unterworfen wird, damit es eine möglichst geringe Leitfähigkeit erhält. Eine derartige Zelle hat eine größere Leistungsempfindlichkeit gegenüber einer Kupferoxydulzelle, die unter Verwendung von Kupferoxydul von geringem Widerstand hergestellt ist, da sie in beiden Fällen den gleichen Kurzschlußstrom liefert.
Da aber die Anpassung an die Zelle mit
höherem Widerstand ebenfalls mit einem höheren Widerstandswerte erfolgen kann, so ist die elektrisch abgegebene Leistung der Zelle mit höherem Widerstände gegenüber einer Zelle mit niederem Widerstand erhöht.
Eine Kupferoxydulmasse, ganz besonders
vorteilhaft eine solche ohne Mutterkupfer geringerer Leitfähigkeit, wird erfindungsgemäß durch eine mehrstündige, z. B. zweistündige Erhitzung in einem evakuierten Gefäß auf eine Temperatur oberhalb 500° C erzielt. Die Entfernung von an dem Oxydul haftenden Oxydschichten kann vorher oder nachher geschehen.
Es ist zwar bereits bekannt, Gleichrichterlamellen, die eine auf das Kupfer aufgewachsene Kupferoxydulschicht besitzen, bei ähnlich hohen Temperaturen zu behandeln, aber nur zu dem Zwecke, Spannungen, die ein Verziehen des Trägers der Oxydulschicht bewirken könnten, auszugleichen.
Gemäß weiterer Erfindung ist es vorteilhaft, als Glühtemperatur eine solche zu verwenden, die etwa zwischen 800 und 9000 liegt. An Stelle des evakuierten Gefäßes kann man das Erhitzen auch in einem Gefäß vornehmen, das mit einem nicht auf das Kupferoxydul einwirkenden Gas, ζ. Β. Stickstoff, oder einem Edelgas gefüllt ist.
Zur Herstellung der wirksamen Elektrode auf das in dieser Weise thermisch behandelte Kupferoxydul wird vorzugsweise das bekannte Verfahren benutzt, welches darin besteht, daß die für diese Elektrode bestimmte Fläche einer Säureätzung unterworfen und danach eine lichtdurchlässige Metällhaut aus Silber
*) Von dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben worden:
Dr. Ferdinand Waibel in Berlin-Chatiottenburg.
oder Gold aufgestäubt wird. Die Gegenelektrode wird auf eine vorher gesandete oder polierte Fläche aufgebracht und wird vorzugsweise in Form einer Graphitemulsion aufgetragen. Auf die Graphitemulsion kaiin noch eine metallene Elektrode, z. B. durch. Kathodenzerstäubung, aufgebracht werden. Die Wärmebehandlung kann unter Umständen auch noch nach dem erfolgten Aufbringen der Elektrode vorgenommen werden. Bei der Behandlung von bereits mit Elektroden versehenem Kupferoxydul, z. B. Hinterwandzellen, muß darauf geachtet werden, daß die Atmosphäre, in der die Wärniebehandlung vorgenommen wird, keine Bestandteile „ enthält, die die Elektroden beeinflussen.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Photozellen, die aus Kupferoxydul und dieses berührenden Elektroden bestehen,
, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erhöhung des für den Photoeffekt wirksamen Widerstandes der Zelle das Kupferoxydul im Vakuum oder in einem Raum, der mit nicht angreifbaren Gasen gefüllt ist, oberhalb 5000, z.B. zwei Stunden und vorzugsweise bei 800 bis 9000 C, erhitzt wird.
2. Verfahren nach Anspruchs, dadurch gekennzeichnet, daß es auf einen massiven, festen, mutterkupferfreien Kupferoxydulkörper angewandt wird.
BERLIN. GEDItTCKT IN DER UnICH
DE1931S0100865 1931-09-11 1931-09-11 Verfahren zur Herstellung von Photozellen, die aus Kupferoxydul und dieses beruehrenden Elektroden bestehen Expired DE690598C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1931S0100865 DE690598C (de) 1931-09-11 1931-09-11 Verfahren zur Herstellung von Photozellen, die aus Kupferoxydul und dieses beruehrenden Elektroden bestehen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1931S0100865 DE690598C (de) 1931-09-11 1931-09-11 Verfahren zur Herstellung von Photozellen, die aus Kupferoxydul und dieses beruehrenden Elektroden bestehen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE690598C true DE690598C (de) 1940-04-29

Family

ID=7523338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1931S0100865 Expired DE690598C (de) 1931-09-11 1931-09-11 Verfahren zur Herstellung von Photozellen, die aus Kupferoxydul und dieses beruehrenden Elektroden bestehen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE690598C (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE976691C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern
DE1764066B1 (de) Kernstrahlungsdetektor aus Diamant und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1544190B2 (de) Verfahren zum Einführen von Störstellen in Diamant
DE3028018A1 (de) Verfahren zur herstellung einer sonnenzelle
DE690598C (de) Verfahren zur Herstellung von Photozellen, die aus Kupferoxydul und dieses beruehrenden Elektroden bestehen
DE2642161C2 (de) Stromleitender Film für elektrische Heizgeräte
DE821089C (de) Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern
DE1195135B (de) Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Leitfaehigkeit von auf Unterlagen, wie Glas und Kunststoffen, insbesondere durch Vakuum-bedampfen aufgebrachten duennen, licht-durchlaessigen oxydischen Schichten
DE1166394B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Kadmiumchalkogenid-Halbleitern, insbesondere Photozellen
DE683330C (de) Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen
DE851227C (de) Selengleichrichter
DE746368C (de) Elektrolytischer Kondensator, insbesondere fuer Betriebsspannungen ueber 400 V, dessen Elektrolyt AEthylenglykol, Borsaeure und eine einwertige organische oder anorganische Base, z. B. Ammoniak, enthaelt
DE2152895C3 (de) Dünnschichtphotozelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE584117C (de) Verfahren zur Verhuetung von Stromuebergangsverlusten zwischen den Leitern einer elektrischen Entladungsroehre mit Alkalimetalldampf
DE1564707C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines mit pn-Übergang versehenen Halbleiterbauelements
DE935975C (de) Verfahren zur Herstellung von Kohlegriessmikrofonen
DE941631C (de) Selen-Sperrschicht-Photozelle
DE432795C (de) Verfahren zur Kondensation von Zinkdaempfen, die der Einwirkung von elektrischen Stroemen ausgesetzt sind
DE659813C (de) Verfahren zur Herstellung von Oxydulschichten
DE963538C (de) Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern
DE736805C (de) Verfahren zum Herstellen von Kupferoxydulgleichrichtern durch Oxydieren von Kupferscheiben nach vorausgegangener Erhitzung im Vakuum
AT233674B (de) Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Metallfilm-Widerstandes
DE1297137B (de) Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen Bildspeicherplatte aus Glas fuer Fernseh-Kameraroehren
DE727014C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial
GB957703A (en) Improvements in and relating to the activation of platinum group metals