DE659813C

DE659813C - Verfahren zur Herstellung von Oxydulschichten

Info

Publication number: DE659813C
Application number: DE1930659813D
Authority: DE
Inventors: Heinrich Peters
Original assignee: ACCUMULATOREN FABRIK CURT GORS
Current assignee: ACCUMULATOREN FABRIK CURT GORS
Priority date: 1930-11-15
Filing date: 1930-11-15
Publication date: 1938-05-11

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Oxydulschichten, vorzugsweise auf Kupferplatten. Derartige Platten finden beispielsweise Anwendung für die Herstellung von Trockengleichrichtern.

Die üblichen Verfahren zur Herstellung von Oxydulschichten gestatten es nicht, den Überzug in der gewünschten Gleichmäßigkeit und Reinheit zu erzielen. Diese üblichen Verfahren gehen davon aus, daß man die Platten, z. B. Kupferplatten, in einem Ofen unter Wärmezufuhr von außen auf Glühtemperatur erhitzt. Dabei ist es auch vorgeschlagen worden, die zu überziehende Platte im Ofen als Elektrode in dem Stromkreis einer äußeren Stromquelle zu verwenden, der über die glühende Gasstrecke des Ofens geschlossen wird. Bei allen diesen bekannten Verfahren läßt es sich nicht vermeiden, daß die Schichten neben dem Oxydul noch Oxyd enthalten, das die Wirkung beeinträchtigt.

Andererseits ist aus der Herstellung von lichtele'ktrischen Zellen bekannt, die Alkalimetalle nicht direkt auf die metallischen Träger niederzuschlagen, sondern auf diesen vorher eine Oxydschicht zu bilden. Die Metallplatte, ζ. B. eine Silber-, Nickel- oder Kupferplatte, wird dadurch an der Oberfläche in die entsprechenden Oxyde übergeführt, daß man dieselbe als Elektrode eines* Hochspannungs-Hochfrequenzwechselstromkreises in einer Sauerstoffatmosphäre verringerten Druckes ausbildet und sie mittels dieses hochgespannten Hochfrequenzstromes dann zum Glühen bringt.

Die Herstellung der Oxydulschichten der Platten erfolgt in einer reinen Sauerstoffatmosphäre verringerten Druckes, und zwar wird gemäß der Erfindung zwischen der zu überziehenden Platte und einer anderen Elektrode eine Glimmentladung ohne Glühen der zu überziehenden Elektrode eingeleitet. Die Stromdichte wird dabei auf etwa 1 bis S mA/cm² Kathodenfläche gehalten. Die Glimmentladung kann in einem normalen Gleichstrom- oder Wechselstromkreis erfolgen. Bei Verwendung von Wechselstrom kann auch die zweite Elektrode aus einer zu überziehenden Platte bestehen.

Falls das Überziehen mit Oxydul im Gleich-Stromkreis erfolgen soll, wird die Kupferplatte als Kathode der Entladestrecke angeordnet. Im Wechselstromkreis dagegen bildet sich an beiden Flächen, zwischen denen die Glimmentladung erfolgt, die Oxydulschicht.

Im praktischen Betriebe hat sich im Entladungsraum ein Gasdruck zwischen α, ι und 5 mm Hg als zweckmäßig erwiesen. Naturgemäß wird im Betriebe Sauerstoff verbraucht, und es muß dafür gesorgt werden,

*) Von dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben worden:

Heinrich Peters in Rheyät.

daß unter Aufreehterhaltung des Gasdruckes der verbrauchte Sauerstoff ständig ersetzt wird.

Das Verfahren gestattet auch, unter
wendung der gleichen Apparatur eine Oxy&ttf-; schicht zwischen zwei Metallschichten
schließen; insbesondere wird zu diesem
gemäß der Erfindung nach Herstellung der Oxydulschicht die Sauerstoffatmosphäre durch

ίο eine reduzierende Atmosphäre, vorzugsweise Wasserstoffatmosphäre, ersetzt und erneut eine Glimmentladung eingeleitet, durch welche jetzt die oberste Oxydulschicht zu metallischem Kupfer reduziert wird.

Stattdessen kann man auch auf die Oxydulschicht im gleichen Apparat, in dem die Oxydulschicht gebildet wurde, durch Kathodenzerstäubung eine zweite Metallschicht - aufbringen. Je nach dem Material, das für die der zu überziehenden Platte gegenüberliegende Elektrode verwendet wird, die hierbei als Kathode in einem Gleichstromkreise arbeitet, kann diese Auftragschicht eine Kupfer- oder andere Metallschicht sein.

Claims

Patentansprüche:

ι . Verfahren zur Herstellung von

Oxydulschichten, vorzugsweise auf Kupferplatten, z. B. für Trockengleichrichter, in einer reinen Sauerstoffatmosphäre verringerten Druckes, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der zu überziehenden Platte und einer anderen Elektrode eine Glimmentladung durch Gleichstrom oder Wechselstrom ohne Glühen der zu überziehenden Elektrode und unter Beschränkung der Stromdichte auf etwa 1 bis 5 mA/cm-Kathodenfläche bei einem Gasdruck zwischen etwa 0,1 und 5 mm Quecksilber eingeleitet wird.
2. Anordnung zur Ausführung des Verfahrens nach Anspruch ι für den Betrieb im Wechselstrom, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden gegenüberliegenden Elektroden als Kupferplatten ausgebildet sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwecks Erzielung einer zwischen zwei Kupferschichten eingebetteten Oxydulschicht im Anschluß an die Glimmentladung in Sauerstoff atmosphäre eine Glimmentladung in reduzierender (Wasserstoff-) Atmosphäre bewirkt wird, durch welche die oberste Oxydulschicht zu metallischem Kupfer reduziert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Oxydulschicht der überzogenen Platte im gleichen Apparat das Metall einer gegenüberliegenden Elektrode durch Kathodenzerstäubung in an sich bekannter Weise aufgebracht wird.

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