JPS6184828A - 燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法 - Google Patents
燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法Info
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- JPS6184828A JPS6184828A JP20656084A JP20656084A JPS6184828A JP S6184828 A JPS6184828 A JP S6184828A JP 20656084 A JP20656084 A JP 20656084A JP 20656084 A JP20656084 A JP 20656084A JP S6184828 A JPS6184828 A JP S6184828A
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は燐化インジェーム（ＩｎＰＪイオン注入導電層
の形成方法に関し、特に注入された不純物全電気的に活
性化するための熱処理方法、更に詳しくは熱処理温度に
関するもの′ｒ：るる。
の形成方法に関し、特に注入された不純物全電気的に活
性化するための熱処理方法、更に詳しくは熱処理温度に
関するもの′ｒ：るる。
燐化インジェーム（ＩｎＰ）は砒化ガリウム（ＧａＡｓ
）と並んで超高周波・高出力ｉｐｇＴ及び高速論理素子
間材料として期待されている。砒化ガリウム（ＧａＡり
と同様に燐化インジェーム（ＩｎＰ）Ｉｃおいても導電
層の形成にイオン注入技術が使用され。
）と並んで超高周波・高出力ｉｐｇＴ及び高速論理素子
間材料として期待されている。砒化ガリウム（ＧａＡり
と同様に燐化インジェーム（ＩｎＰ）Ｉｃおいても導電
層の形成にイオン注入技術が使用され。
以下に述べる工うないくつかの報告がみられる０即ち、
ジャーナル・オブ・アゲライド・フィツクス（Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、）、 ５１（１９８０）の５７９０頁
においてにアニール温度５００℃から７５０″’Ｃｋ用
いて。
ジャーナル・オブ・アゲライド・フィツクス（Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、）、 ５１（１９８０）の５７９０頁
においてにアニール温度５００℃から７５０″’Ｃｋ用
いて。
またアゲライド・フィツクス・レターズ（Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅ ｔ ｔ、ハ３５（１９７９）の１９
２頁においてり。
２頁においてり。
アニール温度６５０℃から８００’Ｃｋ用いてアニール
し得られ丸溝電層に関する電気的測定結果が報告されて
いる。これ等の報告では、いずれも室温での測定結果に
関する報告のみであり、液体窒素温度（７７Ｋ）に冷却
した場合についての測定結果は何等報告されていない。
し得られ丸溝電層に関する電気的測定結果が報告されて
いる。これ等の報告では、いずれも室温での測定結果に
関する報告のみであり、液体窒素温度（７７Ｋ）に冷却
した場合についての測定結果は何等報告されていない。
ＩｎＰ基板に形成されたイオン注入溝１！層ｒ用いて製
造され之ＦＨＴもしくはＩＣｉ液体窒累温度（７７Ｋ）
以下に冷却して使用する事は、動作層のキャリア移動度
が室温に比べ高い値を示すことからエフ高速動作が可能
となり、素子の性能全高める事が可能となる。
造され之ＦＨＴもしくはＩＣｉ液体窒累温度（７７Ｋ）
以下に冷却して使用する事は、動作層のキャリア移動度
が室温に比べ高い値を示すことからエフ高速動作が可能
となり、素子の性能全高める事が可能となる。
゛・し°かしながら、ＩｎＰ基板に形成され九動作層の
液体窒素温度（７７Ｋ）における電気的測定結果につい
ては前述したＬうに、現状では全く報告されておらず、
従って液体窒素温度（７７Ｋ）で素子を動作させる事全
目的とし友イオン注入導電層形成に関する最適アニール
条件については全く不明である。
液体窒素温度（７７Ｋ）における電気的測定結果につい
ては前述したＬうに、現状では全く報告されておらず、
従って液体窒素温度（７７Ｋ）で素子を動作させる事全
目的とし友イオン注入導電層形成に関する最適アニール
条件については全く不明である。
本発明の目的は、以上の点會考慮し、液体窒素温度（７
７Ｋ）以下に冷却して使用するＩｎＰ紮用い次素子に関
し、その高性能化の達成が可能なイオン注入導電層の新
規な形成方法を提供することにめる０ 〔発明の構成〕 本発明の燐化インジユウムイオン注入４を層の形成方法
は、燐化インジユウム半導体素子のイオン注入＄を層を
形成する方法において、前記熱処理に７２０℃から７８
０℃の範囲内の温度で行うことを特徴として精成される
。
７Ｋ）以下に冷却して使用するＩｎＰ紮用い次素子に関
し、その高性能化の達成が可能なイオン注入導電層の新
規な形成方法を提供することにめる０ 〔発明の構成〕 本発明の燐化インジユウムイオン注入４を層の形成方法
は、燐化インジユウム半導体素子のイオン注入＄を層を
形成する方法において、前記熱処理に７２０℃から７８
０℃の範囲内の温度で行うことを特徴として精成される
。
本発明は、イオン注入及びその後の熱処理にＬり形成さ
れ几導電層の液体窒素温度（７７Ｋ）における移動度が
、イオン注入後の熱処理温度として７２０℃から７８０
℃の範囲にて使用する事にＬ９、著るしく高める事が可
能であるといり新規な実験結果に根ざしている。
れ几導電層の液体窒素温度（７７Ｋ）における移動度が
、イオン注入後の熱処理温度として７２０℃から７８０
℃の範囲にて使用する事にＬ９、著るしく高める事が可
能であるといり新規な実験結果に根ざしている。
以下、本発明の実施例について、図面ｒ参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図及び第２図は本発明の詳細な説明する几めに室温
（ＩＬＴ ）と液体窒素温度（７７Ｋ）で求め次シート
キャリア濃度及びホール移動度の７ニールンエネルギー
１３０ＫｅＶ 、 ドーズｉ４．０Ｘ１０ ａｎの
条件で室温で注入し次試料にＰＥＧ膜を被着し電気炉を
用いて水素雰囲気中で所定温度で１５分間熱処理し九〇
熱処理温度ｆ１６５０℃、７００℃。
（ＩＬＴ ）と液体窒素温度（７７Ｋ）で求め次シート
キャリア濃度及びホール移動度の７ニールンエネルギー
１３０ＫｅＶ 、 ドーズｉ４．０Ｘ１０ ａｎの
条件で室温で注入し次試料にＰＥＧ膜を被着し電気炉を
用いて水素雰囲気中で所定温度で１５分間熱処理し九〇
熱処理温度ｆ１６５０℃、７００℃。
７５０℃、８００℃に変えてそれぞれの試料を作成した
０ 上記試料につき、測定温度として室温（ＢＴ）と液体窒
素温度（７７Ｋ）全選び、イオン注入導電層のシートギ
ヤリア濃度およびホール移動贋金測定し、シートキャリ
ア濃度とホール移動度のアニール温度依存性を求めその
結果全第１図及び第２図に示し友。
０ 上記試料につき、測定温度として室温（ＢＴ）と液体窒
素温度（７７Ｋ）全選び、イオン注入導電層のシートギ
ヤリア濃度およびホール移動贋金測定し、シートキャリ
ア濃度とホール移動度のアニール温度依存性を求めその
結果全第１図及び第２図に示し友。
第２図から明らかなＬうに、液体窒素温度（７７Ｋ）で
迎１定した場合、ホール移＠度はアニール温度６５０℃
で室温（ＲＴ ）での測定結果に比べておよそ２倍近イ
５８００ ｃｍ２Ａ／、Ｓ ｅ ｃ ｋ示している。ア
ニール温度の上昇と共にホール移動度は増大レアニール
温度７５０℃で最大値上水し、さらに高温の８００℃で
は約１．５倍の＝ｌ ２００ ｃｍ２／Ｖ、 Ｓ ｅ
ｃまで低下する。尚、この場合、シートキャリア濃度に
６５０℃から７５０℃のアニール温度の範囲でにほぼ一
定である。
迎１定した場合、ホール移＠度はアニール温度６５０℃
で室温（ＲＴ ）での測定結果に比べておよそ２倍近イ
５８００ ｃｍ２Ａ／、Ｓ ｅ ｃ ｋ示している。ア
ニール温度の上昇と共にホール移動度は増大レアニール
温度７５０℃で最大値上水し、さらに高温の８００℃で
は約１．５倍の＝ｌ ２００ ｃｍ２／Ｖ、 Ｓ ｅ
ｃまで低下する。尚、この場合、シートキャリア濃度に
６５０℃から７５０℃のアニール温度の範囲でにほぼ一
定である。
以上述べｔように１本発明の方法を用いて４電層七形成
し之楊合液体窒素温度（７７Ｋ）における導電層の高移
動化が容易に達成される。７５０℃の熱処理温度で移動
度が極大値上水し友が、熱処理温度として何もこの一点
に限る必要はなく、７２０℃から７８０℃の範囲内の熱
処理温度上用いても４を層の高移動化が達成され、液体
窒素温度（７７Ｋ）での素子性能の向上が達成され得る
。
し之楊合液体窒素温度（７７Ｋ）における導電層の高移
動化が容易に達成される。７５０℃の熱処理温度で移動
度が極大値上水し友が、熱処理温度として何もこの一点
に限る必要はなく、７２０℃から７８０℃の範囲内の熱
処理温度上用いても４を層の高移動化が達成され、液体
窒素温度（７７Ｋ）での素子性能の向上が達成され得る
。
以上から明らかな様に、アニール温度全７２０℃から７
８０℃の範囲に保って、イオン注入層の熱処理を行う事
にエフ、導１！層の液体窒素温度における高移動度化が
容易に達成される。
８０℃の範囲に保って、イオン注入層の熱処理を行う事
にエフ、導１！層の液体窒素温度における高移動度化が
容易に達成される。
【図面の簡単な説明】
第１□□□及び第２−は本発明の詳細な説明する定めの
室温（ＲＴ）と液体窒素温度（７７Ｋ）で求めたシート
キャリア濃度及びホール移動度のアニール温度依存特性
を示す図である。
室温（ＲＴ）と液体窒素温度（７７Ｋ）で求めたシート
キャリア濃度及びホール移動度のアニール温度依存特性
を示す図である。
Claims (1)
- 燐化インジユウム基板にイオン注入後熱処理を施し燐化
インジユウム半導体素子のイオン注入導電層を形成する
方法において、前記熱処理を７２０℃から７８０℃の範
囲内の温度で行うことを特徴とする燐化インジユウムイ
オン注入導電層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20656084A JPS6184828A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20656084A JPS6184828A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184828A true JPS6184828A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=16525414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20656084A Pending JPS6184828A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184828A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007090054A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Jms Co Ltd | 口腔関連圧力測定用プローブおよびこれを用いた口腔関連圧力測定装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113233A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS582021A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58102573A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP20656084A patent/JPS6184828A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113233A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS582021A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58102573A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007090054A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Jms Co Ltd | 口腔関連圧力測定用プローブおよびこれを用いた口腔関連圧力測定装置 |
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