DE2517049C3 - Sperrschicht-Feldeffekttransistor aus m-V Halbleitermaterial - Google Patents

Sperrschicht-Feldeffekttransistor aus m-V Halbleitermaterial

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Gota Nagaoka Kyoto Kano
Osaka Takatsuki
Shotaro Umebachi
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
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