DE2505009B2 - Verfahren zum beschichten von anorganischen substraten mit carbiden, nitriden und/oder carbonitriden - Google Patents
Verfahren zum beschichten von anorganischen substraten mit carbiden, nitriden und/oder carbonitridenInfo
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- C23C16/36—Carbonitrides
Description
CN
C=-C
Fs wurde gefunden, daß man auf einfache Weise
anorganische Substrate mit Carbiden, Nitriden und/ oder Carbonitriden des Eisens, Bors, Siliziums oder der
Übergangsmetalle der Nebengruppen 4—6 des periodischen Systems durch direkte thermische Reaktion von
Eisen, Bor, Silizium oder Übergangsmetallen der Nebengruppen 4—6 des periodischen Systems oder
Derivaten Havon mit Kohlenstoff und Stickstoff liefernden Substanzen, gegebenenfalls in Gegenwart
von Cnlorwasserstoff, Stickstoff oder Argon beschichten kann, indem man als Kohlenstoff- und Stickstoffüeferanten
mindestens eine Verbindung der Formel 1 oder 11
15
— N-Gruppen
R2
substituiert sein kann, eine Alkenyl- oder Chloralkenylgruppe mit 2—4 Kohlenstoffatomen oder eine
Phenylgruppe, die durch Halogenatome, Methyloder
— N-Gruppen
R2
substituiert sein kann, darstellt, wobei Ri und R2
unabhängig voneinander Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 oder 2 Kohlenstoffatomen
bedeuten.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man mindestens eine Verbindung der
Formel II einsetzt, worin Xi eine unsubstituierte
Alkylengruppe mit 1—4 Kohlenstoffatomen, eine unsubstituierte Phemylen- oder Cyclohexylengruppe
oder eine Gruppe der Formel
.15
CN
darstellt
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Verbindung der Formel I oder
II Acetonitril, Propionitril, Acrylnitril, Bernsteinsäuredinitril, Adipinsäuredinitril oder Tetracyanoäthylen
einsetzt
X-C=N
oder
(II)
N=C-X1-CsN
verwendet, worin X Chlor,
verwendet, worin X Chlor,
—CN, -CH2-NH-CH2CN
-CH2N-(CH2CN)2
-CH2N-(CH2CN)2
CH2CN
-CH2-N-CH2CH2-N-KH2CN)2
-CH2-N-CH2CH2-N-KH2CN)2
eine Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, die
durch Halogenatome,
R,
— N-
oder
—N (CH,)m-Gruppen
substituiert sein kann, eine Alkenylgruppe mit 2 — 4 Kohlenstoffatomen, die durch Halogenatome oder
—N-Gruppen
\
R2
R2
substituiert sein kann, eine Cycloalkyljjruppe mit 3—6
Kohlenstoffatomen oder eine Arylgruppe mit 6—10 Kohlenstoffatomen, welche je durch Halogenatome,
Methyl- oder
60
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von anorganischen Substraten mit Carbiden
Nitriden und/oder Carbonitriden.
— N-Gruppen
R2
substituiert sein können und Xi eine Alkylengruppe mi
1-10 Kohlenstoffatomen, eine Alkenylengruppe mi
2—4 Kohlenstoffatomen, eine Phenylen- oder Cyclohexylengruppe,
welche je durch Halogenatome oder
Sind durch X oder Xi dargestellte definitionsgemäße
Gruppen durch
N -Gruppen
\
R,
\
R,
substituiert sein kennen, eine Gruppe der Formel
-CH
c c
CH,-
CN
CN
CN
CN
N-Gruppen
ίο substituiert, so bedeuten Ri und R2 bevorzugt unabhängig
voneinander Wasserstoff, die Methyl- oder Äthylgruppe.
AlsSubstituenten
— N^(C H2J1n
sind solche bevorzugt, worin m eine ganze Zahl von
4—6 darstellt.
Als Verbindungen der Formel I werden solche bevorzugt worin X
-CH2-NH-CH2CN, -CH2-N-(CH2CN)2
CH,- N-CH2CH2- N (CH2(Nl,
CH2CN
CH,- N-CH2CH2- N (CH2(Nl,
CH2CN
eine Alkylgruppe mit 1 —6 Kohlenstoffatomen, die durch Halogenatome,
darstellen, wobei Ri und R2 unabhängig voneinander
Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 —4 Kohlenstoffatomen und /77 eine ganze Zahl von 4—7 bedeuten.
Gegenüber bekannten Methoden zeichnet sich das erfindungsgemäße Verfahren vor allem durch seine
Einfachheit und Wirtschaftlichkeit aus, indem die zur Bildung der Carbide, Nitride und/oder Carbonitride
erforderlichen Elemente Kohlenstoff und Stickstoff sowie gegebenenfalls weitere, den Reaktionsverlauf
beeinflussende Elemente, wie Wasserstoff und/oder Halogen, der Reaktionszone in den gewünschten
Mengenverhältnissen in einfacher Weise zugeführt werden können. Ferner lassen sich nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren, unabhängig von der Art des Substrats und auch bei Reaktionstemperaturen unterhalb
ca. 900°C, hohe Aufwachsraten und gut bis sehr gut haftende, glatte Beschichtungen erzielen. Ein weiterer
Vorteil besteht darin, daß im allgemeinen bei Normaldruck oder leichtem Unter- bzw. Überdruck (ca.
700—800 Torr) gearbeitet werden kann, was in vielen Fällen eine Vereinfachung der zur Durchführung der
Reaktion benötigten Apparaturen ermöglicht.
Die Verbindungen der Formel I und Il geben unter den Reaktionsbedingungen Kohlenstoff und Stickstoff
sowie gegebenenfalls Wasserstoff und/oder Halogen in reaktionsfähigem Zustand ab.
Durch X, Xi bzw. Ri und R2 dargestellte Alkyl-,
Alkenyl-, Alkylen- und Allkenylengruppen können
geradkettig oder verzweigt sein. Halogen bedeutet Fluor, Brom oder Jod, insbesondere jedoch Chlor.
Beispiele definitionsgemäßer unsubstituierter Alkylgruppen
X sind die Methyl-, Äthyl-, n-Propyl-, Isopropyl-, η-Butyl-, sek-Butyl-, tert-Butyl-, n-Pentyl-,
Isopentyl- und n-Hexylgruppe.
R,
-N-
oder
N (CH2)m-Gruppen
substituiert sein kann, eine Alkenylgruppe mit 2—4 Kohlenstoffatomen, die durch Halogenatome oder
R1
— N-Gruppen
2
substituiert sein kann, eine Cycloalkylgnippe mit 3—6
Kohlenstoffatomen oder eine Arylgruppe mit 6—10 Kohlenstoffatomen, welche je durch Halogenatome,
Methyl- oder
/■
— N-Gruppen
substituiert sein können, bedeuten, wobei Ri und R2
fts unabhängig voneinander Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 —4 Kohlenstoffatomen und m eine ganze
Zahl von 4 —7 darstellen.
Gemäß einer weiteren Bevorzugung stellt X eine
Gemäß einer weiteren Bevorzugung stellt X eine
Alkylgruppe mit 1—4 Kohlenstoffatomen, die durch Chloratome oder
N-Gruppen
substituiert sein kann, eine Alkenyl- oder Chloralkenylgruppe mit 2—4 Kohlenstoffatomen oder eine Phenylgruppe,
die durch Halogenatome, Methyl- oder
— N-Gruppen
substituiert sein kann, dar, wobei Ri und R2 unabhängig
voneinander Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 oder 2 Kohlenstoffatomen bedeuten.
Als Verbindungen der Formel II verwendet man mit Vorteil solche, worin Xi eine unsubstituierte Alkylengruppe
mit 1 —4 Kohlenstoffatomen, eine unsubstituierte Phenylen- oder Cyclohexylengruppe oder eine
Gruppe der Formel
C = C
CN
CN
darstellt.
Ganz besonders bevorzugt verwendet man Acetonitril, Propionitril, Acrylnitril, Bernsteinsäuredinitril, Adipinsäuredinitril
oder Tetracyanoäthylen als Verbindungen der Formel I bzw. II.
Die Verbindungen der Formel I und II sind bekannt oder können auf bekannte Weise hergestellt werden.
Als spezifische Verbindungen der Formel I oder II seien genannt:
Chlorcyan, Dicyan,
Bis-cyanmethyl-amin(Iminodiacetonitril),
Tris-cyanmethyl-amin (Nitrilotriacetonitril, Ν,Ν,Ν',Ν'-Tetrakis-(cyanmethyi)-äthylendiamin
(Äthylendiamin-tetraacetonitril), "
Acetonitril, Mono-, Di- und Trichloracetonitril,
' Aminoacetonitril, Methylaminoacetonitril,
Dimethylaminoacetonitril, Propionitril,
S-ChlorpropionitriUS-Brompropionitril,
3-Am!nopropionitril,3-Methylaminopropionitril,
3-Dimethylamino- und 3-Diäthylaminopropionitril,
Butyrönitril, 4-Chlorbutyronitril,
4-Diäthylaminobutyronitril,Capronsäurenitril,
Isocapronitril, Oenanthsäurenitril,
N-Pyrrolidino-, N-Piperidino- und
Hexamethyleniminoacetonitril,
4-(N-Pyrrolidino)-, 4-(N-Piperidino)- und
4-(N-Hexamethylenimino)-butyronitril,
Acrylnitril, «-Methacrylnitril,
2-Chloracτylnitril,3-Vinylacrylsäurenitril,
Cyclopropancarbonsäurenitril,
Cyclopentancarbonsäurenitril,
Cyclohexancarbonsäurenitril,
Chlor-, Brom- oder Methylcyclohexancarbonsäurenitril.
Tris-cyanmethyl-amin (Nitrilotriacetonitril, Ν,Ν,Ν',Ν'-Tetrakis-(cyanmethyi)-äthylendiamin
(Äthylendiamin-tetraacetonitril), "
Acetonitril, Mono-, Di- und Trichloracetonitril,
' Aminoacetonitril, Methylaminoacetonitril,
Dimethylaminoacetonitril, Propionitril,
S-ChlorpropionitriUS-Brompropionitril,
3-Am!nopropionitril,3-Methylaminopropionitril,
3-Dimethylamino- und 3-Diäthylaminopropionitril,
Butyrönitril, 4-Chlorbutyronitril,
4-Diäthylaminobutyronitril,Capronsäurenitril,
Isocapronitril, Oenanthsäurenitril,
N-Pyrrolidino-, N-Piperidino- und
Hexamethyleniminoacetonitril,
4-(N-Pyrrolidino)-, 4-(N-Piperidino)- und
4-(N-Hexamethylenimino)-butyronitril,
Acrylnitril, «-Methacrylnitril,
2-Chloracτylnitril,3-Vinylacrylsäurenitril,
Cyclopropancarbonsäurenitril,
Cyclopentancarbonsäurenitril,
Cyclohexancarbonsäurenitril,
Chlor-, Brom- oder Methylcyclohexancarbonsäurenitril.
4-(N,N-Dimethylamino)-cyclohexancarbonsäurenitril,
Benzonitril, 1 - oder 2-Naphthonitril,
2-, 3- oder 4-Chlorbenzonitril,
4-Brombenzonitril,o-, m- oder p-Tolunitril,
s Aminobenzonitril^-Dimethylamino- und
4-Diäthylaminobenzonitril, Malodinitril,
Chlormaleinsäuredinitril, Fumarsäuredinitril,
Bernsteinsäuredinitril, Glutarsäuredinitril,
3-Methylglutarsäuredinitril, Adipinsäuredinitril,
Benzonitril, 1 - oder 2-Naphthonitril,
2-, 3- oder 4-Chlorbenzonitril,
4-Brombenzonitril,o-, m- oder p-Tolunitril,
s Aminobenzonitril^-Dimethylamino- und
4-Diäthylaminobenzonitril, Malodinitril,
Chlormaleinsäuredinitril, Fumarsäuredinitril,
Bernsteinsäuredinitril, Glutarsäuredinitril,
3-Methylglutarsäuredinitril, Adipinsäuredinitril,
ίο Pimelinsäuredinitril, Decansäuredinitril,
Dodecansäuredinitril, Undecansäuredinitril,
2-Methylen-gIutarsäuredinitril(2,4-Dicyan-l-buten),
3-Hexendisäure-dinitril(l,4-Dicyan-2-buten),
Phthalsäuredinitril, 4-Chlorphthalsäuredinitril,
Dodecansäuredinitril, Undecansäuredinitril,
2-Methylen-gIutarsäuredinitril(2,4-Dicyan-l-buten),
3-Hexendisäure-dinitril(l,4-Dicyan-2-buten),
Phthalsäuredinitril, 4-Chlorphthalsäuredinitril,
4-Aminophthalsäuredinitril, Isophthalsäuredinitril,
Terephthalsäuredinitril,
Hexahydroterephthalsäuredinitril,
Tetracyanoäthylen, l,2-Bis-(cyanmethyl)-benzol und
7,7,8,8-Tetracyano-chinodimethan
Terephthalsäuredinitril,
Hexahydroterephthalsäuredinitril,
Tetracyanoäthylen, l,2-Bis-(cyanmethyl)-benzol und
7,7,8,8-Tetracyano-chinodimethan
[2,5-Cyclohexadien-41-=':4at'-dimalononitril].
Als Übergangsmetalle der Nebengruppen 4—6 des periodischen Systems kommen im erfindungsgemäßen
Verfahren beispielsweise Titan, Zirkonium, Hafnium, Vanadium, Niob, Tantal, Chrom, Molybdän, Wolfram
und Uran in Betracht Bevorzugte Elemente sind Eisen, Uran, Tantal, Vanadium und Wolfram, insbesondere
jedoch Bor, Silizium und Titan.
Das Eisen, Bor, Silizium und die Übergangsmetalle der Nebengruppen 4—6 des periodischen Systems
können in an sich beliebiger Form, z. B. in elementarer Form, eingesetzt werden. Zweckmäßig verwendet man
sie aber in Form von Derivaten, besonders die definitionsgemäßen Übergangsmetalle. Geeignete Derivate
sind z. B.
Hydride, Carbonyle, Carbonylhydride,
organometallische Verbindungen und
Halogenide, wie Siliziumhydrid (S1H4),
Titanhydrid (TiH2), Zirkoniumhydrid (ZrHj),
Borane; Chrom-, Molybdän- und Wolframhexacarbonyl, Eisenpentacarbonyl [Fe(CO)S];
Tetraäthyltitan, Tetramethyl- und
Tetraäthylsilan, Methyl-dichlorsilan,
Trichlorsilan, Methyl-trichlorsilan,
Äthyl-trichlorsilan.Trimethyl-chlorsilan;
organometallische Verbindungen und
Halogenide, wie Siliziumhydrid (S1H4),
Titanhydrid (TiH2), Zirkoniumhydrid (ZrHj),
Borane; Chrom-, Molybdän- und Wolframhexacarbonyl, Eisenpentacarbonyl [Fe(CO)S];
Tetraäthyltitan, Tetramethyl- und
Tetraäthylsilan, Methyl-dichlorsilan,
Trichlorsilan, Methyl-trichlorsilan,
Äthyl-trichlorsilan.Trimethyl-chlorsilan;
Bortrichlorid, Siliziumtetrachlorid,
Titandibromid, Titantrichlorid,
Titantetrachlorid und -tetrabromid,
Zirkontetrachlorid, Vanadiumtrichlorid und
-tetrachlorid, Niobpentachlorid,
Titandibromid, Titantrichlorid,
Titantetrachlorid und -tetrabromid,
Zirkontetrachlorid, Vanadiumtrichlorid und
-tetrachlorid, Niobpentachlorid,
Tantalpentachlorid, Chromtrichlorid,
Wolframhexachlorid und -hexafluorid,
Eisen-(II)- und Eisen-(IlI)-chlorid,
Urantetrachlorid und Uranhexafluorid.
Bevorzugt sind die Halogenide, besonders die Chloride, vor allem diejenigen des Bors, Siliziums und
Wolframhexachlorid und -hexafluorid,
Eisen-(II)- und Eisen-(IlI)-chlorid,
Urantetrachlorid und Uranhexafluorid.
Bevorzugt sind die Halogenide, besonders die Chloride, vor allem diejenigen des Bors, Siliziums und
der Übergangsmetalle. Ganz besonders bevorzugt sind Bortrichlorid, Siliziumtetrachlorid und Titanteträchlörid.
.
Je nach Anwendungszweck und/oder Art der Verbindung der Formel I oder II kann es wünschenswert
sein, die Reaktion in Gegenwart von weiteren Zusätzen, wie Wasserstoff, Chlorwasserstoff, atomarem
oder molekularem Stickstoff oder weiteren, unter den
Reaktionsbedingungen Stickstoff und/oder Kohlenstoff
abgebenden Verbindungen vorzunehmen. Diese Stoffe bzw. Verbindungen können zur Bildung der Garbide,
Nitride oder Carbonitride beitragen oder das Gleichgewicht der Bildungsreaktion mehr zu den Nitriden oder
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den Carbiden hin verschieben. Derartige zusätzliche, unter den Reaktionsbedingungen Stickstoff und/oder
Kohlenstoff abgebende Verbindungen sind z. B. Methan, Äthan, η-Butan, N-Methylamin, N,N-Diäthylamin,
Äthylendiamin, Benzol und Ammoniak.
Die erfindungsgemäße Beschichtung von anorganischen Substraten mit Carbiden, Nitriden und/oder
Carbonitriden kann im Rahmen der Definition nach beliebigen, an sich bekannten Methoden vorgenommen
werden.
Eines der wichtigsten Verfahren ist die chemische Abscheidung aus der Gasphase, auch CVD-Verfahren
(Chemical Vapour Deposition) genannt. Die Reaktion in der Gasphase kann unter Zufuhr von Wärme- oder
Strahlungsenergie durchgeführt werden. Bei diesem Verfahren werden üblicherweise das Eisen, Bor, Silizium
oder die Übergangsmetalle und die Verbindungen der Formel I oder II in Form von gasförmigen Verbindungen
eingesetzt. Die Reaktionstemperaturen liegen im allgemeinen zwischen etwa 500 und 18000C, bevorzugt
zwischen 800 und 15000C.
Als Reduktionsmittel wird bevorzugt Wasserstoff verwendet. In gewissen Fällen kann es auch vorteilhaft
sein, für den Transport der Ausgangsstoffe in die Reaktionszone ein Trägergas, wie Argon, zu verwenden.
Gemäß einer anderen Methode können die zu beschichtenden Substrate auch in Stoffgemische, z. B.
Pulvergemische, eingehüllt bzw. mit Stoffen vermischt und gegebenenfalls verpreßt werden, welche sämtliche
oder — vorzugsweise — einen Teil der zur Bildung der Carbide, Nitride oder Carbonitride erforderlichen
Ausgangsstoffe enthalten. Anschließend wird das Ganze bevorzugt auf Temperaturen zwischen 500 und 20000C
erhitzt, und zwar je nach Zusammensetzung des Stoffgemisches in Gegenwart der dem Stoffgernisch
noch fehlenden Ausgangsstoffe, d. h. in Gegenwart einer gasförmigen Verbindung der Formel I oder II oder in
Gegenwart von geeigneten Derivaten des Eisens, Bors, Siliziums oder eines Übergangsmetalls in gasförmigem
Zustand.
Die Beschichtung der Substrate mit Carbiden, Nitriden und/oder Carbonitriden kann auch durch
Umsetzung der Ausgangsstoffe in einem Plasma, z. B. durch sogenanntes Plasmaspritzen, erfolgen. Das
Plasma kann auf an sich beliebige Weise erzeugt werden, beispielsweise mittels Lichtbogen, Glimm- oder
Koronaentladung. Als Plasmagase verwendet man zweckmäßig Argon oder Wasserstoff.
Definitionsgemäße Beschichtungen lassen sich ferner nach dem Flammspritzverfahren erzeugen, wobei im
allgemeinen Wasserstoff/Sauerstoff- oder Acetylen/ Sauerstoff-Flammen zur Anwendung gelangen.
Eine weitere Methode besteht darin, daß man das zu beschichtende Substrat mit einer Lösung oder Suspension
eines geeigneten Derivates des Eisens, Bors, Siliziums oder eines Übergangsmetalls imprägniert und
das imprägnierte Material anschließend bei erhöhten Temperaturen mit einer Verbindung der Formel I oder
II zur Reaktion bringt
Das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt nach der CVD-Technik durchgeführt.
Als anorganische Substrate, die mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens beschichtet werden
können, kommen vor allem metallische und halbmetallische Substrate, Hartmetalle und Kohlenstoffmaterialien
beliebiger Art, die auch nicht vollständig pyrolisierte
Bestandteile aufweisen können, wie glasiger (amorpher) Kohlenstoff, teilweise graphitisierter Kohlenstoff und
Graphit, in Betracht. Des weiteren eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren zum Beschichten von
keramischen Substraten, Gläsern, Oxiden, Nitriden und Carbiden.
Beispiele von metallischen Substraten sind Eisenmetalle, wie Stahl und Gußeisen; Titan; hochschmelzende
Metalle, wie Wolfram, Molybdän, Niob, Vanadium und Tantal. Geeignete Halbmetalle sind z. B. Bor und
ίο Silizium, während als Hartmetalle, d.h. gesinterte
Werkstoffe aus Carbiden der Übergangsmetalle der Nebengruppen 4—6 des periodischen Systems und
Kobalt als Bindemittel, vor allem Legierungen aus Wolframcarbid-Kobalt, Wolframcarbid-Tantalcarbid-Kobalt,
Wolframcarbid-Titancarbid-Kobalt, Wolframcarbid-Vanadiumcarbid-Kobalt, Wolframcarbid-Titancarbid-Tantalcarbid-Kobalt,
Wolframcarbid-Tantalcarbid-Niobcarbid-Kobalt und Wolframcarbid-Titancarbid-Tantalcarbid-Niobcarbid-Kobalt
in Frage kommen.
Geeignete keramische Substrate bzw. Oxide sind z. B. Porzellan, Schamotte und Tonmaterialien bzw. Aluminiumoxid,
SiO2 und Zirkondioxid. Als Nitride und Carbide kommen z. B. Si3N4, SiC und Chromcarbide in
Betracht.
Werden Kohlenstoffmaterialien als Substrate verwendet, so läßt sich durch das erfindungsgemäße
Beschichten derselben in manchen Fällen eine beträchtliche Verbesserung der Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit
der Kohlenstoffmaterialien erzielen.
Die Substrate können ganz oder teilweise aus einem oder mehreren der genannten Werkstoffe bestehen und
in beliebiger Form vorliegen, beispielsweise als Pulver, Fasern, Folien, Fäden, Werkstücke oder Bauteile
verschiedenster Art.
Je nach Wahl der Ausgangsstoffe und Zusätze, der Reaktionstemperaturen und/oder Substrate werden
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren Carbide, Nitride, Carbonitride oder Gemische davon gebildet.
Hauptsächlichste Anwendungsgebiete des erfin-
dungsgemäßen Verfahrens sind:
die Oberflächenvergütung bzw. -härtung von Metallen und Hartmetallen zur Erhöhung der Verschleiß- und
Korrosionsfestigkeit, wie Werkzeugstahl, Gußeisen, Titan, titanhaltige Metallträger, Tantal-, Vanadium- und
Eisenbleche, sowie Hartmetalle der vorerwähnten Art,
wie WC-Co-Legierungen, z: B. für Drehstähle, Preß-, Stanz-, Schneid- und Ziehwerkzeuge, Motorenbauteile,
feinmechanische Bauteile für Uhren und Textilmaschinen, Raketendüsen, korrosionsfeste Apparaturen für die
chemische Industrie, etc.;
das Beschichten von Kohle- und Graphitelektroden; von Kohlenstoffasern, einschließlich sogenannter »Stapelfasern«,
als Faserschutz, zur Verbesserung der Haftung und Benetzbarkeit durch die Metallmatrix und
zur Verhinderung unerwünschter Reaktionen zwischen den Kohlenstoffasern und der Metallmatrix; von
Carbon-Carbon-Composites, vor allem für den Turbinenbau; Graphitdichtungen, etc.;
die Beschichtungen von keramischen Werkstoffen oder Gläsern, z.B. keramische Trägermaterialien für Katalysatoren und Filtergläser, und schließlich die Ummantelung von Bor-, Silizium- und Wolframfasern oder -fäden zur Erzielung einer besseren Benetzbarkeit durch die Metallmatrix und als Faserschutz.
die Beschichtungen von keramischen Werkstoffen oder Gläsern, z.B. keramische Trägermaterialien für Katalysatoren und Filtergläser, und schließlich die Ummantelung von Bor-, Silizium- und Wolframfasern oder -fäden zur Erzielung einer besseren Benetzbarkeit durch die Metallmatrix und als Faserschutz.
Je nach Wahl der Ausgangsstoffe, Zusätze und Reaktionstemperaturen werden nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren Carbide, Nitride, Carbonitride oder Gemische davon gebildet
11
12
Die Versuche werden in einem vertikalen CVD-Reaktor aus Pyrexglas, der oben und unten mit einem Flansch
abgeschlossen ist, durchgeführt. Die Reaktionsgase s
werden zwecks Erzielung eines gleichmäßigen Gasstroms durch eine Dusche in den Reaktor eingeleitet.
Die Temperaturmessung am Substrat erfolgt mit einem Pyrometer. Die Verbindungen der Formel I oder Il
werden — soweit erforderlich — in einer Verdampfer- ι ο vorrichtung innerhalb oder außerhalb des Reaktors
verdampft.
Das Substrat kann dabei durch Widerstandsbeheizung, Hochfrequenzbeheizung, induktiv oder in einem
von außen mit einem Ofen beheizten Reaktor, erhitzt werden.
Ein Stahldraht mit einem Durchmesser von 0,78 mm (Stahl 17 VDT; 1 Gew.-%, 0,1 Gew.-% Si, 0,25 Gew.-%
Mn, 0,1 Gew.-% V) wird in einer Apparatur der oben beschriebenen Art in einer Argonatmosphäre auf 950° C
durch Widerstandsbeheizung erhitzt. Bei dieser Temperatur wird während 30 Minuten ein Gasgemisch,
bestehend aus 95 Vol.-% Wasserstoff, 2,4 Vol.% Argon, Vol.-% Titantetrachlorid und 1,6 Vol.% Chlorcyan
über das Substrat geleitet, wobei der Gesamtgasdurchfluß 0,21 Liter/Minute [l/min.] und der Innendruck im
Reaktor 720 Torr betragen. Nach dieser Zeit hat sich auf dem Substrat eine dunkelgelbe Schicht gebildet.
Schichtdicke ca. 12μπΐ; Mikrohärte nach Vickers
HVo.015 = 2270 kg/cm2.
Ein Stahldraht mit einem Durchmesser von 0,78 mm wird nach dem CVD-Verfahren mit einer 6 μιη dicken
Schicht aus Chromcarbid versehen. Dieser beschichtete Stahldraht wind dann auf die im Beispiel 1 beschriebene
Arbeitsweise bei 950°C/720 Torr während 2 Stunden mit einem Gasgemisch, bestehend aus 97 Vol.-%
Wasserstoff, 1 VoL-% Titantetrachlorid und 2 Vol.-% Propionitril behandelt (Gesamtgasdurchfluß 1,03 l/min.).
Es bildet sich eine dunkelgraue Schicht von ca. 30 μπι
Dicke, die eine Mikrohärte von HV0.025 = 2280 kg/mm2 aufweist.
Beispiele 3bis31
In der folgenden Tabelle I sind weitere Substrate angeführt, welche auf die oben beschriebene Weise
beschichtet wurden.
Bsp. | Reaktor | Tem | Druck | Reak | Gasgemisch | Gesaint- | Produkt | Schichtdicke | Mikrokärte |
Nr. | beheizung | per. C | Torr | tions- | (in Vol.-Vo) | gasdurch- | Substrat/Farbe | am/Ausseh en | UVo 05 kg/mnr |
dauer | fluß | (inGew.-%) | der Schicht | (sofern nichts | |||||
Minuten | l/Min. | anderes | |||||||
angegeben) | |||||||||
Wider- 950 720 120
standsbeheizung
standsbeheizung
desgl. 950 720 120
desgl. 950 720 120
desgl. 950 720 120
desgl. 950 720 50
desigl. 950 720 120
97% H2
1% TiCl4 2% o-Toluonitril
1% TiCl4 2% o-Toluonitril
97% H2
1% TiCl4 2% Bernsteinsäure dinitril
1% TiCl4 2% Bernsteinsäure dinitril
97% H,
1% TiCl4 2% Adipinsäuredinitril
1% TiCl4 2% Adipinsäuredinitril
97% H2
1% TiCl4 2% Tetracyanoäthylen
1% TiCl4 2% Tetracyanoäthylen
97% H2
1% TiCl4 2% 3-Chlorpropionitril
1% TiCl4 2% 3-Chlorpropionitril
97% H2
1% TiCl4 2% 3-Dimethyl-
aminopropionitril
1% TiCl4 2% 3-Dimethyl-
aminopropionitril
1,03 Hartmetallstab
»Η 10« (92% WC,
2% TiC + TaC,
6% Co) graublau
glänzend
2% TiC + TaC,
6% Co) graublau
glänzend
1,03 HartmetallsUib
»Η 10«
graubraun, matt
»Η 10«
graubraun, matt
1,03 Hartmetallstab
»H 10« mattgrau
»H 10« mattgrau
1,03 Hartmetallstab
»H 10« mattgrau
»H 10« mattgrau
1,03 desgl.
1,03 Hartmetallstab
»H 45« (87% WC,
1% TiC+ TaC,
12% Co) hellgrau
glänzend
1% TiC+ TaC,
12% Co) hellgrau
glänzend
70 μπι
gut haftend,
leicht porös
30 μπι
porenfrei
porenfrei
158 μπι
porenfrei,
gut haftend
porenfrei,
gut haftend
100-200 μτη
porenfrei,
gut haftend
porenfrei,
gut haftend
32 μπι
porenfrei
porenfrei
50 μπι
porenfrei,
gut haftend
porenfrei,
gut haftend
Substrat
1890 Schicht
2200
Substrat
1790 Schicht
2200
Substrat
2190 Schicht
2760-3070
Substrat
1690-2220 Schicht
2580-2960
Substrat
1690-1790 Schicht
2410-2850
Substrat
1280-1950 Schicht
2410
(Fortsetzung Tabelle I)
Bsp. Nr. |
Reaktor beheizung |
Tem per. C |
Druck Torr |
Reak- tions- dauer Minuten |
Gasgemisch (in Vol.-%) |
Ciesamt- ga s du rc ri ll u Ii !/Min. |
Produkt Substrat/Farbe (in Gcw.-'/n) |
Schichtdicke ;j.mMusschen der Schicht |
Mikroharte HV0115 kg/mm2 (sofern nichts anderes angegeben) |
Substrat 666 Schicht 3070 |
9 | Wider stands- beheizung |
950 | 720 | 120 | 97% II· 1% TiCI4 2% Cyclo- hexancar- bonsäure- nitril |
1,03 | Hartmetallstab »H 45« (87% WC, 1 % TiC + TaC, 12% Co) hellgrau glänzend |
60 μιη porenfrei, gut haftend |
Substrat 1140-1380 Schicht 3070-3180 |
Substrat 473 Schicht ca. 3000 |
10 | desgl. | 1500 | 720 | 120 | 97% H2 1% TiCI4 2% 3-Chlor- propionitril |
1.03 | Niobdraht ■■'< 0,5mm grau glänzend |
δΟμπι leicht porös |
Substrat 195 Schicht 3710 |
Substrat 336 Schicht ca. 3000 |
11 | Hoch frequenz beheizung |
1300 | 720 | 120 | 97% H1 1% TiCI4 Bernstein säuredinitril |
0.25 | Titanslab Φ 1 mm hellgrau glänzend |
80 [im porenfrei |
Substrat Schicht |
Substrat 137 Schicht ca. 2600 |
12 | Wider stands- beheizung |
1200 | 720 | 120 | 85% H. 5% BCi, 10% Acryl nitril |
0.5 | Wolframdraht Φ 0,6 mm, dunkel- grau matt |
150 μιη Substrat gut haftend, 549-593 porenfrei Schicht C/N-haltige 2190-2340 Schicht gemäß ehem. Analyse |
Substrat 1950 Schicht ca. 2600 |
|
13 . | desgl. | 1200 | 720 | 120 | 85% H, 5% BBr1 10% Acryl nitril |
0.5 | Wolframdraht Φ 0.6 mm grau braun, glänzend |
160 μηι Substrat porenfrei 480-501 C/N-haltigi: Schicht Schicht 5260 gemäß (lIV0u:-4020) ehem. Analyse |
||
14 | desgl. | 1100 | 720 | 120 | 97% H. 1% ZrCl4 2% Aceto nitril |
1.03 | Wolframdraht t> 0,6 mm. hellgrau, glänzend |
ca. 1 μιη porenfrei |
||
15 | von außen mit Ofen beheizt |
800 | 100 | 315 | 97,5% H1 1,5% TiCI4 1 % Aceto nitril |
0,4 | Böhler Spezialstahl KRS (12% Cr, 0,5% Mo, 1,1% W, 0,5% V, 2,05% C) mattgrau glänzend |
16 am leicht porös, gut haftend |
||
16 | desgl. | 800 | 100 | 315 | desgl. | 0,4 | Wolfram mattgrau glänzend |
18 μπι porenfrei, gut haftend |
||
17 | desgl. | 800 | 100 | 315 | desgl. | 0,4 | Molybdän mattgrau glänzend |
22 μπι porenfrei, gut haftend |
||
18 | desgl. | 800 | 100 | 315 | desgl. | 0,4 | Niob mattgrau glänzend |
20 μπι leicht porös, gut haftend |
||
19 | desgl. | 800 | 100 | 315 | desgl. | 0,4 | Al2O3 mattgrau glänzend |
22 μπι porenfrei, gut haftend |
||
,Fortsetzung Tabelle I)
Bsp. Nr. |
Reaktor beheizung |
Tem per. C |
Druck Torr |
Reak tions- dauer Minuten |
Gasgemisch (in Vol.-%) |
Gesamt- gasdurch- fluß l/Min. |
0,5 | Produkt Subslra l/Farbe (in Gew-%) |
Schichtdicke am/Aussehen der Schicht |
Mikrohärte HV0-05 kg/mnv (sofern nichts anderes angegeben) |
20 | von außen mit Ofen beheizi |
800 | 100 | 315 | 97,5% H1 1,5% TiCI4 1 % Aceto nitril |
0,4 | 0,4 | Porzellan mattgrau glänzend |
16 μηι porenfrei, gut haftend |
Substrat 1100 Schicht 3070 |
21 | desgl. | 800 | 100 | 315 | desgl. | 0,4 | 0,4 | SiO2 mattgrau glänzend |
22 μιη leicht porös, gut haftend |
Schicht ca. 2500 |
22 | desgl. | 800 | 100 | 315 | desgl. | 0,4 | Stahl 17 VDT mattgrau glänzend |
18 μιη porenfrei, gut haftend |
Substrat 274 Schicht ca. 3200 |
|
23 | desgl. | 800 | 100 | 315 | desgl. | 0,4 | Pyrexglas grau glänzend |
ca, 1 μητ porenfrei, gut haftend |
||
24 | desgl. | 450 | 150 | 240 | desgl. | 0,5 | Pyrexglas grauviolett glänzend |
einige Ä | ||
25 | desgl. | 760 | 250 | 240 | 97% Hr 1,5% TiCl4 1,5% Acryl nitril |
0,5 | Si3N4, mattgrau | 20 μιη gut haftend, leicht porös |
Substrat ca. 1000 Schicht HV00I ca. 3090 |
|
26 | desgl. | 760 | 250 | 240 | desgl. | 0,5 | Hartmetall »S 4« (68,5% WC, 22% TiC + TaC, 9,5% Co) grau glänzend |
22 μιη gut haftend, leicht porös |
Substrat 1310-1896 Schicht 2440 |
|
27 | desgl. | 760 | 150 | 180 | 97,5% H2 1,5% TiCl4 1% Butyro- nitril |
0,5 | Hartmetall »S 4« mattgrau |
22 μιη gut haftend, leicht porös |
Substrat 1890 Schicht 2410-2580 |
|
28 | desgl. | 840 | 100 | 240 | 98% H2 0,5 1,25% TiCl4 0,75% Aceto nitril |
Hartmetall »S 4« mattgrau |
15 μηι gut haftend, porenfrei |
Substrat 2070 Schicht 2910 |
||
29 | desgl. | 840 | 100 | 240 | desgl. | ΒϋΓ mattgrau |
22 μιη leicht porös, gut haftend |
Substrat 3710 Schicht 2190 |
||
30 | desgl. | 800 | 20 | 240 | 97,5% H2 1,5% TiCl4 1 % Aceto nitril |
Schamotte grau |
8 μιη gut haftend, leicht porös |
HV0-015 = ca. 2500 |
||
31 | desgl. | 800 | 20 | 240 | desgl. | Pyrexglas grau |
12 μηι gut haftend, leicht porös |
=°o\. 2700 |
Ein Graphitstab mit einem Durchmesser von 2 mm wird in einer Apparatur der in Beispiel 1 beschriebenen
Art in einer Argonatmosphäre durch Widerstandsbeheizung auf 9500C erhitzt. Bei dieser Temperatur wird
während 2 Stunden ein Gasgemisch, bestehend aus 97 Vol.-°/o Wasserstoff, 2 Vol.-% Acetonitril und 1 Vol.-%
65 Titantetrachlorid über das Substrat geleitet, wobei der
Gesamtgasdurchfluß 1,03 Liter/Minute [l/min.] und der Innendruck im Reaktor 720 Torr betragen. Nach dieser
Zeit hat sich auf dem Graphitstab eine grauviolette.
17
18
harte Schicht gebildet. Die sehr fest haftende Schicht weist eine Dicke von 70μΐτι und eine Mikrohärte nach
Vickers von HV00, >4000 kg/mm2 auf.
B e i s ρ i e 1 33 s
Ein Graphitstab mit einem Durchmesser von 2 mm wird in einer Apparatur der oben beschriebenen Art in
einer Argonatmosphäre auf 950°C erhitzt. Bei dieser Temperatur wird während 1 Stunde ein Gasgemisch,
bestehend aus 94,4 Vol.-°/o Wasserstoff, 2,3 Voi.-% ι ο Argon, 1,4 VoI.-°/c Titantetrachlorid und 1,9 Vol.-%
Chlorcyan über das Substrat geleitet, wobei der
Gesamtgasdurchfluß 0,21 l/min, und der Innendruck im
Reaktor 720 Torr betragen. Nach dieser Zeit hat sich auf dem Graphitstab eine graue, harte Schicht gebildet. Die
sehr gut haftende Schicht weist eine Dicke .on 30um
und eine Mikrohärte nach Vickers von HVo.o5 = 3700 kg/mm3 kg/mm-'auf.
Beispiele 34 bis
In der folgenden Tabelle II sind weitere Kohlenstoffmaterialien
angeführt, welche auf die oben beschriebene Weise beschichtet wurden:
Bsp. | Reaktor | Tem | Druck | Reak | Gasgemisch | Gesamt- | Produkt | Schichtdicke | Mikrohärte |
Nr. | beheizung | per. C | Torr | tions- | (in VoL-%) | gasdurch- | Substrat/Farbe | am/Aussehen | HVuüs kg/mnr |
dauer | fluß | (in Gew.-%) | der Schicht | (solern nichts | |||||
Minuten | l/Min. | anderes | |||||||
angegeben) | |||||||||
Wider- 950 720 120
standsbeheizung
standsbeheizung
desgl. 1200 720 120
desgl. 1200 720 120
desgl. 1200 720 120
desgl. 1200 720 120
desgl. 1200 720 120
desgl. 1200 720 120
desgl. 1400 720 120
von außen 800 100 315
mit Ofen
mit Ofen
beheizt
desgl. 760 720 190
97% H, 1% TiCl4 2% Chlorcyan
97% H, 1% SiCl4 2% Butyronitril
97% H2 1% HSiCl3
2% Acetonitril
97% H2 1% HSiCl3
2% Butyronitril
1,03 Graphitstab
0 2 mm
grau
0 2 mm
grau
1,03 Graphitstab
0 2 mm
grau glänzend
0 2 mm
grau glänzend
1,03 Graphitstab
- 0 2 mm
grau
- 0 2 mm
grau
1,03 Graphitstab
0 2 mm
grau glänzend
0 2 mm
grau glänzend
97% H2 1,03
1% CH3SiHCl2 2% Acrylnitril
97% H2 1,03 0,5%
CH3SiHCl2 2,5% Acetonitril
97% H2 1,03 1% Si(CH3)4
2% Butyronitril
desgl.
desgl.
Graphitstab
0 2 mm
dunkelgrau matt
0 2 mm
dunkelgrau matt
45 M.m
100 am
500 .um
400 am
430 am
2960-3430
4000-5000
ca. 5000
3000-5000
3700-6000
200.μπι ca. 3000
97% H2 1% SiCl4 2% Butyronitril
97,5% H2 1,5% TiCI4
1 % Acetonitril
98% H2 I % TiCI4
1 % Acrylnitril
1,03 Graphitstab
0 2 mm
dunkelgrau matt
0 2 mm
dunkelgrau matt
0,4 C/C-Composite
mattgrau
1,03 Graphit
mattgrau
mattgrau
250 μηι
350 μπι
3400-4000
HV0.02
= 4000
HV0J05
= 4000-5900
22 μηι ca. 3000
gut haftend, porenfrei
10 μηι ca. 1450
leicht porös
(Fortsetzung Tabelle II)
5 05 009
Bsp. Reaktor- Tem- Druck Reak- Gasgemisch Gesamt- Produkt
Nr. beheizung per. C Torr tions- (in VoL-%) gasdurch- Suoslrut/I-arbe Schichtdicke
dauer fluli (in Gew.-"/,.) ;i.mMusschen
Minuten l/Min. der Schicht
Mikrohärte
HV(KiS kg/mni"
{sofern nichts
anderes
angegeben)
HV(KiS kg/mni"
{sofern nichts
anderes
angegeben)
44 von außen 840 300 240 mit Ofen
beheizt
45 desgl. 840 100 240
46 desgl. 800 20 240
98% H, 0,5
1,25% TiCl4 0,75% Acetonitril
98% H2 1,25% TiCl4
0,75% Acetonitril
97,5% H1 1,5% TiCl4
1 % Acetonitril
G'aphil
ma Ug rau
22 μπτ
gut haftend,
porenfrei
glasiger Kohlenstoff 18 μητ
mattgrau gut haftend,
porenfrei
Kohlenstoffaser
grau
14 μίτι
gut haftend,
leicht porös
= 3090
Hv (J.O15
= 2720-3090
= ca. 3000
Der Versuch wird in einem Plasma-Reaktor mit einem Plasmabrenner konventioneller Bauart [Brennerleistung: 7,8 kW (30 V, 260A)] durchgeführt. Der
Reaktor ist in einer von der Außenatmosphäre abgeschlossenen, wassergekühlten Reaktionskammer
aus rostfreiem Stahl angeordnet. Das Plasma wird durch einen zwischen der Wolframkathode und der Kupferanode des Plasmabrenners angeordneten Gleichstrom-Lichtljogen erzeugt. Die Kathode und Anode sind
ebenfalls wassergekühlt Als Plasmagase können Argon oder Wasserstoff verwendet werden. Die Reaktionsgase werden mit Hilfe eines Trägergases durch seitliche
Bohrungen in der Austrittsdüse der Kupferanode in den
Plasmastrahl eingeführt Die Konzentration der Reaktions^ase im Trägerga&strom wird mit Hilfe von
thermostatisch regulierbaren Verdampfervorrichtungen und Durchflußreglern eingestellt Das Substrat, das
unter Umständen wassergekühlt sein kann, befindet sich in einem Abstand von 1—5 cm vor der Austrittsöffnung
des Plasmastrahls in der Kupferanode.
Zu Beginn des Versuches wird die Reaktionskammer evakuiert, gespült und mit: Argon gefüllt. Dann wird das
Plasniagas (Argon, 90 Mol/Stunde) eingeführt und die
Plasrüafiamme gezündet Ein Substrat aus Graphit wird
in einem Abstand von 2 cm von der Austrittsöffnung des
Plasmastrahls angeordnet, und die Reaktionsgase und
das Trägergas werden wie folgt in den Plasmastrahl Titantetrachlorid: 0,02 Mol/Stunde,
Trägergas (Wasserstoff) für TiCU : 1 Mol/Stunde,
Acetonitril: 0,05 Mol/Stunde,
ίο Trägergas (Argon) für Acetonitril: 0,25 Mol/Stunde.
Die Temperatur der Plasmasflamme liegt oberhalb 30000C; die Temperatur der Substratoberfläche beträgt
ca. 2500°C Nach einer Reaktionsdauer von 15 Minuten
wird der Plasmabrenner abgeschaltet, und das beschichtete Substrat wird in der gasgefüllten Reaktionskammer
abgekühlt. Man erhält eine homogene, metallisch glänzende graue, gut haftende Schicht; Dicke 4 μίτι;
durch Röntgenbeiigung ermittelte Zusammensetzung:
wird ein Substrat aus Aluminiumoxid behandelt. Die
relativ poröse Schicht erhalten, die aus mehreren Zonen
von unterschiedlicher Farbe aufgebaut ist. Die äußerste,
graue Schicht weist eine Gitterkonstante a = 4,31 Ä
auf.
Claims (3)
1. Verfahren zum Beschichten von anorganischen Substraten mit Carbiden, Nitriden und/oder Carbonitriden
des Eisens, Bors, Siliziums oder der Übergangsmetalle der Nebengruppen 4—6 des
periodischen Systems durch direkte thermische Reaktion von Eisen, Bor, Silizium oder Übergangsmetallen der Nebengruppen 4—6 des periodischen
Systems oder Derivaten davon mit Kohlenstoff und Stickstoff liefernden Substanzen, gegebenenfalls in
Gegenwart von Chlorwasserstoff, Stickstoff oder Argon, dadurch gekennzeichnet, daß man
als Kohlenstoff- und Stickstofflieferanten m.indestens eine Verbindung der Formel I oder II
X-CsN
einsetzt, worin X Chlor,
— CN -CH2-NH-CH2CN
-CH2NHCH2CN)2
CH2CN
-CH2-N-CH2CH2-N-(CH2CN);
-CH2-N-CH2CH2-N-(CH2CN);
eine Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, die durch Halogenatonie,
35
—N-
— N (CH2)m-Gruppen
40
substituiert sein kann, eine Alkenylgruppe mit 2—4 Kohlenstoffatomen, die durch Halogenatome oder
45
—N-Gruppen R2
substituiert sein kann, eine Cycloalkylgruppe mit 3—6 Kohlenstoffatomen oder eine Arylgrupp« mit
6—10 Kohlenstoffatomen welche je durch Halcgenatome, Methyl- oder
60
—N-Gruppen R2
substituiert sein können und Xi
eine Alkylengruppe mit 1 — 10 Kohlenstoffatomen, eine Alkenylsngruppe mit 2—4 Kohlenstoffatomen,
eine Phenylen- oder Cyclohexylengruppe, welche je durch Halogenatome oder
— N-Gruppen
R2
substituiert sein können, eine Gruppe der Formel
CH2-
CN
CN
darstellen, wobei Ri und R2 unabhängig voneinander
Wasserstoff oder eine: Alkylgruppe mit 1 —4 Kohlenstoffatomen und m eine ganze Zah! von 4 — 7
bedeuten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man mindestens eine Verbindung der
Formel I einsetzt, worin X
-CH2-NH-CH2CN
-CH2-N-(CH2CN)2
-CH2-N-CHjCH2-N-(CH2CN)2
CH2CN
-CH2-N-(CH2CN)2
-CH2-N-CHjCH2-N-(CH2CN)2
CH2CN
eine Alkylgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, die durch Halogenatome,
-N-
R1
—N (CH2)m-Gruppen
substituiert sein kann, eine Alkenylgruppe mit 2—4 Kohlenstoffatomen, die durch Halogenatome oder
— N-Gruppen
R2
substituiert sein kann, eine Cycloalkylgruppe mit 3 — 6 Kohlenstoffatomen oder eine Arylgruppe mit
6—10 Kohlenstoffatomen, welche je durch Halogenamine,
Methyl- oder
N-Gruppen
substituiert sein können, darstellen, wobei Ri, R2 und
mdie in Anspruch 1 angegebene Bedeutung haben.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man mindestens eine Verbindung der
Formel I einsetzt, worin X eine Alkylgruppe mit 1—4 Kohlenstoffatomen, die durch Chloratome
oder
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH170474 | 1974-02-07 | ||
CH170474A CH593345A5 (en) | 1974-02-07 | 1974-02-07 | Depositing carbide, nitride and carbonitride coatings - on inorg. substrates by using cyano cpds. as sources of carbon and nitrogen |
CH170374 | 1974-02-07 | ||
CH170374A CH589723A5 (en) | 1974-02-07 | 1974-02-07 | Depositing carbide, nitride and carbonitride coatings - on inorg. substrates by using cyano cpds. as sources of carbon and nitrogen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2505009A1 DE2505009A1 (de) | 1975-08-14 |
DE2505009B2 true DE2505009B2 (de) | 1977-06-30 |
DE2505009C3 DE2505009C3 (de) | 1978-02-09 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5753308B2 (de) | 1982-11-12 |
SE7501315L (de) | 1975-08-08 |
JPS50117809A (de) | 1975-09-16 |
ATA92375A (de) | 1976-01-15 |
DE2505009A1 (de) | 1975-08-14 |
SE410743B (sv) | 1979-10-29 |
CA1047899A (en) | 1979-02-06 |
GB1489102A (en) | 1977-10-19 |
FR2273080A1 (de) | 1975-12-26 |
AT332697B (de) | 1976-10-11 |
FR2273080B1 (de) | 1977-09-16 |
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Owner name: BERNA AG OLTEN, OLTEN, CH |
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