DE3907693C2 - - Google Patents

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    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von durch die Formel W3C wiedergegebenem Wolframcarbid durch eine chemische Reaktion in der Dampfphase zwischen Wol­ framhexafluorid und einer Mischung aus Wasserstoff und einem aromatischen Kohlenwasserstoff bei einer nicht unter 250°C liegenden Temperatur. Insbesondere ist das Verfahren zur Ablagerung eines Filmes aus W3C auf einer Metalloberfläche geeignet.
Es ist bekannt, daß harte und zusammenhängende Überzüge aus Wolframcarbid für die Verbesserung der Abnutzungsbe­ ständigkeit und Dauerhaftigkeit für Schneidwerkzeuge und Maschinenteile sehr wirksam sind. Es ist möglich, einen Wolframcarbidfilm auf einer Metalloberfläche durch ein Plasmasprühverfahren oder Flammensprühverfahren abzula­ gern, jedoch ist es in jedem Fall schwierig, einen Film mit ausreichend hoher Dichte und guter Haftfestigkeit gegenüber der Metalloberfläche auszubilden.
Andererseits wurde gezeigt, daß es möglich ist, durch Arbeitsweisen der chemischen Dampfabscheidung (CVD) Wol­ framcarbidüberzüge mit weit besseren Eigenschaften so­ wohl hinsichtlich Dichte als auch Haftung an den Metall­ oberflächen herzustellen. Bei der Bildung von Wolfram­ carbid durch CVD ist eine bevorzugte Wolframquelle Wol­ framhexafluorid, und es wurden Untersuchungen der Dampf­ phasenreaktionen zwischen Wolframhexafluorid und verschie­ denen Arten von reduzierenden Gasmischungen, welche eine Kohlenstoffquelle enthalten, durchgeführt.
Im allgemeinen müssen Dampfphasenreaktionen bei beträcht­ lich hohen Temperaturen zur Ablagerung der gewünschten Wolframcarbidfilme durchgeführt werden. Beispielsweise zeigt die GB 13 26 769 die Ausbildung eines Überzugs aus Wolframcarbid mit der chemischen Formel WC oder W2C durch Dampfphasenreaktion zwischen Wolframhexafluorid und einem Mischgas aus Wasserstoff und einem aromatischen Kohlen­ wasserstoff wie Benzol bei Temperaturen zwischen 400°C und 1000°C. Da solche hohen Temperaturen in abträglicher Weise die Metallmaterialien der dem Beschichten unterwor­ fenen Gegenstände beeinträchtigen, gibt es Einschränkungen hinsichtlich der Anwendungen dieser Beschichtungsmethode bei Präzisionsmetallteilen.
Die JP 62-15 484 zeigt, daß die Dampfphasenreaktion zwi­ schen Wolframhexafluorid und einer Mischung aus Wasser­ stoff und einem aromatischen Kohlenwasserstoff für die Ablagerung von Wolframcarbid bei relativ niedrigen Reak­ tionstemperaturen, nämlich bei 350-500°C, durchgeführt werden kann, indem das Atomverhältnis von Wolfram zu Koh­ lenstoff in dem Reaktionsgemisch innerhalb des Bereiches von 3 bis 6 beschränkt wird. Durch Röntgenbeugungsanalyse der nach dieser Methode erhaltenen Wolframcarbidfilme wurde bewiesen, daß sie die chemische Formel W3C besitzen. Ein Verdienst dieser Methode im Vergleich zu WC-Filmen und W2C-Filmen ist, daß W3C-Filme einen besseren Oberflä­ chenglanz und eine bessere Abriebbeständigkeit besitzen und damit einen höheren Handelswert haben. Jedoch muß selbst bei dieser Methode die Reaktionstemperatur auf einen Wert von etwa 400°C für die praktische Durchführung der Ablagerung von ausgezeichneten Wolframcarbidfilmen liegen, und es gibt daher beträchtliche Beschränkungen bei industriellen Anwendungen dieser Methode. Weiterhin bedingt diese Methode kostspielige Ausrüstungen und kompli­ zierte Arbeitsvorgänge, da die Dampfphasenreaktion unter vermindertem Druck, üblicherweise bei oder unterhalb von 20 × 103 Pa durchgeführt wird. Darüber hinaus sind die nach dieser Methode hergestellten Filme aus W3C nicht voll zufriedenstellend hinsichtlich des Glanzes.
Aus der DE 21 49 914 B2 ist ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung von Wolframcarbidüberzügen auf der Oberfläche eines Substrates bei Temperaturen zwischen 400 und 1000°C unter Verwendung eines Gasgemisches aus Wolframhexafluorid, einem Kohlenwasserstoff und Wasserstoff bekannt, wobei die Reaktionsteilnehmer so abgestimmt werden, daß kein freier Kohlenstoff abgeschieden wird, wozu das Verhältnis Wolfram/Kohlenstoff in der Reaktionsmischung zwischen 1-2 Wolframatome pro Kohlenstoffatom beträgt. Weiterhin ist aus der DE 24 46 813 B2 eine Dampfphasenreaktion zur Herstellung von einem hauptsächlich Monowolframcarbid ent­ haltendem Wolframcarbidprodukt bekannt, bei welchem im Temperaturbereich von 300 bis 3000°C gearbeitet wird und ein Verhältnis von Kohlenstoff/Wolfram von 1 angestrebt wird.
Aufgabe der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Wolframcarbid der Formel W3C durch chemische Dampfab­ scheidung unter Verwendung einer gasförmigen Mischung aus Wolframhexafluorid, einem aromatischen Kohlenwasserstoff und Wasserstoff sowie ein Verfahren mit dem Beschichtungen aus W3C mit ausgezeichneten Eigenschaften bei ziemlich nied­ rigen Temperaturen, welche die der Beschichtung unterworfenen, metallischen Materialien kaum beeinflussen, selbst unter atmosphärischem Druck hergestellt werden können.
Zur Lösung dieser Aufgabe dient das erfindungsgemäße Ver­ fahren zur Herstellung von Wolframcarbid der Formel W3C, bei welchem eine Gasmischung aus Wolframhexafluorid, einem aromatischen Kohlenwasserstoff und Wasserstoff der Dampf­ phasenreaktion bei einer nicht unter 250°C liegenden Temperatur unterworfen wird, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß die drei Bestandteile der Gasmischung in einem solchen Verhältnis vorliegen, daß in der Gasmischung das Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Wolfram im Bereich von 2 bis 10 liegt, und daß in der Gasmischung das Atomver­ hältnis von Wasserstoff zu Kohlenstoff nicht niedriger als 3 ist.
Durch dieses Verfahren ist die Ausbildung entweder eines Pulvers oder eines Filmes aus W3C möglich. Die Dampfpha­ senreaktion zur Herstellung von W3C kann bei Temperaturen von nicht niedriger als 250°C durchgeführt werden. Der obere Grenzwert der Reaktionstemperatur ist nicht streng beschränkt. Im allgemeinen sind relativ hohe Temperaturen zur Herstellung von Pulver aus W3C günstig, während rela­ tiv niedrigere Temperaturen zur Herstellung von W3C-Fil­ men auf Metalloberflächen oder anderen festen Oberflächen vorteilhaft sind. Daher ist es im Fall der Herstellung eines Films aus Wolframcarbid auf einem Substrat nach dem erfindungsgemäßen Verfahren vorteilhaft, die zuvor genannte Dampfphasenreaktion bei einer Temperatur im Be­ reich von 250°C bis 500°C durchzuführen.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung liegt darin, daß ein ausgezeichneter Wolframcarbidfilm auf z. B. einer Metallober­ fläche selbst bei einer niedrigeren Temperatur als 300°C abgeschieden werden kann. Daher ist es für zahlreiche Arten von Metallmaterialien möglich, die Beschichtung mit Wolframcarbid bei nur geringer nachteiliger Beeinflus­ sung der Metallmaterialien durchzuführen. Dies bedeutet, daß das erfindungsgemäße Verfahren weit verbreitet bei unterschiedlichen Maschinenelementen einschließlich Tei­ len von Präzisionsinstrumenten anwendbar ist. Nach der Erfindung hergestellte Wolframcarbidfilme besitzen eine hohe Härte und Dichte, einen sehr guten Oberflächenglanz und eine sehr gute Haftung auf den Substraten bzw. Unter­ lagen.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil der Erfindung ist, daß die Ablagerung eines Wolframcarbidfilms auf einer Metallober­ fläche unter atmosphärischem Druck durchgeführt werden kann. In diesem Fall kann die Dampfphasenreaktion in ei­ ner relativ einfachen und wenig kostspieligen Apparatur durchgeführt werden, und die Arbeitsvorgänge sind eben­ falls einfacher. Darüber hinaus wird die Produktivität erhöht, da die Ablagerungsgeschwindigkeit des Wolfram­ carbids hoch ist, wenn die Reaktion unter atmosphärischem Druck durchgeführt wird. Jedoch ist es ohne weiteres mög­ lich, den erfindungsgemäßen CVD-Vorgang unter verminder­ tem Druck durchzuführen. Wenn das Aussehen des abgelager­ ten Wolframcarbidfilms von großer Wichtigkeit ist, ist eine Abscheidung unter vermindertem Druck wegen der Mög­ lichkeit der Verbesserung der Gleichförmigkeit und des Glanzes des abgelagerten Filmes vorteilhaft.
Die Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter Aus­ führungsformen näher erläutert.
Bei der Erfindung ist die Quelle für Wolfram zur Bildung des Wolframcarbids immer Wolframhexafluorid. Die Quelle für Kohlenstoff ist ein aromatischer Kohlenwasserstoff, der üblicherweise unter Arylkohlenwasserstoffen wie z. B. Benzol, Toluol und Xylol ausgewählt wird. Die Verwendung von Benzol, das einen relativ hohen Dampfdruck besitzt und zur Verwendung als industrielles Ausgangsmaterial bequem zur Verfügung steht, ist bevorzugt.
Der Anteil des aromatischen Kohlenwasserstoffs zum Wol­ framhexafluorid ist unter der Bedingung variabel, daß das Verhältnis von Kohlenstoff in dem Kohlenwasserstoff zu Wolfram in dem Hexafluorid in dem Bereich von 2 bis 10, ausgedrückt als Atomverhältnis C/W, fällt. Falls die Menge des Kohlenwasserstoffs so gering ist, daß das Atomverhält­ nis von Kohlenstoff zu Wolfram den Wert von 2 nicht er­ reicht, ist die Herstellung eines Films aus reinem W3C schwierig, und in den meisten Fällen wird ein Film aus einer Mischung aus W3C und Wolfram (W) erhalten. Die ele­ mentares W enthaltenden Filme sind schlechter als reine W3C-Filme hinsichtlich der physikalischen Eigenschaften einschließlich des Oberflächenglanzes und der Abriebbe­ ständigkeit. Andererseits macht es wenig Probleme, die Menge des aromatischen Kohlenwasserstoffes in einem sol­ chen Ausmaß zu erhöhen, daß das Atomverhältnis von Koh­ lenstoff zu Wolfram 10 überschreitet, obwohl dies die Vergeudung einer beträchtlichen Menge des Kohlenwasser­ stoffs bedeutet und daher nicht ökonomisch ist.
Bei der Erfindung gibt es eine Beschränkung hinsichtlich der Menge des Wasserstoffgases, das zusammen mit den zu­ vor beschriebenen Quellen für Wolfram und Kohlenstoff verwendet werden muß. Das heißt, daß in der Gasmischung eines aromatischen Kohlenwasserstoffs, von Wolframhexa­ fluorid und Wasserstoff die Menge des Wasserstoffgases derart sein muß, daß das Verhältnis von Wasserstoff (ein­ schließlich des Wasserstoffes des Kohlenwasserstoffes) zu Kohlenstoff wenigstens 3, ausgedrückt als Atomverhält­ nis H/C, wird. Falls das Atomverhältnis von Wasserstoff zu Kohlenstoff niedriger als 3 liegt, ergibt der CVD-Pro­ zeß einen Film aus einer Mischung aus W3C und W.
Eine gasförmige Mischung der Ausgangsmaterialien wird der Dampfphasenreaktion durch angemessenes Erhitzen unter­ worfen. Wie zuvor beschrieben, ist die Reaktionstempera­ tur in breitem Maße variabel, sofern sie nicht niedriger als 250°C liegt, obwohl die Anwendung einer nicht höher als 500°C liegenden Reaktionstemperatur bevorzugt ist, wenn ein Film aus W3C auf einem Metall oder einer anderen festen Oberfläche ausgebildet werden soll.
Obwohl das Material der festen Oberfläche zur Ablagerung von W3C hierauf nicht beschränkt ist, werden die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens voll erreicht, wenn Alu­ minium das Substratmaterial ist. Aluminium besitzt ein niedriges spezifisches Gewicht und hat zahlreiche günstige Eigenschaften, jedoch besitzt es keine große Oberflächen­ härte und weist damit eine niedrigere Abriebbeständigkeit auf. Dieser Nachteil wird durch Beschichtung mit einem guten Film aus Wolframcarbid vermieden. Insbesondere wenn die Erfindung auf Aluminium mit einer Reinheit von 98% oder höher angewandt wird, haftet der abgelagerte W3C- Film sehr fest auf der Aluminiumoberfläche.
Die Dampfphasenreaktion kann bei normalem Druck durchge­ führt werden, und wenn ein W3C-Film sehr hoher Qualität ausgebildet werden soll, kann sie unter vermindertem Druck durchgeführt werden.
Abgesehen von den zuvor beschriebenen Beschränkungen und Bedingungen kann die Dampfphasenreaktion gemäß der Erfin­ dung unter Anwendung konventioneller CVD-Techniken durch­ geführt werden.
Die Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele näher erläutert:
Beispiel 1
Eine konventionelle CVD-Apparatur vom Typ mit horizontaler Strömung wurde verwendet. Die Apparatur besaß ein zylin­ drisches Reaktionsgefäß mit einem Innendurchmesser von 40 cm, einer Gesamtlänge von 100 cm und einer Länge der Zone der homogenen Temperatur von 60 cm. Im Zentrum der Zone homogener Temperatur war ein Streifen aus Nickel­ blech mit einer Breite von 2 cm, einer Länge von 5 cm und einer Dicke von 2 mm als mit Wolframcarbid zu beschich­ tendes Substrat angeordnet, und das Innere des Reaktions­ gefäßes wurde erhitzt gehalten. In diesem Zustand wurde ein Mischgas der Ausgangsmaterialien kontinuierlich in das Reaktionsgefäß über eine an einem Ende des Reaktions­ gefäßes vorgesehene Düse eingeführt.
Die zuvor beschriebene Apparatur und die Bedingungen wur­ den nicht nur in diesem Beispiel, sondern auch bei den folgenden Beispielen und den Vergleichsversuchen ange­ wandt.
In diesem Beispiel wurde ein Mischgas aus Wolframhexa­ fluorid, Benzol und Wasserstoff, in den Anteilen von 2,2 : 1 : 33, angegeben in mol, angewandt. In dem Misch­ gas betrug das Atomverhältnis C/W = 2,7 und das Atomver­ hältnis H/C = 11. In dem Reaktor wurde die Zone der homo­ genen Temperatur auf 400°C gehalten. Unter atmosphärischem Druck wurde das Mischgas kontinuierlich in das Reaktions­ gefäß während 30 min bei einer Strömungsrate von 7,8 l/min eingeführt. Als Ergebnis wurde ein harter und glänzender Film mit einer Dicke von 19 µm auf der Oberfläche des Nickelstreifens ausgebildet. Aus dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß der Film ein Film aus reinem W3C war.
Beispiel 2
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser­ stoff in den Molverhältnissen von 1,4 : 1 : 10 wurde ver­ wendet. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W = 4,3 und das Atomverhältnis H/C = 3,3. Im Reaktionsgefäß wurde die Zone der homogenen Temperatur auf 300°C gehalten. Unter atmosphärischem Druck wurde das Mischgas kontinuier­ lich in das Reaktionsgefäß während 60 min bei einer Strö­ mungsrate von 2,1 l/min eingeführt. Als Ergebnis wurde ein harter und glänzender Film mit einer Dicke von 12 µm auf der Oberfläche des Nickelstreifens ausgebildet. Aus dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser Film ein Film aus reinem W3C war.
Beispiel 3
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser­ stoff in den Molverhältnissen 2,7 : 1 : 42 wurde verwen­ det. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W = 2,2 und das Atomverhältnis H/C = 7,0. In dem Reaktionsgefäß wurde die Zone der homogenen Temperatur auf 250°C gehal­ ten. Unter atmosphärischem Druck wurde das Mischgas konti­ nuierlich in das Reaktionsgefäß während 90 min bei einer Strömungsrate von 7,6 l/min eingeführt. Als Ergebnis wurde ein harter und glänzender Film mit einer Dicke von 9 µm auf der Oberfläche des Nickelstreifens ausgebildet. Aus dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser Film ein Film aus reinem W3C war.
Vergleichsversuch A
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser­ stoff in den Molverhältnissen 16 : 1 : 233 wurde verwen­ det. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W ledig­ lich 0,38 und das Atomverhältnis H/C = 78. In dem Reak­ tionsgefäß wurde die Zone der homogenen Temperatur auf 400°C gehalten. Unter atmosphärischem Druck wurde das Mischgas kontinuierlich in das Reaktionsgefäß während 30 min bei einer Strömungsrate von 7,5 l/min eingeführt. Als Ergebnis wurde ein glanzloser Film mit einer Dicke von 21 µm auf der Oberfläche des Nickelstreifens ausge­ bildet. Aus dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser Film aus einer Mischung von W und W3C bestand.
Vergleichsversuch B
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser­ stoff in den Molverhältnissen 2,9 : 1 : 8,1 wurde verwen­ det. In dem Mischgas erreichte das Atomverhältnis C/W= 2,8 und das Atomverhältnis H/C war lediglich 2,7. In dem Reaktionsgefäß wurde die Zone der homogenen Temperatur auf 400°C gehalten. Unter atmosphärischem Druck wurde das Mischgas kontinuierlich in das Reaktionsgefäß während 60 min bei einer Strömungsrate von 1,0 l/min eingeführt. Als Ergebnis wurde ein Film mit einer Dicke von 30 µm auf dem Nickelstreifen ausgebildet. Dieser Film war glän­ zend, nahm jedoch eine schwach bläuliche Färbung an. Aus dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser Film aus einer Mischung von W und W3C gebildet war.
Beispiel 4
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser­ stoff in den Molverhältnissen 1,7 : 1 : 31 wurde verwen­ det. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W = 3,5 und das Atomverhältnis H/C = 10. Im Reaktionsgefäß wurde die Zone der homogenen Temperatur auf 400°C gehalten. Unter vermindertem Druck (Gesamtgasdruck) von 12 × 103 Pa (90 Torr) wurde das Mischgas kontinuierlich in das Reak­ tionsgefäß während 60 min bei einer Strömungsrate von 2,4 l/min eingeführt. Als Ergebnis wurde ein harter und glänzender Film mit einer Dicke von 9 µm auf der Ober­ fläche des Nickelstreifens ausgebildet. Aus dem Röntgen­ beugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser Film ein Film aus reinem W3C war. Verglichen mit den in den Beispielen 1 bis 3 hergestellten Filmen war dieser W3C-Film hinsicht­ lich Gleichmäßigkeit, Oberflächenglätte und Glanz über­ legen.
Beispiel 5
Der CVD-Vorgang von Beispiel 4 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die Reaktionstemperatur auf 300°C ernie­ drigt wurde, und daß die Reaktion (Einspeisung des Misch­ gases) während 120 min fortgeführt wurde. Als Ergebnis wurde ein Film aus reinem W3C mit einer Dicke von 8 µm auf dem Nickelstreifen ausgebildet. Im Aussehen unter­ schied sich dieser Film nicht nennenswert von dem in Bei­ spiel 4 hergestellten Film.
Vergleichsversuch C
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser­ stoff in den Molverhältnissen 20 : 1 : 367 wurde verwen­ det. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W ledig­ lich 0,31 und das Atomverhältnis H/C war 121. Abgesehen von dieser Änderung wurde der CVD-Vorgang des Beispiels 4 wiederholt. In diesem Fall betrug die Dicke des auf dem Nickelstreifen ausgebildeten Films nur 4 µm. Aus dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser Film aus einer Mischung aus W und W3C gebildet war. Dieser Film war hinsichtlich Oberflächenglanz und Oberflächenglätte dem in Beispiel 4 hergestellten W3C-Film beträchtlich unterlegen und örtlich war die Filmoberfläche rauh.
Vergleichsversuch D
Der CVD-Vorgang von Vergleichsversuch C wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die Reaktionstemperatur auf 300°C erniedrigt wurde und daß die Reaktion (Einspeisung des Mischgases) während 120 min fortgeführt wurde. Auch in diesem Fall wurde ein Film aus einer Mischung von W und W3C auf dem Nickelstreifen ausgebildet. Die Dicke des Films betrug nur 3 µm.

Claims (11)

1. Verfahren zur Herstellung von Wolframcarbid der Formel W₃C,bei welchem eine Gasmischung aus Wolframhexafluorid, einem aromatischen Kohlenwasserstoff und Wasserstoff einer Dampfphasenreaktion bei einer nicht unter 250°C liegenden Temperatur unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Wolframhexafluorid, der aromatische Kohlenwasser­ stoff und der Wasserstoff so proportioniert werden, daß das Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Wolfram in der Gasmischung im Bereich von 2 bis 10 liegt und daß das Atomverhältnis von Wasserstoff zu Kohlenstoff in der Gasmischung nicht niedriger als 3 ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als aromatischer Kohlenwasserstoff ein Aryl­ kohlenwasserstoff verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Arylkohlenwasserstoff Benzol verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dampfphasenreaktion bei Normaldruck durchge­ führt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dampfphasenreaktion unter vermindertem Druck durchgeführt wird.
6. Verfahren zur Ablagerung eines Filmes aus Wolframcar­ bid der Formel W3C auf einem Substrat, wobei eine Gas­ mischung aus Wolframhexafluorid, einem aromatischen Kohlenwasserstoff und Wasserstoff bei einer im Bereich von 250 bis 500°C liegenden Temperatur in einer Kammer, in der dieses Substrat angeordnet ist, einer Dampfphasenreaktion unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Wolframhexafluorid, der aromatische Kohlenwasser­ stoff und der Wasserstoff so proportioniert werden, daß das Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Wolfram in der Gasmischung im Bereich von 2 bis 10 liegt und daß das Atomverhältnis von Wasserstoff zu Kohlenstoff in der Gasmischung nicht niedriger als 3 ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als aromatischer Kohlenwasserstoff ein Arylkohlen­ wasserstoff verwendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Arylkohlenwasserstoff Benzol ist.
9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dampfphasenreaktion bei Normaldruck durchge­ führt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dampfphasenreaktion unter vermindertem Druck durchgeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein Metallteil ist.
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