DE2426394A1 - Saegezahngenerator - Google Patents
SaegezahngeneratorInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 48
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K7/00—Modulating pulses with a continuously-variable modulating signal
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- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/023—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/03—Astable circuits
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- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/03—Astable circuits
- H03K3/0315—Ring oscillators
- H03K3/0322—Ring oscillators with differential cells
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- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
- H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
- H03K4/48—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
- H03K4/50—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor
- H03K4/501—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor the starting point of the flyback period being determined by the amplitude of the voltage across the capacitor, e.g. by a comparator
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- H03K7/00—Modulating pulses with a continuously-variable modulating signal
- H03K7/04—Position modulation, i.e. PPM
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- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
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Description
77o6-74 / Dr. G/kr 2 A 26 39 4
RCA 66 787
Filing Date:
l.Juni 1973
Filing Date:
l.Juni 1973
RCA Corporation, New York, N.T.,V.St.A.
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Sägezahngenerator mit einer Spannungs-Vergleichsschaltung, die einen ersten
und einen zweiten Eingang, sowie einen Ausgang aufweist, und ein Ausgangssignal mit einem ersten oder zweiten Spannungswert in Abhängigkeit davon liefert, welcher der Eingänge
in Bezug zueinander auf einem positiveren Potential liegt, mit einem Kondensator, der mit dem ersten Eingang verbunden
ist, mit Schaltungsexnrichtungen, die dem zweiten Eingang eine Bezugsspannung zuführen, wobei die Bezugsspannung in
Abhängigkeit vom Spannungswert des Ausgangssignals entweder einen ersten oder einen zweiten Spannungswert aufweist, und
mit Steuerschaltungen, die im einen Schaltungszustand den
Kondensator aufladen und im anderen Schaltungszustand den Kondensator entladen. Insbesondere betrifft die vorliegende
Erfindung einen Sägezahngenerator, der in monolithischer, integrierter Bauweise hergestellt werden kann.
Es sind Sägezahngeneratoren bekannt, bei denen die Spannung, die über einem zeitbestimmenden Kondensator, der periodisch
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aufgeladen und entladen wird, mit einer Bezugs- Signalspannung verglichen wird, um ein Aus gangs signal zu erhalt b±l.
Das Ausgangssignal weist in Abhängigkeit davon, ob die Spannung über dem zeitbestimmenden Kondensator positiver oder
negativer als die Bezugs-Signalspannung ist, einen ersten oder zweiten Wert auf. Wenn das Ausgangssignal der Vergleichsschaltung
den Spannungswert ändert, wird dadurch auch eine Spannungswertänderung der Bezugssignalspannung verursacht.
Dementsprechend legt ein Steuersignal, das vom Ausgangssignal
der Vergleichsschaltung abhängt, fest, ob der zeitbeatimmende Kondensator während des nachfolgenden Teils dex·
Schwingungsperiode aufgeladen oder entladen wird.
Der Erfindung liegt nun die Erkenntnis zugrunde, daß diese Festlegung nach einer geeigneten zeitlichen Verzögerung vorgenommen
werden muß, nachdem das Bezugssignal den Spannungswert geändert hat. Wenn eine derartige Verzögerung nicht vorhanden
ist, kann ein Gleichgewichtszustand auftreten, bei dem keine weiteren Schwingungen mehr entstehen. In diskreten
Schaltungen ist diese Verzögerung naturgemäß durch die Kapazität der Elektroden der "albleiterelemente und durch die
Leitungsinduktivitäten vorhanden. Infolgedessen treten bei diskreten Schaltungen diese unerwünschten Gleichgewichtszustände
nicht in Erscheinung. Dies ist wahrscheinlich auch der Grund, daß beim Bau diskreter Schaltungen keine Verzögerung
benötigt wurde. In integrierten Schaltungen sind diese Voraussetzungen für eine Verzögerung nicht vorhanden und
es müssen zusätzliche Maßnahmen vorgesehen werden, um eine derartige Verzögerung zu schaffen.
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Es ist daher Aufgabe.der vorliegenden Erfindung, in einem in
integrierter Bauweise aufgebauten Sägezahngenerator eine derartige Verzögerung zu schaffen. Erfindungsgemäß wird diese
Aufgabe dadurch gelöst, daß der Schaltungszustand dieser Steuorschaltungen
durch das Ausgangssignal einer aus konzentrierten Schaltungselementen bestehenden Verzögerungsschaltung gesteuert
wird, wobei die Verzögerui^pschaltung in Abhängigkeit
von einer Spannungswert-Änderung entweder der Bezugsspannung oder des von der Vergleichsschaltung gelieferten Ausgangssignals
das die Steuerschaltungen steuernde Signal verzögez-t.
Weitere Ausgestaltungen und Merkmale der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen beispielsweise näher erläutert.Es zeigen:
Figur 1 ein schematisches Blockdiagramm einer Schaltung,
in der die vorliegende Erfindung enthalten sein kann,
Figur 2 ein Zeitdiagramm, anhand dessen die Erfordernisse für die zeitliche Verzögerung bei der Betriebsweise der
Schaltung beschrieben wird,
Figur 3 die Ansprechcharakteristik eines Schwellwertdetektors, der so vorgespannt ist, daß er die erforderliche Verzögerung
schafft,
Figur 4 ein Zeitdiagramm, das die Betriebsweise des Schwellwertdetektors
bei der Erzeugung der erforderlichen Zeitverzögerung darstellt,
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Figur 5 ein Schaltschema einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und
Figur 6 ein Schaltschema einer weiteren Schaltungsanordnung, die im Sägezahngenerator , der in Fig. 5 dargestellt
ist, verwendet werden kann, wenn die Frequenz des Ausgangssignals dieses Sägezahngenerators moduliert werden soll.
In Fig. 1 ist ein zeitbestimmender Kondensator 10 mit einer "Auflade"Schaltung 12 verbunden. Der Kondensator 10 kann
über einen Schalter lk mit einer "Entlade"Schaltung l6 verbunden
werden. Der Schalter l4 wird elektrisch gesteuert, wie dies nachfolgend beschrieben werden wird. Die von den
Schaltungen 12 und l6 gelieferten Gleichströme weisen entgegengesetzte Polarität auf und es sei angenommen, daß der
Gleichstrom von der Schaltung 12 positiv und von der Schaltung l6 negativ ist. Der von der Schaltung l6 gelieferte
Strom weist einen größeren Wert auf als der von der Schaltung 12 gelieferte Strom.
Wenn der Schalter lk im "offenen" Zustand ist, wenn die
Schaltung l6 also nicht mit dem Kondensator 10 in Verbindung steht, liefert die Schaltung 12 an den Kondensator Io einen
Strom positiver Polarität. Als Folge davon wird dem Kondensator 10 Ladung zugeführt, sodaß sich die Spannung ^cAP am
Kondensator 10 gemäß dem Coulomb·sehen Gesetz erhöht.
Wenn der Schalter l4 geschlossen ist bzw. sich im "Entladeu-Zustand
befindet, wird nur ein Teil des von der Schaltung aufgenommenen Stromes von der Schaltung 12, die einen kleineren
Strom liefert, zugeführt. Der übrige von der Schaltung
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aufgenommene Strom muß vom Kondensator 10 kommen. Als Folge davon wird Ladung vom Kondensator 10 entfernt, so daß sich
die Spannung ^r>Ap Semäß dem Coulomb' sehen Gesetz verringert.
Wenn der Schalter l4 mit sich wiederholenden Intervallen
gleicher Zeitdauer geschaltet wird, wird die Wellenform der Spannung über dem Kondensator 10 sägezahnförmig sein. Es wird
eine Spannungs-Vergleichsschaltung 20 verwendet, um die Spannung über dem Kondensator 10 abzufühlen und zu bestimmen,
wenn das Schalten durchgeführt werden soll. Die Spannungs-Vergleichsschaltung 20 beettzt einen Anschluß 22 , um die
KxHBchwingungen vom Oszillator zu anderen Schaltungsteilen
zu führen. Die Spannungs-Vergleichsschaltung 20 ist weiterhin mit einer Ausgangsleitung 2k versehen, an der ein Signal
V,ÜSG auftritt, das weiteren Teilen des Sägezahngenerators
zugeführt wird. Insbesondere wird das Signal V,™« dem
Schalter 30 zugeführt, um dessen Schaltzustand zu steuern.
Wenn die Spannung VCAp am Eingang 25 der Spannungs-Vergleichsschaltung
20 größer ist als die Spannung V_ , die zwischen dem Bezugspoteiitial und der Eingangs leitung 26 an der Spannungsvergleichsschaltung
20 liegt, weist die Spannung V.„_G
einen ersten Zustand auf; wenn die Spannung V_ größer ist
als V-,.-., weist die Spannung V.TT__ einen zweiten Zustand
CAP AuSG
auf. Der erste und der zweite Zustand kann beispielsweise
einem ersten bzw. einem zweiten Spannungspegel entsprechen,
wobei der erste Spannungspegel positiver als der zweite Spannungspegel ist. Das auf der Leitung 2k liegende Signal
VATTC;r wird weiterhin über die Leitung 28 vom Schalter 30
an die Verzögerungsschaltung kO gelegt. Um die Wirkungsweise von Fig. 1 zu beschreiben, sei angenommen, daß das Signal
V.„„p auch an der Leitung 28 anliegt. Bei einer in Fig.
schematisch dargestellten tatsächlichen Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung weist die Verzögerungsschaltung 40
einen Schwellwert-Detektor auf, dem das Signal V*USG nicnt
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direkt als Eingangssignal zugeführt wird, bei dem das Eingangssignal
vielmehr dem Schalterzustand des Schalters 30
entspricht, d.h; das Eingangssignal entspricht dem Spannungswert der Spannung V_ , die an der Eingangsleitung 26 der Vergleichsschaltung
auftritt.
Um die Wirkungsweise der Schaltung zu beschreiben, sei angenommen,
daß der Schalter lk sich zunächst im " offenen " Zustand
befindet , und daß der Kondensator 10 von der Aufladeschalrung
12 aufgeladen wird. Im Zeitdiagramm gemäß Fig. 2 entspricht dies einer Zeit vor der Zeit t .
Zum Zeitpunkt t , wenn die Spannung VrAp über dem Kondensator
10 über eine erste Schwellwertspannung V ansteigt, schaltet die SpannungswVergleichsschaltung 20 die Spannung VAUS(,
von einem ersten Signalausgangs-Zustand in einen, zweiten Sig nalausgangs-Zustand.
Diese erste Schwellwertspannung ent spricht einer oberen Vorspannung, die üb-er den Schalter 30
an die Spannungs-Vergleichsschaltung 20 angelegt wird, wenn sich der Schalter 30 im " oberen " Schaltzustand befindet.
Diese obere Vorspannung wird von der Versorgungsschaltung 32
geliefert.
Der Schalter 30 befindet sich im " oberen " Zustand, wenn das
Ausgangssignal an der Leixung 24 den ersten Signalzustand aufweist.
Wenn das Aus gangs signal an der Leitung 2.k zum Zeitpunkt
t in den zweiten Zustand gebracht wird, geht der Schalter 30 in den " unteren " Zustand über, wie dies im Zeitdiagramm
gemäß Fig. 2 dargestellt ist.
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Befindet sich der Schalter 30 im " oberen " Zustand, so wird
der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 von der Versorgungsschal tung 3^ eine untere Vorspannung zugeführt, die weniger positiv
als die obere Vorspannung ist. Infolgedessen weist die Vergleichsschaltung 20 nunmehr infolge der Zustandsänderung
des Ausgangssignals eine niedrigere Schwellwertspannung V
auf, mit der die Spannung V_.p verglichen wird. Dies bedeutet
eine positive Rückkopplung in dem Sinne, als zum Zeitpunkt t die Spannung ^CAP nur um e*n Geringes größer
ist als die Bezugsspannung ( die die " obere " Bezugsspannung V. ist ) , wogegen die Spannung VCAp ( die sich in
ihrem Spannungswert nicht viel geändert hat ) unmittelbar nach dem Zeitpunkt t sehr viel größer als die Bezugsspannung
geworden ist ( weil der Schalter 30 betätigt wurde und die Bezugsspannung in den " unteren " Spannungswert Yj übergegangen
ist ). Diese Rückkopplung führt das Ausgangssignal
an der Leitung 2*t in den zweiten Signalzustand über. Das bedeutet,
daß beim Übergang des Ausgangssignals von der Vergleichsschaltung
vom ersten in den zweiten Signalzustand ein " Zittern " vermieden wird ( das " Zittern " bedeutet eine
Unsicherheit bzw. Ungenauigkeit beim Übergang eines Signals
von einem Zustand in einen anderen )·
Die Verzögerungsschaltung 40 gibt über die Leitung 42 ein
Steuersignal an den Schalter ik ab, wobei das Steuersignal von der Spannung V-USG abhängt, jedoch Signalübergänge aufweist,
die in Bezug auf die Signalübergänge der Spannung ^ATISG Verzögert sind. Da der Schalter 30 in Abhängigkeit
der Signalübergänge , die an der Leitung 2k auftreten, schaltet,
und da der Schalter ±k in Abhängigkeit der gleichen Signalübergänge,
die um einen festgelegten zeitlichen Betrag verzögert sind, schaltet, schaltet der Schalter 30 zum Zeitpunkt
t und der Schalter l4 zu einem späteren Zeitpunkt t , wie
J- Ci
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dies in Fig. 2 anhand des dort dargestellten Zeitdiagramms dargestellt ist.
Infolge der zuvor beschriebenen Verzögerung lädt der von der Aufladeschaltung 12 gelieferte Strom den Ladekondensator
10 in einem Zeitraum weiter auf, und zwar in dem Zeitraum zwischen dem Zeitpunkt t bis t , nachdem der Schalter 3o in
den " unteren " Zustand geschaltet wurde, wie dies in der
Darstellung der Spannung V.p in Fig. 2 zwischen den Zeitpunkten
t und t dargestellt ist. Diese zeitliche Verzöge-
X dt
rung vom Zeitpunkt t zum Zeitpunkt to ermöglicht es, daß
χ &
das Ausgangssignal von der Spannungs-Vergleichsschaltung
sicher in den neuen zweiten Signalzustand übergeführt wird, bevor der Schalter l4 be-tätigt wird. Es ist daher nicht
möglich, daß der Schalter l4 in den " Entlade " Zustand geschaltet
wird, bevor die Rückkopplungsschloifen-Verstärkung
dieser positiven Rückkoppel-Schaltoperation abgenommen hat, dem auf diese Weise wird das System in einen unerwünschten
Gleichgewichtszustand gebracht, in dem Schwingungen nicht auf tr*eten.
Nachdem der Schalter l4 zum Zeitpunkt t in die " Entlade "-Stellung
geschaltet worden ist, leitet die Entladeschaltung l6 Ladung vom zeitbestimmenden Kondensator 10 ab. Die über
den Kondensator 10 auftretende Spannung V . nimmt ab und
Kj AlT
wird schließlich zum Zeitpunkt t„ kleiner als die zweite
Schwellwertspannung V . Die Spannungs-Vergleichsschaltung
spricht auf die Spannung V an, die kleiner wird als die
CAr
zweite Schwellwertspannung V , und bringt die Spannung V. aus dem zweiten Zustand in den ersten Zustand zurück. Dies führt zum Zeitpunkt t dazu, daß der Schalter 30 in den "oberen" Zustand zurückgesetzt wird. Auf diese Weise führt der Schalter 30 wiederum die obere Vorspannung von der
zweite Schwellwertspannung V , und bringt die Spannung V. aus dem zweiten Zustand in den ersten Zustand zurück. Dies führt zum Zeitpunkt t dazu, daß der Schalter 30 in den "oberen" Zustand zurückgesetzt wird. Auf diese Weise führt der Schalter 30 wiederum die obere Vorspannung von der
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Schaltung 32 an die Spannungs-Vergleichsschaltung 20, und
zwar als Folge der Zustandsänderung des Ausgangssignals von der Vergleichsschaltung 20, so daß die Vergleichsschaltung
20 mit einer größeren Schwellwertspannung beaufschlagt wird,
mit der die Spannung Vc*p verglichen werden soll. Dies stellt
eine positive Rückkopplungs-Betriebsart dar, die das Ausgangssignal
der Vergleichsschaltung in den ersten Signalzustand bringt.
Da der Schalter 30 in Abhängigkeit des an der Leitung 24 auftretenden
Signalübergangs.schaltet und da der Schalter l4 in Abhängigkeit des gleichen, jedoch verzögerten Signalübergangs,
der an der Leitung 42 auftritt, schaltet, ist das
Schalten des Schlaters 30 in Abhängigkeit von einem Signalübergang
an der Leitung 24 zum Zeitpunkt t beendet, und zwar
bevor der Schalter l4 zum Zeitpunkt t. auf den gleichen Signalübergang
anspricht. Infolge der Verzögerung vom Zeitpunkt t_ zum Zeitpunkt t^ , die durch die Schaltung 4θ hervorgerufen
wird, wird der Kondensator 10 von dem Entladestrom , der durch die Entladeschaltung l6 geliefex-t wird, während des Zeitraumes
zwischen dem Zeitpunkt t_ und dem Zeitpunkt t. , nachdem der
Schalter 30 in den " oberen " Zustand geschaltet worden ist,
weiterhin entladen. Diese Verzögerung zwischen dem Zeitpunkt t„ und dem Zeitpunkt t. stellt sicher, daß das Ausgangssignal
von der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 sicher in den ersten Signalzustand zurückgebracht wird, bevor der Schalter l4
schaltet und die Entladeschaltung l6 vom Kondexisator 10 trennt. Nach dem Zeitpunkt t. , wenn der Schalter l4 also in
den " offenen " Zustand geschaltet worden ist, lädt der Ladestrom
von der Aufladeschaltung 12 den Kondensator 10 von neuem
auf, so daß die Spannung VCAp ansteigt, und der zuvor beschriebene
Schwingungsvorgang beginnt von neuem.
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Wenn die Aufladeschaltung 12 eine GIeichspannungsVersorgung
ist, wird der Kondensator 10 linear aufgeladen. Wenn die Entladeschaltung l6 eine Gleichstrom-Versorgungsschaltung ist,
wird der Kondensator 10 linear entladen. Die Spannung V_AD
weist dann die lineare Sägezahnform gemäß Fig. 2 auf, wenn die Schaltungen 12 und l6 Gleichströme liefern. Q±e Aufladung
und Entladung kann jedoch auch nicht linear vorgenommen werden. Beispielsweise kann eine exponentielle Aufladung und
Entladung über Widerstände vorgenommen werden.
Bei einer bevorzugten Ausführung form der vorliegenden Erfindung
enthält die Verzogerungsschaltung 40 - wie bereits erwähnt
- einen Schwellwert detektor. Die Ste.uerspannung , die am Ausgang eines solchen Schwellwertdetektors anliegt, is"t
in ^ig. 3 über der Eingangsspannung , die am Eingang der Detektorschaltung
anliegt, aufgetragen. Wenn ein Schwellwertdetektor, als Verzögerungsschaltung kO verwendet wird, entspricht
die Eingangsspannung dem Bezugs-Spannungssignal, der der Spannungs- Vergleichsschaltung 20 vom Schalter 30 zugeführt
wird, d.h. die Verbindung 28 ist direkt mit der Verbindung 26 verbunden.
Bei einem Schwellwertdetektor, der als Verzögerungsschaltung k0 verwendet werden kann, liegt dessen Schwellwertpotential
^uiiBTTiimvn zwischen der oberen und unteren Vorspannung,
die von der Schaltung 32 bzw. 3^ geliefert wird. Wenn der
Schwellwertdetektor eine Hysteresis in der Detektorcharakteristik aufweist, muß die Schwellwertspannung sowohl für
die ansteigende Eingangsspannung als auch für die abnehmende
Eingangsspannung zwischen der oberen und unteren Vaspannung
liegen ( ein Schmitt-Trigger oder eine automatische Spannungs-Vergleichsschaltung
( wie die Schaltung 2o ) würde eine
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derartige Hysteresis in der Detektorcharakteristik zeigen, wenn eine derartige Schaltung als Schwellwertdetektor benutzt
wird ).
Figur 4 zeigt ein Zeitdiagramm, um darzustellen, wie der
Schwellwortdetektor die Verzögerung schafft. Der Dezugs-Eingangssignalimpuls
entspricht einem Impuls, der den Zustand des Schalters 30 anzeigt, wie dies im Zeitdiagramm gemäß
Fig. 2 dargestellt ist. Die Übergänge des Signals zwischen dem oberen und dem unteren Vorspannungszustand benötigen
eine Zeitspanne, in denen sie von dem einen Zustand in den anderen Zustand vollständig übergehen, sie weisen
also keine idealen sofortigen Übergänge auf.
Wenn die Bezugs-Signalspannung den oberen Vorspannungszustand
aufweist, befindet sich das Steuersignal im unteren oder " offenen " Zustand. Der Übergang.des Bezugsspannungssignals
von der oberen Vorspannung zur unteren Vorspannung beginnt am Zeitpunkt t.. Der Übergang des Steuersginais am Ausgang
des Schwellwertdetektors beginnt nicht vor dem Zeitpunkt to, an dem die ßezugs-Signalspannung die Spannung VSCHWELLWERT
kreuzt. Zum Zeitpunkt t beginnt der Übergang des Steuersignals , da die Bezugs-Eingangsspannung jetzt nicht mehr
positiv genug ist, um das Steuersignal in dem Zustand zu halten, der die Entladung des Kondensators 10 bewirkt. Dieser
Übergang des Steuersignals ist abgeschlossen, wenn die Bezugs-Signa
!spannung zur unteren Vorspannung hin abfällt.
Zum Zeitpunkt t„ , bei dem das Bozugs-Spannungssignal mit
dom Übergang beginnt, ist das Bezugs—Spannungssignal nicht
positiv genug, um das Steuersignal, das vom Schwellwertdetektor
gebildet wird, in den Zustand überzuführen, in dem es
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die Entladung des Zeitkondensators 10 bewirkt. Zu einem späteren Zeitpunkt t» ist der Übergang weitgehend abgeschlossen,
so daß das Bezugs-Spannungssignal die Spannung vschhellweRT
kreuzte Danach liegt am Eingang des Schwellwertschalters
eine genügend positive Spannung an, um einen Übergang des am Ausgang auftretenden Steuersignals einzuleiten· Dieser
Übergang des Steuersignals ist abgeschlossen, wenn das Bezugsspannungssignal zur oberen Vorspannung hin ansteigt.
In Fig. 5 ist ein Sägezahngenerator 500 dargestellt, der die
vorliegende Erfindung enthält, und der für einen Betrieb mit Versorgungsspannungen bis hinunter zu 3 Volt , die zwischen
der Klemme 501 und der Erdklemme liegen, geeignet ist.
Der Sägezahngenerator weist eine Stromquelle 50 auf, die im
einzelnen in der US-Anmeldung Nr. 365 833 beschrieben ist,
und den Titel " Teil-Stromversorgung " trägt. Die Widerstände
5o2, 5°3 und 5°4 leiten einen Strom durch die als Dioden geschalteteu
Transistoren 5o5 und 5o6, sowie einen größeren
( wie in der Schaltung dargestellt, vier mal größeren ) Strom durch die als Dioden geschalteten Transistoren 5o7 und 5°8.
Die V„ - üb ergangs sp annungen über den als Dioden geschalteten
Transistoren 5«5 und 5o6 sind nicht ganz so groß wie
die V„„ - Übergangsspannungen über den als Dioden geschalteten
!transistoren 507 und 5o8, und zwar aus den folgenden
Gründen:
1) Die Basis-Emitterbereiche der Transistoren 5o5 und
sind um einen Faktor η größer als die Basis-Emitterbereiche der Transistoren 5o7 und 508 und
2) die Emitterströme der Transistoren 5o5 und 5o6 sind
kleiner als die Emitterströme der Transistoren 5o7 und 508
( im vorliegenden Beispiel sind die Emitterströme der Transistoren 5o5 und 5°6 ein Viertel der Emittcrströme der Tran-
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sistören 5o7 und 5o8 ).
Diese Spannungsdifferenz wird zwischen die Basis des Transistors
5Io und den gemeinsamen Basisanschluß der Transistoren
511» 512, 5131 51^ und 515 gelegt ( die V_„- Übergangsspannung
ist die Spannung, die über dem Basisemifcter-Übergang eines Transistors
auftritt, wenn dieser Übergang in Durchlaßrichtung vorgespannt ist und diese Übergangsspannung besitzt für Silizium-Transistoren
einen Wert von etwa 0,6 Volt ).
Eine Spannung, die etwa dem Spannungsabfall über der Basis Eraitterverbindung
entspricht, tritt über dem Transistor 516
auf und bestimmt gemäß dem Ohm1sehen Gesetz den hindurchgehenden
Strom« Wenn Silizium-Transistoren und ein Widerstand 516 mit sechs Kilo-Ohm verwendet wird, beträgt der Strom
etwa 100 Mikroampere. Wenn der Strom an die in Verbindung stehenden Emitter der Transistoren 510, 511, 512, 513 1 51^
und 515 gelegt wird, teilt er sich in die entsprechenden
Emitterströme auf. Die Schaltungsanordnung kann als ein emittergekoppelter Transistor-Differentialverstärker angesehen
i/erden, der aus dem Transistor 5I0 und einem weiteren " zusammengesetzten
" Transistor besteht, dessen Basisemitter-Schaltkreis durch die in Parallelschaltung verbundenen Basisemitterschaltkreise
der Transistoren 511, 512, 513» 51^ und 515 gebildet
wird, Der wirksame Basisemitter-Übergangsbereich des Transistors 5I0 und des " zusammengesetzten " Transistors
sind willkürlich gleichgemacht.
Infolgedessen, daß die Spannung an der Basis des Transistors
5I0 weniger positiv als die Spannung an den miteinander in V-orbindung stehenden Basen der Transistoren 511,512,513,51^
und 515 ist, ist der Kollektorstrom des Transistors 5I0 um
den Faktor 4n größer als die gemeinsamen Kollektorströme
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- Ik -
dei- Transistoren 511, 512, 513, 5lk und 515. Der Kollektorstrom
I des Transistors 51° ist daher praktisch gleich
dem Strom, der durch den Widerstand 5l6 fliesst^ Die gemein ■
samen Kollektorströme der Transistoren 511, 512, 513, 5ik
ο und 515 bilden einen Strom mit einem Wert von I /kn
Die wirksamen Basis-Emitter-Übergangsbereiche der Transistoren 511,512,513, 5l4 und 515 weisen ein Verhältnis von
( 1 - a ): a:1:1:1 auf und die Kollektroströme weisen dementsprechend
das gleiche Verhältnis auf. Bei einem in der Praxis ausgeführten Schaltungsbeispiel weist η und a den
Wert k bzw. l/k auf, und die Kollektor ströme der Transistoren
5I0, 5II, 512, 513, 5Ik und 515 haben einen Wert von
etwa 99 bzw. 0,3 bzw. o,l bzw. o,4 bzw. o,4 und bzw. o,k
Mikroampere.
Der Kollektorstrom des Transistors 512 wird über einen als
Diode geschalteten seitlichen Transistor 517 dem zeitbestimmenden Kondensator Io zugeführt. Die Klemme 518 am Kollektor
des Transistors 511 kann geerdet oder mit der Klemme
519 verbunden sein, um die Aufladegeschwindigkeit des Kondensators
10 um einen Faktor l/a zu erhöhen ( was gemäß den zuvor gemachten Annahmen einem Faktor k entspricht ).
Diese Schaltung entspricht der in Fig. 1 dargestellten Aufladeschaltung 12. Sdfange der Transistor 520 sich im nichtleitenden
Zustand befindet, ladet der Kollektor strom des Transistors 512 ( und des Transistors 5H, wenn die Klemmen
518 und 519 verbunden sind ) den zeitbestimmenden Kondensator
10 auf.
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Der Kollefctorstrom des Transistors 513 wird im Falle, daß sich
die Transistoren 521 und 522 im nichtleitenden Zustand befinden,
den in Serie geschalteten Transistoren 523 » 524 zugeführt,
die als Diode verdrahtet sind. Ein Stromverstärker 525 Wird durch die Parallelschaltung der Basisemitter-Übergänge
der Transistoren 524 und 520 und durch die negative
Kollektor-Basis-Rückkoppelverbindung 526 des Transistors
524 gebildet. Der Stromverstärker 525 \*eist eine Verstärkung
auf, die dem Verhältnis zwischen den wirksamen Bereichen des Basisemi-cter-Übergangs des Transistors 52o und dem Basisemitter-Übergang
des Transistors 524 gleich ist. In einem
praktischen Ausführungsbeispiel weist diese Stromverstärkung den Faktor 4 auf. Der Kollektorstrom des Transistors 520
bildet den Entladestrom der in Pig. I dargestellten Endladeschaltung
16 „
Im Schaltungsbeispiel gemäß Fig. 5 wird der Schalter, der
die Entladung des Kondensators 10 unterbricht, durch den
Transistor 520 dargestellt. Eine derartige Unterbrechung des
Entladevorganges wird dadurch erreicht, daß die Basis des Transistors 520 auf einen genügend niedrigen Spannungspegel
gebracht wird, sodaß über den Emitter-Kollektorweg des Transistors praktisch kein Strom fliesst, wodurch der Entlade-Schaltkreis
des Kondensators , wie in Fig. 1 dargestellt, geöffnet wird.
Die Unterbrechung des Entladungsweges wird folgendermaßen
vorgenommen. Eine genügend positive Spannung wird an die
Basis des Transistors 521 gelegt, um diese mit einer Vorspannung zu versehen und der Transistor 522 wird stai"k
leitend. Wenn der Transistor 521 leitend ist, befindet sich
der Kollektor auf der VRTJX - Übcrgangsspannung, die an der
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Basis des Transistors 522 auftritt. Diese Spannung ist genügend
groß, um die in Reihe geschalteten und als Dioden verdrahteten Transistoren 523» 524 in den leitenden Zustand
zu versetzen. Dementsprechend ist die Basisemitter-Spannung, die dem Transistor 52o zugeführt wird, zu klein, als daß ein
merklicher Kollektorstrom im Transistor 520 fliessen kann.
Da» über dem zeitbestimmenden Kondensator anliegende Potential
1^cAP tritt an der Klemme 519 auf und wird über den
als Diode geschalteten Transistor 570 der Spannungs-V rgleicheschaltung
20 zugeführt. Die Spannungs-Vergleichsschaltung 20 ist bei diesem Ausführungsbeispiel ein Emittergekoppelter Transistor-Differentialverstärker, der hauptsächlich
aus den Transistoren 531» 53β besteht und derart geschaltet ist, daß er die Spannungen an den Basen dieser
Transistoren vergleicht. An die Basis des Transistors 531 wird eine Spannung gelegt, die der Spannung V"_.p plus dem
Spannungsabfall V™ über der Diode 517 entspricht.
Ein Stromverstärker 536 mit den Transistoren 537 und 538
setzt die Gegentakt-Kollektorströme der Transistoren 531» 532 in einen Eintakt-Strom um, der dem weiteren Schaltkreis
zugeführt wird.
Der Kollektorstrotn IrC1C des Transistors 515 wird einem
aus den Transistoren 53^» 535 und 5^9 bestehenden Stromverstärker
533 zugeführt und die dem Strom Ipe-l=, ProPortionalen
Kollektorströme fliessen in den Transistoren 535 und wenn die Spannung an der Basis des Transistors 531 positiver
als die Spannung an der Basis des Transistors 532 ist, fließt der Kollektorstrom des Transistors 535 über den Kollektor-Emitterweg
des Transistors 531. Der Kollektorstrom des Transistors 531 bewirkt, daß die Spannung an der Basis des Tran-
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sistors 5kl weniger positiv wird, so daß die Basis-Emitter-Verbindung
der Transistoren 5^1$ 5^t2 leitend wird. Der Kollektorstrom
des Transistors 531 fließt als Basisstrom zum Transistor 54l.
Wenn die Spannung an der Basis des Transistors 531 weniger
positiv ist als die Spannung an der Basis des Transistors 532 fließt der Kollektorstrom des Transistors 535 über den
Kollektoremitterweg des Transistors 532. Dieser Strom fließt
zum Eingang des Stromverstärkers 536 und bewirkt, daß Strom
durch deu Transistor 538 fließt* Dadurch wird die Basis des
Transistors 5^1 mit einer Spaniiung beaufschlagt, die an der
Klemme 5ol anliegt , so daß verhindert wird, daß die Transistoren
5^1 und 5^2 in den leitenden Zustand übergehen.
Wenn sich der Transist-or 5^1 im nichtleitenden Zustand befindet,
tritt am Verbindungspunkt 5^3 eine Spannung von etwa
4 V,,_ auf, die über den Widerstand 5^4 an die Basis des Transistors
532 gelegt wird. Diese Spannung mit einem Wert von ^ Vdu wird wie folgt festgelegt. Ein Teil des Kollektorstroms
des Transistors 510 fließt über die als Dioden geschalteten
Transistoren 5^5» 5^6 und über den Widerstand 5^7 zur Leitung
5^8. Ein mit dem als Diode geschalteten Transistor 53^ in
Stromverstärker-Anordnung geschalteter Transistor 5^9 zieht
einen kleinen Teil dieses Stromes ab, sodaß die Ladung, die an der mix dem Widerstand 5^7 in Zusammenhang stehenden Streukapazität
gebildet wird, abgeleitet wird, der übrige Strom fließt aber durch die in Vorwärtsrichtung vorgespannten
Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 551 und 552.
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Der Transistor 552 ist in Vorwärtsrichtung vorgespannt, so
daß dessen Kollektorstrom ( der von dem Verbindungspunkt 5^3 über den Widerstand 553 und über den als Diode geschalteten
Transistor 55k fließt ) den größten Anteil des Stromes
I_ aufweist, der von dem Kollektor des Transistors 510 an den Verbindungspunkt 5^3 geliefert wird. Die Spannung am
Verbindungspunkt 5^3 ist die Summe der Spannungsabfälle
über den als Diode geschalteten Transistoren 5^5 und 5*fc6
( jeweils ein V„E ), über dem Widerstand 5^7 ( der hierbei
auftretende Spannungsabfall ist wesentlich kleiner als 1 V„E , da der Strom, der durch den Widerstand 5k7 fließt,
nicht groß ist ) und durch den Basis-Emitter-Übergang der Transistoren 551 und 552 ( jeweils 1 Vn,, ). Diese Anordnung,
HL·
durch die der Verbindungspunkt 5^3 auf einem Potential von
etwa k ν™, gehalten wird, wenn der Transistor 5^1 sich im
nichtleitenden Zustand befindet, stellt einen Parallelwiderstand dar, wobei der Transistor 552 infolge der über die
Bauelemente 5^5, 5^6 , 547 und 551 verhandenen Kollektor-Basisrückkopplung
als Nebenschlußregler wirkt.
Über dem Widerstand 553 fällt eine Spannung von etwa o,5 VR_
ab, da der Widerstandswert dieses Widerstandes halb so groß ist wie der Wert des Widerstandes 5l6, durch den auch ein
Strom fließt, der etwa so groß ist wie In und an dem ein
Spannungsabfall von 1 V_„ vorhanden ist. Der als Diode geschaltete
Transistor 55^ weist einen Spannungsabfall von 1 V„e auf· Wenn der Verbindungspunkt 5^3 auf einer Spannung
von k V0- liegt, so liegt an der Basis des Transistors 555
also eine Spannung von 2,5 V„E an, wenn der Transistor
nicht leitet.
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Der Emitter des Transistors 555 wird auf einem Potential gehalten, das nicht positiver als 2 Vß„ ist, dadurch, daß die
in Reihe gesch-alteteri Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren
521 und 522 an dem Emitter des Transistors 555 anliegen,
wobei die Transistoren 521 und 522 infolge des Kollektorstroms des Transistors 512 im leitenden Zustand gehalten werden. Dementsprechend
ist der Transistor 555 nicht leitend, wenn der Transistor 5^1 nicht leitend ist. Die große Vorspannung am
Transistor 523 bewirkt, daß der Kollektorstrom an die Basis
des Transistors 5&0 geführt wird, so daß der Transistor 56O
derart vorgesteuert wird, daß an der Last 565 eine Spannung
anliegt. Dadurch, daß der Transistor 521 leitet, wie dies zuvor beschrieben wurde, kann kein Kollektorstrom vom Transistor
52O fliessen.
Wenn die Spannung an der Basis des Transistors 531 also
weniger positiv ist als die Spannung an der Basis des Transistors 532, liegen folgende Zustände vor;
1) Die Transistoren 5^1 und 5^2 befinden sich im nichtleitenden
Zustande,
2) die Transistoren 521 und 522 befinden sich im leitenden Zustand,
3) der Transistor 56O ist vorgespannt und über der Last
565 tritt eine Spannung auf,
4) die Basis des Transistors 532 liegt auf einem Potential von etwa k VßE,
5) der Transistor 520 befindet sich im nichtleitenden Zustand und kann daher den Kondensator 10 nicht entladen, und
6) der Transistor 512 ( und der Transistor 511 im Falle,
daß die Klemmen 5l8 und 519 in Verbindung stehen )
laden den Kondensator 10 auf, sodaß die Spannung über dem Kondensator 10 ansteigt.
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Das Aufladen des Kondensators 10 -wird fortgesetzt, bis die
Spannung an der Basis des Transistors 531 positiver wird als etwa k VßE, die an der Basis des Transistors 532 anliegt.
Dann schaltet die Spannungs-Vergleichsschaltung 20 und versetzt die Transistoren 5^1 und 5^2 in den leitenden Zustand·
Infolge des leitenden Transistors 5^1 steigt die Spannung an
der Leitung 5^8 und am Kollektor des Transistors 54l jeweils
etwas an. Auf diese Weise werden seinerseits die als Dioden geschalteten Transistoren 5^5 und ^k6 vorgespannt. Der Kollektorstrom
des Transistors 5^1 übersteigt den Kollektorstrom
- Bedarf des Transistors 5^9 und verursacht ein Ansteigen des
Basisstromes am Transistor 551· Die Impedanz-Wandlerwirkung des Transistors 551 bewirkt ein Ansteigen des Basisstromes
am Transistor 552 und macht auf diese Weise die NeJ36J13Ci1IuB-wirkung
des Transistors 552 unwirksam. Der Kollektorstrom des Transistors 552 steigt an und drängt die Basis des Transistors
555 auf Erdpotential. Der Potentialabfall über den Bauelementen 553 und 55lt bleibt etwa 1,5 V__ , da der Strom
IQ weiterhin von dem Kollektor des Transistors 510 an diese
Bauelemente geleitet wird. Auf diese Weise beginnt die Spannung am Verbindungspunkt 5^3 der Basisspannung des Transistors
555 zu folgen und fällt auf Erdpotential ab. Dies wiederum
bewirkt, daß die Spannung an der Basis des Transistors 532 bezüglich der Spannung an der Basis des Transistors 531
weniger positiv wird, was zur Folge hat, daß die positive Rückkopplung zu einem Übergang des Potentials am Verbindungspunkt
5^3 von einer Spannung von k V„E zu einem niederen
Wert führt. Diese Mitkopplung verursacht das Schalten der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 wie dies in Verbindung mit
Fig. 1 beschrieben wurde.
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Die Spannung am Kollektor des Transistors 552 muß auf eine
Spannung von etwa 1 VßE über Erdpotential abfallen, bevor
der Basisemitter-Übergang des Transistors 555 leitend wird. Da der Spannungsabfall über den Bauelementen 553 und 554
1,5 Vjjg beträgt, muß die Spannung am Kollektor des Transistors
552 auf etwa 2,5 V_E abgefallen sein, bevor der Transistor
555 zu leiten beginnt· Während dieses Zeitraumes ist der
Kollektorstrom des Transistors 5l4 an die Basis des Transistors 521 geflossen, wodurch die Transistoren 521, 522 und
560 im leitenden Zustand gehalten wurden, und der Transistor
520 im nichtleitenden Zustand war· Der zeitbestimmende Kondensator 10 wurde während dieser Zeit weiterhin aufgeladen, so
daß auf diese Weise ein unerwünschter Gleichgewichtszustand, der im Sägezahngenerator auftreten kann, vermieden wird.
Wenn die Basisspannung am Transistor 555 infolge des ansteigenden Kollektorstroms am Transistor 552 unter 1 V„„ abfällt,
wird der Basis-Emitter-Übergang des Transistors 555 leitend. Wenn der Transistor 552 die Spannung an der Basis des Traneistors
555 näher an das Erdpotential bringt, bewirkt deren Emitterfolgerwirkung,
daß die Basisemitter-Übergänge der Transistoren 521 und 522 gesperrt werden· Der Kollektorstrom
des Transistors 513 fließt über die Emitter-Kollektor-Strecke
des Transistors 555· Oa der Transistor 522 nicht mehr leitet,
und da der Transistor 542 leitet, wird die Spannung an der
Basis des Transistors 560 positiver und sperrt den Transistor
560. Da der Transistor 521 nicht mehr leitend ist, wird der Transistor 52O in den leitenden Zustand versetzt und entlädt
den zeitbestimmenden Kondensator 10.
Die Basisspannung am Transistor 555 nimmt weiterhin ab, weil die Mitkoppelschleife , die aus der Spannungs-Vergleichsschaltung
20 und den Bauelementen 54l, 547, 551 , 552, 554,
553 und 344 besteht, weiterhin wirksam bleibt, und den Tran-
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sistor 552 einen ansteigenden Basistrom zuführt . Der Transistor
552 wird vollständig leitend, wobei sich die Kollektorspannung nahe am Erdpotential befindet.
Der als Diode geschaltete Transistor 554 bewirkt am Kollektor
des Transistors 551 eine genügend hohe Spannung, um den
Kollektor-Basis-Übergang des Transistors 551 nichtleitend zu halten, bis der Transistor 552 in den leitenden Zustand versetzt
werden kann· Auf diese Weise geht keine Stromverstärkung im Transistor 551 verloren, bevor der Basis-Emitter-Übergang
des Transistors 552 genügend vorgespannt ist, daß er in den leitenden Zustand versetzt werden kann. Danach
fließt der aufrechterhaltene Basisstrom vom Transistor 54l
zum Transistor 551 und bringt diesen in den leitenden Zustand. Die Kollektorspannung des Transistors 551 befindet sich danach
auf dem Emitterpotential ( nämlich dem Übergangs-Spannungsabfall von 1 Vn-,, der über dem Basisemitter-Übergang
des Transistors 552 auftritt ). Der Kollektorstrom im Transiior 552 kann den Strom In , der über den Schaltungspunkt
5^3 und den Widerstand 553 zugeleitet wird, nicht übersteigen,
so daß der Leistungsverlust im Transistor 522 nicht übermässig
groß werden kann.
Venn die Spannung an der Basis des Transistors 531 also positiver
ist als die Spannung an der Basis des Transistors 532» liegen folgende Zustände vor:
1) Die Transistoren 5^1 und 5^2 sind leitend,
2) die Transistoren 521 und 522 sind nicht leitend,
3) der Transistor 56O ist vorgepsannt derart, daß an der
Last 565 keine Spannung anliegt,
4) die Basis des Transistors 532 liegt auf einem Potential von etwa 1,5 VRg»
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5) die als Dioden geschalteten Transistoren 5^5 und
sind infolgedessenf daß deren BasLs-Emitter-Übergänge
gesperrt sind, nicht leitend, wobei die' Kollektorspannung
aes Transistors 5kl die Spannung von 2 V131,
am Schaltungspunkt 5^8 übersteigt und die Spannung am
Schaltungspunkt 5^3 nur 1,5 VßE ist, und
6) der Transistor 520 leitet und entlädt den Kondensator
10.
Die Entladung des Kondensators 10 wird fortgesetzt, bis die Spannung an der Basis des Transistors 531 weniger positiv wird
als die Spannung von 1,5 Vrr an der Basis **es Transistors
532· Dann schaltet die Spannungs-Vergleichsschaltung 20 den
Transistor 538 in den leitenden Zustand und die Transistoren
und 5^2 werden nichtleitend.
Wenn der Kollektor des Transistors 5^1. keinen Strom führt,
bringt der Kollektorstrom des Transistors 5^9 den Schaltungspunkt 5^8 näher an das Erdpotential heran, so daß sich die
Spannung am Schaltungspunkt 5^8 erniedrigt und die Transistoren
551 und 552 nur noch beschränkt leiten· Der Kollektorstrom IQ des Transistors 510 übersteigt die gemeinsamen Kollektorströme
der Transistoren 551 und 552. Die Spannung am Schaltungspunkt 5^3 steigt an und die Basisspannung des
Transistors 555 folgt diesem Spannungsanstieg mit einem
Spannungsabfall von 1,5 Vn-, , der über den Bauelementen
OEj ,
553 und 55k auftritt. Um den Transistror 555 in den nicht
leitenden Zustand zu versetzen, muß dessen Basisspannung von der Kollektor-Durchlaßspannung des Transistors 552
( die eine Spannung von nur etwa o,l Volt aufweist ) auf etwa 1 V_E ansteigen. Auf diese Weise steigt die Spannung
am Schaltungspunkt 5^3 auf etwa 2,5 V__ an, bevor der
Uli,
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- 2k -
Transistor 555 beginnt nichtleitend zu werden«
Der Transistor 520 , der den Kondensator IO entlädt, bis der
Transistor 555 in den nichtleitenden Zustand versetzt wird,
hat die Spannung über dem Kondensator 10 auf einen Spannungswert von weniger als 1,5 V„E verringert, während die Spannung
am Schaltungspunkt 5^3 auf 2,5 V"B„ angestiegen, ist.
Die Spannungsvergleicbsschaltung 20 wird daher sicher in den
Zustand gebracht, bei dem der Transistor 532 leitet , und
bei dem der Transistor 555 und damit auch der Transistor 520 nicht leitet. Dies ist gerade der Mitkoppel-Zustand, der
im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben worden war.
Der Kollektorstrom I0 des Transistors 510 läßt die Spannung
an dem Schaltungspunkt 5^3 weiter ansteigen, so daß die als
Dioden geschalteten Transistoren 5^5 und 5^6 in den leitenden
Zustand versetzt werden. Der Transistor 552 wirkt wieder als Nebenschluß-Widerstand und hält den Schaltungspunkt 5^3 auf
einem Potential von etwa 4 Vo„.
DL·
Der Schwellwertdetektor wird bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig· 5 durch den Transistors 555 dargestellt, der feststellt,
ob der Strom, der vom Kollektor des Transistors 51^ kommt, erstens an die Basis-Emitter-Dbergänge der Transistoren
521, 522 oder zweitens durch die eigene Emitter-Kollektorstrecke
des Transistors 51^ fließt. Der Schwellwert des
Detektors wird gekreuzt, wenn die Basis des Transistors 555 die Spannung + 1 VRli, kreuzt. Diese Schwellwert spannung wird
durch die V_p - Übergangsspannungen an den Basis-Emitter-Übergängen
der Transistoren 522,521un-d 555 festgelegt.
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Die Spannung, die an der Leitung 500 erforderlich ist, um
den Sägezahngenerator zu betreiben, beträgt nur etwa 5Vn,,,
etwas mehr als 3 Volt, wenn Silizium-Transistoren verwendet
werden. Die Basis der Transistoren 531 und 532 müssen auf eine Spannung von 4 V„, ansteigen können. Daher müssen die
Basen der Transistoren. 51o und 51^ auf einer positiveren
Spannung als 3 VR„ liegen, um die Kollektor-Basisübergänge
gesperrt zu halten. Die Spannung an der Leitung 5,00 ist um 2 VBE höher als die Spannung, die durch die Übergangsspannung
der als Dioden geschalteten Transistoren 5°^i 5°5» 5°6 und
5o7 vorgegeben ist. Die Betriebsströme , die für den Sägezahngenerator
erforderlich sind, sind sehr gering, hauptsächlich bestehen diese Betriebsströme aus dem über dem
Widerstand 5l6 fliessenden Strom von o,l Milliampere und dem
Ruhestrom der Stromschaltung 50 bis zum Ruhestrom des Schaltkreises.
Bei einem Ausführungsbeispiel weist der zeitbestimmende Kondensator
10 eine Gesamtkapazität von 11 Pikofarad auf, die durch die Kollektor-Trägermaterial-Kapazität des Transistors
520 gebildet wird. Ein Impuls von 10 Mikrosekunden tritt an der Last 5^3 auf, mit einer Wiederholungsfolge von k0 Mikrosekunden,
wenn die Klemme 518 an Erde liegt und einer Wiederholungsfolge
von 130 Mikrosekunden, wenn die Klemme 518 mit
der Klemme 519 in Verbindung steht. Mit einem äusseren Kondensator
, der zwischen die Klemme 519 und einer ( nicht
dargestellten ) Erdklemme gelegt ist, kann die Oszillatorfrequenz weiter verringert werden. Die Klemme 519 kann mit
der Klemme 5ol kurz geschlossen werden, um die Sägezahnschwingungen
anzuhalten.
Bei bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, soweit sie hier beschrieben worden sind, wurde eine konstante
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Strom- Aufladeschaltung und eine Abschaltbare Strom-Entladeschaltung
verwendet. Umgekehrt kann auch eine abschaltbare Stromauflade-Schaltung und eine konstante Strom-Entladeschaltung
verwendet werden. Es können auch beide Schaltungen abwechselnd
angeschaltet werden, um den zeitbestimmenden Kondensator
10 aufzuladen und zu entladen. Darüberhinaus müssen die genannten Schaltungen nicht notwendig Konstantstrom-Schaltungen
sein·
Der Sägezahngenerator 500 ist für die Erzeugung verschiedener
Arten modulierter Trägerwellen gut geeignet, wenn er in geeigneter Weise abgeändert wird. Wenn es wünschenswert erscheint,
die Frequenz des Sägezahngenerators 500 in Abhängigkeit eines modulierenden Signals zu modulieren, so werden die Transistoren
5H»512 und 513 nicht mit einer festliegenden Vorspannung
von der Stromquelle 50 vorgespannt, wie dies in Fig. 5
dargestellt ist. Die Transistoren 511,512 und 513 sind für
diesen Fall vielmehr so angeordnet, daß deren Kollektorströme im umgekehrten Verhältnis zu dem modulierenden Signal moduliert
werden.
Wenn es wünschenswert erscheint, daß die Impulsdauer moduliert werden soll, wird der Kollektorstrom des Transistors 513 in
Abhängigkeit zum modulierenden Signal moduliert , und die Transistoren 511 und 512 sind wie in Fig. 5 angeordnet, um
einen konstanten Kollektorstrom zuschaffen. Wenn eine Impulslagen-Modulation gewünscht wird, sind die Transistoren 511
und 512 so geschaltet, daß deren Kollektorströme in Abhängigkeit
von dem modulierenden Signal moduliert werden, und der Transistor 513 einen konstanten Kollektorstrom führt. Im
Falle, daß eine Impulsfrequenz-Modulation gewünscht wird, werden die Kollektorströme im umgekehrten Verhältnis zum
modulierenden ^ignal moduliert, während der Kollektorstrom
des Transistors 513 konstant gehalten wird.
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Fig. 6 zeigt eine Modulatorschaltung 60, die dazu verwendet werdeii kann, die Transistoren 5H*512, und 513 niit einer
Vorspannung zu versehen, derart, daß die Frequenz oder die Periode der Sägezwahnschwingungen moduliert werden kann« Die
Transistoren 5Hi512 und 513 sind in diesem Falle nicht mehr
in der Stromquelle 50 enthalten, sondern vielmehr in einer
Stromquelle 60. Von einem Stromgenerator 603 fließt ein Strom I. über den als Diode geschalteten Transistor 606 und es tritt
über diesem Transistor 606 eine Vm*- Übergangsspannung
VgE £ r .. auf. Von einer Stromquelle 6o4 fließt ein Strom I„
über den als Diode geschalteten Transistor 608 und über diesem Transistor 608 tritt eine V„„- Übergangsspannung VRE r ο auf.
über den als Diode geschalteten Transistor 605 fließt dementsprechend
ein Strom, der aus der Summe der Ströme Ia+Id besteht,
und es entsteht über dem Transistor 605 eine Übergangsspannung VQE
Die Basisspannungeu der Transistoren 5H| 512, 513 und des
Transistors 6I0 sind von der Spannung an der Klemme 5ol
um die Spannungen V. bzw. V_ abgeändert, wobei die Spannungen
VÄ und Vn jeweils einen Spannungswert von 2 V-,, besitzen.
Die Emitter-Potentiale dieser Transistoren unterscheiden sich von der Spannung an der Klemme 5ol durch den Spannungswert
1 V__« Diese 1 VB_-Übergangsspannung , die über den
Widerstand 616 aufgeprägt wird, bewirkt durch den Widerstand
616 gemäß dem Ohm1sehen Gesetz einenStrom I„. Der Strom
I_ wird in zwei Ströme aufgeteilt, wobei der Strom I über
die Basis - Emitter-Übergänge der Transistoren 511,512 und 513 und der Strom I„ über den Basis-Emitter-Übergang des
Transistors 610 fließt.
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- 2ο -
Die Aufteilung der Ströme I und I wird erstens von den
X 2
relativen Stromwerten I. und IR , sowie zweitens durch die
Verhältnisse der Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 511j512, 513»606, 608 und 6I0 bestimmt. Dabei kann angenommen
werden, daß diese Transistoren gleiche Diffusionsprofile aufweisen, sodaß deren Verhältnisse bezüglich der Basis-Emitter-Übergänge
durch ihre relativen Bereiche ausgedrückt werden kann· Der Basis-Emitter-Übergang des Transistors 606
besitzt einen Bereich A,- , , der η mal so groß ist wie der
Basis-Emixter-Bereich A/- η des Transistors 608. Der Basis-Emitter-Übergang
des Transistors 6I0 ist mit einem Bereich A/--, hergestellt, der η mal so groß ist wie die Bereiche der
Basis-Emitter-Übergänge der* Transistoren 5H»512, und 513
zusammen.
Die Abhängigkeit, durch die die Dioden - Betriebsweise mit Halbleiter-Übergängen festgelegt wird, ist allgemein bekannt
und lautet:
V = in (1)
in dieser Gleichung bedeutet 1
V die Übergangsspannung an der Diode ( V_p im Folie eines
Traneistors )f
k die Boltsmaim -Konstante ,
T die absolute Temperatur
q die Elektronenladung
I der Strom durch den Übergang ( im Falle eines Traneistors ist dies der Emitterstrom),
T die absolute Temperatur
q die Elektronenladung
I der Strom durch den Übergang ( im Falle eines Traneistors ist dies der Emitterstrom),
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A der Bereich ds* Halhleiterübergangs ( im Falle eines Transistors
i»t dies der Bei8-E«itter-Übergangsbereich) und
TT
J di· Sättigunga·Stromdichte in dem alble it erÜbergang.
Geht nan von dieser Gleichung aus, so kann die Größe I
in der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 6 durch die nachfolgend
angeführte angenäherte Gleichung ausgedrückt werden»
mn B
I. ist der StTOm1 der die Periode der SägeZahnschwingungen
in den Sägezahngenerator 500 , wie er in der Schaltungsanordnung
gemuß Fig. 6 dargestellt ist, festliegt. Wenn
X. konstant gehalten und IR moduliert wird, so wird die
^ägez-ahnachwingung im Verhältnis zu den Änderungen von
Ι« frequenzmoduliert. Menn umgekehrt I„ konstant gehalten
und I. moduliert wird, wird die Periode der Sägezahnschwingungen XB Verhältnis zu den Änderungen von I- moduliert.
Die im vorangegangenen Absatz besprochenen Herleitungen können folgendermaßen fortgeführt werden:
409881/0891
rA 3 VBE6o5 + VBE6o6 (3)
rB ~ VBE6o5 + VBE6o8
VA - VB - VBE6o6
VA- | VB | kT | - In | 1A | J O |
kT | In | 1B | Jo | (6) |
VA- | V a | kT | In ι-η | 6o6o | q | In - | A6o8 | (7) | ||
1A | kT | 1B | ||||||||
608
lT1
1A
In-- (8)
q nl
Diese Gleichung legt die Spannung fest, die vom Differentialverstärker
verstärkt werden soll, wobei der Differentialverstärker aus den Transistoren 5H>512 und 513 besteht,
die mit dem Transistor 610 zusammenwirken.
H6l6 VA a 1^616 + VBE511 (9)
R6l6 VB = V616 + VBE6l0 (10)
V V -m V V
VA VB VBB511 BE 610 (ll)
409881/0891
I I (12)
ln (A+A+ AJ " q
Ά 'B - q -" (A51J+A512+ A5l3)Jo q A,, J
OXO
mnIB
2A
409881/0891
V- - Vn * -^£~ In "1 - -~- In
AB q q
A6lp Jo
m
VA -Vn --JSE-. in Jfi
{14)
AB T
q I
—— ln 1I = kT ' I.
α __—.__ . . χη A
~ (15) B
Wenn I sehr viel kleiner als I gemacht wird, ist I
JL ^u
praktisch gleich I_, sodaß man den häherungsweisen Ausdruck
erhält, der zuvor in Gleichung 2 angegeben wide.
Der Fehler in Prozent ist bei dieser Näherungsgleichung
100 I / I . Der Gleichung l6 ist zu entnehmen, daß dieser χ &
Fehler durch entsprechende Wahl der Größen m.n und IA/I„
A rJ
auf jeden gewünschten Wert verringert werden kann. Diese Wahl sollte so vorgenommen werden, daß I. wesentlich kleiner
als I0 ist, d.h. I soll nur ein kleiner Bruchteil von I_
sein.
409881/0891
Claims (2)
- Patentans p.r ü c h e1J Sägezahngenerator mit einer Spannungs-Vergleichsschaltung, die einen ersten und einen zweiten Eingang, sowie einen Ausgang aufweist, und ein Ausgangssignal mit einem ersten oder zweiten Spannungswert in Abhängigkeit davon liefert, welcher der Eingänge in Bezug zueinander auf einem positiveren Potential liegt, mit einem Kondensator, der mit dem ersten Eingang verbunden ist, mit Schaltungseinrichtungen, die dem zweiten Eingang eine Bezugsspannung zuführen, wobei die Bezugsspannung in Abhängigkeit vom Spannungswert des Ausgangssignals entweder einen ersten oder einen zweiten Spannungswert aufweist, und mit Steuerschaltungen, die im einen Schaltungs-zustand den Kondensator aufladen und im anderen Schaltungszustand den Kondensator entla-den, dadurch gekennzeichnet , daß der Schaltungszustand dieser Steuerschaltungen ( 12, l4, l6 ) durch das Ausgangssignal einer aus konzentrierten Schaltungselementen bestehenden Verzögerung sschaltung ( 40 ) gesteuert wird, wobei die Verzögerungsschaltung ( kO ) in Abhängigkeit von einer Spannungswert-Änderung entweder der Bezugsspannung oder des von der Vergleichsschaltung ( 20 ) gelieferten Ausgangssignals das die Steuerschaltungen ( 12, Ik1 l6 ) steuernde Signal verzögert.
- 2. Sägezahngenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Eingang der aus konzentrierten Schaltungselementen bestehenden Verzögerungsschaltung ■( ^O ) mit dem zweiten Eingang ( 26-) der Vergleichsschaltung ( 20 ) und der Ausgang mit den Steuerschaltungen ( 12, lk, l6 ) verbunden ist.409881/08913· Sägezahngenerator nach Anspruch 1,dadurch g e kennzei chnet, daß der Eingang der aus konzentrierten Schaltungselementen bestehenden Verzögerungsschaltung ( 40 ) mit dem Ausgang (2^) der Vergleichsschaltung ( 2o ) und der Ausgang mit den Steuerschaltungeu ( 1.21 l4, l6 ) verbunden ist.k. Sägezahngenerator nach Anspruch 1,dadurch ge kennze i chne t, daß die aus konzentrierten Schaltungselementen bestehende Verzögerungsschaltung ( kO ) einen Schwellwertdetektor ( 555 ) aufweist, dessen Eingang mit dem zweiten Eingang ( 26 ) der Vergleichsschaltung ( 20 ) verbunden ist, und daß ein Schwellwert zwischen dem ersten und zweiten Bezugs-Spannungswert liegt,409881 /0891
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00365840A US3831113A (en) | 1973-06-01 | 1973-06-01 | Relaxation oscillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2426394A1 true DE2426394A1 (de) | 1975-01-02 |
DE2426394B2 DE2426394B2 (de) | 1976-05-20 |
Family
ID=23440587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742426394 Withdrawn DE2426394B2 (de) | 1973-06-01 | 1974-05-31 | Saegezahngenerator |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3831113A (de) |
JP (1) | JPS5227022B2 (de) |
AU (1) | AU6939674A (de) |
DE (1) | DE2426394B2 (de) |
FR (1) | FR2232136B1 (de) |
GB (1) | GB1465540A (de) |
IT (1) | IT1014659B (de) |
NL (1) | NL7407050A (de) |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3893036A (en) * | 1973-07-27 | 1975-07-01 | Tektronix Inc | Precision function generator |
US3904988A (en) * | 1974-09-11 | 1975-09-09 | Motorola Inc | CMOS voltage controlled oscillator |
US4205279A (en) * | 1977-09-12 | 1980-05-27 | Motorola, Inc. | CMOS Low current RC oscillator |
JPS5826852B2 (ja) * | 1978-03-01 | 1983-06-06 | 株式会社東芝 | 定振幅ランプ電圧発生回路 |
JPS54134544A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | Oscillator circuit |
JPS54161256A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Horizontal oscillation circuit |
DE2912492A1 (de) * | 1979-03-29 | 1980-10-09 | Siemens Ag | Monolithisch integrierbarer rechteckimpulsgenerator |
US4247890A (en) * | 1979-04-24 | 1981-01-27 | General Electric Company | Reversible inverter system having improved control scheme |
US4263567A (en) * | 1979-05-11 | 1981-04-21 | Rca Corporation | Voltage controlled oscillator |
US4292604A (en) * | 1979-08-20 | 1981-09-29 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Relaxation oscillator with plural constant current sources |
US4374366A (en) * | 1980-12-29 | 1983-02-15 | Motorola, Inc. | Integrated horizontal oscillator employing an on-chip capacitor for use in a television receiver |
DE3114761A1 (de) * | 1981-04-11 | 1982-10-28 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Demodulatorschaltung |
US4449059A (en) * | 1981-07-13 | 1984-05-15 | Tektronix, Inc. | Triangle waveform generator having a loop delay compensation network |
JPS5827432A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | Matsushita Electronics Corp | タイマ集積回路 |
US4413238A (en) * | 1981-08-31 | 1983-11-01 | Motorola, Inc. | Precision differential relaxation oscillator circuit |
US4377790A (en) * | 1981-08-31 | 1983-03-22 | Motorola, Inc. | Precision differential relaxation oscillator circuit |
DE3329242A1 (de) * | 1983-08-12 | 1985-02-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zum ueberpruefen des zeitlichen abstands von rechtecksignalen |
DE3334592C2 (de) * | 1983-09-24 | 1985-07-11 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau | Funktionsgenerator |
JPS60128708A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Toshiba Corp | 発振回路 |
GB2159358B (en) * | 1984-05-23 | 1988-06-08 | Stc Plc | Comparator circuit |
IT1215369B (it) * | 1987-02-25 | 1990-02-08 | Sgs Microelettronica Spa | Generatore di segnali periodici con andamento esponenziale, in particolare per alimentatori a commutazione. |
JPH048668Y2 (de) * | 1988-11-08 | 1992-03-04 | ||
JP2763393B2 (ja) * | 1990-09-26 | 1998-06-11 | 富士通株式会社 | 定電流回路および発振回路 |
US5128634A (en) * | 1990-10-29 | 1992-07-07 | Motorola, Inc. | Oscillator cirucit independent or parasitic capacitors |
DE4438671C1 (de) * | 1994-10-28 | 1996-05-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Umrichters |
US5592111A (en) * | 1994-12-14 | 1997-01-07 | Intel Corporation | Clock speed limiter for an integrated circuit |
US5629644A (en) * | 1995-07-28 | 1997-05-13 | Micron Quantum Devices, Inc. | Adjustable timer circuit |
JP3023776B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2000-03-21 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 遅延回路 |
JP3567747B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2004-09-22 | 富士通株式会社 | 電圧制御発振器及び周波数−電圧変換器 |
US8160864B1 (en) | 2000-10-26 | 2012-04-17 | Cypress Semiconductor Corporation | In-circuit emulator and pod synchronized boot |
US8149048B1 (en) | 2000-10-26 | 2012-04-03 | Cypress Semiconductor Corporation | Apparatus and method for programmable power management in a programmable analog circuit block |
US8176296B2 (en) | 2000-10-26 | 2012-05-08 | Cypress Semiconductor Corporation | Programmable microcontroller architecture |
US8103496B1 (en) | 2000-10-26 | 2012-01-24 | Cypress Semicondutor Corporation | Breakpoint control in an in-circuit emulation system |
US6724220B1 (en) | 2000-10-26 | 2004-04-20 | Cyress Semiconductor Corporation | Programmable microcontroller architecture (mixed analog/digital) |
US7765095B1 (en) | 2000-10-26 | 2010-07-27 | Cypress Semiconductor Corporation | Conditional branching in an in-circuit emulation system |
US7005933B1 (en) * | 2000-10-26 | 2006-02-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Dual mode relaxation oscillator generating a clock signal operating at a frequency substantially same in both first and second power modes |
US6859762B2 (en) | 2001-07-03 | 2005-02-22 | Mitutoyo Corporation | Low voltage low power signal processing system and method for high accuracy processing of differential signal inputs from a low power measuring instrument |
US6747500B2 (en) | 2001-10-19 | 2004-06-08 | Mitutoyo Corporation | Compact delay circuit for CMOS integrated circuits used in low voltage low power devices |
US7406674B1 (en) | 2001-10-24 | 2008-07-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Method and apparatus for generating microcontroller configuration information |
US8078970B1 (en) | 2001-11-09 | 2011-12-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Graphical user interface with user-selectable list-box |
US8042093B1 (en) | 2001-11-15 | 2011-10-18 | Cypress Semiconductor Corporation | System providing automatic source code generation for personalization and parameterization of user modules |
US7774190B1 (en) | 2001-11-19 | 2010-08-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Sleep and stall in an in-circuit emulation system |
US7770113B1 (en) | 2001-11-19 | 2010-08-03 | Cypress Semiconductor Corporation | System and method for dynamically generating a configuration datasheet |
US8069405B1 (en) | 2001-11-19 | 2011-11-29 | Cypress Semiconductor Corporation | User interface for efficiently browsing an electronic document using data-driven tabs |
US6971004B1 (en) | 2001-11-19 | 2005-11-29 | Cypress Semiconductor Corp. | System and method of dynamically reconfiguring a programmable integrated circuit |
US7844437B1 (en) | 2001-11-19 | 2010-11-30 | Cypress Semiconductor Corporation | System and method for performing next placements and pruning of disallowed placements for programming an integrated circuit |
US8103497B1 (en) | 2002-03-28 | 2012-01-24 | Cypress Semiconductor Corporation | External interface for event architecture |
US7308608B1 (en) | 2002-05-01 | 2007-12-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Reconfigurable testing system and method |
US7761845B1 (en) | 2002-09-09 | 2010-07-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Method for parameterizing a user module |
JP3809871B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2006-08-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | オシレータ |
US7295049B1 (en) | 2004-03-25 | 2007-11-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Method and circuit for rapid alignment of signals |
US8286125B2 (en) | 2004-08-13 | 2012-10-09 | Cypress Semiconductor Corporation | Model for a hardware device-independent method of defining embedded firmware for programmable systems |
US8069436B2 (en) | 2004-08-13 | 2011-11-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Providing hardware independence to automate code generation of processing device firmware |
ITMI20042052A1 (it) * | 2004-10-28 | 2005-01-28 | St Microelectronics Srl | Oscillatore e relativo metodo di funzionamento |
US7332976B1 (en) | 2005-02-04 | 2008-02-19 | Cypress Semiconductor Corporation | Poly-phase frequency synthesis oscillator |
US7400183B1 (en) | 2005-05-05 | 2008-07-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Voltage controlled oscillator delay cell and method |
WO2007001255A1 (en) * | 2005-06-15 | 2007-01-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated relaxation voltage controlled oscillator and method of voltage controlled oscillation |
US8089461B2 (en) | 2005-06-23 | 2012-01-03 | Cypress Semiconductor Corporation | Touch wake for electronic devices |
US8035455B1 (en) | 2005-12-21 | 2011-10-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Oscillator amplitude control network |
US8085067B1 (en) | 2005-12-21 | 2011-12-27 | Cypress Semiconductor Corporation | Differential-to-single ended signal converter circuit and method |
US8067948B2 (en) | 2006-03-27 | 2011-11-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Input/output multiplexer bus |
US8026739B2 (en) | 2007-04-17 | 2011-09-27 | Cypress Semiconductor Corporation | System level interconnect with programmable switching |
US8130025B2 (en) | 2007-04-17 | 2012-03-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Numerical band gap |
US8040266B2 (en) | 2007-04-17 | 2011-10-18 | Cypress Semiconductor Corporation | Programmable sigma-delta analog-to-digital converter |
US9564902B2 (en) | 2007-04-17 | 2017-02-07 | Cypress Semiconductor Corporation | Dynamically configurable and re-configurable data path |
US8516025B2 (en) | 2007-04-17 | 2013-08-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Clock driven dynamic datapath chaining |
US8092083B2 (en) | 2007-04-17 | 2012-01-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Temperature sensor with digital bandgap |
US7737724B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-06-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Universal digital block interconnection and channel routing |
US8065653B1 (en) | 2007-04-25 | 2011-11-22 | Cypress Semiconductor Corporation | Configuration of programmable IC design elements |
US9720805B1 (en) | 2007-04-25 | 2017-08-01 | Cypress Semiconductor Corporation | System and method for controlling a target device |
US8266575B1 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Systems and methods for dynamically reconfiguring a programmable system on a chip |
US8049569B1 (en) | 2007-09-05 | 2011-11-01 | Cypress Semiconductor Corporation | Circuit and method for improving the accuracy of a crystal-less oscillator having dual-frequency modes |
US9448964B2 (en) | 2009-05-04 | 2016-09-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Autonomous control in a programmable system |
US8026770B2 (en) * | 2009-07-01 | 2011-09-27 | Synaptics, Inc. | Relaxation oscillator |
US20110050308A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-03 | Grenergy Opto, Inc. | Standby power reduction method and apparatus for switching power applications |
TWI405403B (zh) * | 2010-07-14 | 2013-08-11 | Anpec Electronics Corp | 電流控制電路、ab類運算放大器系統及電流控制方法 |
US10135428B2 (en) | 2016-08-31 | 2018-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for a low power relaxation oscillator |
EP3490147B1 (de) * | 2017-11-28 | 2024-04-10 | ams AG | Relaxationsoszillator mit einer technik zur reduktion des alterungseffekts |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3617769A (en) * | 1969-03-12 | 1971-11-02 | Hewlett Packard Co | Wave generator having frequency-dependent trigger level for correction of loop delay |
US3621282A (en) * | 1970-03-26 | 1971-11-16 | Us Navy | Sawtooth generator with a ramp-bias voltage comparator |
-
1973
- 1973-06-01 US US00365840A patent/US3831113A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-05-24 GB GB2330074A patent/GB1465540A/en not_active Expired
- 1974-05-27 AU AU69396/74A patent/AU6939674A/en not_active Expired
- 1974-05-27 NL NL7407050A patent/NL7407050A/xx unknown
- 1974-05-31 JP JP49062467A patent/JPS5227022B2/ja not_active Expired
- 1974-05-31 DE DE19742426394 patent/DE2426394B2/de not_active Withdrawn
- 1974-05-31 IT IT23457/74A patent/IT1014659B/it active
- 1974-06-04 FR FR7419157A patent/FR2232136B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7407050A (de) | 1974-12-03 |
AU6939674A (en) | 1975-11-27 |
US3831113A (en) | 1974-08-20 |
GB1465540A (en) | 1977-02-23 |
FR2232136B1 (de) | 1978-01-20 |
DE2426394B2 (de) | 1976-05-20 |
JPS5033754A (de) | 1975-04-01 |
FR2232136A1 (de) | 1974-12-27 |
JPS5227022B2 (de) | 1977-07-18 |
IT1014659B (it) | 1977-04-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BHJ | Nonpayment of the annual fee |