DE2426394B2 - Saegezahngenerator - Google Patents
SaegezahngeneratorInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Sägezahngenerator mit einer Spannungs-Vergleichsschaltung, die
einen ersten und einen zweiten Eingang, sowie einen Ausgang aufweist, und ein Ausgangssignal mit einem
ersten oder zweiten Spannungswert in Abhängigkeit davon liefert, welcher der Eingänge in Bezug zueinander
auf einem positiveren Potential liegt, mit einem Kondensator, der mit dem ersten Eingang verbunden ist,
mit Schaltungseinrichtungen, die dem zweiten Eingang eine Bezugsspannung zuführen, wobei die Bezugsspannung
in Abhängigkeit vom Spannungswert des Ausgangssignals entweder einen ersten oder einen zweiten
Spannungswert aufweist, und mit Steuerschaltungen, die im einen Schaltungszustand den Kondensator aufladen
und im anderen Schaltungszustand den Kondensator entladen. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung
einen Sägezahngenerator, der in monolithischer, integrierter Bauweise hergestellt werden kann.
Es sind Sägezahngeneratoren bekannt, bei denen die Spannung, die über einem zeitbestimmenden Kondensator,
der periodisch aufgeladen und entladen wird, mii einer Bezugssignalspannung verglichen wird, um ein
Ausgangssignal zu erhalten. Das Ausgangssignal weist ίο in Abhängigkeit davon, ob die Spannung über den;
zeitbestimmenden Kondensator positiver oder negativer als die Bezugssignalspannung ist, einen ersten oder
zweiten Wert auf. Wenn das Ausgangssignal der Vergleichsschaltung den Spannungswert ändert, wird
dadurch auch eine Spannungswertänderung der Bezugssignalspannung verursacht Dementsprechend legt ein
Steuersignal, das vom Ausgangssignal der Vergleichsschaltung abhängt, fest, ob der zeitbestimmende
Kondensator während des nachfolgenden Teils der
zo Schwingungsperiode aufgeladen oder entladen wird.
Der Erfindung liegt nun die Erkenntnis zugrunde, daß diese Festlegung nach einer geeigneten zeitlichen
Verzögerung vorgenommen werden muß, nachdem das Bezugssignal den Spannungswert geändert hat. Wenn
eine derartige Verzögerung nicht vorhanden ist, kann ein Gleichgewichtszustand auftreten, bei dem keine
weiteren Schwingungen mehr entstehen. In diskreten Schaltungen ist diese Verzögerung naturgemäß durch
die Kapazität der Elektroden der Halbleiterelemente
und durch die Leitungsinduktivitäten vorhanden. Infolgedessen treten bei diskreten Schaltungen diese
unerwünschten Gleichgewichtszustände nicht in Erscheinung. Dies ist wahrscheinlich auch der Grund, daD
beim Bau diskreter Schaltungen keine Verzögerung benötigt wurde. In integrierten Schaltungen sind diese
Voraussetzungen für eine Verzögerung nicht vorhanden, und es müssen zusätzliche Maßnahmen vorgesehen
werden, um eine derartige Verzögerung zu schaffen. Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ir
einem in integrierter Bauweise aufgebauten Sägezahn gene; ator eine derartige Verzögerung zu schaffen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst daß der Schaltungszustand dieser Steuerschaltung^
durch das Ausgangssignal einer aus konzentrierter Schaltungselementen bestehenden Verzögerungsschal
tung gesteuert wird, wobei die Verzögerungsschaltung in Abhängigkeit von einer Spannungswert-Änderun^
entweder der Bezugsspannung oder des von dei Vergleichsschaltung gelieferten Ausgangssignals das die
Steuerschaltungen steuernde Signal verzögert.
Weitere Ausgestaltungen und Merkmale der Erfin
dung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungcr beispielsweise näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 ein schematisches Blockdiagramm einei
Schaltung, in der die vorliegende Erfindung cnthalter sein kann,
Fig.2 ein Zeitdiagramm, an Hand dessen die Erfordernisse für die zeitliche Verzögerung bei dei
Betriebsweise der Schaltung beschrieben wird,
F i g. 3 die Ansprechcharakteristik eines Schwellwert detektors, der so vorgespannt ist, daß er die
erforderliche Verzögerung schafft, F i g. 4 ein Zeitdiagramm, das die Betriebsweise de:
Schwellwertdetektors bei der Erzeugung der erforderli
chen Zeitverzögerung darstellt,
F i g. 5 ein Schaltschema einer bevorzugten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung und
Fig.6 ein Schaltschema einer weiteren Schaltungsanordnung,
die im Sägezahngenerator, der in F i g. 5 dargestellt ist, verwendet werden kann, wenn die
frequenz des Ausgangssignais dieses Sägezahngenerator
moduliert werden soll.
In Fig. 1 ist ein zeitbestimmender Kondensator 10 mit einer »AufladeK-Schaltung 12 verbunden. Der
Kondensator 10 kann über einen Schalter 14 mit einer »Entladeschaltung 16 verbunden werden. Der Schalter
14 wird elektrisch gesteuert, wie dies nachfolgend beschrieben werden wird. Die von den Schaltungen 12
und 16 gelieferten Gleichströme weisen entgegengesetzte Polarität auf, und es sei angenommen, daß der
Gleichstrom von der Schaltung 12 positiv und von der Schaltung 16 negativ ist. Der von der Schaltung 16
gelieferte Strom weist einen größeren Wert auf als der von der Schaltung 12 gelieferte Strom.
Wenn der Schalter 14 im »offenen« Zustand ist, wenn die Schaltung 16 also nicht mit dem Kondensator 10 in
Verbindung steht, liefert die Schaltung 12 an den Kondensator 10 einen Strom positiver Polarität Als
Folge davon wird dem Kondensator 10 Ladung zugeführt, so daß sich die Spannung Vcap am
Kondensator 10 gemäß dem Coulombschen Gesetz erhöht.
Wenn der Schalter 14 geschlossen ist bzw. sich im »Entlade«-Zustand befindet, wird nur ein Teil des von
der Schaltung 16 aufgenommenen Stromes von der Schaltung 12, die einen kleineren Strom liefert,
zugeführt. Der übrige von der Schaltung 16 aufgenommene
Strom muß vom Kondensator 10 kommen. Als Folge davon wird Ladung vom Kondensator 10
entfernt, so daß sich die Spannung Vcap gemäß dem Coulombschen Gesetz verringert.
Wenn der Schalter 14 mit sich wiederholenden Intervallen gleicher Zeitdauer geschaltet wird, wird die
Wellenform der Spannung über dem Kondensator 10 sägezahnförmig sein. Es wird eine Spannungs-Vergleichsschaltung
20 verwendet, um die Spannung über dem Kondensator 10 abzufühlen und zu bestimmen.
wenn das Schalten durchgeführt werden soll. Die Spannungs-Vergleichsschaltung 20 besitzt einen Anschluß
22, um die Kippschwingungen vom Oszillator zu anderen Schaltungsteilen zu führen. Die Spannungs-Vergleichsschaltung
2o ist weiterhin mit einer Ausgangsleistung 24 versehen, an der ein Signal VAusc.
auftritt, das weiteren Teilen des Sägezahngenerators zugeführt wird. Insbesondere wird das Signal Vausg
dem Schalter 30 zugeführt, um dessen Schaltzustand zu steuern. Wenn die Spannung Vcap am Eingang 25 der
Spannungs-Vergleichsschaltung 20 größer ist als die Spannung Vr, die zwischen dem Bezugspotential und
der Eingangsleitung 26 an der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 liegt, weist die Spannung Vausg einen
ersten Zustand auf; wenn die Spannung VR größer ist als
Vcap, weist die Spannung Vausg einen zweiten Zustand
auf. Der erste und der zweite Zustand kann beispielsweise einem ersten bzw. einem zweiten Spannungspegel
entsprechen, wobei der erste Spannungspegel positiver als der zweite Spannungspegel ist. Das auf der Leitung
24 liegende Signal Vausg wird weiterhin über die Leitung 28 vom Schalter 30 an die Verzögerungsschill
tung 40 gelegt. Um die Wirkungsweise von F i g. 1 / beschreiben, sei angenommen, daß das Signal V7Ms1,
auch an der Leitung 28 anliegt. Bei einer in Fig. 5 0S
schematisch dargestellten tatsächlichen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist die Verzöge-40
einen Schwellwertdetektor auf. dem das Signal Vausg nicht direkt als Eingangssignal
zugeführt wird, bei dem das Eingangssignal vielmehr dem Schalterzustand des Schalters 30 entspricht, d. h..
das Eingangssignal entspricht dem Spannungswert der Spannung VR, die an der Eingangsleitung 26 der
Vergleichsschaltung auftritt.
Um die Wirkungsweise der Schaltung zu beschreiben, sei angenommen, daß der Schalter 14 sich zunächst im
»offenen« Zustand befindet und daP der Kondensator 10 von der Aufladeschaltung 12 aufgeladen wird. Im
Zeitdiagramm gemäß Fig. 2 entspricht dies einer Zeil
vor der Zeit t\.
Zum Zeitpunkt fi, wenn die Spannung Vcap über dem
Kondensator 10 über eine erste Schwellwertspannung Vi ansteigt, schaltet die Spannungs-Vergleichsschaltung
20 die Spannung Vausg von einem ersten Signalausgangs-Zustand in einen zweiten Signalausgangs-Zustand.
Diese erste Schwellwertspannung entspricht einer oberen Vorspannung, die über den Schaher 30 an
die Spannungs-Vergleichsschaltung 20 angelegt wird. wenn sich der Schalter 30 im »oberen« Schaltungszustand
befindet. Diese obere Vorspannung wird von der Versorgungsschaltung 32 geliefert.
Der Schalter 30 befindet sich im »oberen« Zustand. wenn das Ausgangssignal an der Leitung 24 den ersten
Signalzustand aufweist. Wenn das Ausgangssignal an der Leitung 24 zum Zeitpunkt t\ in den zweiten Zustand
gebracht wird, geht der Schalter 30 in den »unteren« Zustand über, wie dies im Zeitdiagramm gemäß F i g. 2
dargestellt ist.
Befindet sich der Schalter 30 im »oberen« Zustand, so wird der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 von der
Versorgungsschaltung 34 eine untere Vorspannung zugeführt, die weniger positiv als die obere Vorspannung
ist. Infolgedessen weist die Vergleichsschaltung 20 nunmehr infolge der Zustandsänderung des Ausgangssignals
eine niedrigere Schwellwertspannung V? auf, mit der die Spannung Vcap verglichen wird. Dies bedeutet
eine positive Rückkopplung in dem Sinne, als zum Zeitpunkt t\ die Spannung Vcap nur um ein Geringes
größer ist als die Bezugsspannung (die die »obere« Bezugsspannung Vi ist), wogegen die Spannung Vcap
(die sich in ihrem Spannungswert nicht viel geändert hat) unmittelbar nach dem Zeitpunkt ?i sehr viel größer
als die Bezugsspannung geworden ist (weil der Schalter 30 betätigt wurde und die Bezugsspannung in den
»unteren« Spannungswert V2 übergegangen ist). Diese Rückkopplung führt das Ausgangssignal an der Leitung
24 in den zweiten Signalzustand über. Das bedeutet, daß beim Übergang des Ausgangssignals von der Veigleichsschaltung
vom ersten in den zweiten Signalzustand ein »Zittern« vermieden wird (das »Zittern«
bedeutet eine Unsicherheit bzw. Ungenauigkeit beim Übergang eines Signals von einem Zustand in einen
anderen).
Die Verzögerungsschaltung 40 gibt über die Leitung 42 ein Steuersignal an den Schalter 14 ab, wobei das
Steuersignal von der Spannung Vausg abhängt, jedoch Signalübergänge aufweist, die in bezug auf die
Signalübergänge der Spannung Vause, verzögert sind.
Oa der Schalter 30 in Abhängigkeit der Signalübergän- cc, die an der Leitung 24 auftreten, schaltet, und da der
Schalter 14 in Abhängigkeit der gleichen Signalübcrüänge,
die um (.'inen festgelegten zeitlichen Beirat:
verzögert sind, schaltet, schaltet der Schalter 30 zum
Zeitpunkt t] und der Schalter 14 zu einem späteren
Zeitpunkt /2. wie dies in F i g. 2 an Hand des dori
dargestellten Zeitdiagramms dargestellt ist.
Infolge der zuvor beschriebenen Verzögerung lädt
der von der Aufladeschaltung 12 gelieferte Strom den Lackkondensator 10 in einem Zeitraum weiter auf, und
zwar in dem Zeitraum zwischen dem Zeitpunkt /i und t2,
nachdem der Schalter 30 in den »unteren« Zustand geschaltet wurde, wie dies in der Darstellung der
Spannung Vcap in F i g. 2 zwischen den Zeitpunkten /i
und f2 dargestellt ist. Diese zeitliche Verzögerung vom
Zeitpunkt t\ zum Zeitpunkt (2 ermöglicht es, daß das
Ausgangssignal von der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 sicher in den neuen zweiten Signalzustand
übergeführt wird, bevor der Schalter 14 betätigt wird. Es ist daher nicht möglich, daß der Schalter 14 in den
»Entlade«-Zustand geschaltet wird, bevor die Rückkopplungsschleifen-Verstärkung dieser positiven Rückkoppel-Schaltoperation
abgenommen hat, denn auf diese Weise wird das System in einen unerwünschten
Gleichgewichtszustand gebracht, in dem Schwingungen nicht auftreten.
Nachdem der Schalter 14 zum Zeitpunkt f2 in die
»Entlade«-Stellung geschaltet worden ist, leitet die Entladeschaltung 16 Ladung vom zeitbestimmenden
Kondensator 10 ab. Die über den Kondensator 10 auftretende Spannung Vcap nimmt ab und wird
schließlich zum Zeitpunkt f3 kleiner als die zweite Schwellwertspannung V2. Die Spannungs-Vergleichsschaltung
20 spricht auf die Spannung Vcap an, die kleiner wird als die zweite Schwellwertspannung V2 und
bringt die Spannung Vausg aus dem zweiten Zustand in den ersten Zustand zurück. Dies führt zum Zeitpunkt h
dazu, daß der Schalter 30 in den »oberen« Zustand zurückgesetzt wird. Auf diese Weise führt der Schalter
30 wiederum die obere Vorspannung von der Schaltung 32 an die Spannungs-Vergleichsschaltung 20, und zwar
als Folge der Zustandsänderung des Ausgangssignals von der Vergleichsschaltung 20, so daß die Vergleichsschaltung
20 mit einer größeren Schwellwertspannung beaufschlagt wird, mit der die Spannung Vcap verglichen
werden soll. Dies stellt eine positive Rückkopplungs-Betriebsart
dar. die das Ausgangssignal der Vergleichsschaltung in den ersten Signalzustand bringt
Da der Schalter 30 in Abhängigkeit des an der I .citung 24 auttretenden Signalübergangs schaltet und
da der Schalter 14 in Abhängigkeit des gleichen, jedoch verzögerten Signalübergangs, der an der Leitung 42
auftritt, schaltet, ist das Schalten des Schalters 30 in Abhängigkeit von einem Signalübergang an der Leitung
24 zum Zeitpunkt f3 beendet und zwar bevor der Schalter 14 zum Zeitpunkt u, auf den gleichen
Signalübergang anspricht Infolge der Verzögerung vom Zeitpunkt f3 zum Zeitpunkt u, die durch die
Schaltung 40 hervorgerufen wird, wird der Kondensator 10 von dem Entladestrom, der durch die Entladeschaltung
16 geliefert wird, während des Zeitraumes zwischen dem Zeitpuntk i3 und dem Zeitpuntk U,
nachdem der Schalter 30 in den »oberen« Zustand geschaltet worden ist, weiterhin entladen. Diese
Verzögerung zwischen dem Zeitpunkt i3 und dem
Zeitpunkt U, stellt sicher, daß das Ausgangssignal von der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 sicher in den
ersten Signalzustand zurückgebracht wird, bevor der Schalter 14 schaltet und die Entladeschaltung 16 vom
Kondensator 10 trennt Nach dem Zeitpunkt U, wenn
der Schalter 14 also in den »offenen« Zustand geschaltet worden ist lädt der Ladestrom von der Aufladeschaltung
12 den Kondensator 10 von neuem auf, so daß die Spannung Vcap ansteigt und der zuvor beschriebene
Schwinsungsvorgang beginnt von neuem.
Wenn die Aufladeschaltung 12 eine Gleichspannungsversorgung ist, wird der Kondensator 10 linear
aufgeladen. Wenn die Entladeschaltung 16 eine Gleichstrom-Versorgungsschaltung ist, wird der Kondensator
10 linear entladen. Die Spannung Vcap weist
dann die lineare Sägezahnform gemäß F i g. 2 auf, wenn die Schaltungen 12 und 16 Gleichströme liefern. Die
Aufladung und Entladung kann jedoch auch nicht linear vorgenommen werden. Beispielsweise kann eine exponentielle
Aufladung und Entladung über Widerstände vorgenommen werden.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält die Verzögerungsschaltung 40
— wie bereits erwähnt — einen Schwellwertdetektor.
Die Steuerspannung, die am Ausgang eines solchen Schwellwertdetektors anliegt, ist in F i g. 3 über der
Eingangsspannung, die am Eingang der Detektorschaltung anliegt, aufgetragen. Wenn ein Schwellwertdetektor
als Verzögerungsschaltung 40 verwendet wird, entspricht die Eingangsspannung dem Bezugsspannungssignal,
der der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 vom Schalter 30 zugeführt wird, d. h., die Verbindung 28
ist direkt mit der Verbindung 26 verbunden.
Bei einem Schwellwertdetektor, der als Verzögerungsschaltung 40 verwendet werden kann, liegt dessen Schwellwertpotential VSchwellwert zwischen der oberen und unteren Vorspannung, die von der Schaltung 32 bzw. 34 geliefert wird. Wenn der Schwellwertdetektor eine Hysteresis in der Detektorcharakteristik aufweist, muß die Schwellwertspannung sowohl für die ansteigende Eingangsspannung als auch für die abnehmende Eingangsspannung zwischen der oberen und unteren Vorspannung liegen (ein Schmitt-Trigger oder eine automatische Spannungs-Vergleichsschaltung [wie die
Bei einem Schwellwertdetektor, der als Verzögerungsschaltung 40 verwendet werden kann, liegt dessen Schwellwertpotential VSchwellwert zwischen der oberen und unteren Vorspannung, die von der Schaltung 32 bzw. 34 geliefert wird. Wenn der Schwellwertdetektor eine Hysteresis in der Detektorcharakteristik aufweist, muß die Schwellwertspannung sowohl für die ansteigende Eingangsspannung als auch für die abnehmende Eingangsspannung zwischen der oberen und unteren Vorspannung liegen (ein Schmitt-Trigger oder eine automatische Spannungs-Vergleichsschaltung [wie die
J5 Schaltung 20] würde eine derartige Hysteresis in der Detektorcharakteristik zeigen, wenn eine derartige
Schaltung als Schwellwertdetektor benutzt wird).
F1 g. 4 zeigt ein Zeitdiagramm, um darzustellen, wie
der Schwellwertdetektor die Verzögerung schafft Der Bezugs-Eingangssignalimpuls entspricht einem Impuls,
der den Zustand des Schalters 30 anzeigt, wie dies im Zeitdiagramm gemäß Fig.2 dargestellt ist. Die
Übergänge des Signals zwischen dem oberen und dem unteren Vorspannungszustand benötigen eine Zeitspan-
ne, in denen sie von dem einen Zustand in den anderen Zustand vollständig übergehen, sie weisen also keine
idealen sofortigen Übergänge auf.
Wenn die Bezugssignalspannung den oberen Vorspannungszustand aufweist befindet sich das Steuersignal
im unteren oder »offenen« Zustand. Der Übergang des Bezugsspannungssignals von der oberen Vorspannung
zur unteren Vorspannung beginnt am Zeitpunkt h.
Der Übergang des Steuersignals am Ausgang des Schwellwertdetektors beginnt nicht vor dem Zeitpunkt
t2, an dem die Bezugssignalspannung die Spannung
Vschwellwert kreuzt Zum Zeitpunkt f2 beginnt der
Übergang des Steuersignals, da die Bezugseingangsspannung jetzt nicht mehr positiv genug ist, um das
Steuersignal in dem Zustand zu halten, der die Entladung des Kondensators 10 bewirkt Dieser
Übergang des Steuersignals ist abgeschlossen, wenn die
Bezugssignalspannung zur unteren Vorspannung hin
abfällt
Zum Zeitpunkt /3, bei dem das Bezugsspannungssi-
gnal mit dem Übergang beginnt, ist das Bezugsspannungssignal nicht positiv genug, um das Steuersignal,
das vom Schwellwertdetektor gebildet wird, in den Zustand überzuführen, in dem es die Entladung det,
Zeitkondensators 10 bewirkt. Zu einem späteren Zeitpunkt u ist der Übergang weitgehend abgeschlossen,
so daß das Bezugsspannungssignal die Spannung VscHWEi-LWERT kreuzt. Danach liegt am Eingang des
Schwellwertschalters eine genügend positive Spannung tn, um einen Übergang des am Ausgang auftretenden
Steuersignals einzuleiten. Dieser Übergang des Steuersignals ist abgeschlossen, wenn das Bezugsspannungstignal
zur oberen Vorspannung hin ansteigt.
In Fig.5 ist ein Sägezahngenerator 500 dargestellt,
der die vorliegende Erfindung enthält und der für einen Betrieb mit Versorgungsspannungen bis hinunter zu
3 Volt, die zwischen der Klemme 501 und der Erdklemme liegen, geeignet ist.
Der Sägezahngenerator weist eine Stromquelle 50 auf, die im einzelnen in der US-Anmeldung Nr. 3 65 833
beschrieben ist, und den Titel »Teil-Stromversorgung« trägt. Die Widerstände 502, 503 und 504 leiten einen
Strom durch die als Dioden geschalteten Transistoren 505 und 506, sowie einen größeren (wie in der Schaltung
dargestellt, viermal größeren) Strom durch die als Dioden geschalteten Transistoren 507 und 508. Die Vbe
— Übergangsspannungen über den als Dioden geschalteten Transistoren 505 und 506 sind nicht ganz so groß
wie die Vfl£ — Übergangsspannungen über den als
Dioden geschalteten Transistoren 507 und 508, und zwar aus den folgenden Gründen:
1. Die Basis-Emitter-Bereiche der Transistoren 505 und 505 sind um einen Faktor η größer als die
Basis-Emitter-Bereiche der Transistoren 507 und 508 und
2. die Emitterströme der Transistoren 505 und 506 sind kleiner als die Emitterströme der Transistoren
507 und 508 (im vorliegenden Beispiel sind die Emitterströme der Transistoren 505 und 506 ein
Viertel der Emitterströme der Transistoren 507 und 508).
Diese Spannungsdifferenz wird zwischen die Basis des Transistors 510 und den gemeinsamen Basisanschluß
der Transistoren 511,512,513,514 und 515 gelegt
(die VßfÜbergangsspannung ist die Spannung, die über
dem Basis-Emitter-Übergang eines Transistors auftritt, wenn dieser Übergang in Durchlaßrichtung vorgespannt
ist und diese Übergangsspannung besitzt für Silizium-Transistoren einen Wert von etwa 0,6 Volt).
Eine Spannung, die etwa dem Spannungsabfall über der Basis-Emitter-Verbindung entspricht, tritt über dem
Transistor 516 auf und bestimmt gemäß dem Ohmschen Gesetz den hindurchgehenden Strom. Wenn Silizium-Transistoren
und ein Widerstand 516 mit 6 Kilo-Ohm verwendet wird, beträgt der Strom etwa 100 Mikroampere.
Wenn der Strom an die in Verbindung stehenden Emitter der Transistoren 510,511,512,513,514 und 515
gelegt wird, teilt er sich in die entsprechenden Emitterströme auf. Die Schaltungsanordnung kann als
ein emittergekoppelter Transistor-Differentialverstärker angesehen werden, der aus dem Transistor 510 und
einem weiteren »zusammengesetzten« Transistor besteht, dessen Basis-Emitter-Schaltkreis durch die in
Parallelschaltung verbundenen Basis-Emitter-Schaltkreise der Transistoren 511, 512, 513, 514 und 515
gebildet wird. Der wirksame Basis-Emitter-Übergangsbereich des Transistors 510 und des »zusammengesetzten«
Transistors sind willkürlich gleichgemacht
Infolgedessen, daß die Spannung an der Basis des Transistors 510 weniger positiv als die Spannung an den
miteinander in Verbindung stehender. Basen der Transistoren 511, 512, 513, 514 und 515 ist, ist der
Kollektorstrom des Transistors 510 um den Faktor 4n2
größer als die gemeinsamen Kollektorströme der Transistoren 511, 512, 513, 514 und 515. Der
Kollektorstrom /0 des Transistors 510 ist daher praktisch gleich dem Strom, der durch den Widerstand
516 fließt. Die gemeinsamen Kollektorströme der Transistoren 511, 512, 513, 514 und 515 bilden einen
Strom mit einem Wert von /o/4/?2. Die wirksamen
ίο Basis-Emiuer-Übergangsbereiche der Transistoren 511,
512, 513, 514 und 515 weisen ein Verhältnis von (1 — a): a : 1 :1 :1 auf, und die Kollekiorströme weisen
dementsprechend das gleiche Verhältnis auf. Bei einem in der Praxis ausgeführten Schaltungsbeispiel weisen η
und a den Wert 4 bzw. Ά auf, und die Kollektroströme der Transiv.wcn 510, 511, 512, 513, 514 und 515 haben
einen Wert von etwa 99 bzw. 0,3 bzw. 0,1 bzw. 0,4 bzw. 0,4 und bzw. 0,4 Mikroampere.
Der Kollektorstrom des Transistors 512 wird über einen als Diode geschalteten seitlichen Transistor 517
dem zeitbestimmenden Kondensator 10 zugeführt. Die Klemme 518 am Kollektor des Transistors 511 kann
geerdet oder mit der Klemme 519 verbunden sein, um die Aufladegeschwindigkeit des Kondensators 10 um
einen Faktor l/a zu erhöhen (was gemäß den zuvor gemachten Annahmen einem Faktor 4 entspricht).
. Diese Schaltung entspricht der in F i g. 1 dargestellten Aufladeschaltung 12. Solange der Transistor 520 sich im
nichtleitenden Zustand befindet, ladet der Kollektorstrom des Transistors 512 (und des Transistors 511,
wenn die Klemmen 518 und 519 verbunden sind) den zeitbestimmenden Kondensator 10 auf.
Der Kollektorstrom des Transistors 513 wird im Falle, daß sich die Transistoren 521 und 522 im nichtleitenden
Zustand befinden, den in Serie geschalteten Transistoren 523,524 zugeführt, die als Diode verdrahtet sind. Ein
Stromverstärker 525 wird durch die Parallelschaltung der Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 524 und
520 und durch die negative Kollektor-Basis-Rückkoppelverbindung
526 des Transistors 524 gebildet. Der Stromverstärker 525 weist eine Verstärkung auf, die
dem Verhältnis zwischen den wirksamen Bereichen des Basis-Emitter-Übergangs des Transistors 52C und dem
Basis-Emitter-Übergang des Transistors 524 gleich ist.
In einem praktischen Ausführungsbeispiel weist diese Stromverstärkung den Faktor 4 auf. Der Kollektorstrom
des Transistors 520 bildet den Entladestrom der in Fi g. 1 dargestellten Endladeschaltung 16.
Im Schaltungsbeispiel gemäß F i g. 5 wird der Schalter, der die Entladung des Kondensators 10 unterbricht, durch den Transistor 520 dagestellt Eine derartige Unterbrechung des Entladevorganges wird dadurch erreicht, daß die Basis des Transistors 520 aul einen genügend niedrigen Spannungspegel gebracht wird, so daß über den Emitter-Kollektor-Weg des Transistors praktisch kein Strom fließt, wodurch der Entladeschaltkreis des Kondensators, wie in F i g. 1 dargestellt, geöffnet wird.
Im Schaltungsbeispiel gemäß F i g. 5 wird der Schalter, der die Entladung des Kondensators 10 unterbricht, durch den Transistor 520 dagestellt Eine derartige Unterbrechung des Entladevorganges wird dadurch erreicht, daß die Basis des Transistors 520 aul einen genügend niedrigen Spannungspegel gebracht wird, so daß über den Emitter-Kollektor-Weg des Transistors praktisch kein Strom fließt, wodurch der Entladeschaltkreis des Kondensators, wie in F i g. 1 dargestellt, geöffnet wird.
Die Unterbrechung des Entladungsweges wird folgendermaßen vorgenommen. Eine genügend positive
Spannung wird an die Basis des Transistors 52! gelegt um diese mit einer Vorspannung zu versehen, und dei
Transistor 522 wird stark leitend. Wenn der Transistoi
521 leitend ist, befindet sich der Kollektor auf dei
VßpÜbergangsspannung, die an der Basis des Transi
stors 522 auftritt Diese Spannung ist genügend groß, urr die in Reihe geschalteten und als Dioden verdrahteter
Transistoren 523, 524 in den leitenden Zustand zi
609 521M0'
versetzen. Dementsprechend ist die Basis-Emitter-Spannung,
die dem Transistor 520 zugeführt wird, zu klein, als daß ein merklicher Kollektorstrom im
Transistor 520 fließen kann.
Das über dem zeitbestiinmenden Kondensator anliegende Potential Vcap tritt an der Klemme 519 auf
und wird über den als Diode geschalteten Transistor 570 der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 zugeführt. Die
Spannungs-Vergleichsschaltung 20 ist bei diesem Ausführungsbeispiel ein emittergekoppelter Transistor-Differentialverstärker,
der hauptsächlich aus den Transistoren 531, 532 besteht und derart geschaltet ist,
daß er die Spannungen an den Basen dieser Transistoren vergleicht. An die Basis des Transistors 531 wird
eine Spannung gelegt, die der Spannung Vcap plus dem Spannungsabfall Vß^über der Diode 517 entspricht.
Ein Stromverstärker 536 mit den Transistoren 537 und 538 setzt die Gegentakt-Kollektorströme der
Transistoren 531,532 in einen Eintaktstrom um, der dem
weiteren Schaltkreis zugeführt wird.
Der Kollektorstrom /csi5 des Transistors 515 wird
einem aus den Transistoren 534, 535 und 549 bestehenden Stromverstärker 533 zugeführt, und die
dem Strom /csis proportionalen Kollektorstöme fließen
in den Transistoren 535 und 549; wenn die Spannung an der Basis des Transistors 531 positiver als die Spannung
an der Basis des Transistors 532 ist, fließt der Kollektorstrom des Transistors 535 über den Kollektor-Emitter-Weg
des Transistors 531. Der Kollektorstrom des Transistors 531 bewirkt, daß die Spannung an der j0
Basis des Transistors 541 weniger positiv wird, so daß die Basis-Emitter-Verbindung der Transistoren 541,542
leitend wird. Der Kollektorstrom des Transistors 531 fließt als Basisstrom zum Transistor 541.
Wenn die Spannung an der Basis des Transistors 531 weniger positiv ist als die Spannung an der Basis des
Transistors 532 fließt der Kollektorstrom des Transistors 535 über den Kollektor-Emitter-Weg des Transistors
532. Dieser Strom fließt zum Eingang des Stromverstärkers 536 und bewirkt, daß Strom durch den
Transistor 538 Rießt. Dadurch wird die Basis des
Transistors 541 mit einer Spannung beaufschlagt, die an der Klemme 501 anliegt, so daß verhindert wird, daß die
Transitoren 541 und 542 in den luvenden Zustand übergehen. i(5
Wenn sich der Transistor 541 im nichtleitenden Zustand befindet, tritt am Verbindungspunkt 543 eine
Spannung von etwa 4 VBe auf, die über den Widerstand
544 an die Basis d?s Transistors 532 gelegt wird. Diese
Spannung mit einem Wert von 4 Vbe wird wie folgt
festgelegt. Ein Teil des Kollektorstroms des Transistors 510 fließt über die als Dioden geschalteten Transistoren
545,546 und über den Widerstand 547 zur Leitung 548. Ein mit dem als Diode geschalteten Transistor 534 in
Stromverstärkeranordnung geschalteter Transistor 549 zieht einen kleinen Teil dieses Stromes ab, so daß die
Ladung, die an der mit dem Widerstand 547 in Zusammenhang stehenden Streukapazität gebildet
wird, abgeleitet wird, der übrige Strom fließt aber durch die in Vorwärtsrichtung vorgespannten Basis-Emitter-Übergänge
der Transistoren 551 und 552
Der Transistor 552 ist in Vorwärtsrichtung vorgespannt, so daß dessen Kollektorstrom (der von dem
Vcrbindungspunkt 543 über den Widerstand 553 und über den als Diode geschalteten Transistor 554 fließt)
den größten Anteil des Stromes /0 aufweist, der von dem Kollektor des Transistors 510 an den Verbindungspunkt
543 geliefert wird. Die Spannung am Verbindungspunkt 543 ist die Summe der Spannungsabfälle über den als
Diode geschalteten Transistoren 545 und 546 (jeweils über dem Widerstand 547 (der hierbei
auftretende Spannungsabfall ist wesentlich kleiner als 1 Vbe, da der Strom, der durch den Widerstand 547
fließt, nicht groß ist) und durch den Basis-Emitter-Übergang der Transistoren 551 und 552 (jeweils 1 Vbe)· Diese
Anordnung, durch die der Verbindungspunkt 543 auf einem Potential von etwa 4 Vorgehalten wird, wenn der
Transistor 541 sich im nichtleitenden Zustand befindet, stellt einen Parallelwiderstand dar, wobei der Transistor
552 infcige der über die Bauelemente 545, 546, 547 und 551 vorhandenen Kollektor-Basis-Rückkopplung als
Nebenschlußregler wirkt.
Über dem Widerstand 553 fällt eine Spannung von etwa 0,5 Vbe ab, da der Widerstandswert dieses
Widerstandes halb so groß ist wie der Wert des Widerstandes 516, durch den auch ein Strom fließt, der
etwa so groß ist wie /0 und an dem ein Spannungsabfall von 1 Vbe vorhanden ist. Der als Diode geschaltete
Transistor 554 weist einen Spannungsabiall von 1 Vm
auf. Wenn der Verbindungspunkt 543 auf einer Spannung von 4 VBe liegt, so liegt an der Basis des
Transistors 555 also eine Spannung von 2,5 Vbe an, wenn
der Transistor 541 nicht leitet.
Der Emitter des Transistors 555 wird auf einem Potential gehalten, das nicht positiver als 2 VBi ist.
dadurch, daß die in Reihe geschalteten Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 521 und 522 an dem
Emitter des Transistors 555 anliegen, wobei die Transistoren 521 und 522 infolge des Kollektorstroms
des Transistors 512 im leitenden Zustand gehalten werden. Dementsprechend ist der Transistor 555 nicht
leitend, wenn der Transistor 541 nicht leitend ist. Die große Vorspannung am Transistor 523 bewirkt, daß der
Kollektorstrom an die Basis des Transistors 560 geführt wird, so daß der Transistor 560 derart vorgesteuert
wird, daß an der Last 565 eine Spannung anliegt. Dadurch, daß der Transistor 521 leitet, wie dies zuvor
beschrieben wurde, kann kein Kollektorstrom vom Transistor 520 fließen.
Wenn die Spannung an der Basis des Transistors 531 also weniger positiv ist als die Spannung an der Basis
des Transistors 532, liegen folgende Zustände vor:
1. Die Transistoren 541 und 542 befinden sich im nichtleitenden Zustand;
2. die Transistoren 521 und 522 befinden sich im leitenden Zustand;
3. der Transistor 560 ist vorgespannt, und über der Last 565 tritt eine Spannung auf;
4. die Basis des Transistors 532 liegt auf einem Potential von etwa 4 Vbr
5. der Transistor 520 befindet sich im nichtleitenden Zustand und kann daher den Kondensator 10 nicht
entladen, und
6. der Transistor 512 (und der Transistor 511 im Falle,
daß die Klemmen 518 und 519 in Verbindung stehen) laden den Kondensator 10 auf, so daß die
Spannung über dem Kondensator 10 ansteigt
Das Aufladen des Kondensators 10 wird fortgesetzt, bis die Spannung an der Basis des Transistors 531
positiver wird als etwa 4 Vbe, die an der Basis des Transistor 532 anliegt. Dann schaltet die Spannungs-Vergleichsschaltung
20 und versetzt die Transistoren 541 und 542 in den leitenden Zustand.
Infolge des leitenden Transistors 541 steigt die
Spannung an der Leitung 548 und am Kollektor des Transistors 541 jeweils etwas an. Auf diese Weise
werden seinerseits die als Dioden geschalteten Transistoren 545 und 546 vorgespannt. Der Kollektorstrom
des Transistors 541 übersteigt den Kollektorstrombedarf des Transistors 549 und verursacht ein Ansteigen
des Basisstromes am Transistor 551. Die Impedanz-V'andlerwirkung
des Transistors 551 bewirkt ein Ansteigen des Basisstromes am Transistor 552 und
macht auf diese Weise die Nebenschlußwirkung des Transistors 552 unwirksam. Der Kollektorstrom des
Transistors 552 steigt an und drängt die Basis des Transistors 555 auf Erdpotential. Der Potentialabfall
über den Bauelemente: i53 und 554 bleibt etwa 1,5 Vbe,
da der Strom /0 weiterhin von dem Kollektor des Transistors 510 an diese Bauelemente geleitet wird. Auf
diese Weise beginnt die Spannung am Verbindungspunkt 543 der Basisspannung des Transistors 555 zu
folgen und fällt auf Erdpotential ab. Dies wiederum bewirkt, daß die Spannung an der Basis des Transistors
532 bezüglich der Spannung an der Basis des Transistors 531 weniger positiv wird, was zur Folge hat, daß die
positive Rückkopplung zu einem Übergang des Potentials am Verbindungspunkt 543 von einer Spannung
von 4 Vö£ zu einem niederen Wert führt. Diese
Mitkopplung verursacht das Schalten der Spannungs-Vergleichsschaltung 20 wie dies in Verbindung mit
F i g. 1 beschrieben wurde.
Die Spannung am Kollektor des Transistors 552 muß auf eine Spannung von etwa 1 Vre über Erdpotential yo
abfallen, bevor der Basis-Emitter-Übergang des Transistors 555 leitend wird. Da der Spannungsabfall über den
Bauelementen 553 und 554 1,5 Vbf beträgt, muß die
Spannung am Kollektor des Transistors 552 auf etwa 2,5 Vbe abgefallen sein, bevor der Transistor 555 zu
leiten beginnt. Während dieses Zeitraumes ist der Kollektorstrom des Transistors 514 an die Basis des
Transistors 521 geflossen, wodurch die Transistoren 521,522 und 560 im leitenden Zustand gehalten wurden,
und der Transistor 520 irr nichtleitenden Zustand war. Der zeitbestimmende Kondensator 10 wurde während
dieser Zeit weiterhin aufgeladen, so daß auf diese Weise ein unerwünschter Gleichgewichtsz'^tand, der im
Sägezahngenerator auftreten kann, vermieden wird.
Wenn die Basisspannung am Transistor 555 infolge des ansteigenden Kollektorstroms am Transistor 552
unter 1 VBE abfällt, wird der Basis-Emitter-Übergang
des Transistors 555 leitend. Wenn der Transistor 552 die Spannung an der Basis des Transistors 555 näher an das
Erdpotential bringt, bewirkt deren Emitterfolgerwirkung, daß die Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren
521 und 522 gesperrt werden. Der Kollektorstrom des Transistors 513 fließt über die Emitter-Kollektor-Strecke
des Transistors 555. Da der Transistor 522 nicht mehr leitet und da der Transistor 542 leitet, wird die
Spannung an der Basis des Transistors 560 positiver und sperrt den Transistor 560. Da der Transistor 521 nicht
mehr leitend ist, wird der Transistor 520 in den leitenden Zustand versetzt und entlädt den zeitbestimmenden
Kondensator 10.
Die Basisspannung am Transistor 555 nimmt weiterhin ab, weil die Mitkoppelschleife, die aus der
Spannungs-Vergleichsschaltung 20 und den Bauelementen 541, 547, 551, 552, 554, 553 und 344 besteht,
weiterhin wirksam bleibt, und den Transistor 552 einen ansteigenden Basisstrom zuführt Der Transistor 552
wird vollständig leitend, wobei sich die Kollektorspannung nahe am Erdpotential befindet.
Der als Diode geschaltete Transistor 554 bewirkt am Kollektor des Transistors 551 eine genügend hohe
Spannung, um den Kollektor-Basis-Übergang des Transistors 551 nichtleitend zu halten, bis der Transistor
552 in den leitenden Zustand versetzt werden kann. Auf diese Weise geht keine Stromverstärkung im Transistor
551 verloren, bevor der Basis-Emitter-Übergang des Transistors 552 genügend vorgespanni ist. daß er in den
leitenden Zustand versetzt werden kann. Danach fließt der aufrechterhaltene Basisstrom vom Transistor 541
zum Transistor 555 und bringt diesen in den leitenden Zustand. Die Kollektorspannung des Transistors 551
befindet sich danach auf dem Emitterpotential (nämlich dem Übergangs-Spannungsabfall von 1 Vbb der über
dem Basis-Emitter-Übergang des Transistors 552 auftritt). Der Kollektorstrom im Transistor 552 kann
den Strom /0, der über den Schaltungspunkt 543 und den Widerstand 553 zugeleitet wird, nicht übersteigen, so
daß der Leistungsverlust im Transistor 522 nicht übermäßig groß werden kann.
Wenn die Spannung an der Basis des Transistors 531 also positiver ist als die Spannung an der Basis des
Transistors 532, liegen folgende Zustände vor:
1. Die Transistoren 541 und 542 sind leitend;
2. die Transistoren 521 und 522 sind nichtleitend;
3. der Transistor 560 ist vorgespannt, derart, daß an der Last 565 keine Spannung anliegt;
4. die Basis des Transistors 532 liegt auf einem Potential von etwa 1,5 Vbe;
5. die als Dioden geschalteten Transistoren 545 und 546 sind infolgedessen, daß deren Basis-Emitter-Übergänge
gesperrt sind, nichtleitend, wobei die Kollektorspannung des Transistors 541 die Spannung
von 2 Vߣ-am Schaltungspunkt 548 übersteigt
und die Spannung am Schaltungspunki 543 nur 1.5 Vßiist.und
6. der Transistor 520 leitet und entlädt den Kondensator 10.
Die Entladung des Kondensators 10 wird fortgesetzt, bis die Spannung an der Basis des Transistors 531
weniger positiv .vird als die Spannung von 1,5 Vßfander
Basis des Transistors 532. Dann schaltet die Spannungs-Vergleichsschaltung
20 den Transistor 538 in den leitenden Zustand, und die Transistoren 541 und 542
werden nichtleitend.
Wenn der Kollektor des Transistors 541 keinen Strom führt, bringt der Kollektorstrom des Transistors
549 den Schaltungspunki 548 näher an das Erdpotentia
heran, so daß sich die Spannung am Schaltungspunki 548 erniedrigt und die Transistoren 551 und 552 mn
noch beschränkt leiten. Der Kollektorstrom k de; Transistors 510 übersteigt die gemeinsamen Kollektor
ströme der Transistoren 551 und 552. Die Spannung an Schaltungspunkt 543 steigt an, und die Basisspannunj
des Transistors 555 folgt diesem Spannungsanstieg mi einem Spannungsabfall von 1,5 Vbe. der über der
Bauelementen 553 und 554 auftritt. Um den Transisto 555 in den nichtleitenden Zustand zu versetzen, mul
dessen Basisspannung von der Kollektor-Durchlaß spannung des Transistors 552 (die eine Spannung voi
nur etwa 0,1 Volt aufweist) auf etwa 1 Vbe ansteigen. Au
diese Weise si»igt die Spannung am Schaltungspunk
543 auf etwa 2.5 VBF an, bevor der Transistor 55:
beginnt nichtleitend zu werden.
Der Transistor 520, der den Kondensator 10 entlad bis der Transistor 555 in den nichtleitenden Zustani
24 26 3S4
versetz! wird, hat die Spannung über dem Kondensator
10 auf einen Spannungswert von weniger als 1,5 Vbe
verringert, während die Spannung am Schaltungspunkt 543 auf 2,5 VBe angestiegen ist.
Die Spannungsvergleichsschaltung 20 wird daher sicher in den Zustand gebracht, bei dem der Transistor
532 leitet, und bei dem der Transistor 555 und damit auch der Transistor 520 nicht leiteL Dies ist gerade der
Mitkoppelzustand, der im Zusammenhang mit F i g. 1 beschrieben worden war.
<o
Der Kollektorstrom /0 des Transistor 510 läßt die
Spannung an dem Schaltungspunkt 543 weiter ansteigen, so daß die als Dioden geschalteten Transistoren 545
und 54fi in den leitenden Zustand versetzt werden. Der Transistor 552 wirkt wieder als Nebenschlußwiderstand
und hält den Schaltungspunkt 543 auf einem Potential von etwa 4 VBe-
Der Schwellwertdetektor wird bei dem Ausführungsbeispiel gemäß F i g. 5 durch den Transistor 555
dargestellt, der feststellt, ob der Strom, der vom Kollektor des Transistors 514 kommt, erstens an die
Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 521, 522 oder zweitens durch die eigene Emitter-Kollektor-Strecke
des Transistors 514 fließt Der Schwellwert des Detektors wird gekreuzt, wenn die Basis des Transistors
555 die Spannung +1 VBe kreuzt Diese Schwellwertspannung
wird durch die Vbe — Übergangsspannungen
an den Basis-Emitter-Übergängen der Transistoren 522, 521 und 555 festgelegt.
Die Spannung, die an der Leitung 500 erforderlich ist, um den Sägezahngenerator zu betreiben, beträgt nur
etwa 5 Vbe, etwas mehr als 3 Volt wenn Silizium-Transistoren
verwendet werden. Die Basis der Transistoren 531 und 532 müssen auf eine Spannung von 4 Vs;
ansteigen können. Daher müssen die Basen der Transistoren 510 und 514 auf einer positiveren
Spannung als 3 Vbe Hegen, um die Kollektor-Basis-Übergänge
gesperrt zu halten. Die Spannung an der Leitung 500 ist um 2 Vbe höher als die Spannung, die
durch die Übergangsspannung der als Dioden geschalteten Transistoren 504,505,506 und 507 vorgegeben ist.
Die Betriebsstrome, die für den Sägezahngenerator erforderlich sind, sind sehr gering hauptsächlich
bestehen diese Betriebsströme aus dem über dem Widerstand 516 fließenden Strom von 0,1 Milliaiiipere
und dem Ruhestrom der Stromschaltung 50 bis zum Ruhestrom des Schaltkreises.
Bei einem Ausführungsbeispiel weist der zeitbestimmende Kondensator 10 eine Gesamtkapazität von
11 Pikofarad auf, die durch die Kollektor-Trägermaterial-Kapazität
des Transistors 520 gebildet wird. Ein Impuls von 10 Mikrosekunden tritt an der Last 563 auf,
mit einer Widerholungsfolge von 40 Mikrosekunden, wenn die Klemme 518 an Erde liegt und einer
Wiederholungsfolge von 130 Mikrosekunden, wenn die Klemme 518 mit der Klemme 519 in Verbindung steht.
Mit einem äußeren Kondensator, der zwischen die Klemme 519 und einer (nicht dargestellten) Erdklemme
gelegt ist, kann die Oszillatorfrequenz weiter verringert werden. Die Klemme 519 kann mit der Klemme 50!
kurz geschlossen werden, um die Sägezahnschwingungen anzuhalten.
Bei bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, soweit sie hier beschrieben worden sind,
wurde eine konstante Stromaufladeschaltung und eine abschaltbare Stromentladeschaltung verwendet. Umgekehrt
kann auch eine abschaltbare Stromaufladeschaltung und eine konstante Stromentladeschaltung verwendet
werden. Es können auch beide Schaltungei abwechselnd angeschaltet werden, um den zeitbestim
menden Kondensator 10 aufzuladen und zu entlader Darüber hinaus müssen die genannten Schaltungei
nicht notwendig Konsiantütromschaltungen sein.
Der Sägezahngenerator 500 ist für die Erzeugunj verschiedener Arten modulierter Trägerwellen gu
geeignet, wenn er in geeigneter Weise abgeändert wire Wenn es wünschenswert erscheint, die Frequenz de
Sägezahngenerators 500 in Abhängigkeit eines modu lierenden Signals zu modulieren, so werden du
Transistoren 511, 512 und 513 nicht mit eine festliegenden Vorspannung von der Stromquelle 51
vorgespannt, wie dies in F i g. 5 dargestellt ist. Dii Transistoren 511, 512 und 513 sind für diesen Fa!
vielmehr so angeordnet, daß deren Kollektorströme in umgekehrten Verhältnis zu dem modulierenden Signa
moduliert werden.
Wenn es wünschenswert erscheint, daß die Impuls dauer moduliert werden soll, wird der Kollektorstron
des Transistors 513 in Abhängigkeit zum modulierender Signal moduliert, und die Transistoren 511 und 512 sine
wie in Fig.5 angeordnet, um einen konstanter Kollektorstrom zu schaffen. Wenn eine Impulslagenmo
dulation gewünscht wird, sind die Transistoren 511 unc
512 so geschaltet, daß deren Kollektorströme ir Abhängigkeit von dem modulierenden Signal modulier
werden, und der Transistor 513 einen konstanter Küilektorstrom führt Im Falle, daß eine Impulsfre
quenzmodulation gewünscht wird, werden die Kollek torströme im umgekehrten Verhältnis zum modulieren
den Signal moduliert während der Kollektorstrom dei Transistors 513 konstant gehalten wird.
Fig.6 zeigt eine Modulatorschaltung 60, die dazi
verwendet werden kann, die Transistoren 511, 512 unc
513 mit einer Vorspannung zu versehen, derart, daß di<
Frequenz oder die Periode der Sägezahnschwingunger moduliert werden kann. Die Transistoren 511, 512 unc
513 sind in diesem Falle nicht mehr in der Stromquells 50 enthalten, sondern vielmehr in einer Stromquelle 60
Von einem Stromgenerator 603 fließt ein Strom U übei
den als Diode geschalteten Transistor 606, und es tni über diesem Transistor 606 eine VspÜbergangsspan
nung Ve£606 auf. Von einer Stromquelle 604 fließt eir
Strom /fl über den als Diode geschalteten Transistor 608
und über diesem Transistor 608 tritt eine Vß^Über
gangsspannung Vbe 60s auf. Über den als Diod(
geschalteten Transistor 60S fließt dementsprechend eir Strom, der aus der Summe der Ströme 1A + h besteht
und es entsteht über dem Transistor 605 eint Vbe- Übergangsspannung V8E 605.
Die Basisspannungen der Transistoren 511, 512, 51; und des Transistors 610 sind von der Spannung an dei
Klemme 501 um die Spannungen VA bzw. V;
abgeändert, wobei die Spannungen Va und Vb jeweili
einen Spannungswert von 2 Vbe besitzen. Die Emitter potentiate dieser Transistoren unterscheiden sich vor
der Spannung an der Klemme 501 durch der Spannungswert 1 Vbe· Diese 1-Vs^Übergangsspan
nung, die über den Widerstand 616 aufgeprägt wird bewirkt durch den Widerstand 616 gemäß den
Ohmschen Gesetz einen Strom It- Der Strom /rwird ir
zwei Ströme aufgeteilt, wobei der Strom /1 über dit
Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 511,512 unc 513 und der Strom I2 über den Basis-Emitter-Überganj
des Transistors 610 fließt.
Die Aufteilung der Ströme /1 und /2 wird erstens vor
den relativen Stromwerten Ia und Ib sowie zweitem
durch die Verhältnisse der Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 511, 512, 513, 606, 608 und 610
bestimmt. Dabei kann angekommen werden, daß diese Transistoren gleiche Diffusionsprofile aufweisen, so daß
deren Verhältnisse bezüglich der Basis-Emitter-Übergänge durch ihre relativen Bereiche ausgedrückt
werden kann. Der Basis-Ernitter-Llbergang des Transistors 606 besitzt einen Bereich A6O6, der n- mal so groß ist
wie der Basis-Emitter-Bereich A60H des Transistors 608.
Der Basis-Emitter-Übergang des Transistors 610 ist mit einem Bereich Αβιο hergestellt, der n-mal so groß ist wie
die Bereich der Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 511,512 und 513 zusammen.
Die Abhängigkeit, durch die die Dioden-Betriebsweise mit Halbleiterübergängen festgelegt wird, ist
allgemein bekannt und lautet:
15
ν, - v„ =
1·' I'' —
1 I ~ 'H —
AT
In ---L -
kT ■
I - i = -— in
q
q
kT
kT
In
Ib
kT. In
t J(>
In ■'.'
q o/,
q o/,
Diese Gleichung legt die Spannung fest, die vom Differentialverstärker verstärkt werden soll, wobei der
Differentialverstärker aus den Transistoren 511, 512 und 513 besieht, die mit dem Transistor 610 zusammenwirken.
q
AJ0
In dieser Gleichung bedeutet:
20
V die Übergangsspannung an der Diode ( Vbe im Falle eines Transistors),
k die Boltsmann-Konstante, T die absolute Temperatur,
q die Elektronenladung,
/ den S.trom durch den Übergang (im Falle eines Transistors ist dies der Emitterstrom),
A den Bereich des Halbleiterübergangs (im Falle eines Transistors ist dies der Basis-Emitter-Übergangsbereich)
und
/0 die Sättigungs-Stromdichte in dem Halbleiterübergang.
35
Geht man von dieser Gleichung aus, so kann die Größe /, in der Schaltungsanordnung gemäß Fig.6
durch die nachfolgend angeführte angenäherte Gleichung ausgedrückt werden:
/
;n /1
/ι ist der Strom, der die Periode der Sägezahnschwingungen i,n dem Sägezahngenerator 500, wie er in der
Schaltungsanordnung gemäß Fig.6 dargestellt ist, festliegt. Wenn IA konstant gehalten und Ib moduliert
wird, so wird die Sägezahnschwingung im Verhältnis zu den Änderungen von IB frequenzmoduliert. Wenn
umgekehrt Ib konstant gehalten und IA moduliert wird,
wird die Periode der Sägej'.ahnschwingungen im Verhältnis zu den Änderungen von U moduliert.
Die im vorangegangenen Absatz besprochenen Herleitungen können folgendermaßen fortgeführt werden:
Kl = | y | + | 1 | Kß I. MX, | |
Vn = | I/ | + | πα. mm | ||
K,- | K) = | 1BlAM | |||
(3)
(4)
(5)
55
6o K1 = /7R616
V0 = I1 R616
V0 = I1 R616
'stan
I/ I -'
— 'Ö/-511 'Bl.'hlü ·
= kT m- 7J-
q Msh + -4S12
kT
J' •'o
In -.--V-
,· .. kT. I1 ΑΤΙ'., — k„ = — In ----- In
^r J<)
(9) (10) (11)
(12)
K1- V11
kT , 111/,
— In --y— .
— In --y— .
I1
(13) (14)
Aus den Gleichungen 8 und 14 erhält man Z1
in ---
q InI1
kT .
= in
= in
ti
Hlll/j,
mn
(15) (16) (17)
Wenn /1 sehr viel kleiner als h gemacht wird, ist h
praktisch gleich /r, so daß man den näherungsweisen Ausdruck erhält, der zuvor in Gleichung 2 angegeben
wurde.
Der Fehler in Prozent ist bei dieser Näherungsglcichung 100 /1//2. Der Gleichung 16 ist zu entnehmen, daß
dieser Fehler durch entsprechende Wahl der Größen m, η und IaIIb auf jeden gewünschten Wert verringert
werden kann. Diese Wahl sollte so vorgenommen werden, daß /1 wesentlich kleiner als h ist, d. h., /1 soll nur
ein kleiner Bruchteil von /rsein.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Sägezahngenerator mit einer Spannungs-Vergleichsschaltung,
die einen ersten und einen zweiten Eingang sowie einen Ausgang aufweist, und ein
Ausgangssignal mit einem ersten oder zweiten Spannungswert in Abhängigkeit davon liefert,
welcher der Eingänge in Bezug zueinander auf einem positiveren Potential liegt, mit einem
Kondensator, der mit dem ersten Eingang verbunden ist. mit Schaltungseinrichtungen, die dem
zweiten Eingang eine Bezugsspannung zuführen, wobei die Bezugsspannung in Abhängigkeit vom
Spannungswert des Ausgangssignals entweder einen ersten oder einen zweiten Spannungswert aufweist,
und mit Steuerschaltungen, die im einen S^haltungszustand
den Kondensator aufladen und im anderen Schaltungszustand den Kondensator entladen, d a durch
gekennzeichnet, daß der Schaitungszustand dieser Steuerschaltungen (12, 14, 16) durch
das Ausgangssignal einer aus konzentrierten Schaltungselementen bestehenden Verzögerungsschaltung
(40) gesteuert wird, wobei die Verzögerungsschaltung (40) in Abhängigkeit von einer Spannungswertänderung
entweder der Bezugsspannung oder des von der Vergleichsschaltung (20) gelieferten
Ausgangssignals das die Steuerschahungen (12, 14, 16) steuernde Signal verzögert.
2. Sägezahngenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingang der aus konzentrierten
Schaltungselementen bestehenden Verzögerungsschaltung (40) mit dem zweiten Eingang
(26) der Vergleichsschaltung (20) und der Ausgang mit den Steuerschaltungen (12,14,16) verbunden ist.
3. Sägezahngenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingang der aus konzentrierten
Schaltungselementen bestehenden Verzögerungsschaltung (40) mit dem Ausgang (24) der
Vergleichsschaltung (20) und der Ausgang mit den Steuerschaltungen (12,14,16) verbunden ist.
4. Sägezahngenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die aus konzentrierten Schaltungselementen
bestehende Verzögerungsschaltung (40) einen Schwellwertdetektor (555) aufweist, dessen Eingang mit dem zweiten Eingang (26) der
Vergleichsschaltung (20) verbunden ist, und daß ein Schwellwert zwischen dem ersten und zweiten
Bezugsspannungswert liegt.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00365840A US3831113A (en) | 1973-06-01 | 1973-06-01 | Relaxation oscillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2426394A1 DE2426394A1 (de) | 1975-01-02 |
DE2426394B2 true DE2426394B2 (de) | 1976-05-20 |
Family
ID=23440587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742426394 Withdrawn DE2426394B2 (de) | 1973-06-01 | 1974-05-31 | Saegezahngenerator |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3831113A (de) |
JP (1) | JPS5227022B2 (de) |
AU (1) | AU6939674A (de) |
DE (1) | DE2426394B2 (de) |
FR (1) | FR2232136B1 (de) |
GB (1) | GB1465540A (de) |
IT (1) | IT1014659B (de) |
NL (1) | NL7407050A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0137368A1 (de) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Nukem GmbH | Funktionsgenerator |
EP0280170A2 (de) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | STMicroelectronics S.r.l. | Generator von periodischen Signalen, insbesondere für Schaltnetzteile |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3893036A (en) * | 1973-07-27 | 1975-07-01 | Tektronix Inc | Precision function generator |
US3904988A (en) * | 1974-09-11 | 1975-09-09 | Motorola Inc | CMOS voltage controlled oscillator |
US4205279A (en) * | 1977-09-12 | 1980-05-27 | Motorola, Inc. | CMOS Low current RC oscillator |
JPS5826852B2 (ja) * | 1978-03-01 | 1983-06-06 | 株式会社東芝 | 定振幅ランプ電圧発生回路 |
JPS54134544A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | Oscillator circuit |
JPS54161256A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Horizontal oscillation circuit |
DE2912492A1 (de) * | 1979-03-29 | 1980-10-09 | Siemens Ag | Monolithisch integrierbarer rechteckimpulsgenerator |
US4247890A (en) * | 1979-04-24 | 1981-01-27 | General Electric Company | Reversible inverter system having improved control scheme |
US4263567A (en) * | 1979-05-11 | 1981-04-21 | Rca Corporation | Voltage controlled oscillator |
US4292604A (en) * | 1979-08-20 | 1981-09-29 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Relaxation oscillator with plural constant current sources |
US4374366A (en) * | 1980-12-29 | 1983-02-15 | Motorola, Inc. | Integrated horizontal oscillator employing an on-chip capacitor for use in a television receiver |
DE3114761A1 (de) * | 1981-04-11 | 1982-10-28 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Demodulatorschaltung |
US4449059A (en) * | 1981-07-13 | 1984-05-15 | Tektronix, Inc. | Triangle waveform generator having a loop delay compensation network |
JPS5827432A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | Matsushita Electronics Corp | タイマ集積回路 |
US4413238A (en) * | 1981-08-31 | 1983-11-01 | Motorola, Inc. | Precision differential relaxation oscillator circuit |
US4377790A (en) * | 1981-08-31 | 1983-03-22 | Motorola, Inc. | Precision differential relaxation oscillator circuit |
DE3329242A1 (de) * | 1983-08-12 | 1985-02-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zum ueberpruefen des zeitlichen abstands von rechtecksignalen |
JPS60128708A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Toshiba Corp | 発振回路 |
GB2159358B (en) * | 1984-05-23 | 1988-06-08 | Stc Plc | Comparator circuit |
JPH048668Y2 (de) * | 1988-11-08 | 1992-03-04 | ||
JP2763393B2 (ja) * | 1990-09-26 | 1998-06-11 | 富士通株式会社 | 定電流回路および発振回路 |
US5128634A (en) * | 1990-10-29 | 1992-07-07 | Motorola, Inc. | Oscillator cirucit independent or parasitic capacitors |
DE4438671C1 (de) * | 1994-10-28 | 1996-05-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Umrichters |
US5592111A (en) * | 1994-12-14 | 1997-01-07 | Intel Corporation | Clock speed limiter for an integrated circuit |
US5629644A (en) * | 1995-07-28 | 1997-05-13 | Micron Quantum Devices, Inc. | Adjustable timer circuit |
JP3023776B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2000-03-21 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 遅延回路 |
JP3567747B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2004-09-22 | 富士通株式会社 | 電圧制御発振器及び周波数−電圧変換器 |
US8160864B1 (en) | 2000-10-26 | 2012-04-17 | Cypress Semiconductor Corporation | In-circuit emulator and pod synchronized boot |
US8149048B1 (en) | 2000-10-26 | 2012-04-03 | Cypress Semiconductor Corporation | Apparatus and method for programmable power management in a programmable analog circuit block |
US8176296B2 (en) | 2000-10-26 | 2012-05-08 | Cypress Semiconductor Corporation | Programmable microcontroller architecture |
US8103496B1 (en) | 2000-10-26 | 2012-01-24 | Cypress Semicondutor Corporation | Breakpoint control in an in-circuit emulation system |
US6724220B1 (en) | 2000-10-26 | 2004-04-20 | Cyress Semiconductor Corporation | Programmable microcontroller architecture (mixed analog/digital) |
US7765095B1 (en) | 2000-10-26 | 2010-07-27 | Cypress Semiconductor Corporation | Conditional branching in an in-circuit emulation system |
US7005933B1 (en) * | 2000-10-26 | 2006-02-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Dual mode relaxation oscillator generating a clock signal operating at a frequency substantially same in both first and second power modes |
US6859762B2 (en) | 2001-07-03 | 2005-02-22 | Mitutoyo Corporation | Low voltage low power signal processing system and method for high accuracy processing of differential signal inputs from a low power measuring instrument |
US6747500B2 (en) | 2001-10-19 | 2004-06-08 | Mitutoyo Corporation | Compact delay circuit for CMOS integrated circuits used in low voltage low power devices |
US7406674B1 (en) | 2001-10-24 | 2008-07-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Method and apparatus for generating microcontroller configuration information |
US8078970B1 (en) | 2001-11-09 | 2011-12-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Graphical user interface with user-selectable list-box |
US8042093B1 (en) | 2001-11-15 | 2011-10-18 | Cypress Semiconductor Corporation | System providing automatic source code generation for personalization and parameterization of user modules |
US7774190B1 (en) | 2001-11-19 | 2010-08-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Sleep and stall in an in-circuit emulation system |
US7770113B1 (en) | 2001-11-19 | 2010-08-03 | Cypress Semiconductor Corporation | System and method for dynamically generating a configuration datasheet |
US8069405B1 (en) | 2001-11-19 | 2011-11-29 | Cypress Semiconductor Corporation | User interface for efficiently browsing an electronic document using data-driven tabs |
US6971004B1 (en) | 2001-11-19 | 2005-11-29 | Cypress Semiconductor Corp. | System and method of dynamically reconfiguring a programmable integrated circuit |
US7844437B1 (en) | 2001-11-19 | 2010-11-30 | Cypress Semiconductor Corporation | System and method for performing next placements and pruning of disallowed placements for programming an integrated circuit |
US8103497B1 (en) | 2002-03-28 | 2012-01-24 | Cypress Semiconductor Corporation | External interface for event architecture |
US7308608B1 (en) | 2002-05-01 | 2007-12-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Reconfigurable testing system and method |
US7761845B1 (en) | 2002-09-09 | 2010-07-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Method for parameterizing a user module |
JP3809871B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2006-08-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | オシレータ |
US7295049B1 (en) | 2004-03-25 | 2007-11-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Method and circuit for rapid alignment of signals |
US8286125B2 (en) | 2004-08-13 | 2012-10-09 | Cypress Semiconductor Corporation | Model for a hardware device-independent method of defining embedded firmware for programmable systems |
US8069436B2 (en) | 2004-08-13 | 2011-11-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Providing hardware independence to automate code generation of processing device firmware |
ITMI20042052A1 (it) * | 2004-10-28 | 2005-01-28 | St Microelectronics Srl | Oscillatore e relativo metodo di funzionamento |
US7332976B1 (en) | 2005-02-04 | 2008-02-19 | Cypress Semiconductor Corporation | Poly-phase frequency synthesis oscillator |
US7400183B1 (en) | 2005-05-05 | 2008-07-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Voltage controlled oscillator delay cell and method |
WO2007001255A1 (en) * | 2005-06-15 | 2007-01-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated relaxation voltage controlled oscillator and method of voltage controlled oscillation |
US8089461B2 (en) | 2005-06-23 | 2012-01-03 | Cypress Semiconductor Corporation | Touch wake for electronic devices |
US8035455B1 (en) | 2005-12-21 | 2011-10-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Oscillator amplitude control network |
US8085067B1 (en) | 2005-12-21 | 2011-12-27 | Cypress Semiconductor Corporation | Differential-to-single ended signal converter circuit and method |
US8067948B2 (en) | 2006-03-27 | 2011-11-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Input/output multiplexer bus |
US8026739B2 (en) | 2007-04-17 | 2011-09-27 | Cypress Semiconductor Corporation | System level interconnect with programmable switching |
US8130025B2 (en) | 2007-04-17 | 2012-03-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Numerical band gap |
US8040266B2 (en) | 2007-04-17 | 2011-10-18 | Cypress Semiconductor Corporation | Programmable sigma-delta analog-to-digital converter |
US9564902B2 (en) | 2007-04-17 | 2017-02-07 | Cypress Semiconductor Corporation | Dynamically configurable and re-configurable data path |
US8516025B2 (en) | 2007-04-17 | 2013-08-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Clock driven dynamic datapath chaining |
US8092083B2 (en) | 2007-04-17 | 2012-01-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Temperature sensor with digital bandgap |
US7737724B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-06-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Universal digital block interconnection and channel routing |
US8065653B1 (en) | 2007-04-25 | 2011-11-22 | Cypress Semiconductor Corporation | Configuration of programmable IC design elements |
US9720805B1 (en) | 2007-04-25 | 2017-08-01 | Cypress Semiconductor Corporation | System and method for controlling a target device |
US8266575B1 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Systems and methods for dynamically reconfiguring a programmable system on a chip |
US8049569B1 (en) | 2007-09-05 | 2011-11-01 | Cypress Semiconductor Corporation | Circuit and method for improving the accuracy of a crystal-less oscillator having dual-frequency modes |
US9448964B2 (en) | 2009-05-04 | 2016-09-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Autonomous control in a programmable system |
US8026770B2 (en) * | 2009-07-01 | 2011-09-27 | Synaptics, Inc. | Relaxation oscillator |
US20110050308A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-03 | Grenergy Opto, Inc. | Standby power reduction method and apparatus for switching power applications |
TWI405403B (zh) * | 2010-07-14 | 2013-08-11 | Anpec Electronics Corp | 電流控制電路、ab類運算放大器系統及電流控制方法 |
US10135428B2 (en) | 2016-08-31 | 2018-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for a low power relaxation oscillator |
EP3490147B1 (de) * | 2017-11-28 | 2024-04-10 | ams AG | Relaxationsoszillator mit einer technik zur reduktion des alterungseffekts |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3617769A (en) * | 1969-03-12 | 1971-11-02 | Hewlett Packard Co | Wave generator having frequency-dependent trigger level for correction of loop delay |
US3621282A (en) * | 1970-03-26 | 1971-11-16 | Us Navy | Sawtooth generator with a ramp-bias voltage comparator |
-
1973
- 1973-06-01 US US00365840A patent/US3831113A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-05-24 GB GB2330074A patent/GB1465540A/en not_active Expired
- 1974-05-27 AU AU69396/74A patent/AU6939674A/en not_active Expired
- 1974-05-27 NL NL7407050A patent/NL7407050A/xx unknown
- 1974-05-31 JP JP49062467A patent/JPS5227022B2/ja not_active Expired
- 1974-05-31 DE DE19742426394 patent/DE2426394B2/de not_active Withdrawn
- 1974-05-31 IT IT23457/74A patent/IT1014659B/it active
- 1974-06-04 FR FR7419157A patent/FR2232136B1/fr not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0137368A1 (de) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Nukem GmbH | Funktionsgenerator |
EP0280170A2 (de) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | STMicroelectronics S.r.l. | Generator von periodischen Signalen, insbesondere für Schaltnetzteile |
EP0280170A3 (en) * | 1987-02-25 | 1990-01-10 | Sgs-Thomson Microelectronics S.P.A. | Generator of periodic signals, in particular for switch-mode power supplies |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7407050A (de) | 1974-12-03 |
AU6939674A (en) | 1975-11-27 |
US3831113A (en) | 1974-08-20 |
GB1465540A (en) | 1977-02-23 |
FR2232136B1 (de) | 1978-01-20 |
JPS5033754A (de) | 1975-04-01 |
FR2232136A1 (de) | 1974-12-27 |
JPS5227022B2 (de) | 1977-07-18 |
DE2426394A1 (de) | 1975-01-02 |
IT1014659B (it) | 1977-04-30 |
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---|---|---|
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Legal Events
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---|---|---|---|
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