DE2300748A1 - Stromfreies plattieren mit kupfer - Google Patents
Stromfreies plattieren mit kupferInfo
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- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
- C23C18/405—Formaldehyde
Description
Case ADK 502-20-2 ' Wt/My
DYNACHEM CORPORATION, Santa Fe Springs, Kalifornien 90670,
V.St.A.
Stromfreies Plattieren mit Kupfer
Stromfreie Kupferplattierungslösungen, bei denen als Reduktionsmittel
alkalischer Formaldehyd für die Kupfer(II)-ionen
verwendet, sind autokatalytisch und daher häufig nicht stabil, d.h. sie besitzen die Neigung, Kupfer verfrüht freizusetzen.
Viele Verfahren wurden vorgeschlagen, um die Autozersetzung stromfreier Kupferbäder gering zu halten. Beispielsweise
iet bekannt, daß die Verwendung starker, chelatbildender Mittel, beispielsweise von Äthylendiamintetraessigsäure
(EDTA) nützlich ist, um die Autozersetzungsgeschwindigkeit zu verzögern (vergl. US-Patentschrift 3 119 709). Die Chelatbildung
gibt jedoch keine zufriedenstellende Stabilisierung und beeinflußt in vielen Fällen die Metallabscheidungsgescnwindigkeit
nachteilig, so daß das Plattierungsverfahren technisch wertlos wird.
Zs ist ebenfalls bekannt, daß Kupfer(I)-ionen extrem aktiv
sind, die Autozersetzung von stromfreien Kupferplattierungsgen
zu aktivieren. Um die Kupfer(l)-ionen-Konzentration
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ORIGINAL INSPECTED
zu vermindern, wurde vorgeschlagen, Luft oder Sauerstoff
durch die stroinfreie Plattierungslösung zu leiten (vergl. US-Patentschrift 2 938 805). Bei diesem Verfahren, das üblicherweise
in der Technik verwendet wird, werden die Kupfer(l)-ionen
in Kupfer(II)-ionen überführt. Verwendet man dieses Verfahren als einziges Verfahren, um das Bad zu stabilisieren,
so treten zwei Hauptnachteile auf. Erstens sind die Abscheidungen, die man erhält, im Aussehen ungewöhnlich dunkel und
nichtmetallisch; vermutlich ist dies durch eine äußere Schicht an Kupfer(II)-oxyd bedingt, und zweitens verflüchtigt' sich
eine große Menge an Formaldehyd durch den Sauerstoff, den man durch die Lösung leitet. Daher ist die,Regulierung des chemischen
Gleichgewichts schwieriger.
Die Verwendung geringer Mengen verschiedener Chemikalien, die Kupfer(I)-ionen komplex binden können, ist ebenfalls gut bekannt,
um die Stabilität von stromfreien Kupferlösungen zu erhöhen. Typische Zusatzstoffe sind Cyanide, Nitrile, anorganische
Sulfide und verschiedene organische zweiwertige Schwefelverbindungen (vergl. beispielsv/eise die US-Patentschrift
3 095 309 sowie 3 361 580). Im allgemeinen besitzen diese Zusatzstoffe auch verschiedene Nachteile. Oft erhöhen
sie die übliche Gebrauchsdauer oder verbessern die Betriebsparameter der stromfreien Kupferlösungen nur mäßig, und wenn
die Stabilität stark verbessert wird, wird im allgemeinen die Geschwindigkeit oder die Qualität der Metallabscheidung
verschlechtert. Daher sind im allgemeinen bestimmte Kompromisse zwischen der Stabilität der stromfreien Plattierungslösung
und der Qualität oder Quantität der Metallabscheidung erforderlich.
Erfindungsgemäß können bekannte stromfreie Kupferlösungen innerhalb eines großen Temperaturbereichs während extrem
langer Zeiten stabilisiert werden, ohne daß es erforderlich ist, im Hinblick auf die Qualität, die Farbe oder die Geschwindigkeit
der Metallabscheidung Verzichte einzugehen. Die
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stromfreien erfindungsgemäßen Kupferbäder können kontinuierlich
in hoher Wirksamkeit verwendet werden, wobei man die Bestandteile, die durch chemische Umsetzung verbraucht werden
oder die ausgeschleppt werden, ergänzt.
Die erfindungsgemäß stabilisierten Bäder können außerdem wie derholten Erwärmungs- und Abkühlungsverfahren unterworfen
werden, und sie arbeiten im allgemeinen' bei Zimmertemperaturen wirksam. Die entstehenden Kupferfilme sind glänzend
rötlich und enthalten reines Kupfermetall. Sie sind frei von dunklen und körnigen Bereichen aus Kupferoxyden, die man
häufig in bekannten Filmen antrifft.
Der erfindungsgemäße Stabilisator kann durch die folgende allgemeine Formel
R"'(X)
P - (Z) R'
angegeben werden, worin R und R111 gleich oder verschieden
sind und eine Alkylgruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen, vorzugsweise mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, oder eine Arylgruppe
wie eine Phenyl- oder eine Naphthylgruppe oder eine Alkyl- oder Arylgruppe bedeuten. Unter allen Umständen sollten
die R"'-X- und R-Y-Bindungen in dem alkalischen Bad stabil sein und gegenüber Hydrolyse beständig sein. X, Y und Z können
Sauerstoff und Schwefel bedeuten. Am meisten bevorzugt sind X und Y Sauerstoff. R' kann eine große Vielzahl chemischer
Gruppen darstellen. Das Hauptkriterium bei der Auswahl von R1 ist das, daß es zusammen mit Z eine saure Gruppe bildet,
die in dem alkalischen Plattierungsbad langsam hydrolysiert wird, wobei, eine R(X)R(Y)P(S)-(Z)~-Gruppe gebildet wird. Irgendeine
Struktur, , bei der das Kohlenstoffatom, das an Z gebunden ist, an eine andere Gruppe als an eine Alkylgruppe
gebunden ist, ist geeignet. Genauer ausgedrückt, kann R1
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Wasserstoff, eine substituierte Alkyl- oder Arylgruppe bedeuten, wobei die Substitution mit einem oder mehreren
der folgenden Substituenten erfolgt: einem Halogenatom (beispielsweise Chlorid, Bromid oder Jodid), einer
Hydroxyl-, einer Amino- oder einer niedrigen Alkyl- oder Alkanolamine-, einer Nitro-, einer Carbalkoxy-, oder Alkylthio-,
einer Alkoxy- oder einer Aryloxygruppe. Die Alkylgruppe
kann 1 bis 12 Kohlenstoffatome enthalten, vorzugsweise
besitzt sie aber 1 bis 4 Kohlenstoffatome. Die
Arylgruppe kann eine Phenyl- oder Naphthy!gruppe sein.
Solche Gruppen sind eine p-Nitrophenylgruppe, eine Äthylthioäthylgruppe,
eine N-Methylcarbamoylmethylgruppe, eine
Trichloräthylgruppe, eine 1,2-Di-(äthoxycarbonyl)-äthylthiogruppe.
Jedoch können nicht mehr als eine der drei R-Gruppen Wasserstoff bedeuten.
Beispiele für Stabilisatoren sind:' Diäthyl-p-nitrophenylphosphat;
Diäthyl-p-nitrophenylthionophosphat (Parathion);
Dimethyl-S-2-äthylthioäthylthiolopho sphat, Monomethylamid
von 0,0-Dimethyldithiophosphoryl-essigsäure; Diäthylester
von 0,0-Dimethyldithiophosphoryl-bernsteinsäure (Malathion);
Dimethyl-1-hydroxy-2,2,2-trichloräthylphosphonat und Diäthyl-2-isopropyl-4-methylpyrimid-6-yl-thionophosphat.
Am meisten bevorzugt von diesen Verbindungen sind Diäthylp-ni trophenylthionopho sphat und der Diäthylester von 0,0-Dimethyldithiophosphoryl-bernsteinsäure,
die unter den Trivialnamen Parathion und Malathion bekannt sind.
Bezogen auf die Mole an verwendetem Kupfer(II)-salz,werden
zu der stromfreien Plattierungslösung von 0,001 bis 0,01 Mol
an organischem Phosphat-Stabilisator zugefügt. Vorzugsweise verwendet man von 0,002 bis 0,004 Mol.
Um die Stabilität des stromfreien Plattierungsbades und die Eigenschaften des plattierten Films weiter zu verbessern,
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besteht eine bevorzugte erfindungsgemäße Ausführungsform darin, zu der Lösung eine Verbindung der Propargyl-Art
zuzufügen. Diese Verbindung kann durch die allgemeine Formel
R0X»-(CH2) "- C
CH
dargestellt werden. In der obigen Formel kann X* ein zweiwertiges
Sauerstoffatom, eine Carbonylgruppe, Schwefel, eine SuIfony!gruppe, SuIfoxyd oder Imino oder ein dreiwertiges
Stickstoffatom bedeuten; η bedeutet eine ganze Zahl von 1 bis 3· Ist X zweiwertig, kann R" eine Alkylgruppe mit 1 bis
12 Kohlenstoffatomen, vorzugsweise mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen,
oder eine Phenyl- oder Naphthylgruppe bedeuten. Wenn X* dreiwertigen Stickstoff bedeutet, kann R" zwei oder mehrere
der zuvor erwähnten Gruppen bedeuten oder kann mit dem Kohlenstoff allein oder mit dem Kohlenstoff und Sauerstoff,
die an die Stickstoffgruppe angrenzen, einen Ring bilden.
Am meisten bevorzugt ist X1 eine Stickstoffgruppe und R" und
II bilden zusammen eine Phthalimid- oder eine Phthalimidoxygruppe,
d.h. als Verbindung der Propargyl-Art verwendet man N-Prcpargy!phthalimid oder N-Propargyloxyphthalimid. Beispiele
anderer Verbindungen, die verwendet werden können, sind: N-Propargylnaleinsäureimid} N-Propargylsuccinimid;
N-Alkyl-N-propargylamide; N,N-Dialkyl-N-propargylamine;
Aryl- und Alkyl-propargyläther; Aryl- und Alkyl-propargylthioäther;
Aryl- und Alkyl-propargylketone und Aryl- und
Alkyl-propargylsulfone.
Die Menge an Verbindung der Propargyl-Art, die verwendet
wird, wird vorzugsweise auf das Kupfer(II)-salz "in"einem
Liter des stromfreien Kupferplattierungsbades bezogen ausgedrückt.
Im allgemeinen werden 0,001 bis 0,01 Mol, vorzugsweise
0,002 bis 0,004 Mol verwendet.
Die erfindungsgemäßen stromfreien Kupferplattierungslösungen
sind alkalische wäßrige Lösungen, die eine Quelle für
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ORIGINAL !NSPECTES
Kupfer(II)-ionen, mindestens ein Komplexierungsmittel für
Kupfer(II)-ionen und ein aktives Reduktionsmittel enthalten. Die Alkalinität kann typischerweise durch Natrium- oder
Kaliumhydroxyde, Carbonate oder Phosphate oder durch andere Basen geschaffen werden. Bei der vorliegenden Erfindung
ist das bevorzugte Alkali eine Mischung aus Alkalinietallhydroxyd
und Carbonat. Diese Mischung ist wirtschaftlich und ermöglicht eine leichte Eontrolle des pH-Wertes.
Die Natriumsalze sind im allgemeinen wegen ihrer niedrigen Kosten bevorzugt.
Geeignete Quellen für Kupfer(II)-ionen sind wasserlösliche
Kupfersalze wie Kupfer(II)-sulfat, Kupfer(II)-nitrat,
Kupfer(II)-chlorid und Kupfer(II)-acetat. Für die vorliegende
Erfindung ist Kupfer(II)-sulfat wegen seiner niedrigen
Kosten und da es verfügbar ist, bevorzugt.
Geeignete Komplexierungsmittel für Kupfer(II)-ionen sind
Triäthanolamin, Tetrakis-N,N,N,N-hydroxypropyläthylendiamin,
Salze der Nitrilotriessigsäure, Salze von Äthylendiaminacetaten
und Salze von Hydroxycarbonsäuren wie Gluconsäure, Citronensäure und Weinsäure. Mischungen von
Salzen der Athylendiamintetraessigsäure und der Weinsäure sind die bevorzugten Komplexierungsmittel, da man damit
optimale Badstabilität oder optimale Eigenschaften der Abscheidung zusammen mit den bevorzugten erfindungsgemäßen
Zusatzstoffen erhält.
Geeignete Reduktionsmittel sind Formaldehyd und Formaldehydquellen
einschließlich wäßrigem Formaldehyd, p-Formaldehyd und deren Derivate. Wäßriger Formaldehyd ist wegen seiner
niedrigen Kosten, weil er zur Verfügung steht und leicht zu verwenden ist, bevorzugt.
Der Fachmann auf diesem Gebiet kann leicht andere Zusatzstoffe wie oberflächenaktive Mittel verwenden, um die
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Wirkung der stromfreien Kupferplattierungslösung zu verbessern.
Allgemein kann die Menge an Kupfersulfat pro Liter Plattierungslösung
0,002 bis 0,15 Mol, vorzugsweise 0,002 bis 0,04 Mol, betragen. Es sollte ausreichend Alkali vorhanden
sein, um einen pH-Wert von 10,5 bis 14, vorzugsweise von 13,0 bis 13,5, zu ergeben. Die Menge an-Formaldehyd oder
einem Äquivalent kann 0,06 bis 1,3 Mol, vorzugsweise 0,25 bis 0,50 Mol, betragen. Die Hole an Komplexierungsmittel
sollten das 1- bis 4-fache der Mole an Kupfer, vorzugsweise das 2- bis 2,5-fache, betragen.
Wie zuvor angegeben, sind die erfindungsgemäßen stromfreien Kupferplattierungslösungen während langer Zeiten bei Zimmertemperaturen
(ca. 200C) stabil. Außerdem können sie Temperaturen
bis zu 48,9°C (12O°F) und selbst in einigen Fällen Temperaturen bis zum Siedepunkt ohne nachteilige Wirkungen
aushalten.
Die erfindungsgemäßen stromfreien Plattierungslösungen haben im allgemeinen vorzugsweise ein spezifisches Gewicht von
1,04 bis 1,05 und eine Temperatur von 23,9 bis 26,7°C (75 bis 80°F). Unter diesen Bedingungen kann man Abscheidungsgeschvindigkeiten
von ungefähr 2,54 cm χ 10~ /min (ein Millionstel eines inches) erreichen. Bei höheren Temperaturer,
werden die Abseheidungsgeschwindigkeiten erhöht.
In der Praxis werden die stromfreien Kupferplattierungslösungen
im allgemeinen in Kunststoff- oder in Metalltanks, die mit Kunststoff beschichtet sind, bei 21 bis 37,8°C (70
"bis 1000F) gehalten, vorzugsweise unter mechanischem Rühren.
I)-C Stücke, die plattiert werden sollen, werden gereinigt
r:\a nötigenfalls gemäß dem Fachmann geläufigen Verfahren
stncibilisiert. Ein Eintauchen des Objekts, das plattiert
n soll, während 10 bis 30 Minuten ist im allgemeinen
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ORIGINAL INSPECTED
ausreichend, um die gewünschte Plattierungsdicke zu erreichen.
Gewünschtenfalls kann danach eine Abscheidung einer weiteren Metallschicht durch elektrolytische Maßnahmen
leicht durchgeführt werden.
Die Oberfläche, die plattiert werden soll, muß frei von Fett und anderen Verunreinigungen sein. Wird eine nichtmetallische
Oberfläche plattiert, so müssen die Oberflächenbereiche,
die eine Abscheidung erhalten sollen, zuerst gemäß bekannten Verfahren mit bekannten Sensibilisierungs- und Keimlösungen
wie mit Zinn(Il)-chlorid (SnCIp) und anschließender Behandlung
mit einer verdünnten Lösung aus Palladiumchlorid (PdCIp) behandelt werden. Wird eine Metalloberfläche wie
rostfreier Stahl behandelt, so sollte er entfettet werden und dann mit Säure wie mit Chlorwasserstoffsäure oder Phosphorsäure
behandelt werden, um die Oberfläche von irgendeinem Oxyd zu befreien. Erfolgt die stromfreie Abscheidung auf
einem Kunststoff oder einem keramischen Körper, der mit Kupfer(I)-oxyd (Cu2O) imprägniert ist, so wird der gereinigte
Körper in das stromfreie Plattierungsbad eingetaucht und darin gehalten, bis die Abscheidung ausreichend dick ist.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung.
Es wurden sieben, erfindungsgemäße stromfreie Kupferplattierungslösungen
hergestellt. Die Herstellung der Lösungen erfolgte folgendermaßen: Zu ungefähr einem halben Liter
Wasser fügte man in der in der Tabelle angegebenen Reihenfolge die verschiedenen angegebenen Verbindungen. Vor der
Zugabe werden die Stabilisatoren mit einem Colösungsmittel wie einem Glykoläther solvatisiert, wie es dem Fachmann geläufig
ist. Nachdem alle Bestandteile zugegeben wurden, wird ausreichend Wasser zugefügt, um 1 1 Lösung zu erhalten.
Jede der Lösungen enthält 9,25 g CuSO^.H2O, 16 g NaOH,
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5 g Na2CO3 und 30 g 37%±gen Formaldehyd.
In der folgenden Tabelle sind die anderen Bestandteile angegeben, die in den erfindungsgemäßen stromfreien Kupferplattierungslösungen
vorhanden sind.
Verbindung Lösungsnummer*
1 2 3 4 5-6
Rochelle-Salze, g 16,6 16,6 33,2 33,2
2H2O, g 16,6 16,6 - - 33,2 33,2 Kalathion,g 0,005 0,005 0,0025 0,005 0,0025 0,0025
N-Propargyl-
phthalimid, g 0,005 - 0,0025 - 0,0025 -
Beschleunigte Stabilisierungsversuche wurden durchgeführt,
indem man jede der obigen Lösungen in einer Glasampulle versiegelte und bei 54,40C (1300F) während bis zu 12 Tagen
aufbewahrte. In der folgenden Tabelle ist der Verlust an Kupfer(II)-ionen während verschiedener Zeiten während des
Lagerns angegeben, ausgedrückt in Prozent.
(130°F) | 1 | Tabelle | II | KupferCl)-ionen, % | nf | Sp | nf | 6 | Vergl.Probe + | |
Std. | nf | Verlust an | 2 3 4 5 Lösungsnummer |
10 | 10 | Il | nf | 20 | ||
Zeit bei 54,4°C | It | Il | nf | - | - | Sp | Il | 50 | ||
η | Il | II | 50 | 20 | 10 | Sp | 75 | |||
1 | II | Il | Il | - | - | - " | - | — | ||
2 | II | Il | Il | - | 30 | 15 | 10 | 100 | ||
3 | η | Sp | Sp | 100 | 100 | - | - | |||
4 | η | 15 | - | 50 | ■ - | |||||
5 | Tage | 50 | 15 | Malathion | Sp - nf - |
40 | ||||
6 | Wie Lösung Nr | .2 ohne | 50 | Spur nicht |
feststellbar | |||||
72 | ||||||||||
12 | ||||||||||
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OfWGJNAX n
Aus der obigen Tabelle ist die stark verbesserte Stabilität
der erfindungsgemäßen Lösungen, verglichen mit der Vergleichsprobe,
ersichtlich. Eine Lösung, die identisch ...war,,, mit Lösung Nr. 1, mit der Ausnahme, daß man auf Malathion,
verzichtete, zeigte im wesentlichen die gleiche Stabilität wie die Vergleichsprobe, obgleich 0,005 g Phthalimid,
vorhanden waren. Um die Wirksamkeit der erfindungsgemäßen Kupferplattierungslösungen zu zeigen, wird jede der'· sieben
Lösungen verwendet, um Epoxykunststoff platten zu beschichten. Die Platten werden abgerieben und entsprechend bekannten
Verfahren sensibilisiert. Die sensibilisierten Platten werden dann bei 240C (750F) und einem pH-¥ert von 13,3
während 10 Minuten in getrennte Bechergläser eingetaucht, von denen jedes eine der obigen Lösungen enthielt. In der
folgenden Tabelle sind die Dicken der stromfreien Kupferplattierungen angegeben, die man bei jeder Lösung erhielt.
Tabelle | III | |
Lösung-Nr. | Dicke '10 cm; | (10~6 In |
1 | 3,08 | (12,1) |
2 | 3,3 | (13,1) |
3 | 2,5 | (9,9) |
4 | 1,93 | (7,6) |
VJl | 2,7 | (10,6) |
6 | 3,08 | (12,1) |
Vergl.Probe | 5,2 | (20,4) |
Bei jedem Versuch, ausgenommen der Vergleichsprobe, enthielt das plattierte Material eine Kupferplattierung, die ungefähr
2,5 x 10 cm (10 Millionstel inch) dick war. Dies entspricht einer Plattierungsgeschwindigkeit von 2,5 x 10~ cm
pro Minute (1 Millionstel inch /min). Die Kupferplattierung besitzt eine ausgezeichnete Qualität, eine rötliche Färbung
und ist frei von Verunreinigungen. Man erhält eine besonders gute Qualität, wenn man einen sekundären Stabilisator
zufügt.
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Während die Plattierungsgeschwindigkeit bei der Vergleichsprobe etwas schneller ist, zeigt die erhaltene Kupfer- '
plattierung keine so gute Qualität, sie enthält Zersetzungsprodukte, die als dunkle und gräuliche Bereiche im Überzug
zu erkennen sind.
Der Vergleich zeigt eindeutig, daß die erfindungsgemäßen stromfreien Kupferplattierungslösungen stabil sind, Kupferbeschichtungen
mit hoher Qualität ergeben und daß sie zufriedenstellende Abscheidüngsgeschwindigkeiten besitzen.
Der Fachmann kann leicht erkennen, daß man für ein besonderes Plattierungsbad,ein besonderes Substrat und besondere
Plattierungsbedingungen die optimale Menge an Stabilisatoren variieren kann. Durch Routineversuche kann man
das beste Verhältnis von Abscheidungsgeschwindigkeit, Stabilität und Plattierungsqualität ermitteln.
Um die Verwendung anderer Stabilisatoren bei der vorliegenden Erfindung zu zeigen, wurden weitere Lösungen hergestellt.
Diese Lösungen waren im wesentlichen gleich wie die in Beispiel 1 beschriebene Lösung Nr. 5, mit der Ausnahme, daß
man als Stabilisatoren 0,005 g verschiedener Dialkylmercaptothionophosphate
anstelle von Malathion verwendete. Unter Verwendung der in Beispiel 1 angegebenen Versuche
erhielt man die folgenden Stabilitätsvrerte und Plattierungsgeschwindigkeiten.
Stabilisator Plattierungsdicke 2,5x % Verlust nach
1O"bcia(Millionstel in) Std.bei 54,4°C
nach 10 Minuten (1500F)
Dimethylmercapto-
thionophosphat 3,6 (14,1) 15
Diäthylmercapto-
thionophosphat 3,6 (14,1) 15
Di-n-propylmercapto
thionophosphat 3,8 (15,1) 15
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Bei all diesen Versuchen zeigt die Kupferbeschichtung eine
ausgezeichnete Qualität, eine rötliche Farbe -und enthält keine Verunreinigungen«
Beispiel 3 .
Unter Verwendung des gleichen Verfahrens, wie es in Beispiel 1 beschrieben ist, wurde eine Lösung hergestellt,
die identisch war mit der Lösung Nr. 1, mit der Ausnahme, daß 0,005 g N-Propargyloxyphthalimid anstelle des N-Propargylphthalimids
verwendet werden. Man erhält ähnliche Ergebnisse wie bei Lösung Nr. 1 .
Die in den obigen Beispielen beschriebenen stabilisierten, stromfreien Kupferplattierungslösungen sind bei Zimmertemperatur
während langer Zeiten und bei erhöhten Temperaturen bis zum 49°e (1200F) stabil, verglichen mit Kontrollösungen,
die die erfindungsgemäßen Stabilisatoren nicht enthalten.
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Claims (16)
1. Alkalisches» stromfreies Kupferplattierungsbad mit einem pH-Wert im Bereich von 10,5 bis 14, enthaltend.
Wasser, ein in Wasser lösliches Kupfersalzj ein Koiaplexierungsmittel
für Kupfer(II)-ionen und Formaldehyd, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad einen priirtären Stabilisator
der folgenden allgemeinen Formel
R" % (X) S
\ rc
^ P-(Z)R1
R(X)
enthält, worin R und RHt gleich oder verschieden sind und
je eine Alkylgruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoff atomen, eine Phenyl- oder Naphthylgruppe bedeuten, X, Y und Z Sauerstoff
oder Schwefel bedeuten und R* zusammen mit Z eine
saure Gruppe bedeutet, die in dem alkalischen Bad hydrolysiert wird.
2. Stromfreies Plattierungsbad gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß in dem Bad ebenfalls ein sekundärer Stabilisator der allgemeinen Formel
(CH2)n-C
vorhanden ist, worin RK eine Alkylgruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen,
eine Phenylgruppe oder eine Naphthylgruppe oder eine substituierte Phenyl- oder Naphthylgruppe, Xr
eine Thio-, eine Sulfonyl-, eine SuIfoxyd-, eine Oxy-,
eine Carbonyl- oder eine Iminogruppe, η 1, 2 oder 3 bedeuten,
oder worin RnXl ein Imid oder einen heterocyclischen
Ring bedeuten, der Stickstoff und Kohlenstoff mit oder ohne Sauerstoffgruppe enthält.
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3 - Stromfrexes Kupfeiplattierungsbad gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß X und. Y Sauerstoff und R eine
Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoff atomen "bedeuten.
4. Stromfreies Eupfe:rplattierungsbad -gemäß Anspruch 1t
dadurch gekennzeichnet,, daß man als primären Stabilisator
Malathion oder Parathion verwendet«
5. Stromfreies Kupferplattierungsbad gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet T daß ZRf eine Mercaptogruppe bedeutet.
6. StroBifreies Eupferplattierongsbad gemäß Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß η 1 und RnXl eine Phthalimidgruppe
bedeuten.
7. Stromfreies Kupferplattierungsbad gemäß Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Bad geringe Mengen an Malathion und M-Propargylphthalinid oder E-Propargyloxyphthalimid
enthält.
8. StroiBfreies Eupferplattierungsbad gemäß Anspruch 6f
dadurch gekennzeichnet, daß das Bad 0,001 bis 0,01 Mol
Malathion und 0,001 bis 0,01 Mol Phthalimid pro Mol Kupferion enthält.
9. Verfahren zur stromfreien Kupferplattierung durch
Eintauchen einer «aufnahmefähigen Oberfläche, die plattiert
werden soll, in ein wäßriges Bad, das einen pH-Wert im
Bereich von 10,5 bis 14 besitzt, und Wasser, ein wasserlösliches Kupfersalz, ein Eomplexierungsmittel für
Kupfer(11)-ionen und Formaldehyd enthält, dadurch gekennzeichnet,
daß das Bad ebenfalls einen primären Stabilisator'der
allgemeinen Formel
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P1CZ)R1
R(Y)
enthält, worin R und R"1 gleich oder verschieden sind und
je eine Alkylgruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen, eine Phenyl- oder Naphthylgruppe, X, Y und Z. Sauerstoff oder
Schwefel bedeuten und R1 zusammen mit Z eine saure Gruppe
bedeutet, die in dem alkalischen Bad hydrolysiert wird.
10. Verfahren gemäß Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, das in dem Bad ebenfalls ein sekundärer Stabilisator der
allgemeinen Formel
R"Xf (CH2)n-C
enthalten ist, worin R" eine Alkylgruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen,
eine Phenyl- oder eine Naphthylgruppe oder eine substituierte Phenyl- oder'Naphthylgruppe, X1 eine
Thio-, eine Sulfonyl-, eine SuIfoxyd-, eine Oxy-, eine
Carbonyl- oder eine Iminogruppe, η 1, 2 oder 3 bedeuten, oder worin RnX* ein Imid oder einen heterocyclischen Ring
bedeuten, der Stickstoff und Kohlenstoff mit oder ohne Sauerstoffgruppen enthält.
11. Verfahren gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß X und Y Sauerstoff und R eine Alkylgruppe mit 1 bis
4 Kohlenstoffatomen bedeuten.
12. Verfahren gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß man als primären Stabilisator Malathion oder Parathion
verwendet.
13. Verfahren gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß ZR1 eine Mercaptogruppe bedeutet.
309830/107 1 0RIGINAL1NSPE0TED
14. Verfahren gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß η 1 und R11X" eine Phthalimidgruppe bedeuten.
15. Verfahren gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad ebenfalls geringe Mengen an Malathion und
N-Propargylphthalimid oder N-Propargyloxyphthalimid enthält.
16. Verfahren gemäß Anspruch 15,dadurch gekennzeichnet,
daß das Bad von 0,001 bis 0,01 Mol Malathion und von 0,001 bis 0,01 Mol Phthalimid pro Mol Kupferion enthält.
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US21845972A | 1972-01-17 | 1972-01-17 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2300748A1 true DE2300748A1 (de) | 1973-07-26 |
DE2300748B2 DE2300748B2 (de) | 1975-03-13 |
DE2300748C3 DE2300748C3 (de) | 1975-10-30 |
Family
ID=22815208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2300748A Expired DE2300748C3 (de) | 1972-01-17 | 1973-01-08 | Wäßriges, alkalisches Bad zur stromlosen Verkupferung und dessen Verwendung |
Country Status (23)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3790392A (de) |
JP (1) | JPS5519983B2 (de) |
AT (1) | AT320372B (de) |
AU (1) | AU464729B2 (de) |
BE (1) | BE794048A (de) |
CH (1) | CH599981A5 (de) |
DD (1) | DD107490A5 (de) |
DE (1) | DE2300748C3 (de) |
DK (1) | DK143948C (de) |
ES (1) | ES410652A1 (de) |
FI (1) | FI54500C (de) |
FR (1) | FR2168364B1 (de) |
GB (1) | GB1414896A (de) |
HK (1) | HK65076A (de) |
IL (1) | IL41331A (de) |
IT (1) | IT980460B (de) |
LU (1) | LU66834A1 (de) |
NL (1) | NL177330C (de) |
NO (1) | NO135188C (de) |
PL (1) | PL94000B1 (de) |
RO (1) | RO69172A (de) |
SE (1) | SE387664B (de) |
ZA (1) | ZA73328B (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL164906C (nl) * | 1975-08-19 | 1981-02-16 | Philips Nv | Werkwijze voor de bereiding van een waterig alkalische verkoperbad. |
JPS60159328U (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-23 | 株式会社 高津製作所 | ドレン警報器付油量計 |
US4666858A (en) * | 1984-10-22 | 1987-05-19 | International Business Machines Corporation | Determination of amount of anionic material in a liquid sample |
US5626736A (en) | 1996-01-19 | 1997-05-06 | Shipley Company, L.L.C. | Electroplating process |
EP2639335B1 (de) | 2012-03-14 | 2015-09-16 | Atotech Deutschland GmbH | Alkalisches Plattierbad für stromlose Abscheidung von Kobaltlegierungen |
CN103225092A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-07-31 | 南通鑫平制衣有限公司 | 一种塑料镀铜 |
JP6176841B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2017-08-09 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | 無電解銅めっき液 |
US10060034B2 (en) | 2017-01-23 | 2018-08-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Electroless copper plating compositions |
US10655227B2 (en) | 2017-10-06 | 2020-05-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Stable electroless copper plating compositions and methods for electroless plating copper on substrates |
US10294569B2 (en) | 2017-10-06 | 2019-05-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Stable electroless copper plating compositions and methods for electroless plating copper on substrates |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1192021B (de) * | 1963-01-12 | 1965-04-29 | Dehydag Gmbh | Galvanische Baeder |
US3457089A (en) * | 1967-04-07 | 1969-07-22 | Shipley Co | Electroless copperplating |
US3635758A (en) * | 1969-08-04 | 1972-01-18 | Photocircuits Corp | Electroless metal deposition |
-
0
- BE BE794048D patent/BE794048A/xx not_active IP Right Cessation
-
1972
- 1972-01-17 US US00218459A patent/US3790392A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-01-05 AU AU50768/73A patent/AU464729B2/en not_active Expired
- 1973-01-08 DE DE2300748A patent/DE2300748C3/de not_active Expired
- 1973-01-08 AT AT13573A patent/AT320372B/de not_active IP Right Cessation
- 1973-01-11 NO NO123/73A patent/NO135188C/no unknown
- 1973-01-12 SE SE7300440A patent/SE387664B/xx unknown
- 1973-01-15 CH CH52373A patent/CH599981A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-01-15 LU LU66834A patent/LU66834A1/xx unknown
- 1973-01-15 FR FR7301315A patent/FR2168364B1/fr not_active Expired
- 1973-01-15 GB GB207373A patent/GB1414896A/en not_active Expired
- 1973-01-16 DK DK23573A patent/DK143948C/da not_active IP Right Cessation
- 1973-01-16 ES ES410652A patent/ES410652A1/es not_active Expired
- 1973-01-16 IT IT67057/73A patent/IT980460B/it active
- 1973-01-16 FI FI117/73A patent/FI54500C/fi active
- 1973-01-16 DD DD168260A patent/DD107490A5/xx unknown
- 1973-01-16 ZA ZA730328A patent/ZA73328B/xx unknown
- 1973-01-16 NL NLAANVRAGE7300599,A patent/NL177330C/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-01-17 RO RO7373524A patent/RO69172A/ro unknown
- 1973-01-17 JP JP774073A patent/JPS5519983B2/ja not_active Expired
- 1973-01-17 IL IL41331A patent/IL41331A/xx unknown
- 1973-01-17 PL PL1973160307A patent/PL94000B1/pl unknown
-
1976
- 1976-10-14 HK HK650/76*UA patent/HK65076A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES410652A1 (es) | 1976-01-01 |
AT320372B (de) | 1975-02-10 |
NO135188C (de) | 1977-02-23 |
FR2168364A1 (de) | 1973-08-31 |
DE2300748C3 (de) | 1975-10-30 |
NL177330B (nl) | 1985-04-01 |
US3790392A (en) | 1974-02-05 |
SE387664B (sv) | 1976-09-13 |
BE794048A (fr) | 1973-07-16 |
LU66834A1 (de) | 1973-03-19 |
CH599981A5 (de) | 1978-06-15 |
GB1414896A (en) | 1975-11-19 |
IT980460B (it) | 1974-09-30 |
AU464729B2 (en) | 1975-09-04 |
JPS5519983B2 (de) | 1980-05-30 |
ZA73328B (en) | 1973-10-31 |
PL94000B1 (de) | 1977-07-30 |
DK143948C (da) | 1982-04-19 |
FI54500C (fi) | 1978-12-11 |
DD107490A5 (de) | 1974-08-05 |
DK143948B (da) | 1981-11-02 |
HK65076A (en) | 1976-10-22 |
JPS4999934A (de) | 1974-09-20 |
NL7300599A (de) | 1973-07-19 |
FR2168364B1 (de) | 1975-03-28 |
DE2300748B2 (de) | 1975-03-13 |
NL177330C (nl) | 1985-09-02 |
FI54500B (fi) | 1978-08-31 |
IL41331A (en) | 1975-11-25 |
NO135188B (de) | 1976-11-15 |
IL41331A0 (en) | 1973-03-30 |
RO69172A (ro) | 1980-01-15 |
AU5076873A (en) | 1974-07-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: SPOTT, G., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |