DE2250570A1 - Verfahren zum herstellen von halbleiterbauteilen, die polykristallines silizium aufweisen - Google Patents

Verfahren zum herstellen von halbleiterbauteilen, die polykristallines silizium aufweisen

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    • H—ELECTRICITY
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    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
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