DE2243708A1 - Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von glimmentladungen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von glimmentladungen

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DE2243708A1
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cathode
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electrode
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DE2243708A
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Alan Scardeburg Penfold
John Alexander Thornton
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields

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Description

VEEFAHREN UND VORRICHTUNG- ZUR ERZEUGUNG VON GLIMMENTLADUNGEN
Die vorliegende Erfindung "bezieht sich auf Elektroden, enthaltende Glimmentaldungsvorrichtungen und insbesondere auf eine verbesserte Vorrichtung dieser Art zum Zerstäuben, von Material sowie auf ein Verfahren zur Erzeugung derartiger Glimmentladungen.
Verschiedene mit Elektroden arbeitende Glimmentladungsvorrichtungen sind entwickelt und in der Praxis verwendet worden. Trotz ständiger Neuentwicklungen und1Verbesserungen auf diesem Gebiet ergeben sich mit der von. üblichen Anordnungen abweichenden Vorrichtung der vorliegenden. Erfindung verbesserte Ergebnisse insbesondere in. Bezug auf Wirkungsgrad und Betriebssicherheit.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung eignet sich besonders zum Niederschlagen bzw. Aufbringen dünner Schichten durch Kathodenzerstäubung. Die Erfindung schafft bei niedrigen Drucken arbeitende Gasentladungsvorrichtungen., die als Licht- und Strahlungsquellen wirken und Strahlung mit Elektronenübergängen in Gasen entsprechenden Wellenlängen liefern.
Besonderer Bedarf besteht an Vorrichtungen und Verfahren, die es ermöglichen, eine intensive Glühentladung bei niedrigen
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Drucken von etwa 10· Torr oder weniger auf einer Aufprallfläche 'aufrecht zu erhalten. Es ist an sich bekannt, die Bewegung der ionisierenden Elektronen durch Magnetfelder zu steuern und durch eine getrennte Entladung die Erzeugung der ionisierenden Elektronen vom eigentlichen Zerstäubungsprozeß abzutrennen. Diese Vorrichtungen haben im wesentlichen ebene geometrische Formen, wobei sich mir schwer eine gleichmäßige Ionenverteilung und damit eine gleichmäßige Abscheidungsrate auf der gesamten Aufprallfläche herstellen lassen.. Verbesserter Betrieb läßt sich bei zusätzlicher Verwendung von Magnetfeldern in Vorrichtungen mit einer zylindrischen Kathode erzielen, in denen die Kathodenachse den Feldlinien
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parallel ist. Die Radialbewegung der Primärelektronen ist in diesem Fall bestimmten Einschränkungen unterworfen. Insbesondere können die Primärelektronen gezwungen werden, in der Nähe der Kathodenoberfläche zu bleiben, bis ein bedeutender Teil ihrer Energie in ionisierenden Zusammenstößen mit dem ümgebungsgas verbraucht worden ist. Infolge der geometrischen Symmetrie wird gleichzeitig ein gleichmäßigerer Kathodenstrom in azimutaler Richtung erzielt· Die Zylinder-Außenfläche oder -Innenfläche kann als Kathode verwendet werden. In beiden Fällen verlassen die Primärelektronen das Kathodengebiet in achsialer Richtung mit einem bedeutenden Teil ihrer Energie. Diese "Endverluste" werden besonders bedeutsam für den Betrieb bei verringerten Drucken und bei Verwendung von Kathoden mit zunehmendem Verhältnis von Kathodendurchmesser zu Kathodenlänge.
Neben den oben erwähnten Problemen ist es eine bekannte Tatsache in Plasmaphysik, daß bekannte Verfahren zur Gleichstrom-Zerstäubung leitender Materialien sich nicht im Falle elektrisch isolierender Materialien verwenden lassen, da die Ansammlung elektrischer Ladungen auf dem isolierenden Material den bombardierenden Ionenstroa auf für praktische Anwendungen unzulässig niedrige Werte begrenzt.
Die beim Gleichstrom-Zerstäuben elektrisch isolierender Materialien auftretenden Schwierigkeiten konnten gewöhnlich durch Hochfrequenz-Zerstäubung überwunden werden, wobei eine elektrisch leitende Platte dicht hinter der zu beschichtenden dielektrischen Aufprallfläche aufgestellt wird· An diese leitende Platte wird ein hochfrequentes Wechselfeld (Frequenz einige Megahertz) angelegt. Ein Verschiebungsstrom fließt dann durch die isolierende Aufprallfläche und entfernt die dort angesammelte Ladung, sodaß die Zerstäubung mit der Ionenbombardierung ungehindert vor sich gehen können.
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In den meisten der an sich bekannten, mit Hochfrequenz betriebenen Zerstäubungsvorrichtungen ist die Aufprallfläche eben und zusätzliche Hochfrequenz- oder Gleichstrom-Entladungen oder äußere magnetische Felder werden nicht selten zur Steuerung der Entladung verwendet«
Sämtliche bekannten HP-Systeme, haben bestimmte Nachteile, die ihre Anwendung in Verbindung mit Glimmentladungen und, Vorrichtungen zur Kathodenzerstäubung unzweckmäßig erscheinen lassen. Zu diesen Nachteilen'gehören hohe Anschaffungskosten, komplizierter Aufbau, niedriger Wirkungsgrad, geringe Zerstäubung sleistung, Zerstäubung von dafür ungeeigneten Flächen aus, geringe nutzbare Beaufschlagungsfläche, hohe Betriebsspannungen, starke Kopplung zwischen den die Entladung aufrecht erhaltenden und die Zerstäubungsgeschwindigkeit steuernden Prozessen, sodaß sich wesentliche Einschränkungen für den Betrieb ergeben, hohe Anforderungen an den aufrecht zu erhaltenden Gasdruck," fehlende Vielseitigkeit, Hochfrequenz-Verluste, Abhängigkeit vom Abstand zum Träger der Aufprallfläche 9 Verunreinigungen der abgeschiedenen Schicht, Gradienten der lonendichte im Plasma um die Aufprallfläche, ungleichmäßige Zerstäubung, unzulässiges Erhitzen der Trägerfläche, die Notwendigkeit, verschiedene Stromversorgungen einzusetzen, die Unmöglichkeit, die Anordnungen auf größere Aufprallflächen abzustimmen, und Endverluste, die Änderungen der Zerstäubungsrate in Achsialrichtung ergeben und dem Betrieb bei niedrigen Drucken Grenzen setzen.
Erfindungsgemäß wird eine wirkungsvolle Glimmentladung erzeugt, sodaß ein Minimum an Energie pro erzeugtes Ion gebraucht wird. Außerdem 7/erden die Ionen in einem Gebiet erzeugt, das in Bezug auf die Aufprallfläche so gelegen ist, daß ein hoher Prozentsatz der erzeugten Ionen für den Zerstäubungsprozeß zur Verfugung steht. Die Plasmaentladung ist über die Aufprallfläche in regelbarer Weise verteilt, sodaß sich eine
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Quelle zerstäubten Materials mit einer gewünschten Geometrie
ergibt. Erfindungsgemäß lassen sich damit gleichmäßige und in bestimmter, gewünschter Weise ungleichmäßige Beschichtungsmuster erzielen.
Die vorliegende Erfindung schafft eine Plaemafalle, die die Bewegung der von der Kathode emittierten Primärelektronen in Radialrichtung und Achsialrichtung begrenzt und die Primärelektronen in der Nähe der Aufprallfläche hält, bis der größte Teil der Energie dieser Elektronen in ionisierenden Zusammenstößen verbraucht worden ist, in denen zusätzliches Plasma erzeugt wird. Völlige Zurückhaltung in der Falle bedeutet, daß jiie überwiegende Mehrzahl der Primärelektronen, die noch genügend Energie zur Erzeugung zusätzlicher Ionen haben, in der Falle zurückgehalten wird. Das bedeutet auch, daß alle nicht in der Falle zurückgehaltenen Elektronen nicht in merklicher Weise zur Ionisierung beitragen.
Die im Niederdruckplasma arbeitende Falle benutzt das Prinzip einer kombinierten Elektronen-Reflexion an auf Kathodenpotential gehaltenen Flächen und Elektronen-Ablenkung mit Hilfe eines Magnetfelds. Das Plasma wird erfindungsgemäß im gesamten Entladungsbereich festgehalten, der alle sechs Seiten des üblicherweise betrachteten Kastenvolumens umfaßt, wobei im Querschnitt gesehen vier der sechs Seiten der Falle von magnetischen Feldlinien und Elektrodenoberflächen gebildet werden, während die verbleibenden zwei Seiten durch die Achsialsymmetrie des Systems definiert sind. Die Achsialsymmetrie ergibt sich aus der Konfiguration des Magnetfelds und/oder der Elektrodenanordnung.
Das Einströmen von Primärelektronen in die Falle hat zur Folge, daß die Energie dieser Elektronen zur ,Erzeugung zusätzlicher Ionen im Plasma zur Verfügung steht. Nachdem die Primärelektronen in derartigen Ionisationsprozessen alle zur
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Ionisierung verwendbare Energie verloren haben, sind sie für weitere Ionisationsakte ohne Bedeutung und dienen schließlich nur noch dazu, den Gesamtstrom im elektrischen Kreis zu unterhalten. Der Gesamtstrom setzt sich aus dem Elektronenstrom und dem Ionenstrom zusammen,. Durch Verwendung einer als Anode dienenden Elektrode wird gewährleistet, daß die Elektronen nach Abgabe ihrer Energie ihren Weg zu Ende führen können. Die Anode ist dabei so anzubringen, daß die Elektronen niederer Energie in der Fälle durch die Anode gesammelt werden, ohne daß es dabei zu Verlusten von Elektronen mit höheren, zur .Ionisation noch ausreichenden Energien kommt.
Beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung bestehen aus flanschartigen Kathodenanordnungen, die hohe Kathodenstromdichten bei verhältnismäßig niedrigen Spannungen und bei niedrigen Gasdrucken ergeben. Die folgende Beschreibung bezieht sich auf zwei Ausführungsformen mit zylindrischen Kathoden, wobei im Beispiel a) Plasma an der Außenseite eines Zylinders erzeugt wird, während im Beispiel b) Plasma innerhalb eines Zylinders erzeugt wird. Die Kraftlinien des in beiden Fällen verwendeten Magnetfelds sind parallel zur Zylinderachse oder zur Achse der Kathode. Die Feldstärke kann eingeregelt werden., um das Plasma in der Nähe der Wandungen im Raum zwischen der tonnenförmigen Kathode und den Flanschen der Gegenelektrode zu halten. Der größte Teil der Plasmaionen wird dann an der Kathodensehieht erzeugt, die sich über die Kathodenoberfläehe erstreckt« Bei Verwendung dieser Kathoden müssen die schnellen Elektronen durch magnetische und elektrische Felder gelenkt und gefangen gehalten werden. Die Fallenwirkung ergibt sich dadurch, daß die magnetischen Kraftlinien die Kathodensehieht an zwei Punkten durchschneiden, wobei die Kraftlinien im wesentlichen unter einem rechten Winkel auf die Kathodensehieht treffen. Damit bestehen
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praktisch drei Seiten der Falle aus der Kathodenschicht, während das Magnetfeld die vierte Seite der Falle herstellt. Die Symmetrie der Anordnung gewährleistet hohe Plasmahomogenität.
Für den Hochfrequenz-Betrieb werden Anordnungen mit zwei Elektroden verwendet, die ebenfalls hohe Kathodenstromdichten bei verhältnismäßig niedren Spannungen und Gasdrücken ergeben. Beim normalen HF-Betrieb der Glimmentladung kann jede der beiden Elektroden die Funktion der Anode oder der Kathode übernehmen, doch läßt sich zeigen, daß beide Elektroden für das Plasma während des größten Teils einer HF-Periode als Kathoden wirken. Nur während sehr kurzer Zeitabschnitte in jeder zweiten Halbwelle wirken die Elektroden als Anoden für das Plasma. Die im Plasma und in der Kathodenschicht enthaltenen Ionen verhalten sich aber wie in einer Gleichstrom-Glimmentladung in der beide Elektroden fast die ganze Zeit als Kathoden wirken.
Mit den drei im Rahmen der Erfindung verwendeten Elektrodenklassen wird a) Plasma an der Außenseite zweier stabförmiger Elektroden erzeugt, b) Plasma innerhalb zweier Hohlelektroden erzeugt, und c) Plasma an der Oberfläche einer verhältnismäßig dünnen, ebenen oder gekrümmten Flächenelektrode erzeugt. In all diesen Anordnungen wird zusätzlich ein Magnetfeld verwendet, das entweder durch innerhalb oder außerhalb der Elektroden angebrachte Feldspulen erzeugt wird. Das magnetische Feld ist so verteilt, daß sich mit der jeweiligen Elektrodenanordnung mindestens eine das Plasma enthaltende Falle ergibt, die infolge der Gesamtanordnung des Magnetfelds und/oder der Elektroden Achsialsymmetrie aufweist.
Die stabförmigen oder hohlen Elektroden können an ihren Enden mit Flanschen zum Schließen der Plasmafalle versehen werden. Derartige flanschförmige Fortsätze können weggelassen werden, falls sich die Grenzen der Falle durch andere Abschnitte der Elektrodenstruktur und das Magnetfeld völlig definieren lassen» Bei Verwendung flansehförmiger Fortsätze werden diese
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groß genug gemacht, um die Fälle völlig zu schließen. Andernfalls ist die magnetische Feldstärke auf Werte zu erhöhen, bei denen wirtschaftlicher Betrieb der erfindungsgemäßen Vorrichtung nicht mehr gewährleistet ist. Die Größe der flanschartigen Fortsätze steht in direkter Beziehung zur Größe des Raums, in dem die PrimäreIektronen bei der Erzeugung zusätzlicher Ionen Energie verlieren.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich damit im wesentlichen auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Schaffung einer hochwirksamen Plasmafalle, in der die Bedingungen zur Aufrechterhaltung eines Plasmas so günstig sind, daß die Belastung der als Kathode dienenden Aufprallfläche nicht in merklicher Weise den ZerstäubungsVorgang beeinflußt. Die Aufrecht erhaltung einer intensiven Plasmaentladung auf der gesamten Aufprallfläche ist nur sehr schwach mit dem Zerstäubungsprozeß gekoppelt. Lediglich geringe Änderungen des Magnetfelds werden zur Anpassung an die geweiligen zur Zerstäubung verwendeten Spannungen bei einem gewissen Gasdruck und Arbeitsstrom benötigt.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein neues, verbessertes Verfahren zur Erzeugung einer Glimmentladung zu schaffen.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine neuartige, verbesserte Vorrichtung für Glimmentladungen zu schaffen.
Die Erfindung hat ferner zum Ziel, eine neuartige, verbesserte, Elektroden enthaltende Vorrichtung für Glimmentladungen zu schaffen. -
Die Erfindung hat ferner zum Ziel, ein neuartiges, verbessertes Verfahren zur Erzeugung eines räumlich beschränkten Plasmas anzugeben.
Die Erfindung hat ferner zum Ziel, eine neuartige Vor-
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richtung zur Erzeugung eines räumlich begrenzbaren Plasmas zu schaffen.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, Glimmentladungssysteme zu schaffen, die mit verhältnismäßig niedrigen Spannungen bei niedrigen Drucken des Arbeitsgases betrieben werden können.
Die Erfindung hat weiter zum Ziel, eine verbesserte Zerstäubungsvorrichtung zu schaffen, in der der Zerstäubungsvorgang praktisch vollkommen unabhängig von den Eigenschaften der Plasmaentladung ist.
Die Erfindung hat außerdem zum Ziel, eine Zerstäubungsvorrichtung mit einer flanschförmigen Kathode zu schaffen, die unter dem Einfluß eines Magnetfelds steht, wobei die Feldlinien im wesentlichen an dem Kathodenzylinder und parallel zu demselben verlaufen.
Ein zusätzliches Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Kathoden-Anoden-Verbindung zu schaffen.
Die Erfindung hat außerdem zum Ziel, eine Zerstäubungsvorrichtung anzugeben, die leicht zusammengebaut und auseinandergenommen werden kann, um das Kathodenmaterial auszuwechseln oder die Kathode selbst zu reinigen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, eine Zerstäubungsvorrichtung mit einer neuartigen Anordnung von im Zerstäubungsraum enthaltenen Isolatoren zu schaffen, in der Kunststoffmaterialien nicht direkt der in der Zerstäubungskammer herrschenden Atmosphäre ausgesetzt sind.
Die Erfindung hat ferner zum Ziel, eine neuartige Anordnung für Isolatoren für Glimmentladungsvorrichtungen zu schaffen.
Weiterhin hat die Erfindung zum Ziel, ein neuartiges, mit Hochfrequenz betriebenes Glimmentladungssystem anzugeben.
Die Schaffung einer verbesserten Doppelelktroden-Anord-
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nung in Glimmentladungssystemen 1st ein weiteres Ziel der " vorliegenden Erfindung.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es auch, verbesserte Glimmentladungsanordnungen mit verschiedenen Doppelelektrodensystemen zu schaffen, die ihrerseits mit verschiedenen räumliehen Magnetfeldverteilungen zusammenwirken und dabei das Plasma der Glimmentladung völlig umschließende Fallen ergeben.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es auch, neuartige, verbesserte Glimmentladungssysteme zu schaffen, die sich in beträchtlicher Größe herstellen lassen.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, verbesserte Zerstäubungssysteme zu schaffen, die eine im wesentliehen gleichförmige Abscheidungsrate auf verhältnismäßig großen Oberflächen gewährleisten.
Ein- weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, verbesserte Doppelelektroden-Zerstäubungssysteme zu schaffen, die mit Hochfrequenz betrieben werden und in denen beide Elektroden als Aufprallflächen dienen*
Diese und weitere Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen, die beispielhafte Ausführungsformen darstellen.
Figur 1 ist ein sehematiseher Aufriß einer erfindungsgemäßen, Elektroden enthaltenden Entladungsvorrichtung in einer Vakuumkammer.
Figur 2 zeigt Einzelheiten eines Querschnitts durch die erfindungsgemäße Entladungsvorrichtung.
Figur 3a ist ein Längsquerschnitt durch eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Entladungsvorrichtung, während Figur 3b einen Querschnitt der gleichen Anordnung zeigt, Figuren 3c und 3d sind vergrößerte Teilansichten der in
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Figur 3a dargestellten Vorrichtung mit gewissen Abänderungen derselben.
Figur 4 ist ein schematischer Aufriß einer mit zwei Elektroden arbeitenden, mit Hochfrequenz betriebenen Glimmentladungsvorrichtung, die in einer Vakuumkammer mit Vorrichtungen für geeignete Magnetspulen montiert ist.
Figuren 5a bis 5d stellen verschiedene Ausführungsformen stabförmiger Doppelelektroden dar, die sich in verschiedenartigen Magnetfeldern zur Durchführung der ErfindungszieIe befinden.
Figuren 6a bis 6e zeigen verschiedene Ausführungen von für die Ziele der Erfindung verwendbaren Doppelelektroden.
Figur 7 ist ein Figur 4- ähnelnder schematischer Aufriß und dient zur Erläuterung der Verwendung von Hohlkathoden.
Figuren 8a bis 8d zeigen verschiedene Hohlkathodenanordnungen mit magnetischen Feldanordnungen gemäß vorliegender Erfindung.
Figuren 9a bis Se zeigen verschiedene Ausführungsformen von Elektrodenanordnungen mit Hohlkathoden gemäß vorliegender Erfindung.
Figur 10a zeigt eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Glimmentladungsvorrichtung mit ebenen Doppelelektroden.
Figur 10b zeigt die Elektroden und die magnetische Feldwicklung der in Figur 10a dargestellten Ausführungsform im Grundriß.
Figur 10c zeigt eine andere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Glimmentladungsvorrichtung mit zwei ebenen Elektroden.
Figur 1Od ist schließlich ein Grundriß der in Figur 10a dargestellten Elektrodenanordnung mit der zugehörigen, das Magnetfeld erzeugenden Spule.
Figur 1 zeigt eine an sich bekannte Vakuumkammer 10 mit
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einer in ihr montierten erfindungsgemäßen, Elektroden enthaltenden Gasentladungsvorrichtung 12.
Die Entladevorrichtung 12 umfaßt eine "spulenartige" oder "flanschförmige" Kathode 14, die in Kammer 10 montiert ist und durch Halterungen 1.5 festgehalten ist. An Kathode ist ein oberer Plansch 14a sowie ein unterer Plansch 14b angesetzt. Um den oberen Plansch 14a der Kathode 14 ist eine Anode 16 gelegt, die durch zwei oder mehr hohle Abstandshalter 17 an der Abdeckung der Vakuumkammer 10 befestigt ist. Ein Magnetfeld wird an der Kathodenoberfläche durch zwei magnetische Feldspulen erzeugt. Eine der Peldspulen ist innerhalb der Kathode 14 angebracht, während die andere Spule 21 um die Außenwand 22 der Vakuumkammer 10 gewickelt ist. Die Windungen der äußeren Spule 21 erstrecken sich von einem etwas über dem Kathodenflansch 14a gelegenen Punkt zu einem etwas unterhalb des Kathodenflansches 14b gelegenen Punkt. Die Kraftlinien des von diesen Spulen erzeugten Magnetfelds verlaufen dicht an der Kathodenoberfläche vorbei und parallel zu derselben, wie durch die gestrichelten Linien 23 angedeutet. Nach Auspumpen wird Kammer 10 mit einem geeigneten Gas, wie beispielsweise Argon, auf einen niedrigen Gasdruck gefüllt.
Kathode 14 und Anode 16 sind hohl und eine durch geeignete Leitungen 25a - 25c angeschlossene Kühlwasserquelle sorgt für Kathode 14 und Anode 16 durchströmendes Kühlwasser. Eine die benötigten hohen Spannungen und den Strom für die Peldspulen liefernde Stromquelle 27 ist eingezeichnet, wobei gewöhnlich zwei getrennte Versorgungseinheiten für die verschiedenen Spannungen benutzt werden. Stromversorgungseinheit 27 ist mit Kathode 14 verbunden, an der eine negative Spannung angelegt wird, während Anode 16 geerdet ist. Außerdem liefert die Stromversorgungseinheit Strom an die Spulen 20 und 21. Der am unteren Ende der Vakuumkammer 10 angebrachte Stutzen
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29 ist über ein Ventil an eine nicht dargestellte Vakuumpumpe in an sich bekannter V/eise angeschlossen.
Schichten oder Filme können auf Trägerflansch 31 in der Vakuumkammer 10 aufgestäubt werden. In der in Figur 1 dargestellten Ausführungsform ist außerdem ein Trägerflansch 32 vorgesehen. Die beiden Trägerflansche 31 und 32 können aus einem magnetischen Metall hergestellt werden, um die Feldlinien geeignet abzubiegen, doch können andere Materialien verwendet werden, falls eine Feldspule im^ Innern der Kathode 14 vorgesehen ist.
Die in Figur 2 dargestellte Entladungsvorrichtung 12 hängt von der Deckkappe 18 der Vakuumkammer 10 herab. Die Kammer wird normalerweise aus einem nichtmagnetischen Metall, wie beispielsweise Aluminium, hergestellt. Kathode 14 ist an Halterung 15 befestigt, die ihrerseits an Deckkappe 16 angeschraubt ist. Kathode 14 besteht aus einem zylindrischen Rohr oder einer Zylinderhülse 40, die aus dem zu zerstäubenden Material hergestellt ist oder auf der eine Schicht des zu zerstäubenden Materials aufgebracht ist. Rostfreier Stahl mit einer auf der Außenfläche angebrachten Chromschicht ist als Kathode geeignet, wenn Chrom auf einer Trägerfläche als Schicht aufgebracht werden soll. Kathode 14 umfaßt ferner oberen Flansch 14a und unteren Flansch 14b, die jeweils aus zwei Teilen bestehen, um den Zusammenbau zu erleichtern.
Oberer Flansch 14a umfaßt einen unteren Flanschabschnitt 42 sowie einen oberen Flanschabschnitt 43. Die beiden Abschnitte sind durch mehrere Schrauben 44 miteinander verbunden und durch einen Dichtungsring 45 abgedichtet, sodaß sie zusammen den oberen Flansch 14a bilden. Flansch 14a umschließt einen Innenhohlraum 47 zur Aufnahme einer Kühlflüssigkeit, wie beispielsweise Wasser. Der untere Flansch 14b ist ähnlich konstruiert und besteht aus einem oberen Abschnitt 52 und
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einem unteren Abschnitt 53. Diese beiden Abschnitte sind durch mehrere Schrauben 54 miteinander verbunden und durch einen
Dichtungsring 55 abgedichtet, sodaß insgesamt ein weiterer
Hohlraum 57 zur Aufnahme von Kühlwasser zwischen den beiden Flanschabschnitten 52 und 53 entsteht. Flanschabschnitte 42 und 52 werden zweckmäßigerweise aus einem nichtmagnetischen Metall hergestellt, beispielsweise aus rostfreiem Stahl mit einer Chromauflage (wenn Chrom zerstäubt werden soll), während Flanschabschnitte 43 und 53 aus einem magnetischen Metall, wie z.B. einem geeigneten rostfreien Stahl, hergestellt sind.
Die beiden Flansche 14a und 14b sind an Zylinderhülse 40 mit mehreren Gewindestangen 59 befestigt, und Dichtungsringe 60 und 61 schaffen eine Abdichtung. Ein ringförmiger
Kammerraum 62 wird dadurch innerhalb Zylinderhülse 40 zur Aufnahme von durch ringförmige Öffnung 63 im unteren Flanschabschnitt 42 des oberen Flansches 14a eingeleitetem Kühlwasser geschaffen. Eine ähnliche ringförmige Öffnung 65 ist im oberen Flanschabschnitt 52 des unteren Flansche 14b vorgesehen. Oberer Flanschabschnitt 43 am oberen Flansch 14a umfaßt zwei
Abstandsringe 67a und 67b sowie einen in dem von den beiden Abstandsringen gebildeten Rillenraum ruhenden Dichtungsring 67. Dadurch wird ein oberer Isolator 70 aus Glas, Keramikmaterial, Quarz oder dergleichen von der Oberfläche des oberen Flanschabschnitts 43 des Kathodenflanschs 14a isoliert gehalten. Die zwischen dem Isolator 70 und dem oberen Flanschabschnitt 43 gebildete Rille 71 hat eine weiter unten noch
ausführlicher beschriebene Funktion.
Die innere Spule 20 umfaßt einen. Spulenkörper 76, der aus rostfreiem, magnetischem Stahl hergestellt sein kann,und eine zylindrische Hülse 77 mit oberen und unteren Flanschen 77a bzw. 77b. Diese Flansche sind an Zylinderhülse 77 mit
mehreren Schrauben 79 und 80 befestigt. Ringe 82 und 83 aus
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Kunststoff sind um die Enden der Zylinderhülse 77 gelegt und eine aus mehreren Drahtwicklungen bestehende Spule 85 ist um Zylinderhülse 77 zwischen den Ringen 82 und 83 gewickelt. Bei dem Draht kann es sich um isolierten Kupferdraht handeln, wobei ein Ende der Drahtwicklung elektrisch mit der Zylinderhülse 77 verbunden sein kann. Das andere Wicklungsende 86 geht durch eine öffnung im unteren Ende der Hülse 77. Drahtende 86 ist zweckmäßigerweise flexibel ausgeführt und durch eine Innenkammer 87 in Hülse 77 nach oben durch eine öffnung 88 im Halterungsrohr 89 nach außen weitergeführt. Die innere Spulenwicklung hat eine bei den Ringen 82 und 83 erhöhte Windungsdichte, um ein äußerst gleichförmiges Magnetfeld zu erzeugen.
Die innere Spule 76 wird innerhalb Kathode 14 dadurch gehaltert, daß der obere Plansch 77a der Spule 76 an mehreren Punkten 92, von denen nur einer gezeigt ist, an die Innenfläche des oberen Planschabschnitts 43 am oberen Kathodenflansch 14a befestigt ist. Spule 76 ist ferner mit einer Schraube 94 am Mittelpunkt der Innenfläche des unteren Planschabschnitts 53 am unteren Kathodenflansch 14b befestigt. Diese Anordnung, besonders die Befestigung des unteren Planschabschnitts 53 an Plansch 77b durch Schraube 94, verhindert, daß der Kathodenflansch durch den hohen Innendruck in der Kathode (Kühlflüssigkeit unter einem den atmosphärischen Außendruck übersteigenden Druck) und den niederen Druck in Vakuumkammer 10 nach außen gebogen wird. Im unteren Plansch 77b der Spule sind mehrere öffnungen 95 angebracht, sodaß das Kühlwasser durch die Innenkammer 87 wie weiter unten beschrieben zur Außenseite der Anordnung zurückfließen kann.
Anode 16 umfaßt die zweckmäßigerweise aus nichtmagnetischem rostfreiem Stahl hergestellten Ringabschnitte 100 und 101, die miteinander durch mehrere am Rand der Ringabschnitte eingesetzte Schrauben 102, 103 verbunden sind. Innere und
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äußere Dichtungsringe 105 bzw. 106 ergeben einen ringförmigen inneren Hohlraum 108 zur Aufnahme von Kühlwasser. Die Unterseite des Eingabschnitts 100 umfaßt außerdem mehrere ringförmige Rillen 110. Anode 16 ist vom oberen Plansch 14a der Kathode durch einen Spalt 112 getrennt.
Anode 16 wird durch zwei an der Abdeckung 18 der Vakuumkammer 10 befestigte Abstandshalterungen 17 in ihrer Lage gehalten, wobei nur eine der gleichartig ausgeführten Halterungen in den Figuren eingezeichnet ist. Eine Halterung stellt eine Erdungsverbindung zu Abdeckung 18 her und dient als Kühlwasser-Ausflußleitung, während die andere zur Kühlwassereinleitung dient. Halterung 17 umfaßt eine an den oberen Ringabschnitt 101 der Anode angeschraubten, mit einem Dichtungsring angepreßten Kupplungsteil 114 sowie ein an Flansch 116 durch Hartlötung angesetztes Rohr 115. Flansch 116 ist mit mehreren Schrauben und einem Dichtungsring an Kupplungsteil 114 befestigt. Das obere Ende des Rohrs 115 verläuft durch eine Öffnung in Deckkappe 18 der Vakuumkammer 10 und ist mit derselben mittels eines eindrückbaren Sockels 119 (einen nicht dargestellten inneren Dichtungsring enthaltend), eines Dichtungsrings 120, einer Deckplatte 121 und einer oder mehrerer Schrauben 122 dicht verbunden. Abstandshalterung 17 kann von der Vakuumkammer 10 isoliert sein, um die Anode 16 auf einem vom Erdpotential verschiedenen Potential zu halten, doch bezieht sich die folgende Beschreibung auf eine geerdete Anode. Ein in der Abstandshalterung 17 befindlicher Innenkanal 124 dient zur Zuleitung von Kühlwasser an Innenhohlraum 108 in der Anode 16; das Wasser läuft durch die zweite, nicht dargestellte Abstandshalterung aus.
Eine zusätzliche Anodenhalterung läßt sich durch mehrere Arme 126 (beispielsweise vier, von denen jedoch nur einer eingezeichnet ist) aus Metall erzielen. Ein Ende jedes
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Arms ist an einem unteren Plansch 127b der Abdeckung 127 der Halterung 15 befestigt, während das andere Ende über ein Abstandsstück 128 an dem oberen Ringabschnitt 101 befestigt ist.«Diese Arme stellen ebenfalls eine Erdung dar.
Die zur Halterung 15 gehörige Abdeckung 127 ist mit einem oberen Flansch 127a versehen, der an der Unterseite der Deckkappe 18 der Vakuumkammer 10 mit mehreren Schrauben 131 befestigt ist. An Abdeckung 127 ist ferner ein unterer Plansch 127b angebracht, und der obere Isolator 70 ist zwischen den unteren Plansch 127b und an der Oberseite 43 des oberen Kathodenflanschs angebrachten Abstandsringen 67a,67b mit Dichtungsringen 132 und 67 eingezwängt. Abdeckung 127 und Haiterungsrohr 89 werden zweckmäßigerweise aus unmagnetischem rostfreiem Stahl angefertigt. Ein Einführungsisolator 134, der beispielsweise aus dem unter dem Handelsnamen Lexan bekannten Kunststoff angefertigt sein kann, ist innerhalb Abdeckung 127 montiert und paßt mit seinem unteren zylindrischen Ende in öffnung 135 im Isolator 70.
Das untere Ende des Haiterungsrohrs 89 ist in den oberen Plansch 77a der inneren Spule 76 eingeschraubt und mit einem Plansch 136 versehen, der dicht an der oberen Oberfläche des oberen Abschnitts 43 am Kathodenflansch 14a anliegt. Halterungsrohr 89 verläuft nach oben durch Isolator 134 und trägt am oberen, mit einem Gewinde versehenen Ende eine Hauptmutter 140 und eine weitere Schraubenmutter 141. Ein Drucklager 144 und eine federnde Unterlegscheibe 145 sind am oberen Ende des Halterungsrohrs 89 zwischen der oberen Fläche 146 des Isolators 134 und der Unterkante der Hauptmutter 140 montiert. Die federnde Unterlegscheibe 145 nimmt jegliche durch Erwärmung bedingte Ausdehnung der Teile auf.
Wie aus Figur 2 ersichtlich, dient Hauptmutter 140 zur Befestigung der Kathode 14 und des oberen Isolators 70 an
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Halterung 15. Das mit einem Gewinde versehene untere Ende des Halterungsrohrs 89, das mit dem oberen Flansch 77a des Spulenkörpers 76 verkoppelt ist, drückt oberen Kathodenflansch 14a, oberen Isolator 70, Abdeckung 27 und Einführungsisolator 134 zusammen. Die zylindrische TJnterkante 149 des Isolators 134 liegt an der Innenkante des unteren Flansche 127b der Abdeckung 127 an und erzeugt den Druck, der die Abstandsringe 67a, 67b des oberen Kathodenflanschs 14a und die Unterseite des unteren Flanschs 127b zusammen und an entsprechende Flächen des oberen Isolators 70 angepreßt 'hält. Die am oberen Kathodenflansch 14a und dem unteren Flansch 127b angebrachten Dichtungsringe 67c bzw. 132 ergeben einen dichten Abschluß. Isolator 134 befindet sich an keiner Stelle seiner Oberfläche im Vakuum in der Kammer 10.
Am oberen Ende des Halterungsrohrs 89 ist ein oberer Stutzen 152 mit mehreren Schrauben 153 an der oberen Schraubenmutter 141 befestigt und mit einem Dichtungsring 154 abgedichtet. Das obere Ende der Spulenleitung 86 geht durch Stutzen 152 und ist mit einem Dichtungsstöpsel 155 abgedichtet. Der Stutzen 152 umfaßt eine Einlaßöffnung 156 zur Einleitung von Kühlwasser, die mit dem Kammerraum 157 im Halterungsrohr 89 in Verbindung steht. Durch Öffnungen 158 im unteren Ende des Halterungsrohrs 89 ist eine Verbindung zum Innenhohlraum 47 im oberen Kathodenflansch 14a geschaffen. Auslaßöffnung 88 im Halterungsrohr 89 stellt eine Verbindung zur Auslaßöffnung 160 des Stutzens 152 her. An.den Verbindungsstellen eingesetzte Dichtungen trennen die Einlaß- und Auslaßöffnungen 156 bzw. 160 von dem entsprechenden Kammerraum 157 im Rohr 89 ab.
Das Kühlwasser fließt zur Einlaßleitung 25a und von der Einlaßöffnung I56 des oberen Stutzens 152 durch den Kammerraum 157 in Halterungsrohr 89 zum Innenhohlraum 47 im Ober-
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teil des Kathodenflanschs 14a, worauf esum den oberen Plansch 77a der Spule 76 geleitet wird. Die Kühlflüssigkeit verläßt den oberen Kathodenflansch 14a durch die ringförmige öffnung 63 und fließt in die in der hülsenförmigen Kathode 40 gelegene Kammer 62 und den Hohlraum 57 im unteren Kathodenflansch 146. Die Flüssigkeit fließt um den unteren Plansch 77b der Spule 76 und nach oben durch öffnungen 95 in die Innenkammer 87 in Hülse 77. Plansche 77a und 77b bilden Hemmwände, die den Plüssigkeitsfluß so lenken, daß Kathodenflansche 14a und 14b ausreichend gekühlt werden. Die Flüssigkeit fließt dann durch Auslaßöffnung 88 des Halterungsrohrs 89 weiter zur Auslaßöffnung 160 im Stutzen 152.
Die in Figur 2 dargestellte Anordnung umfaßt ferner einen Bodenabschnitt mit einem unteren Isolator 164, der aus dem gleichen Material wie der obere Isolator 70 bestehen kann und zwischen einem nichtmagnetischen Bodendeckel 165 und dem Boden des unteren Flanschabschnitts 53 des Kathodenflanschs 14b eingepreßt ist. Ein aus dem gleichen Material wie Isolator 134 bestehender Kunststoff-Isolator 166 i3t in den unteren Flanschabschnitt 53 eingeschraubt, während Bodendeckel 165 in Isolator 166 eingeschraubt ist. Dichtungsringe 167, 168 ergeben eine Abdichtung an Isolator 164. Die Gesamtanordnung ergibt einen langen, engen, ringförmigen Spalt 171, der der Eille 71 zwischen dem oberen Isolator und der Oberseite des oberen Kathodenflanschs 14a ähnelt.
An allen Stellen, an denen sich bei Isolatoren 70 und 164 ein Kontakt mit Metall ergibt, oline daß das Metall auf Kathodenpotential ist (oder mindestens auf einem stark vom Kathodenpotential abweichenden Potential ist), ist ein langer, enger Schlitz vorgesehen, so z.B. Rille 71 an Isolator 70 und Spalt 171 an Isolator 164. Der Schlitz erstreckt sich in allen Fällen senkrecht zu den magnetischen Kraftlinien. Dadurch kann
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zerstäubtes Material nicht in den Schlitz eindringen und die Isolatoroberfläche am Schlitz beschichten, was schließlich zur Herstellung einer leitenden Verbindung und damit zum Kurzschluß führen würde. Wie aus der Figur ersichtlich, verlaufen die. mit 172 bezeichneten magnetischen Kraftlinien senkrecht zu den ringförmigen Spalten 71 und 171. Die Kraftlinien an Spalten 71 und 171 sind parallel zu den Kraftlinien 172. Dieser Verlauf des magnetischen Feldes verhindert, daß Elektronen in die Spalte eindringen und darin Gasmole.küle usw. ionisieren.
Beim Betrieb liegt eine Kathodenschicht 173 an der Kathodenhülse an und erstreckt sich zwischen Spalt 112 zwischen oberem Flansch 14a und Anode 16.
Durch Verwendung verhältnismäßig niederer Gasdrucke lassen sich große Abscheidungsflächen erzielen. Die freie Weglänge oder die mittlere geradlinige Flugstrecke, auf der das zerstäubte Material keine Zusammenstöße mit den Gasmolekülen oder den eigenen Ionen des verdampften Materials erleidet, ist dem Druck umgekehrt proportional, sodaß ein bei niederen Drucken betreibbares Aufdampfsystem der oben beschriebenen Art mit großen Abständen von der Materialquelle arbeiten kann, wobei die Bewegung der aufgedampften Partikel immer noch im wesentlichen geradlinig ist.
Erfindungsgemäß wird eine leistungsfähige Falle zwischen der als Kathode verwendeten Zylinderhülse und den Flanschen Ha, 14b geschaffen, wie durch die Kraftlinien 172 in Figur 2 angedeutet. Zum richtigen Betrieb der Falle wird der Strom durch die inneren und äußeren Feldspulen eingereglt und geeignete magnetische und nichtmagnetische Metalle werden an den betreffenden Stellen der Anordnung verwendet.
Ein weiterer wichtiger Vorteil ist, daß das System in seinen Abmessungen veränderlich ist, d.h. der Durchmesser und, wichtiger noch, die Länge der Kathode können verändert werden,
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ohne daß dabei der Betrieb wesentlich beeinträchtigt würde. Die Kathode wirkt im wesentlichen als geradlinige Quelle und läßt sich deshalb ohne bedeutende andere Abänderungen der Anordnung verlängern.
Ein zusätzlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist es, daß Betrieb mit einer verhältnismäßig niederen Spannungsdifferenz zwischen Kathode und Anode möglich ist. Die Ausbeute des Aufdampfprozesses, d.h. die Zahl der pro einfallendes Ion aufgedampften Atome, steigt nicht genau linear bei höheren Ionenenergien an. Bei einer bestimmten Eingangsleistung ergibt sich deshalb bei niederen Spannungen eine höhere Abscheidungsrate als bei höheren Arbeitsspannungen. Betrieb mit niederen Spannungen bedeutet außerdem, daß die Anlage leistungsfähig ist, aber keine kostspieligen Isolierprobleme für die Stromversorgung und die Abscheidungsvorrichtung selbst schafft.
Als weiterer Vorteil ist zu erwähnen, daß der Betriebsstrom einer hohen Potenz der Arbeitsspannung proportional ist, d.h. der Strom I ist proportional V , wobei der Exponent η Werte zwischen 5 und 7 annimmt. Eine geringe Spannungsänderung führt damit zu einer starken Stromänderung.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist darin zu sehen, daß eine gute "Anodenverbindung" hergestellt werden kann. Diese ergibt sich aus dem Zusammenwirken mehrerer kennzeichnender Eigenschaften, darunter die flanschartige Kathodenform und die Möglichkeit bei verhältnismäßig niederen Spannungen zu arbeiten. Gute Anodenverbindung bedeutet in diesem Zusammenhang auch, daß Anode 16 in Bezug auf Plansch 14a so angeordnet ist, daß ein Elektron bei seinem Auftreffen auf eine den Plansch nicht schneidende Feldlinie sobald als möglich auf die Anode geführt wird oder möglichst nahe zum Kathodenflansch kommt, nachdem das Elektron sich radial nach außen
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auf eine Bahn hinbewegt hat, die nicht den Kathodenflansch kreuzt. Es besteht damit praktisch kein Spannungsabfall zwischen dem Plasma und der Anode und fast die gesamte angelegte Spannung trägt zur verlustfreien Durchführung des Verfahrens bei.
Als weiterer Vorteil ist zu erwähnen, daß die Trägerfläche nur in sehr geringem Maße erhitzt wird, da das Plasmabombardement der Trägerfläche infolge Begrenzung des Plasmas auf den kathodennahen Raum sehr gering ist. In der Vorrichtung können deshalb Trägerflächen aus Materialien verwendet werden, die leicht schmelzen oder Gase abgeben. Auch wird die Struktur des Materials der Trägerflache durch Elektronenbombardement nicht wesentlich verändert. Bei Bedarf läßt sich aber ein Elektronenbombardement der Trägerfläche durch Abschaltung des Magnetfelds oder durch Eintauchen der Trägerfläche in ein im entsprechenden Gebiet erzeugtes Plasma erzielen.
Vorteilhaft wirkt sich aus, daß Kathode und Anode leicht mit Wasser gekühlt werden können, da dadurch die Anordnung für sehr hohe Stromdichten ausgelegt werden kann.
Besonders vorteilhaft wirkt sich aus, daß die Isolatoren 70 und 164 infolge der Anbringung der Spalte 71 und 171 und deren Form praktisch unbegrenzte Lebensdauer haben.
In der in Figur 2 dargestellten Anordnung sind nur Metalle und die üblicherweise aus Pyrexglas, Quarz oder einem keramischen Material hergestellten Isolatoren 70 und 164 dem in der Kammer herrschenden Vakuum ausgesetzt. Dies bedeutet, daß keine leicht Gas abgebenden Polymeren oder Kunststoffe das Vakuum beeinflussen oder verschlechtern.
Als zusätzlicher Vorteil ist zu erwähnen, daß die Stromdichte auf einer großen Fläche stabil und gleichförmig, ist j sodaß sich Material in einem weiten Stromdichtenbereich gleichmäßig abscheiden läßt.
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In einer Zerstäubungsanlage kann die Betriebsspannung V zur Bewertung des Wirkungsgrads verwendet werden. Es gilt
wobei E. die durchschnittlich zur Erzeugung eines Ions durch ein Elektron aufzuwendende Energie bedeutet; y (Gamma) bezeichnet den Ionen-Elektronen-Sekundäremissionskoeffizient, der sich aus dem Ionenbombardement des Kathodenmaterials ergibt; ε<| (Epsilon) bezeichnet den Bruchteil der in der Falle verloren gegangenen Elektronenergie; und cp·bezeichnet schließlich den Bruchteil der die Kathode erreichenden Ionen.
E. hängt von den Eigenschaften des verwendeten Gases ab und beträgt ungefähr 30 ev pro Ion im Falle von Argon. Der Gammawert für Argon beträgt etwa 0,1, d.h. ein Ion von 10 auf die Kathode auftreffenden Ionen erzeugt ein in das Plasma emittiertes Elektron, während die anderen Ionen im Kathodenmetall verbleiben. Diese durch Ionenbombardement erzeugten Elektronen werden in der Kathodenschicht beschleunigt und erreichen eine ungefähr der angelegten Spannung V entsprechende Energie. Da diese Elektronen eingefangen sind und Energie verlieren, tragen sie zur Plasmaerzeugung bei, sodaß dadurch weitere Ionen geschaffen werden, die ihrerseits zur Zerstäubung beitragen und neue Sekundärelektronen erzeugen, usw. Falls die durch das Magnetfeld geschaffene Falle sehr wirksam ist, nimmt ^1 den Wert eins an und alle Elektronen bleiben eingefangen, bis sie ihre Energie verloren haben. Einige der Ionen diffundieren aus dem Plasma, während andere zur Kathode gezogen werden. *2 bedeutet den Bruchteil der an die Kathode weitergeführten Ionen und schwankt zwischen Null und Eins, nimmt aber normalerweise nicht den Wert eins an. Im Falle einer perfekten Falle ist das Produkt aus C1 und t^ gleich eins, woraus sich eine Arbeitsspannuri^ von 300 V ableiten läßt. Im Falle des hier beschriebenen beispielhaften Systems beträgt die Betriebs-
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spannung etwa 800 V- und das Produkt aus K1 und dp ist etwa 0,3» d.h. der Wirkungsgrad beträgt etwa 30$. In den im folgenden beschriebenen Hohlkathodensystemen fördert die sogenannte "Umschlingungsgeometrie" hohe ν.-Werte. Typische Arbeitsspannungen belaufen sich in diesem Fall auf etwa 400 V und das Produkt -"-i*2 beträgt O»75.
Im Falle der in Figur 2 dargestellten Ausführungsform sind hohe, dem Wert eins sich nähernde c* und £p~^er^e er~ wünscht. Dies läßt sich erreichen durch Verwendung einer wirksamen Falle, die möglichst nahe an der Kathodenhülse anzubringen ist. Der f..-Wert nähert sich dann eins und Ionen werden sehr nahe bei der Kathode erzeugt, was den .p-Wert näher an eins bringt. Der j-Wert hängt vom benutzten Gas ab und beträgt etwa 0,1 im Falle von Argon. Der E.-Wert hängt ebenfalls vom Gas ab, beträgt aber typischerweise 30 ev/Ion im Falle der gewöhnlich in Zerstäubungsanlagen verwendeten Gase. In den bekannten Zerstäubungsvorrichtungen beträgt die Arbeitsspannung etwa 300 V, sodaß die Isolation ein bedeutendes Problem darstellt. Wenn niedrigere Spannungen (800 - 850 V) verwendet werden können, wie dies im Falle der erfindungsgemäßen Vorrichtung möglich ist, verliert die Isolationsfrage an Bedeutung für die Kathode und die Spannungszuführung.
Obwohl ein inneres und ein äußeres Magnetfeld in der in Figur 2 dargestellten Vorrichtung verwendet werden, genügt im Prinzip eines der Felder, besonders wenn geeignete üaterialien für die Teile der Vorrichtung verwendet werden und der Feldlinienverlauf durch magnetische Platten modifiziert wird. Wie vorher erwähnt, ist es zweckmäßig, die magnetischen Kraftlinien möglichst nahe an der zylindrischen Kathode -40 parallel zu ihr vorbeizuführen. Dieser FeIdverlauf läßt sich am besten erreichen mit einem inneren Magnetfeld, das einem äußeren Magnetfeld überlagert ist, v/obei die Stärke beider Felder
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verändert werden kann, um den erwünschten Verlauf des resultierenden Feldes einzustellen. Beide Felder können dann zur Einregelung der richtigen Feldstärke gemeinsam verändert werden, ohne daß hierbei der Verlauf der Kraftlinien in Bezug auf die Kathode verändert wird.
Figuren 3a - 3d zeigen eine andere Ausführungsform und gewisse Abänderungen derselben, wobei die geflanschte Hohlkathode dieser Ausführungsformen trotz äußerer Ähnlichkeit und ähnlicher Betriebsweise eine Umkehrung d,er in Figur 2 dargestellten Kathode 14 bildet· Figur 3a zeigt den Längsschnitt der Gesamtanordnung, deren Querschnitt in Figur 3b dargestellt ist. Figuren 3c und 3d zeigen Ausschnitte vorzugsweiser Abänderungen der Endabschnitte. Figur 3c ist insbesondere eine Teilansicht eines Abschnitts am linken Ende, doch können beide Enden der Vorrichtung in dieser Weise ausgebildet werden. Bei Figur 3d handelt es sich um eine Teilansicht des rechten Endabschnitts, doch können auch in diesem Fall beide Enden der Vorrichtungen in gleicher Weise ausgestaltet werden.
Die in Figur 3a dargestellte Hohlkathode umfaßt eine Kathodentrommel 214 mit Endflanschen 214a und 214b. Die Kathode ist zylindrisch und die Flansche 214a, 214b haben die Form von Ringen. Kanäle 214c für Kühlwasser können in der in Figur 3d gezeigten Weise an den Flanschen vorgesehen werden. Die Kathodentrommel und die Flansche werden entweder aus dem zu zerstäubenden Material angefertigt oder aus einem nichtmagnetischen Material wie Aluminium oder rostfreiem Stahl, auf dem das zu zerstäubende Material als etwa 0,3 - 3 mm dicke Innenschicht aufgetragen ist. Die austauschbare Kathodentrommel kann in der in Figur 3a gezeigten Weise an ein äußeres, zylinderförmiges Gehäuse 215 angeschweißt werden, sodaß sich ein ringförmiger Hohlraum 215a für Kühlwasser ergibt. Trommel wird zweckmäßigerweise durch Dichtungsringe 215b und 215 c
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in der in Figuren 3c bzw. 3d gezeigten Weise im Innern des Gehäuses 215 gehaltert, sodaß sich ein ringförmiger Hohlraum 215d für das Kühlwasser ergibt.
Die ringförmigen Anoden 216a, 216b sind von der Kathode durch Isolatoren 218, 219 getrennt, die aus dem gleichen Material wie der in Figur 2 dargestellte Isolator hergestellt sind. Wie unter Bezugnahme auf Figur 2 beschrieben, sind Rillen 216c zur Verbesserung der Haftung des auf die Anode auftreffenden zerstäubten Materials vorgesehen. Die Anoden 216a, 216b sind mit Hohlräumen 223 bzw. 224 versehen und zweckmäßigerweise in der in Figuren 3c und 3d gezeigten Weise an Endplatten 221, 222 befestigt, sodaß sich Innenräume 223a, 224b ergeben* Nach Abnahme der Bndplatten 221, 222 lassen sich die Hohlräume für das Kühlwasser reinigen.
Enge ringförmige Spalte 228, 229 sind, wie in Figuren 3a, 3c und 3d dargestellt, zwischen der Kathode, der Anode und den Isolatoren 218, 219 angebracht und ähneln in ihrer Form und Funktion den Spalten 71, 170 der in Figur 2 dargestellten Anordnung. In jedem Fall schneiden die von der Magnetspule 234 erzeugten Kraftlinien die Spalte unter einem rechten Winkel. Weitere öffnungen 228a, 228b (Figur 3c bzw. Figur 3d) können hinzugefügt werden, um die Entfernung von Gasen aus den Spalten zu verbessern, wie unter Bezugnahme auf Figur erwähnt. Ein zweiter Satz von Spalten 231, 232 (Figur 3a) und 231a, 232a (Figuren 3c und 3d) ist zwischen den. Kathodenflanschen 214a, 214b und den Anoden 216a, 216b zu den magnetischen Feldlinien parallel verlaufend angeordnet.
In der Praxis besteht Magnetspule 234 typischerweise aus mehreren, aus einem nichtmagnetischen Ma-
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terial (beispielsweise Aluminium) bestehenden, auf einem isolierenden Körper 234a aufgebrachten Windungen (Figuren 3c und 3d). Der Körper isoliert die Windungen vom Außengehäuse 215 der Kathode. Die Windungen werden dann in der in Figur 3a dargestellten Weise über den Entladungsraum geschoben. Die Windung 234 in Figuren 3a bis 3d bedeutet mehrere Spulen, deren Lage ebenso wie der Spulenstrom veränderlich sind, um die gewünschte Verteilung des Magnetfelds an der Kathode zu erzielen. Zweckmäßigerweise aus Eisen angefertigte magnetische Endplatten 237, 238 können an den Außenenden der Anoden 216a, 216b angebracht werden. Die magnetischen Kraftlinien werden eingeschnürt durch Platten 237, 238 gelenkt, um Kraftlinien durch die Anode zu führen und den "Anodenschluß" zu verbessern. Die magnetischen Endplatten der Kathode sind an der Kathode befestigt, sodaß Isolatoren 218, 219 durch mehrer Schrauben 237a, 238a festgehalten sind (Figuren 3c und 3d). Diese Schrauben verlaufen durch Dichtungsringe 215a, 215b, die aus einem Isoliermaterial wie beispielsweise einem Polykarbon-Kunststoff hergestellt sind.
Ein Paar aus dem gleichen Material wie Isolatoren 218, 219 hergestellter, zylindrischer Isolatoren 241, 242 ist an den Außenseiten der magnetischen Endplatten 237, 238 an den Erdungsplatten 245 bzw. 246 angebracht. Die Erdungsplatten halten die Plasmaentladung innerhalb der Hohlkathode, wenn mit Hilfe einer Vorspannung Material auf einer geerdeten Trägerfläche abgeschieden wird. Dabei wird eine der Stromversorgungen dazu verwendet, die Anode auf einem positiven Potential zu halten, das einige hundert Volt über dem Potential der geerdeten Trägerfläche liegt. Eine zweite Strom-
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Versorgung hält die Kathode auf einem negativen Potential, das einige hundert Volt unter dem der Trägerfläche liegt. Das bei der Entladung erzeugte Plasma befindet sich praktisch auf Anodenpotential und die geerdete Trägerfläche ist negativ in Bezug auf das Plasmapotential, Eine Zerstäubung findet von der Trägerfläche aus statt. Die verschiedenen Potentiale werden so eingeregelt, daß die Geschwindigkeit der von der Trägerfläche ausgehenden Zerstäubung geringer ist als die Abscheidungsgeschwindigkeit, sodaß insgesamt eine beschichtende Abscheidung von Material stattfindet. Diese Zerstäubung der Trägerfläche reinigt dieselbewährend des eigentlichen Beschichtungsvorgangs. Die Erdungsplatten 245 und 246 gewährleisten, daß die auf positivem Potential liegenden Anoden keinen Stromfluß von den Vakuumpumpen und anderen geerdeten Abschnitten des Systems erzeugen können. Geeignete Stutzen 249 und 250 können an die Enden der Vorrichtung angesetzt werden und sind, ebenso wie die Erdungsplatten 245, 246 und äußeren Isolatoren 241, 242, mit Schrauben an die Endplatten 237, 238 angeschraubt. Diese Schrauben oder Gewindestangen sind in der in Figuren 3c und 3d gezeigten Weise mit Isolatoren 246a und 246b isoliert, sodaß die Anoden elektrisch von den Erdungsplatten getrennt sind. Stutzen 249 und 250 können an die Vakuumanlage angeschlossen sein, in der ein Ende des beweglichen oder ortsfesten Trägers 252 montiert ist, oder die gesamte in Figur 3a dargestellte Anordnung kann in einer Vakuumkammer der in Figur 1 dargestellten Art untergebracht sein. Gewebe 247, 248 aus rostfreiem Stahl mit Durchlaßöffnungen für Träger 252 sind an den Erdungsplatten 245, 246 an-
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geschraubt.
Ein Kabel 256 ist an die linke Anode 216a in der in Figur 3a gezeigten Weise angeschlossen und ein weiteres Kabel 257 verläuft an der Magnetspule 234 vorbei an die rechte Anode 216b. Kabel 257 ist unter Magnetspule 234 angebracht ι um zu verhindern, daß induktive Rückkopplung an die Magnetspule 234 im Falle starker Stromanstiege in der Entladung stattfindet. Kabel 256, 257 sind in der vorzugsweisen Ausführungsform geerdet, können aber auch an eine positive Spannung wie vorher erwähnt angeschlossen werden. Ein Kathodenkabel 259 kann an Gehäuse 215 und an eine negative Spannung angeschlossen werden. In Figur 3c dargestellte Schrauben 215e ergeben eine gute elektrische Verbindung zwischen Kathodentrommel 214 und Gehäuse 215. Geeignete röhrenförmige Kanäle stellen eine Verbindung zu den Hohlräumen 223 und 224 und zu den weiteren Hohlräumen 215a und 216b in der Kathode zur Durchführung von Kühlwasser her, ähnlich wie unter Bezugnahme auf Figur 2 beschrieben. Der Draht der Magnetspule 234 ist zweckmäßigerweise hohl und von Kühlwasser durchflossen. Nicht dargestellte Dichtungsringe sind zweckmäßigerweise zwischen Kathodentrommel 214 und Endflansche 214a, 214b der Kathode sowie zwischen Anoden 216a, 216b und Endplatten 221, 222 und zwischen die Endplatten der Anoden und die magnetischen Endplatten 237, 238 eingesetzt. Dichtungsringe 270 - 273 sind zwischen den Isolatoren 218, 219 und den Flanschen 214a, 214b sowie den Anoden 216a, 216b eingesetzt; Dichtungen 274, 275 werden zwischen Ringen 215b, 215c und Kathoden 214, 215 eingesetzt (Figuren 3c und 3d). Ähnliche Dichtungen sind an den Berührungsflächen der Isolatoren 241, 242 angebracht und zwischen Erdungsplatten 245, 246 und Stutzen 249, 250 eingesetzt, sowie zwischen der wassergekühlten Trommel 214 (Figur 3c) und Endflanschen 214a und 214b.
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Es stellte sich heraus , daß die in Figur 3 dargestellte Vorrichtung mit niedrigen Spannungen von etwa 300 Volt· betrieben werden kann, da das Produkt c. · 4, fast den Wert eins ei' reicht* Bei Verwendung der in Figur 3 dargestellten Hohlkathoden kann der Arbeitsstrom bei einem bestimmten Da?ück innerhalb weiter Grenzen verändert werden, ähnlich wie bei der in Figur 2 dargestellten Entladungsvorrichtung. Me Gesöhwihdigkeit der Abscheidung auf Trägerfläche 252 in der Mitte der Kathode ist in erster Näherung unabhängig vom Druck und fast unabhängig von der Spannung» Der Druck ist damit ein im wesentlichen unabhängiger Parameter, der aus anderen Gründen verändert werden kann, so beispielsweise um die Keimbildungsprozesse an der Oberfläche zu beeinflussen.
Die in Figur 3 dargestellte Hohlkathödenänordnüng ist im wesentlichen durch die gleichen Vorteile gekenhzelehnet wie die unter Bezugnahme auf Figur 2 beschriebene Anordnung mit der Kathodenspule, So existiert eine Elektronenfalle in einem kleinen ringförmigen Gebiet, das von der Kathödenoberfläche aus nach innen verläuft und sich zu dem vom Innendurchmesser der Anode definierten Radius erstreckt* Wegen des guten Anodenschlüsses dieser Anordnung besteht der gewünschte Gradient der Elektronenenergie in der Falle, d.h. zwischen dem Rand der nur einige Millimeter dicken Käthodensehieht und dem Innendurchmesser der Anode, die eine Begrenzung der Falle darstellt. Die die Falle durch Diffusion nach ihnen verlässenden Elektronen gelangen in die Nähe der' !Trägerfläche und nicht an die Anode, doch haben diese Elektronen nur sehr niedrige Energien von etwa 3-5 ev, wie durch Messungen mit elektrostatischen Sonden im Plasma festgestellt würde. Obwohl die Erwärmung der Trägerfläche durch das Umgebühgspläsma im Falle der Hohlkathodenänordnuhg stärker ist als in der Spulenanordnung, in der das Plasma nicht zur iräger-
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fläche reicht, ist die Erwärmung immer noch geringer als in bekannten Vorrichtungen, da das Plasma vor Erreichen der Trägerfläche abgekühlt wird.
Figur 4 zeigt eine erfindungsgemäße Entladungsvorrichtung für mit Hochfrequenz betriebene Glimmentladungen, die In einer bekannten Vakuumkammer 311 mit Doppelelektroden 312 stattfinden.
Die Entladungsvorrichtung 312 umfaßt zwei koachsiale Elektroden 313, 314, die an einem Halterungsrohr 315 befestigt in Vakuumkammer 311 montiert sind. Elektroden 313, 314 befinden sich in einem bestimmten Abstand voneinander und sind elektrisch durch einen geeigneten Isolator 316 getrennt.
Elektrode 313 ist mit einem oberen Plansch 313a, Elektrode 314 mit einem entsprechenden unteren Flansch 314a versehen» wobei die Flansche einerseits zur Halterung und andererseits zum Schließen der Plasmafalle dienen. Wie weiter unten noch erläutert, können die Elektroden 313, 314 mit dem Magnetfeld so zusammenwirken, daß auch ohne die an den Enden angebrachten Flansche 313a, 3Ha die Falle geschlossen ist, sodaß die Flansche an sich weggelassen werden können.
Die beiden Elektroden 313, 314 ergeben eine zylindrische Hochfrequenz-Kathode. Eine typischerweise mit 1,8 Megahertz arbeitende HF-Versorgungseinheit 317 ist über eine durch Haltemngsrohr 315 verlaufende, abgeschirmte Übertragungsleitung 318a an Elektroden 313, 314 angeschlossen.
Mehrere Feldspulen 318 sind um die Außenwand des elektrisch leitenden Gehäuses 311a der Vakuumkammer 311 gewickelt und von demselben isoliert. Die Feldspulen erzeugen ein ho»ogene3 Magnetfeld in der Kammer, wobei die Kraftlinien dicht an und zwischen den Elektroden 313« 314 in der
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durch Linien 319 angedeuteten Weise verlaufen.
Die Vakuumkammer 311 enthält ein geeignetes Arbeitsgas unter verhältnismäßig niedrigem Druck, z.B. 0,5 -1,0 Mikron Hg. .
Halterungsrohr 315 und übertragungsleitung 318 gehen durch eine geeignete Vakuumdichtung 320 an der Oberseite der Kammer 311. Ein geeignet geformter Isolator 321 isoliert Halterungsrohr 315 von Elektrode 313, sodaß das Halterungsrohr nicht auf Kathodenpotential ist und nicht zur Aufprallfläche des Zerstäubungsprozesses wird,,
Das untere Ende der Vakuumkammer 311 umfaßt eine Rohrleitung 322, die über ein geeignetes Ventil an eine an sich bekannte Vakuumpumpe angeschlossen ist«, Eine elektrisch leitende Abschirmung 323 in Porm eines Maschengewebes deckt die in das leitende Gehäuse 311a der Vakuumkammer 311 gehende Öffnung aby über die Rohrleitung 322 mit dem Innern der Kammer in Verbindung steht. Abschirmung 323 und das leitende Gehäuse 311a bilden eine HF-Absehirmungj, die zweckmäßigerweise an aen geerdeten Mittelanschluß der Hochfrequenzversorgung angeschlossen wird, um Rückkopplung über die Erdung zu vermeiden« Abschirmung 323 schützt außerdem die Vakuumpumpe vor Entladungen, die sich ohne die Abschirmung in die Pumpe erstrecken könnten.
Eine aus einem Isolator 324 und einer Abschirmung 325 bestehende Abdeckung ist an Flansch 314a und Elektrode 314 angebracht und verhindert, daß die Endfläche dieser Elektrode zerstäubt wird.
Geeignete, nicht dargestellte Kühlmittelleitungen sind über Halterungsrohr 315 an die Entladungsvorrichtung 312 zur Zuführung flüssiger Kühlmittel, z.B. Kühlwasser, angeschlossen.
Eine Trägerfläche 326 ist in Vakuumkammer 311 einge-
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schlossen, sodaß ein Überzug von jeder der Elektroden 313, 314 aus zerstäubt werden kann, da diese Elektroden die kathodischen Aufprallflächen des Systems darstellen.
Die in Figuren 5a - 5d dargestellten Doppelelektroden-Anordnungen bestehen jeweils aus einer konischen Elektrode 313, die koachsial zu einer ähnlichen konischen Elektrode 314 angeordnet ist. Die verjüngten Enden der Elektroden stehen einander durch einen Isolator 316 getrennt gegenüber, um eine elektrische Isolation ähnlich wie in Figur 4 zu erzielen. Jede der Figuren 5a - 5d zeigt eine andere Verteilung des Magnetfelds, sodaß sich jeweils verschieden Plasmafallen ergeben.
Wie vorher erwähnt, können die Flansche 313a, 314a an den Elektroden 313 bzw. 314 zur Halterung oder zur Ausgestaltung der Plasmafalle angebracht werden. Falls die Flansche nicht für diese Zwecke gebraucht werden, können sie weggelassen werden. Bei Verwendung der Flansche können aber die Winkel der die Elektroden 313, 314 bildenden Oberflächen geeignet gewählt werden, sodaß das zerstäubte Material in bestimmten Richtungen emittiert wird.
Wenn die Flansche zur Begrenzung der Plasmafalle verwendet werden, sind sie groß genug auszuführen, mn die Falle völlig zu schließen, da andernfalls die magnetische Feldstärke auf unvernünfig hohe Werte gesteigert werden muß. Me Größe der Flansche steht in direkter Beziehung zum Raum, der benötigt wird, damit die Primärelektronen bei der Erzeugung zusätzlicher Ionen ihre Energie verlieren können.
In der Ausführungsform der Figur 5a verlaufen die Kraftlinien 319 parallel zur Symmetrieachse der konischen Elektroden 313, 314, sodaß sie auf jeder Seite die Elektroden schneiden und damit eine einzige Plasmäfalle ergeben. Ob hierbei die Flansche 313a, 314a zur Ausbildung der Falle
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beitragen, hängt von der Stärke des Magnetfelds und vom Radialabstand von der Symmetrieachse ab. Die zu erfüllende Bedingung ist, daß praktisch alle zu weiteren lonisationsakten fähigen Primärelektronen in der Falle festgehalten werden. Die in Figur 5a dargestellte Magnetfeldverteilung wird durch Feldspulen der Art der Spule 18 der Figur 1 erzeugt, die um die Außenseite der Vakuumkammer gewickelt sind.
Figur 5b zeigt eine abgewandelte Elektrodenanordnung, in der zwei Feldspulen 328, 329 in den Elektroden 313 bzw. 314 angebracht sind und ein gekrümmtes, an den Elektroden endendes Magnetfeld erzeugen. Die in Figur 5b dargestellte Ausführungsform schafft damit ebenfalls eine einzige Plasmafalle, die durch das Zusammenwirken der Elektroden 313, 314 geschlossen wird.
Auch in der in Figur 5c dargestellten Ausführungsform werden zwei Feldspulen 330, 331 verwendet, die in Elektroden 313 bzw. 314 montiert sind. In diesem Fall beginnt und endet das von jeder Spule erzeugte Magnetfeld an der gleichen Elektrode, sodaß sich zwei getrennte Plasmafallen ergeben. Jede Falle ist durch das Magnetfeld 319 und eine Einzelelektrode definiert, obwohl ein geringer Elektronenstrom zwischen den beiden Fallen fließt, um den Stromkreis zu schließen.
Figur 5d ist ein Figur 5c ähnelndes Ausführungsbeispiel mit zwei Feldspulen 332, 333, die in Elektroden 313 bzw. 3H montiert sind. Das bogenförmige Feld schafft in die-· sem Fall mehrere getrennte Plasmafallen an jeder Elektrode.
Obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt, sind gemischte Fallenanordnungen verwendbar, die sich durch Kombination der Feldformen, beispielsweise der Feldform der Figur 5b mit der der Figuren 5c oder 5d, erzeugen lassen. Diese gemischten Fallenanordnungen bestehen jeweils aus mehreren
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Fallen, die durch eine Elektrode und das zugehörige Magnetfeld definiert sind. Daneben existiert eine durch das Magnetfeld und die beiden zusammenwirkenden Elektroden geschaffene Falle.
In den in Figuren 5b - 5d dargestellten Ausführungsformen wurde das Magnetfeld durch innere Feldspulen erzeugt, konnte aber im Prinzip auch durch Dauermagnete erzeugt werden.
Figuren 6a - 6e zeigen verschiedene Ausführungsbeispiele mit Doppelelektroden zur Verwendung mit einer der in Figuren 5a - 5d dargestellten Magnetfeldverteilung, sodaß erfindungsgemäße Plasmafallen in Glimmentladungen entstehen.
Besonders hervorzuheben ist die in Figur 6e dargestellte Anordnung, die zweckmäßigerweise mit der in Figur 5a dargestellten Feldverteilung kombiniert wird, obwohl sich auch andere Feldverteilungen verwenden lassen, solange Achsialsymmetrie gewahrt bleibt.
In sämtlichen erfindungsgemäßen Elektroden- und Magnetfeldanordnungen zur Erzeugung von Glimmentladungen sind die Plasmafallen durch Achsialsymmetrie zu einer Drehachse gekennzeichnet, wobei die Symmetrie entweder durch das Magnetfeld, die Elektroden, oder das Magnetfeld im Zusammenwirken mit den Elektroden hergestellt wird.
Die schematisch in Figur 7 dargestellte Vorrichtung unterscheidet sich von der der Figur 4 durch die Verwendung von Hohlelektroden zur Plasmaerzeugung innerhalb der Elektroden. Zwei konische, koachsiale Hohlelektroden 413, 414 sind in einem außenseitig elektrisch leitenden zylindrischen Gehäuse 415 montiert. Gehäuse 415 endet an beiden Enden in Endabschirmungen 416, 417 mit öffnungen 416a bzw. 417a, durch die das Gehäuseinnere evakuiert werden kann und die mit elektrisch leitenden Abschirmungen 418, 418a
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abgedeckt sind. Die Elektroden 413, 414· sind voneinander durch, einen geeigneten elektrischen Isolator 419 getrennt, und Hochfrequenzenergie wird über eine abgeschirmte Übertragungsleitung 420 von einer Versorgungseinheit 421 an jede Elektrode 413, 414 über Anschlußpunkte 422 bzw* 423 übertragen.
Die geerdete Stromversorgungseinheit 421, die abgeschirmte Übertragungsleitung 420, die Endabschirmungen 416, 417 und die leitenden Abschirmungen 418, 418a bilden zusammen einen Faraday-Käfig, ähnlich wie die Vakuumkammer der in Figur 4 dargestellten Ausführungsform.
Die Verbindung zu den Vakuumpumpen wird über eine geeignete Rohrleitung 424 hergestellt, die zweckmäßigerweise von der Endabschirmung 417 durch ein Isolierstück 425 isoliert und getrennt geerdet ist. Ein ähnliches Isolierstück 426 ist an der anderen Seite des Systems angebracht und stellt eine Verbindung her zu einer Deckkappe, einem anderen Abschnitt der Glimmentladung oder einer Zuführungsvorrichtung für eine geeignete Trägerfläche, wie die draht- oder stabförmige Trägerfläche 430. Die Einzelteile sind dabei längs der durch Elektroden 413, 414 definierten Mittelachse angeordnet.
Ein elektrischer Isolator 427 ist zwischen Elektrode 413 und Endabschirmung 416 angebracht und ein entsprechender Isolator 428 ist zwischen Elektrode 414 und Platte 417 eingesetzt, um die Elektroden von der leitenden HF-Abschirmung zu isolieren.
Mehrere den in Figur 4 dargestellten Feldspulen 318 ähnelnde Feldspulen 429 sind um die Außenseite des Gehäuses 415 gewickelt und dienen zur Erzeugung des das Plasma umschließenden Magnetfelds, das im Zusammenwirken mit Elektroden 413, 414 die Falle bildet. Bei Verwendung von Hohl-
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kathoden werden die Magnetfelder stets durch außen angebrachte Feldspulen erzeugt.
Figuren 8a - 8c stellen verschiedene magnetische Feldverteilungen dar, die für Hohlkathoden besonders zweckmäßig sind. Die Ausführungsbeispiele beziehen sich auf konische Elektrodenanordnungen, doch stellen diese nur eine besondere Ausgestaltung dar und andere Hohlkathodenanordnungen können mit den dargestellten Feldverteilungen verwendet werden. Der die Elektroden 413, 414 trennende Isolator 419 kann weggelassen werden, falls die Elektroden selbst aus Isoliermaterial sind, d.h. wenn das zu beschichtende Material ein Dielektrikum ist.
In der in Figur 8a dargestellten Ausführungsform verlaufen sämtliche magnetischen Kraftlinien 431 von Elektrode 413 zu Elektrode 414, sodaß eine Plasmafalle durch das Zusammenwirken des Magnetfelds mit den Elektroden geschaffen wird. Figur 8a stellt damit das mit Hohlelektroden ausgerüstete Äquivalent der in Figuren 5a, 5b gezeigten Anordnung dar.
In der in Figur 8b dargestellten Ausführungsform treten die magnetischen Kraftlinien an einer Stelle jeder Elektrode aus und an einer anderen Stelle der gleichen Elektrode wieder in sie ein, sodaß an jeder Elektrode eine Plasmafalle entsteht. Figur 8b stellt damit das mit Hohlelektroden ausgerüstete Äquivalent der in Figur 5c gezeigten Ano rd nung d ar.
In ähnlicher Weise zeigt Figur 8c ein gebogen gebündeltes Magnetfeld, mit dem mehrere Fallen an jeder Elektrode erzeugt werden können. Die Gesamtanordnung des in Figur 8c dargestellten Beispiels bildet im Falle der Hohlelektroden das Äquivalent des unter Bezugnahme auf Figur 5d beschriebenen Beispiels.
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Figuren 9a - 9e dienen zur Verdeutlichung verschiedener Beispiele von mit Hohlelektroden versehenen Entladungsvorrichtungen, die mit einer der in Figuren 8a - 8c dargestellten Magnetfeldverteilungen zusammenwirkend Plasmafallen ergeben. Insbesondere läßt sich eine Kombination der in Figur 8a dargestellten Feldverteilung mit einer der in Figuren 8b oder 8c gezeigten Feldverteilung verwenden.
Figur 9a zeigt ein Paar zylindrischer, koachsialer Hohlelektroden 413, 414, die durch einen Isolator 419 getrennt sind. Bei Verwendung der in Figur 8a dargestellten Feldverteilung in Kombination mit einer der in Figuren 8b und 8c dargestellten Feldverteilungen ist es zv/eckmäßig, an den Elektroden 413, 414 Endflansche 413a bzw. 414a anzubringen, um die Plasmafalle zu schließen. Diese Endflansche können weggelassen werden, wenn das Magnetfeld mit jeder Elektrode getrennt zur Bildung von Plasmafallen zusammenwirkt .
Figur 9b ähnelt Figur 9a, doch ist die Anordnung zusätzlich mit inneren Endflanschen 413b, 414b an den Elektroden 413 bzw. 414 versehen, die kürzer sind als die äußeren Endflansche 413a, 414a, sodaß bei Bedarf getrennte oder sich überkreuzende Plasmafallen erzeugt werden können.
Das in Figur 9c dargestellte Ausführungsbeispiel ist mit einem Paar koachsialer, konischer Elektroden 413, 414 versehen, deren innere Endflansche 413b bzw. 414b mit jeder der vorher erwähnten Magnetfelfverteilungen für Hohlkathoden zur Erzeugung von Plasmafallen verwendet werden können.
Die Anordnung der Figur 9d ähnelt der in Figur 9c gezeigten, doch ist die innere Zylinderfläche der Elektroden 413, 414 abgebogen, damit die geometrische Form der Aufdampfschicht den speziellen Bedürfnissen angepaßt werden kann.
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Bei den in Figur 9e dargestellten hohlen Kathodenelektroden handelt es sich um einen in Längsrichtung zerschnittenen Zylinder, bei dem ein Isolator 419 zwischen die Zylinderhälften aus leitendem Material eingesetzt ist. Die in Figur 9e dargestellte Elektrodenanordnung läßt sich mit sämtlich vorher beschriebenen Magnetfeldanordnungen verwenden; die Symmetrieachse der sich ergebenden Plasmafalle ist nicht durch die Symmetrie der Elektrodenanordnung sondern durch das Magnetfeld bestimmt.
Nach der Beschreibung verschiedener mit Magnetfeldern zusammenwirkender Doppelelektrodenanordnungen zur Erzeugung sehr verschiedenartiger Plasmafallen wird im Folgenden das Zustandekommen des Falleneffekts in der Glimmentladung erläutert.
In sämtlichen mit zwei Elektroden arbeitenden erfindungsgemäßen HF-Glimmentladungen sind beide Elektroden Aufprallflächen. Die Glimmentladungen werden bei Frequenzen und unter Drucken betrieben, derart, daß praktisch die gesamte Energieübertragung vom HF-Feld an die geladenen Plasmateilchen im Gebiet der Kathodenschicht stattfindet. Der Betrieb einer derartigen Hochfrequenz-Entladung ist analog dem einer Gleichstrom-Entladung, bei der jede Elektrode während des größten Teils der hochfreqienten Periode als Gleichstrom-Kathode wirkt. Ein Spannungsabfall, der im Durchschnitt dem Potentialunterschied zwischen dem Scheitelwert und dem Nullwert des Hochfrequenz-Signals entspricht, abzüglich dem Spannungsabfall an den dielektrischen Aufprallflächen, herrscht in der Kathodenschicht an jeder der Aufprallelektroden. Ionen des Arbeitsgases diffundieren vom Plasmaraum in die Kathodenschicht, in der sie beim Durchgang durch das Kathodenschichtpotential auf die KathodenaufpralIflache hin beschleunigt werden. Beim
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Aufprall dieser Ionen auf die Kathodenoberfläche reißen sie Atome der Aufprallfläche heraus und ergeben außerdem eine Emission von Sekundärelektronen von der Kathodenoberfläche. Diese Elektronen werden im Gebiet des Kathodenfalls beschleunigt und gelangen dann als Primärelektronen in das Plasmagebiet, in dem sie neue Ionen durch Zusammenstöße mit Atomen erzeugen. Ein Teil dieser im Plasmaraum durch Primärelektronen erzeugten Ionen gelangt schließlich zum Rand des Kathodenfallgebiets, die Ionen dringen in die Kathodenschicht ein und bombardieren die Kathodenoberfläche, sodaß sich der Prozeß wiederholt. Die an der Kathode stattfindenden Prozesse führen damit dazu, daß Eich die Entladung selbst unterhält.
In einer derartigen Gleichstrom- oder Hochfrequenz-Entladungsvorrichtung kann die Betriebsspannung zur Bewertung des Wirkungsgrads verwendet werden. Wenn elektrisch isolierende Aufprallflächen bei Hochfrequenz-Betrieb verwendet werden, ist die Arbeitsspannung als Scheitelwert der an der Glimmentladung anliegenden Hochfrequenz-Spannung definiert, während die gesamte an der Entladungsvorrichtung anliegende Spannung den Spannungsabfall an den dielektrischen Aufprallflächen mit einbezieht.
Das Zusanmenwirken eines Elektrodenpaars und einer geeigneten Magnetfeldverteilung in einem achsialsymmetrischen System ergibt eine Falle für die Primärelektronen, die die Elektronenbewegung in Radialrichtung und Achsialrichtung beschränkt und dadurch die Elektronen zwingt, in der Nähe der Aufprallfläche zu bleiben, bis ein großer Teil der Elektronenenergie in ionisierenden Zusammenstößen verbraucht worden ist. Die Ionen werden in der Nähe der Aufprallfläche erzeugt, d.h. das von den eingefangenen Elektronen erzeugte Plasma befindet sich in einem Ringgebiet um
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eine Symmetrieachse der Anordnung und ist in Berührung mit den die Aufprallflächen bildenden Elektroden.
Die Plasmafalle ergibt sich aus der Überlagerung von Elektronenreflexion an Oberflächen, die auf Kathodenpotential sind, und τοη Elektronenablenkung durch das Magnetfeld. Eine geschlossene Plasmafalle wird an einigen Seiten durch das Magnetfeld und an den anderen Seiten durch die Kathodenoberflächen gebildet, sodaß die Verluste an den Endabschnitten jeder Seite minimal sind.
Eine Plasmafalle nimmt in ?/irklichkeit ein quaderförmiges Volumen mit sechs Seiten ein, von denen zwei durch die Achsialsymmetrie der Anordnung definiert sind, sodaß nur im Querschnitt vierseitige Anordnungen senkrecht zu ihrer Symmetrieachse betrachtet werden müssen.
In der mit Hochfrequenz betriebenen Doppelelektrodenanordnung werden die beiden Elektroden mit zwei HP-Speiseleitungen betrieben. Da eine Wechselspannung angelegt wird, nehmen die Elektroden abwechselnd die Punktion von Anode und Kathode in Bezug aufeinander an. Bezeichnet man die beiden Elektroden mit A und B, so ist Elektrode A vorübergehend Kathode in Bezug auf Elektrode B, und zu anderen Zeiten Anode in Bezug auf Elektrode B. Beide Elektroden sind während des größten Teils der HP-Periode negativ vorgespannt in Bezug auf das Plasma, d.h. Elektroden A und B erscheinen vom Plasma aus gesehen als Kathoden. Nur für kurze Zeitabschnitte während jeder zweiten Halbwelle der HP-Spannung werden Elektroden A und B zu Anoden für das Plasma.
Mit Hochfrequenz betriebene Plasmafallen lassen sich deshalb in zwei Gruppen einteilen. In der ersten Gruppe arbeiten die beiden Elektroden A und B zusammen und schließen die Falle teilweise, wobei das Magnetfeld für das völlige
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Schließen der Falle sorgt. Magnetische Kraftlinien gehen in diesem Fall von Elektrode A aus und treten in Elektrode B ein. Die Elektronenbewegung längs der Feldlinien ist verhältnismäßig frei im Gebiet zwischen Elektrode A und Elektrode B, doch bildet die Kathodenschicht an beiden Elektroden eine reflektierende Fläche für die Elektronenbewegung. In einem zur Symmetrieachse des Systems senkrechten Querschnitt sind zwei Seiten der Plasmafalle durch magnetische Kraftlinien geschlossen, eine weitere Seite ist durch Elektrode A geschlossen und die letzte Seite ist schließlich durch Elektrode B geschlossen.
In der zweiten Gruppe arbeiten Elektroden A und B nicht zusammen, sondern wirken unabhängig voneinander, und das Magnetfeld dient zur Schließung getrennter Fallen, nämlich einer Falle bei Elektrode A und einer zweiten Falle bei Elektrode B. Beispielsweise gehen die magnetischen Kraftlinien von Elektrode A aus und kehren gekrümmt zu ihr zurück. In einem zur Symmetrieachse der Anordnung senkrechten Querschnitt entsteht eine Falle an Elektrode A, ' wobei eine Seite der Plasmafalls durch die Kathodenschicht an Elektrode A gebildet wird, während die anderen drei Seiten der Falle durch das bei Elektrode A verlaufende Magnetfeld gebildet werden. Eine ähnliche, getrennte Falle besteht an Elektrode B und wird ebenfalls aus der Kathodenschicht und dem Magnetfeld gebildet.
Bei der Kombination der beiden vorhergehenden Anordnungen ergibt sich ein dritter Fall. Geeignete Abstimmung der Ströme durch die das Magnetfeld erzeugenden Feldspulen führt zu einer Kraftlinienverteilung, in der einige der Kraftlinien von Elektrode A zu' Elektrode B verlaufen, während andere Kraftlinien von Elektrode A ausgehen und zu ihr zurückkehren. Das gleiche gilt für Elektrode B, sodaß die
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beiden Arten von Plasmafallen, nämlich die auf eine Elektrode beschränkte Falle und die beide Elektroden überbrückende Falle, gleichzeitig existieren.
Im folgenden wird nun die Wirkungsweise einer Falle in Anordnungen mit Magnetfeldern, die beide Elektroden A und B zur Schaffung einer einzigen Plasmafalle einbeziehen, beschrieben.
Die folgende Betrachtung bezieht sich auf einen Zeitpunkt, zu dem Elektrode A in Bezug auf Elektrode B Kathode ist. Da in Bezug auf das Plasma beide Elektroden Kathoden sind, prallen Ionen auf beide Kathoden auf, d.h. sie schlagen aus den Elektroden Elektronen heraus, deren Zahl vom Sekundäremissionskoeffizienten y^ abhängt. Die von Elektrode B emittierten Elektronen werden durch die an dieser Elektrode anliegende Kathodenschicht beschleunigt und bewegen sich im wesentlichen längs der magnetischen Kraftlinien von Elektrode B weg. Da die Kraftlinien von Elektrode B auf Elektrode A hin verlaufen, bewegen sich die von Elektrode B emittierten Elektronen auf Elektrode A zu. Da aber Elektrode A in Bezug auf Elektrode B als Kathode wirkt, werden die Elektronen durch die Kathodenschicht der Elektrode A reflektiert und kehren zur Elektrode B zurück, wo sie an deren Kathodenschicht reflektiert werden. Die von Elektrode B emittierten Elektronen bleiben damit im Raum zwischen Elektroden A und B gefangen.
Wenn Elektrode A ein negativeres Potential als Elektrode B hat, wirkt sie als Kathode und emittiert Elektronen. Diese Elektronen werden durch die an Elektrode A anliegende Kathodenschicht beschleunigt und bewegen sich von Elektrode A längs der magnetischen Kraftlinien auf Elektrode B zu, auf der sie schließlich ankommen. Da der Gasdruck im Entladungssystem niedrig ist, haben diese Elektronen wenig
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oder keine Energie verloren j, wenn sie an Elektrode B ankommen. Diese Elektronen haben damit noch genügend Energie, um in die Kathodenschicht der Elektrode B einzudringen und schließlich auf Elektrode B anzukommen., Die weitere !Folge ist, daß diese Elektronen aus der .Falle entfernt werden« Sekundärelektronen können durch den Aufprall dieser Elektronen auf Elektrode B erzeugt werdenβ Im Gegensatz zu der durch Gasionen erzeugten Sekundäremission hängt die von Elektronen erzeugte Sekundäremission von einem anderen Sekundäremissionskoeffizienten (ye) ab.
Die Elektronenemission von Elektrode B wird verstärkt durch die Entfernung der ursprünglich von Elektrode A emittierten Elektronen aus der Falle«, Obgleich die von Elektrode A emittierten Elektronen nur sehr kurze Zeit in der Falle gefangen sind, erhöhen sie die Elektronenemission von Elektrode B, und die von Elektrode B emittierten Elektronen bleiben in der Falle gefangen» Me Plasmadichte einer HP-lntladung, in der das Zusammenwirken der beiden Elektroden eine Plasmafalle ergibt, hängt von den beiden Sekundäremissionskoeffizienten. jyund γ ab«,
Durch ähnliche Überlegungen läßt sich zeigen,, daß im Falle einer zu getrennten Fallen führenden Magnetfeldverteilung die Plasmadichte an den HF-Elektroden hauptsächlich vom Koeffizienten γ^ abhängt, da die Sekundäremission im wesentlichen vom Ionenbombardement abhängt und nur ganz unwesentlich von den Elektronen beeinflußt wird.
Figuren 10a - 10b zeigen Ausführungsbeispiele von HF-Glimmentladungssystemen mit Paaren von flachen Elektroden 513t 514, die die Entladung unterhalten und zusammen mit dem Magnetfeld eine Plasmafalle ergeben» Der Hauptunterschied zwischen der in Figuren 10as 10b dargestellten Ausführungsform und der Ausführungsform der Figuren 10c und
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1Od ergibt sich aus der Elektrodenform und der Art der dadurch erzeugten Plasmafalle.
Figuren 10a und 10b zeigen halbkreisförmige oder D-förmige Elektroden 513, 5H, die einen in Durchmesserrichtung geschlitzten Kreis bilden. Eine toroidförmige Spule 515, deren Drehachse senkrecht zu der von Elektroden 513 und
514 bestimmten Ebene ist und die auf der den Aufprallflächen 520 abgewandten Elektrodenseite liegt, erzeugt ein toroidförmiges Magnetfeld, das im Zusammenwirken mit jeder der Elektroden eine Plasmafalle des gemischten Typs ergibt. Magnetspule 515 ist von Elektroden 513, 514 durch einen geeigneten elektrischen Isolator 516 getrennt. Die Elektroden 513, 514 erhalten von einer Hoohfrequenzquelle 517 Energie über abgeschirmte Leitungen 518 bzw. 519 zugeführt.
In dem in Figuren 10c und 10d dargestellten Ausführungsbeispiel haben die Elektroden 513, 514 die Form konzentrischer Scheiben, wobei Elektrode 513 eine äußere Ringelektrode bildet und Elektrode 514 aus einer massiven kreisrunden Scheibe besteht. Die toroidförmige magnetische Feldspule
515 ergibt das in Figur 10c gezeigte Magnetfeld, in dem beide Elektroden im gegenseitigen Zsammenwirken und zusammen mit dem Magnetfeld eine Plasmafalle bilden.
Die Drehachse der toroidförmigen magnetischen Feldverteilung stellt die Symmetrieachse der Plasmafallen in den in Figuren 10a - 10b gezeigten Ausführungsbeispielen dar.
Figuren 10a - 1Od zeigen kreisförmige, ebene Elektrodenformen, doch könnten die Elektroden auch gebogen sein und von der Kreisform abweichende Flächenformen annehmen.
Glimmentladungsanordnungen der unter Bezug auf Figuren 10a - 1Od beschriebenen Art können in geeigneten, geschlossenen Kammern der in Figur 4 dargestellten Art mit
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Hilfe von Halterungen ähnlich dem Halterungsrohr 315 montiert werden.
Wie vorher erwähnt, ist es einer der Hauptvorteile der vorliegenden Erfindung, daß mit niedrigen Betriebsdrucken gearbeitet werden kann. Die niedrigen Gasdrucke haben eine im wesentlichen geradlinige Emission des zerstäubten Materials von der Quelle zur Folge und ermöglichen damit auch eine gezielte Aufdampfung auf eine Trägerfläche. Bei den in bekannten Zerstäubungsvorrichtungen üblichen hohen Gasdrucken wird das zerstäubte Material durch die Gasmoleküle gestreut und bewegt sich damit nicht mehr geradlinig. Ein Teil des zerstäubten Materials wird durch die Gasmoleküle auf die Kathode zurückgelenkt, was die Abscheidungsrate reduziert. Die Streuung durch die Gasmoleküle hat ferner zur Folge, daß nicht nur die gewünschte Trägerfläche beschichtet wird, sondern daß auch andere Flächen, z.B.. Seitenflächen, eine Auflage erhalten, je nach Stellung der Aufprallfläche zur emittierenden Fläche.
Der niedrige Betriebsdruck vergrößert außerdem die Fläche, die beschichtet werden kann, da die freie Weglänge (auf der keine Zusammenstöße stattfinden) dem Druck umgekehrt proportional ist. Ein erfindungsgemäßes, bei niedrigen Drucken betriebenes Zerstäubungssystem ermöglicht es daher, die Aufprallflächen in verhältnismäßig großen Radialabständen von der Quelle anzubringen, und gewährleistet dabei immer noch im wesentlichen geradlinige Bewegung des zerstäubten Materials. Große Kammern mit großen Beschichtungsflächen können verwendet werden.
Da die Erfindung das Arbeiten unter sehr niedrigen Gasdrucken ermöglicht, kann, wie vorher erwähnt, das zerstäubte Material von den Elektroden ausgehend die zu beschichtende Fläche längs geradliniger Bahnen erreichen.
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Es ist deshalb möglich, den Einfluß von zwischen den Zerstäuberelektroden und der Aufprallfläche aufgestellten
Hindernissen oder Hemmplatten mit beträchtlicher Genauigkeit vorauszuberechnen. Derartige Hindernisse können dann dazu verwendet werden, Schichten bestimmter Sicke aufzubringen und größere Flächen mit einer bestimmten Schichtdicke zu versehen.
Ein weiterer Vorteil ist, daß die erfindungsgemäßen Anordnungen in elektrischer Hinsicht sehr stabil sind und viele Stunden lang ohne wesentliche Veränderungen der
elektrischen Betriebswerte funktionieren.
Die obigen Ausführungen bezogen sich auf bestimmte
Ausführungsformen der Erfindung, doch sind Abwandlungen
im Rahmen der Erfindung möglich, deren Umfang ausschließlich durch die folgenden Patentansprüche definiert ist.
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Claims (34)

  1. PATE K TAUSPRÜCHE
    (i ./Verfahren zur Erzeugung einer Glimmentladung mit einer in einem Arbeitsgas angebrachten Elektrodenanordnung, an die eine Betriebsspannung angelegt wird, gekennzeichnet durch die Erzeugung eines Magnetfelds, das zusammen mit der Elektrodenanordnung mindestens eine Falle zum Festhalten praktisch aller von der Elektrodenanordnung emittierten Elektronen ergibt, die eine zur Ionisierung des Arbeitsgases ausreichende Energie haben.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Arbeitsgas unter einem Druck von höchstens 1 Mikron Hg gehalten wird,
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung eines Paars von Elektroden (H, 16) als Elektrodenanordnung.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 11 gekennzeichnet durch Verwendung einer HP-Spannung als Betriebsspannung.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung einer Falle, die achsialsymmetrisch in Bezug auf eine Rotationsachse ist.
  6. 6« Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch Verwendung koachsialer Elektroden (214, 216a, 216b).
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch Verwendung stabförmiger Elektroden (14, 16 usw.), an deren Außenseiten die Glimmentladung erzeugt wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Verwendung hohler Elektroden (313, 314 usw.) und Erzeugung der Glimmentladung im Innern der Elektroden.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch Erzeugung eines Magnetfelds, das im Zusammenwirken mit den Elektroden (14, 16) getrennte Fallen ergibt.
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  10. 10. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch Erzeugung eines Magnetfelds, das im Zusammenwirken mit beiden Elektroden (H, 16 usw.) eine einzige Falle ergibt.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch Ausbildung des Magnetfelds derart, daß im Zusammenwirken mit jeder Elektrode mehrere getrennte Fallen entstehen.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch Ausbildung des Magnetfelds derart, daß mindestens eine getrennte Falle durch Zusammenwirken des Magnetfelds mit jeder Elektrode sowie eine weitere Falle durch Zusammenwirken des Magnetfelds mit beiden Elektroden entstehen.
  13. 13. Verfahren zum Zerstäuben von Material von zwei Ausgangselektroden auf eine Trägerfläche, gekennzeichnet durch Anbringung der Elektroden in einem unter niedrigem Druck stehenden Arbeitsgas; Erzeugung eines Magnetfelds, das im Zusammenwirken mit den Elektroden mindestens eine Falle erzeugt, die praktisch alle von den Elektroden emittierten Elektronen zurückhält, soweit diese genügend Energie zur Erzeugung zusätzlicher Ionen haben; und Anlegen einer HF-Spannung an die Ausgangselektroden.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch elektrische Abschirmung (Kammergehause 311a) der Elektroden und des Gasraums gegen HF-Abstrahlung.
  15. 15. Gasentladungsvorrichtung mit Elektroden zum Zerstäuben von Material, gekennzeichnet durch eine Kathode (14; 214), von der aus Material zerstäubt wird und die an eine Stromversorgungseinheit (27) angeschlossen werden kann und einen länglichen Mittelabschnitt enthält, von dessen Enden in Radialrichtung Flansche (14a,14b; 214a,214b) ausgehen, sodaß eine an den Mittelabschnitt angrenzende Falle entsteht; an eine Stromversorgungseinheit (27) angeschlossene Anode (16; 216a, 216b) in der Nähe des Gebiets der Falle; und Mittel zur Erzeu-
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    gung eines Magnetfelds im Gebiet der Falle, derart, daß die Kraftlinien (23) parallel zum Mittelabschnitt der Kathode dicht an derselben vorbei verlaufen.
  16. 16. Verfahren nach Anspruch 15» gekennzeichnet durch von den Enden der Kathode nach außen verlaufende Flansche (T4a, 14b; 2Ha, 214b).. '
  17. 17. Vorrichtung nach Anspruch 15» gekennzeichnet durch einen Mittelabschnitt der Kathode in Form einer Zylinderhülse (40), von deren Enden zylindrische Flansche (214a, 214b) nach außen verlaufen, wobei eine Falle zwischen den Innenseiten der Flansche vom Außenumfang der Zylinderhülse begrenzt entsteht.
  18. 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch eine ringförmige Anode (16), die dicht am Außenumfang der Flansche durch einen Spalt von denselben getrennt angebracht ist.
  19. 19. Vorrichtung nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch eine in einer Vakuumkammer (10) montierte Anode und eine ebensolche Kathode und eine um den Mittelabschnitt der Kathode auf -die Vakuumkammer (10) gewickelte Spule (21) zur Erzeugung eines Magnetfelds im Gebiet der Falle.
  20. 20. Vorrichtung nach Anspruch 15» gekennzeichnet durch hohle Kathoden (40; 313, 314) mit nach innen gebogenen Enden, die eine Falle zwischen dem Mittelabschnitt der Kathoden und den Kathodenenden definieren.
  21. 21. Vorrichtung nach Anspruch 20, gekennzeichnet durch einen im wesentlichen zylindrischen Mittelabschnitt der Kathode in Form einer Trommel (40) und flanschförmige Endabschnitte (14a, 14b), an den Enden der Trommel, sodaß eine Falle durch die Innenflächen der Flansche und den Umfang der Trommel gebildet wird.
  22. 22. Vorrichtung nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch
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    einen zur Aufnahme einer Kühlflüssigkeit bestimmten Innenhohlraum im Mittelabschnitt der Kathode.
  23. 23. Kathodenanordnung in einer Glimmentladungsvorrichtung, gekennzeichnet durch einen an seinen Enden mit Planschen versehenen Mittelabschnitt, Mittel zur Befestigung der Flansche am Mittelabschnitt, einen von den Planschen und dem Mittelabechnitt gebildeten Hohlraum, und eine innerhalb der Kathode montierte Spule (76) mit einem im Mittelabschnitt gelagerten, länglichen Abschnitt (Hülse 77) und Planschen (77a, 77b) an den. Enden.
  24. 24. Mit Hochfrequenz-Spannung betriebenes Entladungssystem, gekennzeichnet durch eine Elektrodenanordnung (313, 314·; 413, 414) und Mittel zur Erzeugung eines Magnetfelds, das im Zusammenwirken mit der Elektrodenanordnung mindestens eine allseitig geschlossene Falle für alle von der Elektrodenanordnung emittierten Elektronen ergibt, die genügend Energie zur Erzeugung weiterer Ionen haben.
  25. 25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenanordnung ein Paar von Elektroden (313, 314; 413, 414) umfaßt.
  26. 26. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Falle achsialsymmetrisch in Bezug auf eine Drehachse aufgebaut ist.
  27. 27· Vorrichtung nach Anspruch 25, gekennzeichnet durch stabförmige Elektroden (131, 314), an deren Außenseite die Glimmentladung erzeugt wird.
  28. 28. Vorrichtung nach Anspruch 25, gekennzeichnet durch Hohlelektroden (413,414), in deren Innern die Glimmentladung erzeugt wird.
  29. 29. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetfeld mit jeder der Elektroden eine einzige getrennte Falle erzeugt (Figur 5c),
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  30. 30. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetfeld mit beiden Elektroden zusammen eine einzige Falle erzeugt (Figur 5a).
  31. 31. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetfeld im Zusammenwirken mit jeder einzelnen Elektrode mehrere getrennte Fallen erzeugt (Figur 8c).
  32. 32. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetfeld mit jeder Elektrode mindestens eine getrennte Falle und mit beiden Elektroden zusammen eine weitere Falle erzeugt.
  33. 33. Vorrichtung zur Erzeugung von Glimmentladungen, gekennzeichnet durch ein Paar Elektroden, Befestigungsmittel, die das Elektrodenpaar in einem unter niedrigem Druck stehendem Arbeitsgas haltern; eine Stromversorgungseinheit zur Erzeugung einer Spannung an dem Elektrodenpaar; und Mittel zur Erzeugung eines Magnetfelds 9 das im Zusammenwirken mit den Elektroden mindestens eine vollkommen geschlossene Falle zur Zurückhaltung aller Elektronen schafftt die von den Elektroden emittiert wurden und eine zur weiteren Ionisation des Arbeitsgases ausreichende Energie haben.
  34. 34. Vorrichtung nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Elektroden eine konische Rotationsoberfläche darstellt.
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    Leerseito
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IL (1) IL40285A (de)
NL (1) NL7211911A (de)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2417288A1 (de) * 1974-01-31 1975-08-14 Airco Inc Zerstaeubungsvorrichtung
DE2556607A1 (de) * 1974-12-16 1976-06-24 Airco Inc Kathodenzerstaeubungsgeraet
DE2655942A1 (de) * 1976-12-10 1978-06-15 Tokuda Seisakusho Kawasaki Kk Zerstaeubungsvorrichtung
DE2920780A1 (de) * 1978-08-21 1980-03-06 Vac Tec Syst Zerstaeubungsvorrichtung mit magnetischer verstaerkung
DE3107914A1 (de) * 1981-03-02 1982-09-16 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum beschichten von formteilen durch katodenzerstaeubung
DE3211229A1 (de) * 1981-03-27 1982-10-14 Nihon Shinku Gijutsu K.K., Chigasaki, Kanagawa Vorrichtung zur ferromagnetischen schnellzerstaeubung
DE3427587A1 (de) * 1984-07-26 1986-02-06 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Zerstaeubungseinrichtung fuer katodenzerstaeubungsanlagen
DE3442208A1 (de) * 1984-11-19 1986-05-28 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum herstellen harten kohlenstoffschichten
DE3527626A1 (de) * 1985-08-01 1987-02-05 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip
US4810346A (en) * 1987-08-21 1989-03-07 Leybold Aktiengesellschaft Magnetron type sputtering cathode
DE3908252A1 (de) * 1989-03-14 1990-09-20 Leybold Ag Zerstaeubungskathode nach dem magnetron-prinzip
DE4018914C1 (de) * 1990-06-13 1991-06-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
DE4100291C1 (de) * 1991-01-08 1991-10-02 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
DE4135939A1 (de) * 1991-10-31 1993-05-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De Zerstaeubungskathode
US5415757A (en) * 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
DE4138793C2 (de) * 1991-11-26 2001-03-01 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
US7938943B2 (en) 2006-10-17 2011-05-10 Von Ardenne Anlagentechnic GmbH Supply end block for rotary magnetron
DE102007049735B4 (de) * 2006-10-17 2012-03-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Versorgungsendblock für ein Rohrmagnetron

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51117933A (en) * 1975-04-10 1976-10-16 Tokuda Seisakusho Spattering apparatus
FR2324755A1 (fr) * 1975-09-19 1977-04-15 Anvar Dispositif de pulverisation cathodique de grande vitesse de depot
US4046660A (en) * 1975-12-29 1977-09-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Sputter coating with charged particle flux control
NL7607473A (nl) * 1976-07-07 1978-01-10 Philips Nv Verstuifinrichting en werkwijze voor het ver- stuiven met een dergelijke inrichting.
US4179351A (en) * 1976-09-09 1979-12-18 Hewlett-Packard Company Cylindrical magnetron sputtering source
US4126530A (en) * 1977-08-04 1978-11-21 Telic Corporation Method and apparatus for sputter cleaning and bias sputtering
US4275126A (en) * 1978-04-12 1981-06-23 Battelle Memorial Institute Fuel cell electrode on solid electrolyte substrate
ATE10512T1 (de) * 1980-08-08 1984-12-15 Battelle Development Corporation Vorrichtung zur beschichtung von substraten mittels hochleistungskathodenzerstaeubung sowie zerstaeuberkathode fuer diese vorrichtung.
ATE13561T1 (de) * 1980-08-08 1985-06-15 Battelle Development Corp Zylindrische magnetron-zerstaeuberkathode.
US4290877A (en) * 1980-09-08 1981-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior Sputtering apparatus for coating elongated tubes and strips
US4525264A (en) * 1981-12-07 1985-06-25 Ford Motor Company Cylindrical post magnetron sputtering system
US4422896A (en) * 1982-01-26 1983-12-27 Materials Research Corporation Magnetically enhanced plasma process and apparatus
US4525262A (en) * 1982-01-26 1985-06-25 Materials Research Corporation Magnetron reactive bias sputtering method and apparatus
US4376025A (en) * 1982-06-14 1983-03-08 Battelle Development Corporation Cylindrical cathode for magnetically-enhanced sputtering
US4581118A (en) * 1983-01-26 1986-04-08 Materials Research Corporation Shaped field magnetron electrode
JPS60221563A (ja) * 1984-04-17 1985-11-06 Ulvac Corp バイアススパッタ方法
US4865712A (en) * 1984-05-17 1989-09-12 Varian Associates, Inc. Apparatus for manufacturing planarized aluminum films
US4711767A (en) * 1985-02-05 1987-12-08 Psi Star Plasma reactor with voltage transformer
US4600563A (en) * 1985-02-05 1986-07-15 Psi Star Incorporated Plasma reactor with voltage transformer
US4668338A (en) * 1985-12-30 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Magnetron-enhanced plasma etching process
DE3636524A1 (de) * 1986-10-27 1988-04-28 Vtu Angel Kancev Einrichtung zum auftragen von ueberzuegen im vakuum durch magnetronzerstaeubung
BE1001027A3 (nl) * 1987-10-21 1989-06-13 Bekaert Sa Nv Werkwijze en inrichting voor het reinigen van een langwerpig metalen substraat, zoals een draad, een band, een koord, enz., alsmede volgens die werkwijze gereinigde substraten en met dergelijke substraten versterkte voorwerpen uit polymeermateriaal.
JP2673807B2 (ja) * 1987-10-30 1997-11-05 パイオニア株式会社 光磁気記録媒体の製造方法
US4842703A (en) * 1988-02-23 1989-06-27 Eaton Corporation Magnetron cathode and method for sputter coating
US4810347A (en) * 1988-03-21 1989-03-07 Eaton Corporation Penning type cathode for sputter coating
DE3844064A1 (de) * 1988-12-28 1990-07-05 Leybold Ag Katodenzerstaeubungsvorrichtung nach dem magnetron-prinzip mit einer hohlkatode und einem zylindrischen target
US4927515A (en) * 1989-01-09 1990-05-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Circular magnetron sputtering device
US4957605A (en) * 1989-04-17 1990-09-18 Materials Research Corporation Method and apparatus for sputter coating stepped wafers
US5178743A (en) * 1989-06-15 1993-01-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Cylindrical magnetron sputtering system
US5073245A (en) * 1990-07-10 1991-12-17 Hedgcoth Virgle L Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device
US5437778A (en) * 1990-07-10 1995-08-01 Telic Technologies Corporation Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device
AU664995B2 (en) * 1991-04-19 1995-12-14 Surface Solutions, Incorporated Method and apparatus for linear magnetron sputtering
GB2256085A (en) * 1991-05-13 1992-11-25 Integrated Plasma Ltd Plasma deposition and etching of substrates.
US5228963A (en) * 1991-07-01 1993-07-20 Himont Incorporated Hollow-cathode magnetron and method of making thin films
US5685961A (en) * 1992-03-27 1997-11-11 P & D Medical Coatings, Inc. Method for fabrication of metallized medical devices
DE4333825C1 (de) * 1993-09-28 1995-02-23 Mat Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von langgestreckten biegsamen Erzeugnissen
US6217716B1 (en) 1998-05-06 2001-04-17 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source
US6432286B1 (en) 1998-06-10 2002-08-13 David A. Glocker Conical sputtering target
US6235170B1 (en) 1998-06-10 2001-05-22 David A. Glocker Conical sputtering target
US6066242A (en) * 1998-06-10 2000-05-23 David A. Glocker Conical sputtering target
US6352430B1 (en) 1998-10-23 2002-03-05 Goodrich Corporation Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace
US6440220B1 (en) * 1998-10-23 2002-08-27 Goodrich Corporation Method and apparatus for inhibiting infiltration of a reactive gas into porous refractory insulation
US6162298A (en) * 1998-10-28 2000-12-19 The B. F. Goodrich Company Sealed reactant gas inlet for a CVI/CVD furnace
US6193853B1 (en) 1999-02-25 2001-02-27 Cametoid Limited Magnetron sputtering method and apparatus
EP1063319B1 (de) 1999-06-04 2005-12-07 Goodrich Corporation Verfahren und Vorrichtung zum Kühlen von einem CVI/CVD-Ofen
EP1065294B1 (de) 1999-06-04 2003-10-15 Goodrich Corporation Verfahren und Vorrichtung zur Druckmessung in einer CVD/CVI-Kammer
DE60013208T2 (de) 1999-06-04 2005-08-11 Goodrich Corp. Suzeptordeckel sowohl für Gasphaseninfiltration bzw. -Beschichtung als auch Wärmebehandlung
TW584905B (en) 2000-02-25 2004-04-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for depositing films
US6497803B2 (en) 2000-05-31 2002-12-24 Isoflux, Inc. Unbalanced plasma generating apparatus having cylindrical symmetry
US6551477B2 (en) 2000-09-25 2003-04-22 Isoflux, Inc. Interlocking cylindrical magnetron cathodes and targets
US6887356B2 (en) * 2000-11-27 2005-05-03 Cabot Corporation Hollow cathode target and methods of making same
US6759807B2 (en) 2002-04-04 2004-07-06 Veeco Instruments, Inc. Multi-grid ion beam source for generating a highly collimated ion beam
AT414215B (de) * 2003-02-12 2006-10-15 Peter Ziger Anlage zur plasmaprozessierung
US20050288773A1 (en) * 2004-01-22 2005-12-29 Glocker David A Radiopaque coating for biomedical devices
JP2008504104A (ja) * 2004-06-28 2008-02-14 イソフラックス・インコーポレイテッド 生物医学的インプラント用多孔性コーティング
JP5467735B2 (ja) * 2007-07-02 2014-04-09 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲット
DE102008052217B3 (de) * 2008-10-17 2011-03-10 Johann Wolfgang Goethe-Universität Elektrostatischer Ionenkompressor
US20140061039A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-06 Applied Materials, Inc. Target cooling for physical vapor deposition (pvd) processing systems
CN105659708B (zh) * 2013-11-22 2018-05-01 东丽株式会社 等离子体电极、等离子体处理电极、cvd电极、等离子体cvd装置及带薄膜的基材的制造方法
CA3063389C (en) 2019-12-02 2021-03-30 2S Water Incorporated Solution electrode glow discharge apparatus
CA3068769A1 (en) 2020-01-20 2021-07-20 2S Water Incorporated Liquid electrode tip
CN116057200B (zh) * 2020-09-16 2024-09-10 株式会社爱发科 旋转式阴极单元用驱动块

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282816A (en) * 1963-09-16 1966-11-01 Ibm Process of cathode sputtering from a cylindrical cathode
US3369991A (en) * 1965-01-28 1968-02-20 Ibm Apparatus for cathode sputtering including a shielded rf electrode

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282815A (en) * 1963-07-01 1966-11-01 Ibm Magnetic control of film deposition
US3507774A (en) * 1967-06-02 1970-04-21 Nat Res Corp Low energy sputtering apparatus for operation below one micron pressure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282816A (en) * 1963-09-16 1966-11-01 Ibm Process of cathode sputtering from a cylindrical cathode
US3369991A (en) * 1965-01-28 1968-02-20 Ibm Apparatus for cathode sputtering including a shielded rf electrode

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Applied Physics Letters, Vol. 2, No. 12, 1963, S. 233 u. 234 *

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2417288C2 (de) * 1974-01-31 1986-03-20 BOC Technologies Ltd., London Kathodenzerstäubungsvorrichtung
DE2417288A1 (de) * 1974-01-31 1975-08-14 Airco Inc Zerstaeubungsvorrichtung
DE2556607A1 (de) * 1974-12-16 1976-06-24 Airco Inc Kathodenzerstaeubungsgeraet
DE2655942A1 (de) * 1976-12-10 1978-06-15 Tokuda Seisakusho Kawasaki Kk Zerstaeubungsvorrichtung
DE2920780A1 (de) * 1978-08-21 1980-03-06 Vac Tec Syst Zerstaeubungsvorrichtung mit magnetischer verstaerkung
DE3107914A1 (de) * 1981-03-02 1982-09-16 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum beschichten von formteilen durch katodenzerstaeubung
DE3211229A1 (de) * 1981-03-27 1982-10-14 Nihon Shinku Gijutsu K.K., Chigasaki, Kanagawa Vorrichtung zur ferromagnetischen schnellzerstaeubung
DE3427587A1 (de) * 1984-07-26 1986-02-06 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Zerstaeubungseinrichtung fuer katodenzerstaeubungsanlagen
DE3442208C3 (de) * 1984-11-19 1998-06-10 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen harter Kohlenstoffschichten
DE3442208A1 (de) * 1984-11-19 1986-05-28 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum herstellen harten kohlenstoffschichten
DE3527626A1 (de) * 1985-08-01 1987-02-05 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip
US4810346A (en) * 1987-08-21 1989-03-07 Leybold Aktiengesellschaft Magnetron type sputtering cathode
DE3908252A1 (de) * 1989-03-14 1990-09-20 Leybold Ag Zerstaeubungskathode nach dem magnetron-prinzip
DE4018914C1 (de) * 1990-06-13 1991-06-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
DE4100291C1 (de) * 1991-01-08 1991-10-02 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
DE4135939A1 (de) * 1991-10-31 1993-05-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De Zerstaeubungskathode
US5415757A (en) * 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
DE4138793C2 (de) * 1991-11-26 2001-03-01 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
US7938943B2 (en) 2006-10-17 2011-05-10 Von Ardenne Anlagentechnic GmbH Supply end block for rotary magnetron
DE102007049735B4 (de) * 2006-10-17 2012-03-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Versorgungsendblock für ein Rohrmagnetron

Also Published As

Publication number Publication date
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CA1006116A (en) 1977-03-01
DE2264437A1 (de) 1973-10-31

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