DE2129166B2 - Halbleiterspeicher - Google Patents

Halbleiterspeicher

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DE2129166B2
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Description

dadurch gekennzeichnet, daß als Kollektorlasten zwei Schaltimpedanzelemente (ZCl, ZC2), von denen jedes jeweils ( nen hohen oder einen niedrigen Impedanzwert aufweist, wenn ein angelegtes Adressensignal einen niedrigen oder einen hohen Pegel aufweist, der niedriger oder höher ist als ein Schwellenwert der Schaltimpedanzelemente vorgesehen sind, daß eine Adressensignal-Spannungsquelle (z. B. ZiD1) mit den Schaltimpedanzelementen zur gleichzeitigen Einspeisung eines Adressensignals mit dem hohen oder niedrigen Pegel in die beiden Schaltimpedanzelemente verbunden ist, wenn die Speicherzelle jeweils ausgewählt oder nicht ausgewählt ist. wobei sich der hohe oder der niedrige Pegel des Adressensignals bei der Einspeisung in die Schaltimpedanzeiemente oberhalb oder unterhalb des Schwellenwertes der Schaltimpedanzelemente befindet, wodurch die beiden Schaltimpedanzelemente ihren hohen oder niedrigen Impedanzwert aufweisen, und daß eine Emittervorspannungsquelle eine konstante Emittervorspannung VFE) in den anderen Anschluß des Emitterimpedanielements (ZEF) einspeist, so daß die Schaltimpedanzelemente gleichzeitig den niedrigen Impedanzwert haben, wenn der hohe Pegel des Adressensignals anliegt.
2. Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein KoppelimpedanEelement (Zcc) zwischen den Kollektoren der beiden Transistoren (T1, T2), um die beiden Transistoren an einer Aussteuerung in den Sättigungsbereich zu hindern (Fig. 3).
3. Halbleiterspeicher nach Ansprach 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Koppelimpedanzelement (Zcc) zwei Schottky-Sperrschicht-Dioden (D1, D2) hat, die parallel mit entgegengesetzter Durchlaßrichtung geschaltet sind (F i g. 4).
4. Halbleiterspeicher nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltimpedanzelemente (ZCv ZC2) jeweils aufweisen ein hochohmiges Bauelement (Rci)> em niederohmiges Bauelement (Rc«) und einen mit dem Adressensignal beaufschlagten Halbleiterschalter zur Steuerung des duich das niederohmige Bauelement fließenden Stroms in Abhängigkeit vom Adressensignal, das den hohen oder niedrigen Pegel hat.
5. Halbleiterspeicher nach Ansprach 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltimpedanzelemente (Zc v ZC2) jeweils gebildet sind durch eine Parallelschaltung einerseits des hochohmigen Bauelements (RCl) und andererseits einer Serienschaltung des niederohmigen Bauelements (Rc ^ und des Halbleiterschalters und daß das Adressensignal der Kollektorvorspannung überlagert und über die Parallelschaltung in die Kollektoren der jeweiligen Transistoren eingespeist wird (F i g. 5).
6. Halbleiterspeicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromsteuereinrichtung in jedem Schaltimpedanzelement (ZCl, Zc„) eine Diode (D11, D12) ist (Fig. 5).
7. Halbleiterspeicher nach den Ansprüchen 5 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Koppelimpedanz ein Koppelwiderstand (Rc 3) ist (F i g. 5).
8. Halbleiterspeicher nach Ansprach 4, gekennzeichnet durch einen Doppelemitter-Transistor (Tai) mit zwei Emittern, einer Basis und einem Kollektor, wobei die Emitter in Serie mit dem niederohmigen Bauelement (Rc „) der beiden Schaltimpedanzelemente (ZCl, Zc,) als deren Halbleiterschalter liegen, während der Kollektor an die Kollektorvorspannungsquelle (C1) angeschlossen ist und die Basis (3) mit dem Adressensignal beaufschlagt wird (Fig. 1 und 6).
9. Halbleiterspeicher nach Ansprach 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorvorspannung (Vcc) konstant ist.
10. Halbleiterspeicher nach Ansprache, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorvorspannung (Vcc) in Abhängigkeit vom Pegel des Adressensignals variabel ist.
11. Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Zifferleitungen (Dn,, D1,; D02, D12) mit jeweils zwei Ausgabe- und Eingabeschaltungen verbunden sind, von denen jede aufweist einen ersten und einen zweiten Transistor (T40, T42; T41, T43), deren Emitter zusammengeschaltet über einen gemeinsamen Widerstand mit einer Emittervorspannungsquelle verbunden sind, während der Kollektor des ersten Transistors über einen Lastwiderstand mit einer Kollektorspannungsquelle verbunden ist, mit einem mit dem Kollektor des ersten Transistors verbundenen Ausgang und einer mit der Basis des ersten Transistors verbundenen Bezugsspannungsquelle (Y1) und mit einer Quelle (Y2) für das zu speichernde Eingabesignal, die mit der Basis des zweiten Transistors zur Einspeisung des Eingabesignals in die Basis des zweiten Transistors verbunden ist.
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterspeicher mit
V 3 4
a) mindestens einer Speicherzelle einschließlich Emittervorspannung unabhängig vom Zustand dei (1) zweier Doppelemitter-Transistoren, die je- Speicherzelle konstant zu halten.
weils einen Kollektor, eine Basis und einen ersten Dagegen nehmen jedoch Speicherzellen mit zwe
und zweiten Emitter aufweisen, wobei der KoI- Mchremitter-Transistoren äußerst wenig Raum ir lektor bzw. die Basis des einen der beiden Tran- 5 einer integrierten Schaltung ein, so daß sie zum Auf-
sjstoren jeweils mit der Basis bzw. dem Kollektor bau eines Halbleiterspeichers großer Speicherkapazitäi
des anderen der beiden Transistoren verbunden sehr geeignet sind.
sind und wobei die ersten Emitter der beiden Tran- Beim bekannten Halbleiterspeicher werden schließsistoren miteinander verbunden sind; (2) eines Hch die Adressenimpulse in die Kollektoranschlüsse Emitterimpedanzelements, das mit seinem einen io eingespeist, um eine niedrige Kollekturimpedanz dei Anschluß an die untereinander verbundenen Zelle zu gewährleisten, wenn der Adressenimpuls den ersten Emitter der beiden Transistoren ange- gemeinsamen Emitteranschluß zugeführt wird. Das schlossen ist; (3) zweier Kollektorlasten, die je- erfordert jedoch eine komplizierte zusätzliche Schalweils im Kollektorkreis der beiden Transistoren tung für die Speicherzellenmatrix wegen der beiden liegen, und (4) eines mit den Kollektorlasten 15 Ansteuerpunkte für jede Speicherzelle,
verbundenen Kollektorvorspannungsanschlusses, Auch ist ein Halbleiterspeicher mit Dreiemitterder jeweils eine Kollektorvorspannung über die Traasistoren bekannt (USA.-Patentschrift 3 218 Oi3), Kollektorlasten an die Kollektoren der beiden bei dem ebenfalls die Kollei:.-jrspannung konstant geTransistoren anlegt; halten wird und keine Schaltlmpedanzelemente in
b) zwei Zifferleitungen, die jeweils mit den zweiten 20 den Kollektorkreisen der Transistoren vorgesehen Emittern der beiden Transistoren verbunden sind. Dieser Halbleiterspeicher gleicht im wesentsind. üchen dem eingangs beschriebenen bekannten Halbleiterspeicher.
Ein derartiger Halbleiterspeicher ist bereits be- Es ist auch bekannt (deutsche Auslegeschrift kannt (USA.-Patentschrift 3 427 598). Bei diesem 35 1 259 386), bei einer Schaltungsanordnung zum Ein-Halbleiterspeicher sind jedoch in aen Kollektor- schreiben von Informationen in aus Flip-Flop-Stufen leitungen Lastwiderstände mit konstanten Impedanz- bestehende Speicher als Kollektorlasten zwischen dem werten vorgesehen, die unabhängig von einem ein- Kollektor des einen Transistors und der Basis des gespeisten veränderlichen Adressensignal sind. Daher anderen Transistors Widerstände vorzusehen, wobei führt eine beabsichtigte Erhöhung der Geschwindig- 30 nicht jeder Speicherzelle ein unabhängiges Emitterkeit des Speicherbetriebs durch Erhöhung des Zellen- impedanzelement zugeordnet ist.
Stroms /ß in der Speicherzelle, wenn diese angesteuert Schließlich ist auch noch ein bistabiler Kippist, zu einem erhöhten Zellenstrom/sr im nicht an- schalter bekannt (deutsche Auslegeschrift 1 102 811), gesteuerten Zustand, so daß die Leistungsaufnahme der zwei Transistoren unterschiedlichen Typs vererhöht wird. 35 wendet, die keinen Doppelemitter aufwc isen. Ein der-
In einer typischen statischen MOS-Speicherzelle artiger Schalter wird so gesteuert, daß ein Transistor
kann das Stromverhältnis IR/IST erhöht werden, in- leitend und der andere nichtleitend ist, und umge-
dem die Lastimpedanz der Zelle zwischen Werten kehrt. Zwischen der Basis des einen Transistors und
für den angesteuerten und den nicht angesteuerten dem Kollektor des anderen Transistors ist jeweils ein
Zustand geschaltet wird. Mit derartigen Speicher- 40 Widerstand vorgesehen. Dieser Kippschalter eignet
zellen ist es möglich, eine geringe Leistungsaufnahme sich nicht zur Einspeisung einer Adressenspannung
und eine verhältnismäßig hohe Arbeitsgeschwindig- und zum Speichern und Lesen einer binären Infor-
keit des Speichers zu erreichen. mation.
Es ist auch bereits in Erwägung gezogen worden, Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, das Stromverhältnis /«//57 einer Speicherzelle mit 45 einen Halbleiterspeicher anzugeben, der eine oder zwei Mehremitter-Transistoren zu erhöhen, indem mehrere Speicherzellen verwendet, deren jede durch der Kollektorlastimpedanzwert der Zelle zwischen Einspeisen eines Adressenimpulses in deren Kollek-Werter für den angesteuerten und den nicht ange- toren angesteuert wird, um mit hoher Geschwindigsteuerten Zustand geschaltet wird. Das erfordert je keit bei niedriger Leistungsaufnahme zu arbeiten,
doch das Einspeisen eines Adressenimpulses minde- 50 Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gestens in den gemeinsamen Emitteranschluß der löst, daß als Kollektorlasten zwei Schaltimpedanz-Speicherzelle. Daher muß im angesteuerten Zustand elemente, von denen jedes jeweils einen hohen oder der Speicherzelle mindestens einer der paarweisen einen niedrigen Impedanzwert aufweist, wenn ein anEmitter, die an die entsprechenden Bitleitungen an- gelegtes Airessensignal einen niedrigen oder einen geschlossen sind, Strom führen. Das ist ein Nachteil, 55 hohen Pegel aufweist, der niedriger oder höher ist als da es unmöglich ist, die Leistungsaufnahme in der ein Schwellenwert der Schaltimpedanzelemente, vorSchaltung genügend zu reduzieren, die einer Matrix gesehen sind, daß eine Adressensignal-Spannungszugeordnet ist, die aus diesen Speicherzellen aufge- quelle mit den Schaltimpedanzelsmenten zur gleichbaut ist, wie weiter unten im Zusammenhang mit zeitigen Einspeisung eines Adressensignals mit dem Fig. 10 erläutert werden wird. 60 hohen oder niedrigen Pegel in die beiden Schaltimpe-
Bei dem bekannten Halbleiterspeicher (USA.-Pa- danzelemente verbunden ist, wenn die Speicherzelle tentschrift 3 427 J98) sind Dreiemittertransistoren jeweils ausgewählt oder nicht ausgewählt ist, wobei vorgesehen, so daß die Emitter zwei gemeinsame Ver- sich der hohe oder der niedrige Pegel des Adressenbindungen aufweisen, in die koinzidente Trigger- signals bei der Einspeisung in die Schaltimpedanzspannungen eingereist werden. Es ist also nicht 65 elemente oberhalb oder unterhalb des Schwellenwertes möglich, lediglich eine Verbindung über eine gemein- der Schaltimpedanzelemetite befindet, wodurch die same Emitterimpedanz an eine Emittervorspannungs- beiden Schaltimpedanzelemente ihren hohen oder quelle mit konstantem Wert anzuschließen und so die niedrigen Impedanzwert aufweisen, und daß eine
Emittervorspannungsquelle eine konstante Emittervorspannung in den anderen Anschluß des Emitter-Impedanzelements einspeist, so daß die Schaltimpedanzelemente gleichzeitig den niedrigen Impedanzwert haben, wenn der hohe Pegel des Adressensignals η ^j ι- λ r^_* λ .j
Bei der vorliegenden Erfindung sind im Gegensatz
zu Lastwiderständen in den Kollektorkreisen Schallimpedanzelemente vorgesehen, die abhängig von einem eingespeisten Adressensignal veränderliche Impedanzwerte aufweisen. Dadurch wird eine gelegere Leistungsaufnahme ermöglicht (vgl. oben). Weiterhin sind Doppelemitter-Transistoren vorgesehen, so daß lediglich eine Verbindung zw.schen jewe.ls einem Emitteranschluß von zwei Transistoren erforderhch ist. Diese eine Verbindung ist über e.ne TZlZZ EmittenmPedan.z an d* Emittervorspannungsquelle von einem konstanten Wert angeschlossen. Diese Emittervorspannung wird unabhängig vorn Zustand der Speicherquelle konstant gehalten, Das Schaltimpedanzelement weist bei der vor-Hegenden Erfindung einen Halbleiterschalter auf, wie Der Schreib-Lese-Verstärker 5, hat zwei Transistoren Tx und T4, deren Emitter gemeinsam an den zweiten Emitter des Mehremitter-Transistors T1 der Speicherzelle M und an einen Emittervorspannungsanschluß E.2 über einen Widerstand Rm angeschlossen sind, um den Lesestiom in der Speicherzelle M zu bestimmen. Ähnlich hat der Schreib-Lese-Verstärker S1 zwei Transistoren T1. und 7"fl, deren Emitter gemeinsam an den zweiten Emitter des Mehrcmitter-Transistors T2 der Speicherzelle M und an einen Emittervorspannungsanschluß ΕΛ über einen Widerstand R,.K angeschlossen sind, lim den Lesestrom in der Speicherzelle M zu bestimmen. Die Transistoren 7"., und 7", sind mit ihren zugehörigen Kollek-
»5 toren über entsprechende Widerstände RrR an entsprechende Kollektorvorspannungsanschlüsse C, und C1 angeschlossen. Ausgangsanschlüsse Ox und O, sind ebenfalls mit den Kollektoren der Transistoren 7", und T. verbunden. Eine Bezugsspannung VR,.r ist an
ao die Basen B1 und B, der Transistoren Γ, und T. an-
sar-ϊ
eingespeist werden, wobei die ersten Emitter von jedem Transistorpaar über das Emitterimpedanzelement mit einem konstanten Potential verbunden sind, ist die Adressenschaltung selbst sehr einfach aufgebaut. Dabei kann die Adressenspannunc unabhängig von der Kollektorbetriebsspannuns in die Halbleiterbauelemente eingespeist werden.
Nachfolgend wird die Erfindung an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein Schaltbild zur Erläuterung des Erfindungsgedankens,
Fig. 2a und 2b Spannungs- und Stromverläufe zur Erklärung des Betriebs der Schaltung von Fig. 1
Fig. 3 und 4 grundsätzliche erfindungsgemäße Schaltungsausführungen, die von der in F Γ2Γ I verschieden sind.
F i g. 5 bis 9 einen Teil von verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung und
F i g. 10 das Schaltbild eines weiteren Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung.
Fig. 1 dient der Erläuterung des Erfindungsgedankens. Eine Speicherzelle Af hat zwei Mehremitter-Transistoren T1 und T2, die jeweils zwei Emitter aufweisen. Die Kollektoren der Transistoren T1 und T9 sind an zugehörige Schaltimpedanzelemente ZCl bzw ZC2 als Lasten angeschlossen, die ihrerseits gemeinsam mit einem Kollektorvorspannungsanschluß C1 verbunden sind. Der Kollektor der beiden Transistoren T1 und T9 ist jeweils mit der Basis des anderen Transistors verbunden. Die Transistoren T1 und T2 sind durch zugehörige erste Emitter untereinander und mit einem Emittervorspannungsanschluß E1 über ein Impedanzelement Zee and durch zugehörige zweite Emitter mit zugehörigen Schreib-Lese-Verstärkern S1 und S, verbunden, die noch genauer beschrieben werden". Die zweiten Emitter sind auch mit ähnlichen zweiten Emittern von mehreren Transistoren verbunden, die andere Speicherzellen in einer nicht abgebildeten Matrix bilden.
c u ι
,o tunV vo^ Fp in ρ "
»c„(,m„-*.„, " ,r Z Ung^d"t SPe'cherze]le w,rd anηί^ΐ,^ΐ Kollektorspannung V,.,. e.nen „ If |(-cc> wahrend des nicht angesteuerten Zu-
^Wl i SpClcherzeIle und einen hohen PeSeI w-ί ηT ana"teuerten Auslands S, der ZeIi: hat. kniinT, " '"Cht an?esteuerten Zustands5„ si;;d die
Strom fiinilnirHrion'ί ^ϊΤ"" ^ Transist"r ^ dii den Γ,ί » g?» I?'* ReferetlzsPannun? 1V" fi^ Γ ' γΪ 2 *rSchreib-Lese-Verstärker- ■ Zl^efuhrt wrd· Daher fließt in diesem kein Mrom durch den zweiten Emitter des WTdTrSt' $° df. d« T Stram· der durch den vwci<.rstand /?/7, Im Schreib-Leseverstärker 5., flieL«».
Tran.ktoTr ^ de"t..,Widerstand äcr und den iransistor 7, allein gebddet wird, wobei die Aus-
S^T*·?01^. "" AusgangsanscMuß O2 am Transistors T5 einen niedrigen Pegel
v _
OVT ~ cc ~ a' R
cr-'r (l>
annimmt; dabei ist * der Stromverstärkungsfaktor des rf£a"!ftOrS 7S ""* 8eerdeter Basis. Ähnlich nimmt """ am Ausgangsanschluß O1 am Kollektor
.. * T3 eraen niedrigen Pegel an.
-- -lie Speicherzelle M in ihren angesteuerten Z*?/ Sr gebracnt wird, <L h., wenn die Span- mm* V- an, Anschluß C1 auf einen hohen Pegel wird, fließt kern Strom durch den An-1, da die Kollektorspannung Fc, am Trans niedriger als die Referenzspannung VREF ist, SiÄ-Ti* KoDe*°^S VC1 SamÄTran- ^lstor Ji hoher als die Referenzspannung VREF, so tmT S°? 7« ^1"* den Anschluß 2 fließt Der so verursachte Strom IR ist üh wesentlichen gleich der iJifferenz zwischen dem Kollektorstrom L· und dem
Emitterstrom 1E in dem Transistor T2. Wenn der letztere Bauelemente das Schaltimpedanzelement ZC2
StromIK durch den Widerstand RPK fließt, wird der in Fig. 1 bilden. Ein hochohmiger Widerstand RPP
Strom durch den Widerstand RCR verringert, um die bildet das Impedanzelement ZPE in Fig.). Ein
Ausgangsspannung V()UT am Ausgangsanschluß O2 Widerstand RCs entspricht dem Koppelimpedanz-
zu i'-höhen. Infolgedessen wird eine Information »1« 5 element Z(:c zur Verhinderung der Sättigung in
gelesen. Da andererseits der Transistor T1 gesperrt Fig. 3. Der Widerstand RCa kann jedoch weggelassen
bleibt, bleibt die Ausgangsspannung V0UT am Aus- werden.
fangsanschluß O1 des Verstärkers S1 auf einem nied- In dieser Schaltung werden die Kollektorspannung
flgen Pegel bei einer Änderung der Kollektorspan- Va:, die Emitterspannung VPP, die Widerstandswerte
Bung Vcc. xo der WiderständeRCv RC2, RCt und RKn und die
Im nicht angesteuerten Zustand Sn der Speicher- Diodenkennlinien der Dioden D11 und D12 so geeelle zeigen die Schaltimpedanzelemente Zf j und Z,-2 wählt, daß im nicht angesteuerten Zustand der hohe Impedanzwerte (einschließlich dem Fall Speicherzelle die Dioden Dn und D12 gesperrt oder ZCl — ZC2), um den KollektorstromlST auf einen nahezu gesperrt sind, d.h. die Spannungen an den •ehr niedrigen Pegel zu begrenzen, so daß die 15 Dioden D11 und D12 unterhalb der Schwellenspan-Leistungsaufnahme klein gemacht wird. nung liegen, während im angesteuerten Zustand ent-
Andererseits ist im angesteuerten Zustand Sr die weder eine der Dioden D11 und D12 oder beide Strom Impedanz der Schaltimpedanzelemente Zc , und Zc „ führen, d. h. die Spannung an entweder der einen ■iedrig, so daß der Pegel des Lesestroms /s sehr hoch oder beiden Dioden D11 und D12 über der Schwellengemacht wird. Dabei kann die Speicherzelle eine hohe ao spannung liegt. Damit wird im nicht angesteuerten Speichergeschwindigkeit gewährleisten. Im allgemei- Zustand der Kollektorstrom IST auf einem niedrigen Ben können die Schaltimpedanzelemente Z0, und Pegel gehalten, der durch die hochohmigen Wider-Zc2 verschiedene Impedanzwerte zeigen, wenn die stände/?Cl, jRC2 und REP bestimmt ist, während im Speicherzelle gespeicherte Information erhält, d. h., angesteuerten Zustand ein großer Lesestrom IR entwenn die Speicherzelle eine Quellenspannung emp- as sprechend der Vorwärtskennlinie der Dioden D11 und fängt. Da der Impedanzwert der Schaltimpedanz- D12 und dem niederohmigen Widerstand RC2 in die elemente Zc , und ZC2 bei Ansteuerung der Speicher- Schaltung fließt.
ielle verringert wird, kann die Schaltgeschwindigkeit Die Spannungs- und Stromverläufe im nicht ange-
des Übergangs zwischen dem angesteuerten Zustand steuerten und angesteuerten Zustand der Speicher-
wnd dem nicht angesteuerten Zustand erhöht werden. 30 zelle sind grundsätzlich dieselben wie in Fig. 2a
Zusammenfassend ist also zu sagen, daß der Betrieb und 2 h gezeigt.
der Speicherzelle hinsichtlich Leistungsaufnahme und F i g. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Betriebsgeschwindigkeit beträchtlich verbessert wird. Erfindung. In dieser Schaltung ersetzt ein Mehrin der Grundschaltung der erfindungsgemäßen emitter-Transistor T31 die Dioden D11 und D1, Speicherzelle von Fig. 1 werden die Impedanzwerte 35 des vorhergehenden Ausführungsbeispiels gemäß der Schaltimpedanzelemente, die an die Kollektoren F i g. 5. Eine Steuerspannung, die an einem Basisder Transistoren T1 und T2 angeschlossen sind, zwi- anschluß 3 des Transistors T31 angelegt ist, besorgt sehen dem nicht angesteuerten Zustand und dem an- das Schalten zwischen dem hochohmigen Widerstand gesteuerten Zustand geschaltet. Rq 1 und dem niederohmigen Widerstand Rc 2 für den
F i g. 3 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der 4» nicht angesteuerten und den angesteuerten Zustand,
erfindungsgemäßen Speicherzelle, wobei ein Koppel- Die am Basisanschluß 3 angelegte Steuerspannung ist
impedanzelementZa zwischen die Kollektoren der daher so bemessen, daß der Transistor T31 während
Transistoren T1 und T2 geschaltet ist, um eine Sätti- des nicht angesteuerten Zustands gesperrt ist und
gung der Transistoren zu verhindern und die Ampli- während des angesteuerten Zustands Strom führt. Die
tude des Adressenimpulses zu verringern. 45 am Kollektoranschluß C1 angelegte Kollektorspan-
Der Impedanzwert des Koppelimpedanzelements nung Vcr kann entweder fest oder variabel sein.
Zcc kann fest oder variabel sein. Wenn sie variabel ist, kann der Kollektoranschluß C1
F i g. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der mit dem Basisanschluß 3 verbunden sein. In diesem
erfindungsgemäßen Speicherzelle, wobei Schottky- Fall ist der Kollektor des Transistors T31 mit einer
Sperrschicht-Dioden D1 und D. zwischen den KoI- 50 gesonderten Gleichstromversorgang verbanden. Der
lektor und die Basis der Transistoren T1 bzw. T2 ge- Mehremitter-Transistor T31 in diesem Ausführungs-
schaltet sind. Obwohl diese Schaltung verhältnis- beispiel kann an Stelle der Dioden D11 und D1, in
mäßig schwierig zu realisieren ist, verhindert sie wirk- F i g. 5 verwendet werden.
sam eine Sättigung der Transistoren T1 und T2. Sie F i g. 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel gearbeitet ansonsten nach denselben Prinzipien wie die 55 maß der Erfindung. In diesem Ausführungsbeispiel Schaltung von F i g. 1. bildet eine Serienschaltung aus einem hochohmigen
Fig.5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel ge- Widerstand RCs und einem niederohmigen Wider-
mäß der Erfindung. In Fig. 5 und in den Fig. 6 bis 9 stand RCe mit einer parallel zum Widerstand RCs
sind Bauelemente, die Bauelementen in Fig. 1 ent- liegenden DiodeD15 das Schaltimpedanzelement als
sprechen, mit ähnlichen Bezugszeichen versehen. In 6b die KoUektorlast des Transistors T1, während eine
dieser Schaltung ist ein hochohnriger Widerstand RCl andere Serienschaltung von ähnlichen Bauelementen
parallel zu einer Serienschaltung einer Diode D11 und und einer Diode D16 parallel zum Widerstand Rc.
eines niederohmigen Widerstands RCs geschaltet, das Schaltimpedanzelement ab die Kollektorlast des
wobei diese Bauelemente das Schaltimpedanzelement Transistors T2 bildet
ZCl in Fig. 1 bilden, während ein anderer hoch- 65 Die Schaltungsparameter dieser Schaltungen sind
ohmiger Widerstand RCl parallel zq einer Serien- so gewählt, daß im nicht angesteuerten Zustand die
schaltung einer Diode D12 und eines anderen nieder- Dioden D15 und D16 gesperrt oder nahezu gesperrt
ohmigen Widerstandes RCi geschaltet ist, wobei sind, während im angesteuerten Zustand entweder
9 10
eine oder beide der Dioden D15 und Dle Strom den Vorteil einer geringen Leistungsaufnahme, was führen. Auf diese Weise wird der Strom im nicht an- mit Speicherzellen eines ähnlichen Typs nur erreicht gesteuerten Zustand durch RCs + RCtsiRCli (wegen werden kann durch das Anlegen von Adressenimpul- ^cs^^cb) bestimmt, während der Strom im ange- sen an der Emitterverbindung,
steuerten Zusta.id durch die Dioden D15 und D10 und 5 F i g. 10 zeigt eine Speicherzellenmatrix, die den den niederohmigsn Widerstand/?Ce festgelegt wird. Vorteil geringer Leistungsaufnahme hat. Die Matrix Die Speicherzelle dieses Ausführungsbeispiels arbeitet besteht aus Speicherzellen M11... M22; im allgemeidaher in derselben Weise wie die Speicherzellen in nen sind η·/η Speicherzellen in einer Matrix vorhanden vorhergehenden Ausführungsbeispielen. den, wobei jedoch der Übersichtlichkeit wegen hier
Fig. 8 und 9 zeigen weitere Ausführungsbeispiele io nur vier Speicherzellen abgebildet sind. Die Speicherder Erfindung. Im Ausführungsbeispiel von Fig. 8 zellen dieser Matrix sind eine Abwandlung der Speiist eine Schaltung, bestehend aus parallelen Wider- cherzelle von Fig. 6. Es versteht sich, daß auch anständen RCl und RC1 sowie mehreren Dioden D11, dere Speicherzellen verwendet werden können. Be-D12... D1n, die verteilt zwischen den parallelen zugszeichen /(D1 und AD2 bezeichnen X- Adressi.n-Widerständen Rn , und RCl angeordnet sind, als das »5 leitungen, Bezugszeichen D01, D.., D02 und D12 Zif-Schaltimpedanzelement in Form der Kollektorlast des ferleitungen und schließlich Bezugszeichen /00 und Z01 Transistors T1 vorgesehen, während eine ähnliche Stromquellen zur Abgabe des Lese- oder Schreib-Schaltung, die aus ähnlichen parallelen Widerständen ansteuerstroms IR.
RCi und RC7 und mehreren Dioden D21, D22... D2,, Die Zifferleitungen Dn,, D11, D02 und D12 werden besteht, das Schaltimpedanzelement als die Kollektor- a° angesteuert durch Transistoren T40, T41, T4, und T43, last des Transistors T2 darstellt. Die Widerstände Rc. deren Basis an zugehörige Y-Adressenanschlüsse ansind an einem Ende mit dem Kollektor der ent- geschlossen ist, an denen eine Y-Adressenanstcuersprechenden Transistoren T1 bzw. T2 und dem an- spannung angelegt wird. Die Speicherzellen M11, M1.,, deren Ende mit den entsprechenden Dioden Dn bzw. M21 und M .,., werden angesteuert, wenn die Anstcuef-D12 verbunden. . *5 spannung "an den entsprechenden Paaren der
In dieser Schaltung sind die Widerstandswerte, die X-Adressenleitungen AD, und AD und an enfpre-
Diodenkennlinien und die Pegel der angelegten Span- chenden Paaren der Y-Anschlüsse Y, und Y, auftritt.
nungen so gewählt, daß im nicht angesteuerten Zu- Der Referenzpeeel der Y-Adressenansteuerspannung,
stand der Speicherzelle die meisten der Dioden D11, die an den Basfeanschlüssen Y. und Y2 für die cnt-
D12... D1n sowie D21, D22... D2n gesperrt oder 30 sprechenden Paare von Y-Adressentransistoren T1n,
nahezu gesperrt sind, während im angesteuerten Zu- Tn, T4,, T41 angelegt wird, wird durch die Snan-
stand mindestens eine der Dioden, die dem Kollektor- nung Vm bestimmt, die in die Basis eines Zweicmit-
anschluß C1 am nächsten liegen, d. h. eine oder beide ter-Transistors T44 eingespeist wird, von dem ein
Dioden D1 und D2 Strom| fuhren Emitter mit dcnA-mitter der Transistoren T10 und
Im Ausfuhrungsbeispiel von Fig. 9 werden die 35 T42 und der andere Emitter mit dem Emitter der
rransistoren T11, T12.. .T1n und T21, T22. T2n an Transistoren T41 und T4, verbunden ist. Die beiden
Stelle der Dioden L D11 D sowie D21, D2, Emitter des Transistors T44 sind auch .nit den ont-
. D im vorhergehenden Ausfuhrungsbeispiel von sprechenden Emittern von Transistoren T4, und T46 Fig 8 verwendet. Diese Transistoren s.nd mit ihren verbunden. Die Transistoren T15 u"d Tla dienen da-Kollektoren an entsprechende Anschlüsse 4 und 5 an- 40 zu, den Strom IR daran zu hindern, von der Stromgeschlossen die entweder mit dem Anschluß C1 oder quelle /„„ oder Z01 in eine der ausgewählten Ziffereiner gesonderten Konstantspannungsquelle verbun- leitungen paarweise in Abhängigkeit davonzufliegen, den sein können. oh dip Raciccnonn,™». 1/ j τ,, -r „„
Das Schaltimpedanzelement, das Dioden wie in Store, T'S dT8^SS "de"kle'ef" Se Fig. 8 oder Transistoren wie in Fig. 9 hat, die ver- 4S Y-Adresseliansteue^annung S die am Y-idre,-
f. Speicberzde JM^ Z
die durch ein KoUektoransteuerangsverfahren an- 55 die Spannung hohen Pesels
steuerbar sind, gebildet werfen kann Wenn die Emit- AuJ^^^
terverbindung über das Impedanzelement ZFF mit M gesnerrf wM»„ "
dem En^ JorspannungsÄ E1 verbunden ist, &^Α3£ϊ d?
tanTd» Metallfflmleiterbahn zwischen dem Emitterverbindungspunkt und dem Emitterverspatmungsansciluß verringert oder weggelassen werden, so daß
der Grad der Integration der integrierten Schaltnng
erhöhtwircLwasoffensichtlichvoridlhaftist. ^
Ein Speicher mit den oben beschriebenen Spei- b^^
cherzelleS: die Schalflasthnpedanzelemente JSL, findun?
die durch Konektoransteuerung ansteuerbar sind, hat Zra nifht
11 12
maß Fig. 10 für jede Spalte in der Matrix vorzu- Obwohl in den vorhergehenden Ausführungsbeisehen. Es ist also ersichtlich, daß die der Speicher- spielen geeignete Schaltungskombinationen von zellenmatrix zugeordnete Schallung vereinfacht und Widerständen und Dioden oder 1 ransistoren als die Leistungsaufnahme des Speichers verringert wer- Schaltimpedanzelemente dienen, ist es ersichtlich, den kann. 5 daß andere Halbleiterbauelemente wie ein Zweipol-Zur Verringerung der Kollektorimpedanz im an- Schaltimpedanzelement, z. B. ein PNP-Element oder gesteuerten Zustand einer Speicherzelle, die aus zwei ein Feldeffekttransistor, das Schaltimpedanzelement Mehremittcr-Transistoren besteht, kann in Erwägung bilden können.
gezogen werden, Dioden zwischen dem Kollektor- Wie aus der vorangegangenen Beschreibung eransteuerspannungsanschluß und die entsprechenden io sichtlich ist, wird erfindungsgemäß der Impedanz-Kollektoren in der Zelle zu schalten. Auf diese Weise wert der Kollektorlasten der Flip-Flop-Transistoren wird die Sättigung der Flip-Flop-Transistoren ver- in der Speicherzelle für den nicht angesteuerten Zuhindert. In einem derartigen Fall, wenn beide mit stand und den angesteuerten Zustand umschaltbar den entsprechenden Kollektoren verbundene Dioden gemacht, so daß es möglich ist, die Leistungsaufleitend werden, werden die Kollektorpotentiale an 15 nähme der Speicherzelle während des nicht angebeiden Seiten des Flip-Flops im wesentlichen gleich, steuerten Zustands sehr stark zu verringern und die so daß der Speicherinhalt offensichtlich zerstört wird. Arbeitsgeschwindigkeit durch Erhöhen des Lese-Bei der Erfindung sind die Impedanzschaltdioden Stroms während des angesteuerten Zustands zu er- oder -transistoren der Kollektor! »stimpedanzen in der höhen. Daher zeigt ein aus den erfindungsgemäßen Speicherzelle so angeordnet, daß die Kollektorlast- ao Speicherzellen aufgebauter Halbleiterspeicher beimpedanzen von Null verschiedene Werte annehmen, trächtlich verbesserte Betriebseigenschaften,
wenn beide Dioden oder Transistoren bei Ansteue- In den obigen Ausführungsbeispielen ist davon ausrung der Zelle getriggert sind. Zum Beispiel wird ein gegangen worden, daß die Kollektorvorspannung Vcc niederohmiger Widerstand in Serie mit der Diode lediglich von einem niedrigen Pegel auf einen hohen oder dTn Emitter des Transistors in der Kollektor- a$ Pegel und umgekehrt geschaltet wird, was aber auch last geschaltet. Dieses Merkmal ermöglicht eine Er- so verstanden werden kann, daß ein Adressensignal höhung des Stromverhältnisses IrHst um mehr als mit hohem und niedrigem Pegel der Kollektorvordas zehnfache gegenüber bisher. spannung mit konstantem Pegel überlagert wird.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Halbleiterspeicher rait
a) mindestens einer Speicherzelle einschließlich (1) zweier Doppelemitter-Transistoren, die jeweils einen Kollektor, eine Basis und einen ersten und zweiten Emitter aufweisen, wobei der Kollektor bzw. die Basis des einen der beiden Transistoren jeweils mit der Basis bzw. dem Kollektor des anderen der beiden Transistoren verbunden sind und wobei die ersten Emitter der beiden Transistoren miteinander verbunden sind; (2) eines Emitterimpedanzelements, das mit seinem einen Anschluß an die untereinander verbundenen ersten Emitter der beiden Transistoren angeschlossen ist; (3) zweier Kollektorlasten, die jeweils im Kollektorkreis der beiden Transistoren liegen, und (4) eines mit den Kollektorlasten verbundenen Kollektorvor-Spannungsanschlusses, der jeweils eine Kollektorvorspannung über die Kollektorlasten an die Kollektoren der be;den Transistoren anlegt;
b) zwei Zifferleitungen, die jeweils mit den zweiten Emittern der beiden Transistoren verbunder sind;
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7309453A (nl) * 1973-07-06 1975-01-08 Philips Nv Geheugenmatrix.
JPS5327107B2 (de) * 1973-09-28 1978-08-05
DE2460146C3 (de) * 1974-12-19 1981-11-05 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Bipolare Leseschaltung für integrierte Speichermatrix
JPS5375828A (en) * 1976-12-17 1978-07-05 Hitachi Ltd Semiconductor circuit
DE2738187C2 (de) * 1977-08-24 1979-02-15 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Schaltungsanordnung für mehrere auf einem Bipolar-Baustein angeordnete Speicherzellen mit einer Regelschaltung zur Kennlinien-Anpassung der Speicherzellen
JPS594787B2 (ja) * 1979-12-28 1984-01-31 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 低インピ−ダンス感知増幅器を有し読取専用メモリ及び読取一書込メモリに共用可能なメモリ装置
JPS6047665B2 (ja) * 1981-01-29 1985-10-23 富士通株式会社 スタティック半導体メモリ
US4578779A (en) * 1984-06-25 1986-03-25 International Business Machines Corporation Voltage mode operation scheme for bipolar arrays
ATE58027T1 (de) * 1985-08-21 1990-11-15 Siemens Ag Bipolare speicherzelle mit externer kapazitaet.
GB2189954B (en) * 1986-04-30 1989-12-20 Plessey Co Plc Improvements relating to memory cell devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE539365A (de) * 1954-06-29
DE1524873B2 (de) * 1967-10-05 1970-12-23 Ibm Deutschland Monolithische integrierte Speicherzelle mit kleiner Ruheleistung
US3537078A (en) * 1968-07-11 1970-10-27 Ibm Memory cell with a non-linear collector load
DE1817498C3 (de) * 1968-12-30 1979-11-22 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierte Speicherzelle

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Publication number Publication date
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DE2129166A1 (de) 1971-12-16
US3745540A (en) 1973-07-10
GB1365727A (en) 1974-09-04
DE2147833A1 (de) 1972-06-22
NL7113168A (de) 1972-03-28
DE2147833B2 (de) 1976-09-16

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