DE2055060B2 - Verfahren zur Herstellung von Metallseleniden und ihre Verwendung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Metallseleniden und ihre VerwendungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Metallseleniden, insbesondere Zink- und Cadmiumselenid.
Die Erfindung betrifft ferner die Verwendung dieser Verbindungen in Leuchtstoffen sowie als
lichtelektrisch leitende Stoffe.
Zink- und Cadmiumselenid-Leuchtstoffe sind bekannt; vgl. Ullmann's Enzyklopädie der Technischen
Chemie, 11. Band (1960), Seite 669 bis 679. Die Herstellung der Metallselenide erfolgt prinzipiell in der
gleichen Weise wie die Herstellung der Sulfide. Schwierigkeiten bereitet jedoch die Darstellung und
Handhabung des Selenwasserstoffs, hauptsächlich wegen seiner leichten Oxidierbarkeit. Ein Weg, um die
Handhabung des Selenwasserstoffs zu umgehen, wurde in der Wechselwirkung zwischen Selendioxid und
Zinksulfid oder zwischen elementarem Selen und einer Mischung von Zinkoxid und Zinksulfid gefunden. Diese
Umsetzungen verlaufen jedoch nicht quantitativ, da sich umso besser, je mehr Zinksulfid zugegen ist, was bei der
Synthese der Sulfidselenide der Fall ist, vgl. deutsche Patentschrift 6 99 302.
Aufgabe der Erfindung war es, ein neues, wirtschaft-Hch
durchführbares Verfahren zur Herstellung sehr reiner Metallselenide zu schaffen. Diese Aufgabe wird
durch die Erfindung gelöst.
Gegenstand der Erfindung ist somit ein Verfahren zur
Herstellung von Metallseleniden durch Ausfällung aus
ίο einer Lösung der Metallverbindung und einer Selenverbindung,
das dadurch gekennzeichnet ist, daß man eine Selenverbindung verwendet, die beim Erwärmen unter
Bildung von Selenid-Ionen zerfällt, und die Selenide durch Erwärmen ausfällt
Bei diesem Verfahren der Ausfällung, bei dem kein Fällungsmittel als solches der Lösung zugesetzt wird, in
der die Fällung erfolgen soll, sondern in situ in der Lösung durch eine homogene chemische Reaktion
gebildet wird, die durch Erhitzen in Gang gebracht wird, wird eine Fällung erzeugt, die extrem homogene
Eigenschaften aufweist.
Im Verfahren der Erfindung wird die Fällung vorzugsweise in einer nicht-wäßrigen Lösung durchgeführt,
damit das Produkt nicht durch Wasser verunreinigt wird. Das Verfahren kann jedoch auch in einer
wäßrigen Lösung durchgeführt werden. Selbst unter diesen Bedingungen ist die Reinheit des Produktes
hervorragend. Die Umsetzung kann ferner in einer nicht-wäßrigen Lösung und mit Reagentien durchgeführt
werden, z. B. Thiocyanaten, die keinen Sauerstoff in ihrem Molekül enthalten. Auf diese Weise werden
ebenfalls Produkte mit sehr hoher Reinheit erhalten. Ein Produkt, das aus einer wäßrigen Lösung erhalten wird,
wird nachstehend als Produkt mit »wäßriger« Reinheit bezeichnet. Ein Produkt, das aus einer nicht-wäßrigen
Lösung erhalten wird, wird nachstehend als Produkt mit »nicht-wäßriger« Reinheit bezeichnet. Ein Produkt, das
aus einer nicht-wäßrigen Lösung unter Verwendung von Reagentien erhalten wird, die keinen Sauerstoff im
Molekül enthalten, wird als Produkt mit »sauerstofffreier« Reinheit bezeichnet.
Aus den jeweils verwendeten Reaktionssystemen können im Verfahren der Erfindung die Selenide mit
sehr hoher Reinheit erhalten werden. Die Selenide können anscheinend in Form eines Komplexes mit dem
Lösungsmittelmedium erhalten werden, in welchem die Ausfällung durchgeführt wird. Die Selenide können
jedoch aus diesem Komplex durch Erwärmen in Freiheit gesetzt werden. Beispielsweise findet sich bei Verwendung
von Dimethylformamid als nicht-wäßrigem Lösungsmittel ein derartiger Komplex mit dem Selenid.
Bei der Durchführung der homogenen Ausfällung wird ein Metallsalz im gleichen Lösungsmittel wie die
Selenverbindung gelöst. Wenn sich die Bedingungen ändern, werden Selenid-Ionen in Freiheit gesetzt, und
die Ausfällung des Selenids setzt ein. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wird als Metallsalz ein
Cadmium- oder Zinksalz einer organischen Säure, z. B. der Essigsäure, verwendet. Das Metallsalz wird in einem
organischen Lösungsmittel, wie Dimethylformamid, gelöst, und die erhaltene Lösung wird mit einer Lösung
einer Selenverbindung versetzt, die sich beim Erwärmen zersetzt. Beispiele für thermisch zersetzbare Selenverbindungen
sind Selenharnstoff oder substituierte Selenharnstoffe oder Selenharnstoffderivate oder Selenharnstoff-Verbindungen,
bei denen die beiden Stickstoffatome des Harnstoffrestes Teil eines Ringsystems bilden,
zum Tci! verflüchtigt. Jedoch ist die Ausbeute das weitere Heteroatome enthalten kann. Bei Erhöhung
der Temperatur des Systems erfolgt die homogene Ausfällung des Metallselenids, und das Produkt läßt sich
in hoher Reinheit gewinnen. Durch Erwärmen kann das Lösungsmittel, z. B. Dimethylformamid, aus dem Komplex
abgetrennt werden.
Bei Durchführung des Verfahrens der Erfindung in einem wäßrigen System kann das Metallsalz mit
wäßrigem Ammoniak als Komplexverbindung vorliegen, z. B. als Zink- oder Cadmium-Amminkomplex.
Im Verfahren der Erfindung kann die homogene Ausfällung auch eine Ausfällung eines Sulfids sowie
eines Selenids sein. Bei Verwendung eines Gemisches von Selenharnstoff und Thioharnstoff kann man z. B.
eine Mischfällung des Metallselenids und des -sulfids erhalten.
Die erfiiidungsgeinäß herstellbaren Metallselenide
können als Ausgangaverbindungen für die verschiedensten Zwecke verwendet werden. Nach weiterer
Behandlung können sie z. B. als Grundmaterial in Leuchtstoffen verwendet werden, die in allen Arten von
Braun'schen Röhren verwendet werden können. Beispiele für diese Leuchtstoffe sind ZnSeCu, das ZnS
enthalten kann, oder ZnSeMnCu. Die erfindungsgemäß hergestellten Metallselenide können ferner für lichtelektrische
Zwecke oder als feste Lösungen mit einem geeigneten Sulfid, z. B. ZnSeZnS, verwendet werden,
das nach der vorstehend beschriebenen gemeinsamen Fällung hergestellt werden kann. Ferner können die
Metallselenide zur Herstellung von Einkristallen hoher Reinheit, z. B. durch gesteuerte Sublimation, verwendet
werden.
Die Beispiele erläutern die Erfindung.
0,5 Mol reines Zinkacetat-Dihydrat werden in 1 Liter Dimethylformamid gelöst. Die Lösung wird I Stunde
unter Rückfluß und unter Stickstoff als Schutzgas gekocht und von Wasser befreit. SoJann wird die
Lösung auf 30 bis 400C abgekühlt und unter Stickstoff stehen gelassen. Unter kräftigem Rühren und unter
Hindurchleiten von Stickstoff durch die Lösung werden 0,5 Mol Selenharnstoff in die Zinkacetatlösung eingetragen.
Man erhält eine klare, farblose Lösung, die erwärmt wird. Im Temperaturbereich von 50 bis 1100C,
insbesondere 80 bis 1000C, färbt sich die Lösung gelb, und anschließend scheidet sich eine hellgelbe Fällung
aus. Die Lösung wird weitere 30 Minuten erhitzt. Nach dieser Zeit ist die Fällung vollständig. Die heiße Lösung
wird rasch abfiltriert, und die Fällung mit Dimethylformamid und schließlich mit Aceton gewaschen. Das
Produkt wird 24 Stunden unter vermindertem Druck bei Raumtemperatur getrocknet. Das getrocknete Produkt
ist hellgelb gefärbt. Das Material wird in einen Quarzbehälter eingefüllt und in einem Röhrenofen oder
Vakuumofen unter Stickstoff als Schutzgas innerhalb eines Zeitraumes von 4 Stunden auf 4000C erhitzt und
bei dieser Temperatur eine weitere Stunde gehalten. Das Produkt verändert seine Farbe während des
Erhitzens nicht nennenswert, es wird jedoch eine geringe Farbvertiefung beobachtet. Das Produkt ist
reines »nicht-wäßriges« Zinkselenid. Dieses Produkt ist durch eine ungewöhnliche Stabilität gegen Luft und
Licht gekennzeichnet. Normalerweise wird Zinkselenid unter diesen Bedingungen zersetzt, und die Farbe des
Produktes verdunkelt sich.
Im vorstehend beschriebenen Beispiel ist die Herstellung
von Zinkselenid beschrieben. Cadmiumselenid kann 2uf die a!ciche Weise unter Verwenden™ der
entsprechenden Menge an Cadmiumacetat hergestellt werden. Ferner läßt sich ein Gemisch aus Cadmiumselenid
und Zinkselenid durch Umsetzung eines Gemisches aus Zinkacetat und Cadmiumacetat mit der äquimolaren
Menge Sslenharnstoff herstellen. Unter Verwendung eines Gemisches von Selenharnstoff und Thioharnstoff
läßt sich ferner ein Gemisch aus dem Metallselenid und Metallsulfid herstellen.
Eine 0,1 molare Lösung von Cadmiumacetat-dihydrat in Dimethylformamid wird mit einem lO°/oigen Überschuß
über die äquimolare Menge Selenharnstoff versetzt. Sodann wird die Lösung auf 500C erwärmt.
Hierbei bildet sich eine Fällung. Anschließend wird die Temperatur innerhalb 1 Stunde auf 120° C erhöht. Nach
beendeter Ausfällung Arird das Filtrat abfiltriert, zweimal mit wasserfreiem Dimethylformamid gewaschen
und 2 Stunden im Vakuumtrockenschrank bei 500C getrocknet.
Die Fällung wird unter Stickstoff als Schutzgas in einem Ofen 1 Stunde auf 300° C erhitzt. Sodann wird die
Fällung 1 Stunde auf 7500C erhitzt. Nach dem Abkühlen
unter Stickstoff als Schutzgas wird reines »nicht-wäßriges« Cadmiumselenid erhalten.
500 ml Dimethylformamid werden 1 Stunde auf 95° C erhitzt und gerührt. Sodann werden 110 g analytisch
reines Zinkacetatdihydrat eingetragen. Gleichzeitig wird durch das Gemisch Stickstoff hindurchgeleitet. Die
Lösung wird weitere 2 Stunden auf 95°C erhitzt und gerührt, anschließend auf 400C unter Stickstoff abgekühlt
und mit 61,5 g Selenharnstoff versetzt. Durch die erhaltene klare, hellgelbe Lösung wird Stickstoff
hindurchgeleitet, und die Temperatur der Lösung wird erneut auf 95° C gebracht. Es bildet sich eine Fällung.
Das Erhitzen wird weitere 30 Minuten fortgesetzt. Danach wird die Fällung abfiltriert, mit Dimethylformamid
und Aceton gewaschen und bei 20 bis 300C unter vermindertem Druck getrocknet. Es werden 54 g eines
Zinkselenid-Dimethylformamid-Komplexes erhalten. Dieser Komplex wird durch 24-stündiges Erhitzen auf
175°C/0,4 Torr zersetzt.
Die Zersetzung des Dimethylformamid-Komplexes kann auch durch Erhitzen bei Atmosphärendruck unter
Schutzgas auf Temperaturen oberhalb 1500C durchgeführt werden. Die Analyse des Produktes entspricht der
Zusammensetzung ZnSe, das Produkt ist jedoch durch Kohlenstoff etwas verfärbt. Das Zinkselenid ist reines
»nicht-wäßriges« Zinkselenid.
70 g reinstes Zink werden in der gerade ausreichenden Menge analytisch reiner Salpetersäure gelöst.
Durch Zusatz analytisch reiner Ammoniaklösung wird das Zinkhydroxid ausgefällt, abfiltriert, nitratfrei gewaschen
und in Ammoniaklösung wieder aufgelöst. 140 g reiner Selenharnstoff werden in möglichst wenig kaltem
Wasser gelöst, und die erhaltene Lösung wird zu dem Zink-Amminkomplex gegeben. Das Gemisch wird unter
Rühren auf 75°C erwärmt. Bei dieser Temperatur setzt
die Ausfällung des Zinkselenids ein. Nach 4- bis 5-stündigem Erhitzen unter Rühren wird das Zinkselenid
abfiltriert, mit destilliertem Wasser gewaschen und unter vermindertem Druck bei 1000C getrocknet.
Ausbeute 123 g. Zur Abtrennung restlichen Wassers wird das Produkt 3 Stunden in Argonatmosphäre auf
800° C erhitzt Ausbeute 100 g reines »wäßriges« Zinkselenid.
40 g reinstes Cadmium werfen in der gerade
ausreichenden Menge analytisch reiner Salpetersäure gelöst. Durch Zusatz von analytisch reiner, verdünnter
Ammoniaklösung wird das Cadmiumhydroxid ausgefällt, abfiltriert, nitratfrei gewaschen und in Ammoniaklösung
wieder aufgelöst. 50 g reiner Selenharnstoff werden in möglichst wenig kaltem Wasser gelöst und zu
der Lösung des Cadmium-Amminkomplexes gegeben. Das Gemisch wird gerührt und zum Sieden erhitzt, bis
die Ausfällung von Cadmiumselenid vollständig ist. Das Produkt wird abfiltriert, mit destilliertem Wasser
gewaschen und unter vermindertem Druck bei 100° C getrocknet Ausbeute 64 g. Zur Abtrennung restlichen
Wassers wird das Produkt 3 Stunden in Argonatmo-Sphäre auf 8000C erhitzt. Ausbeute 50 g reines
»wäßriges« Cadmiumselenid.
Gemäß Beispiel 1, jedoch unter Verwendung von ίο Zinkthiocyanat anstelle von Zinkacetat-dihydrat, wird
Zinkselenid hergestellt. Das erhaltene Zinkselenid ist praktisch identisch mit dem gemäß Beispie! 1 erhaltenen
Produkt, jedoch ist sein Sauerstoffgehalt besonders niedrig.
Claims (11)
- Patentansprüche:ι. Verfahren zur Herstellung von Metallseleniden durch Ausfällung aus einer Lösung der Metallverbindung und einer Selenverbindung, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Selenverbindung verwendet, die beim Erwärmen unter Bildung von Selenid-Ionen zerfällt, und die Selenide durch Erwärmen ausfällt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Umsetzung in einer nicht-wäßrigen Lösung durchführt
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man als Metallverbindung eine Zink- oder Cadmiumverbindung verwendet.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man als Metallverbindung ein Metallsalz verwendet.
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man als Metallverbindung das Salz einer organischen Säure verwendet.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß man als Selenverbindung Selenharnstoff, eine substituierte Selenharnstoffverbindung, ein Selenharnstoffderivat oder eine substituierte Selenharnstoffverbindung, in der die beiden Stickstoffatome des Harnstoffrestes Teil eines Ringsystems sind, das weitere Heteroatome enthalten kann, verwendet.
- 7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Dimethylformamid-Lösung verwendet.
- 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß man das Selenid in Form eines Komplexes mit Dimethylformamid erhält und das Dimethylformamid aus diesem Komplex abtrennt.
- 9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß man die Ausfällung in Gegenwart einer Schwefelverbindung durchführt.
- 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß man die Ausfällung in Gegenwart von Thioharnstoff durchführt.
- 11. Verwendung der Metallselenide nach Anspruch 1 bis 10 zur Herstellung von Einkristallen und Leuchtstoffen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB5487969 | 1969-11-10 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2055060A1 DE2055060A1 (de) | 1971-05-19 |
DE2055060B2 true DE2055060B2 (de) | 1979-10-11 |
DE2055060C3 DE2055060C3 (de) | 1980-06-26 |
Family
ID=10472335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2055060A Expired DE2055060C3 (de) | 1969-11-10 | 1970-11-09 | Verfahren zur Herstellung von Metallseleniden und ihre Verwendung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3714339A (de) |
DE (1) | DE2055060C3 (de) |
FR (1) | FR2069174A5 (de) |
GB (1) | GB1302537A (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4299892A (en) * | 1975-12-17 | 1981-11-10 | Exxon Research & Engineering Co. | Amorphous and sheet dichalcogenides of Group IVb, Vb, molybdenum and tungsten |
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US5908608A (en) * | 1996-11-08 | 1999-06-01 | Spectra Science Corporation | Synthesis of metal chalcogenide quantum |
GB9711799D0 (en) * | 1997-06-07 | 1997-08-06 | Vecht Aron | Preparation of sulphides and selenides |
WO2008063653A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008063652A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008063658A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008063657A2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Light emitting devices and displays with improved performance |
CN102047098B (zh) | 2008-04-03 | 2016-05-04 | Qd视光有限公司 | 包括量子点的发光器件 |
US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
CN103145345B (zh) * | 2013-03-20 | 2014-12-10 | 许昌学院 | 一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3162556A (en) * | 1953-01-07 | 1964-12-22 | Hupp Corp | Introduction of disturbance points in a cadmium sulfide transistor |
US2805917A (en) * | 1954-04-05 | 1957-09-10 | Du Pont | Process for the preparation of zinc and cadmium sulfides and selenides |
US2789033A (en) * | 1954-12-14 | 1957-04-16 | American Cyanamid Co | Treatment of heavy metal ferrocyanides for the recovery of heavy metal sulfides |
US3178312A (en) * | 1959-01-02 | 1965-04-13 | Santa Barbara Res Ct | Solutions and methods for depositing lead selenide |
US3033659A (en) * | 1959-04-21 | 1962-05-08 | Gen Electric | Preparation of phosphor crystals |
-
1969
- 1969-11-10 GB GB5487969A patent/GB1302537A/en not_active Expired
-
1970
- 1970-11-03 US US00086627A patent/US3714339A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-11-09 FR FR7040190A patent/FR2069174A5/fr not_active Expired
- 1970-11-09 DE DE2055060A patent/DE2055060C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2069174A5 (de) | 1971-09-03 |
DE2055060C3 (de) | 1980-06-26 |
DE2055060A1 (de) | 1971-05-19 |
US3714339A (en) | 1973-01-30 |
GB1302537A (de) | 1973-01-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OGA | New person/name/address of the applicant | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |