DE2022495C3 - Schaltungsanordnung zum impulsgesteuerten Verbinden einer Fernmeldesignalquelle mit einer Fernmeldesignalbelastung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum impulsgesteuerten Verbinden einer Fernmeldesignalquelle mit einer Fernmeldesignalbelastung, welehe Anordnung eine Halbleitervorrichtung mit einer eine niedrige Impedanz für einen bestimmten Haitestrom überschreitende Ströme und eine hohe Impedanz für diesen Haltestrom unterschreitende Ströme bildenden Hauptstrombahn und einer teilweise mit dieser zusammenfallenden Steuerstrombahn enthält, welche für Steuerströme einer bestimmten Polarität eine den erwähnten Haltestrom erniedrigende Wirkung hat, wobei die Hauptstrombahn zwischen der Signalquelle und der Signalbelastung eingeschaltet ist und die Steuerstrombahn an eine mit einer Steuerimpulsquelle verbundene Steuerklemme und eine Gleichstromquelle an die Hauptstrombahn angeschlossen sind.

Schaltungen dieser Art werden unter anderem in elektronischen Sprechwogschaltungen von Wählvermittlungsanlagen verwendet.

Ein bekanntes Koppelelement für elektronische Koppelfelder wird durch einen pnpn-Transistor mit einem an diesen angeschlossenenen Basiswiderstand gebildet. Mittels dieses bekannten Koppelelements können die praktischen Anforderungen in bezug auf eine hohe Übersprechdämpfung, eine geringe Streuung der Übertragungsdämpfung und einen niedrigen Pegel des Rauschens infolge der Steuerimpulse nur schwer erfüllt werden.

Die Erfindung bezweckt, einen neuen Entwurf der eingangs erwähnten Schaltungsanordnung zu schaffen, die besser als bisher die praktischen Anforderungen erfüllen kann, und insbesondere eine Schaltungsanordnung mit einer sehr hohen Übersprechdämpfung, einer sehr geringen Streuung der Übertragungsdämpfung und einem sehr niedrigen Rauschpegel.

Die Schaltungsanordnung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Steuerstrombahn und der Steuerklemme ein Schaltelement eingeschaltet ist, dessen Differentialwiderstand für Ströme mit einer der erwähnten, bestimmten Polarität entgegengesetzten Polarität und mit einem einen bestimmten ersten Wert unterschreitenden Wert, einen niedrigen Wert, und für Ströme der erwähnten entgegengesetzten Polarität und mit einem den erwähnten, bestimmten ersten Wert überschreitenden Wert einen hohen Wert aufweist.

Die Erfindung und ihre besonderen Vorteile werden an Hand der Figuren näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 den Aufbau eines mehrstufigen Koppelfeldes mit Matrixschaltern,

F i g. 2 den Aufbau eines Matrixschalters mit Kreuzungspunkt-Koppelelementen,

Fig. 3a ein Kreuzungspunkt-Koppelelement in einer symbolischen Darstellung,

F i g. 3 b ein bekanntes Kreuzungspunkt-Koppelelement,

Fig. 3c und 3d eine Ausführungsform und deren symbolische Darstellung eines Kreuzungspunkt-Koppelelements nach der Erfindung,

Fig. 4a und 4b Strom-Spannungskennlinien zur Erläuterung der Wirkungsweise des Kreuzungspunkt-Koppelelementes nach den F i g. 3 c und 3 d,

Fig. 5 eine Ausführungsform eines Verbindungsweges durch das Koppelfeld nach F i g. 1 und

F i g. 6 eine zweite Ausführungsform eines Verbindungsweges durch das Koppelfeld nach Fig. 1.

F i g. 1 zeigt ein Koppelfeld mit drei Koppelstufen A, B und C, das kennzeichnend ist für die Koppelfelder, bei dem die Erfindung durchführbar ist. Die Koppelstufe A enthält die Matrixschalter A1,

^4 2... Λρ, die mit je m Eingängen und q Ausgängen versehen sind. Jeder Ausgang eines Matrixschalters der Koppelstufe A ist durch eine Zwischenleitung an einen Eingang eines dem erwähnten Ausgang zugehörenden Matrixschalters der Koppelstufe B angeschlossen, die somit q Matrixschalter Bl, BZ... Bq enthält. Jeder dieser Matrixschalter enthält ρ Eingänge entsprechend den ρ Matrixschaltern der Koppelstufe A und r Ausgänge. Diese Ausgänge sind entsprechend dem für die Koppelstufe A beschriebenen Muster durch Zwischenleitungen an die Eingänge der Koppelstufe C angeschlossen. Die Koppelstufe C enthält somit r Matrixschalter C1, Cl... Cr.

Jeder Matrixschalter der Koppelstufe C enthält q Eingänge entsprechend den q Matrixschaltern der Koppelsrufe B und η Ausgänge.

Die Eingänge der Matrixschalter Al, Al... Ap bilden die Eingänge des Koppelfeldes, und die Ausgänge der Matrixschalter Cl, Cl...Cr bilden die Ausgänge derselben.

An die Eingänge des Koppelfeldes sind die Endvorrichtungen E11... Epin und an die Ausgänge des Koppelfeldes sind die Endvorrichtungen FIl... Fm angeschlossen. Diese Endvorrichtungen stellen z. B. Leitungsüberträger für den einkommenden und ausgehenden Fernsprechverkehr dar.

Die Matrixschalter haben den gleichen Aufbau. F i g. 2 zeigt vereinzelt den Aufbau des Matrixschalters Al. Dieser Matrixschalter enthält mSpalten, welche die Eingänge des Matrixschalters bilden, und q Reihen, welche die Ausgänge desselben darstelL-n. Die Spalten und Reihen bilden ein zweidimensionales Raster (Matrix) von Koppelpunkten. Jedem Koppelpunkt ist ein elektronisches Koppelelement mit drei Polen zugeordnet. F i g. 2 zeigt die Koppelelemente GA 111, Ga 112 und Ga 11 q an den Koppelpunkten der Spalte (1) mit den Reihen (1), (2), (q) und die Koppelelerrnte GA 1 m 1, GA ImZ und Ga 1 mq an den KoppelpunHen der Spalte {m) mit den Reihen (1), (2), (<?). Die Pole werden durch a, k und s auf die in Fig. 2 beim Koppelelement GA 111 angegebene Weise bezeichnet. Die Pole s der Koppelelemente der Spalte (1) sind an die (Spalten-)MarkierleiterMEll und die Poles der Koppelelemente der Spalte (m) sind an die (Spalten-)Markierleiter MEIm angeschlossen. Dies gilt auch für die anderen (nicht dargestellten) Spalten des Matrixschalters A 1.

In der Koppelstufe A (F i g. 1), ähnlich wie in den anderen Koppelstufen, sind die Markierleiter der Matrixschalter vielfach geschaltet, wodurch jede Koppelstufe nur ebenso viele Markierleiter aufweist wie die Anzahl von Spalten eines einzigen Matrixschalters. Die vielfach geschalteten Markierleiter sind in F i g. 1 durch ME-I... ME-m für die Koppelstute A, durch MA 1... MAp für die Koppelstufe B und durch MB 1 ... MBq für die Koppelstufe C bezeichnet. Jeder Markierleiter ist dadurch einer Spalte jedes Matrixschalters der betreffenden Koppelstufe zugeordnet. Die Vielfachschaltung ist derart ausgebildet, daß stets die Markierleiter der Spalten mit der gleichen Nummer miteinander verbunden sind. Auf diese Weise ist z. B. der Marknjricjter ME-I den Spalten (1) der Matrixschalter Al, Al... Ap und der Markierleiter ME-m den Spalten (m) zugeordnet. Der Markierleiter MA1 ist den Spalten (1) der Matrixschalter Bl, Bl.. .Bq zugeordnet, d. h. den Spalten, die an die Ausgänge des Matrixschalters A 1 angeschlossen sind. Der Markierleiter MAp ist den Spalten (p) zugeordnet, d. h. den Spalten, die an die Ausgänge des Matrixschalters Ap angeschlossen sind. Auf ähnliche Weise sind die Markierleiter MB 1... MBq den Matrixschaltern Bl ...Bq zugeordnet.

In Fig. 1 zeigt eine starke Linie einen Verbindungsweg zwischen der Endvorrichtung £11 und der Endvorrichtung Frn. Die End vorrichtung £11 liegt an der Spalte (1) des Matrixschal lers A 1, und die Endvorrichtung Frn liegt an der Reihe (n) des Matrixschalters Cr. Der Verbindungsweg erstreckt sich über das Koppelelement zwischen Spalte (1) und Reihe (1) des Matrixschalters A 1 (Koppelelement GA 111, Fig. 2) über die Zwischenleitung AB 11 zur Spalte (1) des Matrixschalters B1 und über das Koppelelement zwischen Spalte (1) und Reihe (r) und über die Zwischenleitung BCr 1 zur Spalte (1) des Matrixschalters Cr. Von dieser Spalte ab erstreckt sich der Verbindungsweg über das Koppelelement zwischen dieser Spalte und Reihe (/;) zur Endvorrichtung Frn. Der Verlauf des Verbindungsweges durch den Matrixschalter ist in F i g. 1 durch gestrichelte Linien zw ischen dea betreffenden Eingängen und Ausgängen angedeutet.

Die Markierleiter ME-I... ME-m sind an einen Wähler WE angeschlossen, der auf Befehl einen Markierimpuls einem selektierten Markierleiler zuführen kann. Die Markierleiter MA 1... MAp sind an einen entsprechenden Wähler WA und di·; Markierleiter MB 1... MBq sind an einen entsprechenden Wähler WB angeschlossen.

Die End vorrichtungen F11. ..Fm sind an einen Wähler WF angeschlossen, der in einer selektierten Endvorrichtung einen Markierkontakt schließen kann. Wie dies noch näher erläutert wird, wird beim Schließen eines Markierkontakus der betreffenden Reihe eine Markierspannung zugeführt. Wenn z. B. in der Endvorrichtung Frn der Markierkontakt geschlossen wird, wird der Reihe (n) des Matrixschalters Cr eine Markierspannung zugeführt. Diese Markierspannung wird weiter Reihenmarkierspannung genannt. Zur Einstellung des beschriebenen Verbindungswegs werden nach dem Schließen des Markierkontaktes in der Endvorrichtung Fm den Markierleitern MBl, MA1 und ME-I Markierimpulse zugeführt.

Der Markierimpuls des Markierleiters MB 1 gelangt an die Pole s aller Koppelelemente aller Spalten (1), aber lediglich am Koppelelement zwischen Spalte (1) und Reihe (n) des Matrixschalters Cr tritt Koinzidenz mit der Reihenmarkierspannung auf. Wie dies noch weiter einzeln erläutert wird, wird lediglich letzteres Koppelelement leitend und wird die Reihenmarkierspannung über das Koppelelement und die Zwischenleitung BCr 1 auf die Reihe (r) des Matrixschalters B1 übertragen. In der Koppelstufe B wird mittels des gleichen Verfahrens, wie für die Koppelstufe C beschrieben ist, die Reihenmarkierspannung über das leitende Koppelelement zwischen Spalte (1) und Reihe (r) des Matrixschalters B1 und darauf über Leiter AB 11 auf die Reihe (1) des Matrixschalters A 1 übertragen. In der Schaltstufe A wiederholt sich dieser Prozeß, wobei infolge des Leitendwerdens des Koppelelementes zwischen Spalte (1) und Reihe (1) des Matrixschalters A1 die Verbindung mit der Endvorrichtung E11 hergestellt wird.

Koppelfelder des vorstehend beschriebenen Typs mit elektronischen Koppelelementen gehören zum Stand der Technik, wie diese z. B. aus der deutschen

Patentschrift 10 34221 bekannt ist. Nach dieser Technik werden die Koppelclemente durch je einen pnpn-Transistor gebildet, dessen Emitter und Kollektor mit der Reihe und der Spalte und dessen Basis über einen Basiswiderstand mit dem (Spalten-)Markierleiter verbunden sind. Für pnp-Transistoren und Halbleitervorrichtungen mit analogen Eigenschaften werden in der technischen Fachsprache viele Ausdrücke benutzt wie: steuerbarer Gleichrichter (controlled rectifier), Thyristor, Hook-Transistor, Compound-Transistor usw. Diese Halbleitervorrichtungen haben die Eigenschaft gemein, daß eine Hauptstrombahn und eine teilweise mit der Hauptstrombahn zusammenfallende Steuerstrombahn vorhanden sind, welche Hauptstrombahn eine niedrige Impedanz für einen bestimmten Haltestrom überschreitende Ströme und eine hohe Impedanz für diesen Halteslrom unterschreitende Ströme bildet, wobei durch Führung eines Steuerstroms geeigneter Polarität über die Stcuerstrombahn die Hauptstrombahn in den Zustand niedriger Impedanz geführt werden kann, welcher Zustand beibehalten wird, wenn der Strom über die Hauptstrombahn höher als der Haltestrom ist.

An Hand der F i g. 3 werden das Koppelelement entsprechend dem Stand der Technik und ein verbessertes Koppelelement nach der vorliegenden Erfindung einzeln erläutert. Alle Koppelelemente sind in gleicher Weise ausgebildet. Fig. 3a zeigt entsprechend der Darstellungsweise der F i g. 2 das Koppelelement GA 111 zwischen Spalte (1) und Reihe (1) des Matrixschalters A 1. Fig. 3b zeigt die Ausführungsform des Koppelelementes nach der bekannten Technik. In dieser Ausführungsform enthält das Koppelelement GA111 eine Halbleitervorrichtung KAlH mit einer Anode«, einer Kathode k und einem Gatter g und einen Widerstand 32, der das Ga-ter g mit dem Pol s verbindet. Die Halbleitervorrichtung KA 111 besteht aus einem pnp-Transistor 30 mit einem Emitter e, einem Kollektor c und einer Basis b und einem npn-Transistor 31 auch mit einem Emitter e, einem Kollektor c und einer Basis b. Der Kollektor des Transistors 30 ist mit der Basis des Transistors 31 verbunden, dessen Kollektor mit der Basis des Transistors 30 verbunden ist. Die Anode a liegt an dem Emitter des Transistors 30, die Kathode k am Emitter des Transistors 31 und das Gatter g an der Basis des Transistors 30. Die Hauptstrombahn der Halbleitervorrichtung KA 111 verläuft zwischen der Anode α und der Kathode k und die Steuerstrombahn zwischen der Anode α und dem Gatterg. Wenn an der Reihe (1) die Reihenmarkier-Spaiiuuiig liegi und ücin Mürkicilciici MEH ein negativer Markierimpulse zugeführt wird, fließt ein Steuerstrom von -der Anode α zum Gatter g durch den Emitter-Basis-Übergang des Transistors 30. Dieser Strom führt den Transistor 30 in den leitenden Zustand, wodurch von dem Kollektor ein Strom der Basis des Transistors 31 zufließt, der dann leitend wird, so daß über den Kollektor ein Strom aus der Basis des Transistors 30 fließt. Wenn dieser regenerative Prozeß einmal angefangen hat, gelangt die Halbleitervorrichtung KA 111 weiterhin selbsttätig in den Sättigungszustand, in welchem Zustand die Hauptstrombahn einen sehr niedrigen Reihenwiderstand aufweist.

Wie bereits beschrieben, ist in dem Koppelfeld nach Fig. 1 jeder Markierleiter in den Koppelstufen A, B und C mehrfach über alle Matrixschalter in der betreffenden Koppelstufe geschaltet. Auf diese Weise wird erreicht, daß die Anzahl erforderlicher Markierleiter minimal ist. Ein Markierimpuls gelangt dann jedoch nicht nur an die erwünschte Spalte des erwünschten Matrixschaltcrs, sondern auch an eine Spalte jedes anderen Matrixschalters in der betreffenden Stufe. Wenn über eine dieser letzteren Spalten bereits ein Verbindungsweg vorhanden ist, ist eines der Koppelelemente dieser Spalte leitend. Der Markierimpuls gelangt dann über den Basiswiderstand des leitenden Koppelelementes (32, Fig. 3b) an den eingestellten Verbindungsweg und ruft darin eine bestimmte Störung hervor. Die Summe aller dieser Störungen verursacht ein Rauschen in die eingestellten Verbindungswege.

Normalerweise liegt über dem Markierleiter MEII (Fig. 3b) eine (positive) Spannung, die die Halbleitervorrichtung KA 111, wenn diese nicht für eine Verbindung besetzt ist, sperrt. Die Spannung des Markierleiter ME11 macht die Spannung der Basis b des Transistors 30 positiv in bezug auf die Spannung des Emitters e, wodurch der Emitter-Basis-Ubergang des Transistors 30 in der Sperrichtung gesteuert wird. In diesem Zustand bildet dieser Emitter-Basis-Übergang eine bestimmte Kapazität zwischen Reihe (1) und Galterg. Der Basis-Kollektor-Übergang des Transistors 31 bildet eine bestimmte Kapazität zwischen Gatterg und Basis b des Transistors 31. Diese Basis liegt über den Basis-Emitter-Übergang des Transistors 31 an der Spalte (1), welcher Basis-Emitter-Übergang durch die Spannung des Markierleiters ME11 in der Vorwärtsrichtung gesteuert wird und den Leckstrom der Kathode k führt. Die Basis-Kollektor-Kapazität des Transistors 31 liegt dann effektiv zwischen Spalte

(1) und Gatterg.

Wenn Spalte (1) und Reihe (1) Teile von verschiedenen Verbindungswegen bilden, können die Fernmeldesignale über die erwähnten inneren Transistorkapazitäten von einem Verbindungsweg auf den anderen übersprechen. Die Übersprechdämpfung wird in hohem Maße durch den Wert des Widerstands 32 bestimmt. Je geringer dieser Wert, um so größer ist die Übersprechdämpfung. Ein niedriger Wert des Widerstands 32 vereinigt sich jedoch nicht mit der Forderung einer geringen Übertragungsdämpfung im leitenden Zustand des Koppelelementes und mit der Forderung eines niedrigen Rauschpegels.

F i g. 3 c zeigt eine erfindungsgemäß verbesserte Ausführungsform des Koppelelementes. Die HaIbleiten'orrichtungif^lll der Fig. 3b ist auch hier vorhanden und auf gleiche Weise wie in F i g. 3 b ^wischen Reihe (1) und Spalte (1) eingeschaltet. Nach der verbeserten Ausführungsform ist zwischen Gatter g der Halbleitervorrichtung KA 111 und Pol 5

des Koppelelementes die Emitter-Kollektor-Strombahn eines pnp-Transistors TA 111 eingeschaltet Der Transistor TA 111 hat einen Emitter e, eine Basis b und einen Kollektor c. Der Kollektor c ist an das Gatterg und der Emitters ist an den Pols angeschlossen. An die Basis des Transistors TA 111 ist eine Stromquelle SA111 angeschlossen, die den Basisstrom des Transistors TA 111 unabhängig von der Spannung des Pols s und unabhängig von dem Zustand der Halbleitervorrichtung KA111 auf einen nahezu konstanten Wert einstellt.

Die Stromquelle 5y4111 enthält einen npn-Transistor 33 mit einem Emitter e, einer Basis b und einem Kollektor c. Der Emitter e ist über einen Emitter-

widerstand 34 mit einem negativen Speisepunkt (—) und eine Basis b ist unmittelbar mit Erde verbunden. Der Kollektor c des Transistors 33 ist an die Basis b des Transistors TA 111 angeschlossen. Der Emitterstrom des Transistors 33 hat einen konstanten Wert, der durch den Widerstand 34 und die Spannung des negativen Speisepunktes (—) bestimmt wird. Der Kollektorstrom ist innerhalb weiter Grenzen unabhängig von der Kollektorspannung, so daß er innerhalb weiter Genzen einen nahezu konstanten Wert aufweist, ίο

Fig. 3d zeigt das Koppelelement nach Fig. 3c wieder, aber mit anderen Symbolen und mit Pfeilangaben der für die Erklärung der Wirkung wesentlichen Spannungen und Ströme. Die Stromquelle SA 111 wird durch das für eine Stromquelle übliche Symbol von zwei sich schneidenden Kreisen mit einem die Stromrichtung andeutenden Pfeil dargestellt. Die Halbleitervorrichtung tf/1111 wird durch einen in vier Teile aufgeteilten Block dargestellt; von dem äußeren mit P angegebenen Teil und von rechts nach links entsprechen diese Teile dem Emitter e des Transistors 30, der Basis b des Transistors 30 und dem Kollektor c des Transistors 31, dem Kollektor c des Transistors 30 und der Basis b des Transistors 31 und dem Emitter e des Transistors 31.

Fig. 4a zeigt die Beziehung zwischen der Spannung Vl und dem Strom/1, und Fig. 4b zeigt die Beziehung zwischen der Spannung Vl und dem Strom/2 für verschiedene Werte der Spannung C3.

Die Werte /1 (1) und /1 (2) werden durch

/1(1) = Bf-Is

/1(2) = (Br + I)-Is

35

besilmmt, wobei Bf den Vorwärts-Stromverstärkungsfaktor und Br den Rückwärts-Stromverstärkungsfaktor des Transistors TAlIl und Is den Strom der Stromquelle SA111 bezeichnet. Die Kennlinie der Fig. 4a bezieht sich auf einen Transistor mit Bf ä: 0.8 und Br ä 0.4.

In einem praktischen Falle darf der Strom der Stromquelle SA 111 den Wert/j = 1OuA aufweisen. Die »Knie«-Spannungen Fl(I) und - V 1(2) haben einen absoluten Wert von weniger als 1 Volt.

V 2(1) ist die Durchschlagsspannung des Transistors 31. Die Spannungen K3(4), F3(3) und V3(2) sind positiv und K3(4)> F3(3)>K3(2) und F3(2)»0Volt. Die Spannung - F3(l) ist negativ und F3(1)ä;0,8 Volt. Für positive Ströme 72 >/2(1) reduzieren sich die Kennlinien für K3(4), F3(3) und K3(2) zu einer Kennlinie. Diese einzige Kennlinie entspricht der Kennlinie einer in der Vorwärtsrichtung gesteuerten Diode in Reihe mit der Emitter-Kollektor-Strombahn eines gesättigten Transistors. Der Strom/2(1) wird der Haltestrom genannt.

Wenn die Halbleitervorrichtung KA 111 gesperrt ist, fließt zum Gatter g ein Gatterleckstrom. Der Wert /1 (1) wird durch die Wahl von Bf mit Rücksicht auf Is derart bestimmt daß der Gatterleckstrom kleiner ist als /1 (1). Die Spannung Vl liegt dann im Bereich zwischen Vl (0) und Vl (1).

Für negative Werte des Stroms /1 nimmt der Haltestrom der Halbleitervorrichtung KA111 ab und wird der Haltesrrom Null bei der Spannuns V 3 = - V3 (1). Der Wert 71 (2) wird durch die Wahl des Faktors Br mit Rücksicht auf Is derart bestimmt.

daß der Strom /1, bei dem der Haltestrom der Halbleitervorrichtung A/4 111 Null wird, in absolutem Wert geringer ist als /1 (2).

Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform des in Fig. 1 durch eine volle Linie angedeuteten Verbindungswegs zwischen den Endvorrichtungen ZJIl und Fm unter Verwendung von Koppelelementcn der Ausführungsform nach den Fig. 3cund 3d.

An Spalte (1) des Matrixschalters A1 ist eine SpannungsbegrenzungsschaltungSEIl angeschlossen, die die Spannung des Verbindungswegs im durchgeschalteten Zustand auf + 3 Volt einerseits und auf

— 3 Voll andererseits begrenzt. Diese Schaltung enthält eine Diode 50, deren Anode an die Spalte (1) und deren Kathode an die Spannung von f 3 Volt angeschlossen ist, während sie eine Diode 51 enthält, deren Kathode an die Spalte (1) und deren Anode an eine Spannung von - 3 Volt angeschlossen ist.

An die Zwischenleitungen des Koppelfeldes und an die Reihen der Matrixschalter der Koppelslufe Γ sind einander gleiche Stromquellenschaltungen angeschlossen. Für die Zwischenleitungen AB 11 und BCrI und die Reihe (71) des Matrixschalters Cr sind diese Stromquellenschaltungen in F i g. 5 durch SABU, SBCrI und SFrn bezeichnet. Die Stromquellenschaltung SAB11 enthält eine Diode 52, deren Anode an — 3 Volt und deren Kathode an die Zwischenleitung AB 11 angeschlossen ist, und einen npn-Transistor 53 mit einem Emitter e, einer Basis b und einem Kollektor c. Der Emitter e ist über einen Emitterwiderstand 54 an. eine Spannung von

— 12VoIt, die Basis b an eine Spannung von

— 6 Volt und der Kollektor c ist an die Zwischenlei- Umg AB 11 angeschlossen. Mit Rücksicht auf die Spannungen von — 6 Volt und - 12 Volt wird durch den Emitterwiderstand 54 ein bestimmter Emitterstrom eingestellt. Wenn die Zwischenleitung AB 11 nicht für eine Verbindung verwendet wird und somit frei ist, fließt der Kollektorstrom des Transistors 53 durch die Diode 52 und wird die Zwischenleitung ABU auf einer Spannung von — 3 Volt gehalten. Für eine Spannung der Zwischenleitung AB 11 von mehr als - 3 Volt verhält sich die Schaltung SAB11 wie eine Stromquelle mit einem fest eingestellten Strom. Dies gilt auch für die anderen Zwischenleitungen des Koppelfeldes und für dessen Ausgänge.

Die Endvorrichtung TfIl enthält einen Transformator 55. dessen Primärwicklung 56 zwischen Spalte (1) des Matrixschalters A 1 und Erde und dessen Sekundärwicklung 57 an das Klemmenpaar 58-58 angeschlossen ist. Dieses Klemmenpaar dient zum Anschließen einer Übertragungsleitung für Fcrnmeldcsignale, z. B. einer Fernsprechleitung. Die Wicklung 56 stellt eine Gleichstromvcrbindung zwischen Spalte (1) des Matrixschalters A 1 und Erde her, über welche Verbindung der Haltestrom des Verbindungsweges fließen kann.

Die Endvorrichtung Fr/2 enthält die pnp-Transistoren 59 und 60, die je mit einem Emitter e, einer Basis b und einem Kollektor c versehen sind. Der Emitter e des Transistors 59 ist über einen Emitter-Aviderstand 62 an einen Pol des Markierungskontaktes 61 angeschlossen, dessen anderer Pol an einer Spannung von ->- 30 Volt liegt. Die Basis b des Transistors 59 liegt an einer Spannung von + 22VoIt, und der Emitter e ist an die Reihe (;i) des Matrixschalters Cr angeschlossen.

Der Emitter e des Transistors 60 ist über einen

Emitterwiderstand 63 an den gleichen Pol des Markierkontaktes 61 wie der Emitter e des Transistors 59 angeschlossen. Die Basis b des Transistors 60 liegt an + 22 Volt, und der Kollektor ist über eine Diode 64 an Reihe (/i) des Matrixschalters Cr angeschlossen.

Zwischen der Anode der Diode 64 und Erde ist ein Stromkreis eingeschaltet, der in Reihenfolge enthält: einen Trennkondensator 65, die Sekundärwicklung 68 eines Transformators 66 und eine Diode 69. Die Primärwicklung 67 des Transformators 66 ist an das Klemmenpaar 70-70 angeschlossen, das zum Anschließen einer Übertragungsleitung für Fernmeldesignale, z. B. einer Fernsprechleitung dient. Die Anode der Diode 69 ist über einen Widerstand 71 an den gleichen Pol des Markierkontaktes 61 wie die Emitter der Transistoren 59 und 60 angeschlossen.

Die Dioden 64 und 69 isolieren die Sekundärwicklung 68 gegen die Reihe (?i) des Matrixschalters Cr, wenn der Kontakt 61 nicht geschlossen ist, und verhüten dadurch eine Zufuhr der am Klemmenpaar 70-70 auftretenden Fernmeldesignale an die betreffende Reihe.

Zur Herstellung des beschriebenen Verbindungsweges zwischen den Endvorrichtungen £11 und Fm wird der Markierkontakt 61 in der Endvorrichtung Fm geschlossen und werden negative Markierimpulse den Markierleitern MB 1, MA 1 und ME-I zugeführt. Ein negativer Markierimpuls erniedrigt die Spannung eines Markierleiters zeitweilig von + 30 Volt auf + 15 Volt. Die Spannung einer dem leitenden Verbindungsweg nicht zugehörigen Zwischenleitung beträgt — 3 Volt. Die Spannung einer dem leitenden Verbindungsweg zugehörenden Zwischenleitung liegt zwischen — 3 Volt und + 6 Volt.

Das Schließen des Markierkontaktes 61 bringt mit sich, daß eine Spannung von + 22 Volt (die Reihenmarkierspannung) an Reihe (n) des Matrixschalters Cr auftritt. Die Transistoren 59 und 60 werden in den Sättigungszustand gesteuert, da der Strom der Stromquellenschaltung SFrn nur ein Bruchteil der Emitterströme der Transistoren 59 und 60 ist. Dadurch haben die Kollektoren dieser Transistoren und somit auch die Reihe (/i) des Matrixschalters Cr nahezu die gleiche Spannung wie die Basis dieser Transistoren. Die Stromquellenschaltung SFrn sorgt dafür, daß die Spannung von + 22 Volt an der betreffenden Reihe mit einer bestimmten minimalen Flankensteilheit erreicht wird. Die Zufuhr eines Markierimpulses an den Markierleiter MB 1 erniedrigt die Spannung des Markicrleiters der Spalte (1) des Matrixschalters Cr. Das Resultat ist, daß die Spannung V3 (Fig. 3d) zwischen den Polen s und α des Koppelelementes GCrIn zwischen Spalte (1) und Reihe (n) des Matrixschalters Cr einen Wert von — 7 Volt hat. Der Transistor TCr 1 η führt dann einen Strom /1 = /1(2) (Fig. 3d und 4a), der den Haltestrom der HalbleitervorrichtungKCrIn auf Null herabsetzt. Die Hauptstrombahn der Halbleitervorrichtung KCrIn bildet dann einen niedrigen Reihenwiderstand für die Reihenmarkierspannung der Reihe (n) des Matrixschalters Cr, wodurch die Reihenmarkierspannung auf die Zwischenleitung BCr 1 übertragen wird. Die Stromquellenschaltung SBCrI sorgt dafür, daß nach dem Leitendwerden des Koppelelementes GCrIn ein bestimmter Minimalstrom durch die Hauptstrombahn der Halbleitervorrichtung KCR1 η fließt, wodurch die Spannung der Zwischenleitung SCrI mit einer bestimmten minimalen Flankensteilheit den Wert von + 22 Volt erreicht. In der Koppelstufe B wird durch Koinzidenz zwischen dem Markierimpuls des Markierleiters MA1 und der Reihenmarkierspannung der Reihe (r) des Matrixschalters Bl das Koppelelement GB Hr leitend gemacht. Dadurch wird die Reihenmarkierspannung auf die Zwischenleitung AB 11 übertragen. Die Stromquellenschaltung SAB11 hat dabei die gleiche Wirkung wie die Stromquellenschaltung SBCrI. In der Koppel-

stufe A wird durch Koinzidenz zwischen dem Markierimpuls des Markierleiters ME-I und der Reihenmarkierspannung der Reihe (1) des Matrixschalters A 1 das Koppelelement GA 111 leitend gemacht.
Die Kathode k der Halbleitervorrichtung^ 111 des Koppelelementes GA 111 ist über die Reihe (1) des Matrixschalter A 1 und die Primärwicklung 56 des Transformators 55 der Endvorrichtungisll mit Erde verbunden. Das Leitendwerden des Koppelelementes GA 111 stellt dann den Verbindungsweg nahezu auf Erdpotential ein, wodurch der Strom durch die in Reihe geschalteten Hauptstrombahnen der Halbleitervorrichtungen £Λ 111, KBlIr und KCrIn zunimmt. Die Markierimpulse der Markierleiter ME-I, MA 1 und MB 1 können nach dem Leitendwerden des Koppelelementes GA 111 beendet werden.

Infolge des Leitendwerdens des Koppelementes GA 111 nehmen die Kollektorströme der Transistoren 59 und 60 der Endvorrichtung Frn bis zu den durch die Emitterwiderstände 62 und 63 mit Rücksicht auf die Spannungen von - 30 Volt und + 22 Volt eingestellten Werten zu. Die Transistoren 59 und 60 verhalten sich dabei wie eine Stromquelle.

Der Zustand eines leitenden Koppelelementes, z. B. das Koppelelement GA 111 (Fig. 5 und 3d), ist folgender: die Anode α und die Kathode k der Halbleitervorrichtung KA 111 haben nahezu Erdpotential, und von der Anode zu der Kathode fließt ein Strom, der nahezu gleich der Summe der Kollektorströme der Transistoren 95 und 60 der Endvorrichtung Fm ist.

Der Pol s hat eine Spannung von + 30 Volt, die eine Spannung Vl (F i g. 3 d) auch von + 30 Volt hervorruft. Diese Spannung stellt den Transistor TA 111 auf den zur positiven Fl-Achse parallel verlaufenden Teil der Kennlinie nach Fig. 4a ein. In diesem Teil der Kennlinie hat der Strom/1 den Wert/1(1), wobei der Kollektor des Transistors TA 111 einen hohen Differentialwiderstand für die Halbleitervorrichtung KA 111 bildet. Der Strom /1 = /1(1) führt eine Erhöhung des Haltestroms der Halbleitervorrichtung

KAlIl auf den Wert/2(1) (Fig. 4b) herbei, der jedenfalls unter dem Wert des Stroms liegt, der von der Anode zur Kathode fließt, durch passende Einstellung letzteren Stroms.

Wenn beim Markieren eines anderen Verbindungs-

weges ein Markierimpuls dem Markierleiter ME-I zugeführt wird, sinkt die Spannung Vl (Fig. 3d und 4 a) des leitenden Koppelelementes GA111 auf + 15VoIt herab, aber der Strom71 (Fig. 4a) ändert sich nicht Das Resultat ist, daß keine Störungen infolge Markierimpulse in einem bereits eingestellten Verbindungsweg auftreten können. Dadurch wird die Erscheinung des Markierrauschens in elektronische Sprechwege vollständig vermieden.
Bei einem gesperrten Koppelelement, von dem

lediglich der Pol α oder lediglich der Pol s markiert wird oder von dem keine der beiden Pole markiert werden, ist die Spannung V3 (F I g. 3 d) positiv. Die Spannung V3 hat in diesen unterschiedlichen Fällen

einen Wert von ungefähr + 8 Volt, + 15 Volt bzw. + 30 Volt. In den letzteren zwei Fällen kann noch eine Änderung von maximal — 9 Volt auftreten, wenn der Pol α mit einer besetzten Zwischenleitung verbunden ist, deren Spannung zwischen — 3 Volt und + 6 Volt liegt. In all diesen Fällen bleibt die Halbleitervorrichtung des Koppelelementes gesperrt. Wie beschrieben, ist der Gatterleckstrom der Halbleitervorrichtung geringer als /1(1) (Fig. 4a), so daß der Transistor TA 111 auf den zur positiven /1-Achse parallel verlaufenden Teil der Kennlinie nach F i g. 4 a eingestellt ist. In diesem Teil der Kennlinie bildet der Kollektor des Transistors TAlIl (F i g. 3 d) einen niedrigen Differentialwiderstand für die Halbleitervorrichtung KA 111.

Dem Klemmeripaar 70-70 zugeführte Fernmeldesignale rufen eine bestimmte Signalspannung über der Sekundärwicklung 68 des Transformators 66 hervor. Diese Signalspannung wird zwischen Reihe

kurzzeitig kapazitive Ströme ohne Widerstandserhöhung durchlassen, auch wenn der Momentanwert des Kollektorstroms/1 höher als /1(1) wird. Dies ist vorteilhaft, wenn Fernmeldesignale übertragen werden, in denen steile Flanken auftreten, was z. B. bei binären Datensignalen und Videophonsignalen der Fall ist.

Die Begrenzungsschaltung SEIl, die mit der Spalte (1) des Matrixschalters A1 verbunden ist, begrenzt die Fernmeldespannungen, die am oberen Ende der Wicklung 56 auftreten, einerseits auf ■f 3 Volt und andererseits auf — 3 Volt, wodurch die Spannung eines leitenden Verbindungsweges unter Berücksichtigung eines Spannungsabfalles von ungefahr 1 Volt über ein leitendes Koppelelement zwischen τ 6 VoIi und — 3 Voll liegt.

Der durchgeschaltete Verbindungsweg wird unter der Steuerung des geschlossenen Markierkontaktes 61 in der Endvorrichtung Frn in dem niederohmigen

(n) des Matrixschalters Cr und Erde über die leiten- 20 Zustand gehalten. Das öffnen des Kontaktes 61 unterden Dioden 64 und 69 und den Kondensator 65 an- bricht den Strom durch die in Reihe geschalteten

Koppelelemente, wodurch diese Koppelelemente selbsttätig in den gesperrten Zustand übergehen und der Verbindungsweg unterbrochen wird. Nach dem öffnen des Markierkontaktes 61 fließt durch die Zwischenleitung BCrI die Summe der Leckströme der Koppelelemente der Spalte (1) des Matrixschalters Cr. Diese Leckströme werden durch die Stromquellenschaltung SBCrI absorbiert, so daß

terwiderstand 62 des Transistors 59 wird mit Rück- 30 sie von der Reihe (r) des Matrixschalters B (1) fernsieht auf die Spannungen von +30VoIt und ,gehalten werden. Das leitende Koppelelement GSlIr

'kann dem Öffnen des Markierkontaktes 61 nicht im leitenden Zustand durch den Leckstrom gehalten werden, der durch die Zwischenleitung SCrI fließt, so daß es in zuverlässiger Weise in den gesperrten Zustand übergeht. Auf diese Weise werden die Beschränkungen des Haltestroms/2(1) (Fig. 4 b) erheblich erleichtert.

F i g. 6 zeigt einen Verbindungsweg für EinrichrichtungEll hervor, wodurch eine Signalspannung 4° tung-Signalübertragung, bei der die Vorteile des veram Klemmenpaar 58-58 entsteht. Umgekehrt rufen besserten Koppelelementes aufs äußerste benutzt Fernmeldesignale, die dem Klemmenpaar 58-58 zugeführt werden, einen Signalstrom durch die Sekundärwicklung des Transformators 66 der Endvorrichtung Fm hervor, wodurch eine Signalspannung 45 In Fig. 6 sind die gleichen Bezugszeichen wie in am Klemmenpaar 70-70 entsteht. F i g. 5 zum Bezeichnen der entsprechenden Teile ver-

Die Übertragungsdämpfung eines leitenden Koppelelementes (Fi g. 3 d) in der Schaltung nach F i g. wird durch den Reihenwiderstand der Hauptstrom-

gelegt.

Die Diode 64 wird durch den Kollektorstrom des Transistors 60 leitend gemacht, welcher Strom den negativen Signalstrom auf einen bestimmten Maximalwert begrenzt. Die Diode 69 wird durch den Strom durch den Widerstand 71 in der Leitungsrichtung gesteuert, welcher Strom den positiven Signalstrom auf einen bestimmten Maximalwert begrenzt. Der Emit-

+ 22VoIt derart bestimmt, daß der Kollektor einen Strom durch die leitenden Koppelelemente beibehält, der höher ist als der Haltestrom dieser Koppelelemente.

Die Signalspannung zwischen Reihe (n) des Matrixschalters Cr und Erde ruft über den niederohmigen Verbindungsweg einen Signalstrom durch die Primärwicklung 56 des Transformators 55 der Endvorwerden. Dieser Verbindungsweg unterscheidet sich von dem Verbindungsweg nach F i g. 5 durch die Ausführungsform der Endvorrichtungen E11 und Frn.

wendet.

Die Endvorrichtung Frn (F i g. 6) enthält die pnp-Transistoren 72 und 73, die mit je einem Emitter e.

bahn der Halbleitervorrichtung KA111 und den KoI- 50 einer Basis b und einem Kollektor c versehen sind, lektordifferentialwiderstand des Transistors TA 111 Der Emitter e des Transistors 72 ist über einen Emitbcstirnrnt. Da dieser Differeriiialwidcrsiand bei einem
leitenden Koppelelement einen sehr hohen Wert auf

weist, ist dessen Beitrag zur Übertragungsdämpfung

terwiderstand 74 mit einem Pol des Markierkontaktes 61 verbunden, dessen anderer Pol mit -f 30 Volt verbunden ist. Der Kollektor c des Transistors 72 ist mit

sehr gering. 55 der Reihe («) des Matrixschalters Cr verbunden, und

Bei einem gesperrten Koppelelement (F i g. 3 d) bil- die Basis führt eine Spannung von + 22 Volt. Der den die Streukapazitäten zwischen Anode α und Gat- Transistor 72 hat die gleiche Funktion und die gleiche ter g und zwischen Kathode k und Gatter g eine wich- Wirkung wie der Transistor 59 in F i g. 5. Der Emittige Ursache des Übersprechens zwischen der Ka- ter e des Transistors 73 ist über einen Emitterwiderthode und der Anode. Die Übersprechdämpfung in- 60 stand 75 mit dem gleichen Pol des Markierkontaktes folge dieser Form des Ubersprechens wird durch 61 wie der Emitter e des Transistors 72 verbunden, das Verhältnis zwischen den kapazitiven Streuimpe- Der Kollektor c des Transistors 73 ist über einen KoI-danzen und dem Kollektordifferentialwiderstand des lektorwiderstand 76 mit der Reihe (n) des Matrix-Transistors TA 111 bestimmt. Bei einem gesperrten schalters Cr verbunden, und die Basis b führt die Koppelelement hat dieser Differentialwiderstand einen 65 gleiche Spannung von + 22VoIt wie die Basis des sehr niedrigen Wert, wodurch die Übersprechdämp- Transistors 72.

rung sehr hoch ist Infolge des Sättigungszustandes Das Kiemenpaar 70-70 der Endvorrichtung Frn ist

und der Trägheit des Transistors TAlU kann dieser an Erde aneeschlossen und über die Reihenscimitnno

eines Trennkondensators 78 und eines Widerstandes 77 an den Emitter e des Transistors 73.

Der Pol des Markierkontaktes 71, an den die Emitter der Transistoren 72 und 73 angeschlossen sind, ist über einen Widerstand 79 mit Erde verbunden. Über diesen Widerstand werden die Transistoren 72 und 73 gesperrt, wenn der Markierkontakt 61 offen ist.

Die Endvorrichtung£11 (Fig. 6) enthält einen Transistor 80 mit einem Emitter e, einer Basis b und einem Kollektor c. Der Emitter e ist mit Spalte (1) des Matrixschalters A 1 verbunden. Der Kollektor c ist über einen Kollektorwiderstand 81 mit einer Spannung von — 12VoIt und die Basis b ist mit einer Spannung von — 3 Volt verbunden. Das Klemmenpaar 58-58 ist mit Erde und über einen Trennkondensator 82 mit dem Kollektor des Transistors 80 verbunden.

Das Schließen des Markierkontaktes 61 und die Zufuhr von Markierimpulsen an die Markierleiter MBl, MAl und MjE-I bewerkstelligen die Durchschaltung des Verbindungsweges auf die gleiche Weise, wie an Hand der F i g. 5 beschrieben ist. Nach dem Leitendwerden des Koppelelementes GA111 wird der Transistor 80 in der Endvorrichtung £11 leitend und sinkt die Spannung des Verbindungsweges auf etwa — 3 Volt herab. Der Transistor 72 kommt dann aus dem Sättigungszustand und steuert einen konstanten Strom durch den Verbindungsweg, der nach dem Wegfall der Markierimpulse dadurch aufrechterhalten wird.

Der Emitterwiderstand 75, mit Rücksicht auf die Spannungen von + 30 Volt und + 22 Volt, stellt den Emitterstrom des Transistors 73 auf einen Arbeitspunkt ein. Fernmeldesignale, die dem Klemmenpaar 70-70 zugeführt werden, rufen positive und negative Signaländerungen -des Emitterstroms des Transistors 73 hervor. Der Arbeitspunkt des Transistors 73 ist derart bestimmt, daß bei Fernmeldesignalen des Nominalpegels die Emitterstromänderungen entsprechende Kollektorstromänderungen herbeiführen. Die Kollektorstromänderungen des Transistors 73 werden durch den Verbindungsweg auf den Emitter des Transistors 80 in der Endvorrichtung £11 übertragen, wo sie entsprechende Änderungen des Kollektorstroms des Transistors 80 hervorrufen, wodurch eine Signalspannung am Klemmenpaar 58-58 entsteht. Ein Verlust an Signalstrom tritt dabei nicht auf, um daß die Transistoren TA 111, TBlIr und TCrIn an ihren Kollektoren einen hohen Differen so lialwiderstand aufweisen.

Der Kollektor des Transistors 73 liefert Signalströme, die innerhalb weiter Grenzen unabhängig von der Kollektorspannung sind, so daß er für diese Signalströme die Wirkung einer Stromquelle mit einem hohen inneren Differentialwiderstand aufweist. Auf diese Weise wird eine Übertragungsdämpfung von der Endvorrichtung im zu der Endvorrichtung £11 bewerkstelligt, die unabhängig ist von den Reihenwiderständen der JfCoppelelemente, wodurch die Streuung in der Übertragungsdämpfung zwischen zwei beliebigen Endvorrichtungen sehr gering ist.

Infoige der hohen inneren Impedanz der Fernmeldesignalquelle wird außerdem der Einfluß des induktiven Übersprechens von parallelen Verbindungswegen verringert.

Die Belastung des Verbindungsweges wird durch den niederohmigen Emitter-Basis-Übergang des Transistors 80 gebildet. Die Spannungsänderungen über den Verbindungsweg während der Signalübertragung werden dadurch sehr gering, wodurch das kapazitive Übersprechen auf parallele Verbindungswege verringert wird.

Unter Bezugnahme auf die Fi g. 3 d und 4 a sei bemerkt, daß der Teil der /1-Fl-Kennlinie, der unter der Kl-Achse liegt, lediglich eine Rolle spielt, wenn ein Koppelelement durch die Reihenmarkierspannung und den Spaltenmarkierimpuls in Koinzidenz markiert wird. Für alle anderen Fälle ist nur der über der Kl-Achse liegende Teil der /1-Fl-Kennlinie maßgebend. Wesenlich für eine hohe Übersprechdämpfung und eine niedrige Übertragungsdämpfung und außerdem für einen niedrigen Markierrauschpegel ist, daß die Kennlinie für positive Ströme/1 bis zum Wert/1(1) entsprechend einem niedrigen Differentialwiderstand einen steilen Verlauf und für Werte von mehr aus /1(1) entsprechend einem hohen Differentialwiderstand einen flachen Verlauf aufweist. Der Wert/1(1) ist derart bestimmt, daß dieser höher ist als der maximale Gatterleckstrom eines gesperrten Koppelelementes.

Um ein in Koinzidenz markiertes Koppelelement schnell leitend zu machen, ist es wichtig, daß die Kennlinie für negative Ströme/1 bis zum Wert/1(2) entsprechend einem niedrigen Differentialwiderstand einen steilen Verlauf und von diesem Wert ab entsprechend einem hohen Differentialwiderstand einen flachen Verlauf aufweist, um den Markierstrom zu begrenzen. Der Wert /1 (2) wird derart bestimmt, daß dieser höher ist als der Wert des Gatterstroms, bei dem der Haltestrom Null wird.

Es wird einleuchten, daß Elemente mit einer Kennlinie nach F i g. 4 a auf verschiedene Weise hergestellt werden können, so daß die Erfindung sich nicht auf die vorteilhaften Ausführungsformen dieser Elemente nach F i g. 3 c beschränkt. Es wird weiterhin einleuchten, daß, da nur der über der Kl-Achse liegende Teil der Kennlinie die günstigen Eigenschaften der hohen Übersprechdämpfung und der niedrigen Übertragungsdämpfung und des niedrigen Markierrauschpegels maßgebend ist, die Erfindung sich auch auf Elemente bezieht, dessen Teil der Kennlinie für negative Ströme /1 von der in F i g. 4 a dargestellten Kennlinie abweicht.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung zum impulsgesteuerten Verbinden einer Fernmeldesignalquelle mit einer Fernmeldesignalbelastung, welche Anordnung eine Halbleitervorrichtung mit einer eine niedrige Impedanz für einen bestimmten Haltestrom überschreitende Ströme und eine hohe Impedanz für diesen Haltestrom unterschreitende Ströme bildenden Hauptstrombahn und einer teilweise mit dieser zusammenfallenden Steuerstrombahn enthält, welche für Steuerströme einer bestimmten Polarität eine den erwähnten Haltestrom erniedrigende Wirkung hat, wobei die Hauptstrombahn zwischen der Signalquelle und der Signalbelastung eingeschaltet ist und die Steuerstrombahn an eine mit einer Steuerimpulsquelle verbundene Sleuerklemme und eine Gleichstromquelle an die Haupstrombahn angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Steuerstrombahn (a-g) und der Steuerklemme (s) ein Schaltelement (SAUl, TAUl) eingeschaltet ist, dessen Differentialwidtrstand für Ströme mit einer der erwähnten bestimmten Polarität ( — ) entgegengesetzten Polarität (+) und mit einem einen bestimmten ersten Wert [/1(I)] unterschreitenden Wert einen niedrigen Wert und für Ströme der erwähnten entgegengesetzten Polarität ( + ) und mit einem den erwähnten bestimmten ersten Wert [/1 (I)] überschreitenden Wert einen hohen Wert aufweist.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Schalterelement für Ströme der erwähnten bestimmten Polarität ( —) mit einem einen bestimmten zweiten Wert [11 (2)] unterschreitenden Wert einen niedrigen Differentialwiderstand und für Ströme der erwähnten bestimmten Polarität ( —) mit einem den erwähnten, bestimmten Wert [I1(2)] überschreitenden Wert einen hohen Differen*ialwiderstand aufweist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Schalterelement durch eine Stromquelle (SA 111) in Kombination mit einem Transistor (TA 111) gebildet wird, der einen Emitter (/), eine Basis (b) und einen Kollektor (c) aufweist, wobei die Basis an die Stromquelle, der Emitter an die Steuerklemme (s) und der Kollektor an die Steuerstrombahn der Halbleitervorrichtung (KA 111) angeschlossen sind.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß sie für Koppelfelder verwendet ist, bei denen die Fernmeldesignalquelle (Fm) einen hohen inneren Differentialwiderstand hat (F i g. 6).

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß sie für Koppelfelder verwendet ist, bei denen die Fernmeldesignalbelastung (Eil) durch eine Belastung mit einem niedrigen inneren Differentialwiderstand gebildet wird (F i g. 6).