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Die Erfindung betrifft einen elektronischen Koppelkontakt zum Verbinden
zweier Leitungen in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mittels
eines aus Halbleiterbauelementen bestehenden T-Gliedes, dessen Widerstände des Serienzweiges
und dessen Leitwert des Parallelzweiges für die überführung des Koppelkontaktes
aus seinem Sperr- in den Durchlaßzustand von hohen auf niedrige Werte umgesteuert
werden und bei dem als Serienzweig die Emitter-Kollektor-Strecke eines wahlweise
in seinem Sperr- oder Sättigungszustand betriebenen Transistors dient, an dessen
Basiselektrode der die Steuerung des Koppelkontaktes bewirkende Parallelzweig angeschlossen
ist.
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Es wurde durch die USA.-Patentschrift 2 816 238
bekannt, die
Durchschaltung von Teilnehmerleitungen über die Emitter-Kollektor-Strecke von in
die Sprechadern eingefügten Transistoren zu bewirken. Beim Anlegen eines Sperrpotentials
an die Basiselektroden werden die Transistoren im Sperrzustand gehalten. Andererseits
überführt ein den Basiselektroden zugeführtes Steuerpotential die gegeneinander
gepolten Emitter- und Kollektordioden in ihren Sättigungszustand, so daß der Durchlaßwiderstand
zwischen der Kollektor- und Emitterelektrode jedes Transistors gering wird und die
Adern der Teilnehmeranschlußleitung zu den Vermittlungseinrichtungen durchverbunden
werden.
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Es wurde auch durch die USA.-Patentschrift 2 782 307 bekannt,
die Steuerung eines aus zwei gegensinnig in Reihe geschalteten Dioden bestehenden
Koppelkontaktes dadurch besonders wirksam zu gestalten, daß der an den gemeinsamen
Punkt der beiden Dioden angeschaltete Querwiderstand im Sperrzustand des Koppelkontaktes
möglichst niedrig, im Durchschaltezustand möglichst hochohmig gesteuert wird. Als
steuerbarer Querwiderstand dient bei dieser bekannten Anordnung eine Gleichrichterdiode,
die durch ein ihr zugeführtes Potential in ihrem leitenden, die als Längswiderstände
dienenden Dioden in ihrem Sperrzustand gehalten werden.
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Diese bekannte Anordnung weist jedoch in ihrem Durchschaltezustand
den Nachteil einer zu großen Dämpfung für die Sprechströme auf, weil nämlich dann
dem gemeinsamen Punkt ein die Längsdioden leitend steuerndes und die Querdiode sperrendes
Potential über einen Widerstand zugeführt werden muß, der wegen des erforderlichen
Steuerstromes nicht beliebig groß gewählt werden kann.
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Bei der durch die deutscheAuslegeschrift 1195 351
bekannten
elektronischen Unterbrecherschaltung, die einen in Längsrichtung der Leitung angeordneten
Transistor enthält, der durch eine über einen Widerstand seiner Basiselektrode zugeführte,
einpolig mit der Leitung selbst verbundene Steuerspannung leitend steuerbar ist,
wobei diese Steuerung durch eine zweite der Basiselektrode über die Emitter-Kollektor-Strecke
eines zweiten Transistors in seinem leitenden Zustand zuführbare Steuerspannung
blocklerbar ist.
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Diese bekannte Unterbrecherschaltung ist nicht zum Verbinden zweier
Leitungen in Fernmelde-, insbesondere Ferns rechvermittlungsanlagen geeignet, p
C
weil bei diesen galvanische Verbindungen zwischen den Sprechadern und den
Steuerspannungen nicht zulässig sind.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, in einem elektronischen
Koppelkontakt, bei dem sowohl die Widerstände des Serienzweiges als auch der Leitwert
des Querzweiges für die überführung des Koppelkontaktes von seinen Sperr- in seinen
Durchschaltezustand von hohen auf niedrige Werte umsteuerbar sind und der im Sperrzustand
eine sehr große Sperrdämpfung aufweist, in seinem Durchschaltezustand für die Sprechströme
eine sehr niedrige Durchlaßdämpfung zu erzielen.
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Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Basiselektrode des Serientransistors
sowohl mit einer ihr ein Sperrpotential zuführenden, mittels eines Steuertransistors
in ihren Sperrzustand überführbaren Diode, als auch mit der Kollektorelektrode des
für die Herbeiführung des Durchlaßzustandes des Serientransistors in einen dynamischen
Arbeitspunkt steuerbaren Paralleltransistors verbunden ist, der den zum Serientransistor
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp aufweist und in dessen Arbeitsstromkreis der
die Diode in ihrem Sperrzustand überführende Steuertransistor wirksam steuerbar
ist.
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Damit wird der Vorteil erzielt, daß der Paralleltransistor, der im
Durchschaltezustand des Koppelkontaktes im dynamischen Arbeitsbereich betrieben
wird, für den Steuergleichstrom einen verhältnismäßig niedrigen, für die Sprechströme
dagegen einen sehr hohen differenziellen Widerstand aufweist. Er bewirkt außerdem
die Abschaltung des für eine günstige Durchlaßdämpfung schädlichen, für die Zuführung
des den Koppelkontakt sperrenden Potentials vorgesehenen Widerstandes.
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Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist ein den Arbeitspunkt des
steuernden Paralleltransistors stabilisierender Widerstand in seine Emitterleitung
geschaltet, und es wird seine Basissteuerspannung mittels einer Diode auf einen
konstanten Spannungswert begrenzt.
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Damit wird erreicht, daß der differenzielle Innenwiderstand der Ernitter-Kollektor-Strecke
des Paralleltransistors einen besonders hohen Wert erreicht.
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Gemäß einer anderen Weiterbildung der Erfindung ist der in die andere
Sprechader geschaltete Serientransistor durch ein von der Kollektorelektrode des
Steuertransistors des in der ersten Sprechader angeordneten Koppelkontaktes abgenommenes
Steuerpotential steuerbar.
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Damit wird erreicht, daß die für zwei Sprechadern aus zwei Kontakten
bestehende Koppelstelle durch ein nur an einen Kontakt angelegtes Steuerpotential
steuerbar ist.
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Die Erfindung wird an Hand von Schaltbildern erklärt.
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F i g. 1 zeigt einen Koppelkontakt gemäß der Erfindung für
einadrige Durchschaltung eines Sprechweges.
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In F i g. 2 ist ein Koppelkontakt für zweiadrige Durchschaltung
dargestellt.
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In F i 1 ist eine mit den Einrichtungen einer Vermittlungsstelle
zu verbindende Teilnehmerstelle Tln vor-esehen. Ihre Speisung soll durch die Speiseeinrichtung
Sp erfolgen, die beispielsweise eine in der deutschen Auslegeschrift 1199 827
beschriebene elektronische Speiseschaltung sein kann. In die Sprechader a ist die
Emitter-Kollektor-Strecke des Koppeltransistors 1 eingefügt. Der Koppeltransistor
gehört beispielsweise zum Typ npn und wird daher durch das seiner Basiselektrode
über die Diode 11
und den Widerstand 21 zugeführte negative Potential Ul in
seinem Sperrzustand gehalten. Die Widerstände seiner Kollektor-Basis- und seiner
Basis-
Emitter-Strecke sind daher sehr hoch, während gleichzeitig
der Widerstand21 als Basisableitwiderstand und damit als verhältnismäßig niedriger
Querwiderstand des T-Gliedes wirksam ist. Die außerdem dargestellten Transistoren3
und 5 sind im Sperrzustand des Koppeltransistors 1 ebenfalls gesperrt
und haben daher keinen Einfluß.
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Für die Herbeiführung des Durchlaßzustandes des Koppeltransistors
1 wird an den Punkt P ein negatives Steuerpotential angelegt, das über den
Widerstand 25 zu der Basiselektrode des Steuertransistors 3
gelangt.
Die parallel angeschaltete Diode 13 begrenzt die Größe des Steuerpotentials
der Basiselektrode auf den Wert der konstanten Spannungsquelle U3.
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Vermöge dieses negativen Steuerpotentials wird in dem Steuertransistor
3, der im Gegensatz zum Koppeltransistor 1 den Typ pnp aufweist,
ein Arbeitspunkt im dynamischen Teil des Kennlinienfeldes eingestellt. Dieser Arbeitspunkt
wird außerdem durch den in die Emitterzuleitung eingefügtenGegenkopplungswiderstand
23 stabilisiert. Es ergibt sich hieraus für den differentiellen Innenwiderstand
der Kollektor-Emitter-Strecke des Steuertransistors 3
ein sehr hoher Wert.
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In den Stromweg des Steuertransistors 3 ist außerdem die Steuerstrecke
des Transistors 5 geschaltet, der bei der Einschaltung des Transistors
3
ebenfalls leitend wird und durch Anlegen von positivem Potential die Diode
11 sperrt.
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Der Koppeltransistor 1. wird durch den Steuertransistor
3 in die Sättigung gesteuert. Es wird dabei der Widerstand der Emitter-Kollektor-Strecke
sehr niedrig gesteuert. Die Dämpfung des T-Gliedes wird dabei minimal, weil nicht
nur der Serienwiderstand sehr niedrig, sondern auch der Querwiderstand des T-Gliedes
nach der Sperrung der Basisableitdiode 11
nur aus dem hohen differentiellen
Innenwiderstand des Steuertransistors 3 besteht.
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Die Ansteuerung des Koppelpunktes braucht nicht nur durch Anlegen
negativen Steuerpotentials an den Punkt P zu erfolgen, sie kann auch allein oder
zusätzlich durch Anlegen positiven Steuerpotentials an die in diesem Falle nicht
geerdete Emitterelektrode des Transistors 5 erfolgen.
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In F i g. 2 ist jeweils ein aus einem Koppeltransistor
1 bzw. 2, einem Steuertransistor 3 bzw. 4 und einer Basisableitdiode
11 bzw. 12 und ihrem Sperrtransistor 5 bzw. 6 bestehendes T-Glied
in die beiden Sprechaderna und beingefügt.DieTransistoren2,4,6 des zweitenT-Gliedes
weisen dabeijedochjeweils den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp der entsprechenden
Transistoren 1, 3, 5 des ersten T-Gliedes auf. Ebenso weisen die Basisableitdiode
12, die die Steuerspannung des Steuertransistors 4 begrenzende Diode 14 und die
dazugehörige Spannungsquelle U4
die entgegengesetzte Polung auf.
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Für die Steuerung der beiden T-Glieder können an sich entgegengesetzte
Steuerpotentiale über die vorgeschalteten Widerstände 25 bzw. 26 den
Basiselektroden der beiden Steuertransistoren 3 und 4 zugeführt werden. Es
ist aber auch möglich, die Steuerung des zweiten T-Gliedes selbsttätig durch das
erste T-Glied besorgen zu lassen, in dem der Widerstand 26 an die Kollektorelektrode
des Sperrtransistors 5
des ersten T-Gliedes angeschlossen wird. Bei der Überführung
des Koppeltransistors 1 in den Durchlaßzustand wird der Sperrtransistor
5 leitend. Das an seiner Kollektorelektrode entstehende positive Potential
bewirkt die Steuerung des zweiten T-Gliedes in den Durchlaßzustand.