DE2034318B2 - Transistorverstaerker - Google Patents

Transistorverstaerker

Info

Publication number
DE2034318B2
DE2034318B2 DE19702034318 DE2034318A DE2034318B2 DE 2034318 B2 DE2034318 B2 DE 2034318B2 DE 19702034318 DE19702034318 DE 19702034318 DE 2034318 A DE2034318 A DE 2034318A DE 2034318 B2 DE2034318 B2 DE 2034318B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
emitter
output terminal
amplifier
diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19702034318
Other languages
English (en)
Other versions
DE2034318A1 (de
Inventor
-Poothathamby Nimwegen Tharmaratnam (Niederlande)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2034318A1 publication Critical patent/DE2034318A1/de
Publication of DE2034318B2 publication Critical patent/DE2034318B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
    • H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
    • H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0761—Vertical bipolar transistor in combination with diodes only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
    • H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
    • H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0664—Vertical bipolar transistor in combination with diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/187—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/347—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/60—Substation equipment, e.g. for use by subscribers including speech amplifiers
    • H04M1/6008—Substation equipment, e.g. for use by subscribers including speech amplifiers in the transmitter circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

4. Transistorverstärker nach Anspruch 1, 2 den Leitungsadern zugeführten Speisespannung zwi- oder 3 in Form einer integrierten Schaltung, da- 45 sehen einer Leitungsader und einer Ausgangsklemme durch gekennzeichnet, daß in einer Insel vom und zwischen der anderen Leitungsader und der aneinen Leitfähigkeitstyp, die als Kollektorzone des deren Ausgangsklemme stets eine leitende Diode vorersten bzw. zweiten Transistors wirksam ist, Ba- handen isi. Über diese beiden Dioden tritt ein Spansis- und Emitterzonen angebracht sind und daß nungsabfall auf. Wenn diese Dioden gemeinsam mit eine leitende Verbindung zwischen der Emitter- 50 dem Verstärker in einem Halbleiterkörper inzone und der die Insel umgebenden Trenndiffu- tegriert sind, beträgt dieser Spannungsabfall etwa sionszone vom anderen Leitfähigkeitstyp ange- 2-0,9 = 1,8 V. Dies bedeutet, daß, wenn die den bracht ist (F i g. 3). Leitungsadern zugeführte Speisespannung gleich
5. Transistorverstärker nach Anspruch 1, 2 EVoIt ist, die den Ausgangsklemmen zugeführte oder 3 in Form einer integrierten Schaltung, da- 55 Speisespannung gleich (E-1,8 V) ist. Diese Spandurch gekennzeichnet, daß in einem Substrat vom nungserniedrigung hat z. B. zur Folge, daß die zuläseinen Leitfähigkeitstyp mindestens zwei Zonen sige Kabellänge der Teilnehmerleitung stark herabvom anderen Leitfähigkeitstyp angebracht sind, gemindert wird.
in denen mindestens je zwei Zonen vom ersten Bei integrierten Verstärkern im allgemeinen kann
Leitfähigkeitstyp angebracht sind, welche letzte- 60 zwischen der Speisequelle und den Speisepunkten des
ren Zonen paarweise leitend verbunden sind, wäh- Verstärkers eine integrierte Diodenbrücke angebracht
rend eine der zuerst genannten Zonen leitend mit werden, um zu vermeiden, daß bei einem falschen
dem Substrat verbunden ist (F i g. 4). Anschluß der Speisequelle an die erwähnten Speisepunkte der Verstärker vernichtet wird. Dies hat wei-
65 terhin den Nachteil, daß ein Spannungsverlust von
etwa 1,8 V auftreten wird, was häufig unzulässig ist.
Die Erfindung betrifft einen Transistorverstärker Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen von der
mit mindestens einem ersten Transistor, dessen KoI- Polung der Speisespannung unabhängigen Betrieb des
Verstärkers bei minimalsten Spannungsverlusten zu ermöglichen.
Dies wird dadurch erreicht, daß der Verstärker einen zweiten Transistor vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor enthält daß der Emitter des ersten Transistors über die Emitter-Kollektor-Strecke des zweiten Transistors mit der zweiten Ausgangsklemme und die Basiselektrode des ersten mit der des zweiten Transistors verbunden ist und diesem Verbindungspunkt das zu verstärkende Signal zugeführt wird, und daß sowohl der Emitter und der Kollektor des ersten Transistors als auch der Emitter und der Kollektor des zweiten Transistors jeweils über eine Diode miteinander verbunden sind, wobei sich die dem jeweils gesperrten Transistor zugehörige Diode im leitenden Zustand befindet.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Basiselektrode des ersten Transistors über eine erste Reihenschaltung der Basis-Emitter-Strecken einer Anzahl von Transistoren mit dem Verbindungspunkt und die Basis des zweiten Transistors auch über eine zweite Reihenschaltung der Basis-Emitter-Strecken einer Anzahl von Transistoren mit dem Verbindungspunkt verbunden, wobei die Kollektoren der Transistoren der ersten Reihenschaltung mit der ersten Ausgangsklemme und die Kollektoren der Transistoren der zweiten Reihenschaltung mit der zweiten Ausgangsklemme verbunden sind.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine Ausführungsform des Transistorverstärkers nach der Erfindung,
F i g. 2 weitere Einzelheiten einer Ausführungsform des Transistorverstärkers nach der Erfindung,
F i g. 3 und 4 zwei Ausbildungen von Halbleiterelementen zur Verwendung in einem Transistorverstärker nach den F i g. 1 und 2.
Nach F i g. 1 ist der Kollektor des ersten Transistors T1 mit der ersten Ausgangsklemme E1 verbunden. Der Emitter des ersten Transistors ist über die Emitter-Kollektor-Strecke des zweiten Transistors T2 mit der zweiten Ausgangsklemme E, verbunden. Die Basis des ersten Transistors ist mit der Basis des zweiten Transistors v.-rbunden, und das zu verstärkende Signal V1 wird zwischen dem Verbindungspunkt der Basiselektroden der beiden Transistoren mit dem Verbindungspunkt der Emitterelektroden der beiden Transistoren zugeführt. Die Kollektor-Emitter-Strecke des ersten Transistors ist durch die Diode D1 überbrückt, die leitend wird, sobald die Emitter-Kollektor-Strecke des ersten Transistors eine gegenüber dem Normalbetrieb entgegengesetzt gepolte Spannung empfängt. Die Kollektor-Emitter-Strecke des zweiten Transistors ist durch die Diode D2 überbrückt, die leitend wird, sobald die Emitter-Kollektor-Strecke des zweiten Transistors eine gegenüber dem Normalbetrieb entgegengesetzt gepolte Spannung empfängt. Die Ausgangsklemmen E1 und E2 des Verstärkers können z. B. über eine Teilnehmerleitung A an ein Fernsprechsystem T angeschlossen werden, das eine Speisebatterie E in Reihe mit einer Ausgangsimpedanz enthält. Diese Batterie E liefert während der Gvsnrächsübertragung durch die Teilnehmerleitung A die Speisegleichspannung für den Verstärker. Die Basis des Transistors T1 ist über den Widerstand R14 mit Ausgangsklemme E1 verbunden, während die Basis des Transistors T2 über den Widerstand R2i mit der Ausgangsklemme E2 verbunden ist. Die Basis des Transistors T1 ist über den Widerstand A11 und die Basis des Transistors T2 ist über den Widerstand A21 mit dem Verbindungspunkt der Emitter der beiden Transistoren verbunden.
Vorausgesetzt, daß die Ausgangsklemme E1 nach dem Anschluß des Verstärkers an die Teilnehmerleitung A eine positive Polarität in bezug auf die Ausgangsklemme E2 aufweist, ist die Wirkungsweise des Verstärkers nach Fig. 1 wie folgt Da E1 ein posi-
tives Potential aufweist, sind der Transistor T1 und die Diode D2 im leitenden Zustand. Es fließt ein Strom von der Ausgangsklemme E1 zur Ausgangsklemme E2, und zwar nacheinander durch den Transistor T1 und die Diode P2. In dieser Strombahn ist
nur eine Diode D2 vorhanden, so daß der Spannungsverlust auf eine Übergangssp -nung, d. h. die der Diode D0, beschränkt wird. Die Anwesenheit der Diode D2" parallel zur Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors T2 hat den zusätzlichen Vorteil, daß der
Transistor T2 vor Durchschlag geschützt wird. Das Emi.terpotential dieses Transistors ist höher als das Basispotential desselben, so daß die Basis-Emitter-Diode in dem gesperrten Zustand ist. Da die Durchschlagspannung der Basis-Emitter-Diode eines Transistors meist niedrig ist, ist es notwendig, die Spannung über der gesperrten Basis-Emitter-Diode gering zu halten. Dies wird durch die Anwesenheit der Diode D2 bewerkstelligt.
Bei der vorhergehenden Beschreibung der Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 wird davon ausgegangen, daß die Ausgangsklemme E1 in bezug auf die Ausgangsklemme E2 ein positives Potential aufweist. Es wird einleuchten, daß, wenn die Ausgangsklemme E, in bezug auf die Ausgangsklemme E1 ein positives Potential aufweist, die Wirkungsweise der Anordnung ähnlich ist. Es fließt dann ein Strom von der Aiisgangsklemme E1, und zwar nacheinander durch den Transistoi T2 und die Diode D1. In der betreffenden Strombahn ist dann nur die Diode D1 vorhanden, so daß der Spannungsverlust auch dann auf eine Übergangsspannung (?« 0,9 V) beschränkt ist. Die Diode D1 schützt dabei außerdem den Transistor T1.
F i g. 2 zeigt eine andere Ausführungsform des Transistorverstärkers nach der Erfindung. Die Basis des ersten Transistors T1 ist über die Reihenschaltung der Emitter-Basis-Strecken der Transistoren T12, T13, des Widerstandes R19 und der Diode Dls mit dem Ausgang V0 dt s Vorverstärkers V </erbunden. Die
Kollektorelektroden der beiden Transistoren T12, T13 sind unmittelbar mit der ersten Ausgangsklemme E1 ähnlich wie der Kollektor des Transistors T1 verbunden. Der Emitter des Transistors T13 ist über den Widerstand R12 mit der Basis des Transistors T1 ver-
bunden, während die Basis des Transistors T1 über den Widerstand R1 mit dessen Emitier verbunden ist. Die Basis des Transistors T13 ist über den Widerstand Ru mit der errten Ausgangsklemme E1 verbunden. Die Basis des zweiten Transistors T2 ist über die Reihenschaltung der Emitter-Basis-Strecken der Transistoren T22, T23, des Widerstandes R23 und der Diode D23 mit dem Ausgang V0 des Vorverstärkers V verbunden. Die Kollektorelektroden der beiden Transistoren T22, T23 sind unmittelbar mit der zweiten
Ausgangsidemme E2 ähnlich wie der Kollektor des Transistors T2 verbunden. Der Emitter des Transistors R23 ist über den Widerstand A22 mit der Basib des Transistors T2 verbunden, während die Basis des
Transistors T2 über den Widerstand Rn mit dessen Dies hat den Vorteil, daß für die Dioden D1 und D2 Emitter verbunden ist. Die Basis des Transistors T23 vorhandene Substratdioden benutzt werden können, ist über den Widerstand i?24 mit der zweiten Aus- Außerdem ist es bei der Herstel; mg integrierter gangsklemme E2 verbunden. Die Emitter der Transi- Schaltungen einfach, identische oder nahezu idenstoren T1 und T2 sind miteinander verbunden, wäh- 5 tische Transistoren anzubringen, wodurch die Verrend sowohl der Emitter und der Kollektor des ersten Stärkungen des oberen und des unteren Verstärkers Transistors T1 auch der Emitter und der Kollektor einander genau gleich gemacht werden können,
des zweiten Transistors T2 über je eine Diode (D1 Fig. 3 zeigt eine praktische Ausführung eines bzw. D2) miteinander verbunden sind. Der Vorver- solchen Transistors T1 mit der Diode D1. Auf einem stärker V hat zwei Speisepunkte X1 und X2, denen io Substrat 30 von p-Typ-L^itfähigkeit ist eine dünne, die Speisespannung zugeführt wird. Der Speisepunkt epitaktische Schicht 31 vom η-Typ angebracht, in X2 ist mit den Emittern der beiden Transistoren T1 der auf übliche Weise eine p-Typ-Diffusionstrennzone und T2 verbunden. Der Speisepunkt X1 ist einerseits 32, eine p-Typ-Bas'szone 33 und eine n-Typ-Emitterüber die eine Kollektor-Emitter-Strecke eines Mehr- zone 34 vorgesehen sind, während die verbleibende fachemittertransistors T0 mit der ersten Ausgangs- 15 Insel 35 der epitaktischen Schicht als Kollektorzone klemme E1 und andererseits über die andere KoI- dient. Diese Kollektorzone 35 ist mit einem Metalllektor-Emitter-Strecke des Mehrfachemittertransistors kontakt 36 versehen, der gegebenenfalls gleichzeitig T0 mit der zweiten Ausgangsklemme E2 verbunden, mit der Kontaktdiffusion für die Emitterzone 34 anwobei die Basis des Mehrfachemittertransistors mit gebracht werden kann und der eine Verbindung mit dem Kollektor desselben verbunden ist. ao der Elektrode E, (F i g. 1 und 2) herstellt. Indem der
Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach auf der Zone 34 angebrachte Emitterkontakt 37 durch Fig. 2 ist ähnlich der der Anordnung nach Fig. 1. eine leitende Bahn 38 mit einem auf der Diffusions-Wenn die Ausgangsklemme E1 in bezug auf die Aus- trennzone 32 angebrachten Kontakt 39 verbunden gangsklemme E2 ein positives Potential aufweist, ist wird, bild t der pn-übergang zwischen den Zonen der obere, durch die Transistoren T13, T12 und T1 as 30, 32 und 35 die Diode D1, die antiparallel zur gebildete Verstärker wirksam. Der untere, durch die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors der Zonen Transistoren T23, T22 und T2 gebildete Verstärker ist 34, 33, 35 geschalte* ist. Durch ede Wahl eines verdabei durch die leitende Diode D2 kurzgeschlossen. hältnismäßig großen Kontaktes 36 wird erreicht, daß Die Diode D13 ist dann im leitenden Zustand, wo- der Eigenreihenwiderstand der Diode D1 minimal ist. durch der Ausgang V0 der Vorverstärkerstufe V mit 30 Es wird einleuchten, daß der Transistor T2 auf dem Basiseingang des Transistors T13 verbunden gleiche Weise in einer zweiten Insel gebildet werden wird. Die Diode D23 ist im nichtleitenden Zustand, kann.
wodurch erreicht wird, daß die Widerstände R23 und Im Prinzip läßt sich die Schaltungsanordnung nach Ru den Ausgang V0 der Vorverstärkerstufe nicht be- F i g. 1, wie dies in F i g. 4 dargestellt ist, ohne irgendlasten. Wenn die AusgangsklemmeE2 ein positives 35 welche Trenndiffusion herstellen, indem z.B. von Potential gegen die Ausgangsklemme E1 führt, wird einem als Emitter wirksamen Substrat 40 z. B. vom der untere Verstärker wirksam sein und der obere η-Typ ausgegangen wird, wobei nacheinander p- und Verstärker nicht. Die Diode D23 ist dann im leitenden η-Zonen diffundiert werden, wobei die Zonen 40, 41, Zustand, wodurch der Ausgang K0 des Vorverstärkers 42 bzw. den Emitter, die Basis und den Kollektor mit der Basis des Transistors T23 verbunden wird. 40 des Transistors T1 und die Zonen 40, 41, 43 die-Die Diode D13 ist im nichtleitenden Zustand, wodurch selben des Transistors T2 bilden. Die Dioden D1 und erreicht wird, daß die Widerstände R13 und Ru den D2 werden durch die Zonen 44, 45 bzw. 44, 46 geAusgang V0 des Vorverstärkers nicht belasten. Die bildet, wobei wieder die Zonen 42 und 45 bzw. 43 Verbindung des Speisepunktes X1 über unterschied- und 46 über leitende Bahnen verbunden sind,
liehe Kollektor-Emitter-Strecken des Mehrfach- 45 Der pn-übergang zwischen den Zonen 44 und 40 emittertransistors mit den beiden Ausgangsklemmen ist an der Stelle des verhältnismäßig großen Mitallergibt den Vorteil, daß die Polarität der am Speise- kontaktes47 kurzgeschlossen, wodurch die Dioden punktur, vorhandenen Spannung stet» die gleiche ist 44,45 bzw. 44,46 einerseits mit der Emitterzone 40 Es wird auf diese Weise vermieden, daß die Vorver- verbunden sind und außerdem eineTrareistorig stärkerstufe bei wechselnder Polarität der den Aus- 50 der Zonen 40, 44, 45 bzw. 40, 44, 46 verhüten. Es gangsklemmen zugeführten Speisespannung zerstört wird einleuchten, daß bei dieser Konfiguration eine wird. minimale Anzahl von Bearbeitungsstufen erforderlich
Der Verstärker nach der Erfindung eignet äch vor- ist, sei es auf Kosten der Verstärkung, die dabei
züglich zur Verwendung in integrierten Schaltungen. emelbar ist
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

ρ«*«.*™«™,.!,.. lektor mit einer ersten Ausgangsklemme und dessen ratentansprucne. Emitter mit einer zweiten Ausgangsklemme verbun-
1. Transistorverstärker mit mindestens einem den sind, welchen Ausgangsklemmen die Speisespanersten Transistor, dessen Kollektor mit einer er- nung zugeführt wird. Solche Verstärker werden z. B. sten Ausgangsklemme und dessen Emitter mit 5 häufig in Fernsprechsystemen als Mikrophonverstäreiner zweiten Ausgangsklemme verbunden ist, ker verwendet Jede der beiden Ausgangsklemmen weichen Ausgangsklemmen die Speisespannung wird dabei an die Leitungsader einer Teilnehmerleizugeführt wird, dadurch gekennzeich- tung angeschlossen. Diese Teilnehmerleitung wird η e t, daß der Verstärker einen zweiten Transistor während der Gesprächsübertragung mit einer Speisevom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der erste Tran- io brücke verbunden, die die Speisespannung des Versistor enthält, daß der Emitter des ersten Tran- tlärkers liefert Einerseits wird das verstärkte Mikrosistors über die Emitter-Kollektor-Strecke des phonsignal den Ausgangsklemmen entnommen, und zweiten Transistors mit der zweiten Ausgangs- andererseits wird über die Teilnehmerleitung die klemme und die Basiselektrode des ersten mit der Speisespannung den Ausgangsklemmen zugeführt
des zweiten Transistors verbunden ist und diesem 15 Um den Verstärker gegen die über den Leitungs-Verbindung 4 unkt das zu verstärkende Signal zu- ädern auftretende Polarität der Speisespannung ungeführt wird, und daß sowohl der Emitter und empfindlich zu machen, wird zwischen der Teilnehder Kollektor des ersten Transistors als auch der merleitung und den Ausgangsklemmen des Verstär-Emitter und der Kollektor des zweiten Transistors kers häufig eine Diodenbrücke vorgesehen. Die jeweils über eine Diode miteinander verbunden 20 Diodenbrücke wird durch die Parallelschaltung zweier sind, wobei sich die dem jeweils gesperrten Tran- Zweige gebildet, die zwischen den beiden Verstärkersistor zugehörige Diode im lei .enden Zustand be- ausgangsklemmen angebracht sind. Jeder der beiden findet. Zweige enthält die Reihenschaltung zweier Dioden.
2. Transistorverstärker nach Anspruch 1, da- Die Dioden der beiden mit der ersten Ausgangsdurch gekennzeichnet, daß die Basis des ersten 25 klemme verbundenen Zweige sind durch ihre gleich-Transistors über eine erste Reihenschaltung der poligen Elektroden mit dieser Ausgangsklemme verBasis-Emitter-Strecken einer Anzahl von Tran- bunden. Gleichfalls sind die beiden anderen Dioden sistoren mit dem VerbiadungSj/unkt verbunden ist durch ihre gleichpoligen Elektroden mit der zweiten und daß die Basis des „weiten Transistors auch Ausgangsklemme verbunden. Die eine Ader der Teilüber eine zweite Reihenschatcung der Basis- 30 nehmerleitung wird an den Speisepunkt der beiden Emitter-Strecken einer Anzahl von Transistoren Dioden des einen Zweiges, und die andere Ader der mit dem Verbindungspunkt verbunden ist, wobei Teilnehmerleitung wird an den Verbindungspunkt die Kollektoren der Transistoren der ersten Rei- der Dioden des anderen Zweiges angeschlossen. Unhenschaltung mit der ersten Ausgangsklemme und abhängig von der über den erwähnten Leitungsadern die Kollektoren der Transistoren der zweiten 35 auftretenden Polarität der Speisespannungen ist die Reihenschaltung mit der zweiten Ausgangs- an den beiden Ausgangsklemmen auftretende Polariklemme verbunden sind. tat der Speisespannung stets dieselbe.
3. Transistorverstärker nach Anspruch 2, da- Der Nachteil der vorstehend beschriebenen Lösung durch gekennzeichnet, daß sowohl die erste Rei- zum Unempfindlichmachen des Verstärkers gegen die henschaltung als auch die zweite Reihenschaltung 40 über der Ader der Teilnehmerleitung auftretende über je eine Diode mit dem Punkt verbunden Polarität der Speisespannung ist der, daß Verlust an sind, dem das zu verstärkende Signal zugeführt Speisespannung auftritt. Dieser Verlust ist darauf zuwird, rückzuführen, daß unabhängig von der Polarität der
DE19702034318 1969-11-11 1970-07-10 Transistorverstaerker Pending DE2034318B2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6916988A NL6916988A (de) 1969-11-11 1969-11-11
NL7007313A NL7007313A (de) 1969-11-11 1970-05-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2034318A1 DE2034318A1 (de) 1971-05-19
DE2034318B2 true DE2034318B2 (de) 1972-08-31

Family

ID=26644491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702034318 Pending DE2034318B2 (de) 1969-11-11 1970-07-10 Transistorverstaerker

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3665330A (de)
JP (1) JPS521244B1 (de)
DE (1) DE2034318B2 (de)
DK (1) DK142800B (de)
FR (1) FR2071627A5 (de)
GB (1) GB1305730A (de)
NL (2) NL6916988A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2856072A1 (de) * 1978-11-08 1980-05-14 Int Standard Electric Corp Sendeverstaerker fuer fernsprechanlagen

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL170901C (nl) * 1971-04-03 1983-01-03 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
SE351335B (de) * 1972-01-05 1972-11-20 Ericsson Telefon Ab L M
DE2718644C2 (de) * 1977-04-27 1979-07-12 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Monolithisch' integrierte Halbleiterdiodenanordnung und deren Verwendung als Gehörschutzgleichrichter
IT1212518B (it) * 1982-01-29 1989-11-22 Ates Componenti Elettron Circuito raddrizzatore a ponte di transistori, con protezione controle sovracorrenti, per uso telefonico.
EP0491217A1 (de) * 1990-12-19 1992-06-24 Siemens Aktiengesellschaft Integrierte Transistor-Freilaufdioden-Anordnung
DE4333359C2 (de) * 1993-06-26 2002-08-14 Bosch Gmbh Robert Monolithisch integrierte Leistungsendstufe
KR101825567B1 (ko) * 2011-08-31 2018-02-05 삼성전자 주식회사 단말장치의 마이크로폰 극성 제어장치 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2856072A1 (de) * 1978-11-08 1980-05-14 Int Standard Electric Corp Sendeverstaerker fuer fernsprechanlagen

Also Published As

Publication number Publication date
DK142800B (da) 1981-01-26
NL6916988A (de) 1971-05-13
GB1305730A (de) 1973-02-07
JPS521244B1 (de) 1977-01-13
FR2071627A5 (de) 1971-09-17
DK142800C (de) 1981-09-07
NL7007313A (de) 1971-11-23
US3665330A (en) 1972-05-23
DE2034318A1 (de) 1971-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2901727C2 (de)
DE932435C (de) Verstaerkerschaltung mit Transistoren
DE2166507A1 (de) Bezugsspannungsschaltung
DE2407291A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE2500057C2 (de) Schaltungsanordnung zur Frequenzstabilisierung einer integrierten Schaltung
DE3144908C2 (de) Stromversorgungsschaltung zur Stromversorgung eines Teilnehmerapparats bei einer Telefonanlage
DE3302912C2 (de)
DE2112842A1 (de) Verstaerker-Schutzschaltung
DE3400973A1 (de) Monolithisch integrierte gleichrichterbrueckenschaltung
DE2034318B2 (de) Transistorverstaerker
DE2852200C2 (de)
DE2812785A1 (de) Halbleiter-signaluebertragungsschaltung
DE1926182A1 (de) Monolithische integrierte Halbleiterschaltung
DE3224209C2 (de)
DE2506034B2 (de) Schaltungsanordnung zum elektronischen durchschalten einer wechselspannung
DE2603263C3 (de) Leistungsverstärker mit Überlastungsschutz
EP0107133B1 (de) Schaltungsanordnung zum Speisen einer eine konstante Betriebsspannung liefernden Stromversorgungseinrichtung
DE68912415T2 (de) Integrierte Stromspiegelschaltung mit vertikalen Transistoren.
DE69030977T2 (de) Pufferschaltung mit einem elektrostatischen Schutz
EP0826241B1 (de) Schaltungsanordnung zur verringerung einer minoritätsträgerinjektion in ein substrat
DE2254865A1 (de) Eingangsschaltung fuer einen mehremitter-transistor
DE1805855A1 (de) Gegentaktverstaerker
DE2360648A1 (de) Verstaerkerschaltung mit hoher eingangsimpedanz
DE1638010C3 (de) Festkörperschaltkreis für Referenzverstärker
DE1814887C3 (de) Transistorverstärker