DE2254865A1 - Eingangsschaltung fuer einen mehremitter-transistor - Google Patents

Eingangsschaltung fuer einen mehremitter-transistor

Info

Publication number
DE2254865A1
DE2254865A1 DE2254865A DE2254865A DE2254865A1 DE 2254865 A1 DE2254865 A1 DE 2254865A1 DE 2254865 A DE2254865 A DE 2254865A DE 2254865 A DE2254865 A DE 2254865A DE 2254865 A1 DE2254865 A1 DE 2254865A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitter
circuit
diode
supply source
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2254865A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2254865B2 (de
Inventor
Charles Felix Madrazo
Robert George Saenz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE2254865A1 publication Critical patent/DE2254865A1/de
Publication of DE2254865B2 publication Critical patent/DE2254865B2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01—Modifications for accelerating switching
    • H03K19/013—Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/8605—Resistors with PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346—Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00353—Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in bipolar transistor circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/088—Transistor-transistor logic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

7466-72/Kö/S
RCA.Docket No.: 64,590
Convention Date:
November 9, 1971
RCA Corporation, New York, N.Y., V.St.A.
Eingangsschaltung für einen Mehremitter-Transistor
Die Erfindung betrifft eine Eingangsschaltung für einen Mehremitter-Transistor, dessen Emittern Eingangssignale zuführbar sind und dessen Basis mit einem Betriebsspannungsanschluß Vpr verbunden ist, wobei an jeden Emitter ,-jeweils eine Diode angeschlossen ist, die in bezug auf die betreffende Emitter-Basisdiode in Sperrichtung gepolt und zwischen den betreffenden Emitter und einen Bezugspotentialpunkt geschaltet ist.
Figur 1 zeigt die bekannte Eingangsschaltung einer weithin gebräuchlichen integrierten T L-Schaltung. Der Transistor 10 ist ein Mehremitter-Transistor mit drei Emittern 12, 14 und 16. (In der Praxis können stattdessen auch zwei, drei, vier oder mehr Emitter vorgesehen sein.) Diese Emitter dienen als Eingänge für drei Signale A, B und C und liegen jeweils über eine Diode 1%, bzw. 22 an Masse. Die Basis 24 des Transistors 10 ist über einen Widerstand 26 mit einem Betriebsspannungsanschluß 28 für die Betriebsspannung +Vcc verbunden. Der Kollektor 30 des Transistors ist an eine weitere Transistorstufe, und zwar im vorliegenden Fall an die Basis eines Transistors 32 angeschaltet. Der integrierte Schaltungsbaustein enthält noch eine Anzahl von weiteren Transistoren, die jedoch ebenso wie, der Transistor 32 für die vorliegende Erläuterung von keiner besonderen Bedeutung sind und daher nicht mehr erwähnt werden.
309819/1082
225A865
■> _
Die Schaltung nach Figur 1 arbeitet völlig zufriedenstellend, wenn alle drei Eingangssignale benutzt werden. Wenn im Betrieb alle drei Signale A, B und C einen relativ hohen Wert haben, d.h. relativ positiv sind und beispielsweise dicht beim Wert von +Vrr liegen, so wird der Transistor 10 ausgeschaltet (gesperrt). Nimmt eines der Signale A, B und C einen relativ niedrigen Wert, beispielsweise Massepotential an, so wird der Transistor 10 eingeschaltet (leitend).
Wenn der Schaltwerkkonstrukteur dagegen einen der Eingänge ohne Signalansteuerung lassen will, so ergeben sich Probleme. Beispielsweise sei angenommen, daß der Eingang C anschlußfrei, d.h. ohne Signalansteuerung bleibt. Wenn dann einer der anderen Eingänge ein relativ niederpegeliges Signal empfängt, so ist die am Emitter 16 liegende verteilte Kapazität, gestrichelt angedeutet bei 34* bestrebt, sich auf diesen relativ niedrigen Wert aufzuladen, d.h. der Eingang neigt dazu, auf den relativ niedrigen Wert abzufallen. Als Ladeweg kann dabei der Kriechstromweg vom Emitter 14 zum Emitter 16 dienen. Wenn zu einem späteren Zeitpunkt die Signale A und B auf den hohen Pegel schalten, verhindert die an der verteilten Kapazität 34 anstehende niedrige Spannung, daß der Transistor augenblicklich ausschaltet. Bei Vorhandensein einer unbenutzten Elektrode, die anschlußfrei bleibt, verlangsamt sich daher das Arbeiten der Schaltung. Außerdem kann bei ausgeschaltetem (gesperrtem) Transistor 10 die Spannung an der verteilten Kapazität 34 auf den Wert der Schwellenspannung gehen, wodurch die Störunanfälligkeit der Schaltung verringert wird, so daß ein Störsignal den Transistor 10 möglicherweise in den leitenden Zustand schaltet, was selbstverständlich ebenfalls unerwünscht ist.
Es gibt eine Reihe von bekannten Lösungsvorschlägen für dieses Problem, deren jeder jedoch gewisse Nachteile hat. Ein solcher Lösungsvorschlag sieht vor, einen unbenutzten Eingang direkt mit einem benutzten Eingang zu verbinden. Wenn beispielsweise der Eingang C ein unbenutzter Eingang ist, so kann er direkt mit dem Eingang B zusammengeschaltet werden. Dies ist dann eine völlig zufriedenstellende Lösung,wenn die Anzahl der Emitter beschränkt ist. In der Praxis wurde gefunden, daß zwei solche Eingänge zu-
309819/1082
s ammenge s cha It et inerden können, ohne daß das Arbeiten der Schaltung dadurch ernsthaft beeinträchtigt wird. Werden jedoch drei oder mehr Emitter direkt zusammengeschaltet, so wird die Eingangskapazität am Punkt der Zusammenschaltung entsprechend größer, und durch diese erhöhte Belastung für das Eingangs- oder Ansteuersignal verlangsamt sich das Arbeiten der Schaltung. Durch die zusätzliche Belastung verringert sich auch die Anzahl der von der Treiber- oder Ansteuersttife steuerbaren Stufen (d.h. die "Verzweig gung" oder Ausgangszahl der Ansteuerstufe). Schließlich erhöht sich bei zusätzlichen Verbindungen oder Zusammenschaltungen die Möglichkeit von Verdrahtungsfehlern.
Ein anderer Lösungsvorschlag geht dahin, den unbenutzten Eingang mit einem Anschluß außerhalb des Schaltungsplättchens, beispielsweise einem Anschluß auf der Rückseite z.B. eines Chassis mit dem Zentralteil (zentrale Verarbeitungseinheit) einer digitalen Ilechenanlage zu verbinden. Dieser Anschluß kann dann über einen relativ hochohmigen Widerstand an einen Betriebsspannungsanschluß wie +Vrr angeschlossen werden. Jedoch hat sich auch diese Lösung aus mehreren Gründen als unbefriedigend erwiesen. So sind einmal zusätzliche Drähte erforderlich, und in manchen Fällen, beispielsweise bei Rückseitenverdrahtung, sind bereits sehr viele Drähte vorhanden, so daß die zusätzlichen Drähte Auslegungs- und Verdrahtungsprobleme mit sich bringen. Außerdem ist das Anbringen der Verdrahtung und das Anschließen des 'Widerstands mit zusätzlichen Kosten verbunden.
Ein weiterer Lösungsvorschlag sieht vor, die Widerstände in die zwischen den Emitter und den +V^-Anschluß geschaltete integrierte Schaltung einzubauen. Dabei ist jedoch von Nachteil, daß die "widerstände einen ziemlich großen Wert haben müssen, damit eine übermäßige Stromentnahme vermieden wird, wenn ein benutzter Eingang auf den niedrigen Pegel schaltet. Ein hochohmigor Widerstand beansprucht, im Falle von sogenannten "diffundierten" Widerständen (dargestellt in Figur-.,?), verhältnismäßig viel Platz auf dem Schaltungsplättchen. Erstens 1IaPn dieser Platz oder diese benötigte Fläche auf dem Schal tun/rsplättchen nicht ohne weiteres ;mders%vo einsrespart werden, und zweitens erhöhen sich die Kosten
309819/1082
225A865
eines Schaltungsplättchens ungefähr proportional zu der zusätzlich benötigten Fläche. Die Verwendung- von diffundierten Wider ständen ist vorzuziehen, da sie in ihrem Wert penau kontrollierbar sind. Zwar könnte man die benötigte Plättchenfläche dadurch verringern, daß man sogenannte Einschnürungs- oder "Pinch"-Widerstände (dargestellt in Figur 4) verwendet; jedoch kann beim derzeitigen Stand der Technik der Wert solcher Widerstände nicht genau vorausgesagt oder vorherbestimmt werden. Weitere mit diesem Lösungsvorschlag: verbundene Probleme werden später erörtert.
Die vorliegende Erfindung beruht zum Teil auf der Erkenntnis, daß unter bestimmten Betriebsbedingungen mitunter zusätzliche Probleme auftreten, xvenn man den zuletzt erörterten Lösungsvorschlag zu realisieren versucht. So stellt sich heraus, daß, wenn die Ansteuerschaltung aus einer anderen Energieversorgungsquelle gespeist wird als die angesteuerte Schaltung mit den oben genannten Schaltungselementen, die Energieversorgungsquelle für die angesteuerte Schaltung, wenn sie bei eingeschaltet bleibender Energieversorgungsquelle für die Ansteuerschaltung ausgeschaltet wird, beim Wiedereinschalten u.U. nicht eine Spannung des erforderlichen Wertes liefert. In diesem Fall fließt ein verhältnismäßig starker Strom aus der Energieversorgungsquelle für die Ansteuerschaltung, und die sich ergebende Spannungserniedrigung dieser EnerjErieversorgungsquelle hat mitunter zur Folge, daß andere aus ihr gespeiste Schaltungen (beispielsweise 17 in Figur 5^ nicht einwandfrei arbeiten. Ein solcher starker Strom kann auch Peschädigungen gewisser Elemente der angesteuerten Schaltung zur Folge haben.
Der Erfindung liegt, nachdem die noch zu erörternden Ursachen dieser unerwarteten Effekte entdeckt worden sind, die Aufgabe zugrunde, eine Lösung des sich daraus ergebenden Problems anzureben.
Eine Eincrangsschaltunp für einen Mehremitter-Transistor der eingangs genannten Art ist erfindunfrsß"emäß dadurch gekennzeichnet, daß an die eine Elektrode ,-jeder der renannten Dioden ,je eine wei tere Diode mit der gleichen Elektrode angeschlossen ist und daß die weiteren Dioden mit ihrer anderen Elektrode über je einen
309819/ 1 082
BAD ORIGINAL
Gleiciistromwiderstand an einen Betriebsspannungsanschluß angeschlossen sind.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung; im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Figur 1 das Schaltschema einer Mehremitter-Transistorschaltung gemäß dem Stand der Technik;
Figur 2 das Schaltschema einer Mehremitter-Transistorschaltung mit Eingangsschaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung";
.1 und 4 Ouerschnittsdarstellungen von bekannten integrierten Widerständen, die für die erfindungsgemäße EingangsschajL tung verwendet werden können; ■ v " "
Figur 5 ein Schaltschema, das der Erläuterung eines erfindungsgemäß entdeckten und gelösten Problems dient; und
Figur 6 ein Ersatzschaltbild, das der Erörterung der erfindungsgemäß gelösten Probleme dient.
Schaltungselemente in Figur 2, die in ihrem Aufbau und ihrer Funktion Schaltungselementen in Figur 1 entsprechen, sind mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Zum Verständnis der Erfindung bedarf es einer eingehenderen Erläuterung der Probleme, die bei der Untersuchung und praktischen Erprobung des zuletzt erörterten bekannten Lösungsvorschlags entdeckt wurden. Die betreffende Schaltungsanordnung ist in Figur 5 gezeigt. Und zwar enthält hier die Treiber- oder Ansteuerschaltung 11 zwei npn-Transistoren 1,3 und 15. Sie ist an einen ersten Empfän ger 17 und an einen zweiten Empfänger 17a angeschlossen. Die Ansteuerschaltung 11 und der Empfänger 17 sind aus einer ersteh Betriebsspannungs- oder Energieversorgungsquelle.IV- gespeist, und der ζwei te Empfänger ist aus einer zweiten Energieversorgungsquelle +V1,, respeist. Die Ansteuerschaltung ist mit der Empfänger^ schaltung 17a über eine Verbindungeneitung, beispielsweise in Form eines abgeschirmten Leiters 19 verbunden.
309819/1082
BAD
Der Empfänger 17a enthält einen Mehremitter-Transistor 10, von dessen Emittern jedoch um der besseren Übersichtlichkeit willen nur einer pezeipt ist. Dieser Emitter ist über einen integrier^ ten Widerstand 21, der entweder ein cli f fundierter Widerstand von der in Figur .1 p-ezeipten Art oder ein Pinch-Widerstand von der in Fiffur 4 gezeigten Art sein kann, mit dem +v r,„-Anschluß verbunden. Und zwar sind ™.n diesem 'wock heim diffundierten Widerstand nach Figur ,1 das η-Gebiet und das eine Ende des ρ Gebietes an den + " ,-Anschluß 2 8 und das andere Ende des p-Gebietes an den Emitter oder A-Eingang angeschlossen, während beim Pinch -Widerstand nach Figur 4 das n-Gebiet, das ρ-Gebiet und das η-Gebiet mit ihrem einen Ende an den +V -Anschluß angeschlossen sind und daß p-Gebiet mit seinem anderen Ende an den Λ -Eingang· angeschlossen ist. In beiden Fällen ist im normalen Betrieb der ohmsche Widerstand zwischen den Anschlüssen +V„r und A der T änge des p-Cebietes direkt und dem Querschnitt des p-Gebietes umgekehrt proportional. Tieim Pinch-'.Viderstand ist der Ouerschnitt um das obere η-Gebiet verringert, so dail sich der ohmsche Wert für eine gegebene I änge des p-Gebietes erhöht. Das heißt, bei Ergebener Fläche innerhalb der integrierten Schaltung kann der Pinch-Widerstand in seinem Wert größer gemacht werden als der diffundierte Widerstand.
In der Praxis läßt sich der Widerstand 21 in Figur 5 sowohl auf die eine als auch auf die andere oben genannte Weise realisieren. In beiden Fällen kann er einen Wert von etwa 20 000 bis 40 000 0hm haben. Da mehrere Emitter vorhanden sind, sind natürlich mehrere Verhindungslei taugen 10 (nur eine gezeigt) vorgesehen, die jeweils zu einer Ansteuerschaltung, von denen eine große Anzahl vorgesehen sein kann, führen.
Der Empfänger 1,7, obwohl er aus einer anderen Spannungsversorgungsquelle V als der Empfänger 17a gespeist ist, ist im übri gen gleichartig aufgebaut wie der Empfänger 17a. Das heißt, er kann ebenfalls einen Mehremitter-Transistor enthalten, dessen Emitter jeweils über einen diffundierten oder einen Pinch-Widerstand mit dem +V -Anschluß verbunden sind. Auch hier ist um der besseren Übersichtlichkeit willen nur ein Emitter gezeigt.
3098 19/1082
Die Schaltungsanordnung nach Figur 5 arbeitet solange völlig zufriedenstellend, wie beide Energieversorgungsquellen eingeschaltet bleiben. Jedoch kann es vorkommen, daß aus dem einen oder anderen Grunde, beispielsweise zu Wartungszwecken, während des Betriebs die Energieversorgungsquelle ^rr aus?eschaltet wird, während die Energieversorgungsquelle H-V- eingeschaltet bleibt. In diesem Fall stellt sich heraus, daß bei einem späteren Versuch, die Energieversorgungsquelle +V-, _ wieder einzuschalten, die von ihr erzeugte Spannung statt eines Wertes von etwa 5 oder 6 Volt mitunter nur einen Wert von etwa 0 bis 3 Volt erreicht. Wenn dies geschieht, fließt außerdem über die Leitung 19 ein starker Strom, so daß andere, aus der selben Energieversorgungsquelle +V_ wie die Ansteuerschaltung 11 gespeiste Schaltungen , beispielsweise der Empfänger 17* keine angemessene Ansteuerspannung empfangen und nicht eimirandfrei arbeiten. Dies sind vö3.1is: unerwartete Effekte.
Bei der Untersuchung wurde entdeckt,, daß diese Effekte folgen de Ursachen haben: Während die Widerstände wie 21 verhältnismäßig hochohmig sind und scheinbar für eine hochgradige Isolation /wischen den beiden Energieversorgungsquellen sorgen, ist dies in Wirklichkeit nicht der Fall. Bei näherer Betrachtung des Widerstands 21 sieht man, daß jeder solche Widerstand ein p-Gebiet aufweist, das dicht neben einem (Figur ,3) oder zwei (Figur 4) n-Gebieten liegt und mit diesen Gebieten pn-Übergänge bildet. Im normalen Betrieb ist bzw. sind, da der Α-Eingang am einen Ende des p-Gebietes niemals positiver ist als d.ie 4-Vrr,-Spannung, die am n-Gebiet bzw. an den n-Gebieten liegt, die durch den übergang bzw. die Übergänge gebildete Diode bzw. , gebildeten Dioden .(in Figur 5 gestrichelt angedeutet bei 2.3) in der Sperrichtung geschaltet oder gespannt, so daß sie nicht leitet bzw. leiten. Das heißt, wenn beide Energieversorgungsquellen eingeschaltet sind, ist der pnübergang hochohmig und hat der Widerstand seinen Nennwert. Wenn dagegen die Energieversorgungsauelle V--, ausgeschaltet ist C der Petriebsspannungsanschluß 28 an Masse liegt), so kann das Signal D in der Ansteuerschaltung relativ positiv und das Signal h relativ negativ sein. In dierem "all i.'st der Transistor 13 leite-icT, während der Transistor 15 resperrt ist, und es fließt- ein 'ztrom
3098 19/1082
über die Kollektor-Emitterstrecke des Transistors 13 und die Verbindungsleitung 19 zum Eingang A. Am Eingang A findet dieser Strom nicht den Nennwert des Widerstands (20 000 bis 40 000 Ohm), sondern stattdessen die in der Flußrichtung gepolte, mit ihrer Kathode an Masse liegende Diode 23 vor. Statt eines Widerstands von 20 000 bis 40 000 0hm weist diese Diode nur einen verhältnismäßig niedrigen ohmschen Wert auf, z.B. etwa 200 bis 1000 0hm. Es können sehr viele solche Dioden, die alle Strom leiten, parallel an den Betriebsspannungsanschluß 28 für V-- angeschaltet sein. Der Verlust- oder Ersatzwiderstand R. aller dieser leitenden Dioden ist in diesem Fall in seinem Wert dem Innenwiderstand R. der Energieversorgungsquelle V_,r vergleichbar, so daß durch die Verbindungsleitung 19 ein verhältnismäßig großer Strom fließt.
Diese Verhältnisse sind in dem Ersatzschaltbild nach Figur 6 veranschaulicht. R, , der äquivalente testwiderstand^ hat normaler^ weise einen Wert, der um sehr viele Male höher ist als der Innenwiderstand R. der Energieversorgungsquelle. Die Spannung ν__ der Energieversorgungsquelle beträgt normalerweise etwa 5 oder 6 Volt. Wenn dagegen V ausgeschaltet wird und V_ eingeschaltet bleibt, so kann der effektive Wert des Lastwiderarfcands auf einen verhältnismäßig niedrigen Wert in der gleichen Größenordnung von R. abfallen. Der fließende Strom steigt entsprechend auf einen Wert an, der zwischen 20 und 100 mA betragen kann. Dadurch erniedrigt sich die Spannung am Emitter des ansteuernden Transistors 13, und diese Erniedrigung kann so weit gehen (bis zu einem Wert, der unter der Schwellenspannung der Transistoren in Empfängerschaltungen wie 17 liegt), daß Schaltungen wie 17, die aus der Energieversorgungsquelle V gespeist sind, nicht mehr einwandfrei arbeiten. Dieser übermäßige Strom kann auch Beschädigungen von Widerständen wie 21 in Figur 5 verursachen. Außerdem kann es geschehen, daß beim Wiedereinschalten der Energieversorgungsquelle V _ wegen die ser Schaltungszustände (niedriger Lastwiderstand RT und hoher Stromfluß nach Vf,(J die Spannung V nicht wieder auf ihren Nennwert von 5 oder t; Volt zurückkehrt, sondern stattdessen bei etwa 0 bis 3 Volt, je nach der Anzahl der leitenden Widerstände, die insgesamt k. bilden, bleibt.
309819/ 1082
ÖAD ORIOiNAt.
Die oben erörterten Schwierigkeiten werden durch die erfindungsgemäße Schaltung nach Figur 2 behoben. Die Anordnung enthält sämtliche Schaltungselemente nach Figur 1. Außerdem enthält die Schaltungsanordnung nach Figur 2 drei Dioden 40, 42 und 44, die mit ihren Kathoden jeweils an die Kathoden der Dioden 18, 20 bzw. 22 und mit ihren Anoden über je einen Widerstand 46, 48 bzw. 50 an den Betriebsspannungsanschluß 28 für +Vrr angeschlossen sind. Diese sowie andere Schaltungselemente sind in integrierter Form auf einem gemeinsamen Substrat 52 untergebracht, das an einen Bezugsspannungspunkt, beispielsweise Masse, angeschlossen sein kann. Die Widerstände können z.B. diffundierte Widerstände oder Pinch-Widerstände sein.
Im normalen Betrieb der Schaltungsanordnung nach Figur 2 läßt man einen etwaigen unbenutzten Eingang wie C anschlußfrei. Die Diode 44 und der Widerstand 50 halten diesen Eingang stets auf einer positiven Spannung, die etwas niedriger ist als +V^.' Ein , Strom fließt vom Betriebsspannungsanschluß 28 über den Widerstand 50, die Diode 44 und den verhältnismäßig hochohmigen Kriechstromweg vom Emitter 16 nach Masse. Der Widerstand 50 kann einen Wert von beispielsweise 20 000 0hm haben - ein Wert, der erheblich niedriger ist als der Widerstand des Kriechstromweges vom Emitter l6 nach Masse. Die Widerstände 46 und 48 können den gleichen Wert haben wie der Widerstand 50, wobei jedoch diese Werte nicht absolut identisch zu sein brauchen, da der Kriechstromweg um soviel höherohmig ist als jeder der Widerstände 46, 48 und 50, daß gering fügige Abweichungen der Werte dieser Widerstände den Ruhespanmmgs wert an den Emittern nicht nennenswert beeinflussen, indem diese Emitter sämtlich ungefähr den gleichen positiven Spannungswert annehmen .
Die Dioden 40, 42 und 44 verhindern die oben ausführlich erörterten nachteiligen Effekte. Wenn 7,.V-. der Betriebsspannungs-an Schluß 28 an Masse gelegt wird und ein Strom von einer Ansteuer Schaltung durch irgendeinen der Widerstände 46, 43" und 50 zum Petriebsspannungsansch!uß 28 fließen will, so wird dies durch die Dioden 40, 42 und 44 verhindert, da diese Dioden für einen solchen Stromfluß in Sperrichtunp £repolt sind. Es kann daher die
30981 9/1082
versorpungsquelle V.,r Jederzeit ausgeschaltet und später wieder auf ihren normalen Fetriebsspannunffswert eingeschaltet werden.
309819/1082

Claims (5)

  1. - 11 -
    P atentansprüche
    1J Eingangsschaltung: für einen Mehremitter-Transistor, dessen Emittern Eingangssignale zuführbar sind und dessen Basis mit einem Betriebsspannungsanscliluß V„r verbunden ist, wobei an jeden Emitter jeweils eine Diode angeschlossen ist, die in bezug auf die betreffende Emitter-Basisdiode in Sperrichtung gepolt und zwischen den betreffenden Emitter und.einen Bezugspotentialpunkt geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß an die eine Elektrode (Kathode) jeder der genannten Dioden (18, 20, 22) je eine weitere Diode (40, 42, 44) mit der gleichen Elektrode (Kathode) angeschlossen ist und daß die weiteren Dioden (40, 42, 44) mit ihrer anderen Elektrode (Anode) über je einen Gleichstromwiderstand (46, 48, 50) an einen Betriebsspannungsanschluß (28) angeschlossen sind.
  2. 2. Schaltungsanordnung mit einem Mehremitter-Transistor, der mit seiner Basis an einen Betriebsspannungsanschluß angeschlossen ist und dessen Emittern Eingangssignale zuführbar sind, und mit einer der Anzahl der Emitter gleichen Anzahl von ersten Dioden, die jeweils zwischen einen der Emitter und Masse geschaltet und in der Sperrichtung in bezug auf die betreffende Emitter-Basisdiode des Transistors gepolt sind, 'dadurch gekenn-7eichnet, daß eine gleiche Anzahl von zweiten Dioden (40, 42, 44) mit ihrer einen Elektrode (Kathode) jeweils an die gleiche Elektrode (Kathode) der ersten Dioden(18, 20, 22) und mit ihrer anderen Elektrode (Anode) über je einen Widerstand (46, 48, 50) an den Petriebsspannungsanschluß (28) angeschlossen sind.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,- daß sämtliche genannten Schaltungs elemente in integrierter Form auf einem gemeinsamen, an Masse angeschlossenen Substrat untergebracht, sind.
  4. 4. Verknüpfungsschaltung mit einer aus einer ersten Energieversorgunfrsquelle +V_ gespeisten Ansteuerstufe und einer an diese angeschalteten, aus einer zweiten Pnergieversorgungsquelle +Vr_
    309819/1082
    gespeisten Empfängerschaltung mit einem Mehremitter-Transistor, der mit seiner Basis an die zweite Energieversorgungsquelle +V«-. und mit seinen Emittern an die Ansteuerstufe angeschaltet ist, gekennzeichnet durch eine Anzahl von Reihenkreisen mit je einem nichtlinearen Widerstandselement in Reihe mit einer Diode, wobei jeder Reihenkreis zwischen die zweite Enej? gieversorgungsquelle +V_r und einen anderen Emitter geschaltet ist, die Diode jedes Reihenkreises so gepolt ist, daß sie den Strom der zweiten Energieversorgungsquelle +Vp- in der Flußrichtung leitet, und das nichtlineare Widerstandselement für diese Stroin-richtung verhältnismäßig hochohmig und für die entgegengesetzte Stromrichtung verhältnismäßig niederohmig ist.
  5. 5. Verknüpfungsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das nichtlineare Widerstandselement aus einem ersten, als ohmscher Widerstand arbeitenden Diffusionsgebiet des einen Leitungstyps und einem Diffusionsgebiet des entgegengesetzten Leitungstyps besteht, das mit dem ersten Diffusionsgebiet einen pn-übergang bildet und als Diode in Parallelschaltung zum ohmschen Widerstand in solcher Polung arbeitet, daß sie den Strom in Richtung vom Emitter des Transistors (10) zur zweiten Energieversorgungsquelle +V-,ρ leitet.
    30981 9/1-082
    Leerseite
DE2254865A 1971-11-09 1972-11-09 Eingangsschaltung für einen Mehremittertransistor Withdrawn DE2254865B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US19689071A 1971-11-09 1971-11-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2254865A1 true DE2254865A1 (de) 1973-05-10
DE2254865B2 DE2254865B2 (de) 1975-09-18

Family

ID=22727170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2254865A Withdrawn DE2254865B2 (de) 1971-11-09 1972-11-09 Eingangsschaltung für einen Mehremittertransistor

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3727072A (de)
JP (1) JPS511583B2 (de)
CA (1) CA979500A (de)
DE (1) DE2254865B2 (de)
FR (1) FR2159405B1 (de)
GB (1) GB1394439A (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4471237A (en) * 1982-08-13 1984-09-11 Rca Corporation Output protection circuit for preventing a reverse current
US4675551A (en) * 1986-03-04 1987-06-23 Prime Computer, Inc. Digital logic bus termination using the input clamping Schottky diodes of a logic circuit
US4943739A (en) * 1988-12-19 1990-07-24 Slaughter Grimes G Non-reflecting transmission line termination
US5136187A (en) * 1991-04-26 1992-08-04 International Business Machines Corporation Temperature compensated communications bus terminator
US20040201283A1 (en) * 2003-04-10 2004-10-14 Delta Electronics, Inc. Parallel power supply system and control method thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3138721A (en) * 1959-05-06 1964-06-23 Texas Instruments Inc Miniature semiconductor network diode and gate
US3641362A (en) * 1970-08-10 1972-02-08 Rca Corp Logic gate

Also Published As

Publication number Publication date
FR2159405B1 (de) 1977-01-14
JPS511583B2 (de) 1976-01-19
GB1394439A (en) 1975-05-14
FR2159405A1 (de) 1973-06-22
US3727072A (en) 1973-04-10
JPS4858743A (de) 1973-08-17
CA979500A (en) 1975-12-09
DE2254865B2 (de) 1975-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3834841C2 (de) Integrierte Anordnung in einem Substrat zur Vermeidung parasitärer Substrateffekte
DE2745290A1 (de) Integriertes speicherfeld
DE69329484T2 (de) Steuerelektroden-Abschaltkreis für einen Leistungstransistor
DE2407291A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE1295647B (de) Logische Schaltung mit einem mehrere Eingaenge aufweisenden Dioden-Eingangsgatter
EP0689058B1 (de) Schaltungsanordnung zum Überwachen eines Schaltungspunktes auf einen Leckwiderstand
DE1564221A1 (de) Halbleiterbauelement vom Feldeffekttyp,insbesondere zur Realisierung von logischen Funktionen
AT395921B (de) Anordnung zum schutz eines halbleiterelements gegen schaeden durch elektrische beanspruchung
DE1039570B (de) Elektronischer Umschalter zur Schaltung der Stromrichtung in einem Verbraucher
DE2814021A1 (de) Transistorschalteinrichtung
DE1537972B2 (de) Schaltanordnung zur Verbesserung der An- und Abschalteigenschaften eines Schalttransistors einer binären Schaltung
DE1613705A1 (de) Energieantriebsstromkreis
DE3302912A1 (de) Gleichrichterschaltung fuer telefonanlagen mit transistorenbruecke und schutz gegen ueberstrom
DE3616394A1 (de) Schutzelement gegen elektrostatische entladungen, insbesondere fuer bipolare integrierte schaltungen
DE2122292A1 (de) Leitungstreiberschaltung und diese verwendendes Übertragungsleitungssystem
DE2852200C2 (de)
DE3529033A1 (de) Treiberschaltung fuer gleichstrommotoren
DE2254865A1 (de) Eingangsschaltung fuer einen mehremitter-transistor
DE1537185A1 (de) Amplitudenfilter
DE2736324C2 (de) Logische Verknüpfungsschaltung
DE1933016B2 (de) Ueberwachungsschaltung fuer mindestens eine aus einer spannungsquelle gespeisten lampe
DE2657293A1 (de) Transistorschaltung
DE3248133A1 (de) Dreizustands-logikschaltung
DE2034318A1 (de) Transistorverstärker
DE2631474A1 (de) Halbleiter-schalteinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
BHJ Nonpayment of the annual fee