DE2022495A1

DE2022495A1 - Schaltungsanordnung zum impulsgesteuerten Verbinden einer Fernmeldesignalquelle mit einer Fernmeldesignalbelastung

Info

Publication number: DE2022495A1
Application number: DE19702022495
Authority: DE
Inventors: Aagaard Einar Andreas
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1969-05-30
Filing date: 1970-05-08
Publication date: 1970-12-03
Also published as: NL6908332A; GB1253638A; DK138350B; AT303836B; DK138350C; BE751202A; JPS5651715B1; DE2022495C3; US3688051A; DE2022495B2; FR2043835A1; CH519829A

Description

: N. γ. Philipp Gloeüampenfabriekto
AktN fHN 5l·

Anmeldung vom s C<*ft&-£ lf"?O

N.V. Philips'Gloeilampenfabrieken, Eindhoven/Holland

"Schaltungsanordnung zumimpujsgesteuerten Verbinden einer Fernmeldesignalquelle mit einer Fernmeldesignalbelastung^w

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum impulsgesteuerten Verbinden einer Fernmeldesignalquelle mit einer Fernmeldesignalbelastung, welche Anordnung eine Halbleitervorrichtung mit einer Hauptstrombahn und einer teilweise mit der Hauptstrombahn zusammenfallenden Steuerstrombahn enthält, welche Hauptstrombahn eine niedrige Impedanz für einen bestimmten Haltestrom überschreitende Ströme und eine hohe Impedanz für diesen Haltestrom unterschreitende Ströme bildet» welche Steuerstrombahn für Steuerströme einer bestimmten Polarität eine den erwähnten Haltestrom erniedrigende Wirkung hat, in welcher Schaltungsanordnung die erwähnte Hauptstrombahn zwischen der erwähnten Quelle und der erwähnten Belastung eingeschaltet und die erwähnte Steuerstrombahn an eine Steuerklemme angeschlossen ist, wobei eine Steuerimpulsquelle an die Steuerklemme und eine Gleichstromquelle an die erwähnte Hauptstrombahn angeschlossen sind.

Schaltungsanordnungen dieser Art werden unter anderem in elektronischen Sprechwegschaltungen von Wählvermittlungsanlagen verwendet.

Ein bekanntes Koppelelement für elektronische Koppelfeider wird durch einen pnpn-Transistor mit einem aa

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diesen angeschlossenen Baaiswlderstand gebildet. Mittels dieses bekannten Koppelelements können die praktischen Anforderungen in bezug auf eine hohe Übersprechdämpfung, eine geringe Streuung der Übertragungsdämpfung und einen niedrigen Pegel des Rauechens infolge der Steuerimpulse nur schwer erfüllt werden.

Die Erfindung bezweckt, einen neuen Entwurf der eingangs erwähnten Schaltungsanordnung zu schaffen, die besser als bisher die praktischen Anforderungen erfüllen kann, und insbesondere eine Schaltungsanordnung mit ©.teer sehr hohen Überspreehdämpfung, einer sehr geringen Streuung der Ubertragungsdämpfung und einem sehr niedrigen Rauschpegel.

Die Schaltungsanordnung nach der'Erfindung ist dadurch gekennzeichnet ₉ daß zwischen der Steiaerstrombahn und der Steuerklemme ®in El@d@nt ©ingeselialtet ItSt₂, dessen Differentialwlderstaad für StrSn® alt eimer der ©rwSimten, bestimmten Polarität entgegengesetzten Polarität und mit einem einen bestlietea ©raten Wert unterschreitenden Wert, einen niedrigen Wert, und für Ströme der erwähnten, entgegengesetzten Polarität und mit einem den erwähnten, ersten bestimmten Wert überschreitenden Wert, einen hohen Wert aufweist.

Die Erfindung und ihre besonderen Vorteile werden anhand der Figuren näher-erläutert. Es zeigen:

Fig_o 1 den Aufbau eines mehrstufigen Koppelfeldes mit Matrixschaltern,

Fig. 2 den Aufbau eines Matrixechalters mit Kreuzungspunkt-Koppelelementen,

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FIg. 3a ein Kreuzungspunkt-Koppeleleaent in einer symbolischen Darstellung,

Fig. 3b ein bekanntes Kreuzungspunkt-Koppelelement,

die Fig« 3c und d eine AusfUhrungsform und deren symbolische Darstellung eines Kreuzungspunkt-Koppelelements nach der Erfindung,

die Fig. 4a und fc Strooi-Spannungskennlinien zur Erläuterung der Wirkungsweise dee Kreuasungspunkt-Koppelelementes nach den Fig. 3c und d, M

Fig. 5 eine Ausführungsform eines Verbindungewegs durch das Koppelfeld nach Fig. 1 und

Fig. 6 eine zweite Ausführungsiorn eines Verbindungswege durch das Koppelfeld nach Fig. 1.

Fig. 1 zeigt ein Koppelfeld mit drei Koppelstufen A, B und C_s das kennzeichnend let für die Koppelielder bei dem die Erfindung durchführbar ist. Die Koppelstufe A enthält die Matrixschalter A1, A2, .·. Ap, die Bit de mEingängenund q Ausgängen versehen sind« Jeder Ausgang eines Matrixschalters der Koppelstufβ A ist durch eine | Zwischenleitung an einen Eingang eines de» erwähnten Ausgang zugehörenden Matrixschalters der Koppelstufe B angeschlossen, die somit q Matrixschalter B1, B2 .,· Bq enthält. Jeder dieser Matrixschalter enthält ρ Eingänge entsprechend den ρ Matrixschalter^ der Koppelstufe A und r Ausgänge. Diese Ausgänge sind entsprechend dem für die Koppelstufe A beschriebenen Muster durch Zwischenleitungen an die Eingänge der Koppelstufe C angeschlossen. Die KoppelstufeC enthält somit r MatriXBchalter C1, C2 ...Gr.

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Jeder Matrixschalter der Koppelstufe C enthält q Eingänge entsprechend den q Matrixschaltern der Koppelstufe B und η Ausgänge.

Die Eingänge der Matrixschalter A1 ₉ A2, ... Ap bilden die Eingänge des Koppelfeldes, und die Ausgänge der Matrixschalter CI₉ C2, ...Cr bilden die Ausgänge derselben.

An die Eingänge des Koppelfeldes sind die Endvorrichtungen E11, ·«. Epm»und an die Ausgänge des Koppelfeldea sind die EndTorrichtungen F11, ... Frn angeschlossen. Diese EndvorriLchtungen stellen m. B. Leitungsüberträger für den einleimenden und ausgehenden Fernsprechverkehr dar.

Die Matri»eiialter habe» den gleichen Aufbau. Fig« 2 zeigt vereinzelt «ten - Aufbau ä@a Matrixschalters A1 „ Dieser Matrixschalter enthält a Spalten ₉ welche die Eingänge des Matrixschalter^ bilden und q Reihen» welche die Ausgänge desselben darstellen® Die Spalten und Reihen bilden ein zweidimensional©® Raster (Matrix) von Koppelpunkten. Jedem Koppelpunkt ist ein elektronisches Koppelelement mit drei Polen zugeordnet. Fig. 2 zeigt die Koppelelemente GA1111, Qa 112 und Ga11q an den Koppelpunkten der Spalte (1) Mit den Reihen (1), (2), (q) und die Kopplelemente GA1m1, GA1»2 und Galraq an den Koppelpunkten der Spalte (m) mit den Reihen (I)₉ (2), (q). Die Pole werden durch a, k und β auf die in Fig. 2 beim Koppelelement GA111 angegebene Weise bezeichnet. Di® Ροϊ® a der KoppeltXemente der Spalte (1) sind an die (Spalten-) Markierleiter ME11 und die Pole s der Koppelelement^der Spalte (m) sind an die (Spalten-)Markierleit©r M£1n angeschlossen. Dies gilt auch für die ander®» ί.ρ.ί-üt dargestellten) Spalten des Matrixschal tare 11«,

In der Koppelstofe A (Fig. 1), ähnlich wie in den anderen

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Koppelstufen, sind die Markierleiter der Matrixschalter vielfach geschaltet» wodurch jede Koppelstufe nur ebenso viele Markierleiter aufweist, wie die Anzahl von Spalten eines einzigen Matrixschalters, Die vielfach geschalteten Markierleiter sind in Fig. 1 durch ME-1, ..., ME-m für die Koppelstufe A, durch MA1, ..., MAp für die Koppelstufe B und durch MB1, ..., MBq für die Koppelstufe C bezeichnet. Jeder Markierleiter ist dadurch einer Spalte jedes Matrixschalters der betreffenden Koppelstufe zugeordnet. Die Vielfachschaltung ist derart ausgebildet, daß stets die Markierleiter der Spalten mit der gleichen Nummer miteinander verbunden sind. Auf diese Weise 1st z. B. der Markierleiter ME-1 den Spalten (1) der Matrixschalter A1, A2, ..., Ap und der Markierleiter ME-m den Spalten (m) zugeordnet. Der Markierleiter MA1 ist den Spalten (1) der Matrixschalter B1, B2, ..., Bq zugeordnet, d. h. den Spalten, die an die Ausgänge des Matrixschalters A1 angeschlossen sind. Der Markierleiter MAp ist den Spalten (p) zugeordnet, d. h. den Spalten, die an die Ausgänge des Matrixschalters Ap angeschlossen sind. Auf ähnliche Weise sind die Markierleiter MB1, ..., MBq den Matrixschaltern B1, ..., Bq zugeordnet.

In Fig. 1 zeigt eine starke Linie einen Verbindungsweg zwischen der Endvorrichtung E11 und der Endvorrichtung Frn. Die Endvorrichtung E11 liegt an der Spalte (1) des Matrixschalters A1 und die Endvorrichtung Frn liegt an der Reihe (n) des Matrixschalters Cr. Der Verbindungsweg erstreckt sich über das Koppelelement zwischen Spalte (1) und Reihe (1) des Matrixschalters Al (Koppelelement GA111, Fig. 2) über die Zwischenleitung AB11 zur Spalte· (1) des Matrixschalters B1 und über das Koppelelement zwischen Spalte (1) und Reihe (r) und über die Zwischenleitung BCrI zur Spalte (1) des Matrixschalters Cr.

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Von dieser Spalte ab erstreckt sieh der Verbindungsweg über das Koppelelement zwischen dieser Spalte und Reihe (n) zur Endvorrichtung Frn. Der Verlauf des Verbindungswegs durch den Matrixschalter ist in Fig. 1 durch gestrichelte Linien zwischen den betreffenden Eingängen und Ausgängen angedeutet«

Die Markierleiter ME-I, ..., ME-M sind an einen Wähler WE angeschlossen, der auf Befehl einen Markierimpuls einem selektierten Marklerleiter zuführen kann· Die Markierleiter MÄ1, .·., MAp sind an einen entsprechenden Wähler WA und die Marklarleiter MB1, ..., MBq sind an einen entsprechenden Wähler WB angeschlossen.

Die Endvorrichtungen F11_f ..., Fto sind an einen Wähler WF angeschlossen, der in einer selekti©rte:a Endvorrichtung einen Markierkontakt schließen kann. Wi© dies noch näher erläutert wird» wird teeifs Sehli@ß©n eines Markierkontaktes der betreffenden R@iia© ein® Ilarkierspannung zugeführt. Wenn S₀ B. in der SMvörFiektaäg Fm d@r Markiertontakt geschlossen WiFd₉ virä dev Reihe (n) des Matrixschalters Cr eine Markierspannimg zugeführt. Diese Markierspannung wird weiter Reihenasarkierspannung genannt. Zur Einstellung des beschriebenen Verbindungswegs werden nach dem Schließen des Markierkontaktea in der Endvorrichtung Frn den Marklerleitern MB1, MAI und ME-I Markierimpulse zugeführt.

Der Markierimpuls.des Markierleiters MB1 gelangt an die Pole s aller Koppelelemente aller Spalten (1), aber lediglich am Koppelelement zwischen Spalte (1) und Reihe (n) des Matrixschalters Cr tritt Koinzidenz mit der Reihenmarkierspannung auf. Wie dies noch weiter einzeln erläutert wird, wird lediglich letzteres Koppelelement leitend und wird die Reihenmarki@rspannung abeg¹¹ das Koppelelement und

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die Zwischenleitung BCrI auf die Reihe (r) dee Matrixschalters B1 übertragen. In der Koppeletufβ B wird mittels des gleichen Verfahrens wie für die Koppelstufe C beschrieben ist, die Reihenmarkierspannung über das leitend® Koppelelement zwischen Spalte (1) und Reihe (r) des Matrix» schalters B1 und darauf über Leiter AB11 auf die Reihe (1) des Matrixschalters A1 übertragen. In der Schaltstufe A wiederholt sich dieser Prozeß, wobei infolge des Leitend» werdens des Koppelelement·« zwischen Spalte (1) und Reihe (1) des Matrixschalters -A1 die Verbindung «it der Endvorrichtung B11 hergestellt wird. ·

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Koppelfelder des vorstehend beschriebenen Typs mit elektronischen Koppelelementen gehören %um Stand der Technik,, wie diese s. B. aus der deutschen^: Patentscbrift 1 bekannt ist» NacM dieser Technik werden die |# durch Je einen pnpn-Transistor gebildet» -'dessen Ssattter und Kollektor mit der Reihe imd der Spalte ind ieasea Basis über einen Basiswiderataad mit dem tSpalteü leiter verbunden sind« I¹Ur 'pnp-Traiiaietorea und .Halbleitervorrichtungen mit analogen "Eigeaisefeiiftea.werte» in der ^: technischea Fachsprache viele Ausdrlioke beawfc'st »1©t steuerbarer Gleichrichter (controlled rectifier), Thyristor, Hook-Transistor, Compound-Transistor_c usw» Diese Halbleitervorrichtungen haben die Eigenschaft gemein, daß eine Hauptstrombahn und eine teilweise iiit der Hauptstrombahn zusammenfalXende Steuerstrombahn vorhanden s&nd, welche Hauptstrombahn eine niedrige Impedanz für einen bestimmten Haltestrom überschreitende Ströme und eine hohe Impedanz für diesen Haltestrom unterschreitende Ströme bildet, wobei durch Führung eines Steuerstroms geeigneter Polarität über die Steueretrombahn die Hauptstrombahn in den Zustand niedriger Impedanz geführt werden kann, welcher Zustand beibehalten wird, wenn der Strom über die Hauptstrombahn höher als der Haltestrom ist.

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Anhand der Fig. 3 werden das Koppelelement entsprechend dem Stand der Technik und ein verbessertes Koppelelement nach der vorliegenden Erfindung einzeln erläutert» Alle Koppelelemente sind In gleicher Weise ausgebildet. Fig. 3a zeigt entsprechend der Darstellungswelse der Flg. 2 das Koppelelement GA111 zwischen Spalte (1) und Reihe (1) des Matrixschalters A1. Fig. 3b zeigt die. Ausführungsform des Koppelelemente® nach der bekannten Technik. In dieser Ausftihrungsform enthält das Koppelelement GA111 ein© Halbleitervorrichtung KA111 mit einer Anode a, einer Kathode k und einem Gatter g und einen Widerstand 32, der das Gatter g mit den Pol s verbindet₀ Die Halbleitervorrichtung KA111 besteht aus einem pnp-Traaeistor 30 mit einem Emitter e, einem Kollektor e und einer Basis b und einem npn-Transistor 31 aueh mit ©inem Emitter e, ainea Kollektor e tmd einer -Basis fe₀ Der Kollektor des- Transistors 30 ist mit der Basis des Translstere 31 verbunden, dessen Kollektor mit der Basis des Transistors 30 verbunden ist. Die Anode a liegt an desa Emitter des Transistors 30, die Kathode k am Emitter des Transistors 31 und das Gatter g an der Basis des Transistor® 30, Die Hauptstrombahn der Halbleitervorrichtung KA111 verläuft zwischen der Anode a und der Kathode k und die Steuerstrombahn zwischen der Anode a und dem Gatter g. Wenn an der Reihe (1) die Reih©nmarkierspannung liegt und döa Markierleiter ME11 ein negativer Markieriapuls sugeftliirt wird, fließt ein Steuerstrom von der Anode a zum Gatter g durch den Emitter-Basis-Übergang des Transistors 30, Dieser Strom führt den Transistor 30 In den leitenden Zustand, wodurch von dem Kollektor ein Strom der Basis des Transistors 31 zufließt, der dann leitend wird, so daß Über den Kollektor ein Strom aus der Basis dee Transistors 30 £,l^r "■'- Wtun dieser regenerative Prozeß einmal angefgassgenrfiüt, gelangt die Halbleitervorrichtung KA111 w@ltejrfe.l5a selbsttätig in den Sättigungszuetand, in welchem Zustand die Hauptstrombahn einen sehr niedrigen Reihenwideretand aufweist.

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Wie bereits beschrieben, ist in dem"Koppelfeld nach Fig. 1" jeder Markierleiter in den Koppelstufen A, B und C mehrfach über alle Matrixschalterin der betreffenden Koppelstufe geschaltet. Auf diese Weise wird erreicht, daß die Anzahl erforderlicher Markierleiter minimal ist. Ein Markierimpuls gelangt dann Jedoch nicht nur an die erwünschte Spalte des erwünschten Matrixschalters, sondern auch an eine Spalte Jedes anderen Matrixschalters in der betreffenden Stufe. Wenn über eine dieser letzteren Spalten bereits ein Verbindungsweg vorhanden ist, ist eines der Koppelelemente dieser Spalte leitend. Der Markierimpuls gelangt dann Über den Basiswiderstand des leitenden Koppelelementes , M (32 Fig. 3b) an den eingestellten Verbindungsweg und ruft darin eine bestimmte Störung hervor. Die Summe aller dieser Störungen verursacht ein Rauschen in die eingestellten Verbindungswege.

Normalerweise liegt über dem Markierleiter ME11 (Fig. 3b) eine (positive) Spannung, die die Halbleitervorrichtung KA111, wenn diese nicht für eine Verbindung besetzt ist/ Die Spannung des Markierleiters ME1T macht die Spannung der Basis b des Transistors 30 positiv in bezug auf die Spannung des Emitters e, wodurch der Emitter-Basis-Übergang des Transistors 30 in der Sperriohtung gesteuert wird. In diesem Zustand bildet dieser Emitter-Basis-Übergang eine be- - f stimmte Kapazität zwischen Reihe (1) und Gatter g. Der Basis-Kollektor-Übergang des Transistors 31 bildet eine bestimmte Kapazität zwischen Gatter g und Basis b des Transistors 31. Diese Basis liegt über den Basis-Emitter-Übergang desTransistors 31 an der Spalte (1), welcher Basis-Emitter-Übergang durch die Spannung des Markierleiters ME11 in der Vorwärtsrichtung gesteuert wird, und den Leckstrom der Kathode k führt. Die Basis-Kollektcr-Kapazität des Transistors 31 liegt dann effektiv zwischen Spalte (1) und Gatter g.

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Wenn Spalte (1) und Reihe (1) Teile von verschiedenen Verbindungswegen bilden, können die Fernmeldesignale über die erwähnten inneren Transistorkapazitäten von einem Verbindungsweg auf den anderen übersprechen. Die übersprechdämpfung wird in hohem Maße durch den Wert des Widerstands 32 bestimmt. Je geringer dieser Wert, umso größer 1st die ÜberSprechdämpfung. Ein niedriger Wert des Widerstands 32 vereinigt sich jedoch nicht mit der Forderung einer geringen Übertragungsdämpfung im leitenden Zustand des Koppelelementes und mit der Forderung eines niedrigen Rauschpegels.

Fig. 3c zeigt eine erfindungsgemäß verbesserte AusfUhrungsform des Koppelelementes. Die Halbleitervorrichtung KA111 der Fig. 3b ist auch hier vorhanden und auf gleiche Weise wie in Fig. 3b zwischen Reihe (1) und Spalte (1) eingeschaltet. Nach der verbesserten Ausführungsform ist zwischen Gatter g der Halbleitervorrichtung KA111 und Pol s des Koppelelementes die Smitter-Kollektorstrombahn eines pnp-Transistors TA111 eingeschaltet. Der Transistor TA111 hat einen Emitter e„ eine Basis b und einen Kollektor c. Der Kollektor c ist an das Gatter g und der Emitter e ist an den Pol s angeschlossen. An die Basis des Transistors TA111 ist eine Stromquelle SA111 angeschlossen, die den Basisstrom des Transistors ΪΑ111 unabhängig von der Spannung des Pols s und unabhängig von dem Zustand der Halbleitervorrichtung KA111 auf einen nahezu konstanten Wert einstellt.

Die Stromquelle SA111 enthält einen npn-Transistor 33 mit einem Emitter e, einer Basis b und einem Kollektor c_o Der Emitter e.ist über einen Emitterwiderstand 34 mit einem negativen Speisepunkt (-) und eine Basis b ist unmittelbar mit Erde verbunden. Der Kollektor c des Transistors 33 ist an die Basis b des Transistors TA111 angeschlossen. Der

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Eaitterstrom dee Transistors 33 hat einenkonstanten Wert, der durch den Widerstand 34 und die Spannung des negative» Speisepunktee (~) bestirnt wird. Der Kollektorstrom ist innerhalb weiter Grenzen unabhängig von der Kollektorspannung, so daß er innerhalb weiter Grenzen einen nahezu konstanten Wert aufweist*

Fig. 3d zeigt das Koppelelement nach Fig. 3c wieder, aber mit anderen Symbolen und mit Pfeilangaben der für die Erklärung der Wirkung wesentlichen Spannungen und Ströme. Die Stromquelle SA111 wird durch das für eine Stromquelle übliche Symbol von zwei sich schneidenden Kreisen mit einem ä die Stromrichtung andeutenden Pfeil dargestellt. Die Halbleitervorrichtung KA111 wird durch einen in vier Teileaufgeteilten Block dargestellt; von den ÄuB®r®n alt P angegebenen 'Teil und von rechts nach links exltspreeten diese Teile dem Eaitter « des Transistors 50, der'Basis;te des Transistors 30 und den Kollektor ο des Transistors 51₉ dem Kollektor c des Transistors 30 und der Basis b des Transistors 31 und dem Baitter e des Transistors 31. ^:

Fig.^: 4ä zeigt die Beziehung zwischen der Bpniansag ¥1 und dem Strom 11, und Fig. 4b zeigt die Beziehung zwischen der Spannung V2 und dem Strom 12 für verschiedene Werte der Spannung C3.

Die Werte 11' (1) und 11(2) werden durchs

11(1) .* Bf.Is
11(2) « (Br + 1).Is

bestimmt, wobei Bf den Voi^ärts-Stromverstärkungefaktor und Br den Rückw&rts-Stromverstärkungäfaktor des Transistors TA111 und Is den Strom der Stromquelle SA111 bezeichnen. Die

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Kennlinie der Fig. 4a bezieht sich auf einen Transistor mit Bf «55* 0,8 und Br a* 0,4.

Xn einem praktischen Falle darf der Strom der Stromquelle SA111 den Wert Is «= 10 /uA aufweisen. Die "Knie"-Spannungen V1(1) und -V1(2) haben einen absoluten Wert von weniger als 1 Volt.

V2(1) ist die Durchschlagspannung des Transistors 31. Die Spannungen V3(4), V3(3) und V3(2) sind positiv und
V3(4) > V3(3) > V3(2) und V3(2) äs 0 Volt. Die Spannung
-V3(1) ist negativ und V3(1)« 0,8 Volt. Für positive
Ströme 12 > 12(1) reduzieren sich die Kennlinien für
V3(4), V3(3) und V3(2) su einer Kennlinie. Diese einzige Kennlinie entspricht der Kennlinie einer In &®r Vorwärtsrichtung gesteuerten Diode in Reihe mit der Enitter-Koliektor-Strombahn eines gesättigten TraneIstore. Der Strom 12(1) wird der Haltestrom genannt.

Wenn die Halbleitervorrichtung KA111 gesperrt ist, fließt zum Gatter g ein Gatterleckstrom. Der Wert 11(1} wird durch die Wahl von Bf mit Rücksicht auf Is derart bestimmt, daß der Gatterleckstrom kleiner ist als 11(1). Die Spannung V1 liegt dann im Bereich zwischen V1(0) und Vi(1).

Für negative Wert· dee Stroms 11 nimmt der Haltestrom der Halbleitervorrichtung KA111 ab und wird der Haltestrom
Null bei der Spannung V3 « -V3t1)« Der Wert 11(2) wird
durch die Wahl des Faktors Br mit Rücksicht auf Xs derart bestirnt, daß der Strom 11, bei dem der Haltestrom der
Halbleitervorrichtung KA111 Hull wird, in absolutem Wert geringer 1st als 11(2).

Fig. 5 zeigt eine AuefUhrungefon des in Fig. 1 durch eine

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volle Linie angedeuteten Verbindungswegs zwischen den EndvorrichtungenE11 und Frnunter Verwendung von Koppelelementen der Ausführungsform nach den Fig. 3c und d.

An Spalte (1) des Matrixschalters A1 ist eine Spannungsbegrenzungsschaltung SE11 angeschlossen, die die Spannung des Verbindungswegs im durchgeschalteten Zustand auf +3 Volt einerseits und auf -3 Volt andererseits begrenzt. Diese Schaltung enthält eine Diode 50, deren Anode an die Spalte (1) und deren Kathode an die Spannung von +3 Volt angeschlossen ist, während sie eine Diode 51 enthält, deren Kathode an die Spalte (1) und deren Anode an eine Spannung von -3 Volt angeschlossen ist.

An die Zwischenleitungen des Koppelfeldes und an die Reihen der Matrixschalter der Koppelstufe C sind einander gleiche Stromquellenschaltungen angeschlossen. Für die Zwischenleitungen ABU und BCrI und die Reihe (n) des Matrixschalters Cr sind diese Stromquellenschaltungen in Fig. 5 durch SAB11, SBCrI und SFrn bezeichnet. Die Stromquellenschaltung SAB11 enthält eine Diode 52, deren Anode an -3 Volt und deren Kathode an die Zwischenleitung AB11 angeschlossen ist, und einen npn-Transistor 53 mit einem Emitter e, einer Basis b und einem Kollektor c. Der ^

Emitter e ist über einen Emitterwiderstand 54 an eine ™

Spannung von -12 Volt, die Basis b an eine Spannung von -6 Volt und der Kollektor c ist an die Zwischenleitung AB11 angeschlossen. Mit Rücksicht auf die Spannungen von -6 Volt und -12 Volt wird durch den Emitterwiderstand 54 ein bestimmter Emitterstrom eingestellt. Wenn die Zwischenleitung AB11 nicht für eine Verbindung verwendet wird und somit frei ist, fließt der Kollektorstrom des Transistors 53. durch die Diode 52 und wird die Zwischenleitung AB11 auf einer Spannung von -3 Volt gehalten. Für eine Spannung der Zwischenleitung ABU von mehr als -3 Volt verhält sich

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die Schaltung SAB11 wie eine Stromquelle mit einem fest eingestellten Strom. Dies gilt auch für die anderen Zwischenleitungen des Koppelfeldes und für dessen Ausgänge.

Die Endvorrichtung E11 enthält einen Transformator 55, dessen Primärwicklung 56 zwischen Spalte (1) des Matrixschalters A1 und Erde und dessen Sekundärwicklung 5Ί an das Klemmenpaar 58-58 angeschlossen ist. Dieses Klemmenpaar dient zum Anschließen einer Übertragungsleitung für Fernmeldesignale z. B. einer Fernsprechleitung. Die Wicklung 56 stellt eine GleichstromverbiiÄirag zwischen Spalte (1) des Matrixschalters A1 und Erde her, über welche Verbindung der Haltestrom dea Verbindungswege fließen kann.

Die Endvorrichtung Frn enthält di© pisp-Transistoren 59 und 60, die je mit einem Emitter e_s einer Basis b und einem Kollektor © ¥©Fsehen. sind«, Der Emitter e des Transistors 59 ist !lTb®F einen Eanitterwiderstand 62 an einen Pol des Markierkont©kt@s 61 angeschlossen, dessen anderer Pol an einer Spannung von +30 Volt liegt. Die Basis b des Transistors 59 liegt an einer Spannung von +22 Volt und, der Emitter e ist an die Reihe (n) des Matrixschalters Cr angeschlossen.

Der Emitter e des Transistors 60 ist über einen Emitterwiderstand 63 an den gleichen Pol des Markierkontaktes 61 wie der Emitter e des Transistors 59 angeschlossen. Die Basis b des Transistors 60 liegt an +22 Volt,und der Kollektor 1st über eine Diode 64 an Reihe (n) des Matrixschalters Cr angeschlossen.

Zwischen der Anode der Diode 64 und Erde ist ein Stromkreis eingeschaltet, der in Reihenfolge enthält: einen

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Trennkondensator 65t die Sekundärwicklung 68 eines Transformators 66 und eine Diode 69. Die Primärwicklung 67 des Transforaators66 ist an das Klemmenpaar 70-70 angeschlossen, das zum Anschließen einer übertragungsleitung für Fernmeldeslgnale, z. B. einer Fernsprechleitung dient. Die Anode der Diode 69 ist über einen Widerstand 71 an den gleichen Pol des Markierkontaktes 61 wie die Emitter der Transistoren59 und 60 angeschlossen.

Die Dioden 64 und 69 isolieren die Sekundärwicklung 68 ,

gegen die Reihe (n) des Matrixschalter* Cr, wenn der Kon- - takt 61 nicht geschlossen ist und verhüten dadurch eine -

Zufuhr der am Klemnenpaar 70-70 auftretenden Femmeldesigna- Ie an die betreffende Reihe.

Zur Herstellung des beschriebenen Verbindungswege schen den Endvorrlehtuagen 111 und Frn wird der Markierkontakt 61 in der Endvorrichtung Frn geschlossen und werden · negative Markierimpulse den Markierleitern MB1, MA1 und ME-1 zugeführt. Ein negativer Marklerimpule erniedrigt die Spannung eines Markierleiters zeitweilig von +30 Volt auf +15 Volt. Die Spannung einer dem leitenden Verbindungsweg nicht zugehörenden Zwischenleitung beträgt -3 Volt. Die Spannung einer dem leitenden Verbindungsweg zugehurenden | Zwischenleitung liegt zwischen -3 Volt und +6 Volt.

Das Schließen des Markierkontaktes 61 bringt nit sich, daß eine Spannung von +22 Volt (die Reihenmarkierspannung) an Reihe (n) des Matrixschalters Cr auftritt. Die Transistoren 59 und 60 werden in den Sättigungszustand gesteuert, da der Strom der Stromquellenschaltung SFm nur ein Bruchteil der Emltterstrume der Transistoren 59 und 60 ist. Dadurch haben die Kollektoren dieser Transistoren und somit auch die Reihe (n) des Matrixschalters Cr nahezu Ale gleiche

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Spannung wie die Basis dieser Transistoren. Die Strom- " quellenschaltung SFrn sorgt dafür, daß die Spannung von +22 Volt an der betreffenden Reihe mit einer bestimmten minimalen Flankensteilheit erreicht wird. Die Zufuhr eines Markierimpulses an den Markierleiter MB1 erniedrigt die Spannung des Markierleiters der Spalte (1) des Matrixschalters Cr. Das Resultat ist, daß die Spannung V3 (Fig. 3d) zwischen den Polen s und a des Koppelelementes GCrIn zwischen Spalte (1) und Reihe (n) des Matrixschalters Cr einen Wert von -7 Volt hat. Der Transistor TCrIn führt dann einen Strom 11 = -11(2) (Fig. 3d und 4a), der den Haltestrom der Halbleitervorrichtung KCrIn auf Null herabsetzt. Die Hauptstrombahn der Halbleitervorrichtung KCrIn bildet dann einen niedrigen Reihenwiderstand für die Reihenmarkierspannung der Reihe (n) des Matrixschalters Cr, wodurch die Reihenmarkierspannung auf die Zwischenleitung BCrI übertragen wird. Die Stromquellenschaltung SBCrI sorgt dafür, daß nach dem Leitendwerden des Koppelelementes GCrIn ein bestimmter Minimalstrom durch die Hauptstrombahn der Halbleitervorrichtung KCRIn fließt, wodurch die Spannung der Zwischenleitung BCrI mit einer bestimmten minimalen Plankensteilheit den Wert von +22 Volt erreicht. In der Koppelstufe B wird durch Koinzidenz zwischen dem Markierimpuls des Markierleiters MA1 und der Reihenmarkierspannung der Reihe (r) des Matrixschalters B1 das Koppelelement GB11r leitend gemacht. Dadurch wird die Reihenmarklerspannung auf die Zwischenleitung AB11 übertragen. Die Stromquellenschaltung SAB11 hat dabei die gleiche Wirkung wie die Stromquellenschaltung SBCrL In der Koppelstufe A wird durch Koinzidenz zwischen dem Markierimpuls des Markierleiters ME-1 und der Reihenmarkierspannung der Reihe (1) des Matrixschalters A1 das Koppelelement GA111 leitend gemacht.

Die Kathode k der Halbleitervorrichtung KA111 des Koppel-

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elementes GA111 ist über die Reihe (1) des Matrixschalters* A1 und die Primärwicklung 56 des Transformators 55 der Endvorrichtung E11 mit Erde verbunden. Das Leitendwerden des Koppelelementes GA111 stellt dann den Verbindungsweg nahezu auf Erdpotential ein, wodurch der Strom durch die in Reihe geschalteten Hauptstrombahnen der Halbleitervorrichtungen KA111, KB11r und KCrIn zunimmt. Die Markierimpulse der Markierleiter ME-1, MA1 und MB1 können nach dem Leitendwerden des Koppelelementes GA111 beendet werden.

Infolge des Leitendwerdens des Koppelelementes GA11T nehmen die Kollektorströme der Transistoren 59 und 60 der Endvorrichtung Frn bis zu den durch die Emitterwiderstände 62 und 63 mit Rücksicht auf die Spannungen von +30 Volt und +22 Volt eingestellten Werten zu. Die Transistoren 59 und 60 verhalten sich dabei wie eine Stromquelle.

Der Zustand eines leitenden Koppelelementes, z. B. das Koppel element GA111 (Fig. 5 und Fig. 3d), ist folgender: die Anode a und die Kathode k der Halbleitervorrichtung KA111 haben nahezu Erdpotential, und von der Anode zu der Kathode fließt ein Strom, der nahezu gleich der Summe der Kollektorströme der Transistoren 59 und 60 der Endvorrichtung Frn ist. Der Pol s hat eine Spannung von +30 Volt, die eine Spannung V1 (Fig. 3d) auch von +30 Volt hervorruft. Diese Spannung stellt den Transistor TA111 auf den zur positiven V1-Achse parallel verlaufenden Teil der Kennlinie nach Fig. 4a ein. In diesem Teil der Kennlinie hat der Strom 11 den Wert 11(1), wobei der Kollektor des Transistors TA111 einen hohen Differentialwiderstand für die Halbleitervorrichtung KA111 bildet. Der Strom 11 = 11(1) führt eine Erhöhung des Haltestroms der Halbleitervorrichtung KA111 auf den Wert 12(1) (Fig. 4b) herbei, der jedenfalls unter dem Wert des Stroms liegt, der von der Anode zur Kathode fließt,

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durch passende Einstellung letzteren Stroms.

Wenn beim Markieren eines anderen Verbindungswegs ein Markierimpuls dem Markierleiter ME-1 zugeführt wird, sinkt die Spannung V1 (Fig. 3d und 4a) des leitenden Koppelelementes GA111 auf +15 V herab, aber der Strom 11 (Fig. 4a) ändert sich nicht. Das Resultat ist, daß keine Störungen infolge Markierimpulse in einem bereits eingestellten Verbindungsweg auftreten können. Dadurch wird die Erscheinung des Markierrauschens in elektronische Sprechwege vollständig vermieden.

Bei einem gesperrten Koppelelement, von dem lediglich der Pol a oder lediglich der Pol s markiert wird oder von dem keine der beiden Pole markiert werden, ist die Spannung V3 (Fig. 3d) positiv. Die Spannung V3 hat in diesen unterschiedlichen Fällen einen Wert von ungefähr +8 Volt, +15 Volt bzw. +30 Volt. In den letzteren zwei Fällen kann noch eine Änderung von maximal -9 Volt auftreten, wenn der Pol a mit einer besetzten Zwischenleitung verbunden ist, deren Spannung zwischen -3VoIt und +6 Volt liegt. In all diesen Fällen bleibt die Halbleitervorrichtung des Koppelelementes gesperrt. Wie beschrieben, ist der Gatterleckstrom der Halbleitervorrichtung geringer als 11(1) (Fig. 4a), so daß der Transistor TA111 auf den zur positiven 11-Achse parallel verlaufenden Teil der Kennlinie nach Fig. 4a eingestellt ist. In diesem Teil der Kennlinie bildet der Kollektor des Transistors TA111 (Fig, 3d) einen niedrigen Differentialwideretand für die Halbleitervorrichtung KA111,

Dem Klemmenpaar 70-70 zugeführte Fernmeldesignale rufen eine bestimmte Signalspannung über der Sekundärwicklung 68 des Transformators 66 hervor. Diese Signalspannung wird zwischen Reihe (») des Matrixschalters Cr und Erde über die" leitenden Dioden 64 und 69 und den Kondensator 65 angelegt.

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Die Diode 64 wird durch den Kollektorstrom des Transistors 60 leitend gemacht, welcher Strom den negativen Signalstrom auf einen bestimmten Maximalwert begrenzt. Die Diode 69 wird durch den Strom durch den Widerstand 71 in der Leitungsrichtung gesteuert, welcher Strom den positiven Signalstrom auf einen bestimmten Maximalwert begrenzt. Der Emitterwiderstand 62 des Transistors 59 wird mit Rücksicht auf die Spannungen von +30 Volt und +22 Volt derart bestimmt, daß der Kollektor einen Strom durch die leitenden Koppelelemente beibehält, der höher ist als der Haltestrom dieser Koppelelemente.

Die Signalspannung zwischen Reihe (n) des Matrixschalters Cr und Erde ruft Über den niederohmigen Verbindungsweg einen Signalstrom durch die Primärwicklung 56 des Transformators 55 der Endvorrichtung El1 hervor, wodurch eine Signalspannung am Kiemmenpaar 58-58 entsteht. Umgekehrt rufen Fernmeldesignale, die dem Klemmenpaar 58-58 zugeführt werdea, einen Signalstrom durch die Sekundärwicklung des Transformators 66 der Endvorrichtung Frn hervor, wodurch eine Signalspannung am Klemmenpaar 70-70 entsteht.

Die Ubertragungsdämpfung eines leitenden Koppelelementes (Fig. 3d) in der Schaltung nach Fig. 5 wird durch den Reihenwiderstand der Hauptstrombahn der Halbleitervorrich- | tung KA111 und den Kollektordifferentialwiderstand des Transistors'TA111 bestimmt. Da dieser Differentialwiderstand bei einem leitenden Koppelelement einen sehr hohen Wert aufweist, ist dessen Beitrag zur Übertragungsdämpfung sehr gering.

Bei einem gesperrten Koppelelement (Fig. 3d) bilden die Streukapazitäten zwischen Anode a und Gatter g und zwischen Kathode k und Gatter g eine wichtige Ursache des Über-

Sprechens zwischen der Kathode und der Anode. Die Ubersprechdämpfung infolge dieser Form des Übersprechens wird durch das Verhältnis zwischen den kapazitiven Streuimpedanzen und dem Kollektordifferentialwiderstand des Transistors TÄ111 bestimmt. Bei einem gesperrten Koppelelement hat dieser Differentialwiderstand einen sehr niedrigen Wert, wodurch die Ubersprechdämpfung sehr hoch ist. Infolge des Sättigungszustandes und der Trägheit des Transistors TA111 kann dieser kurzzeitig kapazitive Ströme ohne Widerstandserhöhung durchlassen, auch wenn der Momentanwert des Kollektorstroms 11 höher als 11(1) wird. Dies ist vorteilhaft, wenn Fernmeldesignale übertragen werden, in denen steile Flanken auftreten, was z. B. bei binären Datensignalen und Videophonsignalen der Fall ist.

Die Begrenzungsschaltung SE11, die mit der Spalte (1) des Matrixschalters At verbunden ist, begrenzt die Fernmeldespannungen, die am oberen Ende der Wicklung 56 auftreten, einerseits auf +3 Volt und andererseits auf -3 Volt, wodurch die Spannung eines leitenden Verbindungswegs unter Berücksichtigung eines Spannungsabfalles von ungefähr 1 Volt über ein leitendes Koppelelement, zwischen +6 Volt und -3 Volt liegt.

Der durchgeschaltete Verbindungsweg wird unter der Steuerung des geschlossenen Markierkontaktes 61 in der Endvor richtung Fm In dem niederohmigen Zustand gehalten. Das öffnen des Kontaktes 61 unterbricht den Strom durch die in Reihe geschalteten Koppelelemente, wodurch diese Koppelelemente selbsttätig in den gesperrten Zustand übergehen und der Verbindungsweg unterbrochen wird.

Nach dem öffnen des Markierkontaktes 61 fließt durch die Zwischenleitung BCrI'die Summe der Leckströme der Koppel-

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elemente der Spalte (1) des Matrixschalters Cr. Diese Leckströme werden durch die Stromquellenschaltung SBCrI absorbiert, so daß sie von der Reihe (r) des Matrixschalters B(I-). ferngehalten werden. Das leitende Koppelelement GBIIr kann nach dem Öffnen des Markierkontaktes 61 nicht im leitenden Zustand durch den Leckstrom gehalten werden, . der durch die Zwischenleitung BCrI fließt, so daß es · in zuverlässiger Weise in den gesperrten Zustand übergeht. Auf diese Weise werden die Beschränkungen des fialtestroms 12(1) (Fig. 4b) erheblich erleichtert.

Fig. 6 zeigt einen Verbindungsweg, für Einrichtung-Signalübertragung, bei der die Vorteile des verbesserten Koppelelementes aufs äußerste benutzt werden. Dieser Verbindungsweg unterscheidet sich von dem Verbindungsweg nach Fig. 5 durch die Ausfuhrungsform der Endvorrichtungen El 1 und Fm. In Fig. 6 sind die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 5 zum Bezeichnen der entsprechenden 'feile verwendet.

Die Endvorrichtung Frn (Fig. 6) enthält die pnp-'i'ransistoren 72 und 73, die mit je einem Emitter e, einer Basis, b und einem Kollektor c versehen sind. Der Emitter e des . Transistors 72 ist über einen Emitterwiderstand 74 mit einem Pol des Markierkontaktes 61 verbunden, dessen anderer Pol mit +30 Volt verbunden ist. Der Kollektor c des Transistors 72 ist mit der Reihe (n) ,des Matrixschalters Cr verbunden und/die Bas.is führt eine Spannung ,von +22Volt.. Der Transistor .72.ha.t, die gleiche Funktion und die gleiche Wir-, kung wie. der Transistor 59 i,n Fig.. 5. Der Emitter, e ,des. ; _: Transistors 73 ist über einen Emitterwiderstand 7-5,/mit., - %.-dem gleichen Pol des Markierkontaktes 61 wie der Emitter e des 'Transistors :..72 ,verbunclen. Der Kollektor c,de.sTran-r .... .._:. · sistqrs .7,3 ist über -elne.n KQllek.tor.wiäerstand,.76 mit,,der., _v-· fteihe (n) des" Matrixschalters Cr verbunden und die Basis b

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führt die gleiche Spannung von +22 Volt wie die Basis des Transistors 72.

Das Klemmenpaar 70-70 der Endvorrichtung Frn ist an Erde angeschlossen und über die Reihenschaltung eines Trennkondensators 78 und eines Widerstandes 77 an den Emitter e des Transistors 73.

Der Pol des Markierkontaktes 71, an den die Emitter der Transistoren 72 und 73 angeschlossen sind, ist über einen Widerstand 79 mit Erde verbunden. Über diesen Widerstand werden die Transistoren 72 und 73 gesperrt, wenn der Markierkontakt 61 offen ist.

Die Erxdvorrichtung E11 (Fig. 6) enthält einen Transistor 80 mit einem Emitter e, einer Basis b und einem Kollektor c. Der Emitter e ist mit Spalte (1) des Matrixschalters Al verbunden. Der Kollektor c ist über einen Kollektorwiderstand 81 mit einer Spannung von -12 Volt und die Basis b ist mit einer Spannung von -3 Volt verbunden. Das Klemmenpaar 58-58 ist mit Erde und über einen Trennkondensator 82 mit dem Kollektor des Transistors 80 verbunden.

Das Schließen des Marklerkontaktes 61 und die Zufuhr von Markierimpulsen an die Markierleiter MBI, MA1 und ME-1 bewerkstelligen die Durchschaltung des Verbindungswegs auf die gleiche Weise*wie anhand der Fig. 5 beschrieben ist. Nach dem Leitendwerden des Koppelelementes GA111 wird der Transistor 80 in der Endvorrichtung E11 leitend und sinkt die Spannung des Verbindungswegs auf etwa -3 Volt herab. Der Transistor 72 kommt dann aus dem Sättigüngs- · zustand und steuert einen konstanten Ström durch den Ver-' bindungsweg, der nach dem Wegfall der Markierimpulse dadurch auf rechiÄrtial Keil VIf d^^ """" ' -..···--■ -------

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Der Emitterwiderstand 75» mit Rücksicht auf die Spannungen von +30 Volt und +22 Volt, stellt den Emitterstrom des Transistors 73 auf einen Arbeitspunkt ein. Fernmeldesignale, die dem Klemmenpaar 70-70 zugeführt werden, rufen positive und negative Signaländerungen des Emitterstroms des Transistors 73 hervor. Der Arbeitspunkt des Transistors 73 ist derart bestimmt, daß bei Fernmeldesignalen des Nominalpegels die Emitterstromänderungen entsprechende Kollektorstromänderungen herbeiführen. Die Kollektorstromänderungen des Transistors 73 werden durch den Verbindungsweg auf den Emitter des Transistors 80 in der Endvorrichtung E11 Übertragen, wo sie entsprechende Ände-rungen des Kollektorstroms des Transistors 80 hervorrufen, wodurch eine Signalspannung am Klemmenpaar 58-58 entsteht. Ein Verlust an Signalstrom tritt dabei nicht auf, um daß die Transistoren TA111, TB11r und TCrTn an ihren Kollektoren einen hohen Differentialwiderstand aufweisen.

Der Kollektor des Transistors 73 liefert Signalströme, die innerhalb weiter Grenzen unabhängig von der Kollektorspannung sind, so daß er für diese Signalströme die Wirkung einer Stromquelle mit einem hohen inneren Differentialwiderstand aufweist. Auf diese Weise wird eine Übertragungsdänpfung von der Endvorrichtung Frn zu der Endvorrichtung E11 bewerkstelligt, die unabhängig ist von den Reihenwiderständen der Koppelelemente, wodurch die Streuung in der Übertragungsdämpfung zwischen' zwei beliebigen Endvorrichtungen sehr gering

Infolge der hohen inneren Impedanz der Fernmeldesignalquelle wird außerdem der Einfluß des induktiven Ubersprechens von parallelen Verbindungswegen verringert.

Die Belastung des Verbindungswegs wird durch den niederohmi-

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gen Emitter-Basis-Übergang des Transistors 80 gebildet: Die Spannungsänderungen über den Verbindungsweg während der Signalübertragung werden dadurch sehr gering, wodurch das kapazitive Übersprechen auf parallele Verbindungswege verringert wird.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 3d und.4a sei bemerkt, daß der Teil der 11-V1-Kennlinie*, der unter der V1-Achse liegt, lediglich eine Rolle spielt, wenn ein Koppelelement durch die. Reihenmarkierspannung und den Spaltenmarkierimpuls in Koinzidenz markiert wird. Für alle anderen Fälle ist nur der über der V1-Achse liegende Teil der 11-V1-Kennlinie maßgebend. Wesentlich für eine hohe Ubersprechdämpfung und eine niedrige Übertragungsdämpfung und außerdem fUr einen niedrigen Markierrauschpegel ist, daß die Kennlinie für positive Ströme 11 bis zum Wert 11(1) entsprechend einem niedrigen Differentialwiderstand einen steilen Verlauf und für Werte von mehr als 11(1) entsprechend einem hohen Differentialwiderstand einen flachen Verlauf aufweist. Der Wert 11(1) ist derart bestimmt, daß dieser höher ist als der maximale Gatterleckstrom eines gesperrten Koppelementes.

Um ein in Koinzidenz markiertes Koppelelement schnell leitend zu machen, ist es wichtig, daß die Kennlinie für negative Ströme 11 bis zum Wert 11(2) entsprechend einem niedrigen Differentialwiderstand einen steilen Verlauf und von diesem Wert ab entsprechend einem hohen Differentialwiderstand einen flachen Verlauf aufweist, um den Markierstrom zu begrenzen. Der Wert 11(2) wird derart bestimmt, daß dieser höher ist als der Wert des Gatterstroms, bei dem der Haltestrom Null wird.

Es wird einleuchten, daß Elemente mit einer Kennlinie nach Fig. 4a auf verschiedene Weise hergestellt werden können,

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BAD ORIQiNAl

so daß die Erfindung sich nicht auf die vorteilhaften Ausführungsformen dieser Elemente nach Fig. 3c beschränkt. Es wird weiterhin einleuchten, daß, da nur der über der Vl -Achse liegende Teil der Kennlinie die günstigen Eigenschaften der hohen Übersprechdämpfung und der niedrigen Übertragungsdärapfung und des niedrigen Markierrauschpegels maßgebend ist,, die Erfindung sich auch auf Elemente bezieht, dessen Teil der Kennlinie für negative Ströme 11 von der in Fig. 4a dargestellten Kennlinie abweicht.

Patentansprüche: . - 26

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Claims

Patentansprüche ϊ

Schaltungsanordnung zum impulsgesteuerten Verbinden einer Fernmeldesignalquelle mit einer Fernmeldesignalbelastung, welche Anordnung eine Halbleitervorrichtung mit einer Hauptstrombahn und einer teilweise mit der Hauptstrombahn zusammenfallenden Steuerstroiabahn enthält, welche Hauptstrombahn eine niedrige Impedanz für einen bestimmten HaltestroBJ überschreitende Ströme und ©ine hohe Impedanz für diesen Haltestrom unterschreitende Ströme bildet, welche Steuerstrombahn für Steuerströme einer bestimmten Polarität eine den erwähnten Haltestrom erniedrigende Wirkung hat» in welcher Schaltungsanordnung die Hauptgtrombahn zwischen der erwähnten Quelle und der erwähnten Belastung eingeschaltet iat und die erwähnte Steuerstrombahn an eine Steuerklemiae angeschlossen ist, wobei eine Steuerimpulsquelle an die Steuerklemme und eine Gleichstromquelle ₉ an die Bauptstroaabato angeschlossen sind;, dadurch gekeai»elete©t_s daß gwisene» dar Steuerstrombahn und der Steuerklemme ein Element ©ingeschaltet ist, dessen Differentialwiderstaad für Ströme mit einer der erwähnten bestimmten Polarität entgegengesetzten Polarität und mit einem einen bestimmten ersten Wert unterschreitenden Wert, einen niedrigen Wert und für Ströme der erwähnten, entgegengesetzten Polarität und mit einem den erwähnten, bestimmten ersten Wert überschreitenden Wert einen hohen Wert aufweist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 * dadurch gekennzeichnet, daß das Element für Ströme der erwöbnten, bestimmten Polarität mit einem einen bestimmten, «weiten Wert unterschreitenden Wert einen niedrigen&%ϊ$erentialwiderstand und für Ströme der erwähnten, bestimmten Polarität mit einem den erwähnten bestimmten^ zweiten Wert Überschreitenden Wert einen hohen Bi|ffrential»iderstand aufweist.

BAD ORIGINAL
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch2, dadurch gekennzeichnet, daß das Element durch eine Stromquelle in Kombination mit einem Transistor gebildet wird, der einen Emitter, eine Basis und einen Kollektor aufweist, wobei die Basis an die Stromquelle, der Emitter an die Steuerklemme und der Kollektor an die Steuerstrombahn der Halbleitervorrichtung angeschlossen sind.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle von Fernmeldesignalen durch eine Quelle mit einem hohen Inneren Differentialwiderstand gebildet wird.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fernmeldesignalbelastung durch eine Belastung mit einem niedrigen, inneren Differentialwiderstand gebildet wird.

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