DE1271179B - Schaltmatrix, insbesondere zur Verwendung als Koppelnetzwerk in einer Fernsprechvermittlungsanlage - Google Patents
Schaltmatrix, insbesondere zur Verwendung als Koppelnetzwerk in einer FernsprechvermittlungsanlageInfo
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- DE1271179B DE1271179B DEP1271A DE1271179A DE1271179B DE 1271179 B DE1271179 B DE 1271179B DE P1271 A DEP1271 A DE P1271A DE 1271179 A DE1271179 A DE 1271179A DE 1271179 B DE1271179 B DE 1271179B
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
Int. Cl.:
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H03k
Deutsche Kl.: 21 al-36/18
1 271179
P 12 71 179.4-31
30. Oktober 1964
27.Juni 1968
P 12 71 179.4-31
30. Oktober 1964
27.Juni 1968
Die Erfindung betrifft eine Schaltmatrix, insbesondere zur Verwendung als Koppelnetzwerk in einer
Fernsprechvermittlungsanlage, bestehend aus Zeilenleitungen, Hauptspaltenleitungen und Hilfsspaltenleitungen,
wobei die Koppelpunkte durch je ein Schalttecnetron gebildet werden, dessen der Einschnürungselektroden-Kathodenslrecke
zugeordnete Stromspannungskennlinie einen Kippunkt mit einem anschließenden Abschnitt negativen Widerstandes
aufweist, und wobei an jedem Koppelpunkt die Hauptspaltenleitung mit der Kathode, die Hilfsspaltenleitung
mit der Anode und die Zeilenleitung mit der Einschnürungselektrode des Tecnetrons verbunden
ist.
Die Tecnetrons sind bekanntlich Halbleitersteuerelemente mit Trioden- bzw. Diodencharakter, deren
Wirksamkeit im wesentlichen aus der Verteilung eines elektrischen Feldes in einer Einschnürung eines Halbleiterkörpers
beruht, wobei auf einer Seite der Einschnürung eine Quellenelektrode oder Kathode, auf
der anderen Seite der Einschnürung eine Saugelektrode oder Anode und am Umfang der Einschnürung
eine dem Gitter entsprechende Einschnürungselektrode angeordnet ist. Tecnetrons zeichnen
sich allgemein durch geringe Steuerströme bzw. einen hohen Eingangswiderstand aus.
Eine spezielle Ausführungsform derartiger Halbleitersteuerelemente
ist als Schalttecnetron bekannt (deutsche Patentschrift 1168 569). Hierbei ist der
Querschnitt der Einschnürung des Halbleiterkörpers in Richtung von der Kathode zur Anode zunehmend
ausgebildet, während die Einschnürungselektrode Kegelstumpfform aufweist und kürzer als die Einschnürung
ausgebildet ist. Außerdem ist in der Einschnürung, und zwar in unmittelbarer Nähe sowie auf
der Kathodenseite der Einschnürungselektrode, eine zusätzliche Querschnittsverminderung in Form einer
Ringnut angebracht. Diese Schalttecnetrons haben in bezug auf ihre Kathoden-Einschnürungselektrodenstrecke
Diodencharakter mit einer Stromspannungskennlinie, die einen Bereich negativen Widerstandes,
d. h. einen in Richtung zunehmender Spannung fallenden Abschnitt des Stromverlaufs auffaßt. Am
Beginn des fallenden Kennlinienabschnitts befindet sich ein Kippunkt, dessen Spannung innerhalb weiter
Grenzen durch die Anodenspannung steuerbar ist. Im einzelnen ist die Kippspannung innerhalb dieser
Grenzen annähernd gleich dem Produkt der Anodenspannung mit einem Koeffizienten «, der kleiner oder
gleich 1 ist.
Bekannt ist ferner eine Matrixkoppelschaltung (französische Patentschrift 1 312 465), deren Koppel-
Schaltmatrix, insbesondere zur Verwendung
als Koppelnetzwerk in einer
Fernsprechvermittlungsanlage
als Koppelnetzwerk in einer
Fernsprechvermittlungsanlage
Anmelder:
Michel Rouzier, Vauhallan (Frankreich)
Vertreter:
Dr. B. Quarder, Patentanwalt,
7000 Stuttgart 1, Richard-Wagner-Str. 16
Als Erfinder benannt:
Michel Rouzier, Vauhallan (Frankreich)
Beanspruchte Priorität:
Frankreich vom 13. November 1963 (953 644)
punkte durch Tecnetrons gebildet sind. Hierbei erfolgt die Durchschaltung der Koppelpunkte mit Hilfe einer
Signalkoinzidenz an Kathode und Anode der Tecnetrons. Bei dieser bekannten Schaltung werden jedoch
einfache Tecnetrons mit von der Anoden-Kathoden-Spannung unabhängiger Kippspannung verwendet,
weshalb die Anoden-Kathoden-Spannung zum Durchschalten bzw. Auftrennen der Koppelpunkte im
Dauerbetrieb ein bzw. ausgeschaltet werden muß.
Dies ist mit einem entsprechenden Dauerverbrauch an Steuerleistung im Anodenstromkreis sowie mit
einer entsprechend hohen Dauerbelastung der Steuerschalter verbunden. Die hierdurch bedingte Erhöhung
des Bauaufwandes macht sich insbesondere bei Fernsprechvermittlungsanlagen
mit ihren großen Koppelfeldern und entsprechend hohen Anzahlen von Koppelpunkten
und Steuerelementen nachteilig bemerkbar.
Aufgabe der Erfindung ist demgemäß die Schaffung
Aufgabe der Erfindung ist demgemäß die Schaffung
einer Schaltmatrix, bei der diese Nachteile der bekannten Koppelschaltung mit Tecnetrons überwunden
sind. Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe kennzeichnet sich bei einer Schaltmatrix der eingangs
genannten Art hauptsächlich dadurch, daß für die Koppelpunkte Tecnetrons mit von der Anoden-Kathoden-Spannung
gleichsinnig abhängiger Kippspannung vorgesehen sind, wobei zum Durchschalten
eines Koppelpunktes Koinzidenz eines positiven Impulses an der Zeilenleitung und eines negativen
Impulses an der Hilfsspaltenleitung sowie zum Auftrennen des Koppelpunktes ein positiver Impuls an
der Spaltenleitung vorgesehen ist.
809 ^67/497
Die Wirksamkeit dieser Schaltung beruht im wesentlichen darauf, daß die Anode der zwischen Kathode
und Einschnürungselektrode als Diode verwendeten Tecnetrons im Sinne einer Steuerelektrode benutzt
wird, um die Kippspannung abzusenken, wobei die Einschnürungselektrode selbst als zweite Steuerelektrode
für die Signalkoinzidenz beim Kippvorgang Verwendung findet. Hierdurch wird das Durchschalten
bzw. Auftrennen der Koppelpunkte mit impulsförmigen Signalen entsprechend geringer mittlerer
Leistung ermöglicht. Die Schalter zur Ansteuerung der Koppelpunkte (Spalten- und Zeilenschalter)
brauchen demgemäß nicht für Dauerlast ausgelegt zu werden, wodurch sich eine wesentlich günstigere
Dimensionierung ergibt. Ferner bleibt der Grundwert i5 schaltung 32 ist eine an sich bekannte Schaltung mit
des Anodenstroms im Einschalt-und Ausschaltzustand zwei entgegengesetzt gepolten Dioden und hat die
unverändert und erfordert ebenfalls kein mit dem
Dauerstrom belastetes Schaltorgan.
Dauerstrom belastetes Schaltorgan.
Die Erfindung wird weiter an Hand der in den Zeichnungen schematisch veranschaulichten Ausführungsbeispiele
erläutert. Hierin zeigt
F i g. 1 die Stromspannungskennlinie eines Schalttecnetrons zwischen Kathode und Einschnürungselektrode für zwei verschiedene Anodenspannungen
bzw. Kippunkte mit entsprechenden fallenden Kenn- 25 tiver Pol an Erde liegt. Die negativen Abschaltimpulse,
linienabschnitten, die in die Basis 36 des Transistors 34 eingespeist
F i g. 2 die Schaltung eines Koppelpunktes einer erfindungsgemäßen Schaltmatrix,
F i g. 3 eine erste Ausführung einer erfindungsgemäßen Schaltmatrix mit Koppelpunkten gemäß
F i g. 2 und
F i g. 4 eine andere Ausführung einer erfindungsgemäßen Koppelmatrix.
Die Kurve 1 der F i g. 1 ist eine charakteristische
Kurve der Einschnürungsspannung Vg eines Schalt- 35 stand 41 von der Größe JR1 mit dem positiven Pol tecnetrons in Abhängigkeit von seinem Einschnü- einer Spannungsquelle 40 von der Spannung E0 verrungsstrom Ig für eine gegebene Anodenspannung Va. bunden, deren negativer Pol an Erde liegt. Die Sie besitzt bekanntlich für einen negativen Ein- Kathode der Diode 42 ist mit dem positiven Pol der schnürungsstrom einen stark abfallenden positiven Spannungsquelle 40 über einen Widerstand 43 und Zweig, der einer großen positiven Impedanz R1 ent- 40 außerdem mit dem Kollektor eines n-p-n Transpricht. Für einen Einschnürungsstrom, der annähernd sistors 44 verbunden, dessen Emitter mit der positiven gleich Null ist, hat sie ein Maximum (die sogenannte Klemme einer Spannungsquelle 45 verbunden ist, Kippspannung) im Werte Vgb = aVa und für die posi- deren Spannung Ua kleiner als die Spannung Ea der tiven Werte des Einschnürungsstromes einen Zweig Spannungsquelle 40 ist. Um das Tecnetron 10 in den mit starker negativer Impedanz Rn, gefolgt von einem 45 Schaltzustand »EIN« umkippen zu lassen, wird ein Zweig schwach positiver Impedanz R11 nach einem negativer und ein positiver Einschaltimpuls gleich-Minimum Vgh, dem sogenannten Spannungstal für zeitig an die Basen 26 und 46 der Transistoren 24 einen Einschnürungsstrom Igh. Die Kurve 2 ist eine und 44 angelegt. Dies hat zur Folge, daß die Einder Kurve 1 analoge Kurve. Sie entspricht aber schnürungselektrode 12 auf das Potential Ug der einer Anodenspannung V0' < Va. Sie hat ein Maxi- 50 Spannungsquelle 25 und die Anode 13 auf das Poten- muvci Vgb = aVa'< Vgb, ein Spannungstal %, das nur tial U0 der Spannungsquelle 45 gebracht werden, wenig niedriger als Vgh für einen Wert des Einschnü- Wenn das Tecnetron 10 in dem Zustand »AUS« rungsstromes I'gh, der merklich schwächer ist als Igh ist, wird es von einem schwachen Anodenstrom I„ und einen Ast mit schwacher positiver Impedanz R„, von der Größenordnung Milliampere durchflossen, die praktisch zu einem großen Teil mit dem ent- 55 der das Potential seiner Anode 13 auf den Wert sprechenden Zweig der Kurve 1 verläuft. Va = E3 — RJ0 bringt; d. h., seine Anodenspannung
Kurve der Einschnürungsspannung Vg eines Schalt- 35 stand 41 von der Größe JR1 mit dem positiven Pol tecnetrons in Abhängigkeit von seinem Einschnü- einer Spannungsquelle 40 von der Spannung E0 verrungsstrom Ig für eine gegebene Anodenspannung Va. bunden, deren negativer Pol an Erde liegt. Die Sie besitzt bekanntlich für einen negativen Ein- Kathode der Diode 42 ist mit dem positiven Pol der schnürungsstrom einen stark abfallenden positiven Spannungsquelle 40 über einen Widerstand 43 und Zweig, der einer großen positiven Impedanz R1 ent- 40 außerdem mit dem Kollektor eines n-p-n Transpricht. Für einen Einschnürungsstrom, der annähernd sistors 44 verbunden, dessen Emitter mit der positiven gleich Null ist, hat sie ein Maximum (die sogenannte Klemme einer Spannungsquelle 45 verbunden ist, Kippspannung) im Werte Vgb = aVa und für die posi- deren Spannung Ua kleiner als die Spannung Ea der tiven Werte des Einschnürungsstromes einen Zweig Spannungsquelle 40 ist. Um das Tecnetron 10 in den mit starker negativer Impedanz Rn, gefolgt von einem 45 Schaltzustand »EIN« umkippen zu lassen, wird ein Zweig schwach positiver Impedanz R11 nach einem negativer und ein positiver Einschaltimpuls gleich-Minimum Vgh, dem sogenannten Spannungstal für zeitig an die Basen 26 und 46 der Transistoren 24 einen Einschnürungsstrom Igh. Die Kurve 2 ist eine und 44 angelegt. Dies hat zur Folge, daß die Einder Kurve 1 analoge Kurve. Sie entspricht aber schnürungselektrode 12 auf das Potential Ug der einer Anodenspannung V0' < Va. Sie hat ein Maxi- 50 Spannungsquelle 25 und die Anode 13 auf das Poten- muvci Vgb = aVa'< Vgb, ein Spannungstal %, das nur tial U0 der Spannungsquelle 45 gebracht werden, wenig niedriger als Vgh für einen Wert des Einschnü- Wenn das Tecnetron 10 in dem Zustand »AUS« rungsstromes I'gh, der merklich schwächer ist als Igh ist, wird es von einem schwachen Anodenstrom I„ und einen Ast mit schwacher positiver Impedanz R„, von der Größenordnung Milliampere durchflossen, die praktisch zu einem großen Teil mit dem ent- 55 der das Potential seiner Anode 13 auf den Wert sprechenden Zweig der Kurve 1 verläuft. Va = E3 — RJ0 bringt; d. h., seine Anodenspannung
wird durch Vergleich mit dem Potential Vc seiner
Kathode auf einen Wert V0 — Vc und daher seine
Kippspannung auf den Wert Vgb = Vc — a{Va— \ζ) ge-60
bracht, wobei sein Arbeitspunkt M1 somit auf dem Kurvenast mit starker positiver Impedanz R1 der
Kurve 1 liegt. Damit die Stabilität des Tecnetrons 10 in diesem Zustande selbst in Gegenwart von niederfrequenten
beispielsweise von der Telefonleitung 20
elektrode 12 und der Kathode 11 ist eine kleine 65 herrührenden Signalen mit einer Spitzenspannung U5
für Schalttecnetrone typische Rille 14 in der Ein- gesichert ist, wird die elektromotorische Kraft E9
schnürung angebracht, die einen Kathodenwider- der Vorspannungsquelle 23 der Einschnürungselekstand
mit einem veränderlichen Wert bildet, der vor trode so gewählt, daß das Einschnürungspotential
dem Kippen hinreichend groß ist, aber nach dem Kippen sehr klein wird.
Die beiden Fernsprechleitungsabschnitte 20 und 30 enden an den Primärwicklungen der Transformatoren
21 bzw. 31. Die Sekundärwicklung des Transformators 21 ist einerseits mit der Einschnürungselektrode 12 mittels einer Diode 22 verbunden und
andererseits mit einer Vorspannungsquelle 21 von der Spannung Eg, deren negativer Pol geerdet ist.
Die Sekundärwicklung des Transformators 31 ist einerseits mit der Kathode 11 über eine Spannungsbegrenzerschaltung
32 verbunden, das der Einfachheit halber durch einen Widerstand dargestellt ist, anderseits
liegt sie an Erde. Die Spannungsbegrenzer-
Aufgabe, die Summe der Signale, die in den beiden Telefonleitungen 20 und 30 auftreten können, auf
eine Spitzenspannung Us zu begrenzen.
Die Kathoden ist mit dem Kollektor eines
p-n-p Transistors 36 verbunden, dessen Emitter mit dem positiven Pol einer Spannungsquelle 25 mit der
Spannung Ug verbunden ist, die größer als die Spannung
E„ der Spannungsquelle 23 ist und deren nega-
werden, haben die Wirkung, ihn zur Sättigung zu entsperren und dementsprechend die Kathode 11
des Tecnetrons 10 auf das Potential U9 zu bringen.
Die Einschnürungselektrode 12 ist mit dem Kollektor eines p-n-p Transistors 24 verbunden und
dessen Emitter mit dem positiven Pol der Spannungsquelle 25. Die Anode 13 des Tecnetrons 10 ist außer
mit der Anode einer Diode 42 durch einen Wider-
F i g. 2 zeigt ein Schalttecnetron 10, das erfindungsgemäß so geschaltet ist, daß es die Verbindung
zwischen zwei Fernsprechleitungsabschnitten 20 und 30 herstellen und unterbrechen kann.
Das Tecnetron 10 besteht aus einem Halbleiterkörper, ζ. B. mit η-Leitfähigkeit, der eine Kathode 11,
eine Anode 13 und eine ringförmige Einschnürungselektrode 12 besitzt. Zwischen der Einschnürungs-
Vg — Eg + U8 kleiner ist als das Kipp-Potential des
Tecnetrons für den niedrigst zugelassenen Wert von α, d. h.
+ UsKamin(Ea- R1I0).
(D
Wenn ein positiver Einschaltimpuls an den n-p-n Transistor 44 gelegt wird, fällt das Anodenpotential
des Tecnetrons 10 auf den Wert U0 < E0,
und infolgedessen verläuft seine Stromspannungskennlinie entsprechend der Kurve 2 der F i g. 1 mit
einer Kippspannung Va'b — Vc — a(Ua — V). Da der
optimale Wert von α 1 ist, genügt es, um das Tecnetron 10 zum Kippen zu bringen, daß das an seine Einschnürungselektrode
angelegte Potential U9 durch gleichzeitiges Einschalten der Transistoren 24 und 44
größer als U0 wird, d. h.
Zum andern muß für den gleichen Koeffizienten ami„ die durch den Transistor 24 an die Einschnürungselektrode des Tecnetrons angelegte Spannung U9
kleiner als seine Kippspannung Vgb sein; d.h.
U9Ka^n(E0-R1I0). (5)
Die vorstehend aufgeführten Ungleichungen (1) bis (5) geben die erforderlichen und auch ausreichenden
Bedingungen dafür an, daß ein Schalttecnetron, wie z. B. das Tecnetron 10, das durch Markierungsspannungen gesteuert wird, die an seine Anode und
an die Einschnürungselektrode gelegt werden, unter den erforderlichen Bedingungen für einen Kreuzungspunkt der Umschaltmatrix eingesetzt werden kann.
Aus diesen Ungleichungen leitet man einerseits ab
U9>Ua.
(2) und
amin U0
Der Arbeitspunkt M2 des Transistors 10 befindet
sich dann auf dem Zweig mit schwachem Widerstand R α der Kurve 2. Der Gleichstrom, der von
der positiven Klemme der Vorspannungsquelle 23 zur Erde fließt und dabei auch die Sekundärwicklung
des Transformators 21, die Diode 22, das Tecnetron 10 zwischen der Elektrode 12 und der Kathode 11, die
Spannungsbegrenzerschaltung 32 und die Sekundärwicklung des Transformators 31 durchfließt, wird
durch die Sprachsignale, die von den Telefonleitungen 20 und 30 kommen, moduliert. Die Potentialdifferenz
v, die sich zwischen der Kathode 11 und der Einschnürungselektrode 12 für einen gegebenen Einschnürungsstrom
I9 ausbildet, ist keineswegs zwangsläufig für alle Tecnetrons die gleiche, und die zugelassenen
Toleranzen sind so, daß diese Potentialdifferenz kleiner ist als ein Grenzwert v„mx, d. h., der
Wert I9 liegt für die Einschnürungsströme praktisch
zwischen 5 und 20 Milliampere. Damit die auf diese Weise hergestellte Verbindung bestehen bleibt, insbesondere,
wenn die Signale mit Sprachfrequenz, die aus der einen oder der anderen der Leitungen 20
und 30 oder aus beiden kommen, in der Summe die Spitzenspannung Us erreichen, muß die Vorspannung
E9, die an die Einschnürungselektrode angelegt ist, größer sein als die Summe des Spannungsabfalls
in dem Tecnetron und der Spitzenspannung Us.
U0Ka^n(E0-R1I0),
woraus sich ergibt:
Vmax+ 2 UsKa2 min (E0-R1I0)
und damit eine Relation, die es gestattet, den minimalen Wert der elektromotorischen Kraft der Anodenspannungsquelle
40 zu bestimmen:
E0 > R1I1,+
2US
andererseits leitet man daraus ab:
(vmax + 2 Us)
< U0 < U9 < amin (E0 - R110),
«min
E9
Us
Wenn sich das Tecnetron 10 im Zustand »EIN« befindet, bringt das Einschalten des Transistors 34
durch einen Abschaltimpuls, der an dessen Basis 36 gelegt wird, seine Kathode auf das gleiche Potential
wie seine Einschnürungselektrode; die daraus resultierende Unterbrechung des Stromes I9 erzeugt ein
umgekehrtes Kippen, und der Arbeitspunkt des Tecnetrons 10 wandert wieder nach W1 auf den
Zweig hoher Impedanz der Kurve 1.
Um zu verhindern, daß nur einer der beiden »EIN«-Steuerimpulse das Tecnetron 10 zum Kippen
bringen kann, muß einerseits dafür gesorgt werden, daß die Spannung Ua, die durch den Transistor 44
an seine Anode gelegt wird, nicht dazu ausreicht, die Kippspannung eines Tecnetrons mit dem zulässigen
Koeffizienten ami„ unterhalb des Spannungsmaximums
E9 + Us, das an seine Einschnürungselektrode angelegt
werden kann, zu senken, woraus die Bedingung resultiert:
Eg+Us< «„„·„ Ua.
was gestattet, die Spannungen U0 der Quelle 45 und
U9 der Quelle 25 zu bestimmen.
Und schließlich ergibt sich daraus:
Und schließlich ergibt sich daraus:
«max+ Vs < E9
< <*mi„U0- C/,,
wodurch die Grenzwerte der Spannung der Quelle 23 bestimmt sind.
Wenn z. B. für R1 = 5000 Ohm, I0 = 1 Milliampere,
«„„■„ = 0,7, vmax = 2,3 Volt, U3 = 2,5 Volt eingesetzt
wird, ergibt sich E11 > 19,6 Volt. Wenn man z. B.
den Wert von E0 auf 25 Volt festsetzt, erhält man:
(3) 10,4 V < U0 < U9
< 14 Volt,
wodurch U11 = 12 Volt und U9= 13 Volt angenommen
werden kann.
Daraus ergibt sich
Daraus ergibt sich
4,8 V < Eg < 6 V ,
womit der Wert von E9 auf 5,5 Volt festgesetzt werden
kann.
F i g. 3 stellt beispielsweise eine Schaltmatrix 100
dar, die nur zwei Zeilen 6O1 und 6O2 sowie zwei
Spalten 5O1 und 5O2 umfaßt, an deren Kreuzungspunkten Tecnetrone 1O11, 1O12, 1O21, 1O22 gemäß
F i g. 2 angeordnet sind, deren Anodenmarkierung über Hilfsspalten 7O1 und 7O2 bewirkt wird. Die
verschiedenen Elemente der F i g. 2 sind in F i g. 3 durch die gleichen Bezugsziffern bezeichnet, gegebenenfalls
jedoch mit einem Index versehen, der ihren Platz in der Matrix 100 anzeigt. Um z. B. eine
Verbindung zwischen den Fernsprechleitungen 2O1 und 3O1 herzustellen, die der Zeile 6O1 bzw. der
Spalte 5O1 zugeordnet sind, werden die Transistoren
(4) 24I1 und 441 gleichzeitig durch Impulse deblockiert,
die von einem Decoder 200 gemäß den Adressen der Zeile 1 und der Spalte 1 ausgesandt werden, die ihm
durch ein nicht dargestelltes Adressenregister geliefert werden. Das Tecnetron 1O11, das gleichzeitig seine
Anode 13n auf das Potential Ua der Quelle 45 und
seine Einschnürungselektrode auf das Potential Ug
der Quelle 25 gebracht hat, kippt und wird von dem Gleichstrom der Quelle 23 durchströmt, der durch
die Sprachsignale der Leitungen 2O1 und 3O1 moduliert
wird. Die Tecnetrone 1O12 und 1O21, deren
jedes nur eines der Verbindungssignale erhält, kippen nicht. Zum Abschalten deblockiert der Decoder 200
den Transistor 34X entsprechend der Spaltenadresse,
die von dem Adressenregister empfangen worden ist.
F i g. 4 ist eine Teildarstellung eines Umschaltnetzes
mit drei Matrixetagen mit den zugehörigen Tecnetronen, wobei eine derartige Anordnung dazu
dient, bei gleicher Kapazität (mögliche, gleichzeitige Verbindungen) die Anzahl der Verbindungspunkte
zu reduzieren, welche bei Verwendung eines Umschaltnetzes mit einer einzigen Matrix notwendig gewesen
wäre. In jeder Etage ist nur eine einzige Matrix 101 bzw. 102 bzw. 103 dargestellt und in jeder von ihnen
ist nur eine einzige Zeile 61 bzw. 62 bzw. 63 und eine einzige Spalte 51 bzw. 52 bzw. 53 und ein einziger
Kreuzungspunkt dargestellt, nämlich die Tecnetrone 1O1,1O2, 1O3, deren Einschnürungselektroden
mit den Zeilen 61 bzw. 62 bzw. 63 und deren Kathoden mit den Spalten 51 bzw. 52 bzw. 53 verbunden
sind. Jede Spalte, wie z. B. 51 der Matrix 101. ist an eine Zeile angeschlossen, wie z. B. 62 der Matrix 102,
und über einen Widerstand 81 geerdet. So ist jede Spalte, wie z. B. 52 der Matrix 102, mit einer Zeile,
wie z. B. 63 der Matrix 103, verbunden und durch einen Widerstand 82 geerdet. Die Widerstände 81
und 82 haben den Anodenstromkreis der Tecnetrone 1O1,1O2 zu schließen, während der Anodenstromkreis
des Tecnetrons 1O3 über das in Serie mit der Sekundärwicklung
des Transformators 31 geschaltete Wirknetz 32 geschlossen wird, wie dies in bezug auf
F i g. 2 dargestellt ist.
Da im Zustand »EIN« das Anlegen einer Markierungsspannung an die Einschnürungselektrode
eines Tecnetrons nicht erfolgen kann, ohne daß sich daraus eine Änderung seines Einschnürungsstromes
ergibt, wird ein Transistor, z. B. 24, an jede Zeile jeder Matrix, z. B. 101 der ersten Matrixetage, geschaltet.
Im Gegensatz dazu bewirkt das Anlegen einer Anoden-Markierungsspannung an ein Tecnetron
im Zustand »EIN« keine Änderung seines Einschnürungsstromes, da die Kennlinienzweige mit
kleiner Impedanz, auf welchen sich der Punkt M2 befindet, zusammenfallen. Diese Besonderheit wird
dazu ausgenutzt, an die Spalten der gleichen Nummer von allen Matrix in der gleichen Etage einen einzigen
Anodenmarkierungstransistor anzuschließen, wie z. B. 44(, 442, 443, und eine einzige Hilfsspalte, wie z. B.
7O1, 7O2, 7O3, zu verwenden.
Die Verbindung der Leitungen 20 und 30 erfolgt dadurch, daß gleichzeitig die Transistoren 44l5 442,
<■*' . die die Anodenmarkierungsspannung Ua an die
drei Tecnetrone 1O1, 1O2, 1O3 anlegen, und der Transistor
24. der sie nacheinander kippen läßt, gesättigt werden, wobei sich die Einschnürungsmark ierungsspannung
Ug durch den geringen Widerstand zwischen Einschnürungselektrode und Kathode des Tecnetrons
10,, das sich im Zustand »EIN« befindet, bis zur Einschnürungseleklrode des Tecnetrons 1O2 und von
der Kathode desselben aus bis zur Einschnürungselektrode des Tecnetrons 1O3 ausbreitet.
Die Trennung der Leitungen 20 und 30 erfolgt durch Sättigung des Transistors 24, wodurch die
Tecnetrone 1O3, 1O2 und 1O1 kaskadenartig nacheinander
blockiert werden. Die Bedingungen, die die an die Elektroden der Tecnetrone 1O1, 1O2, 1O3
gelegten Spannungen erfüllen müssen, werden für jedes von ihnen durch die Ungleichungen (1) bis (5)
definiert, die in Verbindung mit der F i g. 2 aufgestellt wurden, wobei jede dieser Ungleichungen
für das ungünstigste Tecnetron genügen muß.
Was einerseits die Bedingung der Stabilität der Tecnetrone im Zustande der Blockierung betrifft, die
durch die Ungleichung (1) ausgedrückt ist, und anderseits die Bedingungen dafür betrifft, daß die Tecnetrone
nicht durch die Wirkung eines einzigen der Markierungsimpulse, wie sie durch die Ungleichungen (4)
bis (5) ausgedrückt sind, zum Kippen gebracht werden, ist das Tecnetron 1O1, an welches die Einschnürungsvorspannung Eg und die Einschnürungsmarkierungsspannung
U9 direkt gelegt werden, das ungünstigste.
Diese drei Ungleichungen gelten daher ohne jede Modifikation weiterhin. Was die Bedingungen für
das Kippen und die Stabilität im Verbindungszustand, welche durch die Ungleichungen (2) bzw. (3) ausgedrückt
werden, betrifft, so ist das Tecnetron 1O3
das ungünstigste, an das die Spannungen Ug und E9
nur mit einem Spannungsabfall gelangen, der in jedem der Tecnetrone 1O1 und 1O2 gleich v„mx ist.
Die beiden Ungleichungen (2) und (3) müssen also ersetzt werden durch die Ungleichungen
und
d.h.
d.h.
Ug-2vmax>
Ua Eg-2v„,ax
> vmax+ Us,
(T)
Eg>3vmnx+Us, (3')
was für die angegebenen Werte in Verbindung mit der Fi g. 2 ergibt:
Eg > 9,4VoIt,
Un > 17 Voll,
Un > 21,6 Volt,
E11 > 35,8 Volt,
Eg > 11,9VoIt.
Daraus ergibt sich, wenn man beispielsweise Ea =. 40 Volt annimmt,
Lf9 < 24,5 Volt,
was nunmehr gestattet, Werte zu wählen, wie z. B.
U1, = 17,5 Volt,
U1, = 22,5 Volt,
Eg = 9,5 Volt.
U1, = 22,5 Volt,
Eg = 9,5 Volt.
Claims (2)
1. Schaltmatrix, insbesondere zur Verwendung als Koppelnetzwerk in einer Fernsprechvermittlungsanlage,
bestehend aus Zeilenleitungen, Hauptspaltenleitungen und Hilfsspaltenleitungen, wobei
die Koppelpunkt durch je ein Schalttecnetron gebildet werden, dessen der Einschnürungselektroden-Kathodenstrecke
zugeordnete Stromspannungskennlinie einen Kippunkt mit einem anschließenden
Abschnitt negativen Widerstandes aufweist und wobei an jedem Koppelpunkt die Hauptspallcnleitung mit der Kathode, die Hilfs-
spaltenleitung mit der Anode und die Zeilenleitung mit der Einschnürungselektrode des Tecnetrons
verbunden ist, dadurch gekennzeichnet,
daß für die Koppelpunkte Tecnetrons (10) mit von der Anoden-Kathoden-Spannung gleichsinnig abhängiger Kippspannung vorgesehen
sind und daß zum Durchschalten eines Koppelpunktes Koinzidenz eines positiven Impulses
an der Zeilenleitung (60) und eines negativen Impulses an der Hilfsspaltenleitung (70) sowie
zum Auftrennen des Koppelpunktes ein positiver Impuls an der Spaltenleitung (50) vorgesehen ist.
2. Schaltmatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen der Kippspannung
Veb und der Anoden-Kathoden-Spannung Va der
Tecnetrons bestehende Proportionalitätsfaktor α einen Wert zwischen 0,7 und 1 aufweist und daß
die Einschnürungselektroden-Kathodenspannung £J,, die Anoden-Kathoden-Spannung Va, die Amplitude
Ug der an die Einschnürungselektroden (12) gelegten Durchschaltimpulse bzw. der an die
Kathoden (11) gelegten Auftrennimpulse sowie die
10
Amplitude Ua der an die Anoden (13) gelegten
Durchschaltimpulse und die maximale Amplitude Us der über einen Koppelpunkt zu übertragenden
Wechselspannungssignale, durch die Ungleichung
^- (E9 + Us)
<Ua<Ug< 0,7 Va
miteinander verbunden sind.
3. Schaltmatrix nach Anspruch 1 oder 2 für eine Mehrstufenmatrixanordnung, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zuführung der zum Absenken der Kippspannung an die Anoden (13) der Tecnetrons
(10) gelegten Steuersignale ohne Änderung des Einschnürungsstromes der im Durchschaltzustand
befindlichen Tecnetrons parallel mit den Spaltenleitungen gleicher Ordnung mehrerer Matrixstufen
verbunden ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschrift Nr. 1312 465;
Zeitschrift »Elektronik«, Juni 1959, S. 169 bis 171.
Französische Patentschrift Nr. 1312 465;
Zeitschrift »Elektronik«, Juni 1959, S. 169 bis 171.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 567/497 6.68 0 Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR953644A FR1388750A (fr) | 1963-11-13 | 1963-11-13 | Dispositif de commande de réseaux électroniques de commutation téléphonique à tecnetrons |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1271179B true DE1271179B (de) | 1968-06-27 |
Family
ID=8816488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP1271A Pending DE1271179B (de) | 1963-11-13 | 1964-10-30 | Schaltmatrix, insbesondere zur Verwendung als Koppelnetzwerk in einer Fernsprechvermittlungsanlage |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
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BE (1) | BE654694A (de) |
DE (1) | DE1271179B (de) |
FR (1) | FR1388750A (de) |
GB (1) | GB1036369A (de) |
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AT278106B (de) * | 1968-02-09 | 1970-01-26 | Siemens Ag | Schaltmatrix mit Schwellwertschalter |
US3639908A (en) * | 1970-03-02 | 1972-02-01 | Rca Corp | Solid-state analog cross-point matrix having bilateral crosspoints |
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- 1963-11-13 FR FR953644A patent/FR1388750A/fr not_active Expired
-
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- 1964-10-26 GB GB43572/64A patent/GB1036369A/en not_active Expired
- 1964-10-30 DE DEP1271A patent/DE1271179B/de active Pending
- 1964-11-09 US US409716A patent/US3392373A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1036369A (en) | 1966-07-20 |
BE654694A (de) | 1965-02-15 |
US3392373A (en) | 1968-07-09 |
FR1388750A (fr) | 1965-02-12 |
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